JP5020836B2 - 試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 - Google Patents
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Description
1)試料加工位置はイオンビーム下遮蔽材部分と接していることから、遮蔽板輻射熱で試料上が高温となる。
2)遮蔽板冷却は、イオンビーム照射範囲から外れた箇所から熱伝導を利用して冷却しなければならない。
3)試料の冷却もイオンビーム照射範囲から外れた箇所からの熱伝導でないと冷却できない。
4)特に熱伝導の悪い試料の場合、3)に記載の熱伝導により冷却されることから、効果的に冷却できない。
(実施の形態1)
図1は本発明の第1の実施の形態を示す構成図である。図において、IBはイオン源(図示せず)から出射されるイオンビームで、Aはその照射領域を示している。1は試料、2は該試料1を支持する試料支持部材である。3は試料1の上に載置され、試料1を直接遮蔽する遮蔽板、4は該遮蔽板3を支持する遮蔽板支持部材である。5は遮蔽板3の上に該遮蔽板3を覆うように配置された遮蔽ブロック、6は該遮蔽ブロック5を支持する遮蔽ブロック支持部材である。試料支持部材2としては例えばモリブデンが使用され、遮蔽板支持部材4,遮蔽ブロック支持部材6としては例えばアルミニウムが使用される。
(実施の形態2)
図2は本発明の第2の実施の形態を示す構成図である。図1と同一のものは、同一の符号を付して示す。図に示す実施の形態は、図1に示す遮蔽板支持部材4と遮蔽ブロック支持部材6を一体化したものである。図において、10は遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材である。該遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10には、断熱材9を介して遮蔽板支持部材4が取り付けられ、一体構造となっている。従って、遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材10は、遮蔽ブロック5に加えて遮蔽板3を支持することになる。その他の構成は、図1に示す実施の形態と同じなので、説明は省略する。このように構成された機構の動作を説明すれば、以下の通りである。
(実施の形態3)
図3は本発明の第3の実施の形態を示す構成図である。図1と同一のものは、同一の符号を付して示す。図に示す実施の形態は、図1に示す遮蔽板3と遮蔽ブロック5を断熱材15を介して一体化したものである。図において、15は遮蔽板3と遮蔽ブロック5間をつなぐ断熱材である。該断熱材15としては既存の断熱材料を用いることができる。この実施の形態では、遮蔽板3と遮蔽ブロック5とが断熱材15を介して一体構造となっている。その他の構成は、図1に示す実施の形態と同じなので、説明は省略する。このように構成された機構の動作を説明すれば、以下の通りである。
2 試料支持部材
3 遮蔽板
4 遮蔽板支持部材
5 遮蔽ブロック
6 遮蔽ブロック支持部材
7 冷却伝導用編組線
8 冷却伝導用編組線
9 断熱材
10 遮蔽ブロック・遮蔽板支持部材
15 断熱材
Claims (4)
- 試料を部分的に覆うように試料に密着して遮蔽材を配置すると共に、前記試料と遮蔽材にイオンビームを照射し、前記遮蔽材の端縁部から露出した試料をイオンビームにより除くことによって試料に断面を形成する試料断面作製装置の遮蔽材保持機構であって、
前記イオンビームから前記遮蔽材を遮るための遮蔽ブロックを、前記遮蔽材の上方に間隔を開け、かつ前記遮蔽材の端縁部及び端縁部から露出した試料にイオンビームが照射されるように配置したことを特徴とする試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。 - 前記遮蔽材を保持する機構と前記遮蔽ブロックを保持する機構を一体化したことを特徴とする請求項1記載の試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。
- イオンビームにより試料をエッチングして試料観察面を作製するようにした試料作製装置に用いられる遮蔽材保持機構であって、試料表面にイオンビームが照射されることを遮蔽する遮蔽材を用いる遮蔽材保持機構において、
試料の上に載置され、試料を直接遮蔽する遮蔽材と、該遮蔽材の上に該遮蔽材を覆うように配置された遮蔽ブロックと、を断熱材を介して一体構造としたことを特徴とする試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。 - 前記遮蔽材を支持する第1の支持部材と、前記試料を支持する第2の支持部材に冷却伝導用編組線を接続して、前記第1の支持部材と第2の支持部材を冷却手段により冷却するように構成したことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の試料断面作製装置の遮蔽材保持機構。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008012448A JP5020836B2 (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008012448A JP5020836B2 (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009174940A JP2009174940A (ja) | 2009-08-06 |
JP5020836B2 true JP5020836B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=41030194
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008012448A Active JP5020836B2 (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 試料断面作製装置の遮蔽材保持機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5020836B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5581007B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2014-08-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 加工装置、及び試料加工方法 |
US8445874B2 (en) * | 2010-04-11 | 2013-05-21 | Gatan Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US8653489B2 (en) * | 2010-04-11 | 2014-02-18 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US8384050B2 (en) * | 2010-04-11 | 2013-02-26 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation thermal management apparatus and methods |
JP5512450B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-06-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
JP2016095895A (ja) * | 2013-01-30 | 2016-05-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置を用いた試料の加工方法、及びイオンミリング装置 |
DE112014002250T5 (de) * | 2013-06-10 | 2016-02-18 | Hitachi High-Technologies Corporation | lonenbearbeitungsvorrichtung |
JP6372405B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2018-08-15 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 断面試料作成装置、及び、断面試料作成方法 |
JP2024042839A (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-29 | 日本電子株式会社 | 試料加工装置、遮蔽板、および試料加工方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3542884B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2004-07-14 | 日本電子株式会社 | 試料観察装置用冷却装置 |
JP2005077359A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Jeol Ltd | イオンミーリング試料作製装置および試料ホルダ |
JP2007333682A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Jeol Ltd | イオンビームを用いた断面試料作製装置 |
JP5020794B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2012-09-05 | 日本電子株式会社 | 試料断面作製装置の試料遮蔽機構 |
-
2008
- 2008-01-23 JP JP2008012448A patent/JP5020836B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009174940A (ja) | 2009-08-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111110 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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