JP5015180B2 - モジュール - Google Patents
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Description
一方、外部量子効率は、供給された電力に対して発光層からの光の内のどれだけの光がLED外方に取り出せるかを示すパラメータであり、内部量子効率と発光層で発生した光がLED外方に取り出される割合(光取り出し効率)との積で表される。そして、外部量子効率を左右する光取り出し効率は、LEDベアチップの形状、LEDベアチップを覆う材料およびその形状などに影響を受ける。そこで、光取り出し効率の向上を図る一方法として、ベアチップを樹脂などで覆うことにより、光取り出し側におけるベアチップとそれに接する外界との界面における屈折率の差をできるだけ小さくするということが行われる。
ところで、ベアチップを実装基板に実装する方法として、図20に示すようなフリップチップ実装法が用いられることがある。図20に示すように、フリップチップ実装法を用いた場合には、真空コレット1300でベアチップ1100における光取り出し側の面を吸着し、これを実装基板1200における配線層1210に対して超音波で接合する。このようにベアチップ1100を実装することにより、ベアチップ1100の発光層と実装基板1200との距離を短いものとすることができ、発光層で生じた熱を効率よく基板に逃がすことができる。つまり、フリップチップ実装法は、ベアチップの高密度実装を必要とする照明装置において、放熱性を確保するという点から有効な技術であるといえる。
従って、本発明に係る半導体発光装置は、発光効率を高く維持しながら、(実装)基板に対する優れた接合性が確保されるという優位性を有する。
また、上記密に被覆するとは、表面における凹凸構造に対して、その凹部の底も含めて表面との間に隙間が生じないように被膜が形成されている状態をいう。
また、半導体発光装置においては、通常、基板上に複数の層が積層された構成を有するが、上記凹凸構造とは、これら積層された層の内の一の層に形成された構造だけをさすものではない。例えば、光が基板側から出射される形態の半導体発光装置では、基板の表面に凹凸構造が設けられることがある。
(1)金属アルコキシド(テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなど)を出発原料とするガラス材料
(2)セラミック前駆体ポリマー(ペルヒドロポリシラサンなど)からなるガラス材料
(3)酸化燐、酸化ボロンなどからなるガラス材料
また、被膜中に発光層からの光によって励起する発光物質を含有させておくことが望ましい。特に、被膜中の発光物質が、発光層からの光を白色光に変換できる物質(蛍光物質など)とすれば、本発明に係る半導体発光装置を照明装置などに用いるのに望ましい。
半導体発光装置における発光層は、一般に、複数の構成層(クラッド層、コンタクト層、バッファ層など)に挟まれた状態で、透光性基板の上に設けられているが、透光性基板の表面に凹凸構造を設け、これをもって光透過部の凹凸構造とすることもできる。即ち、光透過部の凹凸構造を透光性基板の表面に形成しておくことができる。ここで、透光性基板には、発光層および上記複数の構成層と略同一の屈折率を有するものを採用することが望ましい。これは、光取り出し効率を高く維持するのに有効であるからである。具体的な透光性基板の構成材料としては、GaN、SiC、AlNなどから選択されたものを採用することができる。
上記本発明に係る半導体発光装置の製造方法では、表面に凹凸構造を有した光透過部を形成することから、高い光取り出し効率が確保された半導体発光装置を得ることができる。また、この製造方法では、上記光透過部の形成後に、凹凸構造を覆うように、透光性を有した被膜を形成するので、得られた半導体発光装置を実装により実装基板に対して実装する場合にも、光透過部における凹凸構造の保護を図りながら確実な接合をなし得る。即ち、上記製造方法では、凹凸構造の上を被膜で保護することによって、実装時に真空コレットなどを用いて吸着する際の確実性が増し、また、超音波印加に際して、凹凸での超音波エネルギのロスを低減することができる。
なお、上記表面の凹凸構造については、上述と同様に、その形成形態によって果たす機能を変えることができる。即ち、不規則な凹凸の場合には上述のように光の散乱機能を果たすものであり、周期構造をとる場合にはフォトニッククリスタル(PC)構造あるいはフォトニックバンドギャップ(PBG)構造と呼ばれるものである。
上記本発明に係る照明装置では、凹凸構造を表面に有する光透過部と、この上を被覆する被膜とを有する半導体発光装置を有するので、高い発光効率が維持され、且つ、半導体発光装置と実装基板との間における確実な接合を確保することができる。
上述のように、本発明に係る半導体発光装置は、表面に凹凸構造を有した光透過部が出射側に形成されていることから高い光取り出し効率が確保され、高い発光効率が得られる。また、その凹凸構造を覆うように被膜が形成されているので、この装置を実装基板に対して実装する際にも、凹凸構造が破壊されることがなく、高い接合性が確保できる。
さらに、本発明に係る照明装置では、上記半導体発光装置が実装基板上に実装されているので、高い発光効率と品質安定性を有する。
(1)金属アルコキシド(テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなど)を出発原料とするガラス材料
(2)セラミック前駆体ポリマー(ペルヒドロポリシラサンなど)からなるガラス材料
(3)酸化燐、酸化ボロンなどからなるガラス材料
なお、何れのガラス材料を用いる場合においても、凹凸構造上に材料を塗布(ポッティングやスピンコーティングなど)し、乾燥した後に、数百(℃)の温度で焼成することで、凹凸構造上に平坦な表面を有するガラス層(被膜)を形成することができる。
(実施の形態1)
実施の形態1では、LEDベアチップ(以下、単に「LEDチップ」という。)1を半導体発光装置の一例として用いる。
(LEDチップ1の構成)
LEDチップ1について、図1および図2を用いて説明する。図1にLEDチップ1の外観斜視図、図2(a)にその一部断面図、図2(b)にLEDチップ1の回路構成図を示す。
図1に示すように、LEDチップ1における対角のコーナには、外部からの電力供給用の接続端子として、一方にカソード電極50、他方にアノード電極60が配されている。これら電極50、60は、ブリッジ配線40により直列接続された35の発光素子部20の両端に位置する発光素子部20の各々におけるn側電極およびp側電極である。
なお、LEDチップ1では、図1におけるz方向下向き(−z方向)が光の出射方向であり、チップ基板10における凹部11は、出射光を散乱あるいは透過しやすくすることで、擬似的に界面(出射面)の屈折率差を低くするのと同じ効果を得るために形成されているものである。これについては、上記特許文献1および非特許文献1に詳しいので、ここでの説明は省略する。
また、ノンドープGaN基板10は、(InGaN/GaN)×6発光層23とほぼ同等の2.5前後の屈折率を有する。これは、従来のLEDチップにおけるサファイヤ(屈折率;1.7)を用いる場合に比べて、光取り出し効率の向上を果たすのに有効である。
本実施の形態で被膜70の厚みを80(μm)に設定したのは、(InGaN/GaN)×6発光層23から発する青色の励起光(ピーク波長範囲:400nm以上500nm以下の波長範囲に主発光ピーク)と、これの一部を被膜70が受けることにより励起発光する黄色光(ピーク波長範囲:550nm以上600nm以下の波長範囲に主発光ピーク)とが混色されることによって、LEDチップ1として白色光を得ることができるようにするためである。
(LEDチップ1の製造方法)
次に、LEDチップ1の製造方法について、図3〜図4を用いて説明する。
図3(a)に示すように、有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition;MOCVD法)を用いて、φ5(cm)、厚さ300(μm)のノンドープGaN基板10上にGaNバッファ層21、n−GaNクラッド層22、(InGaN/GaN)×6発光層23、p−GaNクラッド層24、p−GaNコンタクト層25の各層を順に積層する。
図3(d)に示すように、溝32の壁面を含めた表面を覆うように、Si3N4膜28を形成する。Si3N4膜28は、絶縁と表面保護という2つの目的から形成されるもので、スパッタ法などを用いて形成される。ここで、溝32においても、その側面および底面がSi3N4膜28で覆われるにいたり、溝33が形成される。そして、この分離溝32については、基板10への切り込み深さが極めて浅く、表面的な形成であるので、基板10を折損することがない。
図4(f)に示すように、分離溝30に隣り合う棚部分であるn型電極27を形成しようとする領域のSi3N4膜28をエッチングで除去した後、蒸着法を用いてTi/Auの膜を蒸着し、n型電極27を形成する。同様に、隣り合う発光素子部20のp型電極26とn型電極27とを接続するように、Ti/Pt/Auからなるブリッジ配線40を形成する。
図4(g)に示すように、ノンドープGaN基板10に対し、例えば、その厚みが150(μm)になるまで、ラップ・ポリッシュで裏面(図面での下面)を研磨する。その後に、図4(g)の拡大部分に示すように、エッチングによりノンドープGaN基板10の裏面に複数の凹部11を形成する。凹部11は、上述のように、1(μm)周期で形成され、各々の開口形状が四角形である。
なお、本実施の形態では、基板としてノンドープGaN基板10を用いたが、これの代わりに、より安価な、n−GaN基板上にAlGaN層などの高抵抗層を形成した基板を用いてもよい。その際には、分離溝については高抵抗層が残るように形成することが必要となる。
上記LEDチップ1を有したLEDモジュール100について、図5を用いて説明する。
図5(a)に示すように、LEDモジュール100は、直径φ5(cm)の円盤形をしたコンポジット基板110と、この上に設けられた3つの発光部120とから構成されている。この内、コンポジット基板110には、後述する照明装置200への取り付けのための切り欠き部110a、および照明装置200からの電力の供給を受けるための端子130、140が設けられている。また、図示は省略しているが、コンポジット基板110の略中央には、照明装置200への取り付け時の操作性を向上させるのにガイド孔が開設されている。
図5(b)に示すように、LEDチップ1は、コンポジット基板110における凹部111の底面に実装されている。LEDチップ1は、コンポジット基板10に対してフリップチップ実装されており、放熱性に優れている。そして、LEDチップ1が実装された凹部111の周囲には、これを取り囲むようにアルミ製の反射ミラー150が形成されている。反射ミラー150で囲まれた凹部111の内方には、樹脂層160が充填され、これによってLEDチップ1が封止されている。樹脂層160の構成材料としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などを用いることができる。
図5(b)の拡大部分に示すように、LEDチップ1は、そのp型電極26およびn型電極27がコンポジット基板110における配線層114に接続されている。配線層114の表面は、Auメッキが施されているとともに、各電極26、27と配線層114との間には、Au層180が介挿されているが、これは、LEDチップ1をコンポジット基板110にフリップチップ実装する際に配線層114の上に配したAuバンプである。
アルミナコンポジット絶縁層113、115の層厚さは、100(μm)であり、配線層114の層厚さは、25(μm)である。
なお、隣り合う発光素子部20におけるp型電極26とn型電極27との間は、上述のようにブリッジ配線40により接続されているが、コンポジット基板110への実装によっても接続されるようになっている。これは、LEDチップ1内における接続の確実性を向上させる目的と、発光駆動時にLEDチップ1で生じた熱を確実にコンポジット基板110の側に逃がすためである。
次に、コンポジット基板110に対してLEDチップ1を実装する方法について、図6および図7を用いて説明する。
図6に示すように、コンポジット基板110には、LEDチップ1を実装しようとする領域において、最上層のアルミナコンポジット絶縁層115が除去されている。実装される側のコンポジット基板110は、図7(a)に示すように、3つのLEDチップ1a、1b、1cが実装され得る領域を有し、配線層114により各々の正負極が端子130および端子140に接続されるようになっている。
(LEDモジュール100を備える照明装置200)
次に、LEDモジュール100を備える照明装置200について、図8および図9を用いて説明する。図8は、照明装置200の外観斜視図および下面図を示し、図9は、LEDモジュール100の取り付けに係る展開図を示す。
図8(b)に示すように、照明装置200におけるLEDモジュール100は、器具210の内方の取り付け面にコンポジット基板110のアルミ層112が密着する状態に配されている。
上記のように構成された照明装置200では、商用電源から供給された交流電力が器具内の電力変換回路で直流電力に変換された後、端子130、140を通してLEDモジュール100に電流150(mA)が供給される。供給されたLEDモジュール100では、3つの発光部120がそれぞれ白色光を発する。そして、このときLEDチップ1で生じる熱は、コンポジット基板110におけるアルミ層112を介して器具210に逃がされる。よって、この照明器具200では、発光駆動を長時間持続した場合にも、LEDチップ1の劣化が抑制され、またその発光効率も高く維持される。
本実施の形態に係る照明装置200が出射する白色光のスペクトル分布を、図10に示す。図10に示すように、本実施の形態に係る照明装置200は、色温度5400(K)、平均演色70のスペクトルの白色光を出射し、発光スペクトルは、波長460(nm)近傍および560(nm)近傍で相対強度のピークを示す。この内、波長460(nm)近傍では、鋭いピークを示す。また、全光束1000(lm)、中心光度2000(cd)であった。
上記のように本実施の形態に係るLEDチップ1は、光の出射側であるノンドープGaN基板10の表面に凹部11が形成され、さらにこれを覆うように被膜70が形成されている。よって、上記図6のように、コンポジット基板110に対してLEDチップ1をフリップチップ実装する際に、ノンドープGaN基板10の凹部11が確実に保護される。また、フリップチップ実装時において、真空コレット500でLEDチップ1を確実に吸着することができ、実装時の位置ずれを生じにくい。さらに、被膜70によって真空コレット500からの超音波の印加に際しても、印加した超音波エネルギが真空コレット500とLEDチップ1との間で弱められることがなく、確実な実装が実現される。
なお、本実施の形態に係るLEDチップ1は、出射側に電極などの光を遮るものがないので、照射面に障害物の影が現れるようなことがないという優位性も備える。
(実施の形態2)
実施の形態2においても、半導体発光装置としてのLEDチップ3を一例に説明を進めてゆく。
本実施の形態に係るLEDチップ3は、上記図1で示したLEDチップ1と類似した外観形状を有する。即ち、各々が285(μm)×400(μm)の発光素子部320が7×5のマトリクス状に配され、LEDチップ3全体のサイズが2(mm)×2(mm)である。以下では、LEDチップ3の構成について、LEDチップ1との相違点を主におき、図11を用いて説明する。図11では、(a)にLEDチップ3の一部断面を示し、(b)に後述する被膜370を除去した状態でのLEDチップ3の上面図を示す。
分離溝330、n型電極327、Si3N4膜328およびブリッジ配線340などの構成については、上記LEDチップ1と同様であるので、説明を省略する。
図11(a)に示すように、LEDチップ3におけるノンドープ4HーSiC基板310の下面には、凹部が形成されておらず、Ni/Al/Pt/Au層380が形成されている。また、p−GaNコンタクト層325の上には、Ni/Auからなるp型電極326が形成されているが、これらp−GaNコンタクト層325の層表面からp型電極326を貫く複数の凹部326aが形成されている。これについて、図11(b)を用いて説明する。
被膜370は、透光性を有する硬質シリコーン樹脂を主成分とし、凹部326aを完全に埋め込み、且つ表面が略平坦となるように形成されており、膜厚さ50(μm)を有している。また、被膜370の中には、In0.03Ga0.97N/Al0.05Ga0.95N×5発光層323から出射される近紫外光で励起発光する蛍光体や、SiO2の微粒子などが分散された状態で含有されている。この蛍光体の選択については、上記近紫外光により励起され、結果的にLEDチップ3から白色光が出射されるようなものとすればよく、例えば、以下のような組み合わせを採用することができる。
(例1)近紫外光で励起され青色光を放つ青色蛍光体+近紫外光で励起され緑色光を放つ緑色蛍光体+近紫外光で励起され赤色光を放つ赤色蛍光体
(例2)(上記例1の組み合わせ)+近紫外光で励起され黄色光を放つ黄色蛍光体
(例3)近紫外光で励起され青色光を放つ青色蛍光体+近紫外光で励起され黄色光を放つ黄色蛍光体
(例4)(上記例3の組み合わせ)+近紫外光で励起され赤色光を放つ赤色蛍光体
(例5)近紫外光で励起され青色光を放つ青色蛍光体+青色蛍光体が放つ青色光で励起され緑色光を放つ緑色蛍光体+青色蛍光体が放つ青色光で励起され赤色光を放つ赤色蛍光体
(例6)近紫外光で励起され青色光を放つ青色蛍光体+青色蛍光体が放つ青色光で励起され緑色光を放つ緑色蛍光体+緑色蛍光体が放つ緑色光で励起され赤色光を放つ赤色蛍光体
なお、上記については、あくまでも例示であり、最終的にLEDチップ3から白色光が得られる組み合わせであれば、これに限定を受けるものではない。
青色蛍光体;(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu2+
(Ba、Sr、Ca)10Mg(PO4)6Cl2:Eu2+
緑色蛍光体;BaMgAl10O17:Eu2+、Mn2+
(Ba、Sr)2SiO4:Eu2+
Y3(Al、Ga)5O12:Ce3+
黄色蛍光体;(Y、Gd)3Al5O12:Ce3+
(Sr、Ba)2SiO4:Eu2+
赤色蛍光体;La2O2S:Eu3+
CaS:Eu2+
また、被膜370に含有される物質の内、SiO2は、中心粒径が数10(nm)〜数100(nm)の超微粒子である。含有する微粒子については、上記で示したSiO2以外に、Al2O3、ZnO、Y2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、SnO2、Ta2O3、Nb2O3、BaSO4、ZnS、V2O5などや、あるいはこれらを混合したものを用いることもできる。
次に、LEDチップ3の製造方法について、図12を用いて説明する。なお、LEDチップ3の製造にあっては、使用材料の違いはあるものの、上記図4(f)の段階まで、LEDチップ1の製造方法と重複するので、以下では、それ以降の部分について説明する。
図12(a)には、p型電極326、n型電極327の形成までが完了した状態を示す。
図12(c)に示すように、p型電極326の形成領域に対して、エッチングによって、上記図11(b)に示すパターンで凹部326aを形成する。このとき、凹部326aの底面は、p−GaNコンタクト層325の層表面である。凹部326aは、上述のように、周期が1(μm)で、開口形状が円形である。
(LEDモジュールの構成)
LEDチップ3を備えるLEDモジュールの構成について、図13を用いて説明する。図13では、(a)に当該LEDモジュールの一部断面図、(b)にLEDチップ3と配線層414との接続状態図を示す。
LEDチップ3は、セラミックス基板410の凹部411の底面に載置されているが、Ni/Al/Pt/Au層380とセラミックス基板410の配線層414との間にはAu層480が介挿されている。これは、上述の通り、チップ実装の際にあらかじめ配線層414に設けたAuバンプである。図13(b)に示すように、LEDチップ3は、凹部411の内側壁の対向する二方から延出された2つの舌状のパッド(カソードパッド414a、アノードパッド414b)の内、大きな面積を有するカソードパッド414aの上に接続されている。そして、LEDチップ3におけるカソード電極350、アノード電極360は、それぞれカソードパッド414a、アノードパッド414bとボンディングワイヤ481、482で接続されている。
また、図では示していないが、本実施の形態に係るLEDモジュールは、LEDチップ3の構成および接続形態を除き、上記図5と同一の構成を有する。そして、これを備える照明器具については、上記図8と同一の構成を有してもよいし、その他の構成とすることもできる。
(LEDチップ3およびこれを備えるLEDモジュール、照明装置の優位性)
本実施の形態に係るLEDチップ3は、In0.03Ga0.97N/Al0.05Ga0.95N×5発光層323から出射された近紫外光の出射側となるp型電極326側に凹部326aが設けられており、これを覆うように被膜370が形成されている。このLEDチップ3をセラミックス基板410にチップ実装する際には、被膜370の表面を真空コレットで吸着し、これをセラミックス基板410に押しつけた後に、超音波を印加するのであるが、被膜370の形成により真空コレットによる吸着が確実に行え、また超音波印加の際にそのエネルギがp型電極326の凹部326aでロスすることがなく、確実な接合を実施できる。また、凹部326aでの超音波のロスが少なく、また、凹部326aの表面が被膜370によって保護されていることから、チップ実装時における超音波の印加により凹部326aが破壊されることもない。これらの事柄については、上記実施の形態1と同様である。
また、一般に、本実施の形態のLEDチップ3のように片面にp型電極326、n型電極327を配するような場合には、n型電極327部分の発光層を除去する必要があるために、その分だけ発光面積が狭くなることが避けられない。しかし、本実施の形態のLEDチップ3では、LEDチップ3内でブリッジ配線380を用いて個々の発光素子部間を接続しているので、ボンディングワイヤやバンプを用いて個々の発光素子部間を接続する場合に比べて、n型電極327の面積を十分狭くすることができる(例えば、100μm角程度に対して、10μm角程度まで可能。)。よって、LEDチップ3では、n型電極327の面積を狭くした分、発光層が下層に形成されているp型電極326の面積を広くとることができ、発光面積を広くすることができる。
以上のことから、本実施の形態に係るLEDチップ3のように、チップ上において、ブリッジ配線を用いて発光素子間を接続する場合には、発光素子1個からなるLEDチップをワイヤボンディングやバンプで接続する場合に比べて、トータルとしてのチップ面積を同一とした場合にも発光面積を増やすことができるという優位性を有する。
また、LEDチップ3の内部において、カソード電極をn−SiC基板に接続しておくようにすれば、カソードパッドとの間におけるボンディングワイヤを省略することができる。
また、熱伝導性では劣るものの、サファイア、AlN、Siなどを基板に用いることも可能である。
(実施の形態3)
次に、本発明の実施の形態3に係るLED表示装置6の構成について、図15を用いて説明する。
図15(b)に示すように、LEDチップ67は、図2に示すLEDチップ1における各発光素子部20と同一の構造を有している。そして、図15(b)の拡大部分に示すように、ノンドープGaN基板671の光取り出し面側(図では、上面側)には、微少な四角断面の凹部6711(例えば、1μm周期で形成された凹部)が表面全体にわたって形成されている。
なお、本実施の形態に係るLED表示装置6は、一例を示すものであって、本発明がこれに限定されるものでない。例えば、コンポジット基板61の代わりに、TFT基板などを用いることもできる。
(実施の形態4)
以下では、実施の形態4について、図16を用いてその構成を説明する。本実施の形態では、垂直面発光レーザ(VCSEL;Vertical Cavity Surface Emitting Laser)装置を一例として用い説明する。
図17(a)に示すように、SiC基板71の一方の主表面上に、半導体DBR層731、nクラッド層732、MQW層733、pクラッド層734を順に積層する。
図17(c)に示すように、半導体DBR層731とnクラッド層732とを上記エッチングに残ったMQW層732およびpクラッド層734よりもやや断面サイズが大きくなるようにエッチングする。この後に、図17(d)に示すように、SiC基板71の表面上からnクラッド層734の表面上における一部にまで続く状態で、Alブリッジ配線76を形成する。
次に、図18(f)に示すように、SiNパッシベーション膜735の表面上の一部領域およびpクラッド層734の一部領域に対してアノード電極部736の形成を行う。
なお、図示を省略するが、図18(h)に示す工程の後に、上記各構成要素731〜738が形成されたSiC基板71の表面上における所要部分に蛍光体層74の形成を行う。最後に、図16に示す単位にSiC基板71を切り分けることで、VCSEL装置7におけるVCSELセル部73の形成が完了する。
(その他の事項)
上記実施の形態1〜4は、本発明の構成および作用における特徴を説明するために、その一例として用いたものであり、本発明は、これらに何ら限定を受けるものではない。例えば、本実施の形態1、2では、発光層からの出射光とこれによって励起する蛍光体の励起光との合成によって、各々の発光部120から白色光を出射する構成としたが、単色のLEDモジュール、あるいは単色のLED光を合成して白色光を得るようにしてもよい。また、出射するのは、必ずしも白色光だけに限定されるものではなく、単色光でもよい。
(1)金属アルコキシド(テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなど)を出発原料とするガラス材料
(2)セラミック前駆体ポリマー(ペルヒドロポリシラサンなど)からなるガラス材料
(3)酸化燐、酸化ボロンなどからなるガラス材料
なお、何れのガラス材料を用いる場合においても、凹凸構造上に材料を塗布(ポッティングやスピンコーティングなど)し、乾燥した後に、数百(℃)の温度で焼成することで、凹凸構造上に平坦な表面を有するガラス層(被膜)を形成することができる。
また、上記実施の形態3、4で一例として用いた表示装置6やVCSEL装置7の各構成についても、本発明が有する特徴を奏しうる範囲内で適宜変更が可能である。
Claims (7)
- 実装基板の一方の主面に半導体発光装置が実装されてなるモジュールにおいて、
前記半導体発光装置は、透光性基板の一方の主面上に複数の発光素子が配されてなり、
前記複数の発光素子の各々は、一組のダイオード構造を有し、且つ、p型電極とn型電極とを有しており、
前記透光性基板の一方の主面上において、前記複数の発光素子は、マトリクス状に配されているとともに、隣り合う発光素子同士は、互いの間に形成された分離溝により分離されており、
前記分離溝は絶縁層で覆われており、
前記複数の発光素子は、隣り合う発光素子同士において、一方のp型電極と、他方のn型電極とが、前記絶縁層上に形成されたブリッジ配線により電気的にダイオード構造が直列接続されており、
前記直列接続の終端のp型電極は、アノード電極に電気的に接続され、前記直列接続の終端のn型電極は、カソード電極に電気的に接続されており、
前記アノード電極および前記カソード電極は、前記透光性基板の角部に配置されており、
前記実装基板における一方の主面には、配線層が敷設されており、
前記配線層には、それぞれパターニングされてなるカソードパッドとアノードパッドとアイランドパッドとが含まれており、
前記カソードパッドは、前記半導体発光装置のカソード電極と接続されており、
前記アノードパッドは、前記半導体発光装置のアノード電極と接続されており、
前記アイランドパッドは、前記半導体発光装置における隣り合う発光素子の一方のp型電極と他方のn型電極とに接続されている
ことを特徴とするモジュール。 - 前記分離溝は、底が前記透光性基板に到達する深さを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のモジュール。 - 前記透光性基板と前記複数の発光素子の各々との間には、前記透光性基板よりも高抵抗の高抵抗層が介挿されている
ことを特徴とする請求項1に記載のモジュール。 - 前記分離溝は、前記高抵抗層が残る状態で形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載のモジュール。 - 前記透光性基板は、前記複数の発光素子が配された前記一方の主面とは反対側の主面に、凹凸構造を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のモジュール。 - 前記凹凸構造の上には、これを覆う状態で、透光性を有し、且つ外表面が平坦な被膜が形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載のモジュール。 - 前記被膜には、前記発光素子から出射された光により励起する蛍光物質が含まれている
ことを特徴とする請求項6に記載のモジュール。
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