JP5014737B2 - SiC単結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(1) ダイヤモンド遊離砥粒を用いた両面ラップ研磨後の厚さ1mm以下のSiC単結晶基板を、炭化珪素非腐食性ガス雰囲気下に1300℃以上2000℃以下の温度で焼鈍熱処理し、前記両面ラップ研磨後に残留した残留歪を緩和させると共に、前記焼鈍熱処理後のSiC単結晶基板の表面を光干渉法で計測して反りの残留を調べ、この反りの残留が10μm以上である場合に前記焼鈍熱処理後のSiC単結晶基板について更に研削加工を行なうことを特徴とするSiC単結晶基板の製造方法、
昇華再結晶法によって口径50mmのSiC単結晶を作製した。結晶のポリタイプは4Hである。
この比較として、同じ結晶からスライス切断した別の厚さ約0.4mmの円盤状単結晶薄板を、両面ラップする前に上記と同じ条件で焼鈍処理をしたものについて、両面ラップ前後で反り(SORI)をレーザー光の干渉法(ニデック社製FT-17)で測定した。両面ラップ前にはワイヤーソー切断による薄板表面の歪や残留応力が緩和されて反りが小さく測定されたが、両面ラップによって薄板表裏でアンバランスな表面歪が導入されたために、39.55μmと大きな反りが残った。
実施例1とほぼ同様な成長条件にて、4Hポリタイプの単結晶インゴットを作製した。口径は50mmである。
本条件と同じ条件で成長した単結晶インゴットから切り出した基板3枚について、両面ラップする前に上記と同じ条件で焼鈍処理して、両面ラップ前後で反り(SORI)をレーザー光の干渉法(ニデック社製FT-17)で測定した。その結果を表4に示す。
従って、特に厚さ1.0mm以下の基板で両面ラップ後の焼鈍処理が反りの低減に効果的であることが確認された。
実施例1とほぼ同様な成長条件にて、口径50mmの4Hポリタイプの単結晶インゴットを作製後、この結晶から、ワイヤーソーを用いて、厚さが0.4mmの円盤状単結晶薄板を4枚準備し、実施例1と同様に両面ラップ研磨を施した後、実施例1と同様の方法で反りを測定した。
一方、ワイヤーソーで切り出したままの基板をこれらの温度で焼鈍熱処理した後で両面ラップした例を表6に示す。
昇華再結晶法によって口径75mmのSiC単結晶と口径100mmのSiC単結晶を作製した。結晶のポリタイプはどちらも4Hである。
昇華再結晶法によって口径50mmのSiC単結晶と口径100mmのSiC単結晶を作製した。結晶のポリタイプはどちらも4Hである。
Claims (4)
- ダイヤモンド遊離砥粒を用いた両面ラップ研磨後の厚さ1mm以下のSiC単結晶基板を、炭化珪素非腐食性ガス雰囲気下に1300℃以上2000℃以下の温度で焼鈍熱処理し、前記両面ラップ研磨後に残留した残留歪を緩和させると共に、前記焼鈍熱処理後のSiC単結晶基板の表面を光干渉法で計測して反りの残留を調べ、この反りの残留が10μm以上である場合に前記焼鈍熱処理後のSiC単結晶基板について更に研削加工を行なうことを特徴とするSiC単結晶基板の製造方法。
- 前記焼鈍熱処理の雰囲気が、アルゴンガス、窒素ガス又はヘリウムガスの少なくとも1種からなる雰囲気である請求項1に記載のSiC単結晶基板の製造方法。
- 前記焼鈍熱処理の雰囲気圧力が、1.3×104Pa以上である請求項1又は2に記載のSiC単結晶基板の製造方法。
- 前記SiC単結晶基板が、昇華再結晶法により作製されたSiC単結晶インゴットから切り出された材料である請求項1〜3のいずれかに記載のSiC単結晶基板の製造方法。
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