CN102817083A - SiC晶片的退火方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种SiC晶片的退火方法，首先将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；保温后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；经过中温保温后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。采用该方法退火的晶片加工应力基本消除，整个晶片退火均匀，降低由于晶体加工产生的加工应力引起的晶片翘曲和弯曲。

Description

SiC晶片的退火方法
技术领域
本发明涉及一种SiC晶片的退火工艺。
背景技术
SiC晶体是超高亮度LED发光材料GaN常用的衬底材料，而GaN磊晶的晶体质量与所使用的SiC衬底（基板）表面加工质量密切相关，尤其是用来光刻的SiC衬底与晶片的表面形貌和翘曲以及弯曲程度联系紧密，晶片的翘曲和弯曲程度过大，光刻时难以聚焦，导致良率下降；如果直接用平片做GaN磊晶，平片与外延薄膜极易脱落，影响外延品质。在SiC衬底的切割、双面研磨以及单面研磨、抛光过程中，尽管部分的加工应力会在下一道加工工序释放，但是这种应力释放是无序释放，同时未释放的加工应力会在晶片表面集聚，影响SiC晶片的翘曲和弯曲程度，严重的翘曲和弯曲会在后道加工过程产生破片，影响整个加工循环的晶片质量。
发明内容
本发明的目的之一是在于提供一种高质量的SiC晶片的退火方法，适用于对SiC切割片、双面研磨片、单片研磨片和抛光片。
本发明的目的之二是使加工的SiC晶片的加工应力消除均匀、充分，降低由于晶体加工产生的加工应力引起的晶片翘曲和弯曲程度，提高光刻的良率，减轻衬底晶片和外延层的脱落程度。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是： 一种SiC晶片的退火方法，具体步骤是：
（1）将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2）直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；
（3）经过低温保温一段时间后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；
（4）经过中温保温一段时间后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；
（5）高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。
SiC晶片为切割片、双面研磨片、单面研磨片、抛光片和衬底片中的任一种。SiC抛光片为单面抛光片和双面抛光片中的任一种。SiC晶片为导电型或半绝缘型。SiC晶片晶型为4H、6H、3C和15R中的任一种。
SiC晶片为2英寸导电型的4H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至200℃；温度保持200℃ 6个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从200℃升温至500℃；温度保持500℃ 10个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从500℃升温至800℃；温度保持800℃20个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
SiC晶片为2英寸导电型6H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至400℃；温度保持400℃ 3个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从400℃升温至700℃；温度保持700℃ 5个小时；中温保温结束后，以1℃/分钟的升温速率从700℃升温至1900℃；温度保持1900℃10个小时；高温保温结束后，以15℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
SiC晶片为2英寸半绝缘型4H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至300℃；温度保持300℃ 4个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至600℃；温度保持600℃ 9个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从600℃升温至1200℃；温度保持1000℃16个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
SiC晶片为2英寸半绝缘型6H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至380℃；温度保持300℃ 3个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至700℃；温度保持700℃ 6个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从700℃升温至1000℃；温度保持1000℃11个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
本发明的有益效果：
针对目前加工的SiC晶片不经过退火，直接用来光刻或外延，加工应力未得到充分释放，导致光刻晶片的良率极低，外延层和衬底晶片极易脱落的缺陷。本发明的实现方式是在退火过程中，分阶段升温、保温，该方法使得SiC晶片在切割、研磨和抛光过程中产生的加工应力释放均匀、充分。该方法克服了现有加工的SiC晶片直接外延和光刻时，光刻时难以聚焦，良率极低，外延层与衬底晶片易脱落的诸多缺点；可以使得SiC晶片在切割、研磨和抛光过程中产生的加工应力释放均匀、充分。用晶片退火的方法降低了加工产生的加工应力，大幅度降低了加工应力引起的晶片翘曲和弯曲程度，使光刻良率和外延的质量均得到提高。
附图说明
图1是SiC晶片的退火方法的退火曲线示意图；
图2是SiC晶片的退火方法的退火装置示意图。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明进一步阐述，但并不限制本发明。
如图1，2所示，本发明的SiC晶片的退火方法，具体步骤是：
（1）将SiC晶片4装入陶瓷工装3中，陶瓷工装3置于陶瓷坩埚1内，陶瓷工装3和陶瓷坩埚1中间用SiC粉2填满；
（2）直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；
（3）经过低温保温一段时间后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；
（4）经过中温保温一段时间后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；
（5）高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。
SiC晶片为切割片、双面研磨片、单面研磨片、抛光片和衬底片中的任一种。SiC抛光片为单面抛光片和双面抛光片中的任一种。SiC晶片为导电型或半绝缘型。SiC晶片晶型为4H、6H、3C和15R中的任一种。
实施例之一
（1） 将切割后的2英寸导电型的4H-SiC晶片装入陶瓷工装中，再将陶瓷工装置于陶瓷坩埚中，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2） 低温区升温：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至200℃；
（3） 低温区保温：温度保持200℃ 6个小时；
（4） 中温区升温：低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从200℃升温至500℃；
（5） 中温区保温：温度保持500℃ 10个小时；
（6）高温区升温：中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从500℃升温至800℃；
（7）高温区保温：温度保持800℃20个小时；
（8）降温：高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片；
用Corning公司的FM200 WAFER SYSTEM测试退火前的SiC晶片的翘曲度为-12.83微米，退火后的SiC晶片整个翘曲度-2.24微米，加工应力基本消除。
实施例之二
（1） 将双面研磨后的2英寸导电型6H-SiC晶片装入陶瓷工装中，再将陶瓷工装置于陶瓷坩埚中，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2） 低温区升温：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至400℃；
（3） 低温区保温：温度保持400℃ 3个小时；
（4） 中温区升温：低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从400℃升温至700℃；
（5） 中温区保温：温度保持700℃ 5个小时；
（6）高温区升温：中温保温结束后，以1℃/分钟的升温速率从700℃升温至1900℃；
（7）高温区保温：温度保持1900℃10个小时；
（8）降温：高温保温结束后，以15℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片；
用Corning公司的FM200 WAFER SYSTEM测试退火前的SiC晶片的翘曲度为-9.38微米，退火后的SiC晶片整个翘曲度-1.12微米，加工应力基本消除。
实施例之三
（1） 将单面研磨后的2英寸半绝缘型4H-SiC晶片装入陶瓷工装中，再将陶瓷工装置于陶瓷坩埚中，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2） 低温区升温：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至300℃；
（3） 低温区保温：温度保持300℃ 4个小时；
（4） 中温区升温：低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至600℃；
（5） 中温区保温：温度保持600℃ 9个小时；
（6）高温区升温：中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从600℃升温至1200℃；
（7）高温区保温：温度保持1000℃16个小时；
（8）降温：高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片；
用Corning公司的FM200 WAFER SYSTEM测试退火前的SiC晶片的翘曲度为-11.98微米，退火后的SiC晶片整个翘曲度-2.36微米，加工应力基本消除。
实施例之四
（1） 将单磨抛光后的2英寸半绝缘型6H-SiC晶片装入陶瓷工装中，再将陶瓷工装置于陶瓷坩埚中，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2） 低温区升温：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至380℃；
（3） 低温区保温：温度保持300℃ 3个小时；
（4） 中温区升温：低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至700℃；
（5） 中温区保温：温度保持700℃ 6个小时；
（6）高温区升温：中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从700℃升温至1000℃；
（7）高温区保温：温度保持1000℃11个小时；
（8）降温：高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片；
用Corning公司的FM200 WAFER SYSTEM测试退火前的SiC晶片的翘曲度为-10.96微米，退火后的SiC晶片整个翘曲度-2.13微米，加工应力基本消除。

Claims (9)

1.一种SiC晶片的退火方法，其特征在于，具体步骤是：
（1）将SiC晶片装入陶瓷工装中，陶瓷工装置于陶瓷坩埚内，陶瓷工装和陶瓷坩埚中间用SiC粉填满；
（2）直接升温至低温度区域200℃~400℃，保温3~6小时，此阶段升温时间≥1.5小时；
（3）经过低温保温一段时间后，升温至中温区域500℃~700℃,保温5~10小时，此阶段升温时间≥2.5小时；
（4）经过中温保温一段时间后，升温至高温区域800℃~1900℃，保温10~20小时，此阶段升温时间≥10小时；
（5）高温保温结束后，以每小时10℃~15℃降温至室温，出炉。
2.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为切割片、双面研磨片、单面研磨片、抛光片和衬底片中的任一种。
3.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为导电型或半绝缘型。
4.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片晶型为4H、6H、3C和15R中的任一种。
5.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸导电型的4H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至200℃；温度保持200℃ 6个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从200℃升温至500℃；温度保持500℃ 10个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从500℃升温至800℃；温度保持800℃20个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
6.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸导电型6H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至400℃；温度保持400℃ 3个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从400℃升温至700℃；温度保持700℃ 5个小时；中温保温结束后，以1℃/分钟的升温速率从700℃升温至1900℃；温度保持1900℃10个小时；高温保温结束后，以15℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
7.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸半绝缘型4H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至300℃；温度保持300℃ 4个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至600℃；温度保持600℃ 9个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从600℃升温至1200℃；温度保持1000℃16个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
8.根据权利要求1所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC晶片为2英寸半绝缘型6H-SiC晶片，上述第二至第五步骤为：以2℃/分钟的升温速率从室温升温至380℃；温度保持300℃ 3个小时；低温保温结束后，以2℃/分钟的升温速率从300℃升温至700℃；温度保持700℃ 6个小时；中温保温结束后，以0.5℃/分钟的升温速率从700℃升温至1000℃；温度保持1000℃11个小时；高温保温结束后，以10℃/小时的降温速率降温至室温，打开炉膛，取出晶片。
9.根据权利要求2所述的SiC晶片的退火方法，其特征在于：所述的SiC抛光片为单面抛光片或双面抛光片。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103114336A (zh) * 2013-03-12 2013-05-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 碳化硅晶片的退火方法
CN105200526A (zh) * 2015-10-14 2015-12-30 盐城工学院 一种氧化镓晶片去应力退火方法
CN105332060A (zh) * 2015-10-30 2016-02-17 江苏吉星新材料有限公司 蓝宝石晶片的二次退火方法
CN105734673A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 北京世纪金光半导体有限公司 一种获得大尺寸碳化硅单晶片高加工精度的方法
CN106784189A (zh) * 2016-12-26 2017-05-31 盐城工学院 单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法
CN108689724A (zh) * 2017-04-11 2018-10-23 蓝思科技（长沙）有限公司 陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板
CN111394795A (zh) * 2020-04-10 2020-07-10 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法
CN113174638A (zh) * 2021-04-27 2021-07-27 云南鑫耀半导体材料有限公司 一种碳化硅晶体的高温二次退火方法
CN113564719A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 一种碳化硅晶体的二次退火方法
TWI771049B (zh) * 2021-06-08 2022-07-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓治具結構及引起高溫潛變變形的處理設備
CN117166055A (zh) * 2022-06-02 2023-12-05 株式会社力森诺科 SiC单晶基板

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000226299A (ja) * 1999-02-04 2000-08-15 Denso Corp 単結晶炭化珪素薄膜の製造方法および単結晶炭化珪素薄膜
JP2006290705A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶の焼鈍方法及び炭化珪素単結晶ウェハ
JP2008103650A (ja) * 2006-09-21 2008-05-01 Nippon Steel Corp ＳｉＣ単結晶基板の製造方法、及びＳｉＣ単結晶基板
CN101651101A (zh) * 2009-09-14 2010-02-17 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种碳化硅离子激活退火装置及碳化硅离子激活退火方法
JP2010064919A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Showa Denko Kk 炭化珪素単結晶材の焼鈍方法、炭化珪素単結晶ウェーハおよび炭化珪素半導体
US20100180814A1 (en) * 2007-06-27 2010-07-22 Ii-Vi Incorporated Fabrication of sic substrates with low warp and bow
CN101984153A (zh) * 2009-12-24 2011-03-09 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
CN102543718A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法
CN102534805A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种碳化硅晶体退火工艺
CN102634850A (zh) * 2012-03-31 2012-08-15 江苏鑫和泰光电科技有限公司 一种蓝宝石晶片的退火方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000226299A (ja) * 1999-02-04 2000-08-15 Denso Corp 単結晶炭化珪素薄膜の製造方法および単結晶炭化珪素薄膜
JP2006290705A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Nippon Steel Corp 炭化珪素単結晶の焼鈍方法及び炭化珪素単結晶ウェハ
JP2008103650A (ja) * 2006-09-21 2008-05-01 Nippon Steel Corp ＳｉＣ単結晶基板の製造方法、及びＳｉＣ単結晶基板
US20100180814A1 (en) * 2007-06-27 2010-07-22 Ii-Vi Incorporated Fabrication of sic substrates with low warp and bow
JP2010064919A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Showa Denko Kk 炭化珪素単結晶材の焼鈍方法、炭化珪素単結晶ウェーハおよび炭化珪素半導体
CN101651101A (zh) * 2009-09-14 2010-02-17 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种碳化硅离子激活退火装置及碳化硅离子激活退火方法
CN101984153A (zh) * 2009-12-24 2011-03-09 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 一种降低碳化硅晶体应力的退火工艺
CN102543718A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法
CN102534805A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 一种碳化硅晶体退火工艺
CN102634850A (zh) * 2012-03-31 2012-08-15 江苏鑫和泰光电科技有限公司 一种蓝宝石晶片的退火方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王忠诚等: "《典型零件热处理技术》", 31 July 2010, article "热处理" *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103114336A (zh) * 2013-03-12 2013-05-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 碳化硅晶片的退火方法
CN105200526B (zh) * 2015-10-14 2017-11-28 盐城工学院 一种氧化镓晶片去应力退火方法
CN105200526A (zh) * 2015-10-14 2015-12-30 盐城工学院 一种氧化镓晶片去应力退火方法
CN105332060A (zh) * 2015-10-30 2016-02-17 江苏吉星新材料有限公司 蓝宝石晶片的二次退火方法
CN105734673A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 北京世纪金光半导体有限公司 一种获得大尺寸碳化硅单晶片高加工精度的方法
CN106784189B (zh) * 2016-12-26 2018-09-21 盐城工学院 单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法
CN106784189A (zh) * 2016-12-26 2017-05-31 盐城工学院 单晶氧化镓衬底基片表面原子级台阶结构的制备方法
CN108689724A (zh) * 2017-04-11 2018-10-23 蓝思科技（长沙）有限公司 陶瓷板弯曲变形的矫正方法及陶瓷板
CN111394795A (zh) * 2020-04-10 2020-07-10 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法
CN111394795B (zh) * 2020-04-10 2021-10-15 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种去除籽晶残余应力的退火装置及退火方法
CN113174638A (zh) * 2021-04-27 2021-07-27 云南鑫耀半导体材料有限公司 一种碳化硅晶体的高温二次退火方法
CN113174638B (zh) * 2021-04-27 2022-06-03 云南鑫耀半导体材料有限公司 一种碳化硅晶体的高温二次退火方法
TWI771049B (zh) * 2021-06-08 2022-07-11 環球晶圓股份有限公司 晶圓治具結構及引起高溫潛變變形的處理設備
CN113564719A (zh) * 2021-07-26 2021-10-29 河北天达晶阳半导体技术股份有限公司 一种碳化硅晶体的二次退火方法
CN117166055A (zh) * 2022-06-02 2023-12-05 株式会社力森诺科 SiC单晶基板

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