JP5014360B2 - Solar cell module and solar cell element structure - Google Patents

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Description

本発明は太陽電池モジュールに関し、特に半導体基板に電極を有する太陽電池素子を、複数枚インナーリードで接続した太陽電池モジュールに関する。   The present invention relates to a solar cell module, and more particularly to a solar cell module in which solar cell elements having electrodes on a semiconductor substrate are connected by a plurality of inner leads.

太陽電池素子の一般的な構造を図３及び図４に示す。図３（ａ）は、太陽電池素子Ｘの断面の構造を示す図である。また、図４は、電極形状の一例を示す図であり、（ａ）は受光面側（表面）、（ｂ）は非受光面側（裏面）である。   A general structure of a solar cell element is shown in FIGS. FIG. 3A is a diagram showing a cross-sectional structure of the solar cell element X. FIG. FIG. 4 is a diagram showing an example of the electrode shape, where (a) is the light receiving surface side (front surface), and (b) is the non-light receiving surface side (back surface).

このような太陽電池素子Ｘは次のようにして作製される。   Such a solar cell element X is produced as follows.

まず、厚み０．３〜０．４ｍｍ程度、大きさ１００〜１５０ｍｍ角程度の単結晶シリコンや多結晶シリコン等からなるｐ型半導体のシリコン基板１を準備する。そして、シリコン基板１にｎ型拡散層１ａを形成し、半導体接合部３とする。このようなｎ型拡散層１ａは、シリコン基板１を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）中で加熱することによって、シリコン基板１の表面部全体にｎ型不純物であるリン原子を拡散させて、厚み０．２〜０．５μｍ程度のｎ型拡散層１ａとして形成することができる。その後、側面部と底面部の拡散層の部分を除去する。 First, a p-type semiconductor silicon substrate 1 made of single crystal silicon or polycrystalline silicon having a thickness of about 0.3 to 0.4 mm and a size of about 100 to 150 mm square is prepared. Then, an n-type diffusion layer 1 a is formed on the silicon substrate 1 to form a semiconductor junction 3. Such an n-type diffusion layer 1a is formed by placing the silicon substrate 1 in a diffusion furnace and heating it in phosphorus oxychloride (POCl 3 ), so that the entire surface portion of the silicon substrate 1 is phosphorous that is an n-type impurity. Atoms can be diffused to form the n-type diffusion layer 1a having a thickness of about 0.2 to 0.5 μm. Thereafter, the diffusion layer portions on the side surface portion and the bottom surface portion are removed.

太陽電池素子Ｘの受光面側には、例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止膜２が形成される。このような反射防止膜２は、例えばプラズマＣＶＤ法等で形成され、パッシベーション膜としての機能をも有する。   On the light receiving surface side of the solar cell element X, for example, an antireflection film 2 made of a silicon nitride film is formed. Such an antireflection film 2 is formed, for example, by a plasma CVD method or the like, and also has a function as a passivation film.

そして、シリコン基板１の表面に銀ペーストを、裏面にはアルミニウムペースト及び銀ペーストを塗布して焼成することにより、表面電極５及び裏面電極４を同時に形成する。   Then, the front electrode 5 and the back electrode 4 are simultaneously formed by applying a silver paste on the surface of the silicon substrate 1 and applying an aluminum paste and a silver paste on the back surface and baking.

図４（ａ）に示されるように裏面電極４は裏面から出力を取り出すための裏面バスバー電極４ａと裏面集電用電極４ｂからなる。また、図４（ｂ）に示されるように表面電極５は表面から出力を取り出すための表面バスバー電極５ａと、これに直交するように設けられた集電用の表面フィンガー電極５ｂとから構成される。   As shown in FIG. 4A, the back electrode 4 is composed of a back bus bar electrode 4a for extracting output from the back surface and a back current collecting electrode 4b. Further, as shown in FIG. 4B, the surface electrode 5 is composed of a surface bus bar electrode 5a for extracting output from the surface, and a surface finger electrode 5b for current collection provided so as to be orthogonal thereto. The

裏面集電用電極４ｂは、アルミニウムペーストをスクリーン印刷法で印刷して焼き付けることによって形成され、このときにシリコン基板１中にアルミニウムが拡散して、裏面で発生したキャリアが再結合することを防ぐ裏面電界層が形成される。また、裏面バスバー電極４ａ、表面バスバー電極５ａ、表面フィンガー電極５ｂは銀ペーストをスクリーン印刷法で印刷して焼成する方法によって形成される。なお、表面電極５は、反射防止膜２の電極に相当する部分をエッチング除去して形成される場合と、もしくは反射防止膜２の上から、ファイアースルーという手法によって直接形成される場合とがある。   The back surface collecting electrode 4b is formed by printing and baking an aluminum paste by a screen printing method. At this time, aluminum diffuses into the silicon substrate 1 to prevent carriers generated on the back surface from recombining. A back surface field layer is formed. Moreover, the back surface bus bar electrode 4a, the front surface bus bar electrode 5a, and the front surface finger electrode 5b are formed by a method of printing and baking a silver paste by a screen printing method. The surface electrode 5 may be formed by etching away a portion corresponding to the electrode of the antireflection film 2 or may be formed directly from above the antireflection film 2 by a technique called fire-through. .

また、これら太陽電池素子Ｘの電極部には出力を外部に取り出すための配線をしやすくしたり、電極の耐久性を維持するために半田が被覆される場合もあり、この半田の被覆には、ディップ法、噴流式等が採用されている。   Also, the electrode portions of these solar cell elements X may be covered with solder to facilitate wiring for taking out the output to the outside, or to maintain the durability of the electrodes. Dip method, jet type, etc. are adopted.

太陽電池素子一枚では発生する電気出力が小さいため、複数の太陽電池素子を直並列に接続して、実用的な電気出力が取り出せるようにする必要がある。太陽電池モジュールの一例として、図３（ｂ）に、図３（ａ）の太陽電池素子Ｘを組み合わせて構成した太陽電池モジュールＹを示す。   Since a single solar cell element generates a small electrical output, it is necessary to connect a plurality of solar cell elements in series and parallel so that a practical electrical output can be taken out. As an example of the solar cell module, FIG. 3B shows a solar cell module Y configured by combining the solar cell elements X of FIG.

図３（ｂ）に示すように、複数の太陽電池素子Ｘは、インナーリード８によって電気的に接続され、透光性パネル９と裏面保護材１１の間にエチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡ）等を主成分とする充填材１０で気密に封入されて、太陽電池モジュールＹを構成している。太陽電池モジュールＹの出力は、出力配線１２を経て端子ボックス１３に接続されている。図３（ｃ）に、図３（ｂ）の太陽電池モジュールＹの内部構造の部分拡大図を示す。   As shown in FIG. 3B, the plurality of solar cell elements X are electrically connected by the inner leads 8, and an ethylene vinyl acetate copolymer (EVA) is provided between the translucent panel 9 and the back surface protective material 11. The solar cell module Y is configured by being hermetically sealed with a filler 10 containing, for example, the main component. The output of the solar cell module Y is connected to the terminal box 13 via the output wiring 12. FIG. 3 (c) shows a partially enlarged view of the internal structure of the solar cell module Y of FIG. 3 (b).

図３（ｃ）に示すように、太陽電池素子Ｘ１の表面バスバー電極５ａと、隣接する太陽電池素子Ｘ２の裏面バスバー電極４ａとをインナーリード８によって接続して、複数の太陽電池素子Ｘ同士が電気的に接続されている。一般的にインナーリードは厚さ０．１〜０．３ｍｍ程度の銅箔等の全面を半田被覆したものを用いており、このインナーリード８と太陽電池素子Ｘのバスバー電極（４ａ、５ａ）を半田を介在させて加熱し、部分的もしくは全長にわたり、あるいは複数箇所で圧着させることにより太陽電池素子Ｘとインナーリード８とを半田によって接続する。   As shown in FIG.3 (c), the front surface bus-bar electrode 5a of the solar cell element X1 and the back surface bus-bar electrode 4a of the adjacent solar cell element X2 are connected by the inner lead 8, and several solar cell elements X are connected. Electrically connected. In general, the inner leads are made of a copper foil having a thickness of about 0.1 to 0.3 mm, and the entire surface is solder-coated. The inner leads 8 and the bus bar electrodes (4a, 5a) of the solar cell element X are used. The solar cell element X and the inner lead 8 are connected by soldering by heating with solder interposed therebetween and by partial or full length or by crimping at a plurality of locations.

特開２００３−６９０５５号公報JP 2003-69055 A

上述のように、半田を用いてインナーリード８と太陽電池素子Ｘのバスバー電極（４ａ、５ａ）とを接続するときには、あらかじめバスバー電極（４ａ、５ａ）の表面に半田の被覆を設けておき、インナーリード８の半田の被覆と合わせて互いに加熱溶着する場合、インナーリード８のみに半田の被覆を設けておき、フラックスを用いる等して電極部に直接、インナーリード８の半田を加熱溶着させる場合等があるが、これらの従来の太陽電池素子Ｘ、又は太陽電池モジュールＹにおいて、バスバー電極（４ａ、５ａ）の長手方向、即ちインナーリード８との接続方向に沿って割れが発生するという問題があった。   As described above, when connecting the inner lead 8 and the bus bar electrode (4a, 5a) of the solar cell element X using solder, a solder coating is provided on the surface of the bus bar electrode (4a, 5a) in advance. When heat-welding each other together with the solder coating of the inner lead 8, a solder coating is provided only on the inner lead 8, and the solder of the inner lead 8 is heat-welded directly to the electrode portion using a flux or the like However, in these conventional solar cell elements X or solar cell modules Y, there is a problem that cracks occur in the longitudinal direction of the bus bar electrodes (4a, 5a), that is, in the connection direction with the inner leads 8. there were.

この問題に鑑み、発明者らが鋭意検討を行ったところ、次のような事実が判明した。   In view of this problem, the inventors have intensively studied and found the following facts.

図７（ａ）に、図３（ｃ）のＡ−Ａ線における断面図を示し、図７（ｂ）には、図７（ａ）のＢ部における電極の断面にかかるストレスをシミュレーションした図を示す。なお、断面図は構成をわかりやすくするため、要部の寸法を誇張して描いてあり、実際の寸法比率とは異なる。   FIG. 7A shows a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 3C, and FIG. 7B shows a simulation of stress applied to the cross section of the electrode in part B of FIG. 7A. Indicates. Note that, in order to make the configuration easy to understand, the cross-sectional view is drawn with exaggerated dimensions of the main part, which is different from the actual size ratio.

図７（ａ）に示すように、出力取り出し端子部分であるバスバー電極（４ａ、５ａ）におけるインナーリード８との接続部分において、バスバー電極（４ａ、５ａ）は、その端部まで半田６によって覆われている。このとき、図７（ｂ）に表示されているように、表面バスバー電極５ａの端部とシリコン基板１表面との境界線付近に最も大きな引張応力が生じ、ストレスが集中しやすい状態となっていることがわかる。   As shown in FIG. 7A, the bus bar electrodes (4a, 5a) are covered with the solder 6 up to the end portions of the bus bar electrodes (4a, 5a) which are output lead-out terminal portions connected to the inner leads 8. It has been broken. At this time, as shown in FIG. 7B, the largest tensile stress is generated in the vicinity of the boundary line between the end of the surface bus bar electrode 5a and the surface of the silicon substrate 1, and the stress tends to concentrate. I understand that.

このストレスが原因となって、バスバー電極（４ａ、５ａ）下部のシリコン基板１にマイクロクラック等の欠陥が発生し、後工程において、このマイクロクラックを起点に大きなひびや割れに発展するという問題や、出力が充分に取り出せない・出力が低下するといった問題を引き起こすことが判明した。また、特に、太陽電池モジュールは通常、野外に設置されるため日々の温度サイクルによる収縮、膨張が繰り返される。このときのストレスが加重されて、バスバー電極（４ａ、５ａ）端部とシリコン基板１の表面との境界線付近にもかかるため、太陽電池素子Ｘに割れが発生し長期信頼性が低下するという問題が発生する。   Due to this stress, defects such as microcracks are generated in the silicon substrate 1 below the bus bar electrodes (4a, 5a), and in the subsequent process, the microcracks are used as starting points to develop large cracks and cracks. It was found that the output could not be taken out sufficiently and the output was reduced. In particular, since solar cell modules are usually installed outdoors, contraction and expansion due to daily temperature cycles are repeated. Since the stress at this time is weighted and applied to the vicinity of the boundary line between the end of the bus bar electrode (4a, 5a) and the surface of the silicon substrate 1, the solar cell element X is cracked and the long-term reliability is reduced. A problem occurs.

さらに、バスバー電極（４ａ、５ａ）の長手方向以外であっても半田６によって電極（銀を主成分とする電極）が完全に被覆されていると、その周縁部に沿って割れが生ずる場合がある。これに関しても発明者らが検討した結果、次のような結論を得た。まず、太陽電池素子を構成する基板のシリコンの０℃での熱伝導率は１６８Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１、電極を構成する銀は４２８Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１、アルミニウムは２３６Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１である。またインナーリードを構成する銅は４０３Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１である。これに対し、半田の熱伝導率は５０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１前後しかなく、その結果、ホットエア等でスポット的に半田を加熱しても、必要部分の半田が溶融するまでに基板表面の銀は全面で昇温してしまうことになる。よってその後、冷却されたときの熱膨張率の違いにより、特に電極の周縁部において、応力の集中が発生しやすい状況にあったものと考えられる。 Further, if the electrodes (electrodes mainly composed of silver) are completely covered with the solder 6 even in directions other than the longitudinal direction of the bus bar electrodes (4a, 5a), cracks may occur along the peripheral edge. is there. As a result of investigations by the inventors, the following conclusion was obtained. First, the thermal conductivity at 0 ° C. of silicon of the substrate constituting the solar cell element is 168 W · m −1 · K −1 , silver constituting the electrode is 428 W · m −1 · K −1 , and aluminum is 236 W ·· m −1 · K −1 . The copper constituting the inner lead is 403 W · m −1 · K −1 . On the other hand, the thermal conductivity of the solder is only about 50 W · m −1 · K −1, and as a result, even if the solder is heated spotly with hot air or the like, the surface of the substrate is melted until the necessary portion of the solder melts. The silver will heat up on the entire surface. Therefore, it is considered that stress concentration was likely to occur particularly in the peripheral portion of the electrode due to the difference in coefficient of thermal expansion when cooled.

また、太陽電池モジュールを作る際に、電極に対して半田を被覆したインナーリード８を溶着するが、このときにインナーリード８がずれて、表面バスバー電極５ａに接続された表面フィンガー電極５ｂまで半田が溶着してしまうと半田とインナーリード８を構成する銅との熱膨張の違いや収縮等を原因とするストレスによってマイクロクラック等がさらにひどく発生するという問題もあった。   Further, when the solar cell module is manufactured, the inner lead 8 covered with solder is welded to the electrode. At this time, the inner lead 8 is displaced and soldered to the surface finger electrode 5b connected to the surface bus bar electrode 5a. If the solder is welded, there is a problem that micro cracks and the like are generated more severely due to a stress caused by a difference in thermal expansion between the solder and copper constituting the inner lead 8 or contraction.

なお、近年コスト削減の観点から、シリコン基板１の厚みを薄くして半導体材料の使用量を削減するという試みもなされている。シリコン基板１の厚みが薄くなれば、その分衝撃やストレスに対して弱くなり、このような半田によるストレスがかかると割れやクラックの発生頻度が高くなるという問題もある。   In recent years, attempts have been made to reduce the amount of semiconductor material used by reducing the thickness of the silicon substrate 1 from the viewpoint of cost reduction. If the thickness of the silicon substrate 1 is reduced, it becomes weaker against the impact and stress, and there is a problem that the frequency of occurrence of cracks and cracks increases when stressed by such solder is applied.

なお、特許文献１には、この問題を回避するため、太陽電池素子の裏面、表面及び側面に補強材をつけることで太陽電池素子及びモジュールの製造工程における素子の割れを削減できるという方法が開示されている。しかし、この方法によれば、半導体基板の薄型化に伴う半導体基板のエッジ部における割れを抑制することはできるものの、バスバー電極端部と半導体基板表面との境界線付近にかかるストレスは低減する効果が低いため、マイクロクラック等の欠陥の発生を抑制する効果に乏しい。   In order to avoid this problem, Patent Document 1 discloses a method in which cracking of the element in the manufacturing process of the solar cell element and the module can be reduced by attaching a reinforcing material to the back surface, the front surface, and the side surface of the solar cell element. Has been. However, according to this method, although the crack at the edge portion of the semiconductor substrate accompanying the thinning of the semiconductor substrate can be suppressed, the stress applied near the boundary line between the bus bar electrode end and the semiconductor substrate surface is reduced. Therefore, the effect of suppressing the occurrence of defects such as microcracks is poor.

本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、太陽電池素子のバスバー電極の長手方向に沿ったエッジ部と半導体基板の境界付近にかかるストレスを低減し、このストレスに起因するマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制して、長期信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such conventional problems, and reduces the stress applied to the vicinity of the boundary between the edge portion and the semiconductor substrate along the longitudinal direction of the bus bar electrode of the solar cell element. An object of the present invention is to provide a solar cell module excellent in long-term reliability by suppressing the occurrence of defects such as microcracks.

また本発明の別の目的は、太陽電池素子において銀を主成分とする銀電極の周縁部と半導体基板の境界付近にかかるストレスを低減し、このストレスに起因するマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制して、長期信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供することにある。   Another object of the present invention is to reduce the stress applied to the vicinity of the boundary between the peripheral edge of the silver electrode containing silver as a main component and the semiconductor substrate in the solar cell element, and to generate defects such as microcracks caused by this stress. It is to provide a solar cell module which is suppressed and excellent in long-term reliability.

上記目的を達成するために、本発明の太陽電池モジュールは、複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極を設け、これらの太陽電池素子の前記バスバー電極同士をインナーリードで接続し、充填材内に封入して成る太陽電池モジュールであって、前記インナーリードと前記バスバー電極とは半田によって接続されるとともに、前記バスバー電極は、前記インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部が前記充填材と直接接触するように構成されて成る。このようにしたので、バスバー電極の長手方向の端部である、インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部が剛性の高い半田によって被覆される代わりに、充填材によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。そのため、太陽電池素子の基板表面とバスバー電極の境界線のうち、その距離が最も短く、応力の集中がおきやすいインナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部付近にかかる引張応力を低減することができるから、バスバー電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。   In order to achieve the above object, the solar cell module of the present invention is provided with bus bar electrodes for taking out outputs to the outside on the light receiving surface side and / or the non-light receiving surface side of a plurality of solar cell elements. A battery module in which the bus bar electrodes of the battery element are connected to each other with an inner lead and sealed in a filler, the inner lead and the bus bar electrode are connected by solder, and the bus bar electrode is An edge portion along a connection direction with the inner lead is configured to be in direct contact with the filler. Since it did in this way, the edge part along the connection direction with the inner lead which is the end part of the bus bar electrode in the longitudinal direction is covered with the filler instead of being covered with the rigid solder, so that the stress is relieved. Easy to be. Therefore, among the boundary line between the substrate surface of the solar cell element and the bus bar electrode, the tensile stress applied to the vicinity of the edge portion along the connecting direction with the inner lead where the distance is the shortest and the stress is likely to be concentrated can be reduced. Therefore, the generation of defects such as microcracks can be suppressed in the substrate below the bus bar electrode, and cracks and cracks in the subsequent process can be suppressed.

また、本発明の太陽電池モジュールは、複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極を設け、これらの太陽電池素子の前記バスバー電極同士をインナーリードで接続し、充填材内に封入して成る太陽電池モジュールであって、前記インナーリードと前記バスバー電極とは半田によって接続されるとともに、前記バスバー電極は、前記インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部が被覆体によって覆われ、この被覆体は、前記充填材と接触するように構成されて成る。このようにしたので、バスバー電極の長手方向の端部である、インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部が剛性の高い半田によって被覆される代わりに、半田レジスト等の被覆体を介して充填材によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。そのため、太陽電池素子の基板表面とバスバー電極の境界線のうち、その距離が最も短く、応力の集中がおきやすいインナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部付近にかかる引張応力を低減することができるから、バスバー電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。さらに、インナーリードをバスバー電極に熱溶着するときに、バスバー電極の、インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部がこの被覆体によって覆われているので、半田がバスバー電極のエッジ部に流れ込んで、このエッジ部を覆う恐れが少ない。   Further, the solar cell module of the present invention is provided with bus bar electrodes for taking out outputs to the outside on the light receiving surface side and / or the non-light receiving surface side of the plurality of solar cell elements, and the bus bar electrodes of these solar cell elements. A solar cell module comprising an inner lead connected to each other and enclosed in a filler, wherein the inner lead and the bus bar electrode are connected by solder, and the bus bar electrode is connected to the inner lead. An edge portion along the direction is covered with a covering, and the covering is configured to come into contact with the filler. Since it did in this way, the edge part along the connection direction with the inner lead, which is the end part in the longitudinal direction of the bus bar electrode, is filled through a covering such as a solder resist instead of being covered with a rigid solder. Since it is covered with a material, stress is easily relieved. Therefore, among the boundary line between the substrate surface of the solar cell element and the bus bar electrode, the tensile stress applied to the vicinity of the edge portion along the connecting direction with the inner lead where the distance is the shortest and the stress is likely to be concentrated can be reduced. Therefore, the generation of defects such as microcracks can be suppressed in the substrate below the bus bar electrode, and cracks and cracks in the subsequent process can be suppressed. Further, when the inner lead is thermally welded to the bus bar electrode, the edge portion of the bus bar electrode along the connecting direction with the inner lead is covered with this covering, so that the solder flows into the edge portion of the bus bar electrode. There is little fear of covering this edge part.

さらに、本発明の太陽電池モジュールは、受光面側及び／又は非受光面側に、銀を主成分とする銀電極を有する複数枚の太陽電池素子と、前記銀電極の少なくとも一部に半田で接続され、前記複数枚の太陽電池素子同士を電気的に接続するインナーリードと、前記複数枚の太陽電池素子と前記インナーリードとをその内部に封入する充填材と、を具備して成る太陽電池モジュールであって、前記銀電極の周縁部は、前記充填材と直接接触するように構成されて成る。このようにすることにより、熱伝導率が高く、インナーリードとの溶着の際の加熱により影響を受けやすい銀を主成分とする銀電極の周縁部が剛性の高い半田によって被覆される代わりに、充填材によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。そのため、太陽電池素子の基板表面と銀電極の周縁部付近にかかる引張応力を低減することができるから、銀電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。また、銀電極が基板表面から剥離することを抑制することができる。   Furthermore, the solar cell module of the present invention comprises a plurality of solar cell elements each having a silver electrode mainly composed of silver on the light receiving surface side and / or the non-light receiving surface side, and at least a part of the silver electrode is soldered. A solar cell comprising: an inner lead that is connected and electrically connects the plurality of solar cell elements; and a filler that encloses the plurality of solar cell elements and the inner lead therein. It is a module, Comprising: The peripheral part of the said silver electrode is comprised so that it may contact with the said filler directly. By doing so, instead of the periphery of the silver electrode mainly composed of silver having a high thermal conductivity and being easily affected by the heating at the time of welding with the inner lead being covered with the rigid solder, Since it is covered with a filler, stress is easily relieved. Therefore, since the tensile stress applied to the substrate surface of the solar cell element and the vicinity of the periphery of the silver electrode can be reduced, it is possible to suppress the occurrence of defects such as microcracks in the substrate under the silver electrode, Cracks and cracks can be suppressed. Moreover, it can suppress that a silver electrode peels from the substrate surface.

そして、本発明の太陽電池モジュールは、受光面側及び／又は非受光面側に、銀を主成分とする銀電極を有する複数枚の太陽電池素子と、前記銀電極の少なくとも一部に半田で接続され、前記複数枚の太陽電池素子同士を電気的に接続するインナーリードと、前記複数枚の太陽電池素子と前記インナーリードとをその内部に封入する充填材と、を具備して成る太陽電池モジュールであって、前記銀電極の周縁部は、被覆体によって覆われるとともに、この被覆体は、前記充填材と接触するように構成されて成る。このようにすることにより、銀を主成分とする銀電極の周縁部が剛性の高い半田によって被覆される代わりに、半田レジスト等の被覆体を介して充填材によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。そのため、太陽電池素子の基板表面と銀電極の境界線付近にかかる引張応力を低減することができるから、銀電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。また銀電極が基板から剥離することを抑制することができる。さらに、インナーリードを熱溶着するときに、半田と濡れ性の良い銀電極の周縁部がこの被覆体によって覆われているので、半田が銀電極の周縁部に流れ込んで、この周縁部を覆う恐れが少ない。   The solar cell module of the present invention includes a plurality of solar cell elements each having a silver electrode containing silver as a main component on the light-receiving surface side and / or the non-light-receiving surface side, and at least a part of the silver electrode with solder. A solar cell comprising: an inner lead that is connected and electrically connects the plurality of solar cell elements; and a filler that encloses the plurality of solar cell elements and the inner lead therein. It is a module, Comprising: The peripheral part of the said silver electrode is covered with a coating body, and this coating body is comprised so that it may contact with the said filler. By doing so, the peripheral portion of the silver electrode mainly composed of silver is covered with a filler via a covering such as a solder resist instead of being covered with a highly rigid solder, so that stress is relieved. Cheap. Therefore, since the tensile stress applied to the vicinity of the boundary line between the substrate surface of the solar cell element and the silver electrode can be reduced, it is possible to suppress the occurrence of defects such as microcracks in the substrate under the silver electrode. Cracks and cracks can be suppressed. Moreover, it can suppress that a silver electrode peels from a board | substrate. Furthermore, when the inner lead is heat-welded, the peripheral portion of the silver electrode having good wettability with the solder is covered with this covering, so that the solder may flow into the peripheral portion of the silver electrode and cover the peripheral portion. Less is.

さらに本発明の太陽電池モジュールは受光面側及び／又は非受光面側に、銀を主成分とする銀電極を有する複数枚の太陽電池素子と、前記銀電極の少なくとも一部に半田で接続され、前記複数枚の太陽電池素子と前記インナーリードとをその内部に封入する充填材と、を具備して成る太陽電池モジュールであって、前記銀電極は出力を外部に取り出すバスバー電極と、これに接続される集電用のフィンガー電極とを含んで構成され、前記バスバー電極の周縁部は、前記充填材と直接接触するように構成されて成る。   Furthermore, the solar cell module of the present invention is connected to a plurality of solar cell elements each having a silver electrode mainly composed of silver on the light-receiving surface side and / or the non-light-receiving surface side, and to at least a part of the silver electrode by solder. A solar cell module comprising a plurality of solar cell elements and a filler for enclosing the inner leads therein, wherein the silver electrode is a bus bar electrode for taking out the output to the outside, and And a peripheral portion of the bus bar electrode is configured to be in direct contact with the filler.

このように、熱伝導率が高い銀で構成されるうえに、インナーリードとの接続時に加熱されるバスバー電極の周縁部に剛性の高い半田が存在しないことから、太陽電池素子の基板表面と銀電極の周縁部付近にかかる引張応力を低減することができるから、銀電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。また、銀電極が基板表面から剥離することを抑制することができる。   In this way, since it is composed of silver having a high thermal conductivity and there is no highly rigid solder at the periphery of the bus bar electrode that is heated when connected to the inner lead, the substrate surface of the solar cell element and the silver Since the tensile stress applied near the periphery of the electrode can be reduced, it is possible to suppress the occurrence of defects such as microcracks in the substrate under the silver electrode, and to suppress cracks and cracks in subsequent processes. become. Moreover, it can suppress that a silver electrode peels from the substrate surface.

さらに本発明にかかる太陽電池モジュールでは、前記バスバー電極の周縁部が被覆体によって覆われるとともに、この被覆体は充填材と接触するように構成されてなるようにしたので、熱伝導率が高い銀で構成されるうえに、インナーリードとの接続時に加熱されるバスバー電極の周縁部が剛性の高い半田で覆われるかわりに、被覆体で覆われることから、バスバー電極周辺の応力を低減し、バスバー電極付近の基板に発生するクラックの反省を抑制することができる。   Further, in the solar cell module according to the present invention, the peripheral portion of the bus bar electrode is covered with the covering, and the covering is configured to come into contact with the filler. In addition to being covered with a cover instead of being covered with high-rigidity solder, the peripheral edge of the bus bar electrode that is heated when connected to the inner lead is reduced by the stress around the bus bar electrode, Reflection of cracks generated in the substrate in the vicinity of the electrode can be suppressed.

また、上述の太陽電池モジュールにおいて、前記銀電極は、出力を外部に取り出すバスバー電極を含み、前記インナーリードは、このバスバー電極に接続されて成るようにすることが望ましい。このようにすることにより、銀を主成分とする銀電極であるバスバー電極のエッジ部が剛性の高い半田によって被覆される代わりに、充填材と直接接触して覆われるか、もしくは半田レジスト等の被覆体を介して充填材によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。そのため、太陽電池素子の基板表面とバスバー電極のエッジ部との境界線付近にかかる引張応力を低減することができるから、バスバー電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。さらに、インナーリードをバスバー電極に熱溶着するときに、バスバー電極のエッジ部がこの被覆体によって覆われていれば、半田がバスバー電極のエッジ部に流れ込んで、このエッジ部を覆う恐れが少ない。   In the above solar cell module, it is desirable that the silver electrode includes a bus bar electrode for taking out an output to the outside, and the inner lead is connected to the bus bar electrode. By doing so, the edge portion of the bus bar electrode, which is a silver electrode mainly composed of silver, is covered with the filler directly instead of being covered with the highly rigid solder, or a solder resist or the like Since it is covered with the filler via the covering, stress is easily relieved. Therefore, the tensile stress applied near the boundary line between the substrate surface of the solar cell element and the edge portion of the bus bar electrode can be reduced, so that the occurrence of defects such as microcracks can be suppressed in the substrate under the bus bar electrode. Thus, cracks and cracks in the subsequent process can be suppressed. Further, when the inner lead is thermally welded to the bus bar electrode, if the edge portion of the bus bar electrode is covered with the covering, the solder is less likely to flow into the edge portion of the bus bar electrode and cover the edge portion.

さらに、上述の太陽電池モジュールにおいて、前記インナーリードと接続された前記バスバー電極は、そのインナーリードの接続方向に対する中央部の少なくとも一部が半田で被覆されて成るようにすることが望ましい。このようにすれば、特に電極の中央部、具体的には熱溶着すべきポイントに半田が存在してインナーリードと接続されることとなり、接続の信頼性がより高まる。   Furthermore, in the above-described solar cell module, it is preferable that the bus bar electrode connected to the inner lead is formed by covering at least a part of a central portion with respect to the connecting direction of the inner lead with solder. In this way, solder is present particularly at the center of the electrode, specifically at the point to be thermally welded, and is connected to the inner lead, and the connection reliability is further increased.

そして、上述の太陽電池モジュールにおいて、前記インナーリードの幅は、前記バスバー電極の前記インナーリードとの接続方向に対する幅よりも細くして成るようにすることが望ましい。このようにすれば、インナーリードをバスバー電極に熱溶着した際に、バスバー電極の、インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部にインナーリードの半田が流れ込みにくい。したがって、バスバー電極のエッジ部と基板表面との境界線付近におけるストレスの集中を抑制でき、バスバー電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができる。   In the above solar cell module, it is preferable that the width of the inner lead is narrower than the width of the bus bar electrode in the connecting direction with the inner lead. In this way, when the inner lead is thermally welded to the bus bar electrode, the solder of the inner lead does not easily flow into the edge portion of the bus bar electrode along the connection direction with the inner lead. Therefore, concentration of stress in the vicinity of the boundary line between the edge portion of the bus bar electrode and the substrate surface can be suppressed, and generation of defects such as microcracks in the substrate under the bus bar electrode can be suppressed.

また、上述の太陽電池モジュールにおいて、前記バスバー電極に対して少なくとも一端部が接続された複数のフィンガー電極をさらに備え、これらのフィンガー電極と前記インナーリードとが半田によって接続されないようにして成るようにすれば、インナーリードとフィンガー電極とが半田によって接続されていない状態となり、フィンガー電極部と基板表面との間におけるストレスの集中を抑制でき、マイクロクラック等の欠陥の発生をさらに抑制することができる。   The solar cell module may further include a plurality of finger electrodes having at least one end connected to the bus bar electrode, and the finger electrodes and the inner leads are not connected by solder. By doing so, the inner lead and the finger electrode are not connected by solder, so that stress concentration between the finger electrode portion and the substrate surface can be suppressed, and the occurrence of defects such as microcracks can be further suppressed. .

さらに、上述の太陽電池モジュールにおいて、前記フィンガー電極は、少なくとも前記一端部を被覆する被覆体を備えて成るようにしたので、インナーリードをバスバー電極に熱溶着した際に、インナーリードの接続位置がずれても、被覆体によってフィンガー電極の一端部がカバーされ、フィンガー電極とインナーリードとが半田によって接続されることを防止できる。したがって、フィンガー電極部と基板表面との間におけるストレスの集中を抑制でき、マイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができる。   Further, in the above-described solar cell module, the finger electrode is provided with a covering that covers at least the one end, so that when the inner lead is thermally welded to the bus bar electrode, the connection position of the inner lead is Even if it deviates, one end part of a finger electrode is covered with a covering, and it can prevent that a finger electrode and an inner lead are connected with solder. Therefore, concentration of stress between the finger electrode portion and the substrate surface can be suppressed, and generation of defects such as microcracks can be suppressed.

そして、上述の太陽電池モジュールにおいて、前記被覆体は半田レジストとしたので、ストレスが緩和されやすく、さらに極めて容易に被覆体を形成することができる。   In the above-described solar cell module, since the covering is made of a solder resist, the stress is easily relieved, and the covering can be formed extremely easily.

以上説明したように、本発明の太陽電池モジュールは、複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極を設け、これらの太陽電池素子の前記バスバー電極同士をインナーリードで接続し、充填材内に封入して成る太陽電池モジュールであって、前記インナーリードと前記バスバー電極とは半田によって接続されるとともに、前記バスバー電極は、前記インナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部が前記充填材と直接接触するか、若しくはこのエッジ部が被覆体によって覆われ、この被覆体は、前記充填材と接触するように構成されて成る。   As described above, the solar cell module of the present invention is provided with the bus bar electrode for taking out the output to the outside on the light receiving surface side and / or the non-light receiving surface side of the plurality of solar cell elements, and these solar cell elements. The bus bar electrodes are connected by inner leads and sealed in a filler, and the inner leads and the bus bar electrodes are connected by solder, and the bus bar electrodes are connected to the inner leads. An edge portion along the connecting direction with the lead is in direct contact with the filler, or the edge portion is covered with a covering, and the covering is configured to come into contact with the filler.

このようにすることにより、銀を主成分とする電極のうち、インナーリードが接続され、溶着による影響を最も大きく受けるバスバー電極のインナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部と半導体基板表面との境界線付近にかかる引張応力を低減することができ、ストレスの集中を抑制できるため、バスバー電極下部の半導体基板にマイクロクラック等の損傷の発生を抑制することができる。よって、後工程におけるひびや割れも低減し、バスバー電極エッジ部と半導体基板表面との境界線付近の引張応力が緩和されているため、日々の温度サイクルストレスによる電極付近における割れを抑制することができる。   By doing so, the inner lead is connected among the electrodes mainly composed of silver, and the edge portion along the connection direction of the inner lead of the bus bar electrode that is most affected by the welding and the surface of the semiconductor substrate Since the tensile stress applied to the vicinity of the boundary line can be reduced and the concentration of stress can be suppressed, the occurrence of damage such as microcracks can be suppressed in the semiconductor substrate below the bus bar electrode. Therefore, cracks and cracks in the subsequent process are reduced, and the tensile stress near the boundary between the bus bar electrode edge and the semiconductor substrate surface is relaxed, so that cracking in the vicinity of the electrode due to daily temperature cycle stress can be suppressed. it can.

本発明の太陽電池モジュールは、受光面側及び／又は非受光面側に、銀を主成分とする銀電極を有する複数枚の太陽電池素子と、前記銀電極の少なくとも一部に半田で接続され、前記複数枚の太陽電池素子同士を電気的に接続するインナーリードと、前記複数枚の太陽電池素子と前記インナーリードとをその内部に封入する充填材と、を具備して成る太陽電池モジュールであって、前記銀電極の周縁部は、前記充填材と直接接触するように構成されて成る。あるいは、前記銀電極の周縁部は、被覆体によって覆われるとともに、この被覆体は、前記充填材と接触するように構成されて成る。   The solar cell module of the present invention is connected to a plurality of solar cell elements each having a silver electrode mainly composed of silver on the light-receiving surface side and / or the non-light-receiving surface side, and to at least a part of the silver electrode by solder. A solar cell module comprising: an inner lead that electrically connects the plurality of solar cell elements; and a filler that encloses the plurality of solar cell elements and the inner lead therein. And the peripheral part of the said silver electrode is comprised so that it may contact with the said filler directly. Alternatively, the peripheral portion of the silver electrode is covered with a covering, and the covering is configured to come into contact with the filler.

このようにすることにより、熱伝導率が高く、インナーリードとの溶着の際の加熱により影響を受けやすい銀を主成分とする銀電極の周縁部が剛性の高い半田によって被覆される代わりに、充填材によって、直接若しくは半田レジスト等の被覆体を介して覆われるので、ストレスが緩和されやすい。そのため、銀電極の周縁部と半導体基板表面との境界付近にかかる引張応力を低減することができ、ストレスの集中を抑制できるため、銀を主成分とする電極下部の半導体基板にマイクロクラック等の損傷の発生を抑制することができる。よって、後工程におけるひびや割れも低減し、銀電極の周縁部と半導体基板表面との境界線付近の引張応力が緩和されているため、日々の温度サイクルストレスによる電極付近における割れを抑制することができる。さらに、被覆体を用いたときは、インナーリードを熱溶着するときに、半田と濡れ性の良い銀電極の周縁部がこの被覆体によって覆われているので、半田が銀電極の周縁部に流れ込んで、この周縁部を覆う恐れが少ないという利点をも有する。   By doing so, instead of the periphery of the silver electrode mainly composed of silver having a high thermal conductivity and being easily affected by the heating at the time of welding with the inner lead being covered with the rigid solder, Since it is covered with the filler directly or through a covering such as a solder resist, stress is easily relieved. Therefore, the tensile stress applied to the vicinity of the boundary between the peripheral edge of the silver electrode and the semiconductor substrate surface can be reduced, and the stress concentration can be suppressed. The occurrence of damage can be suppressed. Therefore, cracks and cracks in the post process are also reduced, and tensile stress near the boundary between the peripheral edge of the silver electrode and the semiconductor substrate surface is relaxed, so that cracking in the vicinity of the electrode due to daily temperature cycle stress is suppressed. Can do. Furthermore, when using a cover, when the inner lead is heat-welded, the periphery of the silver electrode with good wettability with the solder is covered with this cover, so that the solder flows into the periphery of the silver electrode. Thus, there is also an advantage that there is little risk of covering the peripheral edge.

さらに本発明の太陽電池モジュールは、受光面側及び／又は非受光面側に、銀を主成分とする銀電極を有する複数枚の太陽電池素子と、前記銀電極の少なくとも一部に半田で接続され、前記複数枚の太陽電池素子と前記インナーリードとをその内部に封入する充填材と、を具備して成る太陽電池モジュールであって、前記銀電極は出力を外部に取り出すバスバー電極と、これに接続される集電用のフィンガー電極とを含んで構成され、前記バスバー電極の周縁部は前記充填材と直接接触するように構成されてなる。   Furthermore, the solar cell module of the present invention is connected to a plurality of solar cell elements each having a silver electrode mainly composed of silver on the light-receiving surface side and / or the non-light-receiving surface side, and to at least a part of the silver electrode by solder. A solar cell module comprising a plurality of solar cell elements and a filler for enclosing the inner leads therein, wherein the silver electrode is a bus bar electrode for taking out the output to the outside; And a peripheral portion of the bus bar electrode is configured to be in direct contact with the filler.

このように、熱伝導率が高い銀で構成されるうえに、インナーリードとの接続時に加熱されるバスバー電極の周縁部に剛性の高い半田が存在しないことから、太陽電池素子の基板表面と銀電極の周縁部付近にかかる引張応力を低減することができるから、銀電極下部の基板にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。また、銀電極が基板表面から剥離することを抑制することができる。   In this way, since it is composed of silver having a high thermal conductivity and there is no highly rigid solder at the periphery of the bus bar electrode that is heated when connected to the inner lead, the substrate surface of the solar cell element and the silver Since the tensile stress applied near the periphery of the electrode can be reduced, it is possible to suppress the occurrence of defects such as microcracks in the substrate under the silver electrode, and to suppress cracks and cracks in subsequent processes. become. Moreover, it can suppress that a silver electrode peels from the substrate surface.

さらにバスバー電極の周縁部が被覆体によって覆われるとともに、この被覆体は充填材と接触するように構成されれば、熱伝導率が高い銀で構成されるうえに、インナーリードとの接続時に加熱されるバスバー電極の周縁部が剛性の高い半田で覆われるかわりに、被覆体で覆われることから、バスバー電極周辺の応力を低減し、バスバー電極付近の基板に発生するクラックの反省を抑制することができる。またインナーリードを溶着する際に、インナーリードと接続するバスバー電極の周縁が被覆体で覆われていることから、半田が銀電極の周縁部に流れ込んで、この周縁部を覆う恐れが少ないという利点をも有する。   Further, the peripheral portion of the bus bar electrode is covered with a covering, and if the covering is configured to come into contact with the filler, it is composed of silver having a high thermal conductivity and is heated when connected to the inner lead. Instead of being covered with a highly rigid solder, the peripheral part of the bus bar electrode is covered with a covering, so that stress around the bus bar electrode is reduced, and reflection of cracks generated on the board in the vicinity of the bus bar electrode is suppressed. Can do. Further, when welding the inner lead, the peripheral edge of the bus bar electrode connected to the inner lead is covered with the covering, so that there is less possibility that the solder flows into the peripheral part of the silver electrode and covers the peripheral part. It also has.

本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子の一実施形態における図３（ｃ）のＡ−Ａ線における断面図である。It is sectional drawing in the AA line of FIG.3 (c) in one Embodiment of the solar cell element which concerns on the solar cell module of this invention. 本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子の別の実施形態における図３（ｃ）のＡ−Ａ線における断面図である。It is sectional drawing in the AA line of FIG.3 (c) in another embodiment of the solar cell element which concerns on the solar cell module of this invention. （ａ）は太陽電池素子Ｘの断面の構造を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）の太陽電池素子Ｘを組み合わせて構成した太陽電池モジュールＹであり、（ｃ）は、（ｂ）の太陽電池モジュールＹの内部構造の部分拡大図である。(A) is a figure which shows the structure of the cross section of the solar cell element X, (b) is the solar cell module Y comprised combining the solar cell element X of (a), (c) is (b) It is the elements on larger scale of the internal structure of the solar cell module Y of. 太陽電池素子Ｘの電極形状の一例を示す図であり、（ａ）は非受光面側（裏面）、（ｂ）は受光面側（表面）である。It is a figure which shows an example of the electrode shape of the solar cell element X, (a) is a non-light-receiving surface side (back surface), (b) is a light-receiving surface side (front surface). （ａ）、（ｂ）は、太陽電池素子の表面側にインナーリードを接続した場合の図４（ｂ）のＤ−Ｄ方向から見た部分断面図であり、表面フィンガー電極を長手方向に縦断した表面側の断面構造を示す。(A), (b) is the fragmentary sectional view seen from the DD direction of FIG.4 (b) at the time of connecting an inner lead to the surface side of a solar cell element, and cut | disconnects a surface finger electrode longitudinally in a longitudinal direction The cross-sectional structure on the surface side is shown. （ａ）、（ｂ）は、図４（ｂ）のＣ部の部分拡大図である。(A), (b) is the elements on larger scale of the C section of FIG.4 (b). （ａ）は、一般的な太陽電池素子Ｘにおける図３（ｃ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ部における電極の断面にかかるストレスをシミュレーションした変形モード図と応力ベクトル図である。(A) is sectional drawing in the AA line of FIG.3 (c) in the general solar cell element X, (b) simulated the stress concerning the cross section of the electrode in the B section of (a). It is a deformation mode diagram and a stress vector diagram. 本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子の電極形状の別の例を示す図であり、（ａ）は非受光面側（裏面）、（ｂ）は受光面側（表面）である。It is a figure which shows another example of the electrode shape of the solar cell element which concerns on the solar cell module of this invention, (a) is a non-light-receiving surface side (back surface), (b) is a light-receiving surface side (front surface). （ａ）、（ｂ）は、本発明に係る太陽電池モジュールに使用する太陽電池素子の部分断面図である。(A), (b) is a fragmentary sectional view of the solar cell element used for the solar cell module which concerns on this invention. 本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子における非受光面側（裏面）の電極形状の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the electrode shape of the non-light-receiving surface side (back surface) in the solar cell element which concerns on the solar cell module of this invention. （ａ）、（ｂ）は、本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子の電極形状の例を示す図である。(A), (b) is a figure which shows the example of the electrode shape of the solar cell element which concerns on the solar cell module of this invention.

以下、本発明の太陽電池モジュールを添付図面に基づき詳細に説明する。図３（ａ）は、本発明の太陽電池モジュールにかかる太陽電池素子Ｘの断面の構造を示す図である。また、図４は、電極形状の一例を示す図であり、（ａ）は非受光面側（裏面）、（ｂ）は受光面側（表面）である。   Hereinafter, the solar cell module of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Fig.3 (a) is a figure which shows the structure of the cross section of the solar cell element X concerning the solar cell module of this invention. FIG. 4 is a diagram showing an example of the electrode shape, where (a) is the non-light-receiving surface side (back surface), and (b) is the light-receiving surface side (front surface).

図３（ａ）において、１は半導体基板であるｐ型のシリコン基板、１ａはｎ型拡散層、２は反射防止膜、３は半導体接合部、４ａは裏面バスバー電極、４ｂは裏面集電用電極、５ａは表面バスバー電極を示す。   In FIG. 3A, 1 is a p-type silicon substrate which is a semiconductor substrate, 1a is an n-type diffusion layer, 2 is an antireflection film, 3 is a semiconductor junction, 4a is a backside bus bar electrode, and 4b is for backside current collection. Electrodes 5a indicate surface bus bar electrodes.

ここで、太陽電池素子Ｘの製造工程を説明する。まず、単結晶シリコンや多結晶シリコン等からなるｐ型半導体のシリコン基板１を準備する。このシリコン基板１は、ボロン（Ｂ）等の一導電型半導体不純物を１×１０１６〜１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度含有し、比抵抗１．０〜２．０Ω・ｃｍ程度の基板である。単結晶シリコン基板の場合は引き上げ法等によって形成され、多結晶シリコン基板の場合は鋳造法等によって形成される。多結晶シリコン基板は、大量生産が可能であり、製造コスト面で単結晶シリコン基板よりも有利である。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴットを３００μｍ程度の厚みにスライスして、１０ｃｍ×１０ｃｍ又は１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切断してシリコン基板１とする。 Here, the manufacturing process of the solar cell element X will be described. First, a p-type semiconductor silicon substrate 1 made of single crystal silicon, polycrystalline silicon, or the like is prepared. This silicon substrate 1 is a substrate containing about 1 × 10 16 to 10 18 atoms / cm 3 of one conductivity type semiconductor impurity such as boron (B) and having a specific resistance of about 1.0 to 2.0 Ω · cm. A single crystal silicon substrate is formed by a pulling method or the like, and a polycrystalline silicon substrate is formed by a casting method or the like. The polycrystalline silicon substrate can be mass-produced and is more advantageous than the single crystal silicon substrate in terms of manufacturing cost. An ingot formed by a pulling method or a casting method is sliced to a thickness of about 300 μm and cut into a size of about 10 cm × 10 cm or 15 cm × 15 cm to form a silicon substrate 1.

その後、基板の切断面を清浄化するために表面をフッ酸やフッ硝酸等でごく微量エッチングする。   Thereafter, in order to clean the cut surface of the substrate, the surface is subjected to a very small amount of etching with hydrofluoric acid or hydrofluoric acid.

次に、シリコン基板１を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）等の不純物元素を含むガス中で熱処理することによって、シリコン基板１の表面部分にリン原子を拡散させてシート抵抗が３０〜３００Ω／□程度のｎ型拡散層１ａを形成し、半導体接合部３を形成する。 Next, the silicon substrate 1 is placed in a diffusion furnace, and heat treatment is performed in a gas containing an impurity element such as phosphorus oxychloride (POCl 3 ) to diffuse phosphorus atoms in the surface portion of the silicon substrate 1 to form a sheet. An n-type diffusion layer 1a having a resistance of about 30 to 300Ω / □ is formed, and a semiconductor junction 3 is formed.

そして、シリコン基板１の表面側のみにｎ型拡散層１ａを残して他の部分を除去した後、純水で洗浄する。このシリコン基板１の表面側以外のｎ型拡散層１ａの除去は、シリコン基板１の表面側にレジスト膜を塗布し、フッ酸と硝酸の混合液を用いてエッチング除去した後、レジスト膜を除去することにより行う。   Then, the n-type diffusion layer 1a is left only on the surface side of the silicon substrate 1 and other portions are removed, followed by washing with pure water. The removal of the n-type diffusion layer 1a other than the surface side of the silicon substrate 1 is performed by applying a resist film to the surface side of the silicon substrate 1, etching away using a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid, and then removing the resist film. To do.

さらに、シリコン基板１の表面側に反射防止膜２を形成する。この反射防止膜２は例えば窒化シリコン膜等から成り、例えばシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスをグロー放電分解でプラズマ化させて堆積させるプラズマＣＶＤ法等で形成される。この反射防止膜２は、シリコン基板１との屈折率差等を考慮して、屈折率が１．８〜２．３程度になるように形成され、厚み５００〜１０００Å程度の厚みに形成される。この窒化シリコン膜は、形成の際に、パッシベーション効果があり、反射防止の機能と併せて、太陽電池の電気特性を向上させる効果がある。 Further, an antireflection film 2 is formed on the surface side of the silicon substrate 1. The antireflection film 2 is made of, for example, a silicon nitride film, and is formed by, for example, a plasma CVD method in which a mixed gas of silane (SiH 4 ) and ammonia (NH 3 ) is plasmatized by glow discharge decomposition and deposited. The antireflection film 2 is formed so as to have a refractive index of about 1.8 to 2.3 in consideration of a refractive index difference with the silicon substrate 1, and has a thickness of about 500 to 1000 mm. . This silicon nitride film has a passivation effect when formed, and has an effect of improving the electrical characteristics of the solar cell together with an antireflection function.

そして、シリコン基板１の表面に銀ペーストを、裏面にはアルミニウムペースト及び銀ペーストを塗布して焼成することにより、表面電極５及び裏面電極４を同時に形成する。   Then, the front electrode 5 and the back electrode 4 are simultaneously formed by applying a silver paste on the surface of the silicon substrate 1 and applying an aluminum paste and a silver paste on the back surface and baking.

図４（ａ）に示されるように裏面電極４は裏面から出力を取り出すための裏面バスバー電極４ａと裏面集電用電極４ｂからなる。また、図４（ｂ）に示されるように表面電極５は表面から出力を取り出すための表面バスバー電極５ａと、これに直交するように設けられた集電用の表面フィンガー電極５ｂとから構成される。   As shown in FIG. 4A, the back electrode 4 is composed of a back bus bar electrode 4a for extracting output from the back surface and a back current collecting electrode 4b. Further, as shown in FIG. 4B, the surface electrode 5 is composed of a surface bus bar electrode 5a for extracting output from the surface, and a surface finger electrode 5b for current collection provided so as to be orthogonal thereto. The

裏面集電用電極４ｂはアルミニウム粉末と有機ビヒクルとガラスフリットをアルミニウム１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してペースト状にしたアルミニウムペーストを、例えばスクリーン印刷法で印刷し、乾燥後に同時に６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成することにより焼き付けられる。このときにシリコン基板１中にアルミニウムが拡散して、裏面で発生したキャリアが再結合することを防ぐ裏面電界層が形成される。   The back surface collecting electrode 4b is made of an aluminum paste in which aluminum powder, an organic vehicle, and glass frit are added in a paste form by adding 10 to 30 parts by weight and 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of aluminum. It is baked by printing by a screen printing method and baking at 600-800 degreeC for about 1 to 30 minutes simultaneously after drying. At this time, a back surface electric field layer is formed which prevents aluminum from diffusing into the silicon substrate 1 and recombination of carriers generated on the back surface.

また、裏面バスバー電極４ａ、表面バスバー電極５ａ、表面フィンガー電極５ｂは、銀粉末と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ１０〜３０重量部、０．１〜５重量部を添加してペースト状にした銀ペーストを、例えばスクリーン印刷法で印刷、乾燥後に同時に６００〜８００℃で１〜３０分程度焼成することにより焼き付けられる。なお、表面電極５は、反射防止膜２の電極に相当する部分をエッチング除去して形成しても良いし、もしくは反射防止膜２の上から、ファイアースルーという手法によって直接形成しても良い。   Also, the back bus bar electrode 4a, the front bus bar electrode 5a, and the front finger electrode 5b are respectively added with 10 to 30 parts by weight and 0.1 to 5 parts by weight of silver powder, organic vehicle and glass frit with respect to 100 parts by weight of silver. The silver paste thus formed into a paste is printed by, for example, a screen printing method, and baked by simultaneously baking at 600 to 800 ° C. for about 1 to 30 minutes after drying. The surface electrode 5 may be formed by etching away a portion corresponding to the electrode of the antireflection film 2 or may be directly formed on the antireflection film 2 by a technique called fire-through.

出力取り出し用の裏面バスバー電極４ａを形成した後、裏面集電用電極４ｂを裏面バスバー電極４ａの一部を覆わないように形成する。なお、この裏面バスバー電極４ａと裏面集電用電極４ｂを形成する順番はこの逆でも良い。また、裏面電極４においては上記構造をとらず、表面電極５と同様の銀を主成分とするバスバー電極とフィンガー電極で構成された構造としても良い。   After the back bus bar electrode 4a for output extraction is formed, the back current collecting electrode 4b is formed so as not to cover a part of the back bus bar electrode 4a. The order of forming the backside bus bar electrode 4a and the backside current collecting electrode 4b may be reversed. Further, the back electrode 4 does not have the above-described structure, and may be configured by a bus bar electrode mainly composed of silver and finger electrodes similar to the front electrode 5.

太陽電池素子一枚では発生する電気出力が小さいため、複数の太陽電池素子を直並列に接続して、実用的な電気出力が取り出せるようにする必要がある。太陽電池モジュールの一例として、図３（ｂ）に、図３（ａ）の太陽電池素子Ｘを組み合わせて構成した太陽電池モジュールＹを示す。   Since a single solar cell element generates a small electrical output, it is necessary to connect a plurality of solar cell elements in series and parallel so that a practical electrical output can be taken out. As an example of the solar cell module, FIG. 3B shows a solar cell module Y configured by combining the solar cell elements X of FIG.

図３（ｂ）に示すように、複数の太陽電池素子Ｘは、インナーリード８によって電気的に接続され、透光性パネル９と裏面保護材１１の間にエチレンビニルアセテート共重合体（ＥＶＡ）等を主成分とする充填材１０で気密に封入されて、太陽電池モジュールＹを構成している。太陽電池モジュールＹの出力は、出力配線１２を経て端子ボックス１３に接続されている。図３（ｃ）に、図３（ｂ）の太陽電池モジュールＹの内部構造の部分拡大図を示す。   As shown in FIG. 3B, the plurality of solar cell elements X are electrically connected by the inner leads 8, and an ethylene vinyl acetate copolymer (EVA) is provided between the translucent panel 9 and the back surface protective material 11. The solar cell module Y is configured by being hermetically sealed with a filler 10 containing, for example, the main component. The output of the solar cell module Y is connected to the terminal box 13 via the output wiring 12. FIG. 3 (c) shows a partially enlarged view of the internal structure of the solar cell module Y of FIG. 3 (b).

図３（ｃ）に示すように、太陽電池素子Ｘ１の表面バスバー電極５ａと、隣接する太陽電池素子Ｘ２の裏面バスバー電極４ａとをインナーリード８によって接続して、複数の太陽電池素子Ｘ同士が電気的に接続されている。インナーリード８を裏面バスバー電極４ａと表面バスバー電極５ａの全長もしくは複数箇所、あるいは部分的にホットエア等の熱溶着により接続して、太陽電池素子Ｘ同士を接続配線されている。インナーリード８としては、例えば、その表面全体に２０〜７０μｍ程度の半田を被覆した厚さ１００〜３００μｍ程度の銅箔を所定の長さに切断したものを用いる。   As shown in FIG.3 (c), the front surface bus-bar electrode 5a of the solar cell element X1 and the back surface bus-bar electrode 4a of the adjacent solar cell element X2 are connected by the inner lead 8, and several solar cell elements X are connected. Electrically connected. The inner lead 8 is connected to the entire length of the back surface bus bar electrode 4a and the front surface bus bar electrode 5a, a plurality of locations, or partially by heat welding such as hot air, and the solar cell elements X are connected to each other. As the inner lead 8, for example, a copper foil having a thickness of about 100 to 300 μm, which is coated with a solder of about 20 to 70 μm on the entire surface, is cut into a predetermined length.

本発明においては、あらかじめ太陽電池素子Ｘのバスバー電極（４ａ、５ａ）の表面には半田を被覆しておかず、インナーリード８に被覆されている半田を溶融させることにより、太陽電池素子Ｘとインナーリード８を接続することが望ましい。   In the present invention, the surface of the bus bar electrodes (4a, 5a) of the solar cell element X is not previously coated with solder, but the solder covered with the inner lead 8 is melted, so that the solar cell element X and the inner It is desirable to connect the lead 8.

図１に、図３（ｃ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。なお、断面図は構成をわかりやすくするため、要部の寸法を誇張して描いてあり、実際の寸法比率とは異なる。   FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. Note that, in order to make the configuration easy to understand, the cross-sectional view is drawn with exaggerated dimensions of the main part, which is different from the actual size ratio.

この断面図に示すように、本発明においては、裏面バスバー電極４ａ及び／又は表面バスバー電極５ａの長手方向の端部、即ちインナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部が充填材１０と接する構造になっている。従来は、バスバー電極（４ａ、５ａ）のエッジ部が剛性の高い半田６によって被覆されていたが、その代わりに、充填材１０によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。したがって、バスバー電極（４ａ、５ａ）のエッジ部とシリコン基板１表面との境界線付近にかかる引張応力を低減することができ、ストレスの集中を抑制できるため、バスバー電極（４ａ、５ａ）下部のシリコン基板１にマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。   As shown in this cross-sectional view, in the present invention, the structure is such that the end portion in the longitudinal direction of the back surface bus bar electrode 4a and / or the front surface bus bar electrode 5a, that is, the edge portion along the connection direction with the inner lead is in contact with the filler 10. It has become. Conventionally, the edge portions of the bus bar electrodes (4a, 5a) are covered with the highly rigid solder 6, but instead, they are covered with the filler 10, so that the stress is easily relieved. Therefore, the tensile stress applied near the boundary between the edge portion of the bus bar electrode (4a, 5a) and the surface of the silicon substrate 1 can be reduced, and the stress concentration can be suppressed, so that the lower portion of the bus bar electrode (4a, 5a) Generation of defects such as microcracks in the silicon substrate 1 can be suppressed, and cracks and cracks in subsequent processes can be suppressed.

また屋外に設置した場合の日々の温度サイクルによるストレスが電極付近に集中することが少ないため、長期間使用してもバスバー電極（４ａ、５ａ）のインナーリードの接続方向に沿ったエッジ部近傍での割れが発生することを抑制することができる。   In addition, since stress due to daily temperature cycles when installed outdoors is less likely to concentrate near the electrode, it can be used in the vicinity of the edge along the connection direction of the inner leads of the bus bar electrodes (4a, 5a) even after long-term use. It is possible to suppress the occurrence of cracks.

本発明において、充填材と直接接触するバスバー電極（４ａ、５ａ）のインナーリードの接続方向に沿ったエッジ部領域には、電極のエッジ部と、このエッジ部から所定長さ分内側の領域が含まれる。具体的にはこの所定長さ分内側の領域には、電極のエッジ部から５０μｍ内側の箇所が含まれるようにすることが望ましい。なお、印刷焼成法を用いて形成した電極等のように、電極のエッジ部が薄くなり基板と電極との境界を明確に判定することが難しい場合がある。このような場合は、最表面の主成分が電極を形成する材料の主成分となる箇所をエッジ部と見なして上述の範囲とすれば良い。また、このエッジ部の上限値については、バスバー電極のサイズ等によって異なり、一義的に定められるものではないが、バスバー電極とインナーリードとの接続強度が十分得られるように設定すれば良い。例えば、後述する実施例に示すバスバー電極（幅２ｍｍ程度）の場合、この幅の１／４（幅２ｍｍの場合、５００μｍ）を上限の目安とすれば良い。   In the present invention, the edge portion region along the connecting direction of the inner lead of the bus bar electrode (4a, 5a) that is in direct contact with the filler includes an edge portion of the electrode and a region that is a predetermined length from the edge portion. included. Specifically, it is desirable that the inner region for the predetermined length includes a portion 50 μm inside from the edge portion of the electrode. Note that, as in the case of an electrode formed using a printing and firing method, the edge portion of the electrode becomes thin, and it may be difficult to clearly determine the boundary between the substrate and the electrode. In such a case, a portion where the main component of the outermost surface is the main component of the material forming the electrode may be regarded as the edge portion within the above range. The upper limit value of the edge portion varies depending on the size of the bus bar electrode and is not uniquely determined, but may be set so that the connection strength between the bus bar electrode and the inner lead is sufficiently obtained. For example, in the case of a bus bar electrode (about 2 mm in width) shown in an example described later, the upper limit may be set to 1/4 of this width (500 μm in the case of 2 mm width).

なお、バスバー電極（４ａ、５ａ）は、インナーリードの接続方向の中央部の少なくとも一部が半田６で被覆されるようにすることが望ましい。例えば、あらかじめ半田でバスバー電極（４ａ、５ａ）の中央部を被覆しておいても良いし、インナーリード８で接続するときに、電極との中央部を溶着するようにしても良い。このようにすれば、特にバスバー電極（４ａ、５ａ）の中央部に必ず半田６が存在してインナーリード８と接続されることとなり、接続の信頼性が高まる。   The bus bar electrodes (4a, 5a) are preferably covered with the solder 6 at least at a part of the central portion in the connecting direction of the inner leads. For example, the central portion of the bus bar electrodes (4a, 5a) may be covered in advance with solder, or when connected by the inner lead 8, the central portion with the electrode may be welded. In this way, the solder 6 is always present at the center of the bus bar electrodes (4a, 5a) and is connected to the inner lead 8, so that the connection reliability is improved.

なお、通常は太陽電池素子の電極部には出力を外部に取り出したり、電極の耐久性を維持したりするために、あらかじめディップ法、噴流式等によって半田を被覆する場合が多いが、本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子Ｘの電極部に半田を被覆しなくても構わない。   Usually, in order to extract the output to the outside of the electrode part of the solar cell element or maintain the durability of the electrode, it is often the case that the solder is coated in advance by a dip method, a jet type, etc. It is not necessary to coat the electrode part of the solar cell element X of the solar cell module with solder.

また、半田を被覆する場合でも、図１に示すように、太陽電池素子Ｘの裏面バスバー電極４ａ及び／又は表面バスバー電極５ａの各々のエッジ部が、半田６によって覆われないようにすることが必要である。その方法の一例としては、例えば、裏面バスバー電極４ａ及び／又は表面バスバー電極５ａの中央部にはフラックスを塗布し、端部にはフラックスを塗布しないことによって、バスバー電極（４ａ、５ａ）の中央部には半田６が被覆され、端部には半田６が被覆されない本発明の構造にすることができる。   Further, even when the solder is covered, as shown in FIG. 1, the edge portions of the back bus bar electrode 4 a and / or the front bus bar electrode 5 a of the solar cell element X may not be covered with the solder 6. is necessary. As an example of the method, for example, the flux is applied to the central portion of the back surface bus bar electrode 4a and / or the front surface bus bar electrode 5a and the flux is not applied to the end portion, thereby the center of the bus bar electrodes (4a, 5a). The structure of the present invention can be obtained in which the portion is covered with the solder 6 and the end portion is not covered with the solder 6.

次に、図２に本発明に係る他の実施形態を示す。図２も図１と同様に図３（ｃ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。この実施形態では、裏面バスバー電極４ａ及び／又は表面バスバー電極５ａのインナーリードとの接続方向に沿ったエッジ部は被覆体７の一例である、半田レジストを間に介した状態で充填材１０と接触するような構成となっている。このように被覆体７を介して充填材１０と接触しており、上述のように、バスバー電極（４ａ、５ａ）のエッジ部が剛性の高い半田６によって被覆される代わりに、被覆体７と充填材１０によって覆われている。したがって、境界線付近におけるストレスの集中を緩和して抑制でき、バスバー電極（４ａ、５ａ）下部のシリコン基板１にマイクロクラック等の損傷の発生を抑制することができる。   Next, FIG. 2 shows another embodiment according to the present invention. 2 also shows a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. In this embodiment, the edge part along the connection direction with the inner lead of the back surface bus bar electrode 4a and / or the front surface bus bar electrode 5a is an example of the covering 7 and the filler 10 with the solder resist interposed therebetween. It is configured to come into contact. In this way, it is in contact with the filler 10 through the covering 7, and as described above, instead of the edge portion of the bus bar electrodes (4 a, 5 a) being covered with the rigid solder 6, Covered with a filler 10. Therefore, stress concentration in the vicinity of the boundary line can be reduced and suppressed, and damage such as microcracks can be suppressed in the silicon substrate 1 below the bus bar electrodes (4a, 5a).

このような被覆体７をあらかじめ設けておき、その後、半田被覆されたインナーリード８をバスバー電極（４ａ、５ａ）に熱溶着することによって、インナーリード８側から半田６が流れ込んでもバスバー電極（４ａ、５ａ）の端部を覆うことを抑制できる。   Such a covering 7 is provided in advance, and then the solder-coated inner leads 8 are thermally welded to the bus bar electrodes (4a, 5a), so that even if the solder 6 flows from the inner leads 8 side, the bus bar electrodes (4a 5a) can be prevented from being covered.

また、太陽電池素子Ｘの裏面バスバー電極４ａ及び／又は表面バスバー電極５ａの各々のエッジ部をあらかじめ被覆体７を塗布・硬化させた状態で、ディップ法、噴流式等によって半田を被覆すれば、バスバー電極（４ａ、５ａ）のエッジ部を半田６が覆わない構造とすることができる。   Also, if the edge of each of the back bus bar electrode 4a and / or the front bus bar electrode 5a of the solar cell element X is coated and cured in advance with the covering 7 applied, the solder is coated by a dipping method, a jet type, etc. The edge part of a bus-bar electrode (4a, 5a) can be made into the structure where the solder 6 does not cover.

このような被覆体７としては、太陽電池モジュールの形成工程において熱がかかることから、耐熱性の樹脂によって構成することが望ましく、その中でも、半田レジストを用いれば、ストレスが緩和されやすく、さらに、印刷やフォトリソグラフィ等によって極めて容易に所定形状の被覆体７を形成することができ、半田に対する耐性を備えていることから望ましい。なお、半田レジストとしては、例えば、エポキシ系の有機硬化樹脂が用いられ、有機硬化樹脂には紫外線硬化型、熱硬化型のものがあり、いずれを用いても良い。   Such a covering 7 is preferably made of a heat-resistant resin because heat is applied in the step of forming the solar cell module. Among them, if a solder resist is used, stress is easily relieved, It is desirable because the covering 7 having a predetermined shape can be formed very easily by printing, photolithography, or the like and has resistance to solder. As the solder resist, for example, an epoxy-based organic curable resin is used, and the organic curable resin includes an ultraviolet curable type and a thermosetting type, and any of them may be used.

以上のようにして、本発明の太陽電池モジュールを実現することができる。   As described above, the solar cell module of the present invention can be realized.

なお、インナーリード８の幅を、裏面バスバー電極４ａ及び／又は表面バスバー電極５ａの幅よりも細くしておけば、インナーリード８をバスバー電極（４ａ、５ａ）に熱溶着した際に、バスバー電極（４ａ、５ａ）の端部をインナーリード８の半田によって覆われにくくすることができる。   If the width of the inner lead 8 is made narrower than the width of the rear bus bar electrode 4a and / or the front bus bar electrode 5a, the bus bar electrode is formed when the inner lead 8 is thermally welded to the bus bar electrodes (4a, 5a). The ends of (4a, 5a) can be made hard to be covered with the solder of the inner lead 8.

次に本発明の太陽電池モジュールにつき、好ましい態様について説明する。   Next, a preferable aspect is demonstrated about the solar cell module of this invention.

本発明の太陽電池モジュールは、図４（ｂ）において説明したように表面バスバー電極５ａに対して少なくとも一端部が接続された複数の表面フィンガー電極５ｂを有しているが、これらの表面フィンガー電極５ｂとインナーリード８とが半田によって接続されないようにすることが望ましい。   The solar cell module of the present invention has a plurality of surface finger electrodes 5b having at least one end connected to the surface bus bar electrode 5a as described in FIG. 4B. It is desirable to prevent 5b and the inner lead 8 from being connected by solder.

図５は、太陽電池素子の表面側にインナーリード８を接続した場合の図４（ｂ）のＤ−Ｄ方向から見た部分断面図であり、表面フィンガー電極５ｂを長手方向に縦断した表面側の断面構造を示し、インナーリード８が図の正面から見て左にずれた状態をなっている。   FIG. 5 is a partial cross-sectional view seen from the DD direction of FIG. 4B when the inner lead 8 is connected to the surface side of the solar cell element, and the surface side of the surface finger electrode 5b vertically cut in the longitudinal direction. The inner lead 8 is shifted to the left when viewed from the front of the figure.

図５（ａ）に示すように、インナーリード８と太陽電池素子の電極とを電気的に接続している半田６は、インナーリード８と表面バスバー電極５ａとの間に存在し、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとは半田で接続されていない。インナーリード８を半田によって接続する装置（タブ付け装置）の位置決め精度によっては、このようにインナーリード８が表面フィンガー電極５ｂの上にはみ出すことがしばしば発生する可能性があるが、ここで説明したように、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとが相互に半田で接続されていない状態となっていれば、表面フィンガー電極５ｂとシリコン基板１の表面との間におけるストレスの集中を抑制でき、マイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができる。   As shown in FIG. 5A, the solder 6 that electrically connects the inner lead 8 and the electrode of the solar cell element exists between the inner lead 8 and the surface bus bar electrode 5a. And the surface finger electrode 5b are not connected by solder. Depending on the positioning accuracy of the device (tab attaching device) for connecting the inner leads 8 with solder, the inner leads 8 may often protrude above the surface finger electrodes 5b as described above. As described above, if the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b are not connected to each other by solder, the concentration of stress between the surface finger electrode 5b and the surface of the silicon substrate 1 can be suppressed, and the micro Generation of defects such as cracks can be suppressed.

なお、インナーリード８は半田によって被覆されていたり、表面フィンガー電極５ｂに半田が付着したりしていても、相互に半田で接続されていなければ本発明の効果を奏する。具体的には、この領域Ｅにおいて、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとが単に接触したり（半田による接続を伴わず）、各部材の形状と配置状態によって定まる所定距離をおいて離間したりした状態となっている。なお、太陽電池モジュールの形成時に充填材１０によって気密に封入する工程で、流れ込んだＥＶＡ等の充填材１０を介して離間していても構わない。   Even if the inner lead 8 is covered with solder or solder is attached to the surface finger electrode 5b, the effect of the present invention can be obtained if they are not connected to each other by solder. Specifically, in this region E, the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b are simply in contact with each other (without being connected by solder), or separated by a predetermined distance determined by the shape and arrangement state of each member. It has become a state. In the step of hermetically sealing with the filler 10 when the solar cell module is formed, the solar cell module may be separated via the filler 10 such as EVA that has flowed in.

このようにインナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとが相互に半田で接続されないような状態とするためには、例えば、複数の太陽電池素子同士をインナーリード８によって半田を溶かして熱溶着する際に、あらかじめ接続したい表面バスバー電極５ａにフラックスを塗布し、表面フィンガー電極５ｂにはフラックスを塗布しないようにしておけば良い。フラックスが塗布された箇所は、加熱によって表面が活性化し、酸化膜が除去されて半田との濡れ性が向上するが、表面フィンガー電極５ｂを構成する銀において、フラックスがないと表面酸化膜を除去できず、半田との濡れ性が悪い。したがって、表面フィンガー電極５ｂの箇所にフラックスを塗布しないようにしておけば、上述のインナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとが相互に半田で接続されていない本発明の構成を容易に得ることができる。特に、電極表面に半田を被覆していないいわゆる半田レス型の太陽電池素子同士の接続で明確な効果を奏する。   In order to prevent the inner leads 8 and the surface finger electrodes 5b from being connected to each other by soldering in this way, for example, when a plurality of solar cell elements are melted by the inner leads 8 and soldered together. The flux may be applied to the surface bus bar electrode 5a to be connected in advance and the flux may not be applied to the surface finger electrode 5b. Where the flux is applied, the surface is activated by heating and the oxide film is removed to improve the wettability with the solder. However, in the silver constituting the surface finger electrode 5b, the surface oxide film is removed if there is no flux. It cannot be done and the wettability with solder is bad. Therefore, if the flux is not applied to the surface finger electrode 5b, the configuration of the present invention in which the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b are not connected to each other by solder can be easily obtained. . In particular, a so-called solderless solar cell element in which the electrode surface is not coated with solder has a clear effect.

また、図５（ｂ）に示すように、表面フィンガー電極５ｂが表面バスバー電極５ａに接続した一端部を被覆する被覆体１４を設けて、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとが相互に半田で接続されない本発明の構成を得るようにしても良い。   Further, as shown in FIG. 5B, a covering 14 is provided to cover one end of the surface finger electrode 5b connected to the surface bus bar electrode 5a, and the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b are soldered to each other. You may make it obtain the structure of this invention which is not connected.

図６に図４（ｂ）のＣ部の部分拡大図を示す。図６（ａ）に示すように、表面フィンガー電極５ｂが表面バスバー電極５ａに接続した一端部を被覆体１４によって覆うようにすれば良いし、図６（ｂ）に示すように、被覆体１４’は表面バスバー電極５ａの長手方向の端部と表面フィンガー電極５ｂが表面バスバー電極５ａに接続した一端部とを同時に覆うようにしても良い。   FIG. 6 shows a partially enlarged view of a portion C in FIG. As shown in FIG. 6 (a), one end of the surface finger electrode 5b connected to the surface bus bar electrode 5a may be covered with a covering body 14, and as shown in FIG. 6 (b), the covering body 14 is covered. 'May cover the longitudinal end of the front bus bar electrode 5a and the end of the front finger electrode 5b connected to the front bus bar electrode 5a at the same time.

このような被覆体１４を設けることによって、インナーリード８を表面バスバー電極５ａに熱溶着した際に、図に示すようにインナーリード８の接続位置がずれても、この被覆体１４によって表面フィンガー電極５ｂの一端部がカバーされているので、表面フィンガー電極５ｂとインナーリード８とが半田によって接続されることを防止できる。したがって、表面フィンガー電極５ｂと基板１の表面との間におけるストレスの集中を抑制でき、マイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができる。   By providing such a covering 14, even when the inner lead 8 is thermally welded to the surface bus bar electrode 5 a, even if the connection position of the inner lead 8 is shifted as shown in the figure, the surface finger electrode is formed by this covering 14. Since one end of 5b is covered, it is possible to prevent the surface finger electrode 5b and the inner lead 8 from being connected by solder. Therefore, the concentration of stress between the surface finger electrode 5b and the surface of the substrate 1 can be suppressed, and the occurrence of defects such as microcracks can be suppressed.

なお、被覆体１４は、太陽電池モジュールの形成工程において熱がかかることから、耐熱性の樹脂によって構成することが望ましく、その中でも、半田レジストを用いれば、表面フィンガー電極５ｂが半田レジストの被覆体１４を介して充填材によって覆われた構成となる。その結果、ストレスが緩和されやすく、さらに、印刷やフォトリソグラフィ等によって極めて容易に所定形状の被覆体を形成することができ、半田に対する耐性も備えていることから望ましい。また、図６（ｂ）に示す形状で被覆体１４’を形成する場合、図２の説明において詳述した半田レジストを兼ねて同時形成することができるので、工程数を減らすことができ、コストの点からも望ましい。   The covering 14 is preferably made of a heat-resistant resin because heat is applied in the process of forming the solar cell module. Among them, the surface finger electrode 5b is covered with the solder resist when a solder resist is used. 14 and covered with a filler. As a result, it is desirable because stress is easily relieved, and a covering with a predetermined shape can be formed very easily by printing, photolithography, or the like, and resistance to solder is provided. Further, when forming the covering body 14 'in the shape shown in FIG. 6B, it can be formed simultaneously with the solder resist detailed in the description of FIG. 2, so the number of steps can be reduced and the cost can be reduced. This is also desirable.

また被覆体１４、１４’を設ける領域は、表面フィンガー電極５ｂが表面バスバー電極５ａに接続された一端部から５ｍｍ以下の範囲とすることが望ましい。この範囲を超えると光照射領域を遮って変換効率を下げてしまう作用が顕著となるからである。なお、下限については、インナーリード８を半田によって接続する装置（タブ付け装置）の位置決め精度の範囲、すなわちインナーリード８がずれてはみ出す可能性のある範囲について、確実に被覆体によって被覆するように下限値を設定すれば良い。   Further, it is desirable that the area where the coverings 14 and 14 'are provided be within a range of 5 mm or less from one end where the surface finger electrode 5b is connected to the surface bus bar electrode 5a. This is because exceeding this range, the effect of blocking the light irradiation region and lowering the conversion efficiency becomes remarkable. As for the lower limit, the range of positioning accuracy of the device (tab attaching device) for connecting the inner leads 8 with solder, that is, the range in which the inner leads 8 may be displaced and be sure to cover with the covering. What is necessary is just to set a lower limit.

以上、図５、図６において説明した本発明の太陽電池モジュールに係るフィンガー電極としては、表面側に限定して説明したが、また、裏面側においても、表面側の電極と同様に銀を主成分とするバスバー電極とフィンガー電極で構成された構造とし、表面側と全く同様にして、フィンガー電極とインナーリードとが半田によって接続されない構造としても構わない。   As described above, the finger electrode according to the solar cell module of the present invention described with reference to FIGS. 5 and 6 has been described limited to the front surface side, but silver is mainly used on the back surface side as well as the front surface side electrode. The structure may include a bus bar electrode and a finger electrode as components, and the finger electrode and the inner lead may not be connected by solder in the same manner as the surface side.

次に、本発明の太陽電池モジュールの別の態様について説明する。   Next, another aspect of the solar cell module of the present invention will be described.

図８は、本発明の請求項３若しくは請求項４に記載した太陽電池モジュールに係る太陽電池素子の一実施例を示す模式図であり、（ａ）は非受光面側（裏面）の一例、（ｂ）は受光面側（表面）の一例を示す。また、図９（ａ）、（ｂ）に、図８に図示された太陽電池素子にインナーリードを半田で接続した状態における断面構造を示す。   FIG. 8 is a schematic view showing an example of a solar cell element according to the solar cell module described in claim 3 or claim 4 of the present invention, (a) is an example of the non-light-receiving surface side (back surface), (B) shows an example of the light receiving surface side (surface). 9A and 9B show a cross-sectional structure in a state where the inner leads are connected to the solar cell element shown in FIG. 8 by soldering.

図に示した例では、シリコン基板２１の表面に銀を主成分とした銀電極として、バスバー電極２４ａ、２５ａ、フィンガー電極２５ｂが形成され、これらの銀電極の周縁部２４ｃ、２５ｃに充填材２８と直接接触する領域（図９（ａ）参照）、若しくは半田レジスト等の被覆体２７（図９（ｂ）参照）を介して充填材２８に被覆される領域が形成されている。   In the example shown in the drawing, bus bar electrodes 24a and 25a and finger electrodes 25b are formed on the surface of the silicon substrate 21 as silver electrodes mainly composed of silver, and fillers 28 are formed on the peripheral portions 24c and 25c of these silver electrodes. A region that is directly in contact with the filler 28 (see FIG. 9A) or a region that is covered with the filler 28 via a covering 27 such as a solder resist (see FIG. 9B) is formed.

図９の断面図に示すように、本発明においては、銀を主成分とする銀電極（２４ａ、２５ａ、２５ｂ）の周縁部（２４ｃ、２５ｃ）が充填材２８と接する構造になっている。従来は、例えば、図７に示すように、この領域が剛性の高い半田２６によって被覆されていたが、その代わりに、充填材２８によって覆われるので、ストレスが緩和されやすい。したがって、銀電極の周縁部２４ｃ、２５ｃとシリコン基板２１表面との境界線付近にかかる引張応力を低減することができ、ストレスの集中を抑制できるため、銀電極下部のシリコン基板２１におけるマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制することができ、後工程におけるひびや割れを抑制することができるようになる。   As shown in the cross-sectional view of FIG. 9, in the present invention, the peripheral portions (24 c, 25 c) of the silver electrodes (24 a, 25 a, 25 b) mainly composed of silver are in contact with the filler 28. Conventionally, for example, as shown in FIG. 7, this region is covered with the highly rigid solder 26, but instead, it is covered with the filler 28, so that the stress is easily relieved. Therefore, the tensile stress applied to the vicinity of the boundary line between the peripheral portions 24c and 25c of the silver electrode and the surface of the silicon substrate 21 can be reduced, and the concentration of stress can be suppressed. Generation of defects can be suppressed, and cracks and cracks in subsequent processes can be suppressed.

また屋外に設置した場合、日々の温度サイクルによるストレスが電極のエッジ部付近に集中することが少ないため、長期間使用した場合に銀電極近傍での割れが発生することを抑制することができる。   In addition, when installed outdoors, stress due to daily temperature cycles is less likely to concentrate near the edge of the electrode, so that cracking in the vicinity of the silver electrode can be suppressed when used for a long period of time.

このように銀電極（２４ａ、２５ａ、２５ｂ）の周縁部（２４ｃ、２５ｃ）が充填材２８と直接接触している構造とするためには、例えば、銀電極２４ａ、２５ａ、２５ｂの中央部にはフラックスを塗布し、周縁部２４ｃ、２５ｃにはフラックスを塗布しないことによって、銀電極２４ａ、２５ａ、２５ｂの中央部には半田が被覆され、周縁部２４ｃ、２５ｃには半田が被覆されない本発明の構造にすることができる。また、銀電極（２４ａ、２５ａ、２５ｂ）の周縁部（２４ｃ、２５ｃ）が充填材２８と直接接触した被覆体２７によって覆われる構造とするためには、あらかじめ被覆体２７、例えば半田レジスト等をこの領域上に塗布・硬化させた状態で、半田を被覆すれば良い。被覆体２７は、太陽電池モジュールの形成工程において熱がかかることから、耐熱性の樹脂によって構成することが望ましい。さらに、印刷やフォトリソグラフィ等によって極めて容易に所定形状の被覆体を形成することができ、半田に対する耐性も備えていることから半田レジストを用いることが望ましい。   In this way, in order to obtain a structure in which the peripheral portions (24c, 25c) of the silver electrodes (24a, 25a, 25b) are in direct contact with the filler 28, for example, in the central portion of the silver electrodes 24a, 25a, 25b The present invention applies the flux and does not apply the flux to the peripheral portions 24c, 25c, so that the central portions of the silver electrodes 24a, 25a, 25b are covered with solder, and the peripheral portions 24c, 25c are not covered with solder. The structure can be In addition, in order to have a structure in which the peripheral portions (24c, 25c) of the silver electrodes (24a, 25a, 25b) are covered with the covering body 27 in direct contact with the filler 28, the covering body 27, for example, a solder resist or the like is previously used. What is necessary is just to coat | cover solder in the state apply | coated and hardened on this area | region. The covering body 27 is preferably made of a heat-resistant resin because heat is applied in the step of forming the solar cell module. Furthermore, it is desirable to use a solder resist because a covering with a predetermined shape can be formed very easily by printing, photolithography, or the like and has resistance to solder.

なお、本実施形態に係るバスバー電極２４ａ、２５ａとは、インナーリード３０と接続する電極のことであり、その形状や本数に影響されるものではない。図１０は本実施形態に係る太陽電池素子において、非受光面側（裏面）の変形例を示した図である。図１０（ａ）、（ｂ）に示したように、矩形のドット状のバスバー電極であっても、本発明の効果を有効に発揮することができる。また矩形以外に、多角形、楕円、円等の形状であっても良い。さらに図１０（ｃ）に示すように、ライン部から突出させた突出部を設けた、櫛歯を変形させた電極形状であっても、インナーリード３０と接続される電極部分をバスバー電極と見なし、このバスバー電極２４ａ、２５ａの周縁部２４ｃ、２５ｃが充填材２８と直接、若しくは被覆体２７を介して充填材２８に覆われていれば、本発明の構成と見なしうる。例えば、図１０（ｃ）の場合、インナーリード３０と接続する部分がライン部であれば、そのライン部が本発明に係るバスバー電極の構造を有していれば良く、突出部にインナーリード３０を接続するのであれば、その突出部が本発明に係るバスバー電極の構造を有していれば良い。また本数も図示した２本（組）にとらわれるものでなく、１本（組）であっても、また３本（組）もしくはそれ以上であっても構わない。   The bus bar electrodes 24a and 25a according to the present embodiment are electrodes connected to the inner lead 30, and are not affected by the shape or number of the electrodes. FIG. 10 is a view showing a modification of the non-light-receiving surface side (back surface) in the solar cell element according to this embodiment. As shown in FIGS. 10A and 10B, the effect of the present invention can be effectively exhibited even with a rectangular dot-shaped busbar electrode. In addition to a rectangle, a shape such as a polygon, an ellipse, or a circle may be used. Further, as shown in FIG. 10 (c), even if the electrode shape is provided with a protruding portion protruding from the line portion and the comb teeth are deformed, the electrode portion connected to the inner lead 30 is regarded as a bus bar electrode. If the peripheral portions 24c and 25c of the bus bar electrodes 24a and 25a are covered with the filler 28 directly or via the covering 27, it can be considered as the configuration of the present invention. For example, in the case of FIG. 10C, if the portion connected to the inner lead 30 is a line portion, the line portion only needs to have the structure of the bus bar electrode according to the present invention, and the inner lead 30 is formed in the protruding portion. If it connects, the protrusion part should just have the structure of the bus-bar electrode which concerns on this invention. Also, the number is not limited to the two (set) shown in the figure, and may be one (set), three (set) or more.

なお、本実施形態に係るバスバー電極において、充填材と直接接触するバスバー電極２４ａ、２５ａの周縁部２４ｃ、２５ｃの領域は、電極のエッジ部と、このエッジ部から所定長さ分内側の領域が含まれる。具体的にはこの所定長さ分内側の領域には、電極のエッジ部から５０μｍ内側の箇所が含まれるようにすることが望ましい。なお、印刷焼成法を用いて形成した電極等のように、電極のエッジ部が薄くなり基板と電極との境界を明確に判定することが難しい場合がある。このような場合は、最表面の主成分が電極を形成する材料の主成分となる箇所をエッジ部と見なして上述の範囲とすれば良い。また、このエッジ部の上限値については、バスバー電極のサイズ等によって異なり、一義的に定められるものではないが、バスバー電極とインナーリードとの接続強度が十分得られるように設定すれば良い。例えば、後述する実施例に示すバスバー電極（幅２ｍｍ程度）の場合、この幅の１／４（幅２ｍｍの場合、５００μｍ）を上限の目安とすれば良い。   Note that, in the bus bar electrode according to the present embodiment, the peripheral portions 24c and 25c of the bus bar electrodes 24a and 25a that are in direct contact with the filler include an edge portion of the electrode and an inner region by a predetermined length from the edge portion. included. Specifically, it is desirable that the inner region for the predetermined length includes a portion 50 μm inside from the edge portion of the electrode. Note that, as in the case of an electrode formed using a printing and firing method, the edge portion of the electrode becomes thin, and it may be difficult to clearly determine the boundary between the substrate and the electrode. In such a case, a portion where the main component of the outermost surface is the main component of the material forming the electrode may be regarded as the edge portion within the above range. The upper limit value of the edge portion varies depending on the size of the bus bar electrode and is not uniquely determined, but may be set so that the connection strength between the bus bar electrode and the inner lead is sufficiently obtained. For example, in the case of a bus bar electrode (about 2 mm in width) shown in an example described later, the upper limit may be set to 1/4 of this width (500 μm in the case of 2 mm width).

なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得る。   The embodiment of the present invention is not limited to the above example, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

例えば上述の説明では、表面バスバー電極５ａに対して、表面フィンガー電極５ｂの一端部が略直交して接続された例によって説明したが、直交せずに斜め方向から接続していても構わないし、さらに表面フィンガー電極５ｂの両端部が表面バスバー電極５ａに接続され、閉じた形状となっていても構わない。   For example, in the above description, one end portion of the surface finger electrode 5b is connected to the surface bus bar electrode 5a in a substantially orthogonal manner, but may be connected from an oblique direction without being orthogonal, Further, both end portions of the surface finger electrode 5b may be connected to the surface bus bar electrode 5a to have a closed shape.

さらに、上述の説明では、フィンガー電極として、太陽電池素子の受光面側に設けられた表面フィンガー電極５ｂとして説明したが、これに限るものではなく、本発明でいうフィンガー電極とは、インナーリードと接続されるバスバー電極に接続された集電用の電極を指し、非受光面側に設けられていても良い。また、フィンガー電極の本数や形状についても、上述の説明に制限されるものではない。図１１に受光面側に設けたフィンガー電極とバスバー電極の一例を示す。例えば、図１１（ａ）に示すように二本のバスバー電極に接続されたフィンガー電極の長さは、バスバー電極よりも短くても構わないし、図１１（ｂ）に示すように複数のバスバー電極と直交する形状であっても良い。またバスバー電極に直交せず、バスバー電極と鋭角もしくは鈍角を形成して接続されても良い。また、フィンガー電極の形状は、直線状に限るものでもなく曲線状であっても良い。   Furthermore, in the above description, the finger electrode is described as the surface finger electrode 5b provided on the light receiving surface side of the solar cell element, but the present invention is not limited to this, and the finger electrode referred to in the present invention is an inner lead and It refers to a current collecting electrode connected to the bus bar electrode to be connected, and may be provided on the non-light receiving surface side. Further, the number and shape of the finger electrodes are not limited to the above description. FIG. 11 shows an example of finger electrodes and bus bar electrodes provided on the light receiving surface side. For example, as shown in FIG. 11 (a), the length of the finger electrodes connected to the two bus bar electrodes may be shorter than the bus bar electrodes, or a plurality of bus bar electrodes as shown in FIG. 11 (b). The shape may be orthogonal to the shape. Further, it may be connected to the bus bar electrode by forming an acute angle or an obtuse angle without being orthogonal to the bus bar electrode. Further, the shape of the finger electrode is not limited to a linear shape, and may be a curved shape.

また上述の説明では、ｐ型シリコン基板を用いた太陽電池について説明したが、ｎ型シリコン基板を用いた場合にも、説明中の極性を逆にすれば同様のプロセスによって本発明の効果を得ることができる。さらに上述の説明では、シングル接合の場合について説明したが、半導体多層膜からなる薄膜接合層をバルク基板使用接合素子に積層して形成した多接合型であっても、本発明を適用することができる。   In the above description, the solar cell using the p-type silicon substrate has been described. However, when the n-type silicon substrate is used, the effect of the present invention can be obtained by the same process if the polarity in the description is reversed. be able to. Further, in the above description, the case of single junction has been described, but the present invention can be applied even to a multi-junction type formed by laminating a thin film junction layer made of a semiconductor multilayer film on a junction element using a bulk substrate. it can.

そして上述の説明では、キャスティング法を用いた多結晶シリコン基板を例にとったが、基板はキャスティング法によるものに限る必要はなく、また多結晶シリコンに限る必要はない。また、半導体基板に限定されることもなく、半導体薄膜であっても良い。またシリコン材料に限定されることもなく、半導体一般に適用できる。すなわち、化合物系や有機物系の太陽電池にも適用できる。   In the above description, the polycrystalline silicon substrate using the casting method is taken as an example. However, the substrate need not be limited to the one based on the casting method, and need not be limited to polycrystalline silicon. Moreover, it is not limited to a semiconductor substrate, A semiconductor thin film may be sufficient. Further, the present invention is not limited to silicon materials and can be applied to general semiconductors. That is, the present invention can also be applied to compound-based and organic-based solar cells.

以下、本発明の実施例を説明する。   Examples of the present invention will be described below.

図３（ａ）に示すように、外形が１５ｃｍ×１５ｃｍで、抵抗１．５Ω・ｃｍの多結晶のｐ型のシリコン基板１表面のダメージ層をアルカリでエッチングして洗浄した。次に、このシリコン基板１を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）の中で加熱することによって、シリコン基板１の表面にリン原子を１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度となるように拡散させて、ｎ型拡散層１ａを形成した。その上にプラズマＣＶＤ法によって反射防止膜２となる厚み８５０Åの窒化シリコン膜を形成した。 As shown in FIG. 3A, the damage layer on the surface of the polycrystalline p-type silicon substrate 1 having an outer shape of 15 cm × 15 cm and a resistance of 1.5 Ω · cm was etched and washed with alkali. Next, the silicon substrate 1 is placed in a diffusion furnace and heated in phosphorus oxychloride (POCl 3 ), thereby bringing phosphorus atoms into the surface of the silicon substrate 1 at a concentration of 1 × 10 17 atoms / cm 3 . The n-type diffusion layer 1a was formed by diffusion. A silicon nitride film having a thickness of 850 mm to be the antireflection film 2 was formed thereon by plasma CVD.

このシリコン基板１の裏面側に裏面集電用電極４ｂを形成するために、アルミニウム粉末と有機ビヒクルとガラスフリットをアルミニウム１００重量部に対してそれぞれ２０重量部、３重量部を添加してペースト状にしたアルミニウムペーストをスクリーン印刷法によって塗布して乾燥させた。そして、裏面側に裏面バスバー電極４ａを、表面側に表面電極５（表面バスバー電極５ａ、表面フィンガー電極５ｂ）を形成するために、銀粉末と有機ビヒクルとガラスフリットを銀１００重量部に対してそれぞれ２０重量部、３重量部を添加してペースト状にした銀ペーストをスクリーン印刷法で塗布して乾燥させた。その後、７５０℃で１５分間焼き付けて、表面バスバー電極５ａ及び裏面バスバー電極４ａの幅をそれぞれ２ｍｍで、表裏面に同時に電極を形成した。   In order to form the back surface collecting electrode 4b on the back surface side of the silicon substrate 1, 20 parts by weight and 3 parts by weight of aluminum powder, an organic vehicle, and glass frit are added to 100 parts by weight of aluminum, respectively, to form a paste. The aluminum paste prepared was applied by screen printing and dried. Then, in order to form the back surface bus bar electrode 4a on the back surface side and the surface electrode 5 (surface bus bar electrode 5a, surface finger electrode 5b) on the front surface side, silver powder, organic vehicle and glass frit are added to 100 parts by weight of silver. Silver paste made into a paste form by adding 20 parts by weight and 3 parts by weight, respectively, was applied by screen printing and dried. Thereafter, baking was performed at 750 ° C. for 15 minutes, and the front bus bar electrode 5a and the back bus bar electrode 4a were each 2 mm in width, and electrodes were simultaneously formed on the front and back surfaces.

ここで、試料Ｎｏ．１として、表面バスバー電極５ａの端部に被覆体７として半田レジストを印刷して乾燥させたものに、ディップ法で電極に半田６を被覆し、本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子を形成した。また、試料Ｎｏ．２として、半田レジストの被覆体７を用いずに、同様にディップ法で電極の全面に半田６を被覆し、図７（ａ）に示した従来の形態の太陽電池素子を形成した。なお、半田はＳｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕのＰｂフリー半田を用いた。   Here, Sample No. 1, a solder resist is printed as a covering 7 on the end portion of the surface bus bar electrode 5a and dried, and the electrode is coated with the solder 6 by a dipping method, and the solar cell element according to the solar cell module of the present invention is applied. Formed. Sample No. No. 2, without using the solder resist coating 7, the entire surface of the electrode was similarly coated by the dipping method to form the conventional solar cell element shown in FIG. The solder used was Sn-3Ag-0.5Cu Pb-free solder.

また、試料Ｎｏ．３として半田レジストの被覆体７を用いずに、バスバー電極（４ａ、５ａ）の長手方向の中央部のみにディスペンサーを用いて半田ペーストを塗布し、半田６で被覆部を作製した本発明の太陽電池モジュールに係る太陽電池素子を作製した。   Sample No. 3 without using the solder resist covering 7, and applying the solder paste to the central portion of the bus bar electrodes (4 a, 5 a) only in the longitudinal direction using a dispenser, and producing the covering with the solder 6. A solar cell element according to the battery module was produced.

さらに、試料Ｎｏ．４、５として電極を半田６で被覆しない試料も作製した。   Furthermore, sample no. Samples in which the electrodes were not covered with the solder 6 as 4 and 5 were also prepared.

次に、約３０μｍの厚みを有する半田層を設けた幅１．８ｍｍ、厚さ２００μｍの銅箔製のインナーリード８を、それぞれのバスバー電極（４ａ、５ａ）の全長にわたってホットエアの熱溶着により貼り付けて、上述の太陽電池素子同士を接続配線した。このとき、試料Ｎｏ．３と４は、インナーリード８の中央部のみ熱溶着で固定するようにした。また、試料Ｎｏ．５は、インナーリード８の幅が２．２ｍｍと接続する電極の幅よりも大きいものを用い、電極とは全面を熱溶着するようにした。   Next, an inner lead 8 made of copper foil having a width of 1.8 mm and a thickness of 200 μm provided with a solder layer having a thickness of about 30 μm is bonded by hot air thermal welding over the entire length of each bus bar electrode (4a, 5a). In addition, the above-described solar cell elements were connected and wired. At this time, sample no. In 3 and 4, only the central part of the inner lead 8 was fixed by thermal welding. Sample No. No. 5 has a width of the inner lead 8 larger than the width of the electrode to be connected to 2.2 mm, and the entire surface is thermally welded to the electrode.

その後、上述のようにして太陽電池素子同士を接続配線したものを図３（ｂ）に示すように、透光性パネル９と裏面保護材１１との間に充填材１０として、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート共重合体）を用いて封入して図２に示した断面構造を有する太陽電池モジュールを形成した。   Thereafter, as shown in FIG. 3B, the solar cell elements connected and wired as described above are used as a filler 10 between EVA (ethylene vinyl) between the translucent panel 9 and the back surface protective material 11. A solar cell module having the cross-sectional structure shown in FIG. 2 was formed by encapsulating with an acetate copolymer.

これらの太陽電池素子について、４点曲げによる破壊強度試験を行い、破壊強度（Ｎ）を求めた。また、太陽電池モジュールにおいて３０００Ｎ／ｍ２の圧力をかける静荷重試験において封入した太陽電池素子のマイクロクラック発生率を調べた。マイクロクラック発生率は、倍率４０倍の双眼顕微鏡を用いて調べ、静荷重試験に用いた全ての太陽電池モジュールＹの太陽電池素子Ｘの全枚数に対するマイクロクラックが発生した太陽電池素子Ｘの枚数を割合で示したものである。 About these solar cell elements, the breaking strength test by 4-point bending was done, and breaking strength (N) was calculated | required. Moreover, the microcrack generation rate of the solar cell element enclosed in the static load test which applies the pressure of 3000 N / m < 2 > in a solar cell module was investigated. The microcrack occurrence rate is examined using a binocular microscope with a magnification of 40 times, and the number of solar cell elements X in which microcracks have occurred with respect to the total number of solar cell elements X of all solar cell modules Y used in the static load test. It is shown as a percentage.

これらの結果を表１に示す。   These results are shown in Table 1.

Figure 0005014360
Figure 0005014360

試料Ｎｏ．１は、表面バスバー電極５ａの長手方向の端部と充填材１０であるＥＶＡとの間に半田レジストの被覆体７を介在した本発明の試料となり、破壊強度は２５Ｎ、マイクロクラック発生率は０％となり、発明の効果が確認された。   Sample No. 1 is a sample of the present invention in which a solder resist coating 7 is interposed between the longitudinal end portion of the surface bus bar electrode 5a and EVA as the filler 10, and the fracture strength is 25 N and the microcrack occurrence rate is 0. %, Confirming the effect of the invention.

一方、試料Ｎｏ．２は、すべてのバスバー電極（４ａ、５ａ）の端部が半田６によって被覆された状態となり、充填材１０であるＥＶＡと直接あるいは半田レジストの被覆体７を介して接触していない本発明の範囲外の試料となった。破壊強度は１５Ｎ、マイクロクラック発生率は５０％となり、不満足な結果となった。     On the other hand, Sample No. No. 2 of the present invention is that the ends of all the bus bar electrodes (4a, 5a) are covered with the solder 6 and are not in contact with EVA as the filler 10 directly or via the solder resist covering 7. The sample was out of range. The fracture strength was 15 N and the microcrack occurrence rate was 50%, which was an unsatisfactory result.

試料Ｎｏ．３は、バスバー電極（４ａ、５ａ）の中央部にのみ半田６を被覆し、インナーリード８の中央部を溶着するようにした結果、完成した太陽電池モジュールは、電極の端部と充填材１０とが直接接触した本発明に係る形態となっている。そして、この場合、太陽電池素子の破壊強度は２３Ｎ、マイクロクラック発生率は０％であり、発明の効果が確認された。   Sample No. 3, the solder 6 is coated only on the central portion of the bus bar electrodes (4 a, 5 a), and the central portion of the inner lead 8 is welded. As a result, the completed solar cell module has an electrode end portion and a filler 10. It is the form which concerns on this invention which contacted directly. In this case, the breaking strength of the solar cell element was 23 N and the microcrack occurrence rate was 0%, confirming the effects of the invention.

また、試料Ｎｏ．４は、バスバー電極（４ａ、５ａ）に半田６を被覆しない試料であり、インナーリード８に被覆された半田を利用し、インナーリード８の中央部を溶着するようにした結果、完成した太陽電池モジュールは、電極の端部と充填材１０とが直接接触した本発明に係る形態となっている。そして、この場合、太陽電池素子の破壊強度は２４Ｎ、マイクロクラック発生率は０％であり、発明の効果が確認された。   Sample No. 4 is a sample in which the solder 6 is not coated on the bus bar electrodes (4a, 5a), and the solar cell completed as a result of welding the central portion of the inner lead 8 using the solder coated on the inner lead 8 The module has a configuration according to the present invention in which the end of the electrode and the filler 10 are in direct contact. In this case, the breaking strength of the solar cell element was 24 N, and the microcrack occurrence rate was 0%, confirming the effects of the invention.

試料Ｎｏ．５は、バスバー電極（４ａ、５ａ）に半田６を被覆しない試料であるが、バスバー電極（４ａ、５ａ）の幅よりも大きい幅２．２ｍｍのインナーリード８を用いて全面をホットエアで溶着したところ、バスバー電極（４ａ、５ａ）の端部に半田６が被覆されてしまい、電極の端部と充填材１０とが接触しない本発明の範囲外の構成となった。その結果、破壊強度は１５Ｎ、マイクロクラック発生率は４０％となり、不満足な結果であった。   Sample No. 5 is a sample in which the solder 6 is not coated on the bus bar electrodes (4a, 5a), but the entire surface was welded with hot air using an inner lead 8 having a width of 2.2 mm larger than the width of the bus bar electrodes (4a, 5a). However, the solder 6 was coated on the end portions of the bus bar electrodes (4a, 5a), and the end portions of the electrodes and the filler 10 did not come into contact with each other. As a result, the fracture strength was 15 N and the microcrack occurrence rate was 40%, which was an unsatisfactory result.

このように、本発明によって、バスバー電極（４ａ、５ａ）の端部に半田６が被覆されず、充填材１０と直接あるいは半田レジストの被覆体７を介して接触しているように構成したことによって、バスバー電極の端部と基板表面との境界線付近におけるストレスの集中を抑制でき、そのため破壊強度は高くなり、またバスバー電極下部の基板へのマイクロクラックの発生を抑制することができることを確認した。   Thus, according to the present invention, the end of the bus bar electrodes (4a, 5a) is not covered with the solder 6, and is configured to be in contact with the filler 10 directly or via the solder resist covering 7 Confirms that stress concentration near the boundary between the end of the busbar electrode and the substrate surface can be suppressed, which increases the fracture strength and suppresses the occurrence of microcracks in the substrate under the busbar electrode. did.

実施例１と全く同様にして、図３（ａ）に示す太陽電池素子を形成した。その後、表面バスバー電極５ａに対して表面フィンガー電極５ｂが接続した一端部から１ｍｍまでのフィンガー電極側の領域に半田レジストを図６（ｂ）に示すパターンで印刷塗布して熱硬化させ、被覆体１４’を形成した。その後、半田を銅箔に被覆したインナーリード８の熱溶着を行った。この際、わざとインナーリード８の位置をずらして、インナーリード８を表面バスバー電極５ａからはみ出させて、これらを半田により意図的に接続しようとしたが、半田レジストの被覆体１４’を設けた試料については、どのようにしても相互に接続されることはなかった。また、被覆体を設けない試料については、表面フィンガー電極５ｂにフラックスを塗布した場合に相互に接続された。銅箔の半田はＳｎ−３Ａｇ−０．５ＣｕのＰｂフリー半田を用いている。   The solar cell element shown in FIG. 3A was formed in exactly the same manner as in Example 1. Thereafter, a solder resist is printed and applied in a pattern shown in FIG. 6 (b) to the finger electrode side region from one end where the surface finger electrode 5b is connected to the surface bus bar electrode 5a to a thickness of 1 mm. 14 'was formed. Thereafter, the inner leads 8 in which the solder was coated on the copper foil were thermally welded. At this time, the position of the inner lead 8 was intentionally shifted to cause the inner lead 8 to protrude from the surface bus bar electrode 5a and to intentionally connect them with solder, but the sample provided with the solder resist covering 14 ' Was not connected to each other in any way. Moreover, about the sample which does not provide a coating body, when the flux was apply | coated to the surface finger electrode 5b, it connected mutually. As the solder for the copper foil, Sn-3Ag-0.5Cu Pb-free solder is used.

このようにして作製した試料について、実施例１に記載したマイクロクラック発生率により評価を実施した。結果を表２に示す。   The samples thus prepared were evaluated based on the microcrack occurrence rate described in Example 1. The results are shown in Table 2.

Figure 0005014360
Figure 0005014360

表２に示す通り、試料Ｎｏ．６、７はインナーリード８が表面バスバー電極５ａからずれていない場合であり、半田レジストの被覆体１４’の有無に関わらず、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとの間に半田による接続は発生せずクラックは発生しなかった。   As shown in Table 2, Sample No. 6 and 7 are cases in which the inner lead 8 is not displaced from the surface bus bar electrode 5a, and a solder connection occurs between the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b regardless of the presence or absence of the solder resist coating 14 '. No cracks occurred.

インナーリード８が表面フィンガー電極５ｂ側に０．３ｍｍずれた場合（試料Ｎｏ．８〜１０）は、半田レジストの被覆体１４’が設けられている場合（試料Ｎｏ．８）は、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとの間に半田による接続は発生せず、クラックは発生しなかった。半田レジストの被覆体１４’がない場合は、表面フィンガー電極５ｂにフラックスを塗布してインナーリード８との間に半田による接続を意図的に発生させた場合（試料Ｎｏ．９）はマイクロクラックの発生率が３０％となったが、フラックスを塗布しない場合（試料Ｎｏ．１０）は、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとの間に半田による接続は発生せずクラックは発生しなかった。   When the inner lead 8 is displaced by 0.3 mm toward the surface finger electrode 5b (sample No. 8 to 10), when the solder resist coating 14 'is provided (sample No. 8), the inner lead 8 There was no solder connection between the surface finger electrode 5b and the surface finger electrode 5b, and no cracks occurred. When there is no solder resist coating 14 ', when a flux is applied to the surface finger electrode 5b to intentionally generate a solder connection with the inner lead 8 (sample No. 9), microcracks The occurrence rate was 30%, but when no flux was applied (sample No. 10), no connection by solder was generated between the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b, and no crack was generated.

インナーリード８が表面フィンガー電極５ｂ側に０．３ｍｍずれた場合（試料Ｎｏ．１１〜１３）は、半田レジストの被覆体１４’が設けられている場合（試料Ｎｏ．１１）は、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとの間に半田による接続は発生せず、クラックは発生しなかった。半田レジストの被覆体１４’がない場合は、表面フィンガー電極５ｂにフラックスを塗布してインナーリード８との間に半田による接続を意図的に発生させた場合（試料Ｎｏ．１２）はマイクロクラックの発生率が５０％となったが、フラックスを塗布しない場合（試料Ｎｏ．１３）は、インナーリード８と表面フィンガー電極５ｂとの間に半田による接続は発生せずクラックは発生しなかった。   When the inner lead 8 is shifted by 0.3 mm toward the surface finger electrode 5b (sample No. 11 to 13), when the solder resist coating 14 'is provided (sample No. 11), the inner lead 8 There was no solder connection between the surface finger electrode 5b and the surface finger electrode 5b, and no cracks occurred. When there is no solder resist coating 14 ', when a flux is applied to the surface finger electrode 5b to intentionally generate a solder connection with the inner lead 8 (sample No. 12), microcracks Although the occurrence rate was 50%, when no flux was applied (sample No. 13), no connection by solder was generated between the inner lead 8 and the surface finger electrode 5b, and no crack was generated.

１：シリコン基板
１：基板
１ａ：ｎ型拡散層
２：反射防止膜
３：半導体接合部
４：裏面電極
４ａ：裏面バスバー電極
４ｂ：裏面集電用電極
５：表面電極
５ａ：表面バスバー電極
５ｂ：表面フィンガー電極
６：半田
７：被覆体（一例として、例えば半田レジスト）
８：インナーリード
９：透光性パネル
１０：充填材
１１：裏面保護材
１２：出力配線
１３：端子ボックス
１４、１４’：被覆体
２１：シリコン基板
２４：裏面電極
２４ａ：バスバー電極
２４ｂ：集電極
２４ｃ：周縁部
２５：表面電極
２５ａ：バスバー電極
２５ｂ：フィンガー電極
２５ｃ：周縁部
２６：半田
２７：被覆体
２８：充填材
Ｘ、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３：太陽電池素子
Ｙ：太陽電池モジュール 1: Silicon substrate 1: Substrate 1a: N-type diffusion layer 2: Antireflection film 3: Semiconductor junction 4: Back electrode 4a: Back bus bar electrode 4b: Back current collecting electrode 5: Front electrode 5a: Front bus bar electrode 5b: Surface finger electrode 6: Solder 7: Cover (for example, solder resist)
8: Inner lead 9: Translucent panel 10: Filler 11: Back surface protective material 12: Output wiring 13: Terminal box 14, 14 ': Cover 21: Silicon substrate 24: Back electrode 24a: Bus bar electrode 24b: Collector 24c: Peripheral part 25: Surface electrode 25a: Bus bar electrode 25b: Finger electrode 25c: Peripheral part 26: Solder 27: Covering body 28: Filler X, X1, X2, X3: Solar cell element Y: Solar cell module

Claims (16)

第１の太陽電池素子と、
該第１の太陽電池素子に隣接する第２の太陽電池素子と、
前記第１の太陽電池素子の受光面及び／又は非受光面、ならびに前記第２の太陽電池素子の非受光面及び／又は受光面に設けられ、長手方向に沿ったエッジ部を有するバスバー電極と、
該バスバー電極の前記エッジ部を被覆する被覆体と、
前記第１および前記第２の太陽電池素子の前記バスバー電極同士を電気的に接続するインナーリードと、を有する太陽電池モジュールであって、
前記バスバー電極は、
前記インナーリードが接続されている第1の領域と、
前記エッジ部を含み、前記第1の領域より前記エッジ部側に位置する第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記被覆体に直接接触している太陽電池モジュール。 A first solar cell element;
A second solar cell element adjacent to the first solar cell element;
A bus bar electrode provided on the light-receiving surface and / or the non-light-receiving surface of the first solar cell element and the non-light-receiving surface and / or the light-receiving surface of the second solar cell element and having an edge portion along the longitudinal direction; ,
A covering for covering the edge portion of the bus bar electrode;
An inner lead that electrically connects the bus bar electrodes of the first and second solar cell elements, and a solar cell module comprising:
The bus bar electrode is
A first region to which the inner lead is connected;
A second region that includes the edge portion and is located closer to the edge portion than the first region;
The second region is a solar cell module in direct contact with the covering. 前記バスバー電極と前記インナーリードとの間に介在される半田をさらに備え、
前記第２の領域は、前記半田より露出していることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。 Further comprising solder interposed between the bus bar electrode and the inner lead,
The solar cell module according to claim 1, wherein the second region is exposed from the solder. 前記バスバー電極の前記エッジ部は、前記長手方向と直交する断面において、前記エッジ部と同じ側に位置する前記インナーリードのエッジ部よりも外方に位置していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の太陽電池モジュール。   2. The edge portion of the bus bar electrode is located outward of an edge portion of the inner lead located on the same side as the edge portion in a cross section orthogonal to the longitudinal direction. Or the solar cell module of Claim 2. 前記長手方向と直交する方向の前記インナーリードの幅は、前記長手方向と直交する方向の前記バスバー電極の幅より小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の太陽電池モジュール。   4. The solar cell module according to claim 1, wherein a width of the inner lead in a direction orthogonal to the longitudinal direction is smaller than a width of the bus bar electrode in a direction orthogonal to the longitudinal direction. 前記バスバー電極に対して少なくとも一端部が接続された複数のフィンガー電極をさらに備え、これらの前記フィンガー電極と前記インナーリードとが前記半田によって接続されないことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の太陽電池モジュール。   5. The device according to claim 2, further comprising a plurality of finger electrodes having at least one end connected to the bus bar electrode, wherein the finger electrodes and the inner lead are not connected by the solder. The solar cell module according to. 前記被覆体は、半田レジストであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の太陽電池モジュール。   The solar cell module according to claim 1, wherein the covering is a solder resist. 前記半田レジストは、有機硬化樹脂からなることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池モジュール。   The solar cell module according to claim 6, wherein the solder resist is made of an organic cured resin. 前記バスバー電極は、銀を主成分とすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の太陽電池モジュール。   The solar cell module according to claim 1, wherein the bus bar electrode contains silver as a main component. 太陽電池素子と、
該太陽電池素子の受光面及び／又は非受光面に設けられ、長手方向に沿ったエッジ部を有するバスバー電極と、
該バスバー電極の前記エッジ部を被覆する被覆体と、
前記バスバー電極と電気的に接続されるインナーリードと、を有する太陽電池素子構造体であって、
前記バスバー電極は、
前記インナーリードと接続された第1の領域と、
前記エッジ部を含み、前記第1の領域より前記エッジ部側に位置する第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記被覆体に直接接触している太陽電池素子構造体。 A solar cell element;
A bus bar electrode provided on a light receiving surface and / or a non-light receiving surface of the solar cell element, and having an edge portion along a longitudinal direction;
A covering for covering the edge portion of the bus bar electrode;
A solar cell element structure having an inner lead electrically connected to the bus bar electrode,
The bus bar electrode is
A first region connected to the inner lead;
A second region that includes the edge portion and is located closer to the edge portion than the first region;
The second region is a solar cell element structure in direct contact with the covering. 前記バスバー電極と前記インナーリードとの間に介在される半田をさらに備え、前記第２の領域は、前記半田より露出していることを特徴とする請求項９に記載の太陽電池素子構造体。   The solar cell element structure according to claim 9, further comprising solder interposed between the bus bar electrode and the inner lead, wherein the second region is exposed from the solder. 前記バスバー電極の前記エッジ部は、前記長手方向と直交する断面において、前記エッジ部と同じ側に位置する前記インナーリードのエッジ部よりも外方に位置していることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の太陽電池素子構造体。   10. The edge portion of the bus bar electrode is located outward from an edge portion of the inner lead located on the same side as the edge portion in a cross section orthogonal to the longitudinal direction. Or the solar cell element structure of Claim 10. 前記長手方向と直交する方向の前記インナーリードの幅は、前記長手方向と直交する方向の前記バスバー電極の幅より小さいことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の太陽電池素子構造体。   12. The solar cell element structure according to claim 9, wherein a width of the inner lead in a direction orthogonal to the longitudinal direction is smaller than a width of the bus bar electrode in a direction orthogonal to the longitudinal direction. body. 前記バスバー電極に対して少なくとも一端部が接続された複数のフィンガー電極をさらに備え、これらの前記フィンガー電極と前記インナーリードとが前記半田によって接続されないことを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の太陽電池素子構造体。   13. The device according to claim 10, further comprising a plurality of finger electrodes having at least one end connected to the bus bar electrode, wherein the finger electrodes and the inner leads are not connected by the solder. The solar cell element structure according to 1. 前記被覆体は、半田レジストであることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載の太陽電池モジュール。   The solar cell module according to claim 9, wherein the covering is a solder resist. 前記半田レジストは、有機硬化樹脂からなることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池モジュール。   The solar cell module according to claim 14, wherein the solder resist is made of an organic cured resin. 前記バスバー電極は、銀を主成分とすることを特徴とする請求項９乃至１５のいずれかに記載の太陽電池素子構造体。   16. The solar cell element structure according to claim 9, wherein the bus bar electrode contains silver as a main component.
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