JP5012873B2 - Image processing device - Google Patents

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Description

本発明は、画像データを補正する画像処理装置に関する。   The present invention relates to an image processing apparatus that corrects image data.

近年、医療分野、農業分野等の幅広い分野で生物の遺伝子情報が利用されるようになってきているが、遺伝子の利用に際しては、DNAの塩基配列の特定が不可欠である。DNAは螺旋状によじれあった2本のポリヌクレオチド鎖を有し、それぞれのポリヌクレオチド鎖は4種の塩基(アデニン:A、グアニン:G、シトシン:C、チミン:T)が一次元的に並んだ塩基配列を有し、アデニンとチミン、グアニンとシトシンという相補性に基づいて一方のポリヌクレオチド鎖の塩基が他方のポリヌクレオチド鎖の塩基に結合している。   In recent years, genetic information of organisms has been used in a wide range of fields such as the medical field and the agricultural field. However, it is indispensable to specify the base sequence of DNA when using genes. DNA has two polynucleotide strands that are twisted in a spiral shape, and each polynucleotide strand is one-dimensionally composed of four types of bases (adenine: A, guanine: G, cytosine: C, thymine: T). Based on the complementarity of adenine and thymine and guanine and cytosine, the bases of one polynucleotide chain are bonded to the bases of the other polynucleotide chain.

DNAの塩基配列を特定するために使用するデバイスとして、DNAマイクロアレイが開発されている。DNAマイクロアレイとは、既知の塩基配列を有した複数種類のDNAプローブをスライドガラス等の固体担体に整列固定させたものである。   A DNA microarray has been developed as a device used for specifying the base sequence of DNA. A DNA microarray is obtained by aligning and fixing a plurality of types of DNA probes having a known base sequence on a solid support such as a slide glass.

DNAマイクロアレイを用いる場合には、サンプルを一本鎖DNAに変性し、そのサンプルに蛍光物質を結合させる。次に、サンプルをDNAマイクロアレイ上に添加すると、サンプルがハイブリダイゼーションによってDNAマイクロアレイ上に固定される。ここで、サンプルのDNAは、相補的なDNAのプローブとは結合し、相補的でないDNAのプローブとは結合しない。サンプルには蛍光物質が結合されているから、DNAマイクロアレイに紫外線が照射されると、サンプルと結合したプローブは蛍光を発するが、サンプルと結合していないプローブは蛍光を発しない。そのため、蛍光を発したプローブを特定することにより、サンプルの塩基配列を特定することができる。即ち、サンプルの塩基配列は、蛍光を発したプローブと相補的な塩基配列である。   When using a DNA microarray, the sample is denatured into single-stranded DNA, and a fluorescent substance is bound to the sample. Next, when the sample is added onto the DNA microarray, the sample is immobilized on the DNA microarray by hybridization. Here, the sample DNA binds to a complementary DNA probe and does not bind to a non-complementary DNA probe. Since a fluorescent substance is bound to the sample, when the DNA microarray is irradiated with ultraviolet rays, the probe bound to the sample emits fluorescence, but the probe not bound to the sample does not emit fluorescence. Therefore, the base sequence of the sample can be specified by specifying the fluorescent probe. That is, the sample base sequence is a base sequence complementary to the fluorescent probe.

蛍光を読み取るダイオードからの信号に応じた走査結果をマイクロプロセッサーがテレビに表示している(例えば、特許文献1参照。)。   A microprocessor displays a scanning result corresponding to a signal from a diode that reads fluorescence (for example, see Patent Document 1).

特開平6−207905号公報JP-A-6-207905

しかしながら、画像入力装置に欠陥があった場合又は画像の明暗のコントラストが低い場合、画像中のどの部分が明るいかを特定することが難しい。そのため、DNAの塩基配列を誤って特定してしまうことがある。   However, if there is a defect in the image input device or if the contrast of the image is low, it is difficult to specify which part of the image is bright. Therefore, the base sequence of DNA may be specified incorrectly.

そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、正確な画像処理を行うことを目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to perform accurate image processing.

請求項に記載の発明の画像処理装置は、撮像素子により撮像された画像データであって前記撮像素子の各画素の階調データからなる画像データを入力する画像データ入力手段と、前記画像データ入力手段により入力した画像データについて、行ごとに全画素が階調データを検出閾値以上としたものであるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により全画素が階調データを検出閾値以上としたものであると判定された行について、その行の周囲の画素の階調データの平均値に対するその行の画素の階調データの平均値の比率を算出する算出手段と、前記判定手段により全画素が階調データを検出閾値以上としたものであると判定された行の各画素について、階調データを前記算出手段で算出した比率で除算した値に書き換える書換手段と、を有することを特徴とする。 The image processing apparatus according to claim 1 is an image data input means for inputting image data captured by an image sensor and composed of gradation data of each pixel of the image sensor; and the image data With respect to the image data input by the input means, determination means for determining whether or not all pixels have gradation data equal to or higher than a detection threshold for each row, and detection threshold for all pixels by the determination means Calculating means for calculating a ratio of the average value of the gradation data of the pixels in the row to the average value of the gradation data of the pixels around the row for the line determined to be as described above; and the determination means Rewriting means for rewriting the gradation data to a value obtained by dividing the gradation data by the ratio calculated by the calculation means for each pixel in the row where it is determined that all pixels have gradation data equal to or greater than the detection threshold. , Characterized by having a.

請求項に記載の画像処理装置を用いる際には、例えば撮像素子でスポットの撮像を行えば、スポットに対応するブロック内で画像が明るければ、サンプルがそのスポットの配列と特異的であり、スポットに対応するブロック内で画像が暗ければ、サンプルがそのスポットの配列と特異的でないと特定することができる。 When using the image processing apparatus according to claim 1, by performing the imaging of the spot in the image pickup device if example embodiment, if the image is brighter in the block corresponding to the spot, the sample is arranged specifically for the spot If the image is dark within the block corresponding to the spot, it can be determined that the sample is not specific to the spot array.

ところで、各行に設けられた撮像素子を動作するドライバ等の不良によって画像データに線欠陥を生じた際に、特に、線状の画素の階調データの階調値が高くなってしまう場合、スポットから蛍光を発していないにもかかわらず、その行の全画素の階調データが検出閾値以上となってしまい、サンプルの配列がそのスポットの配列と特異的であると誤認識されることがある。   By the way, when a line defect occurs in image data due to a defect such as a driver that operates an image sensor provided in each row, particularly when the gradation value of gradation data of a linear pixel becomes high, the spot Despite not emitting fluorescence, the grayscale data of all pixels in the row may exceed the detection threshold, and the sample arrangement may be misrecognized as being specific to the spot arrangement. .

そこで、スポットの周囲のブロックと重なる行の画素の階調データが検出閾値以上であるか否かを判定することにより、その行の階調データが正常でないか否かを判定している。そして、その行の階調データが正常でない場合には、任意の行周囲の画素の階調データの階調値の平均に対する任意の行の画素の階調データの階調値の平均値の比率を算出し、この比率で除算した値に書き換えている。そのため、スポットから蛍光を発していないにもかかわらずその行の画素の階調データが検出閾値以上となっていても、補正により検出閾値未満となる。従って、スポットから蛍光を発していないにもかかわらず、サンプルの配列がそのスポットの配列と特異的であると誤認識されることを防止することができる。   Therefore, it is determined whether or not the gradation data of the row is not normal by determining whether or not the gradation data of the pixel in the row overlapping the block around the spot is equal to or greater than the detection threshold. If the gradation data of the row is not normal, the ratio of the average value of the gradation data of the pixels of the arbitrary row to the average gradation value of the gradation data of the pixels around the arbitrary row Is calculated and rewritten to the value divided by this ratio. For this reason, even if the gradation data of the pixel in the row is equal to or higher than the detection threshold even though no fluorescence is emitted from the spot, it is less than the detection threshold due to the correction. Therefore, it is possible to prevent the sample arrangement from being erroneously recognized as being specific to the spot arrangement even though the spot does not emit fluorescence.

本発明によれば、正確な画像処理を行うことができる。   According to the present invention, accurate image processing can be performed.

本発明の実施の形態における配列特定支援装置1のブロック図である。It is a block diagram of the arrangement | sequence identification assistance apparatus 1 in embodiment of this invention. 駆動回路付撮像デバイス9の回路図である。It is a circuit diagram of image pick-up device 9 with a drive circuit. 駆動回路付撮像デバイス9の1つの画素の平面図である。It is a top view of one pixel of imaging device 9 with a drive circuit. 図3の面IV−IVに沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along a plane IV-IV in FIG. 3. ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面をダブルゲートトランジスタ20ごとに区切って示した平面図である。4 is a plan view showing a light receiving surface of a double gate transistor array 2 divided into double gate transistors 20. FIG. 駆動回路3によってダブルゲートトランジスタアレイ2に出力される電気信号のレベルの推移を示したタイミングチャートである。4 is a timing chart showing the transition of the level of an electric signal output to the double gate transistor array 2 by the drive circuit 3; 駆動回路付撮像デバイス9をセッティングした場合の形態を示した側面図である。It is the side view which showed the form at the time of setting the imaging device 9 with a drive circuit. 第1の実施の形態におけるコントローラ5の処理のフローチャートである。It is a flowchart of the process of the controller 5 in 1st Embodiment. 第1の実施の形態においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示した図面である。4 is a diagram schematically showing image data stored in a data storage unit 54 in the first embodiment. 第2の実施の形態におけるコントローラ5の処理のフローチャートである。It is a flowchart of the process of the controller 5 in 2nd Embodiment. 第2の実施の形態においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示した図面である。It is drawing which showed typically the image data stored in the data storage part 54 in 2nd Embodiment. 第3の実施の形態におけるコントローラ5の処理のフローチャートである。It is a flowchart of the process of the controller 5 in 3rd Embodiment. 第3の実施の形態においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示した図面である。It is drawing which showed typically the image data stored in the data storage part 54 in 3rd Embodiment. 第4の実施の形態においてダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面をダブルゲートトランジスタ20ごとに区切って示した平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a light receiving surface of a double gate transistor array 2 divided into double gate transistors 20 in the fourth embodiment. 第4の実施の形態におけるコントローラ5の処理のフローチャートである。It is a flowchart of the process of the controller 5 in 4th Embodiment. 第4の実施の形態においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示した図面である。It is drawing which showed typically the image data stored in the data storage part 54 in 4th Embodiment.

以下に、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。   EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated using drawing. However, although various technically preferable limitations for implementing the present invention are given to the embodiments described below, the scope of the invention is not limited to the following embodiments and illustrated examples.

〔第1の実施の形態〕
図1は、第1の実施形態における配列特定支援装置1のブロック図である。この配列特定支援装置1は、撮像素子としてのダブルゲートトランジスタアレイ2と、ダブルゲートトランジスタアレイ2を駆動する駆動回路3と、ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に点在したスポット49,49,…(図5に図示)と、ダブルゲートトランジスタアレイ2に向けて紫外線等の励起光を照射する励起光照射装置4と、ダブルゲートトランジスタアレイ2により撮像された画像データの補正処理を行う画像データ処理装置であり、配列特定支援装置1全体の制御を司るコントローラ5と、コントローラ5から出力された信号により出力(表示又はプリント)を行う出力装置6と、を備え、特に画素の点欠陥を補正する装置である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram of an arrangement specifying support apparatus 1 according to the first embodiment. This arrangement specifying support apparatus 1 includes a double gate transistor array 2 as an image sensor, a drive circuit 3 for driving the double gate transistor array 2, spots 49, 49,... Scattered on the light receiving surface of the double gate transistor array 2. (Shown in FIG. 5), excitation light irradiation device 4 for irradiating double gate transistor array 2 with excitation light such as ultraviolet rays, and image data processing for correcting image data captured by double gate transistor array 2 The apparatus includes a controller 5 that controls the entire array identification support device 1 and an output device 6 that outputs (displays or prints) the signal output from the controller 5, and particularly corrects a point defect of a pixel. Device.

図2を用いてダブルゲートトランジスタアレイ2について説明する。図2は、ダブルゲートトランジスタアレイ2の等価回路を駆動回路3とともに示した回路図である。   The double gate transistor array 2 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the double gate transistor array 2 together with the drive circuit 3.

図2に示すように、ダブルゲートトランジスタアレイ2は、画素としての光電変換素子であるダブルゲートトランジスタ20,20,…を透明基板35上にマトリクス状に配列したものである。   As shown in FIG. 2, the double gate transistor array 2 has double gate transistors 20, 20,... That are photoelectric conversion elements as pixels arranged in a matrix on a transparent substrate 35.

透明基板35は、光を透過する性質(以下、光透過性という。)を有するとともに絶縁性を有し、石英ガラス等といったガラス基板又はポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等といったプラスチック基板である。   The transparent substrate 35 has a light transmitting property (hereinafter referred to as “light transmitting property”) and has an insulating property, and is a glass substrate such as quartz glass or a plastic substrate such as polycarbonate or polymethyl methacrylate (PMMA).

図3は、ダブルゲートトランジスタ20の電極構造を示した平面図であり、図4は、図3の面IV−IVに沿う断面図である。図3、図4に示すように、ダブルゲートトランジスタ20,20,…はそれぞれ、透明基板35上に形成されたボトムゲート電極21と、ボトムゲート電極21上に形成されたボトムゲート絶縁膜22と、ボトムゲート電極21に対向するとともにボトムゲート絶縁膜22をボトムゲート電極21と挟む真性な半導体膜23と、半導体膜23の中央部上に形成されたチャネル保護膜24と、半導体膜23の両端部上に互いに離間して形成された不純物半導体膜25,26と、不純物半導体膜25上に形成されたソース電極27と、不純物半導体膜26上に形成されたドレイン電極28と、ソース電極27及びドレイン電極28上に形成されたトップゲート絶縁膜29と、半導体膜23に対向するとともにトップゲート絶縁膜29及びチャネル保護膜24を半導体膜23と挟むトップゲート電極30と、を具備する。   FIG. 3 is a plan view showing an electrode structure of the double gate transistor 20, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a plane IV-IV in FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, each of the double gate transistors 20, 20,... Has a bottom gate electrode 21 formed on the transparent substrate 35, and a bottom gate insulating film 22 formed on the bottom gate electrode 21. An intrinsic semiconductor film 23 facing the bottom gate electrode 21 and sandwiching the bottom gate insulating film 22 between the bottom gate electrode 21, a channel protective film 24 formed on the center of the semiconductor film 23, and both ends of the semiconductor film 23 Impurity semiconductor films 25 and 26 formed on the substrate and spaced apart from each other, a source electrode 27 formed on the impurity semiconductor film 25, a drain electrode 28 formed on the impurity semiconductor film 26, a source electrode 27 and A top gate insulating film 29 formed on the drain electrode 28 and the semiconductor film 23 are opposed to the top gate insulating film 29 and the channel. A top gate electrode 30 which sandwich the Mamorumaku 24 and the semiconductor film 23 comprises a.

ボトムゲート電極21は、ダブルゲートトランジスタ20ごとに透明基板35上に形成されている。また、図2に示すように、透明基板35上には縦方向(列方向)に延在する複数本のボトムゲートライン41,41,…が形成されており、縦方向に配列された同一の列のダブルゲートトランジスタ20,20,…の何れのボトムゲート電極21も共通のボトムゲートライン41と一体となって形成されている。ボトムゲート電極21及びボトムゲートライン41は、導電性及び遮光性を有し、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。   The bottom gate electrode 21 is formed on the transparent substrate 35 for each double gate transistor 20. As shown in FIG. 2, a plurality of bottom gate lines 41, 41,... Extending in the vertical direction (column direction) are formed on the transparent substrate 35, and the same arranged in the vertical direction. The bottom gate electrodes 21 of the double gate transistors 20, 20,... In the column are formed integrally with a common bottom gate line 41. The bottom gate electrode 21 and the bottom gate line 41 have conductivity and light shielding properties, and are made of, for example, chromium, a chromium alloy, aluminum, an aluminum alloy, or an alloy thereof.

図3、図4に示すように、ボトムゲート絶縁膜22は、全てのダブルゲートトランジスタ20,20,…に共通して形成されており、ダブルゲートトランジスタ20,20,…のボトムゲート電極21及びボトムゲートライン41,41,…をまとめて被覆している。ボトムゲート絶縁膜22は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン(SiN)又は酸化シリコン(SiO2)からなる。 As shown in FIGS. 3 and 4, the bottom gate insulating film 22 is formed in common to all the double gate transistors 20, 20,..., And the bottom gate electrode 21 of the double gate transistors 20, 20,. The bottom gate lines 41, 41, ... are covered together. The bottom gate insulating film 22 has insulating properties and light transmissive properties, and is made of, for example, silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO 2 ).

ボトムゲート絶縁膜22上には、半導体膜23がダブルゲートトランジスタ20ごとに形成されている。半導体膜23は、平面視して略矩形状を呈しており、受光した光量に応じた量の電子−正孔対を生成するアモルファスシリコン又はポリシリコンで形成された層である。半導体膜23上には、チャネル保護膜24が形成されている。チャネル保護膜24は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。チャネル保護膜24は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜23の界面を保護するものである。半導体膜23に光が入射すると、入射した光量に従った量の電子−正孔対がチャネル保護膜24と半導体膜23との界面付近を中心に発生するようになっている。この場合、半導体膜23側にはキャリアとして正孔が発生し、チャネル保護膜24側には電子が発生する。   On the bottom gate insulating film 22, a semiconductor film 23 is formed for each double gate transistor 20. The semiconductor film 23 has a substantially rectangular shape in plan view, and is a layer formed of amorphous silicon or polysilicon that generates electron-hole pairs in an amount corresponding to the amount of received light. A channel protective film 24 is formed on the semiconductor film 23. The channel protective film 24 has insulating properties and light transmissive properties, and is made of, for example, silicon nitride or silicon oxide. The channel protective film 24 protects the interface of the semiconductor film 23 from an etchant used for patterning. When light enters the semiconductor film 23, an amount of electron-hole pairs according to the amount of incident light is generated around the interface between the channel protective film 24 and the semiconductor film 23. In this case, holes are generated as carriers on the semiconductor film 23 side, and electrons are generated on the channel protective film 24 side.

半導体膜23の一端部上には、不純物半導体膜25が一部チャネル保護膜24に重なるようにして形成されており、半導体膜23の他端部上には、不純物半導体膜26が一部チャネル保護膜24に重なるようにして形成されている。不純物半導体膜25,26は、ダブルゲートトランジスタ20ごとにパターニングされている。不純物半導体膜25,26は、n型の不純物イオンを含むアモルファスシリコン(n+シリコン)からなる。 An impurity semiconductor film 25 is formed so as to partially overlap the channel protective film 24 on one end portion of the semiconductor film 23, and an impurity semiconductor film 26 is partially channeled on the other end portion of the semiconductor film 23. It is formed so as to overlap the protective film 24. The impurity semiconductor films 25 and 26 are patterned for each double gate transistor 20. The impurity semiconductor films 25 and 26 are made of amorphous silicon (n + silicon) containing n-type impurity ions.

不純物半導体膜25上には、ダブルゲートトランジスタ20ごとにパターニングされたソース電極27が形成されている。不純物半導体膜26上には、ダブルゲートトランジスタ20ごとにパターニングされたドレイン電極28が形成されている。また、図2に示すように、横方向(行方向)に延在する複数本のソースライン42,42,…及びドレインライン43,43,…がボトムゲート絶縁膜22上に形成されている。横方向に配列された同一の行のダブルゲートトランジスタ20,20,…の何れのソース電極27も共通のソースライン42と一体に形成されており、横方向に配列された同一の行のダブルゲートトランジスタ20,20,…の何れのドレイン電極28も共通のドレインライン43と一体に形成されている。ソース電極27、ドレイン電極28、ソースライン42及びドレインライン43は、導電性及び遮光性を有しており、例えばクロム、クロム合金、アルミ若しくはアルミ合金又はこれらの合金からなる。   A source electrode 27 patterned for each double gate transistor 20 is formed on the impurity semiconductor film 25. A drain electrode 28 patterned for each double gate transistor 20 is formed on the impurity semiconductor film 26. 2, a plurality of source lines 42, 42,... And drain lines 43, 43,... Extending in the horizontal direction (row direction) are formed on the bottom gate insulating film 22. The source electrodes 27 of the double gate transistors 20, 20,... In the same row arranged in the horizontal direction are integrally formed with the common source line 42, and the double gates in the same row arranged in the horizontal direction. The drain electrodes 28 of the transistors 20, 20,... Are integrally formed with a common drain line 43. The source electrode 27, the drain electrode 28, the source line 42, and the drain line 43 have conductivity and light shielding properties, and are made of, for example, chromium, a chromium alloy, aluminum, an aluminum alloy, or an alloy thereof.

図3、図4に示すように、トップゲート絶縁膜29は、全てのダブルゲートトランジスタ20,20,…に共通して形成されており、ダブルゲートトランジスタ20,20,…のチャネル保護膜24、ソース電極27及びドレイン電極28並びにソースライン42,42,…及びドレインライン43,43,…をまとめて被覆している。トップゲート絶縁膜29は、絶縁性及び光透過性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。   3 and 4, the top gate insulating film 29 is formed in common to all the double gate transistors 20, 20,..., And the channel protective film 24 of the double gate transistors 20, 20,. The source electrode 27, the drain electrode 28, the source lines 42, 42,... And the drain lines 43, 43,. The top gate insulating film 29 has insulating properties and light transmissive properties, and is made of, for example, silicon nitride or silicon oxide.

トップゲート絶縁膜29上には、ダブルゲートトランジスタ20ごとにパターニングされたトップゲート電極30が形成されている。また、図1に示すように、トップゲート絶縁膜29上には縦方向に延在する複数本のトップゲートライン44,44,…が形成されており、縦方向に配列された同一の列のダブルゲートトランジスタ20,20,…の何れのトップゲート電極30も共通のトップゲートライン44と一体に形成されている。トップゲート電極30及びトップゲートライン44は、導電性及び光透過性を有し、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも一つを含む混合物(例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム)で形成されている。   A top gate electrode 30 patterned for each double gate transistor 20 is formed on the top gate insulating film 29. As shown in FIG. 1, a plurality of top gate lines 44, 44,... Extending in the vertical direction are formed on the top gate insulating film 29, and the same columns arranged in the vertical direction are arranged. The top gate electrode 30 of each of the double gate transistors 20, 20,... Is formed integrally with a common top gate line 44. The top gate electrode 30 and the top gate line 44 are conductive and light transmissive, for example, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, or a mixture containing at least one of them (for example, tin-doped indium oxide ( ITO) and zinc-doped indium oxide).

図3、図4に示すように、保護絶縁層31は、ダブルゲートトランジスタ20,20,…のトップゲート電極30及びトップゲートライン44,44,…をまとめて被覆している。保護絶縁層31は、絶縁性及び光透過性を有し、窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the protective insulating layer 31 collectively covers the top gate electrode 30 and the top gate lines 44, 44,... Of the double gate transistors 20, 20,. The protective insulating layer 31 has insulating properties and light transmittance, and is made of silicon nitride or silicon oxide.

以上のように構成されたダブルゲートトランジスタアレイ2は、保護絶縁層31の表面を受光面としており、それぞれのダブルゲートトランジスタ20は半導体膜23において受光した光量を電気信号に変換するように設けられている。ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面上には励起光遮蔽層34、導電体層32及びオーバーコート層33がこの順に積層され、オーバーコート層33上に複数の一本鎖DNAからなるプローブ48が担持されている。   The double gate transistor array 2 configured as described above has the surface of the protective insulating layer 31 as a light receiving surface, and each double gate transistor 20 is provided so as to convert the amount of light received by the semiconductor film 23 into an electrical signal. ing. On the light receiving surface of the double gate transistor array 2, an excitation light shielding layer 34, a conductor layer 32 and an overcoat layer 33 are laminated in this order, and a probe 48 made of a plurality of single-stranded DNAs is carried on the overcoat layer 33. Has been.

保護絶縁層31上に形成された励起光遮蔽層34はTiO2からなり、励起光を遮蔽する性質を有し、可視光を透過する性質を有する。 The excitation light shielding layer 34 formed on the protective insulating layer 31 is made of TiO 2 and has a property of shielding excitation light and a property of transmitting visible light.

励起光遮蔽層34上に形成された導電体層32は、導電性及び光透過性を有し、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛若しくは酸化スズ又はこれらのうちの少なくとも1つを含む混合物で形成されている。   The conductor layer 32 formed on the excitation light shielding layer 34 has conductivity and light transmittance, and is formed of, for example, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, or a mixture containing at least one of these. ing.

導電体層32上には、光透過性を有したオーバーコート層33が形成されている。このオーバーコート層33は、導電体層32を保護したり、DNA又はタンパク質のプローブ48をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に固定したりするものである。   On the conductor layer 32, an overcoat layer 33 having optical transparency is formed. The overcoat layer 33 protects the conductor layer 32 and fixes the DNA or protein probe 48 to the light receiving surface of the double gate transistor array 2.

以上のダブルゲートトランジスタアレイ2において、図5に示すようにダブルゲートトランジスタ20,20,…が縦m個×横n個のマトリクス状に配列されているが、縦にi個ごと且つ横にj個ごとに組分けされている。ここで、(i×j)個のダブルゲートトランジスタ20,20,…からなる組をブロックといい、m/iの整数部分をp、n/jの整数部分をqとすると、ダブルゲートトランジスタ20,20,…は(p×q)組のブロックに分けられている。図5ではわかりやすくするようにm=n=8とし、i=j=4とし、ダブルゲートトランジスタ20,20,…が4ブロックに分けられているが、m≧i≧2であり、m≧j≧2であり、1ブロック以上に分けられていれば良い。   In the double gate transistor array 2 described above, as shown in FIG. 5, the double gate transistors 20, 20,... Are arranged in a matrix of m vertical × n horizontal, but every i and vertically j It is grouped by piece. Here, a set of (i × j) double gate transistors 20, 20,... Is referred to as a block, and an integer part of m / i is p and an integer part of n / j is q. , 20,... Are divided into (p × q) sets of blocks. In FIG. 5, m = n = 8, i = j = 4, and the double gate transistors 20, 20,... Are divided into 4 blocks, but m ≧ i ≧ 2, and m ≧ i. It is sufficient that j ≧ 2 and it is divided into one block or more.

また、図5に示すように、ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面上には、1つのブロックにつき1つのスポット49が配置されており、合計(p×q)点のスポット49,49,…がマトリクス状に点在している。1つのスポット49はプローブ48(図4に図示。)が多数集まった群集である。プローブ48が一本鎖DNAの場合には、1つのスポット49に含まれる多数のプローブ48が互いに同じ塩基配列を有し、プローブ48がタンパク質の場合には、1つのスポット49に含まれる多数のプローブ48が互いに同じアミノ酸配列を有する。また、スポット49ごとにプローブ48の塩基配列又はアミノ酸配列が異なる配列となっている。何れのスポット49も、塩基配列又はアミノ酸配列が既知のものである。   Further, as shown in FIG. 5, one spot 49 is arranged for one block on the light receiving surface of the double gate transistor array 2, and a total of (p × q) spots 49, 49,... It is scattered in a matrix. One spot 49 is a crowd of many probes 48 (shown in FIG. 4). When the probe 48 is single-stranded DNA, a large number of probes 48 included in one spot 49 have the same base sequence, and when the probe 48 is a protein, a large number of probes 48 included in one spot 49 Probes 48 have the same amino acid sequence. In addition, the probe 48 has a different base sequence or amino acid sequence for each spot 49. Each spot 49 has a known base sequence or amino acid sequence.

スポット49,49,…をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に固定する方法としては、予め調製したプローブを、ポリ陽イオン(ポリ−L−リシン、ポリエチレンイミン等)で表面処理した導電体層32に分注装置を用いて点着して、DNAの荷電を利用してダブルゲートトランジスタアレイ2の表面に静電結合させる方法が適用され、ポリ陽イオンがオーバーコート層33になる。   As a method of fixing the spots 49, 49,... To the light receiving surface of the double gate transistor array 2, a conductor layer 32 obtained by surface-treating a probe prepared in advance with polycation (poly-L-lysine, polyethyleneimine, etc.). In this case, a method is used in which the solution is spotted using a dispensing device and electrostatically coupled to the surface of the double gate transistor array 2 using the charge of DNA, and the polycation becomes the overcoat layer 33.

別の固定方法として、アミノ基、アルデヒド基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤を用いる方法も利用され、シランカップリング剤がオーバーコート層33になる。この場合には、アミノ基、アルデヒド基等は、共有結合により導電体層32に導入されるため、ポリ陽イオンによる場合と比較して安定に導電体層32に存在する。   As another fixing method, a method using a silane coupling agent having an amino group, an aldehyde group, an epoxy group or the like is also used, and the silane coupling agent becomes the overcoat layer 33. In this case, since an amino group, an aldehyde group, and the like are introduced into the conductor layer 32 by a covalent bond, they are present in the conductor layer 32 more stably than in the case of using a polycation.

更に別の固定方法として、反応活性基を導入したオリゴヌクレオチドを合成し、表面処理した導電体層32に該オリゴヌクレオチドを点着し、共有結合させる方法もある。
なお、スポット49,49,…を導電体層32に固定する際に、導電体層32に直流電圧を印加すると、プローブ48がオーバーコート層33に静電結合するので、スポット49,49,…の固定が容易になる。
As another fixing method, there is a method in which an oligonucleotide having a reactive group introduced therein is synthesized, the oligonucleotide is spotted on the surface-treated conductor layer 32 and covalently bonded.
When the spots 49, 49,... Are fixed to the conductor layer 32, when a DC voltage is applied to the conductor layer 32, the probe 48 is electrostatically coupled to the overcoat layer 33, so the spots 49, 49,. Can be easily fixed.

図2に示すように、ダブルゲートトランジスタアレイ2の周辺に駆動回路3が配置された状態で、ダブルゲートトランジスタアレイ2と駆動回路3が一体となって駆動回路付撮像デバイス9を構成している。   As shown in FIG. 2, the drive circuit 3 is arranged around the double gate transistor array 2, and the double gate transistor array 2 and the drive circuit 3 are integrated to form an image pickup device 9 with a drive circuit. .

駆動回路3は、トップゲートドライバ74と、ボトムゲートドライバ75と、ドレインドライバ76と、を備える。   The drive circuit 3 includes a top gate driver 74, a bottom gate driver 75, and a drain driver 76.

ダブルゲートトランジスタアレイ2のトップゲートライン44,44,…がトップゲートドライバ74の端子にそれぞれ接続されている。ダブルゲートトランジスタアレイ2のボトムゲートライン41,41,…がボトムゲートドライバ75の端子にそれぞれ接続されている。ダブルゲートトランジスタアレイ2のドレインライン43,43,…がドレインドライバ76の端子にそれぞれ接続されている。また、ダブルゲートトランジスタアレイ2のソースライン42,42,…が一定電圧に保持され、この例ではソースライン42,42,…が接地されている。   The top gate lines 44, 44,... Of the double gate transistor array 2 are connected to the terminals of the top gate driver 74, respectively. The bottom gate lines 41, 41,... Of the double gate transistor array 2 are connected to the terminals of the bottom gate driver 75, respectively. The drain lines 43, 43,... Of the double gate transistor array 2 are connected to the terminals of the drain driver 76, respectively. Further, the source lines 42, 42,... Of the double gate transistor array 2 are held at a constant voltage. In this example, the source lines 42, 42,.

トップゲートドライバ74は、シフトレジスタである。つまり、図6のタイミングチャートに示すように、トップゲートドライバ74は、トップゲートライン44,44,…にリセットパルスを順次出力するようになっている。リセットパルスのレベルは+5〔V〕のハイレベルである。一方、トップゲートドライバ74は、リセットパルスを出力しない時にローレベルの−20〔V〕の電位をそれぞれのトップゲートライン44に印加するようになっている。   The top gate driver 74 is a shift register. That is, as shown in the timing chart of FIG. 6, the top gate driver 74 sequentially outputs reset pulses to the top gate lines 44, 44,. The level of the reset pulse is a high level of +5 [V]. On the other hand, the top gate driver 74 applies a low level potential of −20 [V] to each top gate line 44 when no reset pulse is output.

ボトムゲートドライバ75は、シフトレジスタである。つまり、ボトムゲートライン41,41,…にリードパルスを順次出力するようになっている。リードパルスのレベルは+10〔V〕のハイレベルであり、リードパルスが出力されていない時のレベルは±0〔V〕のローレベルである。   The bottom gate driver 75 is a shift register. That is, read pulses are sequentially output to the bottom gate lines 41, 41,. The level of the read pulse is a high level of +10 [V], and the level when the read pulse is not output is a low level of ± 0 [V].

トップゲートドライバ74が任意の列のトップゲートライン44にリセットパルスを出力した後にキャリア蓄積期間を経てボトムゲートドライバ75が同じ列のボトムゲートライン41にリードパルスを出力するように、トップゲートドライバ74及びボトムゲートドライバ75は出力信号をシフトするようになっている。つまり、各列では、リードパルスが出力されるタイミングは、リセットパルスが出力されるタイミングより遅れている。また、任意の列のトップゲートライン44へのリセットパルスの入力が開始してから、同じ列のボトムゲートライン41へのリードパルスの入力が終了するまでの期間は、その列の選択期間である。リセットパルスのレベルは+5〔V〕のハイレベルであり、リセットパルスが出力されていない時のレベルは−20〔V〕のローレベルである。   The top gate driver 74 outputs a read pulse to the bottom gate line 41 of the same column after the carrier accumulation period after the top gate driver 74 outputs the reset pulse to the top gate line 44 of any column. The bottom gate driver 75 shifts the output signal. That is, in each column, the timing at which the read pulse is output is delayed from the timing at which the reset pulse is output. The period from the start of the input of the reset pulse to the top gate line 44 of any column to the end of the input of the read pulse to the bottom gate line 41 of the same column is the selection period for that column. . The level of the reset pulse is a high level of +5 [V], and the level when the reset pulse is not output is a low level of −20 [V].

ドレインドライバ76は、それぞれの列の選択期間において、リセットパルスが出力されてからリードパルスが出力されるまでの間に、全てのドレインライン43,43,…にプリチャージパルスを出力するようになっている。プリチャージパルスのレベルは+10〔V〕のハイレベルであり、プリチャージパルスが出力されていない時のレベルは±0〔V〕のローレベルである。また、ドレインドライバ76は、プリチャージパルスの出力後に各ドレインライン43,43,…にそれぞれ接続された所定列のダブルゲートトランジスタ20,20,…に入射される光量に応じて変位するドレインライン43,43,…の電圧を取り込んで増幅し、ドレインライン43,43,…の増幅電圧を順次シリアル式でコントローラ5に出力するようになっている。   The drain driver 76 outputs a precharge pulse to all the drain lines 43, 43,... Between the reset pulse output and the read pulse output in the selection period of each column. ing. The level of the precharge pulse is a high level of +10 [V], and the level when the precharge pulse is not output is a low level of ± 0 [V]. The drain driver 76 is displaced according to the amount of light incident on the double gate transistors 20, 20,... In a predetermined column connected to the drain lines 43, 43,. , 43,... Are taken in and amplified, and the amplified voltages of the drain lines 43, 43,.

図7に示すように、ダブルゲートトランジスタアレイ2と駆動回路3とからなる駆動回路付撮像デバイス9は、励起光照射装置4の照射範囲内に装着されている。また、駆動回路付撮像デバイス9はその励起光照射装置4の照射範囲に対して着脱可能に設けられている。駆動回路付撮像デバイス9は消耗品であり、一度特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定を行った使用済みの駆動回路付撮像デバイス9を新たな駆動回路付撮像デバイス9に交換して用いられる。励起光照射装置4の照射範囲内に駆動回路付撮像デバイス9が装着された場合、ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面が励起光照射装置4に対して相対し、更に、駆動回路3がコントローラ5に接続される。   As shown in FIG. 7, the imaging device with drive circuit 9 including the double gate transistor array 2 and the drive circuit 3 is mounted within the irradiation range of the excitation light irradiation device 4. Further, the image pickup device with drive circuit 9 is detachably attached to the irradiation range of the excitation light irradiation device 4. The imaging device 9 with a drive circuit is a consumable item, and the used imaging device 9 with a drive circuit once subjected to the determination of the base sequence of a specific DNA or the determination of the amino acid sequence of a specific protein is used as a new imaging device 9 with a drive circuit. Used interchangeably. When the imaging device 9 with a drive circuit is mounted within the irradiation range of the excitation light irradiation device 4, the light receiving surface of the double gate transistor array 2 is opposed to the excitation light irradiation device 4, and the drive circuit 3 is further connected to the controller 5. Connected to.

コントローラ5について説明する。
図1に示すように、コントローラ5は、CPU51と、CPU51の作業領域を提供するRAM52と、CPU51にとって読取可能なプログラム53aを記憶したROM53と、ハードディスク等のデータ記憶部54と、励起光照射装置4に接続されたI/F(インターフェース)55と、駆動回路3に接続されたA/Dコンバータ56と、駆動回路3及びA/Dコンバータ56に接続されたタイミング制御部57と、ダブルゲートトランジスタアレイ2から取り込まれた画像データに基づいてDNAの塩基配列の同定結果又はタンパク質のアミノ酸配列の結果を出力装置6に出力する信号処理回路58と、これらの間の信号を入出力可能に接続したバス59と、を備える。
The controller 5 will be described.
As shown in FIG. 1, the controller 5 includes a CPU 51, a RAM 52 that provides a work area for the CPU 51, a ROM 53 that stores a program 53 a that can be read by the CPU 51, a data storage unit 54 such as a hard disk, and an excitation light irradiation device. 4, an I / F (interface) 55 connected to 4, an A / D converter 56 connected to the drive circuit 3, a timing control unit 57 connected to the drive circuit 3 and the A / D converter 56, and a double gate transistor A signal processing circuit 58 that outputs the identification result of the DNA base sequence or the amino acid sequence result of the protein to the output device 6 based on the image data taken in from the array 2 and a signal between them are connected so as to be able to input and output. And a bus 59.

I/F55は、励起光照射装置4に作動信号を出力するものである。   The I / F 55 outputs an operation signal to the excitation light irradiation device 4.

タイミング制御部57は、トップゲートドライバ74、ボトムゲートドライバ75及びドレインドライバ76のそれぞれの動作タイミングを制御する回路である。   The timing control unit 57 is a circuit that controls the operation timing of each of the top gate driver 74, the bottom gate driver 75, and the drain driver 76.

A/Dコンバータ56は、ダブルゲートトランジスタ20,20,…に入射される光量に応じて変位されてドレインドライバ76からシリアル式で順次入力される増幅電圧からなる蛍光データを8bitの階調データに変換する回路である。8bitのデジタル階調値は、大きいほど高い輝度の蛍光を受光したことを示す。   The A / D converter 56 is displaced according to the amount of light incident on the double gate transistors 20, 20,..., And converts the fluorescence data including the amplified voltage sequentially input serially from the drain driver 76 into 8-bit gradation data. It is a circuit to convert. The larger the 8-bit digital gradation value, the higher the fluorescence received.

データ記憶部54は、プローブ48の既知の塩基配列情報とそのプローブ48が配されたスポット49の位置情報或いはそのスポット49に対応するダブルゲートトランジスタ20の位置情報やその他の情報が記憶可能である。   The data storage unit 54 can store the known base sequence information of the probe 48, the position information of the spot 49 where the probe 48 is arranged, the position information of the double gate transistor 20 corresponding to the spot 49, and other information. .

信号処理回路58は、出力装置6が特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定を行ったに関する結果を出力するに適した信号を生成して出力装置6に対して出力する回路である。出力装置6が表示装置の場合には、結果情報データをRGB信号として出力装置6に出力し、出力装置6がプリンタの場合には、信号処理回路58は結果情報データをYMCK信号として出力装置6に出力し、出力装置6が単色画像(例えば、グレースケールの画像)を出力するモノクロプリンタやモノクロ表示装置である場合には、信号処理回路58は結果情報データを階調信号として出力装置6に出力する。   The signal processing circuit 58 generates a signal suitable for outputting a result relating to the determination of the base sequence of a specific DNA or the determination of the amino acid sequence of a specific protein by the output device 6 and outputs the signal to the output device 6 It is. When the output device 6 is a display device, the result information data is output to the output device 6 as an RGB signal. When the output device 6 is a printer, the signal processing circuit 58 outputs the result information data as a YMCK signal. When the output device 6 is a monochrome printer or monochrome display device that outputs a single color image (for example, a gray scale image), the signal processing circuit 58 outputs the result information data to the output device 6 as a gradation signal. Output.

コントローラ5は、RAM52を作業領域としてCPU51でROM53のプログラム53aに従った演算処理を行うように設けられている。コントローラ5は、プログラム53aに従ったCPU51の演算処理により以下の各手段として機能する。   The controller 5 is provided so that the CPU 51 performs arithmetic processing according to the program 53a of the ROM 53 using the RAM 52 as a work area. The controller 5 functions as the following means by the arithmetic processing of the CPU 51 according to the program 53a.

即ち、コントローラ5は、I/F55をもって励起光照射装置4に発光を行わせる励起光照射制御手段として機能する。   That is, the controller 5 functions as excitation light irradiation control means for causing the excitation light irradiation device 4 to emit light with the I / F 55.

また、コントローラ5は、タイミング制御部57をもって駆動回路3(トップゲートドライバ74、ボトムゲートドライバ75及びドレインドライバ76)及びA/Dコンバータ56を作動させることにより、ダブルゲートトランジスタアレイ2で撮像された画像データであって各ダブルゲートトランジスタ20,20,…の階調データからなる画像データ(特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定に関する画像データ)を入力する画像データ入力手段として機能する。ここで、駆動回路3の動作によりダブルゲートトランジスタアレイ2が駆動され、各ダブルゲートトランジスタ20,20,…で受光した光量に応じた増幅電圧からなる蛍光データがドレインドライバ76を介してA/Dコンバータ56に順次出力される。各ダブルゲートトランジスタ20,20,…の増幅電圧は、A/Dコンバータ56により画素の8bit階調データに順次変換される。以上により、コントローラ5は、ダブルゲートトランジスタアレイ2で撮像された画像データを入力するように設けられている。   Further, the controller 5 operates the drive circuit 3 (top gate driver 74, bottom gate driver 75 and drain driver 76) and the A / D converter 56 with the timing control unit 57, so that the image is captured by the double gate transistor array 2. As image data input means for inputting image data consisting of gradation data of each of the double gate transistors 20, 20,... (Image data relating to the determination of the base sequence of a specific DNA or the determination of the amino acid sequence of a specific protein) Function. Here, the double gate transistor array 2 is driven by the operation of the drive circuit 3, and fluorescence data composed of an amplified voltage corresponding to the amount of light received by each of the double gate transistors 20, 20,... The signals are sequentially output to the converter 56. The amplified voltage of each of the double gate transistors 20, 20,... Is sequentially converted into 8-bit gradation data of the pixel by the A / D converter 56. As described above, the controller 5 is provided so as to input image data picked up by the double gate transistor array 2.

また、コントローラ5は、A/Dコンバータ56をもって蛍光データが順次変換された画素の階調データをデータ記憶部54に格納することにより、入力した画像データ(特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定に関する情報データ)を記憶する画像データ記憶手段として機能する。なお、ダブルゲートトランジスタ20で受光した光量が感度以下である場合には、そのダブルゲートトランジスタ20の画素の階調データが階調”0”であり、ダブルゲートトランジスタ20で受光した光量が飽和した場合には、そのダブルゲートトランジスタ20の画素の階調データが階調”255”であり、ダブルゲートトランジスタ20で受光した光量が増加するにつれて画素の階調データも増加する。   In addition, the controller 5 stores the gradation data of the pixels in which the fluorescence data is sequentially converted by the A / D converter 56 in the data storage unit 54, so that the input image data (specific DNA base sequence determination or specific DNA It functions as image data storage means for storing information data relating to amino acid sequence determination of proteins. When the amount of light received by the double gate transistor 20 is less than the sensitivity, the gradation data of the pixel of the double gate transistor 20 is gradation “0”, and the amount of light received by the double gate transistor 20 is saturated. In this case, the gradation data of the pixel of the double gate transistor 20 is gradation “255”, and the gradation data of the pixel increases as the amount of light received by the double gate transistor 20 increases.

また、コントローラ5は、データ記憶部54に格納された各画素の階調データを、ブロックごとに読み出す読出手段として機能する。   In addition, the controller 5 functions as a reading unit that reads out the gradation data of each pixel stored in the data storage unit 54 for each block.

また、コントローラ5は、ダブルゲートトランジスタ20,20,…からなる画素の点欠陥を補正処理を行うため、読み出したブロック内の各画素のうち階調データが検出閾値以上となる画素の数を算出する画素数算出手段として機能する。検出閾値とは、スポット49に対応する正常なダブルゲートトランジスタ20が読み取る入射光が、当該スポット49内のハイブリダイゼーションによって引き起こされる蛍光として認識される階調データのうちの最も暗い受光量の階調値である。つまり、ダブルゲートトランジスタ20が正常な場合には、蛍光を発したスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20では画素の階調データが検出閾値以上であり、蛍光を発しないスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20では画素の階調データが検出閾値未満となる。なお、検出閾値は、予めプログラム53aに設定されている。   In addition, the controller 5 calculates the number of pixels whose gradation data is equal to or greater than the detection threshold among the pixels in the read block in order to correct the point defects of the pixels including the double gate transistors 20, 20,. Functions as a means for calculating the number of pixels. The detection threshold is the gradation of the darkest received light amount among the gradation data in which the incident light read by the normal double gate transistor 20 corresponding to the spot 49 is recognized as fluorescence caused by hybridization in the spot 49. Value. That is, when the double gate transistor 20 is normal, the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 that emits fluorescence has a grayscale data of the pixel that is equal to or higher than the detection threshold value, and the double gate that overlaps the spot 49 that does not emit fluorescence. In the transistor 20, the gradation data of the pixel is less than the detection threshold value. Note that the detection threshold is set in advance in the program 53a.

また、コントローラ5は、所定のブロック内で算出された画素数が所定数T以下であるか否かを判定する判定手段として機能する。所定数Tとは、ブロック内の画素の総数(i×j)と最大点欠陥率Uとの積である。最大点欠陥率Uとは、通常の製造プロセスで製造されたダブルゲートトランジスタアレイ2のダブルゲートトランジスタ20の総数に対して、予想される不良のダブルゲートトランジスタ20の数の最大値の割合である。不良のダブルゲートトランジスタ20の予想最大数は、ダブルゲートトランジスタアレイ2の実測値ではなく、統計的に求めたもので良い。従って、所定数Tとは、ブロック内に含まれる不良のダブルゲートトランジスタ20の推定最大数である。   The controller 5 functions as a determination unit that determines whether or not the number of pixels calculated in a predetermined block is equal to or less than the predetermined number T. The predetermined number T is the product of the total number of pixels in the block (i × j) and the maximum point defect rate U. The maximum point defect rate U is the ratio of the maximum value of the expected number of defective double gate transistors 20 to the total number of double gate transistors 20 of the double gate transistor array 2 manufactured by a normal manufacturing process. . The expected maximum number of defective double gate transistors 20 may be a statistically determined value, not an actual measurement value of the double gate transistor array 2. Therefore, the predetermined number T is an estimated maximum number of defective double gate transistors 20 included in the block.

また、コントローラ5は、所定のブロック内の画素数が所定数T以下であると判定された場合に、階調データが検出閾値以上となる画素について、データ記憶部54に格納された階調データを検出閾値未満(ここでは、最低輝度階調”0”)或いは所定のブロック内のそれ以外の画素の階調データの平均値に書き換える書換手段として機能する。   In addition, the controller 5 determines the gradation data stored in the data storage unit 54 for pixels whose gradation data is equal to or greater than the detection threshold when it is determined that the number of pixels in the predetermined block is equal to or less than the predetermined number T. Functions as a rewrite means for rewriting to an average value of gradation data of less than the detection threshold (here, the lowest luminance gradation “0”) or other pixels in a predetermined block.

また、コントローラ5は、階調データが書き換えられた画素と階調データが書き換えられていない画素とからなる画像データ(データ記憶部54に格納された画像データ)を、信号処理回路58をもって出力装置6に出力させる出力制御手段として機能する。また、コントローラ5は、書換手段で補正された階調データによって各スポット49,49,…において、プローブ48と相補的な塩基配列の一本鎖DNAとハイブリダイゼーションしているかどうかを判定した結果情報データ或いはハイブリダイゼーションした場合にハイブリダイゼーションしたプローブ48の塩基配列から自動的に求められるサンプルの塩基配列を含む結果情報データを求める結果情報作成手段として機能し、さらに結果情報データを、信号処理回路58をもって出力装置6に出力させる第2出力制御手段として機能する。   In addition, the controller 5 outputs, as a signal processing circuit 58, image data (image data stored in the data storage unit 54) composed of pixels whose gradation data has been rewritten and pixels whose gradation data has not been rewritten. 6 functions as an output control means for outputting to the apparatus 6. Further, the controller 5 determines whether each spot 49, 49,... Is hybridized with single-stranded DNA complementary to the probe 48 based on the gradation data corrected by the rewriting means. It functions as result information creation means for obtaining result information data including the base sequence of the sample that is automatically obtained from the base sequence of the probe 48 that has been hybridized in the case of data or hybridization, and the result information data is further converted into the signal processing circuit 58. It functions as a second output control means for causing the output device 6 to output.

次に、配列特定支援装置1を用いてDNAを含むサンプルをシークエンスする方法と、配列特定支援装置1の動作と、コントローラ5の処理の流れと、について説明する。   Next, a method for sequencing a sample containing DNA using the sequence identification support device 1, the operation of the sequence identification support device 1, and the processing flow of the controller 5 will be described.

まず、作業者が検体からサンプルを採取し、PCR増幅する。次に、作業者が、増幅されたサンプルを一本鎖DNAの状態にして励起光が入射されることによってより長波長の蛍光を発する蛍光物質を結合させることにより、サンプルが標識される。蛍光物質は、励起光照射装置4から発する励起光で励起されるものを選択するが、蛍光物質としては、例えばCyDyeのCy2(アマシャム社製)がある。得られた標識されたサンプルは、溶液中に含まれている。   First, an operator collects a sample from a specimen and performs PCR amplification. Next, the operator binds a fluorescent substance that emits longer-wavelength fluorescence when the amplified sample is in a single-stranded DNA state and excitation light is incident thereon, thereby labeling the sample. As the fluorescent material, one that is excited by the excitation light emitted from the excitation light irradiation device 4 is selected. As the fluorescent material, for example, CyDye Cy2 (manufactured by Amersham) is available. The resulting labeled sample is contained in the solution.

次いで、作業者が、サンプルを含有した溶液をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に満たし電気泳動を行い、各スポット49のプローブ48群に近接するようにする。このとき、サンプルは加熱され一本鎖の状態になっている。そして一本鎖のサンプルが各スポット49のプローブ48群とハイブリダイゼーションできる程度にまで温度を下げると、サンプルは、スポット49,49,…のうち相補性を有するプローブ48群のあるスポット49があれば、そのプローブ48とハイブリダイゼーションによって結合し、相補性を有しないプローブ48群のスポット49であれば、そのプローブ48とは結合しない。ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に塗布したサンプルのうちハイブリダイゼーションしなかったものは洗い流す。   Next, the operator fills the light-receiving surface of the double-gate transistor array 2 with the solution containing the sample and performs electrophoresis so that the spot 48 comes close to the probe 48 group. At this time, the sample is heated and is in a single-stranded state. When the temperature is lowered to such an extent that a single-stranded sample can be hybridized with the probe 48 group of each spot 49, the sample has a spot 49 with a complementary probe 48 group among the spots 49, 49,. For example, a spot 49 in a group of probes 48 that binds to the probe 48 by hybridization and does not have complementarity does not bind to the probe 48. Of the sample applied to the light receiving surface of the double gate transistor array 2, the sample that has not been hybridized is washed away.

以上のように、サンプルは相補性を有するスポット49のプローブ48とは結合し、相補性を有しないスポット49のプローブ48とは結合しないので、ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に向けて励起光が放射されると、蛍光を発したスポット49がサンプルと結合したということを把握することができる。そして、複数種のスポット49,49,…のうち蛍光を発したスポット49を特定すれば、サンプル中のDNAの塩基配列がその特定スポット49のプローブ48の塩基配列と相補的であることを把握することができる。そこで、蛍光を発するスポット49を特定することによりサンプルの配列を特定することを、配列特定支援装置1を用いて行う。   As described above, since the sample is coupled to the probe 48 of the spot 49 having complementarity and not to the probe 48 of the spot 49 having no complementarity, the excitation light is directed toward the light receiving surface of the double gate transistor array 2. Is emitted, it can be understood that the fluorescent spot 49 is combined with the sample. Then, if the spot 49 that emits fluorescence is specified among the plurality of types of spots 49, 49,..., It is understood that the DNA base sequence in the sample is complementary to the base sequence of the probe 48 of the specific spot 49. can do. Therefore, the arrangement specifying support apparatus 1 is used to specify the arrangement of the samples by specifying the spots 49 that emit fluorescence.

配列特定支援装置1を用いる際に、図7に示すように、作業者はサンプルを塗布したダブルゲートトランジスタアレイ20の受光面を励起光照射装置4に対向させ、ダブルゲートトランジスタアレイ2及び駆動回路3をセッティングする。これにより、駆動回路3がコントローラ5に接続される。   When using the array identification support device 1, as shown in FIG. 7, the operator makes the light-receiving surface of the double-gate transistor array 20 coated with the sample face the excitation light irradiation device 4, and the double-gate transistor array 2 and the drive circuit Set 3 As a result, the drive circuit 3 is connected to the controller 5.

次に、作業者が配列特定支援装置1の電源をオンにすると、コントローラ5がCPU51でROM53のプログラム53aを実行して、プログラム53aに従った処理を行う。コントローラ5の処理の流れについて図8を用いて説明する。   Next, when the operator turns on the power of the sequence identification support device 1, the controller 5 executes the program 53a in the ROM 53 with the CPU 51, and performs processing according to the program 53a. A processing flow of the controller 5 will be described with reference to FIG.

まず、コントローラ5がI/F55を介して励起光照射装置4を制御して励起光照射装置4を点灯させると、励起光照射装置4が励起光をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に向けて照射する(ステップS1:励起光照射制御工程)。   First, when the controller 5 controls the excitation light irradiation device 4 via the I / F 55 to turn on the excitation light irradiation device 4, the excitation light irradiation device 4 directs the excitation light toward the light receiving surface of the double gate transistor array 2. Irradiate (step S1: excitation light irradiation control step).

励起光照射装置4から発した励起光によって、スポット49,49,…のうちサンプルとハイブリダイゼーションしたスポット49では蛍光(主に可視光)が発し、サンプルと結合しなかったスポット49では蛍光が発しない。そのため、サンプルと結合したスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20には高強度の蛍光が入射し、サンプルと結合していないスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20には蛍光が殆ど入射しない。   The excitation light emitted from the excitation light irradiation device 4 emits fluorescence (mainly visible light) at the spot 49 hybridized with the sample among the spots 49, 49,..., And emits fluorescence at the spot 49 that does not bind to the sample. do not do. Therefore, high-intensity fluorescence is incident on the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 combined with the sample, and almost no fluorescence is incident on the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 not combined with the sample.

次に、コントローラ5がダブルゲートトランジスタアレイ2の各ダブルゲートトランジスタ20,20,…からなる画像データをA/Dコンバータ56を介して入力する。即ち、コントローラ5がタイミング制御部57をもって駆動回路3(トップゲートドライバ74、ボトムゲートドライバ75及びドレインドライバ76)を制御すると、駆動回路3がダブルゲートトランジスタアレイ2を駆動し、蛍光が入射されたダブルゲートトランジスタ20は、蛍光に応じてデータライン43に出力されたプリチャージ電圧を変調させる。ダブルゲートトランジスタアレイ2がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれで光量を検知し、ドレインドライバ76がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれのデータラインの電圧を増幅してA/Dコンバータ56に順次出力する。これにより、コントローラ5が、ダブルゲートトランジスタアレイ2から画像データを入力する。すなわち、コントローラ5が、ドレインドライバ76から順次入力した増幅電圧からなる蛍光データをA/Dコンバータ56により画素の8bit階調データに順次変換し、A/Dコンバータ56を介してデジタル化した階調データを順次入力する。   Next, the controller 5 inputs image data including the double gate transistors 20, 20,... Of the double gate transistor array 2 through the A / D converter 56. That is, when the controller 5 controls the drive circuit 3 (the top gate driver 74, the bottom gate driver 75, and the drain driver 76) with the timing control unit 57, the drive circuit 3 drives the double gate transistor array 2 and fluorescence is incident. The double gate transistor 20 modulates the precharge voltage output to the data line 43 according to the fluorescence. The double gate transistor array 2 detects the amount of light at each of the double gate transistors 20, 20,..., And the drain driver 76 amplifies the voltage of each data line of the double gate transistors 20, 20,. Are output sequentially. Thereby, the controller 5 inputs image data from the double gate transistor array 2. In other words, the controller 5 sequentially converts the fluorescence data composed of the amplified voltages sequentially input from the drain driver 76 into 8-bit gradation data of the pixels by the A / D converter 56, and the gradation that has been digitized via the A / D converter 56. Enter data sequentially.

駆動回路3の動作について説明する。タイミング制御部57がトップゲートドライバ74を制御すると、トップゲートドライバ74がトップゲートライン44,44,…に順次リセットパルスを出力する。また、タイミング制御部57がボトムゲートドライバ75を制御すると、ボトムゲートドライバ75がボトムゲートライン41,41,…に順次リードパルスを出力する。また、タイミング制御部57がドレインドライバ76を制御すると、ドレインドライバ76が各列でリセットパルスが出力されているリセット期間と各列でリードパルスが出力されている期間との間に、プリチャージパルスを全てのドレインライン43,43,…に出力する。   The operation of the drive circuit 3 will be described. When the timing control unit 57 controls the top gate driver 74, the top gate driver 74 sequentially outputs reset pulses to the top gate lines 44, 44,. When the timing controller 57 controls the bottom gate driver 75, the bottom gate driver 75 sequentially outputs read pulses to the bottom gate lines 41, 41,. Further, when the timing controller 57 controls the drain driver 76, the precharge pulse is generated between the reset period in which the drain driver 76 outputs the reset pulse in each column and the period in which the read pulse is output in each column. Are output to all the drain lines 43, 43,.

任意の列(k列目)の各ダブルゲートトランジスタ20の動作について詳細に説明する。図6に示すように、トップゲートドライバ74がk列目のトップゲートライン44にリセットパルスを出力すると、k列目のトップゲートライン44がハイレベルになる。k列目のトップゲートライン44がハイレベルになっている間(この期間をリセット期間という。)、k列目の各ダブルゲートトランジスタ20では、半導体膜23とチャネル保護膜24との界面近傍に蓄積されたキャリア(ここでは、正孔である。)が、トップゲート電極30の電圧により反発して吐出される。   The operation of each double gate transistor 20 in an arbitrary column (kth column) will be described in detail. As shown in FIG. 6, when the top gate driver 74 outputs a reset pulse to the top gate line 44 in the kth column, the top gate line 44 in the kth column goes to a high level. While the k-th column top gate line 44 is at a high level (this period is referred to as a reset period), each double-gate transistor 20 in the k-th column is in the vicinity of the interface between the semiconductor film 23 and the channel protective film 24. The accumulated carriers (here, holes) are repelled and discharged by the voltage of the top gate electrode 30.

次に、トップゲートドライバ74がk列目のトップゲートライン44にリセットパルスを出力することを終了する。k列目のトップゲートライン44のリセットパルスが終了してから、k列目のボトムゲートライン41にリードパルスが出力されるまでの間(この期間をキャリア蓄積期間という。)、光量に従った量の電子−正孔対が半導体膜23内で生成され、そのうちの正孔がトップゲート電極30の電界により半導体膜23とチャネル保護膜24との界面近傍に蓄積される。   Next, the top gate driver 74 finishes outputting a reset pulse to the top gate line 44 in the k-th column. The period from when the reset pulse of the top gate line 44 in the k-th column ends to when the read pulse is output to the bottom gate line 41 in the k-th column (this period is referred to as a carrier accumulation period) depends on the amount of light. An amount of electron-hole pairs is generated in the semiconductor film 23, and the holes are accumulated near the interface between the semiconductor film 23 and the channel protective film 24 by the electric field of the top gate electrode 30.

次に、キャリア蓄積期間中に、ドレインドライバ76が全てのドレインライン43,43,…にプリチャージパルスを出力する。プリチャージパルスが出力されている間(プリチャージ期間という。)では、k列目の各ダブルゲートトランジスタ20においては、トップゲート電極30に印加されている電位が−20〔V〕であり、ボトムゲート電極21に印加されている電位が±0〔V〕であるため、たとえ半導体膜23とチャネル保護膜24との界面近傍に蓄積された正孔の電荷だけではゲート−ソース間電位が低いので半導体膜23にはチャネルが形成されず、ドレイン電極28とソース電極27との間に電流は流れない。プリチャージ期間において、ドレイン電極28とソース電極27との間に電流が流れないため、ドレインライン43,43,…に出力されたプリチャージパルスによってk列目の各ダブルゲートトランジスタ20のドレイン電極28に電荷がチャージされる。   Next, during the carrier accumulation period, the drain driver 76 outputs a precharge pulse to all the drain lines 43, 43,. While the precharge pulse is output (referred to as a precharge period), in each double gate transistor 20 in the k-th column, the potential applied to the top gate electrode 30 is −20 [V], and the bottom Since the potential applied to the gate electrode 21 is ± 0 [V], the gate-source potential is low only with the charge of holes accumulated near the interface between the semiconductor film 23 and the channel protective film 24. A channel is not formed in the semiconductor film 23, and no current flows between the drain electrode 28 and the source electrode 27. Since no current flows between the drain electrode 28 and the source electrode 27 during the precharge period, the drain electrode 28 of each double-gate transistor 20 in the k-th column is output by the precharge pulse output to the drain lines 43, 43,. Is charged.

次に、ドレインドライバ76がプリチャージパルスの出力を終了するとともに、ボトムゲートドライバ75がk列目のボトムゲートライン41にリードパルスを出力する。ボトムゲートドライバ75がk列目のボトムゲートライン41にリードパルスを出力している間(この期間を、リード期間という。)では、k列目の各ダブルゲートトランジスタ20のボトムゲート電極21に+10〔V〕の電位が印加されているため、k列目の各ダブルゲートトランジスタ20がオン状態になる。   Next, the drain driver 76 finishes outputting the precharge pulse, and the bottom gate driver 75 outputs a read pulse to the bottom gate line 41 in the k-th column. While the bottom gate driver 75 outputs a read pulse to the bottom gate line 41 in the kth column (this period is referred to as a read period), +10 is applied to the bottom gate electrode 21 of each double gate transistor 20 in the kth column. Since the potential of [V] is applied, each double gate transistor 20 in the k-th column is turned on.

リード期間においては、キャリア蓄積期間において蓄積されたキャリアがトップゲート電極30とボトムゲート電極21との間の電圧を緩和するように働くため、ボトムゲート電極21とトップゲート電極30との間の電圧により半導体膜23にチャネルが形成されて、ドレイン電極28からソース電極27に電流が流れるようになる。従って、リード期間では、ドレインライン43,43,…の電圧は、ドレイン−ソース間電流によって時間の経過とともに徐々に低下する傾向を示す。   In the read period, the carriers accumulated in the carrier accumulation period work so as to relax the voltage between the top gate electrode 30 and the bottom gate electrode 21, and thus the voltage between the bottom gate electrode 21 and the top gate electrode 30. As a result, a channel is formed in the semiconductor film 23, and a current flows from the drain electrode 28 to the source electrode 27. Therefore, in the read period, the voltages of the drain lines 43, 43,... Tend to gradually decrease with time due to the drain-source current.

ここで、キャリア蓄積期間において半導体膜23に入射した光量が多くなるにつれて、蓄積されるキャリアも多くなり、蓄積されるキャリアが多くなるにつれて、リード期間においてドレイン電極28からソース電極27に流れる電流のレベルも大きくなる。従って、リード期間におけるドレインライン43,43,…の電圧の変化傾向は、キャリア蓄積期間で半導体膜23に入射した光量に深く関連する。そして、ドレインドライバ76が、k列目のリード期間から次の(k+1)列目のプリチャージ期間までの間に、リード期間が開始してから所定の時間経過後のドレインライン43,43,…の電圧を検出する。これにより、ドレインライン43,43,…の光量が電圧に換算される。そして、ドレインドライバ76は、パラレル式のドレインライン43,43,…の電圧を増幅し、ドレインライン43,43,…の増幅電圧を順次シリアル式でA/Dコンバータ56に出力する。   Here, as the amount of light incident on the semiconductor film 23 in the carrier accumulation period increases, the number of accumulated carriers also increases. As the number of accumulated carriers increases, the current flowing from the drain electrode 28 to the source electrode 27 in the read period is increased. The level also increases. Therefore, the voltage change tendency of the drain lines 43, 43,... During the read period is deeply related to the amount of light incident on the semiconductor film 23 during the carrier accumulation period. Then, the drain driver 76 has drain lines 43, 43,... After a predetermined time has elapsed from the start of the read period between the read period of the k-th column and the next (k + 1) -th column precharge period. The voltage of is detected. Thereby, the light quantity of drain line 43,43, ... is converted into a voltage. The drain driver 76 amplifies the voltages of the parallel drain lines 43, 43,... And sequentially outputs the amplified voltages of the drain lines 43, 43,.

上述したk行目の一連の処理を1サイクルとして、同じ処理が行順次に繰り返される。これにより、全てのダブルゲートトランジスタ20,20,…の増幅電圧がA/Dコンバータ56に順次出力される。   The series of processes in the k-th row described above is set as one cycle, and the same process is repeated in a row sequence. As a result, the amplified voltages of all the double gate transistors 20, 20,... Are sequentially output to the A / D converter 56.

コントローラ5が上述したように画像データ入力工程においてドレインドライバ76から順次入力した増幅電圧からなる蛍光データをA/Dコンバータ56により画素の8bit階調データに順次変換するが、コントローラ5が階調データをデータ記憶部54に順次記憶する(ステップS3:画像データ記憶工程)。これにより、データ記憶部54には、各画素の階調データからなる画像データが格納される。   As described above, the controller 5 sequentially converts the fluorescence data composed of the amplified voltage input from the drain driver 76 in the image data input process into 8-bit gradation data of the pixel by the A / D converter 56. Are sequentially stored in the data storage unit 54 (step S3: image data storage step). Thereby, the data storage unit 54 stores image data including gradation data of each pixel.

次に、コントローラ5は、任意のブロック内にある全ての画素の階調データをデータ記憶部54から読み出すことをブロックごとに順次行う(ステップS4(最初のブロックの認識)、ステップS5(ブロックの読出し)、ステップS9(次のブロックの認識)、ステップS10(次のブロックの順番が全てのブロック数を越えているかの認識):読出工程)。   Next, the controller 5 sequentially reads out the gradation data of all the pixels in an arbitrary block from the data storage unit 54 for each block (step S4 (recognition of the first block), step S5 (block Read), step S9 (recognition of the next block), step S10 (recognition of whether the next block order exceeds the number of all blocks): read step).

コントローラ5は、任意のN番目のブロック内にある画素に対して以下のような処理を行う。即ち、コントローラ5は、各画素の階調データを検出閾値(例えば、61)と比較することにより、階調データが検出閾値以上となる画素の数Sを算出する(ステップS6:画素数算出工程)。   The controller 5 performs the following processing on the pixels in an arbitrary Nth block. That is, the controller 5 compares the gradation data of each pixel with a detection threshold (for example, 61) to calculate the number S of pixels whose gradation data is equal to or greater than the detection threshold (step S6: pixel number calculation step). ).

次に、コントローラ5は、ステップS6で算出した画素の数Sが所定数T以下であるか否かを判定する(ステップS7:判定工程)。   Next, the controller 5 determines whether or not the number S of pixels calculated in step S6 is equal to or less than a predetermined number T (step S7: determination step).

次に、画素の数Sが所定数T以下である場合には、コントローラ5は、検出閾値以上となった画素の階調データを最低輝度階調であるゼロ、或いは所定のブロック内のそれ以外の画素の階調データの平均値に書き換えてデータ記憶部54に記憶する(ステップS8:書換工程)。一方、画素の数Sが所定数T以下でない場合には、コントローラ5は、そのブロック内の各画素の階調データに対して書換操作を行わない。   Next, when the number S of pixels is equal to or smaller than the predetermined number T, the controller 5 sets the gradation data of the pixels that are equal to or higher than the detection threshold to zero that is the lowest luminance gradation, or otherwise in the predetermined block. Are rewritten to the average value of the gradation data of the pixels of the pixel and stored in the data storage unit 54 (step S8: rewrite process). On the other hand, when the number S of pixels is not equal to or less than the predetermined number T, the controller 5 does not perform the rewriting operation on the gradation data of each pixel in the block.

コントローラ5は、ステップS5〜ステップS8の処理をブロックごとに繰り返し行う(ステップS9、ステップS10:Yes)。そして、コントローラ5は、全(p×q)組のブロックについてステップS5〜ステップS8の処理を行ったら(ステップS10:No)、データ記憶部54に記憶した画像データを信号処理回路58により信号処理する(出力制御工程)。これにより、出力装置6は、データ記憶部54に格納された画像データを画像として出力する。   The controller 5 repeats the processing from step S5 to step S8 for each block (step S9, step S10: Yes). Then, when the controller 5 performs the processing of step S5 to step S8 for all (p × q) sets of blocks (step S10: No), the signal processing circuit 58 performs signal processing on the image data stored in the data storage unit 54. (Output control process). As a result, the output device 6 outputs the image data stored in the data storage unit 54 as an image.

また、コントローラ5は、画像データからサンプルの配列を特定する。即ち、出力された画像データ中のどの部分が明るいかによって、サンプルの配列を特定することができる。つまり、サンプルの配列は、画像データの中で明るくなったブロックに重なったスポット49と相補的な配列である。
そして、CPU51は、プログラム53aに則って書換工程を経た階調データからサンプルと相補的であったプローブ48のあるスポット49のブロックの有無を判定し、信号処理回路58が特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定に関する結果情報データ信号を生成して出力装置6に対して出力する(第2出力制御工程)。
Further, the controller 5 specifies the arrangement of samples from the image data. That is, the arrangement of the samples can be specified depending on which part of the output image data is bright. That is, the sample array is complementary to the spot 49 that overlaps the brightened block in the image data.
Then, the CPU 51 determines the presence / absence of the block of the spot 49 having the probe 48 complementary to the sample from the gradation data that has undergone the rewriting process according to the program 53a, and the signal processing circuit 58 uses the base sequence of the specific DNA. A result information data signal relating to the determination or amino acid sequence determination of a specific protein is generated and output to the output device 6 (second output control step).

本実施形態の効果について図9を用いて説明する。
図9(a)は、ステップS3においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に図式化したものであり、図9(b)は、最後のブロックの処理が終わった場合にステップS8においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示すものである。図9において、縦方向がボトムゲートライン41,41,…及びトップゲートライン44,44,…の延在方向であり、横方向がドレインライン43,43,…の延在方向であり、セル内に記述された数値は各ダブルゲートトランジスタ20の蛍光データ(光量に応じた電圧)を階調変換した階調データの値である。図9において、図5のような8×8個のダブルゲートトランジスタ20,20,…からなるダブルゲートトランジスタアレイ2を用いており、ダブルゲートトランジスタ20,20,…が4組のブロックに分けられており、一組のブロック当たり4×4個のダブルゲートトランジスタ20,20,…がある。また、図9において、1番目のブロックAに点着したスポット49がサンプルと相補的であるものとし、2〜4番目のブロックB,C,Dに点着したスポット49,49,49はサンプルと相補的でないものとする。また、図9において、4番目のブロックDにある二つのダブルゲートトランジスタ20,20に欠陥があるものとし、それらに対応する画素をP1、P2とする。なお、最大点欠陥率Uが20%であるとすると、各ブロックには16個のダブルゲートトランジスタ20,20,…があるので、所定数Tが3.2となる。
The effect of this embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 9A schematically shows the image data stored in the data storage unit 54 in step S3, and FIG. 9B shows the step S8 when the processing of the last block is completed. 3 schematically shows the image data stored in the data storage unit 54. 9, the vertical direction is the extending direction of the bottom gate lines 41, 41,... And the top gate lines 44, 44,..., And the horizontal direction is the extending direction of the drain lines 43, 43,. The numerical values described in the above are gradation data values obtained by gradation-converting the fluorescence data (voltage corresponding to the amount of light) of each double gate transistor 20. 9, a double gate transistor array 2 composed of 8 × 8 double gate transistors 20, 20,... As shown in FIG. 5 is used, and the double gate transistors 20, 20,. There are 4 × 4 double gate transistors 20, 20,... Per set of blocks. In FIG. 9, it is assumed that the spot 49 spotted on the first block A is complementary to the sample, and the spots 49, 49, 49 spotted on the second to fourth blocks B, C, D are samples. And not complementary. In FIG. 9, it is assumed that the two double gate transistors 20 and 20 in the fourth block D are defective, and the pixels corresponding to them are P1 and P2. If the maximum point defect rate U is 20%, there are 16 double gate transistors 20, 20,... In each block, so that the predetermined number T is 3.2.

図9(a)に示すように、1番目のブロックAでは、スポット49がサンプルと相補的であるから、スポット49から発した蛍光がダブルゲートトランジスタ20,20,…に入射するので、各画素の階調データが検出閾値(ここでは、61)以上となっている。また、2〜3番目のブロックB,Cでは、スポット49,49がサンプルと相補的でないから、スポット49から蛍光が発しないので、各画素の階調データが検出閾値未満となっている。4番目のブロックDでも、スポット49がサンプルと相補的でないから、どの画素でも階調データが検出閾値未満となるはずである。しかしながら、4番目のブロックDの二つのダブルゲートトランジスタ20,20が欠陥であるため、画素P1,P2の階調データが検出閾値以上となってしまう。仮に、このような画像データ(ステップS3においてデータ記憶部54に格納された画像データ)が出力装置6から出力されると、サンプルが4番目のブロックDのスポット49と相補的であると誤認識されるおそれがある。   As shown in FIG. 9A, in the first block A, since the spot 49 is complementary to the sample, the fluorescence emitted from the spot 49 is incident on the double gate transistors 20, 20,. Gradation data is equal to or greater than the detection threshold (61 in this case). In the second and third blocks B and C, since the spots 49 and 49 are not complementary to the sample, no fluorescence is emitted from the spot 49, so the gradation data of each pixel is less than the detection threshold. Even in the fourth block D, since the spot 49 is not complementary to the sample, the gradation data should be less than the detection threshold in any pixel. However, since the two double gate transistors 20 and 20 of the fourth block D are defective, the gradation data of the pixels P1 and P2 is equal to or greater than the detection threshold. If such image data (image data stored in the data storage unit 54 in step S3) is output from the output device 6, the sample is erroneously recognized as being complementary to the spot 49 of the fourth block D. There is a risk of being.

しかしながら、本実施形態では、検出閾値以上となった画素の数が所定数T以下であるから、コントローラ5は画素P1,P2に対応したダブルゲートトランジスタ20,20が欠陥であると認識することになる(ステップS7:Yes)。そして、コントローラ5は、検出閾値以上となった画素P1,P2の階調データをゼロに書き換えており、このように最後のブロックのステップS8処理が終わると、サンプルが4番目のブロックDのスポット49と相補的であると誤認識されることを防止することができる。   However, in the present embodiment, since the number of pixels that are equal to or greater than the detection threshold is equal to or less than the predetermined number T, the controller 5 recognizes that the double gate transistors 20 and 20 corresponding to the pixels P1 and P2 are defective. (Step S7: Yes). Then, the controller 5 rewrites the gradation data of the pixels P1 and P2 that are equal to or higher than the detection threshold to zero, and when the processing of step S8 of the last block is finished in this way, the sample is a spot of the fourth block D. 49 can be prevented from being mistakenly recognized as being complementary.

〔第2の実施の形態〕
図1を援用して第2の実施形態における配列特定支援装置について説明する。第2の実施形態における配列特定支援装置は、図1に示された配列特定支援装置1と同様に、スポット49,49,…、ダブルゲートトランジスタアレイ2、駆動回路3、励起光照射装置4、コントローラ5及び出力装置6から構成されている。これらは第1の実施形態の配列特定支援装置1の各部と基本的に同一である。但し、配列特定支援装置1ではROM53にプログラム53aが格納されているのに対して、第2の実施形態の配列特定支援装置ではROM53にはプログラム53aの代わりに別のプログラムが格納されていることが相違する。
[Second Embodiment]
With reference to FIG. 1, an arrangement identification support apparatus according to the second embodiment will be described. The array specification support apparatus in the second embodiment is similar to the array specification support apparatus 1 shown in FIG. 1, the spots 49, 49,..., The double gate transistor array 2, the drive circuit 3, the excitation light irradiation apparatus 4, It comprises a controller 5 and an output device 6. These are basically the same as each part of the arrangement specifying support device 1 of the first embodiment. However, the sequence identification support device 1 stores the program 53a in the ROM 53, whereas the sequence identification support device of the second embodiment stores another program in the ROM 53 instead of the program 53a. Is different.

このプログラムはCPU51にとって読取可能なプログラムであり、コントローラ5はRAM52を作業領域としてCPU51でROM53のプログラムに従った演算処理を行うように設けられている。コントローラ5は、そのプログラムに従ったCPU51の演算処理により以下の各手段として機能する。   This program is a program that can be read by the CPU 51, and the controller 5 is provided so that the CPU 51 performs arithmetic processing according to the program of the ROM 53 using the RAM 52 as a work area. The controller 5 functions as the following units by the arithmetic processing of the CPU 51 according to the program.

即ち、コントローラ5は、I/F55をもって励起光照射装置4を発光させる励起光照射制御手段として機能する。   That is, the controller 5 functions as excitation light irradiation control means for causing the excitation light irradiation device 4 to emit light with the I / F 55.

また、コントローラ5は、タイミング制御部57をもって駆動回路3及びA/Dコンバータ56を作動させることにより、ダブルゲートトランジスタアレイ2で撮像された画像データであって各ダブルゲートトランジスタ20,20,…の階調データからなる画像データを入力する画像データ入力手段として機能する。   In addition, the controller 5 operates the drive circuit 3 and the A / D converter 56 with the timing control unit 57, whereby the image data captured by the double gate transistor array 2 and the double gate transistors 20, 20,. It functions as image data input means for inputting image data composed of gradation data.

また、コントローラ5は、A/Dコンバータ56をもって順次変換された画素の階調データをデータ記憶部54に格納することにより、各画素の階調データからなる画像データを記憶する画像データ記憶手段として機能する。   Further, the controller 5 stores the gradation data of the pixels sequentially converted by the A / D converter 56 in the data storage unit 54, thereby serving as image data storage means for storing image data composed of the gradation data of each pixel. Function.

また、コントローラ5は、データ記憶部54に格納された各画素の階調データを読み出す読出手段として機能する。   In addition, the controller 5 functions as a reading unit that reads the gradation data of each pixel stored in the data storage unit 54.

また、コントローラ5は、読み出した各画素の階調データが検出閾値未満であるか否かを判定する判定手段として機能する。ここでの検出閾値も、正常なダブルゲートトランジスタ20に蛍光が入射したものとすると、そのダブルゲートトランジスタ20に対応する画素の階調データのうちの最低値である。   The controller 5 functions as a determination unit that determines whether or not the read gradation data of each pixel is less than the detection threshold. The detection threshold here is also the lowest value of the gradation data of the pixel corresponding to the double gate transistor 20 if the fluorescence is incident on the normal double gate transistor 20.

また、コントローラ5は、階調データが検出閾値未満と判定された全ての画素について、データ記憶部54に格納された階調データを検出閾値未満の同じ最低輝度階調(ここでは、ゼロ)に書き換える書換手段として機能する。   Further, the controller 5 sets the gradation data stored in the data storage unit 54 to the same minimum luminance gradation (here, zero) that is less than the detection threshold for all pixels for which the gradation data is determined to be less than the detection threshold. It functions as a rewriting means for rewriting.

また、コントローラ5は、階調データが書き換えられた画素と階調データが書き換えられていない画素とからなる画像データ(データ記憶部54に格納された画像データ)を、信号処理回路58をもって出力装置6に出力させる出力制御手段として機能する。また、コントローラ5は、書換手段で補正された階調データによって各スポット49,49,…において、プローブ48と相補的な塩基配列の一本鎖DNAとハイブリダイゼーションしているかどうかを判定した結果情報データ或いはハイブリダイゼーションした場合にハイブリダイゼーションしたプローブ48の塩基配列から自動的に求められるサンプルの塩基配列を含む結果情報データを求める結果情報作成手段として機能し、さらに結果情報データを、信号処理回路58をもって出力装置6に出力させる出力制御手段として機能する。   In addition, the controller 5 outputs, as a signal processing circuit 58, image data (image data stored in the data storage unit 54) composed of pixels whose gradation data has been rewritten and pixels whose gradation data has not been rewritten. 6 functions as an output control means for outputting to the apparatus 6. Further, the controller 5 determines whether each spot 49, 49,... Is hybridized with single-stranded DNA complementary to the probe 48 based on the gradation data corrected by the rewriting means. It functions as result information creation means for obtaining result information data including the base sequence of the sample that is automatically obtained from the base sequence of the probe 48 that has been hybridized in the case of data or hybridization, and the result information data is further converted into the signal processing circuit 58. It functions as an output control means for causing the output device 6 to output.

第2の実施形態の配列特定支援装置を用いてサンプルをシークエンスする方法と、この配列特定支援装置の動作と、コントローラ5の処理の流れと、について説明する。   A method for sequencing a sample using the sequence identification support device of the second embodiment, the operation of the sequence identification support device, and the processing flow of the controller 5 will be described.

サンプルを含有した溶液をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に満たし電気泳動を行い、各スポット49のプローブ48群に近接するようにする。このとき、サンプルは加熱され一本鎖の状態になっている。そして一本鎖のサンプルが各スポット49のプローブ48群とハイブリダイゼーションできる程度にまで温度を下げると、サンプルは、スポット49,49,…のうち相補性を有するプローブ48群のあるスポット49があれば、そのプローブ48とハイブリダイゼーションによって結合し、相補性を有しないプローブ48群のスポット49であれば、そのプローブ48とは結合しない。ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に塗布したサンプルのうちハイブリダイゼーションしなかったものは洗い流す。次に、作業者はダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面を励起光照射装置4に対向させ、ダブルゲートトランジスタアレイ2及び駆動回路3をセッティングする。次に、作業者が配列特定支援装置の電源をオンにすると、コントローラ5がCPU51でROM53のプログラムを実行して、プログラムに従った処理を行う。コントローラ5の処理の流れについて図10を用いて説明する。   The solution containing the sample is filled in the light-receiving surface of the double gate transistor array 2 and electrophoresed so as to be close to the probe 48 group of each spot 49. At this time, the sample is heated and is in a single-stranded state. When the temperature is lowered to such an extent that a single-stranded sample can be hybridized with the probe 48 group of each spot 49, the sample has a spot 49 with a complementary probe 48 group among the spots 49, 49,. For example, a spot 49 in a group of probes 48 that binds to the probe 48 by hybridization and does not have complementarity does not bind to the probe 48. Of the sample applied to the light receiving surface of the double gate transistor array 2, the sample that has not been hybridized is washed away. Next, the operator sets the double gate transistor array 2 and the drive circuit 3 with the light receiving surface of the double gate transistor array 2 facing the excitation light irradiation device 4. Next, when the operator turns on the power of the arrangement specifying support device, the controller 5 executes the program in the ROM 53 by the CPU 51 and performs processing according to the program. The processing flow of the controller 5 will be described with reference to FIG.

まず、コントローラ5がI/F55を介して励起光照射装置4を点灯させると、励起光照射装置4が励起光をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に向けて照射する(ステップS21:励起光照射制御工程)。   First, when the controller 5 turns on the excitation light irradiation device 4 via the I / F 55, the excitation light irradiation device 4 irradiates the excitation light toward the light receiving surface of the double gate transistor array 2 (step S21: excitation light irradiation). Control process).

励起光照射装置4から発した励起光によって、スポット49,49,…のうちサンプルとハイブリダイゼーションしたスポット49では蛍光が発し、サンプルと結合しなかったスポット49では蛍光が発しない。そのため、サンプルと結合したスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20には高強度の蛍光が入射し、サンプルと結合していないスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20には蛍光が殆ど入射しない。   ... The spot 49 hybridized with the sample emits fluorescence by the excitation light emitted from the excitation light irradiation device 4, and the spot 49 that does not bind to the sample does not emit fluorescence. Therefore, high-intensity fluorescence is incident on the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 combined with the sample, and almost no fluorescence is incident on the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 not combined with the sample.

次に、コントローラ5がタイミング制御部57をもって駆動回路3を制御すると、駆動回路3がダブルゲートトランジスタアレイ2を駆動し、ダブルゲートトランジスタアレイ2が撮像動作を行う。ダブルゲートトランジスタアレイ2がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれで光量を検知し、ドレインドライバ76がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれの光量を増幅電圧としてA/Dコンバータ56に順次出力する。これにより、コントローラ5が、ドレインドライバ76から順次入力した増幅電圧からなる蛍光データをA/Dコンバータ56により画素の8bit階調データに順次変換することによって、各画素の階調データからなる画像データを入力する(ステップS22:画像データ入力工程)。   Next, when the controller 5 controls the drive circuit 3 with the timing control unit 57, the drive circuit 3 drives the double gate transistor array 2, and the double gate transistor array 2 performs an imaging operation. The double gate transistor array 2 detects the light amount of each of the double gate transistors 20, 20,..., And the drain driver 76 sequentially outputs each light amount of the double gate transistors 20, 20,. To do. As a result, the controller 5 sequentially converts the fluorescence data composed of the amplified voltage inputted from the drain driver 76 into the 8-bit gradation data of the pixel by the A / D converter 56, whereby the image data composed of the gradation data of each pixel. (Step S22: Image data input step).

コントローラ5は、各画素の階調データをデータ記憶部54に順次記憶することによって、各画素の階調データからなる画像データをデータ記憶部54に記憶する(ステップS23:画像データ記憶工程)。   The controller 5 sequentially stores the gradation data of each pixel in the data storage unit 54, thereby storing the image data including the gradation data of each pixel in the data storage unit 54 (step S23: image data storage step).

次に、コントローラ5は、画素の階調データをデータ記憶部54から読み出すことを画素ごとに順次行う(ステップS24、ステップS25、ステップS28、ステップS29:読出工程)。   Next, the controller 5 sequentially reads out the gradation data of the pixels from the data storage unit 54 for each pixel (step S24, step S25, step S28, step S29: reading step).

コントローラ5は、読み出した画素の階調データに対して以下のような処理を行う。即ち、コントローラ5は、画素の階調データを検出閾値(例えば、61)と比較することにより、階調データが検出閾値未満となるか否かを判定する(ステップS26:判定工程)。   The controller 5 performs the following processing on the read gradation data of the pixels. That is, the controller 5 determines whether the gradation data is less than the detection threshold by comparing the gradation data of the pixel with a detection threshold (for example, 61) (Step S26: determination step).

読み出した階調データが検出閾値未満である場合には、コントローラ5が、その画素の階調データを検出閾値未満の最低輝度階調であるゼロに書き換えてデータ記憶部54に記憶する(ステップS27:書換工程)。一方、読み出した階調データが検出閾値以上である場合には、コントローラ5が、その画素の階調データを書き換えずにそのままデータ記憶部54に記憶させておく。   If the read gradation data is less than the detection threshold, the controller 5 rewrites the gradation data of the pixel to zero, which is the lowest luminance gradation less than the detection threshold, and stores it in the data storage unit 54 (step S27). : Rewriting process). On the other hand, when the read gradation data is equal to or greater than the detection threshold, the controller 5 stores the gradation data of the pixel in the data storage unit 54 without being rewritten.

コントローラ5は、ステップS25〜ステップS27の処理を画素ごとに繰り返し行う(ステップS28、ステップS29:Yes)。そして、コントローラ5は、全(m×n)個の画素についてステップS25〜ステップS27の処理を行ったら(ステップS29:No)、データ記憶部54に記憶した画像データを信号処理回路58により信号処理する。   The controller 5 repeats the processing from step S25 to step S27 for each pixel (step S28, step S29: Yes). Then, when the controller 5 performs the processing of step S25 to step S27 for all (m × n) pixels (step S29: No), the signal processing circuit 58 performs signal processing on the image data stored in the data storage unit 54. To do.

そして、CPU51は、プログラムに則って書換工程を経た階調データからサンプルと相補的であったプローブ48のあるスポット49のブロックの有無を判定し、信号処理回路58が特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定に関する結果情報データ信号を生成して出力装置6に対して出力する。   Then, the CPU 51 determines the presence / absence of the block of the spot 49 having the probe 48 complementary to the sample from the gradation data that has undergone the rewriting process according to the program, and the signal processing circuit 58 determines the base sequence of the specific DNA. Alternatively, a result information data signal relating to amino acid sequence determination of a specific protein is generated and output to the output device 6.

本実施形態の効果について図11を用いて説明する。
図11(a)は、ステップS23においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示すものであり、図11(b)は、最後の画素の処理が終わった場合にステップS27においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示すものである。図11において、図5のような8×8個のダブルゲートトランジスタ20,20,…からなるダブルゲートトランジスタアレイ2を用いている。また、図11において、1番目のブロックAに点着したスポット49がサンプルと相補的であるものとし、2〜4番目のブロックB,C,Dに点着したスポット49,49,49はサンプルと相補的でないものとする。
The effect of this embodiment is demonstrated using FIG.
FIG. 11A schematically shows the image data stored in the data storage unit 54 in step S23, and FIG. 11B shows the data in step S27 when the last pixel has been processed. The image data stored in the memory | storage part 54 are shown typically. 11, a double gate transistor array 2 composed of 8 × 8 double gate transistors 20, 20,... As shown in FIG. Further, in FIG. 11, the spot 49 spotted on the first block A is assumed to be complementary to the sample, and the spots 49, 49, 49 spotted on the second to fourth blocks B, C, D are samples. And not complementary.

図11(a)に示すように、1番目のブロックAでは、スポット49がサンプルと相補的であるから、スポット49から発した蛍光がダブルゲートトランジスタ20,20,…に入射するので、各画素の階調データが検出閾値(ここでは、61)以上となっている。また、2〜4番目のブロックB,C,Dでは、スポット49,49,49がサンプルと相補的でないから、スポット49から蛍光が発しないので、各画素の階調データが検出閾値未満となっている。   As shown in FIG. 11A, in the first block A, since the spot 49 is complementary to the sample, the fluorescence emitted from the spot 49 is incident on the double gate transistors 20, 20,. Gradation data is equal to or greater than the detection threshold (61 in this case). In the second to fourth blocks B, C, and D, since the spots 49, 49, and 49 are not complementary to the sample, no fluorescence is emitted from the spot 49. Therefore, the gradation data of each pixel is less than the detection threshold. ing.

本実施形態では、検出閾値未満となる画素の階調データを最低輝度階調ゼロに書き換えるから(ステップS27)、ブロックA内の各画素の階調データとブロックB,C,D内の各画素の階調データとの差が大きくなる。   In the present embodiment, since the gradation data of the pixel that is less than the detection threshold is rewritten to the minimum luminance gradation zero (step S27), the gradation data of each pixel in the block A and each pixel in the blocks B, C, and D. The difference from the gradation data becomes larger.

〔第3の実施の形態〕
図1を援用して第3の実施形態における配列特定支援装置について説明する。第3の実施形態における配列特定支援装置は、図1に示された配列特定支援装置1と同様に、スポット49,49,…、ダブルゲートトランジスタアレイ2、駆動回路3、励起光照射装置4、コントローラ5及び出力装置6から構成されている。これらは第1の実施形態の配列特定支援装置1の各部と基本的に同一である。但し、配列特定支援装置1ではROM53にプログラム53aが格納されているのに対して、第3の実施形態の配列特定支援装置ではROM53にはプログラム53aの代わりに別のプログラムが格納されていることが相違する。
[Third Embodiment]
With reference to FIG. 1, an arrangement identification support apparatus according to the third embodiment will be described. The array specification support apparatus in the third embodiment is similar to the array specification support apparatus 1 shown in FIG. 1, the spots 49, 49,..., The double gate transistor array 2, the drive circuit 3, the excitation light irradiation apparatus 4, It comprises a controller 5 and an output device 6. These are basically the same as each part of the arrangement specifying support device 1 of the first embodiment. However, the sequence identification support device 1 stores the program 53a in the ROM 53, whereas the sequence identification support device of the third embodiment stores another program in the ROM 53 instead of the program 53a. Is different.

このプログラムはCPU51にとって読取可能なプログラムであり、コントローラ5はRAM52を作業領域としてCPU51でROM53のプログラムに従った演算処理を行うように設けられている。コントローラ5は、そのプログラムに従ったCPU51の演算処理により以下の各手段として機能する。   This program is a program that can be read by the CPU 51, and the controller 5 is provided so that the CPU 51 performs arithmetic processing according to the program of the ROM 53 using the RAM 52 as a work area. The controller 5 functions as the following units by the arithmetic processing of the CPU 51 according to the program.

即ち、コントローラ5は、I/F55をもって励起光照射装置4を発光させる励起光照射制御手段として機能する。   That is, the controller 5 functions as excitation light irradiation control means for causing the excitation light irradiation device 4 to emit light with the I / F 55.

また、コントローラ5は、タイミング制御部57をもって駆動回路3及びA/Dコンバータ56を作動させることにより、ダブルゲートトランジスタアレイ2で撮像された画像データであって各ダブルゲートトランジスタ20,20,…の階調データからなる画像データを入力する画像データ入力手段として機能する。   In addition, the controller 5 operates the drive circuit 3 and the A / D converter 56 with the timing control unit 57, whereby the image data captured by the double gate transistor array 2 and the double gate transistors 20, 20,. It functions as image data input means for inputting image data composed of gradation data.

また、コントローラ5は、データ記憶部54に格納された画像データの各画素の階調データを読み出す読出手段として機能する。   In addition, the controller 5 functions as a reading unit that reads gradation data of each pixel of the image data stored in the data storage unit 54.

また、コントローラ5は、読み出した各画素の階調データが異常閾値以上であるか否かを判定する判定手段として機能する。ここで、異常閾値とは、正常なダブルゲートトランジスタ20に励起光が入射したものとすると、そのダブルゲートトランジスタ20に対応する画素の階調データのうちの最低輝度値である。なお、正常なダブルゲートトランジスタ20に励起光が入射せずに蛍光が入射した場合には、そのダブルゲートトランジスタ20に対応する画素の階調データが検出閾値以上異常閾値未満となる。   Further, the controller 5 functions as a determination unit that determines whether or not the read gradation data of each pixel is equal to or higher than the abnormal threshold value. Here, the abnormal threshold is the lowest luminance value among the gradation data of the pixels corresponding to the double gate transistor 20 when the excitation light is incident on the normal double gate transistor 20. Note that when excitation light does not enter the normal double gate transistor 20 and fluorescence enters, the grayscale data of the pixel corresponding to the double gate transistor 20 is greater than or equal to the detection threshold and less than the abnormal threshold.

また、コントローラ5は、階調データが異常閾値以上と判定された画素について、データ記憶部54に格納された階調データを異常閾値未満の値(ここでは、ゼロ)に書き換える書換手段として機能する。   In addition, the controller 5 functions as a rewriting unit that rewrites the gradation data stored in the data storage unit 54 to a value (in this case, zero) that is less than the abnormality threshold for the pixel for which the gradation data is determined to be greater than or equal to the abnormality threshold. .

また、コントローラ5は、階調データが書き換えられた画素と階調データが書き換えられていない画素とからなる画像データ(データ記憶部54に格納された画像データ)を、信号処理回路58をもって出力装置6に出力させる出力制御手段として機能する。   In addition, the controller 5 outputs, as a signal processing circuit 58, image data (image data stored in the data storage unit 54) composed of pixels whose gradation data has been rewritten and pixels whose gradation data has not been rewritten. 6 functions as an output control means for outputting to the apparatus 6.

第3の実施形態の配列特定支援装置を用いてサンプルをシークエンスする方法と、この配列特定支援装置の動作と、コントローラ5の処理の流れと、について説明する。   A method for sequencing a sample using the sequence identification support device of the third embodiment, the operation of the sequence identification support device, and the processing flow of the controller 5 will be described.

サンプルを含有した溶液をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に満たし電気泳動を行い、各スポット49のプローブ48群に近接するようにする。このとき、サンプルは加熱され一本鎖の状態になっている。そして一本鎖のサンプルが各スポット49のプローブ48群とハイブリダイゼーションできる程度にまで温度を下げると、サンプルは、スポット49,49,…のうち相補性を有するプローブ48群のあるスポット49があれば、そのプローブ48とハイブリダイゼーションによって結合し、相補性を有しないプローブ48群のスポット49であれば、そのプローブ48とは結合しない。ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に塗布したサンプルのうちハイブリダイゼーションしなかったものは洗い流す。次に、作業者はサンプルを塗布したダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面を励起光照射装置4に対向させ、ダブルゲートトランジスタアレイ2及び駆動回路3をセッティングする。次に、作業者が配列特定支援装置の電源をオンにすると、コントローラ5がCPU51でROM53のプログラムを実行して、プログラムに従った処理を行う。コントローラ5の処理の流れについて図12を用いて説明する。   The solution containing the sample is filled in the light-receiving surface of the double gate transistor array 2 and electrophoresed so as to be close to the probe 48 group of each spot 49. At this time, the sample is heated and is in a single-stranded state. When the temperature is lowered to such an extent that a single-stranded sample can be hybridized with the probe 48 group of each spot 49, the sample has a spot 49 with a complementary probe 48 group among the spots 49, 49,. For example, a spot 49 in a group of probes 48 that binds to the probe 48 by hybridization and does not have complementarity does not bind to the probe 48. Of the sample applied to the light receiving surface of the double gate transistor array 2, the sample that has not been hybridized is washed away. Next, the operator sets the double gate transistor array 2 and the drive circuit 3 with the light receiving surface of the double gate transistor array 2 coated with the sample facing the excitation light irradiation device 4. Next, when the operator turns on the power of the arrangement specifying support device, the controller 5 executes the program in the ROM 53 by the CPU 51 and performs processing according to the program. A processing flow of the controller 5 will be described with reference to FIG.

まず、コントローラ5がI/F55を介して励起光照射装置4を点灯させると、励起光照射装置4が励起光をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に向けて照射する(ステップS31:励起光照射制御工程)。   First, when the controller 5 turns on the excitation light irradiation device 4 via the I / F 55, the excitation light irradiation device 4 irradiates the excitation light toward the light receiving surface of the double gate transistor array 2 (step S31: excitation light irradiation). Control process).

励起光照射装置4から発した励起光によって、スポット49,49,…のうちサンプルとハイブリダイゼーションしたスポット49では蛍光が発し、サンプルと結合しなかったスポット49では蛍光が発しない。そのため、サンプルと結合したスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20には高強度の蛍光が入射し、サンプルと結合していないスポット49に重なったダブルゲートトランジスタ20には蛍光が殆ど入射しない。   ... The spot 49 hybridized with the sample emits fluorescence by the excitation light emitted from the excitation light irradiation device 4, and the spot 49 that does not bind to the sample does not emit fluorescence. Therefore, high-intensity fluorescence is incident on the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 combined with the sample, and almost no fluorescence is incident on the double gate transistor 20 that overlaps the spot 49 not combined with the sample.

次に、コントローラ5がタイミング制御部57をもって駆動回路3を制御すると、駆動回路3がダブルゲートトランジスタアレイ2を駆動し、ダブルゲートトランジスタアレイ2が撮像動作を行う。ダブルゲートトランジスタアレイ2がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれで蛍光光量を検知し、ドレインドライバ76がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれの光量を増幅電圧としてA/Dコンバータ56に順次出力する。これにより、コントローラ5が、ドレインドライバ76から順次入力した増幅電圧からなる蛍光データをA/Dコンバータ56により画素の8bit階調データに順次変換することによって、各画素の階調データからなる画像データを入力する(ステップS32:画像データ入力工程)。   Next, when the controller 5 controls the drive circuit 3 with the timing control unit 57, the drive circuit 3 drives the double gate transistor array 2, and the double gate transistor array 2 performs an imaging operation. The double gate transistor array 2 detects the amount of fluorescent light by each of the double gate transistors 20, 20,..., And the drain driver 76 sequentially supplies the respective light amounts of the double gate transistors 20, 20,. Output. As a result, the controller 5 sequentially converts the fluorescence data composed of the amplified voltage inputted from the drain driver 76 into the 8-bit gradation data of the pixel by the A / D converter 56, whereby the image data composed of the gradation data of each pixel. (Step S32: Image data input step).

コントローラ5は、各画素の階調データをデータ記憶部54に順次記憶することによって、各画素の階調データからなる画像データをデータ記憶部54に記憶する(ステップS33:画像データ記憶工程)。   The controller 5 sequentially stores the gradation data of each pixel in the data storage unit 54, thereby storing the image data including the gradation data of each pixel in the data storage unit 54 (step S33: image data storage step).

次に、コントローラ5は、画素の階調データをデータ記憶部54から読み出すことを画素ごとに順次行う(ステップS34、ステップS35、ステップS38、ステップS39:読出工程)。   Next, the controller 5 sequentially reads out the gradation data of the pixels from the data storage unit 54 for each pixel (step S34, step S35, step S38, step S39: reading step).

コントローラ5は、読み出した画素の階調データに対して以下のような処理を行う。即ち、コントローラ5は、画素の階調データを異常閾値(例えば、181)と比較することにより、階調データが異常閾値以上となるか否かを判定する(ステップS36:判定工程)。   The controller 5 performs the following processing on the read gradation data of the pixels. That is, the controller 5 compares the gradation data of the pixel with an abnormal threshold (for example, 181) to determine whether the gradation data is equal to or higher than the abnormal threshold (step S36: determination step).

読み出した階調データが異常閾値以上である場合には、コントローラ5が、その画素の階調データをゼロに書き換えてデータ記憶部54に記憶する(ステップS37:書換工程)。一方、読み出した階調データが異常閾値未満である場合には、コントローラ5が、その画素の階調データを書き換えずにそのままデータ記憶部54に記憶させておく。   If the read gradation data is greater than or equal to the abnormal threshold, the controller 5 rewrites the gradation data of the pixel to zero and stores it in the data storage unit 54 (step S37: rewrite process). On the other hand, when the read gradation data is less than the abnormal threshold value, the controller 5 stores the gradation data of the pixel in the data storage unit 54 without rewriting.

コントローラ5は、ステップS35〜ステップS37の処理を画素ごとに繰り返し行う(ステップS38、ステップS39:Yes)。そして、コントローラ5は、全(m×n)個の画素についてステップS35〜ステップS37の処理を行ったら(ステップS39:No)、データ記憶部54に記憶した画像データを信号処理回路58により信号処理する。   The controller 5 repeats the processing of step S35 to step S37 for each pixel (step S38, step S39: Yes). Then, when the controller 5 performs the processing of step S35 to step S37 for all (m × n) pixels (step S39: No), the signal processing circuit 58 performs signal processing on the image data stored in the data storage unit 54. To do.

そして、CPU51は、プログラムに則って書換工程を経た階調データからサンプルと相補的であったプローブ48のあるスポット49のブロックの有無を判定し、信号処理回路58が特定のDNAの塩基配列判定又は特定のタンパク質のアミノ酸配列判定に関する結果情報データ信号を生成して出力装置6に対して出力する。   Then, the CPU 51 determines the presence / absence of the block of the spot 49 having the probe 48 complementary to the sample from the gradation data that has undergone the rewriting process according to the program, and the signal processing circuit 58 determines the base sequence of the specific DNA. Alternatively, a result information data signal relating to amino acid sequence determination of a specific protein is generated and output to the output device 6.

本実施形態の効果について図13を用いて説明する。
図13(a)は、ステップS33においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示すものであり、図13(b)は、最後の画素の処理が終わった場合にステップS27においてデータ記憶部54に格納された画像データを模式的に示すものである。図13において、図5のような8×8個のダブルゲートトランジスタ20,20,…からなるダブルゲートトランジスタアレイ2を用いている。また、図13において、1番目のブロックAに点着したスポット49がサンプルと相補的であるものとし、2〜4番目のブロックB,C,Dに点着したスポット49,49,49はサンプルと相補的でないものとする。また、画素P3のダブルゲートトランジスタ20の上では、励起光遮蔽層34が破損しており、そのためにそのダブルゲートトランジスタ20に励起光が入射する。
The effect of this embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 13A schematically shows the image data stored in the data storage unit 54 in step S33, and FIG. 13B shows the data in step S27 when the last pixel processing is completed. The image data stored in the memory | storage part 54 are shown typically. 13, a double gate transistor array 2 composed of 8 × 8 double gate transistors 20, 20,... As shown in FIG. In FIG. 13, it is assumed that the spot 49 spotted on the first block A is complementary to the sample, and the spots 49, 49, 49 spotted on the second to fourth blocks B, C, D are samples. And not complementary. Further, the excitation light shielding layer 34 is broken on the double gate transistor 20 of the pixel P3, and therefore, the excitation light is incident on the double gate transistor 20.

図13(a)に示すように、1番目のブロックAでは、スポット49がサンプルと相補的であるから、スポット49から発した蛍光がダブルゲートトランジスタ20,20,…に入射するので、各画素の階調データが検出閾値(ここでは、61)以上となっている。また、2,4番目のブロックB,Dでは、スポット49,49がサンプルと相補的でないから、スポット49から蛍光が発しないので、各画素の階調データが検出閾値未満となっている。3番目のブロックCでは、スポット49がサンプルと相補的でないから、スポット49が発光しないので、画素P3を除く各画素の階調データが検出閾値未満となっている。しかしながら、画素P3のダブルゲートトランジスタ20には励起光が入射するから、画素P3の階調データが異常閾値以上となってしまう。仮に、このような画像データ(ステップS33においてデータ記憶部54に格納された画像データ)が出力装置6から出力されると、ブロックBの画素P3が検出閾値以上となっているから、サンプルが3番目のブロックCのスポット49と相補的であると誤認識されるおそれがある。   As shown in FIG. 13A, in the first block A, since the spot 49 is complementary to the sample, the fluorescence emitted from the spot 49 is incident on the double gate transistors 20, 20,. Gradation data is equal to or greater than the detection threshold (61 in this case). In the second and fourth blocks B and D, since the spots 49 and 49 are not complementary to the sample, no fluorescence is emitted from the spot 49, so the gradation data of each pixel is less than the detection threshold. In the third block C, since the spot 49 is not complementary to the sample, the spot 49 does not emit light, so the gradation data of each pixel except the pixel P3 is less than the detection threshold. However, since excitation light is incident on the double gate transistor 20 of the pixel P3, the gradation data of the pixel P3 becomes equal to or higher than the abnormal threshold value. If such image data (image data stored in the data storage unit 54 in step S33) is output from the output device 6, the pixel P3 of the block B is equal to or greater than the detection threshold value, so that the sample is 3 There is a possibility of being erroneously recognized as being complementary to the spot 49 of the second block C.

しかしながら、本実施形態では、異常閾値以上となる画素の階調データをゼロに書き換えるから(ステップS37)、このような画像データ(最後の画素の処理が終わった場合にステップS37においてデータ記憶部54に格納された画像データ)が出力装置6から出力されると、サンプルが3番目のブロックCのスポット49と相補的であると誤認識されることを防止することができる。   However, in the present embodiment, the gradation data of the pixel that is equal to or higher than the abnormal threshold is rewritten to zero (step S37), and thus such image data (the data storage unit 54 in step S37 when the processing of the last pixel is finished). When the output data is output from the output device 6, it is possible to prevent the sample from being erroneously recognized as being complementary to the spot 49 of the third block C.

〔第4の実施の形態〕
図1を援用して第4の実施形態における配列特定支援装置について説明する。第4の実施形態における配列特定支援装置は、図1に示された配列特定支援装置1と同様に、ダブルゲートトランジスタアレイ2、駆動回路3、励起光照射装置4、コントローラ5及び出力装置6から構成されている。これらは第1の実施形態の配列特定支援装置1の各部と基本的に同一である。
[Fourth Embodiment]
With reference to FIG. 1, an arrangement specifying support apparatus according to the fourth embodiment will be described. The array specification support apparatus in the fourth embodiment is similar to the array specification support apparatus 1 shown in FIG. 1 from the double gate transistor array 2, the drive circuit 3, the excitation light irradiation device 4, the controller 5, and the output device 6. It is configured. These are basically the same as each part of the arrangement specifying support device 1 of the first embodiment.

但し、ダブルゲートトランジスタアレイ2は、図14に示すように、ダブルゲートトランジスタ20,20,…が縦8個×横8個のマトリクス状に配列されたものである。また、ダブルゲートトランジスタ20,20,…が縦に4個ごと且つ横に4個ごとに組分けされ、4×4個のダブルゲートトランジスタ20,20,…からなるブロックが4組ある。ここで、ブロックA〜Dのスポット49のプローブ48は互いに塩基配列又はアミノ配列が異なっているので、サンプルで蛍光を示すブロック数は一つを越えることはない。   However, in the double gate transistor array 2, as shown in FIG. 14, double gate transistors 20, 20,... Are arranged in a matrix of 8 vertical × 8 horizontal. In addition, the double gate transistors 20, 20,... Are grouped in groups of 4 in the vertical direction and 4 in the horizontal direction, and there are four sets of blocks each including 4 × 4 double gate transistors 20, 20,. Here, since the probes 48 of the spots 49 in the blocks A to D have different base sequences or amino sequences, the number of blocks that show fluorescence in the sample does not exceed one.

また、配列特定支援装置1ではROM53にプログラム53aが格納されているのに対して、第4の実施形態の配列特定支援装置ではROM53にはプログラム53aの代わりに別のプログラムが格納されていることが相違する。   Further, in the sequence identification support device 1, the program 53a is stored in the ROM 53, whereas in the sequence identification support device of the fourth embodiment, another program is stored in the ROM 53 instead of the program 53a. Is different.

このプログラムはCPU51にとって読取可能なプログラムであり、コントローラ5はRAM52を作業領域としてCPU51でROM53のプログラムに従った演算処理を行うように設けられている。コントローラ5は、そのプログラムに従ったCPU51の演算処理により以下の各手段として機能する。   This program is a program that can be read by the CPU 51, and the controller 5 is provided so that the CPU 51 performs arithmetic processing according to the program of the ROM 53 using the RAM 52 as a work area. The controller 5 functions as the following units by the arithmetic processing of the CPU 51 according to the program.

即ち、コントローラ5は、I/F55をもって励起光照射装置4を発光させる励起光照射制御手段として機能する。   That is, the controller 5 functions as excitation light irradiation control means for causing the excitation light irradiation device 4 to emit light with the I / F 55.

また、コントローラ5は、タイミング制御部57をもって駆動回路3及びA/Dコンバータ56を作動させることにより、ダブルゲートトランジスタアレイ2で撮像された画像データであって各ダブルゲートトランジスタ20,20,…の階調データからなる画像データを入力する画像データ入力手段として機能する。   In addition, the controller 5 operates the drive circuit 3 and the A / D converter 56 with the timing control unit 57, whereby the image data captured by the double gate transistor array 2 and the double gate transistors 20, 20,. It functions as image data input means for inputting image data composed of gradation data.

また、コントローラ5は、A/Dコンバータ56をもって順次変換された画素の階調データをデータ記憶部54に格納することにより、各画素の階調データからなる画像データを記憶する画像データ記憶手段として機能する。   Further, the controller 5 stores the gradation data of the pixels sequentially converted by the A / D converter 56 in the data storage unit 54, thereby serving as image data storage means for storing image data composed of the gradation data of each pixel. Function.

また、コントローラ5は、データ記憶部54に格納された各画素の階調データを読み出す読出手段として機能する。   In addition, the controller 5 functions as a reading unit that reads the gradation data of each pixel stored in the data storage unit 54.

また、コントローラ5は、任意行の全画素(任意行のドレインライン43に接続された全てのダブルゲートトランジスタ20)の階調データが検出閾値以上であるか否かを判定する判定手段として機能する。ここでの検出閾値も、正常なダブルゲートトランジスタ20に蛍光が入射したものとすると、そのダブルゲートトランジスタ20に対応する画素の階調データのうちの最低輝度階調値である。   Further, the controller 5 functions as a determination unit that determines whether or not the gradation data of all the pixels in any row (all the double gate transistors 20 connected to the drain line 43 in any row) is equal to or higher than the detection threshold. . The detection threshold here is also the lowest luminance gradation value in the gradation data of the pixel corresponding to the double gate transistor 20 if fluorescence is incident on a normal double gate transistor 20.

また、コントローラ5は、前記任意行の全画素が階調データを検出閾値以上としたものであると判定された場合に、前記任意行が位置するブロックが前記任意行の画素を除いた閾値未満の画素数が所定数T以下であるか否かを判定する判定手段として機能する。所定数Tとは、ブロック内の画素の総数(i×j)と最大線欠陥率Uとの積である。最大線欠陥率Uとは、通常の製造プロセスで製造されたダブルゲートトランジスタアレイ2のドレインライン43,43,…に出力される電圧が正常値と異なるドレインライン43の最大発生率である。また、前記判定手段で所定数T以下とみなしたブロックのうち、閾値以上の画素を除いて列毎の画素の階調値の平均値を求め、さらに、この平均値に対する当該列の閾値以上の画素の階調値の比率を算出する算出手段として機能する。
そして、コントローラ5は、前記列毎に求められた前記比率の平均値を算出する算出手段としても機能する。
In addition, when it is determined that all the pixels in the arbitrary row have gradation data equal to or higher than the detection threshold, the controller 5 determines that the block in which the arbitrary row is located is less than the threshold excluding the pixels in the arbitrary row. Functions as a determination means for determining whether the number of pixels is equal to or less than a predetermined number T. The predetermined number T is a product of the total number of pixels (i × j) in the block and the maximum line defect rate U. The maximum line defect rate U is the maximum occurrence rate of the drain line 43 in which the voltage output to the drain lines 43, 43,... Of the double gate transistor array 2 manufactured by the normal manufacturing process is different from the normal value. Further, the average value of the gradation values of the pixels for each column is obtained by excluding the pixels that are equal to or greater than the threshold value among the blocks that are determined to be equal to or less than the predetermined number T by the determination unit, and further, the average value that is equal to or greater than the threshold value of the column with respect to the average value. It functions as calculation means for calculating the ratio of the gradation value of the pixel.
And the controller 5 functions also as a calculation means which calculates the average value of the said ratio calculated | required for every said row | line | column.

また、コントローラ5は、閾値未満の画素数が所定数Tを越えるためにハイブリダイゼーションを起こしたとみなされるブロックの各画素のうち前記任意行の各画素について、前記比率で除して、階調データを書き換える書換手段として機能する。   Further, the controller 5 divides the pixels of the arbitrary row among the pixels of the block considered to have caused hybridization because the number of pixels less than the threshold exceeds the predetermined number T, and divides the gradation data by the ratio. It functions as a rewriting means for rewriting.

また、コントローラ5は、書換工程を経た階調データに応じた判定結果を、信号処理回路58をもって出力装置6に出力させる出力制御手段として機能する。   In addition, the controller 5 functions as an output control unit that causes the output device 6 to output a determination result corresponding to the gradation data that has undergone the rewriting process by the signal processing circuit 58.

第4の実施形態の配列特定支援装置を用いてサンプルをシークエンスする方法と、この配列特定支援装置の動作と、コントローラ5の処理の流れと、について説明する。   A method for sequencing a sample using the sequence identification support device of the fourth embodiment, the operation of the sequence identification support device, and the processing flow of the controller 5 will be described.

作業者は、採取したサンプルに蛍光物質を結合させることにより、サンプルに標識を付す。次いで、作業者が、サンプルを含有した溶液をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に塗布する。サンプルとスポット49が相補的である場合には、サンプルがスポット49と結合し、サンプルとスポット49が相補的でない場合には、サンプルがスポット49と結合しない。ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に塗布したサンプルのうちハイブリダイゼーションしなかったものは洗い流す。次に、作業者はサンプルを塗布したダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面を励起光照射装置4に対向させ、ダブルゲートトランジスタアレイ2及び駆動回路3をセッティングする。次に、作業者が配列特定支援装置の電源をオンにすると、コントローラ5がCPU51でROM53のプログラムを実行して、プログラムに従った処理を行う。コントローラ5の処理の流れについて図15を用いて説明する。   The operator attaches a label to the sample by binding a fluorescent substance to the collected sample. Next, the operator applies a solution containing the sample to the light receiving surface of the double gate transistor array 2. If the sample and spot 49 are complementary, the sample binds to spot 49, and if the sample and spot 49 are not complementary, the sample does not bind to spot 49. Of the sample applied to the light receiving surface of the double gate transistor array 2, the sample that has not been hybridized is washed away. Next, the operator sets the double gate transistor array 2 and the drive circuit 3 with the light receiving surface of the double gate transistor array 2 coated with the sample facing the excitation light irradiation device 4. Next, when the operator turns on the power of the arrangement specifying support device, the controller 5 executes the program in the ROM 53 by the CPU 51 and performs processing according to the program. The processing flow of the controller 5 will be described with reference to FIG.

まず、コントローラ5がI/F55を介して励起光照射装置4を点灯させると、励起光照射装置4が励起光をダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面に向けて照射する(ステップS41:励起光照射制御工程)。   First, when the controller 5 turns on the excitation light irradiation device 4 via the I / F 55, the excitation light irradiation device 4 irradiates the excitation light toward the light receiving surface of the double gate transistor array 2 (step S41: excitation light irradiation). Control process).

励起光照射装置4から発した励起光によって、サンプルがスポット49と結合した場合には、スポット49から蛍光が発し、サンプルがスポット49と結合しなかった場合には、スポット49から蛍光が発しない。   When the sample is combined with the spot 49 by the excitation light emitted from the excitation light irradiation device 4, fluorescence is emitted from the spot 49, and when the sample is not combined with the spot 49, no fluorescence is emitted from the spot 49. .

次に、コントローラ5がタイミング制御部57をもって駆動回路3を制御すると、駆動回路3がダブルゲートトランジスタアレイ2を駆動し、ダブルゲートトランジスタアレイ2が撮像動作を行う。ダブルゲートトランジスタアレイ2がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれで光量を検知し、ドレインドライバ76がダブルゲートトランジスタ20,20,…のそれぞれの光量を増幅電圧からなる蛍光データとしてA/Dコンバータ56に順次出力する。これにより、コントローラ5が、ドレインドライバ76から順次入力した増幅電圧からなる蛍光データをA/Dコンバータ56により画素の8bit階調データに順次変換することによって、各画素の階調データからなる画像データを入力する(ステップS42:画像データ入力工程)。   Next, when the controller 5 controls the drive circuit 3 with the timing control unit 57, the drive circuit 3 drives the double gate transistor array 2, and the double gate transistor array 2 performs an imaging operation. The double gate transistor array 2 detects the light amount of each of the double gate transistors 20, 20,..., And the drain driver 76 converts each light amount of the double gate transistors 20, 20,. 56 are sequentially output. As a result, the controller 5 sequentially converts the fluorescence data composed of the amplified voltage inputted from the drain driver 76 into the 8-bit gradation data of the pixel by the A / D converter 56, whereby the image data composed of the gradation data of each pixel. (Step S42: Image data input step).

コントローラ5は、各画素の階調データをデータ記憶部54に順次記憶することによって、各画素の階調データからなる画像データをデータ記憶部54に記憶する(ステップS43:画像データ記憶工程)。   The controller 5 sequentially stores the gradation data of each pixel in the data storage unit 54, thereby storing the image data including the gradation data of each pixel in the data storage unit 54 (step S43: image data storage step).

次に、コントローラ5は、各画素の階調データを読み出す(ステップS44:読出工程)。次に、コントローラ5は、任意行の線状欠陥が存在するか否かを判定する(ステップS45:判定工程)。具体的には、任意行の全ての画素の階調データが検出閾値(ここでは、61)以上であれば、コントローラ5はその任意行が線状欠陥の行であると判定し、任意行の全画素のうち1つでも検出閾値未満の階調データの画素があれば、コントローラ5はその行が線状欠陥の行でないと判定する。   Next, the controller 5 reads the gradation data of each pixel (step S44: reading step). Next, the controller 5 determines whether or not there is a linear defect in an arbitrary row (step S45: determination step). Specifically, if the gradation data of all the pixels in the arbitrary row is equal to or greater than the detection threshold (61 in this case), the controller 5 determines that the arbitrary row is a line defect line, and If at least one of all the pixels has gradation data less than the detection threshold, the controller 5 determines that the row is not a line defect row.

線状欠陥の行が存在しない場合には(ステップS45:No)、コントローラ5はデータ記憶部54に記憶した画像データを信号処理回路58により信号処理を行い、画像データに従った結果を出力装置6に出力する。   If there is no line defect line (step S45: No), the controller 5 performs signal processing on the image data stored in the data storage unit 54 by the signal processing circuit 58, and outputs the result according to the image data to the output device. 6 is output.

一方、図16(a)に示すように、線状欠陥の行が存在する場合には(ステップS45:Yes)、コントローラ5は、まず、線状欠陥の行が位置するブロックが線状欠陥の行の画素を除いた閾値未満の画素数が所定数T以下であるか否かを判定する。所定数T以下のブロックBはハイブリダイゼーションが起きておらず、所定数Tを越えたブロックAはハイブリダイゼーションが起きたとみなす。引き続きコントローラ5は、所定数T以下とみなしたブロックBのうち、閾値以上の画素を除いて列毎の画素の階調値の平均値を求める。つまり、第6列〜第9列のそれぞれの平均値は、55、55、56、56となる。そして、この平均値に対する当該列の閾値以上の画素の階調値の比率を算出する。すなわち第6列〜第9列の比率はそれぞれ、64/55、64/55、66/56、66/56となる。そして、コントローラ5は、前記列毎に求められた前記比率の平均値を算出する。つまり、(64/55+64/55+66/56+66/56)/4=1.17となる(ステップS46:算出工程)。
一方、閾値未満の画素数が所定数Tを越えるためにハイブリダイゼーションを起こしたとみなされるブロックAの各画素のうち前記任意行の各画素について、前記比率を除算する。つまり、図16(b)に示すように、第1列〜第4列は、87/1.17、110/1.17、111/1.17、88/1.17となり四捨五入された値としてデータ記憶部54に書き換える(ステップS47:書換工程)。そして、コントローラ5はデータ記憶部54に記憶した画像データを信号処理回路58により信号処理を行い、画像データに従った信号を出力装置6に出力する。
On the other hand, as shown in FIG. 16A, when there is a line defect line (step S45: Yes), the controller 5 first determines that the block in which the line defect line is located is a line defect line. It is determined whether or not the number of pixels less than the threshold excluding the pixels in the row is a predetermined number T or less. A block B having a predetermined number T or less is not hybridized, and a block A exceeding the predetermined number T is considered to have been hybridized. Subsequently, the controller 5 obtains the average value of the gradation values of the pixels for each column except for the pixels that are equal to or greater than the threshold in the block B that is regarded as the predetermined number T or less. That is, the average values of the sixth column to the ninth column are 55, 55, 56, and 56, respectively. Then, the ratio of the gradation value of the pixel equal to or greater than the threshold value of the column with respect to the average value is calculated. That is, the ratios of the sixth column to the ninth column are 64/55, 64/55, 66/56, and 66/56, respectively. And the controller 5 calculates the average value of the said ratio calculated | required for every said row | line | column. That is, (64/55 + 64/55 + 66/56 + 66/56) /4=1.17 (step S46: calculation step).
On the other hand, the ratio is divided for each pixel in the arbitrary row among the pixels of the block A that is considered to have caused hybridization because the number of pixels less than the threshold exceeds the predetermined number T. That is, as shown in FIG. 16 (b), the first column to the fourth column are 87 / 1.17, 110 / 1.17, 111 / 1.17, 88 / 1.17 and rounded values. The data storage unit 54 is rewritten (step S47: rewrite process). Then, the controller 5 performs signal processing on the image data stored in the data storage unit 54 by the signal processing circuit 58 and outputs a signal according to the image data to the output device 6.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention.

上記各実施形態では、光電変換素子としてダブルゲートトランジスタ20,20,…を画素として用いたダブルゲートトランジスタアレイ2を撮像素子として用いているが、別の種類の光電変換素子を画素として用いた固体撮像素子を用いても良い。例えば、フォトダイオードを画素として用いたCCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサ等といった固体撮像素子を用いても良い。CCDイメージセンサにおいては、フォトダイオードが基板上にマトリクス状となって配列されており、それぞれのフォトダイオードの周囲には、フォトダイオードで光電変換された電気信号を転送するための垂直CCD、水平CCDが形成されている。CMOSイメージセンサにおいては、フォトダイオードが基板上にマトリクス状となって配列されており、それぞれのフォトダイオードの周囲にはフォトダイオードで光電変換された電気信号を増幅するためのCMOS回路が設けられている。   In each of the above embodiments, the double gate transistor array 2 using the double gate transistors 20, 20,... As the pixels is used as the imaging element as the photoelectric conversion element, but a solid state using another type of photoelectric conversion element as the pixel. An image sensor may be used. For example, a solid-state image sensor such as a CCD image sensor or a CMOS image sensor using a photodiode as a pixel may be used. In a CCD image sensor, photodiodes are arranged in a matrix on a substrate, and around each photodiode, a vertical CCD and a horizontal CCD for transferring an electrical signal photoelectrically converted by the photodiode. Is formed. In a CMOS image sensor, photodiodes are arranged in a matrix on a substrate, and a CMOS circuit for amplifying an electric signal photoelectrically converted by the photodiodes is provided around each photodiode. Yes.

また、上記各実施形態では、ダブルゲートトランジスタアレイ2の受光面にスポット49,49,…が点着しているが、基板等に複数種のスポットを点着しても良い(即ち、従来のDNAマイクロアレイを用いても良い)。この場合、ダブルゲートトランジスタアレイ2と基板との間に光学系(レンズ)を配設し、基板上に配列された複数種のスポットをダブルゲートトランジスタアレイ2に結像すれば、ダブルゲートトランジスタアレイ2で複数種のスポットを撮像することができる。勿論、レンズにより結像する場合において、ダブルゲートトランジスタアレイ2ではなく、他の固体撮像素子を用いても良い。ここで、ダブルゲートトランジスタアレイ2、CCDイメージセンサ、CMOSイメージセンサといった撮像素子と、複数種のスポットの像を撮像素子に結像する光学系とからなるものが電子カメラである。   In the above embodiments, spots 49, 49,... Are spotted on the light receiving surface of the double gate transistor array 2. However, a plurality of types of spots may be spotted on a substrate or the like (that is, conventional spots). DNA microarrays may be used). In this case, if an optical system (lens) is disposed between the double gate transistor array 2 and the substrate and a plurality of types of spots arranged on the substrate are imaged on the double gate transistor array 2, the double gate transistor array 2 can image a plurality of types of spots. Of course, when forming an image with a lens, instead of the double gate transistor array 2, another solid-state imaging device may be used. Here, an electronic camera includes an imaging device such as a double gate transistor array 2, a CCD image sensor, and a CMOS image sensor and an optical system that forms images of a plurality of types of spots on the imaging device.

また、基板等に複数種のスポットを点着したものを用いる場合、電子カメラを用いるのではなく、スキャナを用いて複数種のスポットの像を撮像(画像入力)しても良い。スキャナは、基板等に配列された複数種のスポットをラインセンサ(線状の撮像素子)で走査するものである。
上記実施形態では、駆動回路付撮像デバイス9はその励起光照射装置4の照射範囲に対して着脱可能に設けられている。駆動回路付撮像デバイス9を消耗品として交換可能にしたが、ダブルゲートトランジスタアレイ2を駆動回路3から着脱可能に設けることによってダブルゲートトランジスタアレイ2のみを交換可能にしてもよい。この場合、駆動回路3は複数のダブルゲートトランジスタアレイ2に用いることが可能となる。
Further, when using a substrate or the like on which a plurality of types of spots are spotted, an image of a plurality of types of spots may be captured (image input) using a scanner instead of using an electronic camera. The scanner scans a plurality of types of spots arranged on a substrate or the like with a line sensor (linear imaging element).
In the above embodiment, the imaging device with drive circuit 9 is detachably attached to the irradiation range of the excitation light irradiation device 4. Although the imaging device 9 with a drive circuit can be replaced as a consumable, only the double gate transistor array 2 may be replaced by providing the double gate transistor array 2 so as to be detachable from the drive circuit 3. In this case, the drive circuit 3 can be used for a plurality of double gate transistor arrays 2.

1 … 配列特定支援装置
2 … ダブルゲートトランジスタアレイ(撮像素子)
5 … コントローラ(画像処理装置)
49 … スポット
20 … ダブルゲートトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Array identification assistance device 2 ... Double gate transistor array (image sensor)
5. Controller (image processing device)
49… Spot 20… Double gate transistor

Claims (1)

撮像素子により撮像された画像データであって前記撮像素子の各撮像素子の各画素の階調データからなる画像データを入力する画像データ入力手段と、
前記画像データ入力手段により入力した画像データについて、行ごとに全画素が階調データを検出閾値以上としたものであるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により全画素が階調データを検出閾値以上としたものであると判定された行について、その行の周囲の画素の階調データの平均値に対するその行の画素の階調データの平均値の比率を算出する算出手段と、
前記判定手段により全画素が階調データを検出閾値以上としたものであると判定された行の各画素について、階調データを前記算出手段で算出した比率で除算した値に書き換える書換手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
Image data input means for inputting image data captured by the image sensor and composed of gradation data of each pixel of each image sensor of the image sensor;
Determination means for determining whether or not all pixels have gradation data equal to or higher than a detection threshold for each row of the image data input by the image data input means;
The average of the gradation data of the pixels in the row with respect to the average value of the gradation data of the pixels around the row for the row in which the determination means determines that all the pixels have the gradation data equal to or greater than the detection threshold. A calculation means for calculating a ratio of values;
Rewriting means for rewriting the gradation data to a value obtained by dividing the gradation data by the ratio calculated by the calculation means for each pixel of the row in which all pixels are determined by the determination means to have gradation data equal to or higher than a detection threshold; An image processing apparatus comprising:
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