JP5009053B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行うための基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing processing such as etching or cleaning on a peripheral portion of a substrate.

半導体ウエハや液晶基板などの製造工程においては、基板に積層形成した各種膜の周縁部の剥離を防止するとともに基板と膜との密着性を向上させるために、基板の周縁部の膜をエッチング液で除去するエッチング処理を行っている。また、基板の周縁部に付着したパーティクルによって基板が汚染されてしまうのを防止するために、基板の周縁部のパーティクルを洗浄液で除去する洗浄処理を行っている。   In the manufacturing process of a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate, etc., in order to prevent peeling of peripheral portions of various films laminated on the substrate and improve adhesion between the substrate and the film, the peripheral portion of the substrate is etched with an etching solution. Etching treatment to be removed at is performed. In addition, in order to prevent the substrate from being contaminated by particles adhering to the peripheral edge of the substrate, a cleaning process is performed to remove particles on the peripheral edge of the substrate with a cleaning liquid.

これら基板の周縁部に対してエッチングや洗浄などの各種の処理を行うために、従来より、基板処理装置が用いられている。この従来の基板処理装置は、基板の周縁部上方にエッチング液や洗浄液などの処理液を供給するノズルを配設し、回転機構で基板を回転させながらノズルから処理液を基板の周縁部に向けて供給して、処理液で基板の周縁部を処理するように構成している（たとえば、特許文献１参照。）。   Conventionally, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes such as etching and cleaning on the peripheral edge of these substrates. In this conventional substrate processing apparatus, a nozzle for supplying a processing solution such as an etching solution or a cleaning solution is disposed above the peripheral edge of the substrate, and the processing liquid is directed from the nozzle toward the peripheral edge of the substrate while rotating the substrate with a rotating mechanism. And the peripheral edge of the substrate is processed with the processing liquid (see, for example, Patent Document 1).

特開２００３−２０３９００号公報JP 2003-203900 A

ところが、上記従来の基板処理装置では、基板の周縁部上方に配置したノズルから処理液を基板の周縁部に向けて供給していたために、ノズルから供給された処理液が基板の周縁部よりも内側にまで流れ出てしまうことがあり、エッチングや洗浄などの処理を行う必要のない範囲まで処理されて、基板の処理不良が発生するおそれがあった。   However, in the conventional substrate processing apparatus, since the processing liquid is supplied from the nozzle disposed above the peripheral edge of the substrate toward the peripheral edge of the substrate, the processing liquid supplied from the nozzle is more than the peripheral edge of the substrate. In some cases, the substrate may flow out to the inside, and processing may be performed up to a range where it is not necessary to perform processing such as etching or cleaning, which may cause processing defects of the substrate.

そこで、本発明では、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、基板の周縁部を処理するための周縁処理装置と、周縁処理装置に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持装置とを有し、周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の周縁部に対して内側にガス噴出部を隣設し、ガス噴出部は、基板を挿通させたスリットに形成し、スリットに、処理液供給部の処理液貯留室とリンス液供給部のリンス液貯留室と乾燥ガス供給部の乾燥ガス貯留室を形成することにした。
Therefore, in the present invention, in a substrate processing apparatus that performs processing such as etching or cleaning on the peripheral portion of the substrate, the peripheral processing device for processing the peripheral portion of the substrate and the peripheral processing device rotate relative to the peripheral processing device. A substrate holding device for holding the substrate to be processed, and the peripheral processing device includes a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the peripheral portion of the substrate, and a rinse liquid supply unit that supplies a rinsing liquid to the peripheral portion of the substrate And a dry gas supply unit that supplies dry gas to the peripheral edge of the substrate, and a gas ejection unit that ejects gas toward the substrate, and in order from the upstream side along the rotation direction, the treatment liquid supply unit and the rinse liquid A supply unit and a dry gas supply unit are arranged, and a gas jetting unit is provided on the inner side with respect to the peripheral edge of the substrate with respect to the processing liquid supply unit, the rinsing liquid supply unit, and the dry gas supply unit. , formed in a slit which is inserted the substrate , The slit and to form a dry gas reservoir of the processing solution supply section of the processing liquid storage chamber and the rinsing liquid reservoir of the rinsing liquid supply section and the drying gas supply unit.

また、前記ガス噴出部は、前記スリットの前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成することにした。
Further, the gas ejection part is formed on the opposite side of the slit across the substrate .

また、前記スリットに、ガスを噴出するガス噴出口と噴出したガスを吸引するガス吸引口とを交互に格子点上に形成することにした。
In addition, gas outlets for ejecting gas and gas suction ports for sucking out the ejected gas are alternately formed on the lattice points in the slit .

また、前記処理液貯留室に処理液供給口を基板の端部よりも外側に形成し、前記リンス液貯留室にリンス液供給口を基板の端部よりも内側に形成し、前記乾燥ガス貯留室に乾燥ガス供給口を基板の端部よりも内側に形成することにした。
Further , a processing liquid supply port is formed outside the end portion of the substrate in the processing liquid storage chamber, a rinse liquid supply port is formed inside the end portion of the substrate in the rinse liquid storage chamber, and the dry gas storage the dry gas inlet to the chamber was Rukoto be formed on the inner side than the end portion of the substrate.

また、前記周縁処理装置は、前記基板の周縁部に対して内側に向けて相対的に移動可能に構成することにした。
In addition, the peripheral processing apparatus is configured to be relatively movable inward with respect to the peripheral portion of the substrate .

また、本発明では、基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理方法において、基板の周縁部を挿通させたスリットを有する周縁処理装置を基板に対して相対的に回転させ、周縁処理装置のスリットに回転方向に沿って上流側から順に形成した処理液供給部の処理液貯留室とリンス液供給部のリンス液貯留室と乾燥ガス供給部の乾燥ガス貯留室から処理液とリンス液と乾燥ガスとをそれぞれ供給するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の内側に隣設するとともに基板を挿通させたスリットに形成したガス噴出部から基板に向けてガスを噴出して、処理液貯留室に貯留した処理液とリンス液貯留室に貯留したリンス液と乾燥ガス貯留室に貯留した乾燥ガスを用いて基板の周縁部の処理を行うことにした。
In the present invention, in the substrate processing method for performing processing such as etching or cleaning on the peripheral edge of the substrate, the peripheral processing apparatus having a slit inserted through the peripheral edge of the substrate is rotated relative to the substrate. The treatment liquid from the treatment liquid storage chamber of the treatment liquid supply unit, the rinse liquid storage chamber of the rinse liquid supply unit, and the dry gas storage chamber of the dry gas supply unit formed in order from the upstream side along the rotation direction in the slit of the peripheral processing device And a rinsing liquid and a dry gas, respectively, and a gas ejection part formed in a slit through which the substrate is inserted and adjacent to the inside of the substrate from the processing liquid supply unit, the rinsing liquid supply unit, and the dry gas supply unit The peripheral edge of the substrate using the processing liquid stored in the processing liquid storage chamber, the rinse liquid stored in the rinse liquid storage chamber, and the dry gas stored in the dry gas storage chamber We decided to do the processing.

また、前記処理液貯留室に処理液を基板の端部よりも外側から供給し、前記リンス液貯留室にリンス液を基板の端部よりも内側から供給し、前記乾燥ガス貯留室に乾燥ガスを基板の端部よりも内側から供給することにした。
Further , the processing liquid is supplied to the processing liquid storage chamber from the outside of the end portion of the substrate, the rinsing liquid is supplied to the rinsing liquid storage chamber from the inside of the end portion of the substrate, and the dry gas is supplied to the drying gas storage chamber. Was supplied from the inside of the edge of the substrate .

そして、本発明では、以下に記載する効果を奏する。   And in this invention, there exists an effect described below.

すなわち、本発明では、基板の周縁部に周縁処理装置を配設し、周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の内側にガス噴出部を隣設しているために、ガス噴出部から噴出するガスによって、基板の反りを矯正して基板の周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができ、これによって、基板の周縁部の所定範囲を精度良く処理することができる。   That is, according to the present invention, a peripheral processing device is provided at the peripheral portion of the substrate, and the peripheral processing device supplies a processing liquid supply unit that supplies the processing liquid to the peripheral portion of the substrate and a rinse liquid to the peripheral portion of the substrate. A rinsing liquid supply section, a dry gas supply section that supplies dry gas to the peripheral edge of the substrate, and a gas ejection section that ejects gas toward the substrate, and supply processing liquid in order from the upstream side along the rotation direction And a rinsing liquid supply section, a dry gas supply section, and a gas ejection section adjacent to the inside of the substrate than these processing liquid supply section, rinse liquid supply section, and dry gas supply section. The gas ejected from the ejection portion can correct the warpage of the substrate and hold the vicinity of the peripheral portion of the substrate flat and with high positional accuracy, whereby the predetermined range of the peripheral portion of the substrate can be processed with high accuracy. .

しかも、本発明では、処理液供給部とリンス液供給部と乾燥ガス供給部での各処理を周縁処理装置の内部で完結させることができ、外部に処理液やリンス液や乾燥ガスを排出することがなく、処理液やリンス液や乾燥ガスの回収装置などを別個設ける必要がない。   Moreover, in the present invention, each processing in the processing liquid supply unit, the rinsing liquid supply unit, and the dry gas supply unit can be completed inside the peripheral processing apparatus, and the processing liquid, the rinse liquid, and the dry gas are discharged to the outside. Therefore, it is not necessary to separately provide a treatment liquid, a rinsing liquid, a drying gas recovery device, and the like.

以下に、本発明に係る基板処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。   A specific configuration of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１及び図２に示すように、基板処理装置１は、ケーシング２の内部に基板（ここでは、半導体ウエハ（以下、「ウエハＷ」という。））をターンテーブルＴで吸引保持しながらモーターＭで回転させる基板保持装置３を収容するとともに、この基板保持装置３で保持したウエハＷの周縁部に周縁処理装置４を配設している。なお、以下の基板処理装置１では、周縁処理装置４を固定する一方、基板保持装置３でウエハＷを回転するように構成しているが、本発明では周縁処理装置４がウエハＷに対して相対的に回転できる構造となっていればよく、ウエハＷを固定し、周縁処理装置４を回転可能に構成してもよい。   As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus 1 includes a motor M while sucking and holding a substrate (here, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer W”)) inside a casing 2 by a turntable T. The substrate holding device 3 to be rotated is accommodated, and a peripheral processing device 4 is disposed on the peripheral portion of the wafer W held by the substrate holding device 3. In the following substrate processing apparatus 1, the peripheral processing apparatus 4 is fixed, while the substrate holding apparatus 3 is configured to rotate the wafer W. In the present invention, the peripheral processing apparatus 4 is configured to rotate with respect to the wafer W. It is sufficient that the structure is relatively rotatable, and the wafer W may be fixed and the peripheral processing apparatus 4 may be configured to be rotatable.

周縁処理装置４は、進退機構５の先端部に処理ヘッド６を取付けており、進退機構５によって処理ヘッド６を全体的にウエハＷの半径方向へ前進又は後退させることができるようになっている。なお、以下の基板処理装置１では、進退機構５によって処理ヘッド６を進退移動可能に構成しているが、本発明では、周縁処理装置４がウエハＷに対して相対的に進退移動できる構造となっていればよく、ウエハＷを処理ヘッド６に向けて進退移動可能に構成してもよい。   In the peripheral edge processing apparatus 4, a processing head 6 is attached to the front end portion of the advance / retreat mechanism 5, and the process head 6 can be moved forward or backward in the radial direction of the wafer W by the advance / retreat mechanism 5. . In the following substrate processing apparatus 1, the processing head 6 can be moved forward and backward by the advance / retreat mechanism 5. However, in the present invention, the peripheral processing apparatus 4 can move forward and backward relative to the wafer W. The wafer W may be configured to be capable of moving forward and backward toward the processing head 6.

この処理ヘッド６は、図３に示すように、矩形箱型状のケーシング７の先端部（前端部）にウエハＷの厚みよりも広い上下幅のスリット８をウエハＷと平行に水平状に形成しており、ウエハＷとの間にわずかな間隙（ここでは、約50μm。）を形成した状態でスリット８にウエハＷを挿通させることができ、しかも、その状態で基板保持装置３によってウエハＷを回転させることができ、また、進退機構５によって処理ヘッド６を進退させることができるようになっている。   In this processing head 6, as shown in FIG. 3, a slit 8 having a vertical width wider than the thickness of the wafer W is formed horizontally in parallel with the wafer W at the front end (front end) of a rectangular box-shaped casing 7. The wafer W can be inserted through the slit 8 in a state where a slight gap (about 50 μm in this case) is formed between the wafer W and the wafer W can be inserted by the substrate holding device 3 in this state. The processing head 6 can be advanced and retracted by the advance / retreat mechanism 5.

また、処理ヘッド６には、ウエハＷとの相対的な回転方向（ここでは、ウエハＷの回転方向）に沿って上流側から順に処理液供給部９、リンス液供給部10、乾燥ガス供給部11を形成するとともに、これらの処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣接して設けている。   The processing head 6 includes a processing liquid supply unit 9, a rinsing liquid supply unit 10, and a dry gas supply unit in order from the upstream side along the rotation direction relative to the wafer W (here, the rotation direction of the wafer W). 11, and a gas ejection part 12 is provided adjacent to the periphery of the wafer W from the processing liquid supply part 9, the rinse liquid supply part 10, and the dry gas supply part 11.

ここで、処理液供給部９は、ウエハＷの周縁部に洗浄液やエッチング液などの処理液を供給するものであり、リンス液供給部10は、ウエハＷの周縁部に薬液や純水などのリンス液を供給するものであり、乾燥ガス供給部11は、ウエハＷの周縁部に窒素ガスなどの乾燥ガスを供給するものであり、ガス噴出部12は、ウエハＷに向けて空気や不活性ガスなどのガスを噴出するものである。   Here, the processing liquid supply unit 9 supplies a processing liquid such as a cleaning liquid or an etching liquid to the peripheral portion of the wafer W, and the rinsing liquid supply unit 10 supplies a chemical solution, pure water, or the like to the peripheral portion of the wafer W. The rinsing liquid is supplied, the dry gas supply unit 11 supplies a dry gas such as nitrogen gas to the peripheral portion of the wafer W, and the gas ejection unit 12 is air or inert toward the wafer W. A gas such as a gas is ejected.

そして、処理ヘッド６は、ガス噴出部12を処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11とにそれぞれ隣り合わせた状態で設けており、処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11及びガス噴出部12は、それぞれ所定の上下幅を有してウエハＷを挿通可能な形状に形成しており、ガス噴出部12のウエハＷと対向する上下幅を処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11のウエハＷと対向する上下幅よりも狭くして、処理液供給部９・リンス液供給部10からガス噴出部12に処理液やリンス液が流れ込むのを防止し、また、処理液供給部９・リンス液供給部10の表面を親水性素材でコーティングする一方、ガス噴出部12の表面を撥水性素材でコーティングし、これによっても、処理液供給部９・リンス液供給部10から処理液やリンス液がガス噴出部12に流れ出るのを阻害している。   The processing head 6 is provided with the gas ejection part 12 adjacent to the processing liquid supply part 9, the rinsing liquid supply part 10 and the dry gas supply part 11, respectively. The processing liquid supply part 9 and the rinsing liquid supply part are provided. 10. The dry gas supply unit 11 and the gas ejection unit 12 have a predetermined vertical width and are formed in a shape into which the wafer W can be inserted, and the vertical width of the gas ejection unit 12 facing the wafer W is processed. The liquid supply unit 9, the rinsing liquid supply unit 10, and the dry gas supply unit 11 are narrower than the vertical width of the processing liquid supply unit 9, the rinsing liquid supply unit 10, and the gas ejection unit 12. The rinsing liquid is prevented from flowing, and the surfaces of the treatment liquid supply section 9 and the rinsing liquid supply section 10 are coated with a hydrophilic material, while the surface of the gas ejection section 12 is coated with a water repellent material. The processing liquid supply unit 9 and the rinsing liquid supply unit 10 This prevents the rinsing liquid from flowing out to the gas ejection part 12.

処理液供給部９は、図４に示すように、処理ヘッド６の上流部に処理ヘッド６の進退方向（ウエハＷの半径方向）へ向けて伸延させるとともにスリット８（ガス噴出部12）に連通させた処理液貯留室13を形成し、この処理液貯留室13の上下幅をスリット８よりも広い上下幅に形成している。処理液貯留室13の上部には、処理液を供給するための処理液供給口14を形成し、処理液貯留室13の後部には、処理液を排出するための処理液排出口15を形成している。ここで、処理液供給口14は、ウエハＷの端部よりも外側に形成して、ウエハＷの表面に処理液が直接供給されないようにし、また、処理液排出口15は、ウエハＷの表面よりも上方に形成して、供給された処理液が処理液貯留室13の内部で貯留するようにしている。なお、処理液供給口14は、処理液貯留室13に連通して形成していればよく、処理液貯留室13の上部に形成した場合に限られず、処理液貯留室13の下部に形成してもよい。また、処理液排出口15も、処理液貯留室13に連通していればよく、処理液貯留室13の上部に形成した場合に限られず、処理液貯留室13の下部に形成してもよい。さらに、処理液供給口14と処理液排出口15は、図８に図示するように、ウエハＷを挟んで反対側に対向させた位置にそれぞれ形成してもよく、また、処理液排出口15は、ウエハＷの端部よりも内側に形成してもよい。   As shown in FIG. 4, the processing liquid supply unit 9 extends in the upstream portion of the processing head 6 in the forward / backward direction (radial direction of the wafer W) of the processing head 6 and communicates with the slit 8 (gas ejection portion 12). The treated liquid storage chamber 13 is formed, and the vertical width of the treatment liquid storage chamber 13 is formed wider than the slit 8. A processing liquid supply port 14 for supplying the processing liquid is formed in the upper part of the processing liquid storage chamber 13, and a processing liquid discharge port 15 for discharging the processing liquid is formed in the rear part of the processing liquid storage chamber 13. is doing. Here, the processing liquid supply port 14 is formed outside the edge of the wafer W so that the processing liquid is not directly supplied to the surface of the wafer W, and the processing liquid discharge port 15 is provided on the surface of the wafer W. In this way, the supplied processing liquid is stored in the processing liquid storage chamber 13. The treatment liquid supply port 14 only needs to be formed in communication with the treatment liquid storage chamber 13, and is not limited to the case where it is formed in the upper part of the treatment liquid storage chamber 13, but is formed in the lower part of the treatment liquid storage chamber 13. May be. Further, the treatment liquid discharge port 15 is only required to communicate with the treatment liquid storage chamber 13, and is not limited to the case where it is formed in the upper part of the treatment liquid storage chamber 13, but may be formed in the lower part of the treatment liquid storage chamber 13. . Further, as shown in FIG. 8, the processing liquid supply port 14 and the processing liquid discharge port 15 may be formed at positions facing the opposite side across the wafer W, respectively. May be formed inside the edge of the wafer W.

また、処理液供給部９は、処理液供給口14に処理液供給源16を連通連結する一方、処理液排出口15に吸引機17を連通連結している。   Further, the processing liquid supply unit 9 has a processing liquid supply source 16 connected to the processing liquid supply port 14 and a suction machine 17 connected to the processing liquid discharge port 15.

そして、処理液供給部９は、処理液供給源16から供給される処理液を処理液貯留室13に一時的に貯留し、処理液貯留室13において貯留した処理液にウエハＷの周縁部を浸漬させることでウエハＷの周縁部を処理液で処理することができ、吸引機17によって処理液を処理液貯留室13から排出することができるようになっている。   Then, the processing liquid supply unit 9 temporarily stores the processing liquid supplied from the processing liquid supply source 16 in the processing liquid storage chamber 13, and adds the peripheral portion of the wafer W to the processing liquid stored in the processing liquid storage chamber 13. By soaking, the peripheral edge of the wafer W can be processed with the processing liquid, and the processing liquid can be discharged from the processing liquid storage chamber 13 by the suction device 17.

リンス液供給部10は、図５に示すように、処理ヘッド６の中央部に処理ヘッド６の進退方向（ウエハＷの半径方向）へ向けて伸延させるとともにスリット８（ガス噴出部12）に連通させたリンス液貯留室18を形成し、このリンス液貯留室18の上下幅をスリット８よりも広い上下幅に形成している。リンス液貯留室18の上部には、リンス液を供給するためのリンス液供給口19を形成し、リンス液貯留室18の下部には、リンス液を排出するためのリンス液排出口20を形成している。ここで、リンス液供給口19は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの表面にリンス液を直接供給して良好にリンス処理できるようにし、また、リンス液排出口20は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの周縁部にリンス液が円滑に流動するようにしている。なお、リンス液供給口19は、リンス液貯留室18に連通して形成していればよく、リンス液貯留室18の上部に形成した場合に限られず、リンス液貯留室18の下部に形成してもよい。また、リンス液排出口20も、リンス液貯留室18に連通していればよく、リンス液貯留室18の下部に形成した場合に限られず、リンス液貯留室18の後部に形成してもよい。   As shown in FIG. 5, the rinsing liquid supply unit 10 extends in the central portion of the processing head 6 in the forward / backward direction (radial direction of the wafer W) of the processing head 6 and communicates with the slit 8 (gas ejection portion 12). The rinse liquid storage chamber 18 is formed, and the vertical width of the rinse liquid storage chamber 18 is formed wider than the slit 8. A rinsing liquid supply port 19 for supplying a rinsing liquid is formed in the upper part of the rinsing liquid storage chamber 18, and a rinsing liquid discharge port 20 for discharging the rinsing liquid is formed in the lower part of the rinsing liquid storage chamber 18. is doing. Here, the rinsing liquid supply port 19 is formed inside the end portion of the wafer W so that the rinsing liquid can be directly supplied to the surface of the wafer W so that the rinsing liquid can be satisfactorily processed. Is formed on the inner side of the end portion of the wafer W so that the rinse liquid smoothly flows to the peripheral portion of the wafer W. The rinse liquid supply port 19 may be formed so as to communicate with the rinse liquid storage chamber 18, and is not limited to the case where it is formed in the upper part of the rinse liquid storage chamber 18, but is formed in the lower part of the rinse liquid storage chamber 18. May be. Further, the rinse liquid discharge port 20 only needs to communicate with the rinse liquid storage chamber 18, and is not limited to the case where it is formed in the lower part of the rinse liquid storage chamber 18, but may be formed in the rear part of the rinse liquid storage chamber 18. .

また、リンス液供給部10は、リンス液供給口19にリンス液供給源21を連通連結する一方、リンス液排出口20に吸引機22を連通連結している。   The rinsing liquid supply unit 10 has a rinsing liquid supply source 21 in communication with the rinsing liquid supply port 19 and a suction machine 22 in communication with the rinsing liquid discharge port 20.

そして、リンス液供給部10は、リンス液供給源21から供給されるリンス液をリンス液貯留室18に一時的に貯留し、リンス液貯留室18において貯留したリンス液にウエハＷの周縁部を浸漬させることでウエハＷの周縁部をリンス液で処理することができ、吸引機22によってリンス液をリンス液貯留室18から排出することができるようになっている。   Then, the rinsing liquid supply unit 10 temporarily stores the rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply source 21 in the rinsing liquid storage chamber 18, and the peripheral portion of the wafer W is added to the rinsing liquid stored in the rinsing liquid storage chamber 18. By immersing, the peripheral edge of the wafer W can be treated with the rinse liquid, and the rinse liquid can be discharged from the rinse liquid storage chamber 18 by the suction device 22.

乾燥ガス供給部11は、図６に示すように、処理ヘッド６の下流部に処理ヘッド６の進退方向（ウエハＷの半径方向）へ向けて伸延させるとともにスリット８（ガス噴出部12）に連通させた乾燥ガス貯留室23を形成し、この乾燥ガス貯留室23の上下幅をスリット８よりも広い上下幅に形成している。乾燥ガス貯留室23の上部には、乾燥ガスを供給するための乾燥ガス供給口24を形成し、乾燥ガス貯留室23の下部には、乾燥ガスを排出するための乾燥ガス排出口25を形成している。ここで、乾燥ガス供給口24は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの表面に乾燥ガスを直接供給して良好に乾燥処理できるようにし、また、乾燥ガス排出口25は、ウエハＷの端部よりも内側に形成して、ウエハＷの周縁部に乾燥ガスが円滑に流動するようにしている。なお、乾燥ガス供給口24は、乾燥ガス貯留室23に連通して形成していればよく、乾燥ガス貯留室23の上部に形成した場合に限られず、乾燥ガス貯留室23の上部下部両方に形成してもよい。   As shown in FIG. 6, the dry gas supply unit 11 extends in the downstream portion of the processing head 6 in the forward / backward direction of the processing head 6 (radial direction of the wafer W) and communicates with the slit 8 (gas ejection unit 12). The dry gas storage chamber 23 is formed, and the vertical width of the dry gas storage chamber 23 is formed wider than the slit 8. A dry gas supply port 24 for supplying dry gas is formed in the upper part of the dry gas storage chamber 23, and a dry gas discharge port 25 for discharging dry gas is formed in the lower part of the dry gas storage chamber 23. is doing. Here, the dry gas supply port 24 is formed on the inner side of the end portion of the wafer W so that the dry gas can be directly supplied to the surface of the wafer W so that the drying process can be satisfactorily performed. Are formed on the inner side of the end portion of the wafer W so that the dry gas smoothly flows to the peripheral portion of the wafer W. The dry gas supply port 24 may be formed so as to communicate with the dry gas storage chamber 23, and is not limited to the case where the dry gas supply port 24 is formed in the upper part of the dry gas storage chamber 23. It may be formed.

また、乾燥ガス供給部11は、乾燥ガス供給口24に乾燥ガス供給源26を連通連結する一方、乾燥ガス排出口25に吸引機27を連通連結している。   Further, the dry gas supply unit 11 has a dry gas supply source 26 connected to the dry gas supply port 24 and a suction device 27 connected to the dry gas discharge port 25.

また、ガス噴出部12は、処理液貯留室13やリンス液貯留室18や乾燥ガス貯留室23よりも狭い上下幅のスリット８にガスを噴出するガス噴出口28と噴出したガスを吸引するガス吸引口29とを交互に格子点上に上下にそれぞれ形成し、ガス噴出口28にガス供給源30を圧力制御弁33を介して連通連結するとともに、ガス吸引口29に吸引機31を圧力制御弁34を介して連通連結している。   The gas ejection section 12 includes a gas ejection port 28 that ejects gas into the slit 8 having a narrower vertical width than the treatment liquid storage chamber 13, the rinse liquid storage chamber 18, and the dry gas storage chamber 23, and a gas that sucks the ejected gas. The suction port 29 is alternately formed on the lattice point on the top and bottom, and the gas supply port 30 is connected to the gas jet port 28 via the pressure control valve 33, and the suction device 31 is pressure controlled to the gas suction port 29. Communication connection is established via a valve 34.

そして、ガス噴出部12は、ガス供給源30から供給されるガスをガス噴出口28からウエハＷの表面（上面及び下面）に向けて噴出することができ、噴出したガスを吸引機31によってガス吸引口29から外部に排出することができるようになっている。   The gas ejection unit 12 can eject the gas supplied from the gas supply source 30 from the gas ejection port 28 toward the surface (upper surface and lower surface) of the wafer W. The air can be discharged from the suction port 29 to the outside.

なお、基板処理装置１は、周縁処理装置４の処理ヘッド６を上下に自由に可動可能に構成するとともに、ガス噴出部12のガス噴出口28からウエハＷの上面及び下面に向けてガスを噴出して、噴出したガスの圧力によってウエハＷとスリット８との間隔を一定に保持するようにしてもよい。   The substrate processing apparatus 1 is configured so that the processing head 6 of the peripheral processing apparatus 4 can be freely moved up and down, and gas is ejected from the gas ejection port 28 of the gas ejection section 12 toward the upper and lower surfaces of the wafer W. Then, the gap between the wafer W and the slit 8 may be kept constant by the pressure of the jetted gas.

基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、以下に説明するようにしてウエハＷの周縁部を処理するようにしている。   The substrate processing apparatus 1 is configured as described above, and processes the peripheral edge of the wafer W as described below.

まず、基板処理装置１は、基板保持装置３の上部の所定位置にウエハＷを載置し、基板保持装置３でウエハＷを吸引保持する。   First, the substrate processing apparatus 1 places the wafer W on a predetermined position above the substrate holding device 3 and sucks and holds the wafer W by the substrate holding device 3.

次に、基板処理装置１は、周縁処理装置４の進退機構５によって処理ヘッド６をウエハＷに向けて所定位置まで前進させ、ウエハＷとの間にわずかな間隙を形成した状態でスリット８にウエハＷを挿通させる。   Next, the substrate processing apparatus 1 advances the processing head 6 toward the wafer W to a predetermined position by the advance / retreat mechanism 5 of the peripheral processing apparatus 4, and the slit 8 is formed with a slight gap between the processing head 6 and the wafer W. The wafer W is inserted.

次に、基板処理装置１は、基板保持装置３でウエハＷを回転させ、処理液供給部９の処理液貯留室13に処理液供給源16から処理液を供給し、リンス液供給部10のリンス液貯留室18にリンス液供給源21からリンス液を供給し、乾燥ガス供給部11の乾燥ガス貯留室23に乾燥ガス供給源26から乾燥ガスを供給し、さらに、ガス噴出部12のガス噴出口28からガスを噴出するとともにガス吸引口29からガスを吸引する。そして、基板処理装置１では、処理液供給部９よりもウエハＷの周縁部に対して内側に隣設したガス噴出部12によってウエハＷの表面に向けてガスを噴出することで、噴出するガスの圧力でウエハＷの周縁部近傍を押圧して、ウエハＷとスリット８との間隙を確保しながらウエハＷの周縁部近傍の反りを矯正し、ウエハＷの周縁部を平坦な状態にして処理液貯留室13に浸漬してウエハＷの周縁部の所定範囲を精度良く処理できるようにしている。   Next, the substrate processing apparatus 1 rotates the wafer W by the substrate holding device 3, supplies the processing liquid from the processing liquid supply source 16 to the processing liquid storage chamber 13 of the processing liquid supply section 9, and the rinsing liquid supply section 10 The rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 21 to the rinse liquid storage chamber 18, the dry gas is supplied from the dry gas supply source 26 to the dry gas storage chamber 23 of the dry gas supply unit 11, and the gas from the gas ejection unit 12 is further supplied. Gas is ejected from the ejection port 28 and gas is sucked from the gas suction port 29. In the substrate processing apparatus 1, the gas jetted by jetting gas toward the surface of the wafer W by the gas jetting part 12 provided inside the peripheral edge of the wafer W adjacent to the processing liquid supply unit 9. By pressing the vicinity of the periphery of the wafer W with the pressure of the wafer W, the warp near the periphery of the wafer W is corrected while ensuring the gap between the wafer W and the slit 8, and the periphery of the wafer W is made flat. It is immersed in the liquid storage chamber 13 so that a predetermined range of the peripheral portion of the wafer W can be processed with high accuracy.

このときに、図７に示すように、処理液は、処理液供給部９において、処理液供給口14から供給され、処理液貯留室13に一時的に貯留し、処理液排出口15からオーバーフローして排出される。ここで、処理液貯留室13に供給された処理液は、周縁処理装置４とウエハＷとの相対的な回転により作用する遠心力や処理液供給部９よりもガス噴出部12の上下幅が狭いことにより作用する表面張力によって、ガス噴出部12への浸入が阻害され、処理液貯留室13に一時的に貯留することになる。これにより、基板処理装置１では、処理液貯留室13に貯留した処理液にウエハＷの周縁部が浸漬し、ウエハＷの周縁部の所定範囲だけを処理液で処理することができる。一方、ガスは、ガス噴出部12において、ガス噴出口28からウエハＷの表面に吹き付けられ、ウエハＷとスリット８との間隙に沿って流れ、ガス吸引口29から外部に吸引される。   At this time, as shown in FIG. 7, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply port 14 in the processing liquid supply unit 9, temporarily stored in the processing liquid storage chamber 13, and overflowed from the processing liquid discharge port 15. Then discharged. Here, the processing liquid supplied to the processing liquid storage chamber 13 has a centrifugal force acting by relative rotation between the peripheral processing apparatus 4 and the wafer W, and the vertical width of the gas ejection part 12 as compared with the processing liquid supply part 9. Due to the surface tension acting due to the narrowness, the penetration into the gas ejection part 12 is hindered and temporarily stored in the treatment liquid storage chamber 13. Thereby, in the substrate processing apparatus 1, the peripheral portion of the wafer W can be immersed in the processing liquid stored in the processing liquid storage chamber 13, and only a predetermined range of the peripheral portion of the wafer W can be processed with the processing liquid. On the other hand, the gas is blown onto the surface of the wafer W from the gas ejection port 28 in the gas ejection part 12, flows along the gap between the wafer W and the slit 8, and is sucked outside through the gas suction port 29.

また、基板処理装置１では、処理液供給部９よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣設しているために、ガス噴出口28から噴出されるガスの圧力によって処理液貯留室13に貯留した処理液がウエハＷの内側に向けて流れ出るのを防止する効果もある。また、上下幅の異なる処理液貯留室13とスリット８との境界部分に形成されたエッジ部32に処理液とガスとの境界が形成されるために、基板処理装置１では、進退機構５で処理ヘッド６を進出又は後退させることで、処理液で処理するウエハＷの周縁部の範囲を調節することができるようにしている。なお、基板処理装置１では、処理液供給部９のウエハＷの回転方向の上流側及び下流側にもガス噴出部12を形成しているために、ガス噴出口28から噴出されるガスの圧力によって処理液貯留室13に貯留した処理液がウエハＷの回転方向の上流側及び下流側に向けて流れ出るのも防止できるようにしている。さらに、基板処理装置１では、処理液供給部９の表面を親水性素材で形成して処理液供給部９に処理液を満たしやすくする一方、ガス噴出部12を撥水性素材で形成することによっても、処理液供給部９から処理液がガス噴出部12に流れ出るのを阻害している。   Further, in the substrate processing apparatus 1, since the gas ejection part 12 is provided adjacent to the peripheral edge of the wafer W with respect to the processing liquid supply part 9, the pressure of the gas ejected from the gas ejection port 28 is increased. There is also an effect of preventing the processing liquid stored in the processing liquid storage chamber 13 from flowing out toward the inside of the wafer W. In addition, since the boundary between the processing liquid and the gas is formed at the edge portion 32 formed at the boundary portion between the processing liquid storage chamber 13 and the slit 8 having different vertical widths, the substrate processing apparatus 1 uses the advance / retreat mechanism 5. By moving the processing head 6 forward or backward, the range of the peripheral portion of the wafer W processed with the processing liquid can be adjusted. In the substrate processing apparatus 1, since the gas ejection portions 12 are also formed on the upstream side and the downstream side in the rotation direction of the wafer W of the processing liquid supply unit 9, the pressure of the gas ejected from the gas ejection port 28. Thus, it is possible to prevent the processing liquid stored in the processing liquid storage chamber 13 from flowing out upstream and downstream in the rotation direction of the wafer W. Furthermore, in the substrate processing apparatus 1, the surface of the processing liquid supply unit 9 is formed of a hydrophilic material so that the processing liquid supply unit 9 can be easily filled with the processing liquid, while the gas ejection part 12 is formed of a water repellent material. Also, the processing liquid is prevented from flowing out from the processing liquid supply section 9 to the gas ejection section 12.

また、リンス液は、リンス液供給部10において、リンス液供給口19から供給され、リンス液貯留室18に一時的に貯留し、リンス液排出口20から排出される。ここで、リンス液貯留室18に供給されたリンス液は、周縁処理装置４とウエハＷとの相対的な回転により作用する遠心力やリンス液供給部10よりもガス噴出部12の上下幅が狭いことにより作用する表面張力によって、ガス噴出部12への浸入が阻害され、リンス液貯留室18に一時的に貯留することになる。これにより、基板処理装置１では、リンス液貯留室18に貯留したリンス液にウエハＷの周縁部が浸漬し、ウエハＷの周縁部の所定範囲だけをリンス液で処理することができる。また、乾燥ガスは、乾燥ガス供給部11において、乾燥ガス供給口24から供給され、乾燥ガス貯留室23に一時的に貯留し、乾燥ガス排出口25から排出される。   Further, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply port 19 in the rinse liquid supply unit 10, temporarily stored in the rinse liquid storage chamber 18, and discharged from the rinse liquid discharge port 20. Here, the rinse liquid supplied to the rinse liquid storage chamber 18 has a centrifugal force acting due to relative rotation between the peripheral edge processing device 4 and the wafer W, and the vertical width of the gas ejection part 12 relative to the rinse liquid supply part 10. Due to the surface tension acting due to the narrowness, the penetration into the gas ejection part 12 is hindered and temporarily stored in the rinse liquid storage chamber 18. Thereby, in the substrate processing apparatus 1, the peripheral portion of the wafer W is immersed in the rinse liquid stored in the rinse liquid storage chamber 18, and only a predetermined range of the peripheral portion of the wafer W can be processed with the rinse liquid. The dry gas is supplied from the dry gas supply port 24 in the dry gas supply unit 11, temporarily stored in the dry gas storage chamber 23, and discharged from the dry gas discharge port 25.

そして、基板処理装置１では、リンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側に隣設したガス噴出部12によってウエハＷの表面に向けてガスを噴出しているために、噴出するガスの圧力でウエハＷの周縁部近傍を押圧して、ウエハＷとスリット８との間隙を確保しながらウエハＷの周縁部近傍の反りを矯正し、ウエハＷの周縁部を平坦な状態にしてリンス液貯留室18や乾燥ガス貯留室23でウエハＷの周縁部の所定範囲を精度良く処理できるようにしている。   In the substrate processing apparatus 1, the gas is ejected toward the surface of the wafer W by the gas ejection unit 12 that is adjacent to the periphery of the wafer W from the rinse liquid supply unit 10 and the dry gas supply unit 11. Therefore, the vicinity of the peripheral portion of the wafer W is pressed by the pressure of the gas to be jetted, and the warpage in the vicinity of the peripheral portion of the wafer W is corrected while securing the gap between the wafer W and the slit 8. The predetermined portion of the peripheral portion of the wafer W can be processed with high precision in the rinse liquid storage chamber 18 and the dry gas storage chamber 23 by making the portion flat.

また、基板処理装置１では、リンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣設しているために、ガス噴出口28から噴出されるガスの圧力によってリンス液貯留室18や乾燥ガス貯留室23に貯留したリンス液や乾燥ガスがウエハＷの内側に向けて流れ出るのを防止する効果もある。また、基板処理装置１では、進退機構５で処理ヘッド６を進出又は後退させることで、リンス液や乾燥ガスで処理するウエハＷの周縁部の範囲を処理液で処理するウエハＷの周縁部の範囲と同時に調節することができるようにしている。   Further, in the substrate processing apparatus 1, since the gas ejection part 12 is provided adjacent to the peripheral edge of the wafer W with respect to the rinse liquid supply part 10 and the dry gas supply part 11, the gas ejection part 28 is ejected from the gas ejection port 28. There is also an effect of preventing the rinse liquid and the dry gas stored in the rinse liquid storage chamber 18 and the dry gas storage chamber 23 from flowing out toward the inside of the wafer W due to the pressure of the gas to be generated. Further, in the substrate processing apparatus 1, the processing head 6 is advanced or retracted by the advance / retreat mechanism 5, so that the range of the peripheral portion of the wafer W to be processed with the rinsing liquid or the dry gas can be reduced. It allows you to adjust at the same time as the range.

このようにして、基板処理装置１では、ウエハＷの回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11を設けて、ウエハＷの周縁部を処理液供給部９において処理した後に、リンス液供給部10においてリンス処理し、乾燥ガス供給部11において乾燥処理するようにしている。なお、基板処理装置１では、基板保持装置３でウエハＷを連続して回転させることによって、周縁処理装置４の処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11で薬液処理やリンス処理や乾燥処理を複数回繰り返して行うようにしている。   Thus, in the substrate processing apparatus 1, the processing liquid supply unit 9, the rinsing liquid supply unit 10, and the dry gas supply unit 11 are provided in order from the upstream side along the rotation direction of the wafer W, and the peripheral portion of the wafer W is changed. After processing in the processing liquid supply unit 9, rinsing processing is performed in the rinsing liquid supply unit 10, and drying processing is performed in the dry gas supply unit 11. In the substrate processing apparatus 1, the wafer W is continuously rotated by the substrate holding apparatus 3, whereby chemical processing or chemical processing is performed in the processing liquid supply unit 9, the rinse liquid supply unit 10, and the dry gas supply unit 11 of the peripheral processing apparatus 4. The rinse treatment and the drying treatment are repeated a plurality of times.

最後に、基板処理装置１は、処理液供給源16やリンス液供給源21や乾燥ガス供給源26からの処理液やリンス液や乾燥ガスの供給を停止するとともに、ガス噴出部12でのガスの噴出や吸引を停止し、基板保持装置３によるウエハＷの回転を停止し、進退機構５によって処理ヘッド６を所定位置まで後退させる。   Finally, the substrate processing apparatus 1 stops the supply of the processing liquid, the rinsing liquid, and the dry gas from the processing liquid supply source 16, the rinsing liquid supply source 21, and the dry gas supply source 26, and the gas in the gas ejection unit 12 And the rotation of the wafer W by the substrate holding device 3 is stopped, and the processing head 6 is moved back to a predetermined position by the advance / retreat mechanism 5.

以上に説明したように、ウエハＷの周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う上記基板処理装置１では、ウエハＷの周縁部を処理するための周縁処理装置４と、周縁処理装置４に対して相対的に回転するウエハＷを保持するための基板保持装置３とを設けるとともに、周縁処理装置４に、ウエハＷの周縁部に処理液を供給する処理液供給部９と、ウエハＷの周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部10と、ウエハＷの周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部11と、ウエハＷに向けてガスを噴出するガス噴出部12とをそれぞれ形成し、ウエハＷと周縁処理装置４との相対的な回転方向（ここでは、ウエハＷの回転方向）に沿って上流側から順に処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11とを配置するとともに、これら処理液供給部９・リンス液供給部10・乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの周縁部に対して内側にガス噴出部12を隣設した構成としている。   As described above, in the substrate processing apparatus 1 that performs processing such as etching or cleaning on the peripheral portion of the wafer W, the peripheral processing device 4 for processing the peripheral portion of the wafer W, and the peripheral processing device 4. A substrate holding device 3 for holding the wafer W rotating relative to the wafer W, a processing liquid supply unit 9 for supplying a processing liquid to the peripheral edge of the wafer W, and a wafer W A rinsing liquid supply unit 10 for supplying a rinsing liquid to the peripheral part of the wafer, a dry gas supply part 11 for supplying a dry gas to the peripheral part of the wafer W, and a gas ejection part 12 for ejecting gas toward the wafer W, respectively. The processing liquid supply unit 9, the rinse liquid supply unit 10, and the dry gas supply unit are formed in order from the upstream side along the relative rotation direction (here, the rotation direction of the wafer W) between the wafer W and the peripheral processing apparatus 4. 11 and place these The gas jetting part 12 is provided adjacent to the peripheral edge of the wafer W from the processing liquid supply part 9, the rinse liquid supply part 10, and the dry gas supply part 11.

そして、上記構成の基板処理装置１では、周縁処理装置４をウエハＷに対して相対的に回転させ、処理液供給部９やリンス液供給部10や乾燥ガス供給部11からウエハＷの周縁部に処理液やリンス液や乾燥ガスを供給するとともに、これら処理液供給部９やリンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの内側に隣設したガス噴出部12からウエハＷに向けてガスを噴出して、ウエハＷの周縁部の処理を行うようにしている。   In the substrate processing apparatus 1 configured as described above, the peripheral edge processing apparatus 4 is rotated relative to the wafer W, and the peripheral edge of the wafer W is transferred from the processing liquid supply unit 9, the rinse liquid supply part 10, and the dry gas supply part 11. A processing liquid, a rinsing liquid, and a dry gas are supplied to the wafer W, and a gas ejection section 12 that is adjacent to the inside of the wafer W from the processing liquid supply section 9, the rinsing liquid supply section 10, and the dry gas supply section 11 is supplied to the wafer W. A gas is ejected toward the wafer W to process the peripheral edge of the wafer W.

そのため、上記構成の基板処理装置１では、処理液供給部９やリンス液供給部10や乾燥ガス供給部11よりもウエハＷの内側に隣設したガス噴出部12から噴出するガスによって、ウエハＷの反りを矯正してウエハＷの周縁部近傍を平坦に位置精度良く保持することができ、これによって、ウエハＷの周縁部の所定範囲を精度良く処理することができる。   For this reason, in the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration, the wafer W is generated by the gas jetted from the gas jetting part 12 provided inside the wafer W adjacent to the processing liquid supply unit 9, the rinse liquid supply unit 10, and the dry gas supply unit 11. Thus, the vicinity of the peripheral portion of the wafer W can be held flat and with high positional accuracy, whereby a predetermined range of the peripheral portion of the wafer W can be processed with high accuracy.

しかも、上記構成の基板処理装置１では、処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11での各処理を上流側から同時に行うことができるので、ウエハＷの周縁部の処理を短時間で行うことができ、これにより、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。また、処理液供給部９とリンス液供給部10と乾燥ガス供給部11での各処理を周縁処理装置４の処理ヘッド６の内部で完結させることができ、外部に処理液やリンス液や乾燥ガスを排出することがなく、処理液やリンス液や乾燥ガスの回収装置などを別個設ける必要がない。   Moreover, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, each process in the processing liquid supply unit 9, the rinsing liquid supply unit 10 and the dry gas supply unit 11 can be performed simultaneously from the upstream side. Thus, the throughput of the substrate processing apparatus 1 can be improved. In addition, each processing in the processing liquid supply unit 9, the rinsing liquid supply unit 10, and the dry gas supply unit 11 can be completed inside the processing head 6 of the peripheral processing apparatus 4, and the processing liquid, the rinsing liquid, and the drying can be externally performed. The gas is not discharged, and there is no need to separately provide a treatment liquid, a rinsing liquid, a dry gas recovery device, or the like.

また、図８に示したように、処理液供給部９に処理液を供給する処理液供給口14と処理液供給部９から処理液を排出する処理液排出口15とをウエハＷを挟んで反対側にそれぞれ形成した場合には、新規な処理液をウエハＷの一方側（図８では、ウエハＷの上面側）から供給するとともに処理済の処理液をウエハＷの他方側（図８では、ウエハＷの下面側）から排出することができ、処理液を円滑に流動させることができ、処理するウエハＷの周縁部に常に新規な処理液を供給することができて、ウエハＷの周縁部の処理を良好に行うことができる。   Further, as shown in FIG. 8, the processing liquid supply port 14 for supplying the processing liquid to the processing liquid supply unit 9 and the processing liquid discharge port 15 for discharging the processing liquid from the processing liquid supply unit 9 are sandwiched between the wafers W. When formed on the opposite side, a new processing liquid is supplied from one side of the wafer W (in FIG. 8, the upper surface side of the wafer W), and the processed processing liquid is supplied to the other side of the wafer W (in FIG. 8). The lower surface side of the wafer W), the processing liquid can be smoothly flowed, and a new processing liquid can be always supplied to the peripheral edge of the wafer W to be processed. Can be processed satisfactorily.

また、上記構成の基板処理装置１では、ガス噴出部12で噴出したガスを吸引可能に構成しているために、噴出したガスをウエハＷの中央部まで拡散させることなく回収することができるとともに、ガスを噴出する圧力を吸引力で微調整して、ウエハＷの周縁を位置精度良く、また、平坦に保持することができる。   Further, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, the gas ejected by the gas ejecting section 12 is configured to be sucked, so that the ejected gas can be collected without being diffused to the central portion of the wafer W. By finely adjusting the pressure for ejecting the gas with the suction force, the periphery of the wafer W can be held with high positional accuracy and flat.

また、上記構成の基板処理装置１では、ガス噴出部12をウエハＷを挟んで反対側にそれぞれ形成しているために、それぞれのガス噴出部12でのガスを噴出する圧力を調整することができ、ウエハＷとスリット８との間隙を確保することができるとともに、ウエハＷの周縁を平坦に保持することができる。   Moreover, in the substrate processing apparatus 1 having the above-described configuration, since the gas ejection portions 12 are formed on the opposite sides of the wafer W, it is possible to adjust the pressure at which each gas ejection portion 12 ejects gas. In addition, a gap between the wafer W and the slit 8 can be secured, and the periphery of the wafer W can be held flat.

さらに、上記構成の基板処理装置１では、周縁処理装置４をウエハＷの周縁部に対して内側に向けて相対的に移動可能に構成しているために、周縁処理装置４を進退移動させることで、周縁処理装置４で処理するウエハＷの周縁部の範囲を容易に調整することができる。   Further, in the substrate processing apparatus 1 configured as described above, since the peripheral processing apparatus 4 is configured to be relatively movable inward with respect to the peripheral portion of the wafer W, the peripheral processing apparatus 4 is moved back and forth. Thus, the range of the peripheral portion of the wafer W processed by the peripheral processing apparatus 4 can be easily adjusted.

基板処理装置を示す平面図。The top view which shows a substrate processing apparatus. 同側面図。The same side view. 周縁処理装置を示す平面図。The top view which shows a periphery processing apparatus. 同断面側面図（処理液供給部）。The cross-sectional side view (process liquid supply part). 同断面側面図（リンス液供給部）。The cross-sectional side view (rinse solution supply part). 同断面側面図（乾燥ガス供給部）。The cross-sectional side view (dry gas supply part). 周縁処理装置での処理方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows the processing method with a periphery processing apparatus. 周縁処理装置を示す断面側面図（処理液供給部）。Sectional side view which shows a periphery processing apparatus (process liquid supply part).

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板処理装置 ２ ケーシング
３ 基板保持装置 ４ 周縁処理装置
５ 進退機構 ６ 処理ヘッド
７ ケーシング ８ スリット
９ 処理液供給部 10 リンス液供給部
11 乾燥ガス供給部 12 ガス噴出部
13 処理液貯留室 14 処理液供給口
15 処理液排出口 16 処理液供給源
17 吸引機 18 リンス液貯留室
19 リンス液供給口 20 リンス液排出口
21 リンス液供給源 22 吸引機
23 乾燥ガス貯留室 24 乾燥ガス供給口
25 乾燥ガス排出口 26 乾燥ガス供給源
27 吸引機 28 ガス噴出口
29 ガス吸引口 30 ガス供給源
31 吸引機 32 エッジ部
33,34 圧力制御弁
Ｍ モーター Ｔ ターンテーブル
Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Casing 3 Substrate holding apparatus 4 Edge processing apparatus 5 Advance / retreat mechanism 6 Processing head 7 Casing 8 Slit 9 Processing liquid supply part 10 Rinse liquid supply part
11 Drying gas supply section 12 Gas ejection section
13 Treatment liquid storage chamber 14 Treatment liquid supply port
15 Treatment liquid outlet 16 Treatment liquid supply source
17 Suction machine 18 Rinse solution storage chamber
19 Rinse solution supply port 20 Rinse solution discharge port
21 Rinse solution supply source 22 Suction machine
23 Drying gas storage chamber 24 Drying gas supply port
25 Drying gas outlet 26 Drying gas supply source
27 Suction machine 28 Gas outlet
29 Gas suction port 30 Gas supply source
31 Suction machine 32 Edge
33,34 Pressure control valve M Motor T Turntable W Wafer

Claims (7)

基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置において、
基板の周縁部を処理するための周縁処理装置と、周縁処理装置に対して相対的に回転する基板を保持するための基板保持装置とを有し、
周縁処理装置は、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、基板の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部と、基板の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、基板に向けてガスを噴出するガス噴出部とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部、リンス液供給部、乾燥ガス供給部を配置するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の周縁部に対して内側にガス噴出部を隣設し、
ガス噴出部は、基板を挿通させたスリットに形成し、スリットに、処理液供給部の処理液貯留室とリンス液供給部のリンス液貯留室と乾燥ガス供給部の乾燥ガス貯留室を形成したことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that performs processing such as etching or cleaning on the peripheral edge of a substrate,
A peripheral processing device for processing the peripheral portion of the substrate, and a substrate holding device for holding the substrate that rotates relative to the peripheral processing device,
The peripheral processing apparatus includes a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid to the peripheral portion of the substrate, a rinse liquid supply unit that supplies a rinsing liquid to the peripheral portion of the substrate, and a dry gas supply that supplies dry gas to the peripheral portion of the substrate. And a gas jetting unit for jetting gas toward the substrate, and a processing liquid supply unit, a rinsing liquid supply unit, and a dry gas supply unit are arranged in this order from the upstream side in the rotation direction, and these processing liquids Next to the peripheral part of the substrate than the supply part, the rinse liquid supply part, and the dry gas supply part, the gas ejection part is provided next to
The gas ejection part is formed in a slit through which the substrate is inserted, and a treatment liquid storage chamber of the processing liquid supply part, a rinse liquid storage chamber of the rinse liquid supply part, and a dry gas storage chamber of the dry gas supply part are formed in the slit. A substrate processing apparatus. 前記ガス噴出部は、前記スリットの前記基板を挟んで反対側にそれぞれ形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gas ejection portions are formed on opposite sides of the substrate with respect to the slit. 前記スリットに、ガスを噴出するガス噴出口と噴出したガスを吸引するガス吸引口とを交互に格子点上に形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。   3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein gas slits for ejecting gas and gas suction ports for sucking the ejected gas are alternately formed on the lattice points in the slit. 前記処理液貯留室に処理液供給口を基板の端部よりも外側に形成し、前記リンス液貯留室にリンス液供給口を基板の端部よりも内側に形成し、前記乾燥ガス貯留室に乾燥ガス供給口を基板の端部よりも内側に形成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。 A treatment liquid supply port is formed outside the end of the substrate in the treatment liquid storage chamber, a rinse liquid supply port is formed inside the end of the substrate in the rinse liquid storage chamber, and the dry gas storage chamber 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the dry gas supply port is formed on the inner side of the end portion of the substrate. 前記周縁処理装置は、前記基板の周縁部に対して内側に向けて相対的に移動可能に構成したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the peripheral processing apparatus is configured to be relatively movable inward with respect to a peripheral part of the substrate. 基板の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理方法において、
基板の周縁部を挿通させたスリットを有する周縁処理装置を基板に対して相対的に回転させ、周縁処理装置のスリットに回転方向に沿って上流側から順に形成した処理液供給部の処理液貯留室とリンス液供給部のリンス液貯留室と乾燥ガス供給部の乾燥ガス貯留室から処理液とリンス液と乾燥ガスとをそれぞれ供給するとともに、これら処理液供給部・リンス液供給部・乾燥ガス供給部よりも基板の内側に隣設するとともに基板を挿通させたスリットに形成したガス噴出部から基板に向けてガスを噴出して、処理液貯留室に貯留した処理液とリンス液貯留室に貯留したリンス液と乾燥ガス貯留室に貯留した乾燥ガスを用いて基板の周縁部の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。 In the substrate processing method for performing processing such as etching or cleaning on the peripheral edge of the substrate,
The processing liquid reservoir of the processing liquid supply part formed in order from the upstream side in the rotation direction in the slit of the peripheral processing apparatus by rotating the peripheral processing apparatus having a slit inserted through the peripheral part of the substrate relative to the substrate. The treatment liquid, the rinse liquid, and the dry gas are supplied from the rinse liquid storage chamber of the chamber and the rinse liquid supply section and the dry gas storage chamber of the dry gas supply section , respectively. Adjacent to the inside of the substrate from the supply unit and ejecting gas toward the substrate from the gas ejection portion formed in the slit through which the substrate is inserted, into the processing liquid storage chamber and the rinse liquid storage chamber A substrate processing method comprising: processing a peripheral portion of a substrate using the stored rinse liquid and the dry gas stored in the dry gas storage chamber . 前記処理液貯留室に処理液を基板の端部よりも外側から供給し、前記リンス液貯留室にリンス液を基板の端部よりも内側から供給し、前記乾燥ガス貯留室に乾燥ガスを基板の端部よりも内側から供給することを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。The processing liquid is supplied to the processing liquid storage chamber from the outside of the end portion of the substrate, the rinsing liquid is supplied to the rinsing liquid storage chamber from the inside of the end portion of the substrate, and the drying gas is supplied to the drying gas storage chamber. The substrate processing method according to claim 6, wherein the substrate is supplied from an inner side than an end of the substrate.
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