JP5004881B2 - 単結晶育成装置用坩堝、単結晶育成方法、および単結晶育成装置 - Google Patents
単結晶育成装置用坩堝、単結晶育成方法、および単結晶育成装置 Download PDFInfo
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Description
部分側壁12bに対応する部分にだけ、原料(サファイア)が固着するので、サファイアを取り除く手間やコストが比較的少ない。また、この下側部分12bのみを取り外し、原料が付着していない新たな下側部分12bを固着させることで、比較的容易に坩堝10が再生される。また、比較的大きな体積を占める上側部分12aは継続して使用し、比較的小さい堆積の下側部分12aのみを取り替えて使用することができる、本実施形態の単結晶成長装置1では、比較的少ないランニングコストで、長期間使用することができる。
12 側壁
16 坩堝保持容器
17 保温材
20 コイル20
30 高周波電源
40 結晶引上機構
50 制御部50
Claims (7)
- 単結晶育成装置に配置されて誘導加熱によって側壁が加熱される、上面が円形に開口された坩堝であって、
前記側壁は、前記開口を囲む上端部を備えた円筒状の上側部分側壁と、
前記上側部分側壁よりも前記坩堝の下面の側に配置されて前記下面と連なる、前記開口の中心を通る中心軸との距離が前記上側部分側壁に比べて近い、円筒状の下側部分側壁とを有することを特徴とする単結晶育成装置用坩堝。 - モリブデン、イリジウム、タングステン、およびレニウムの少なくとも一種類を含有してなる請求項1記載の単結晶育成装置用坩堝。
- 請求項1または2に記載の単結晶育成装置用坩堝内に原料を配し、
前記坩堝の側壁を囲むように巻き回された誘導コイルに電力を供給し、前記坩堝の側壁を誘導加熱によって加熱して前記坩堝内の原料を溶融させ、
前記坩堝内の原料を溶融させた状態で、前記坩堝の開口された上面から、前記原料の種結晶を溶融した前記原料の液面へ浸漬させて、前記原料の単結晶を成長させる単結晶育成方法。 - 前記単結晶がサファイア単結晶、YAG単結晶、LBO単結晶の何れかであることを特徴とする請求項3記載の単結晶育成方法。
- 上面が円形に開口された坩堝と、
前記坩堝の側壁を囲むように巻き回された誘導コイルと、
前記誘導コイルと接続した電源と、
前記開口の中心を通る中心軸に対応する位置に配置され、前記中心軸に沿って移動可能な単結晶引上軸と、を有し、
前記坩堝の前記側壁は、前記開口を囲む上端部を備えた円筒状の上側部分側壁と、
前記上側部分側壁よりも前記坩堝の下面の側に配置されて前記下面と連なる、前記開口の中心を通る中心軸との距離が前記上側部分側壁に比べて近い、円筒状の下側部分側壁とを有することを特徴とする単結晶育成装置。 - 前記側壁の周囲が断熱材で覆われており、
前記誘導コイルが、前記断熱材の周囲を囲んでいることを特徴とする請求項5記載の単結晶育成装置。 - 前記坩堝は、モリブデン、イリジウム、タングステン、およびレニウムの少なくとも一種類を含有してなる請求項5または6記載の単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008168302A JP5004881B2 (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 単結晶育成装置用坩堝、単結晶育成方法、および単結晶育成装置 |
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Publications (2)
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JP2010006645A JP2010006645A (ja) | 2010-01-14 |
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JP2008168302A Expired - Fee Related JP5004881B2 (ja) | 2008-06-27 | 2008-06-27 | 単結晶育成装置用坩堝、単結晶育成方法、および単結晶育成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5004881B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010052993A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kyocera Corp | 単結晶育成装置用坩堝、単結晶育成方法、および単結晶育成装置 |
JP5953884B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-07-20 | 株式会社Sumco | サファイア単結晶の製造方法 |
KR102227148B1 (ko) * | 2019-02-14 | 2021-03-15 | 한국세라믹기술원 | 결정 성장 장치용 가변 리플렉터 |
CN110257913B (zh) * | 2019-07-08 | 2020-10-13 | 武汉大学 | 用于顶端种子溶液法生长晶体的设备 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04285091A (ja) * | 1991-03-14 | 1992-10-09 | Toshiba Corp | 酸化物単結晶の製造装置 |
JP2005231958A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア単結晶育成装置 |
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2008
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010006645A (ja) | 2010-01-14 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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