JP4999921B2 - メモリ素子用の歪み推定と誤り訂正符号化の組み合せ - Google Patents
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Description
本出願は、2006年5月12日に提出の米国仮特許願第60/747106号、2006年10月30日に提出の米国仮特許願第60/863480号、2006年11月1日に提出の米国仮特許願第60/863810号、2006年11月28日に提出の米国仮特許願第60/867399号、2007年1月16日に提出の米国仮特許願第60/885024号、2007年1月23日に提出の米国仮特許願第60/886102号、2007年2月11日に提出の米国仮特許願第60/889277号、2007年3月4日に提出の米国仮特許願第60/892869号、2007年3月12日に提出の米国仮特許願第60/894290号、2007年3月13日に提出の米国仮特許願第60/894456号、2007年4月16日に提出の米国仮特許願第60/912056号、および2007年4月22日に提出の米国仮特許願第60/913281号に関連するものである。
データを誤り訂正記号(ECC)を用いて符号化し、符号化データを第1アナログ値としてメモリ素子の関連アナログ・メモリ・セルに格納する段階と、
符号化データを格納した後に、符号化データが格納されたメモリ素子のメモリセルから関連第2アナログ値を読み取る段階であって、関連第2アナログ値の少なくともいくつかは関連第1アナログ値と異なる段階と、
第2アナログ値に含まれる歪みを推定する段階と、
推定歪みに応答可能なように第2アナログ値に関して誤り訂正メトリクスを計算する段階と、
データを復元するために、ECC復号プロセスで誤り訂正メトリクスを用いて第2アナログ値を処理する段階と、
を含む。
データを第1アナログ値としてメモリ素子の関連アナログ・メモリ・セルに格納する段階と、
データを格納した後に、関連メモリセルから第2アナログ値の複数のインスタンスを読み取る段階であって、インスタンスの各々は第2アナログ値を関連決定閾値と比較することによって読み取られる段階と、
第2アナログ値に含まれる歪みを推定する段階と、
データを復元するために、推定歪みに応答可能なように第2アナログ値の複数のインスタンスを処理する段階と、
を含む。
符号化データが格納されたメモリ素子のアナログ・メモリ・セルから関連第2アナログ値を読み取るように構成される読み取りユニットであって、関連第2アナログ値の少なくともいくつかは関連第1アナログ値と異なる読み取りユニットと、
第2アナログ値に含まれる歪みを推定し、推定歪みに応答可能なように第2アナログ値に関して誤り訂正メトリクスを計算するように構成される信号処理ユニットと、
ECCを復号し、データを復元するために、誤り訂正メトリクスを用いて第2アナログ値を処理するように構成される復号器と、
を備える。
第2アナログ値の複数のインスタンスを関連メモリセルから読み取るように構成される読み取りユニットであって、インスタンスの各々は第2アナログ値を関連決定閾値と比較することによって読み取られる読み取りユニットと、
データを復元するために、第2アナログ値に含まれる歪みを推定し、推定歪みに応答可能なように第2アナログ値の複数のインスタンスを処理するように構成される信号処理ユニットと、
を備える。
図1は、本発明の実施形態に従って、メモリ信号処理の装置を図式的に示すブロック図である。
図2は、本発明の実施形態に従って、メモリ・セル・アレイを図式的に示す図である。
図3は、本発明の実施形態に従って、メモリ・セル・アレイの電圧分布を示すグラフである。
図4は、本発明の実施形態に従って、データをメモリ・セル・アレイから検索するプロセスを図式的に示す機能ブロック図である。
図5は、本発明の実施形態に従って、データをメモリ・セル・アレイから検索する方法を図式的に示す流れ図である。
図6は、本発明の実施形態に従って、メモリ・セル・アレイの歪みを推定する方法を図式的に示す流れ図である。
本発明の実施形態はメモリ素子に格納された情報を検索する改善された方法および方式を提供する。以下に説明する実施形態では、データはメモリ・セル・アレイのアレイに書き込まれる電荷のレベルとして格納される。電荷レベルはセルのそれぞれの閾値電圧を決定する。さまざまな歪み機構の影響を低下させるために、データはそれをメモリセルに格納するに先立って誤り訂正記号(ECC)を用いて符号化される。
図1は、本発明の実施形態に従って、メモリ信号処理の装置20を図式的に示すブロック図である。装置20はデータをメモリ・セル・アレイ28に格納するメモリ素子24を備えている。メモリアレイは複数のアナログメモリ・セル32を備えている。本特許出願の文脈で、かつ特許請求の範囲で、用語「アナログ・メモリ・セル」は、物理的パラメタの連続アナログ値、例えば、電圧または電荷などを保持することによって情報を格納する任意のメモリセルを表わすために使用される。アレイ28はどんな種類のアナログ・メモリ・セルでも、例えば、NANDおよびNORフラッシュセル、PCM、NROM、FRAM、MRAM、およびDRAMセルなどを備えるとよい。
図2は、本発明の実施形態に従って、メモリ・セル・アレイ28を図式的に示す図である。図2は特定のアレイ構成で接続されているフラッシュ・メモリ・セルを参照しているけれども、本発明の原理は他のタイプのメモリセルおよび他のアレイ構成にも同様に適用可能である。いくつかの例示的なセルタイプおよびアレイ構成は上の背景項で引用した参考文献に記載されている。
装置20は、ECCを用いてセルに格納したデータを符号化することによって、セル32のデータ内容について誤った決定を行う可能性を減らす。本例では、符号化器/復号器64は各ページのデータを別々に符号化する。代替実施形態では、データはその他の適切なサイズを有するブロックで符号化され得る。例えば、各ページはいくつかのセクタに分割されることが可能であり、符号化器/復号器64は各セクタのデータを別々に符号化する。あるいは、データは複数のページにわたって符号化され得る。
MSP52は係数αijを推定することによってH−1を計算する。次にMSPは次式を最小にするxの値を決定することによってデータを復号することができる。
図5は、本発明の別の実施形態に従って、データをメモリ・セル・アレイ28から検索する方法を図式的に示す流れ図である。方法の段階128〜140は上図4のプロセスに類似しているプロセスを表わしている。続く段階144〜156はECC復号プロセスからのフィードバックに基づいて復号プロセスの反復適合を実行する。
MSP52の信号処理ユニット60は、メモリセル32から読み取られた電圧に含まれる歪みを推定する任意の適切な方法を使用することができる。いくつかの例示的な方法が前掲の米国仮特許願第60/747106号および第60/885024号に記載されている。あるいは、その他の適切な歪み推定方法を使用することができる。
yn,mに含まれる集合歪み次式のように推定され得る。
いくつかの実施形態では、上式[10]はこの差を補償するために変更され得る。式[10]の第3項は次のように書くことができる。
24 メモリ素子
28 メモリ・セル・アレイ
32 アナログ・メモリ・セル
36 データバッファ
40 読み取り/書き込みユニット
48 制御論理
52 メモリ信号プロセッサ
56 入力/出力バッファ
60 信号処理ユニット
64 符号化器/復号器
72 データバッファ
76 コントローラ
Claims (42)
- 1つのメモリ素子を動作させる方法であって、
データを1つの誤り訂正記号(ECC)を用いて符号化し、前記符号化されたデータを第1のアナログ値として前記メモリ素子のそれぞれのアナログ・メモリセルに格納するステップと、
前記符号化されたデータを格納した後に、前記符号化されたデータが格納された前記メモリ素子の前記メモリセルからそれぞれ第2のアナログ値を読み取るステップと、
ここにおいて少なくともいくつかの前記第2のアナログ値は、それぞれの前記第1のアナログ値と異なり、
前記第2のアナログ値に含まれる1つの歪みを推定するステップと、
前記推定された歪みに応答して前記第2のアナログ値に関して誤り訂正値を計算するステップと、
前記データを再構成するために、1つのECC復号プロセスにおいて前記誤り訂正値を用いて前記第2のアナログ値を処理するステップと、
からなることを特徴とする方法。 - 前記誤り訂正値を計算するステップが、
それぞれの前記メモリセルについて、前記歪みを示す1つ以上のセルパラメタを評価するステップと、
前記セルパラメタに応答して前記誤り訂正値を計算するステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記セルパラメタが、他のメモリセルから読み取られた前記アナログ値、前記他のメモリセルの推定クロスカップリング係数、前記読み取られた第2のアナログ値の1つの統計的分布のパラメタ、前記メモリセルが従前に受けたプログラミングおよび消去サイクルの数、従前のプログラミングおよび消去サイクルの後からの経過時間、前記メモリセルで検出された従前の誤り、前記メモリセルが接続されている1つのワード線の1つの識別子、前記メモリセルが接続されている1つのビット線の1つの識別子、前記メモリセルが接続されている前記ビット線に結合された1つのセンスアンプの1つの推定パラメタ、および1つの環境パラメタから成るパラメタの1群から選択される、少なくとも1つのパラメタを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記第2のアナログ値を処理するステップが、
前記第2のアナログ値の可能な値の1つの範囲を複数の決定間隔に分割するステップと、
前記第2のアナログ値が入るそれぞれの前記決定間隔を決定するステップと、を含み、
前記誤り訂正値を計算するステップが、
前記ECC復号プロセスの性能を改善するために、前記第2のアナログ値を前記決定間隔に対して変更する1つの関数を定義するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第2のアナログ値を処理するステップが、
前記ECC復号プロセスの1つの性能に関するフィードバックを受け取るステップと、
前記フィードバックに応答して前記ECC復号プロセスを変更するステップと、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第2のアナログ値を処理するステップが、前記第2のアナログ値を決定閾値と比較するステップを含み、前記ECC復号プロセスを変更するステップが、前記決定閾値を変更するステップを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記決定閾値を変更するステップが、前記変更した決定閾値を用いて、前記メモリセルから前記第2のアナログ値を再び読み取るステップを含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第2のアナログ値を前記決定閾値と比較するステップが、前記決定閾値を用いて前記メモリ素子の前記第2のアナログ値を読み取るステップを含み、前記決定閾値を変更するステップが前記閾値を変更する1つの命令を前記メモリ素子に送るステップを含む、ことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第2のアナログ値を処理するステップが、
異なる複数組の前記決定閾値を用いて、前記ECC復号プロセスをそれぞれ複数回反復することによって、各メモリセルに格納された前記データの多重の推定値を生成するステップと、
前記データの前記多重の推定値に応答して前記データを再構築するステップと、
を含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 前記データを再構築するステップが、それぞれの前記メモリセルに対し前記多重の推定値の内の1つを独立して選択するステップを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第2のアナログ値を処理するステップが、1つの第1の誤り性能を有する1つの第1のECC復号プロセスを適用するステップを含み、
前記フィードバックを受け取るステップが、前記第1のECC復号プロセスを用いて復号された前記データにおける復号誤りの1つの表示を受け取るステップを含み、
前記ECC復号プロセスを変更するステップが、前記第1の誤り性能よりも性能が優れた1つの第2の誤り性能を有する1つの第2のECC復号プロセスを用いて前記第2のアナログ値を処理するステップを含む、ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記ECC復号プロセスを変更するステップが、前記第2のアナログ値を読み取るのに用いる1つのサンプリング分解能を変更するステップを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第2のアナログ値を読み取るステップが、
それぞれの異なる複数組の前記決定閾値を用いて前記第2のアナログ値の多重のインスタンスを読み取るステップを含み、
前記誤り訂正値を計算するステップが、
それぞれの前記メモリセルに対し前記多重のインスタンスを独立して組み合わせるステップと、
前記組み合わされた多重のインスタンスに基づいて、前記誤り訂正値を計算するステップと、
を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記第2のアナログ値の前記複数のインスタンスを読み取り、組み合わせるステップが、
前記第2のアナログ値の追加のインスタンスを反復して得るステップと、
前記ECCの復号に成功するまで、前記追加のインスタンスを用いて前記誤り訂正値を更新するステップと、
を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - それぞれの前記メモリセルについて、前記歪みを推定するステップが、
前記メモリセルから読み取られた前記第2のアナログ値における前記歪みに寄与する可能性のある、1サブ組の干渉可能性を有するメモリセルから、前記第2のアナログ値を読み取るステップを含み、
前記誤り訂正値を計算するステップが、前記干渉可能性を有するメモリセルの寄与による前記歪みを評価するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記干渉可能性を有するメモリセルの寄与により前記メモリセルに与えられる前記歪みを評価するステップが、前記干渉可能性を有するメモリセルから読み取られた前記第2のアナログ値および前記メモリセルから読み取られた前記第2のアナログ値の両方に基づいて、干渉可能性を有するそれぞれのメモリセルの寄与による前記歪みを近似するステップを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記第2のアナログ値を処理するステップが、
前記メモリセルの前記第2のアナログ値を1つの第1の量子化レベルで処理するステップと、
前記干渉可能性を有するメモリセルから読み取られた前記第2のアナログ値を、前記第1の量子化レベルよりも粗い1つの第2の量子化レベルで処理するステップと、
を含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 前記第2のアナログ値を処理するステップが、
前記第2のアナログ値を読み取るのに使用される1つの回路の1つの閾値を反復して変更することによって、前記第2のアナログ値を前記第1および第2の量子化レベルで読み取るステップを含む、
ことを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記符号化データを格納するステップが、
1つのプログラムおよび検証(P&V)プロセスを用いて前記第1のアナログ値を前記メモリセルに書き込むステップを含み、
前記歪みを推定するステップが、
前記P&Vプロセスによって、前記1つのメモリセルよりも早く完全にプログラムされたメモリセル、前記1つのメモリセルよりも遅く完全にプログラムされたメモリセル、および前記1つのメモリセルと同時に完全にプログラムされたメモリセル、から成る1群の部類から選択される少なくとも2つの部類に、複数の前記干渉可能性を有するメモリセルを分類するステップと、
歪みの合計をそれぞれの前記部類の内で別々に計算するステップと、
を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記メモリセルがフラッシュ・メモリセルからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルがダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルが位相変化メモリ(PCM)セルからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルが窒化読出し専用メモリ(NROM)セルからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルが磁気RAM(MRAM)セルからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルが強誘電体RAM(FRAM)セルからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ECCが1つのブロックコードからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ブロックコードが1つのBCHコードまたは1つのリード・ソロモン(RS)コードからなることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記ブロックコードが1つの低密度奇偶検査(LDPC)コード、1つのターボコード、および1つのターボ・プロダクト・コード(ТPC)の内の1つからなることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記ECC復号プロセスが1つの反復復号プロセスからなることを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記ECC復号プロセスが、前記第2のアナログ値を読み取ることによって生成されるフィードバックを使用することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ECC復号プロセスが、1つの最尤シーケンス推定(MLSE)プロセスからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ECCが、1つの従来コード、1つのトレリス符号化変調(TCM)コード、1つのビットインターリブド符号化変調(BICM)コード、および1つの連結コードの内の1つからなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記誤り訂正値が尤度比(LR)からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記誤り訂正値が対数尤度比(LLR)からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記歪みを推定するステップが、前記メモリセルの1つに含まれる前記歪みを他の複数のメモリセルに含まれる前記歪みに基づいて予測するステップを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルが、孤立した複数の群の干渉可能性を有するメモリセルに配置され、
それぞれの群の前記歪みを推定するステップが、前記群内の前記メモリセルのペア間の相互干渉を表わす1つのクロスカップリング行列の1つの逆行列を評価するステップを含み、
前記誤り訂正値を計算するステップが、前記第1のアナログ値に適用され、前記群内のそれぞれの前記メモリセルの平均歪みレベルを合計した前記クロスカップリング行列の前記逆行列と、前記第2のアナログ値に適用された前記クロスカップリング行列の前記逆行列との間の1つの距離を計算するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記孤立した複数の群がそれぞれ窒化読出し専用メモリ(NROM)セルからなり、それぞれの群内の前記干渉可能性を有するメモリセルがそれぞれの前記NROMセルの第1および第2の電荷蓄積領域からなることを特徴とする請求項36に記載の方法。
- 前記メモリセルが、孤立した複数の群の干渉可能性を有するメモリセルに配置され、
それぞれの群の前記歪みを推定するステップが、前記群内のそれぞれの前記メモリセルの平均歪みレベルの1つのベクトル、および前記群内の前記メモリセルのペア間の相互干渉を表わす1つのクロスカップリング行列を評価するステップを含み、
前記誤り訂正値を計算するステップが、前記群内の前記メモリセルから読み取られた前記第2のアナログ値の1つのベクトルと、前記クロスカップリング行列と前記平均歪みレベルの前記ベクトルとの1つの積との1つの差分に応答して前記値を計算するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記孤立した複数の群が、それぞれ窒化読出し専用メモリ(NROM)セルからなり、
それぞれの群内の前記干渉可能性を有するメモリセルが、それぞれ前記NROMセルの第1および第2の電荷蓄積領域からなる、ことを特徴とする請求項38に記載の方法。 - 前記符号化データを格納するステップが、
前記符号化データをスクランブルするステップと、
前記スクランブルされたデータを格納するステップと、を含み、
前記第2のアナログ値を処理するステップが、
前記メモリセルから読み取られた前記第2のアナログ値をデスクランブルするステップを含む、
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データを格納するステップが、
少なくともいくつかの前記メモリセルを1つの消去されたレベルに維持するステップを含み、
前記第2のアナログ値を読み取るステップ、前記歪みを推定するステップ、前記誤り訂正値を計算するステップ、および前記第2のアナログ値を処理するステップが、
前記消去されたレベルに維持されていた前記メモリセルから読み取られた、前記第2のアナログ値の前記歪みを補償するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - 1つの誤り訂正記号(ECC)を用いて符号化され、第1のアナログ値として1つのメモリ素子のそれぞれのアナログ・メモリセルに格納されたデータを獲得する装置であって、
前記符号化されたデータが格納された前記メモリ素子の前記アナログ・メモリセルから、それぞれ第2のアナログ値を読み取るように構成される1つの読み取りユニットと、
ここにおいて少なくともいくつかの前記第2のアナログ値はそれぞれの前記第1のアナログ値と異なり、
前記第2のアナログ値に含まれる1つの歪みを推定し、前記推定された歪みに応答して前記第2のアナログ値に関して誤り訂正値を計算するように構成される1つの信号処理ユニットと、
前記ECCを復号し、前記データを再構築するために、前記誤り訂正値を用いて前記第2のアナログ値を処理するように構成される1つの復号器と、
からなることを特徴とする装置。
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