JP4997670B2 - 共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置 - Google Patents

共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を構成する絶縁膜として利用可能な共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置に関する。より具体的には、二種以上の原料モノマーを原料とし、それを気相より供給して、表面上で共重合して共重合高分子膜を気相成長する方法、かかる気相成長方法により作製される共重合高分子膜を、半導体素子内部、あるいは集積されている複数の半導体素子間を結ぶ配線間の絶縁を図る絶縁膜として利用する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の設計ルールは縮小を続けており、それに伴い、隣接する配線間の間隙も狭くなっている。その結果、配線間の寄生容量に起因する遅延も相対的に増し、この遅延よる高速動作性能の劣化が顕在化している。つまり、半導体集積回路において、配線信号遅延は配線ＣＲ時定数（Ｃ：配線容量、Ｒ：配線抵抗）に依存するが、配線幅の減少による配線抵抗の増大に加え、配線間隔の減少による配線間容量の増大も生じ、配線ＣＲ時定数が大幅に増すと、回路を構成するトランジスタのスイッチング速度の向上に対して、配線での信号伝達速度が十分に追従できない状態となることが懸念されている。従来、半導体集積回路の配線材料には、アルミ合金が主に使用されていたが、一層の高速な動作を目標とする、より集積度を増した集積回路では、配線幅の減少による配線抵抗の増大を回避するため、配線材料の低抵抗化を必要とし、現在、銅配線を使用している。
【０００３】
一方、配線間容量の増大を回避するために、配線間の絶縁膜として、従来から広く利用されているシリカ（ＳｉＯ2）系絶縁膜よりも、比誘電率の低い絶縁膜材料の採用が進められている。この半導体装置における配線間の絶縁膜として利用可能な、比誘電率の低い絶縁膜材料としては、フッ素添加シリカ（ＳｉＯＦ）やポーラスシリカ、さらには、有機高分子膜（有機絶縁膜）の利用が行われている。
【０００４】
例えば、フッ素添加シリカは、現在、既に一部の市販製品で使用されているものの、フッ素添加シリカ膜自身の一層の低誘電率化を図る目的で、含有されるフッ素濃度を高くすると、水分あるいは水素との反応によって生じるフッ化水素による配線金属の腐食が発生したり、あるいは、フッ素が脱離する結果、比誘電率が増大するといった新たな課題が生じる。加えて、半導体集積回路技術の更なる進歩により、配線絶縁膜に対する低誘電率化の要求は、既にフッ素添加シリカ（ＳｉＯＦ）膜で得られる３．３程度の比誘電率では、十分には応えられなくなってきている。すなわち、比誘電率が３以下と非常に小さな絶縁材料の利用が注目されている。この観点では、ポーラスシリカは、その比誘電率を２以下とすることも可能である点から、期待される材料の一つである。ただし、その構造上、微小空孔の中へ水分が凝縮すると、比誘電率が増大し、また、絶縁耐圧が低下したりすることもある。また、ポーラス構造ゆえ、機械的強度が弱く、化学的機械研磨（ＣＭＰ）や、ワイヤーボンディングといった工程において、その物理的ストレスに耐えられないといった課題を有することも少なくない。
【０００５】
現在、半導体集積回路上の多層配線間を絶縁する層間絶縁膜として利用する上で必要となる、耐熱性・耐吸湿性に優れた有機高分子膜の開発が急がれている。有機高分子膜において、優れた耐吸湿性を達成するためには、かかる有機高分子の構成ユニットとなる、有機モノマー中に親水基が含まれていないことが肝要である。また、有機高分子膜をその骨格たる有機モノマーの重合反応で形成する際、その重合反応中に水分子を生成させる脱水縮合反応を経ないことが望ましいとされている。ここで、有機モノマーとは、かかる有機モノマーを構成単位として重合反応によって、目的とする有機高分子（有機ポリマー）を形成する原料化合物を指す。
【０００６】
層間絶縁膜のような、機能性有機高分子膜の成膜方法として、原料の有機モノマーをスピンコーティングした後、その被膜層中で重合反応を起こさせ、高分子膜とするスピンコーティング法がある。このスピンコーティング法は、有機高分子膜の成膜に広く用いられている方法である。この方法では、スピンコーティングするため、有機モノマーは溶媒に溶解されており、被膜層を形成した後、成膜過程では、含まれる溶媒を蒸発・除去するとともに、残留する有機モノマーを加熱によりモノマー相互の重合反応を進行させる。最終的に、重合反応により、有機モノマーを構成単位とする、２次元あるいは３次元の網目構造膜や、高分子膜が形成される。形成される有機高分子自体は、絶縁性材料であり、有機絶縁膜として機能する。なお、このスピンコーティング法で作製される有機絶縁膜の組成、構造は、スピンコーティングに用いる有機溶剤中に溶解させている有機モノマー自体の構造、ならびに、複数種の有機モノマーの含有比率により決まる。従って、有機絶縁膜の膜厚方向における組成を、その途中で変化させることは、原理的に不可能なものである。
【０００７】
例えば、“REAL-TIME FT-IR STUDIES OF THE REACTION KINETICS FOR THE POLYMERIZATION OF DIVINYL SILOXANE BIS BENZOCYCLO BUTENE MONOMERS”(Material Research Symposium Proceeding Vol.227 p.103,1991)T.M.Stokich, Jr., W.M.Lee, R.A.Peters（以下、文献１）には、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーを溶媒メシチレンに溶解させた溶液をスピン塗布した後、１００℃でベークして、塗布被膜中の溶媒メシチレンを除去し、その後、さらに３００℃〜３５０℃まで加熱すると、原料モノマー分子中のベンゾシクロブテン骨格中の炭素四員環の熱開環重合反応で、下記化学式（ＩＶ）：
【０００８】
【化５】
Figure 0004997670
【０００９】
（ＩＶ）：ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンを骨格とする高分子膜
に示すジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーを骨格とした３次元的分子鎖からなる有機高分子膜の成膜についての記述がなされている。
【００１０】
スピンコーティング法では、有機モノマーを有機溶媒に溶かし、この溶液をスピン塗布するので、このスピンコーティング塗布工程に用いる溶液の９０％程度は、基板外に飛ばされる。従って、出発原料の有機モノマーに関しては、その使用効率が低い方法である。それに伴い、出発原料の有機モノマーの製造コストに占める比率は、相対的に高いものとなる。
【００１１】
また、スピン塗布膜をベーク炉中で加熱して、まず有機溶媒を蒸発・除去した後、さらに高温で加熱して、有機モノマーの重合反応を起こして、目的の有機高分子膜を形成する際、ベーク炉内に酸素分子が存在すると、この酸素分子が有機モノマーの一部と反応を起こし、結果的に目的とする構造の有機高分子膜にはならない場合もある。この種の副次的反応を防止する上では、ベーク炉内に残留する酸素分子を予め除くため、全体を窒素ガスなど、不活性ガスで置換する必要があり、この作業は付加的な製造コストの要因となり、低コスト化を困難とする原因の一つともなる。
【００１２】
さらに、場合によっては、利用する有機溶媒中に溶け込んでいる溶存酸素が、有機モノマーとベーク時に反応を起こすことも想定され、この懸念を払拭するためには、溶液の調製、スピンコーティング工程を含めて、厳密な雰囲気制御が必要となる。スピンコーティング法を利用する際、その全ての工程において、厳密な雰囲気制御を行うことは困難である。その他、レジスト塗布と同様に、有機モノマーのスピン塗布は、有機溶媒を使用するため、クリーンな環境下、局所排気されたスピン塗布室で行うものの、その際、浮遊している微細な塵埃粒子や、飛散して、乾燥、固化した有機モノマーの微粒子などが、形成されるスピン塗布膜に混入することもある。レジストの場合、一連の工程が終了した時点では最終的には除去されるため、仮に、これら微粒子の混入があっても、半導体素子中に残ることはない。一方、層間絶縁膜などに利用される有機高分子膜では、これらの微粒子の周辺では、形成される有機高分子膜の微視的構造が異なり、例えば、長期間動作を継続する間に、局所的なリーク経路を形成し、耐圧特性を損なうなど、有機絶縁膜の膜質を劣化させる要因となる場合もある。勿論、スピン塗布の場合、大量の揮発性有機溶媒を使用するので、局所排気された環境下で作業し、有機溶媒蒸気の回収を図るものの、極く微量の散逸が生じることも少なくなく、環境負荷が大きいといった本質的な課題も有している。
【００１３】
本発明者らは、特願平０９−１６４６８８（特開平１１−０１７００６号公報）にて、気相成長法を利用する機能性有機高分子膜の成膜方法として、有機モノマーの蒸発法を提案している。この有機高分子膜の気相成長方法は、原料となる有機モノマーを蒸発させて、気相からモノマー分子を供給し、基板上においてモノマー分子相互の熱重合をおこなって、有機高分子膜を得る方法である。図６に、かかる直接気化させた有機モノマー原料蒸気を利用する有機高分子膜の気相成長方法に基づく成膜装置の概要を示す。タンク５５中の有機モノマー１を減圧下で加熱して蒸発させる。一方、反応室は、排気ポンプ５０により減圧に保ちつつ、気化原料配管５６を通して、蒸発した有機モノマー分子を反応室５１に送る。供給される有機モノマー分子は、予め半導体集積回路を形成した半導体基板５３の表面に吸着する。その際、半導体基板５３は、基板加熱部５４によって加熱されており、その温度において、熱エネルギーによって有機モノマー分子相互の重合反応が進行し、架橋構造を形成し有機絶縁膜５２が形成される。この特願平０９−１６４６８８（特開平１１−０１７００６号公報）に記載される有機モノマーの蒸発法と称される有機高分子膜の成膜方法は、スピンコーティング法と異なり、有機溶媒を利用してなく、また、減圧反応室で成膜を行うため、雰囲気に酸素が存在していない。従って、スピンコーティング法で散見される、酸素分子との反応や、被膜中に残留している有機溶媒の気化に伴う気泡、ボイドの発生など膜質を低下させる要因を原理的に有していない点で優れていた。なお、重合度を増す、あるいは、重合反応速度を増す目的で基板温度を上げると、一旦吸着した有機モノマー分子の再離脱速度が増し、実効的な基板上への吸着速度が減少し、結果的に、目標とする成長速度の向上が達成されないといった技術な課題を残していた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、特願平１０−１７００１６（特開２０００−０１２５３２号公報；以下文献２）において、前記の有機モノマーの蒸発法を更に発展させた、機能性有機高分子膜の成膜方法として、ＭＶＰ（Monomer-vapor Polymerization）法を提案している。この方法においては、重合反応速度を増すことを目的として、高分子膜の骨格たる有機モノマーを直接気化させて、この有機モノマー蒸気をキャリアガスを用いて輸送し、加えて、減圧反応室中に形成されているＨｅプラズマなどのプラズマを介して、加熱基板表面に吹き付けることで、基板表面に有機高分子膜を形成するものである。具体的には、前記Ｈｅプラズマなどのプラズマ環境を通過する際、原料有機モノマー分子は励起を受け、より反応性を増した状態となって、基板表面に到達する。予め励起がなされた有機モノマー分子は、比較的に僅かな熱エネルギーを加えるのみで、容易に重合反応を起こすので、基板温度が比較的に低くしても、目標とする重合速度の向上が達成できる利点を有している。
【００１５】
それに対して、通常のＣＶＤ法では、例えば、液体有機シリカソースであるＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケイト：Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）4）を気化させて、その蒸気を原料として減圧された反応室内でシリコン酸化膜を作製する際、反応室内において、別配管径路より供給されるオゾンや酸素と気相中で化学反応を行わせて、基板表面にＳｉＯ2膜を成膜する。すなわち、出発原料（ＴＥＯＳ）の化学構造は、反応の結果失われ、その原料分子中の構造を全く留めない別種の構造を有する膜（ＳｉＯ2）が成膜する。一方、文献２に開示するＭＶＰ法では、気相輸送された有機モノマー自体が基板上で重合反応を起こすため、基板上に形成される膜は、出発原料の有機モノマーの構造を骨格とした膜であり、その膜厚は、供給される有機モノマー量を制御するのみで、高い再現性で、高精度に制御できるという顕著な効果を奏するのである。従来のＣＶＤ法と区別するため、特願平１０−１７００１６（特開２０００−０１２５３２号公報）に記載する、プラズマによる重合反応の促進を行う有機高分子膜の成膜方法を、特に、プラズマ重合法と呼ぶ。例えば、原料の有機モノマーとして、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマーを用い、このプラズマ重合法により得られた有機高分子膜では、比誘電率２．５〜２．７のものが得られているが、さらに低い誘電率を達成することは、このＤＶＳ−ＢＣＢモノマーから得られるプラズマ重合膜では困難であった。すなわち、さらに低い誘電率を達成する上では、得られる有機高分子膜の嵩密度を小さくすることが有効な手段であるが、前記のＤＶＳ−ＢＣＢから得られるプラズマ重合膜では、それ以上に嵩密度を小さくすることは困難であり、有機高分子膜中に、更に立体障害基を有する有機骨格を導入することが必要であった。
【００１６】
ところで、かかる有機高分子膜を層間絶縁膜として利用する上では、高分子膜自体の低誘電率化を行った際にも、かかる有機高分子膜と接する他の半導体材料との高い密着性を維持することも、当然必要である。また、有機高分子膜は、元々比誘電率は小さいものの、より低誘電率化を図るためには、嵩密度を小さくすることに加えて、その高分子中に含有される、酸素やシリコンといった極性元素の比率をなるべく少なくすることも有効である。一方、有機高分子膜と他の半導体材料、金属などとの密着性には、これらの極性元素の存在が大きく貢献している。従って、低誘電率化を図るため、嵩密度を小さくし、また、含有される酸素やシリコンといった極性元素の比率を低減すると、有機高分子膜と他の半導体材料との界面に存在する極性元素の面密度が減少する結果、高い密着性の維持が困難となる。
【００１７】
具体的には、単一のモノマー原料を用いたプラズマ重合膜においては、例えば、利用するプラズマや基板温度などの成膜条件を変更することで、ある程度の範囲で形成される高分子の構造を変化させることは可能であるものの、その制御可能な幅には自ずから限界がある。従って、下地の基板表面との界面では、高い密着性を与える極性元素の面密度が高い構造とし、この界面部の被覆を終えた後には、単位体積当たりに含有される極性元素の密度を低くするため、嵩密度の小さな構造の高分子を形成し、更に、その後、他の半導体材料との密着させる最表面部を再び極性元素の面密度が高い構造となるように、単一のモノマー原料を用いる高分子膜の膜厚方向で、連続的かつ大幅な膜質の変化を達成できるほどには、膜質の制御範囲は大きなものではない。つまり、単一のモノマー原料を用いる、従来のプラズマ重合膜では、形成する膜厚方向において、上記の目標を満足できるほどの、連続的かつ大幅な膜質制御は不可能であった。
【００１８】
本発明は前記の課題を解決するもので、本発明の目的は、有機高分子膜を上記の半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、かかる有機高分子膜の下面、上面と接する他の半導体材料との界面においては、高い密着性を有し、また、有機高分子膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製方法を提供することにある。より具体的には、本発明の目的は、その成膜方法において、上記のＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法の原理を活用しつつ、複数の有機モノマーを原料として、形成される膜厚方向に対して、高分子の微視的な構造を連続的に、かつ広い範囲で変化させる制御は可能な、複数の有機モノマーの骨格に含む共重合高分子膜を作製する方法を提供することにある。加えて、本発明は、かかる有機高分子膜の作製方法を利用することで初めて作製が可能となる膜厚方向に、高分子の微視的な構造が連続的に、かつ広い範囲で変化してなる共重合高分子膜、ならびに、かかる共重合高分子膜を層間絶縁膜として利用する半導体装置の提供を、その最終的な目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく、鋭意研究、検討を重ねた結果、有機高分子膜を気相成長法、例えば、上記のＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法の原理を活用して作製する際、用いる原料として、複数の有機モノマーを利用することで、その複数の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子膜を作製でき、加えて、その際、原料として供給する複数の有機モノマー相互の比率を制御することで、得られる共重合高分子を構成する各有機モノマー由来の骨格ユニットの比率を広い範囲で制御可能であることを見出した。かかる知見に加えて、その膜厚方向に、高分子の微視的な構造が連続的に、かつ広い範囲で変化してなる共重合高分子膜を作製することができ、かかる手段を用いることで、有機高分子膜を上記の半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、かかる有機高分子膜の下面、上面と接する他の半導体材料との界面においては、高い密着性を有し、また、有機高分子膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製が、高い再現性、操作性、加えて、より広範囲な利用形態に対応できることを、本発明者らは確認して、本発明を完成するに至った。
【００２０】
すなわち、本発明の共重合高分子膜の作製方法は、共重合高分子膜を気相成長法により作製する方法であって、
前記共重合高分子膜は、少なくとも２種類以上の有機モノマーを骨格とする共重合高分子により構成され、
前記少なくとも２種類以上の有機モノマーは、その単独の有機モノマーであっても重合反応を生じるものあり、かつ、少なくとも、他の1種の有機モノマーとも重合反応を生じるものであり、
原料として、前記少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の蒸気を含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、
供給される前記混合ガスを、前記反応室内に設置する、加熱されている下地面上に吹き付ける工程と、
加熱されている前記下地面上において、吹き付けられた前記混合ガス中に含有される少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の重合反応を起こし、共重合高分子膜の成長を行う工程とを少なくとも有することを特徴とする共重合高分子膜の作製方法である。その際、前記混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、
前記加熱されている下地面上に吹き付ける工程との間に、
前記減圧下の反応室内において、前記混合ガスを反応室内に生成されているプラズマ中を通過させる過程を設けることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることもできる。
【００２１】
また、本発明の共重合高分子膜の作製方法は、
前記混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程において、
前記混合ガス中に含有される、少なくとも２種類以上の有機モノマーについて、その有機モノマー分子相互の相対的含有比率を膜成長の途中で変化させ、
少なくとも、作製される共重合高分子膜の膜厚方向に、前記相対的含有比率を変化させる少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格ユニットの比率で表される面内平均組成を変化させることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法として実施すると好ましい。
【００２２】
上記の構成を有する本発明の共重合高分子膜の作製方法は、例えば、原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
【００２３】
【化６】
Figure 0004997670
【００２４】
（Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
下記式（ＩＩ）：
【００２５】
【化７】
Figure 0004997670
【００２６】
（ＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン
で示されるビスベンゾブテニルブタジエン モノマーであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。また、例えば、原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
【００２７】
【化８】
Figure 0004997670
【００２８】
（Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
下記一般式（ＩＩＩ）：
【００２９】
【化９】
Figure 0004997670
【００３０】
（ＩＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン誘導体
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、水素あるいは不飽和炭素水素基を示す）で表されるビスベンゾブテニルブタジエン誘導体 モノマーであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることもできる。
【００３１】
さらには、例えば、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、開環可能なシクロ環構造と、付加重合可能なエテン−１，２−ジイル（−ＣＨ＝ＣＨ−）構造とを有していることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。
【００３２】
あるいは、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シリコン原子を含んでいるものであり、また、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シリコン原子を含んでいないものであることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。同様に、例えば、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも１種の有機モノマーは、その分子内に、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有していることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法とすることができる。
【００３３】
一方、共重合高分子膜の気相成長を開始する初期においては、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、前記のシリコン原子をその分子内に含んでいる少なくとも１種以上の有機モノマーの供給比率を高くし、その後、かかる有機モノマーの供給比率を低下させる時期を設けることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法として実施することができる。同様に、共重合高分子膜の気相成長を開始する初期においては、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、前記のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造をその分子内に有している少なくとも１種以上の有機モノマーの供給比率を高くし、その後、かかる有機モノマーの供給比率を低下させる時期を設けることを特徴とする共重合高分子膜の作製方法として実施することができる。
【００３４】
加えて、本発明は、上記の共重合高分子膜の作製方法を利用することで初めて作製が可能となる共重合高分子膜の発明をも提供し、
すなわち、本発明の共重合高分子膜は、下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
その膜厚方向において、前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットの比率で表される面内平均組成が連続的に変化する領域を有することを特徴とする共重合高分子膜である。
【００３５】
かかる本発明の共重合高分子膜は、例えば、前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
前記有機モノマーユニットの比率で表される面内平均組成が連続的に変化に伴い、膜厚方向において、膜中に含まれるシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度が連続的に変化していることを特徴とする共重合高分子膜とすることができる。その際、例えば、前記膜厚方向において存在する、膜中に含まれるシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の連続的な変化は、膜厚の中央部に比較して、前記下地面と接する共重合高分子膜の下面、ならびに膜の上面付近の領域では、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度が相対的に高くするものであることを特徴とする共重合高分子膜とすることもできる。
【００３６】
さらには、前記のいずれかの構成を有する本発明の共重合高分子膜においては、例えば、膜厚の中央部に比較して、下地面と接する共重合高分子膜の下面、ならびに膜の上面付近の領域では、面内平均の共重合高分子の嵩密度が相対的に高くなっていることを特徴とする共重合高分子膜の形態とすることもできる。
【００３７】
加えて、本発明の共重合高分子膜を半導体装置に応用する際に、より具体的な形態の本発明の共重合高分子膜として、
半導体装置を構成する下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は、前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
少なくとも、膜中に含まれる前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の差違により区別される上層、中間層、下層が積層されてなる膜厚方向に層状構造を有し、
前記上層ならびに下層と比較して、中間層においては、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度は低く、
かつ、この層状構造を有する共重合高分子膜により、前記半導体装置の銅配線膜が埋め込まれている形状をとっていることを特徴とする共重合高分子膜とすることができる。
【００３８】
また、半導体装置を構成する下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は、前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
少なくとも、膜中に含まれる前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の差違により区別される上層、中間層、下層が積層されてなる膜厚方向に層状構造を有し、
前記上層ならびに下層と比較して、中間層においては、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度は低く、
かつ、この層状構造を有する共重合高分子膜の下層により、前記半導体装置のビア銅膜が埋め込まれ、また、中間層および上層により銅配線膜が埋め込まれている形状をとることを特徴とする共重合高分子膜とすることもできる。
【００３９】
最後に、本発明は、上記する本発明の共重合高分子膜を利用する半導体装置の発明をも提供でき、
すなわち、本発明が提供する半導体装置は、１つ以上の有機高分子膜を層間絶縁膜として利用する半導体装置であって、
前記層間絶縁膜として設けられている、有機高分子膜の少なくとも１つは、上述してきた構成のいずれかを有する本発明の共重合高分子膜であることを特徴とする半導体装置である。
【００４０】
【発明の実施の形態】
本発明においては、有機絶縁膜として利用可能な有機高分子膜を、例えば、上でその原理を説明したＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法などの手段を更に発展させた気相成長法を利用して作製する際、重合反応が可能な原料として、複数の有機モノマーを用いることにより、複数のモノマーに由来する骨格ユニットを含む高分子構造の採用が可能となり、従来、単一種の原料モノマーを用いていた際には、到底達成することができなかった、幅広い機能性を有する有機高分子膜を得ることが可能となった。また、気相成長による成膜工程中に、混合ガスとして供給する各原料の供給量の制御を、その複数の原料モノマーそれぞれに対して独立に制御することにより、成膜される膜厚方向において、共重合高分子膜の構造、具体的には、それを構成する原料モノマーに由来する骨格の含有比率（組成）を、広い範囲で制御することが可能となる。その結果、シリコン酸化膜をはじめとする半導体材料と接する界面、例えば、成膜開始時に下地となる半導体材料表面に形成される共重合高分子膜は、その構造（組成）を、かかる半導体材料との密着性に大きな貢献を果す有機モノマーユニットの比率が高いものとすることで、この界面の密着性を向上させることができる。同様に、成膜終了時にも、その後、かかる共重合高分子膜表面に設ける半導体材料との密着性に貢献する有機モノマーユニットの比率が高い組成（構造）とすることで、かかる共重合高分子膜を下地として、堆積形成される、上部の半導体材料層との界面における密着性を向上させることができる。その一方では、共重合高分子膜の中間部においては、前記の膜下端（下層部）、表面（上層部）とは、その構造（組成）を変えて、構造的に低密度化を促進する有機モノマーユニットの比率が増したものとすることにより、かかる中間部に形成される共重合高分子の実効的な誘電率を低減させることが可能となる。単一のモノマーを利用する場合に対して、構造的に低密度化を促進する有機モノマーユニットの導入により、例えば、嵩密度を１０％〜５５％程度低減させることも可能となる。従って、下地の半導体材料との界面ならびに、かかる高分子膜表面に設ける上部の半導体材料層との界面では、それら半導体材料に対する優れた密着性を維持しつつ、共重合高分子膜全体としては、実効的な誘電率を低減させることが可能となる。
【００４１】
また、本発明では、共重合高分子膜を作製する際に用いる、原料の有機モノマーは、少なくとも２種類以上の有機モノマーであり、各有機モノマーは、少なくとも他の１種の有機モノマーと重合して、共重合構造を形成することは勿論であるが、その少なくとも２種類以上の有機モノマーは、その有機モノマーを単独で用いても、それぞれの有機モノマー骨格から構成されるホモ高分子膜の形成が可能なものを利用することにも特徴である。例えば、２種類の有機モノマーＡと有機モノマーＢとは、その間で共重合させることはできるとともに、有機モノマーＡあるいは有機モノマーＢを単独で用いた際にも、それぞれの有機モノマー自体で重合が進むため、かかる２種類の有機モノマーＡと有機モノマーＢの比率を大幅に変化させても、有機モノマーＡと有機モノマーＢとの重合反応以外に、有機モノマーＡ自体の重合反応、あるいは、有機モノマーＢ自体の重合反応に由来する局所的な構造が導入され、供給された２種類の有機モノマーＡと有機モノマーＢの供給比率を反映する組成比率の共重合高分子が得られる。
【００４２】
以下に、本発明をより詳細に説明する。
【００４３】
まず、本発明の方法を実施する際に利用される成長装置の一例を、その概要を模式的に示す図１を用いて説明する。反応室１は、真空ポンプ８により減圧されており、反応室１の内部には基板加熱部６が設けられる。共重合高分子膜をその上に作製する下地として、半導体基板５が基板加熱部６上に固定される。原料とする、有機モノマーＡと有機モノマーＢは、それぞれ気化供給システム６１、６２内において気化され、その蒸気はキャリアガスとともに気化原料供給配管３８Ａ、３８Ｂ、バルブ１８Ａ、１８Ｂを介して反応室１へ供給される。反応室１に達するまで、気化原料供給配管３８Ａ、３８Ｂの管壁は、備えられているヒータ３により加熱され、配管内を通過する有機モノマーＡ、有機モノマーＢの分圧が、その配管壁の温度における各平衡蒸気圧よりも、常に低くなる温度に維持されている。それぞれがキャリアガスとともに輸送された、有機モノマーＡと有機モノマーＢの蒸気は、反応室１内のシャワーヘッド７へ供給されて混合された後、基板４の表面に吹き付けられる。一方、シャワーヘッド７と基板加熱部６との間には、ＲＦ電源９からＲＦ電力が印加され、プラズマが誘起されている。従って、有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子は、ともに、発生しているプラズマ空間を通過する際、励起を受け、活性化がなされた状態で基板表面に到達する。その後、基板加熱部６により加熱されている基板５の表面に吸着し、予め活性化がなされている有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子は、さらに熱エネルギーが付与される結果、速やかに共重合反応を起こし、半導体基板５表面上に共重合高分子絶縁膜４が成長する。
【００４４】
また、プラズマにより活性化がなされている有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子は、基板表面に付着した後、その一部は再離脱する。しかし、「再離脱」と「重合反応」は、互いに競争関係にあるため、この「再離脱」の確率は、熱的過程だけを用いる場合（「ＭＶＰ法」）おいては、より顕著になり、複数のモノマーを用いる際、各モノマーの再離脱確率が異なるため、共重合高分子内おける含有比率の制御は、各モノマーの再離脱確率をも考慮した上で、供給量比率をより広い範囲内で制御することで可能となる。それに対して、「プラズマ重合法」では、予め活性化がなされている有機モノマーＡと有機モノマーＢの分子は、吸着すると、速やかに共重合反応を起こすことが可能となっている。従って、「再離脱」の影響は僅かとなり、共重合高分子内おける含有比率の制御は、より容易なものとなる。この利点から、本発明では、「プラズマ重合法」を応用することがより望ましい。
【００４５】
さらに、場合によっては、プラズマによる活性化を行う間に、一部の活性化されたモノマー同士が気相で重合し、ダイマーやトリマーとなり、基板の表面に吸着することもある。この場合でも、各気体分子のモビリティの大きい減圧下で有機モノマーＡと有機マノマーＢとの混合がなされており、生成するダイマーやトリマーも、その混合比率に比例したものとなるので、結果的には、有機モノマーＡと有機モノマーＢとが均一に配合された共重合高分子絶縁膜が得られる。あるいは、平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）が桁違いに異なる複数のモノマーを用いる際には、上記の再離脱確率の差違の影響をより被り易いが、意図的にプラズマ中で一部共重合反応を生じさせてダイマーやトリマーを形成させると、これらダイマーやトリマーの平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）はモノマーより格段に小さなものとなり、再離脱の影響を排除することも可能となる。例えば、各モノマーの平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）間に、３桁程度の差違がある場合であっても、前記の手段を応用すると、再離脱確率の差違を実質上無いものとでき、その際、表面上で形成される共重合高分子絶縁膜自体の面内の組成分布（バラツキ）も実用上の問題が無いものとできる。この付随的な利点からも、本発明の方法を広い範囲に適用する上では、「プラズマ重合法」を応用することが望ましい。
【００４６】
なお、利用される有機モノマー複数種は、基板表面に混合ガスとして吹き付けるが、その際、基板表面のいずれの部分でも、吹き付けられる混合ガス中に含有される有機モノマー複数種の比率は同じとすることが必要である。その均一混合は、上記のように、反応室内に設けるシャワーヘッド７における混合など、反応室内において均一混合を行うこともでき、また、反応室内に導入されるまでに、その流路途中で、予め均一混合を終えた後、反応室内に導入することもできる。この流路途中で、予め均一混合を行う手段としては、図１に示す配管流路を合流させる方法の他、ミキシングチャンバーを設け、そのチャンバー内にガスが滞留する間に混合を果す方法を採用することもできる。
【００４７】
なお、未反応の原料モノマーは、反応室１は真空ポンプ８により減圧されており、また、その壁面も気化原料供給配管３８Ａ、３８Ｂと同様に保温されているので、壁面上に付着・凝集することなく、気体状態のまま、ヒータにより加熱されている配管排気配管１６を経て冷却トラップ１４へ到達する。冷却トラップ１４内では、トラップ面の温度が十分に低いため、気体状の原料モノマーＡ、Ｂはともに、そのトラップ面上に凝集し、冷却トラップ１４内で液化あるいは固化を起こす。その結果、未反応の原料モノマーは、冷却トラップ１４内で回収・除去され、排気ポンプ８には、原料モノマーが除去されたキャリアガス、プラズマ生成に利用されたガスのみが送られる。
【００４８】
図２は、本発明に利用する有機モノマーが液体である際、液体状の有機モノマーを気化し、キャリアガスとともに供給する気化供給システムの構成を模式的に示図である。有機モノマーＡタンク２３Ａから、気化制御器において気化され、反応室へ供給される直前までを示す。なお、以下の説明では単量体である有機モノマーを例に説明するが、二量体である有機オリゴマーでも、その原理は同様である。有機モノマーＡ ２２Ａは、バルブ４６Ａ、液体流量指示器Ａ ２８Ａ、バルブ４３Ａを介して気化制御器Ａ ３０Ａに供給される。さらに、有機モノマーＡ用液体流量指示器２８Ａからフィードバック制御されている気化制御バルブＡ ３５Ａと気化制御機Ａ内バルブ３７Ａを介し、気化室Ａ ３２Ａに供給される。一方、キャリアガスＡ ２６Ａはバルブ４５Ａを経て，気化制御器３０Ａへ供給される。したがって、気化室Ａ ３２Ａの直前で液体原料モノマーＡ ２２ＡとキャリアガスＡ ２６Ａは混合される。キャリアガスＡと混合状態で気化室Ａ ３２Ａへ供給される液体原料モノマーＡ ２２Ａは、ヒーター３４Ａにより受ける熱エネルギーにより加熱され、また、気化室３２Ａは減圧されているので、連続的に気化する。すなわち、気化熱として消費される熱エネルギー、ならびに、急激な圧力減少によるキャリアガスの体積膨張による冷却作用は、ヒーター３４Ａによる加熱で供給される熱エネルギーにより補完がなされている。従って、気化された原料モノマーＡは、そのガス温度は上昇された上で、ヒータ３で保温されている気化原料供給配管３８Ａ、バルブ１８Ａを介して反応室１へ供給される。
【００４９】
図３は、本発明に利用する有機モノマーが固体である際、有機モノマー蒸気を発生させ、供給するシステム（気化供給システム）の構成を模式的に示す図である。キャリアガス２６Ｂが供給される有機モノマーＢタンク２３Ｂから、反応室への供給に利用される気化原料供給配管３８Ｂまでを示す。なお、以下の説明では、単量体である有機モノマーを例に説明するが、二量体である有機オリゴマーでも、その原理は同様である。キャリアガスＢ ２６Ｂは、気体流量制御器３１Ｂにおいて流量を制御されながら、バルブ４５Ｂを介して有機モノマーＢタンク２３Ｂへ供給される。有機モノマーＢタンク ２３Ｂは、一定温度に加熱されている。この温度は、有機モノマーＢが溶融状態から気化して、あるいは固相状態から昇華して、十分な飽和蒸気圧が得られる温度に選択される。気化したモノマーＢ蒸気は、供給されるキャリアガスＢに混合され、バルブ４６Ｂ、気体流量指示器Ｂ ３３Ｂ、バルブ４３Ｂを介して、気化原料供給配管３８Ｂへ供給される。さらに、バルブ４１Ｂを介して反応室１へと供給される。その際、有機モノマーＢタンク ２３Ｂ内では、キャリアガスＢ中に含まれる有機モノマーＢ気体分子の分圧は、その温度における平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）と実質的に等しくなり、単位時間当たりの有機モノマーＢの供給量は、キャリアガスＢ流量により決定される。
【００５０】
以上のように、原料に用いる有機モノマーは、常温で液体でも、固体であっても、それに応じて、適切な気化供給システムを選択することで、反応室へ、気体状態の有機モノマーを、目的とする供給量に速やかに変化させつつ、供給することが可能である。なお、仮に、常温で既に気体状態となっている有機モノマーを利用できる場合には、通常の気体原料ガスと同様の供給形態をとればよい。なお、本発明において、有機モノマーの供給に用いられるキャリアガスには、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス等、混入する有機モノマーに対して不活性なガスを適宜使用することができる。
【００５１】
本発明の共重合高分子膜の作製方法においては、利用される有機モノマーは、その単独の有機モノマーであっても重合反応を生じるものあり、かつ、少なくとも、他の1種の有機モノマーとも重合反応を生じるものである限り、いずれのものも利用可能であるが、その重合反応に関与する活性構造として、開環可能なシクロ環構造と、ビニレン基などの付加重合可能なエテン−１，２−ジイル（−ＣＨ＝ＣＨ−）構造とを有しているものは、その間で重合を起こし、単独の有機モノマー間でも容易に重合反応を行え、適するものの一つである。その他、半導体装置内で使用する絶縁膜に応用する上では、作製される共重合高分子膜は、他の半導体材料に対する密着性を有するものであることが望ましく、かかる密着性を付与する構造、例えば、シリコン原子を含む構造、より具体的には、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の構造を有することが望ましい。その観点では、利用される有機モノマーのいすれかに、その分子内にシリコン原子を含むもの、あるいは、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の構造を有するものを利用することで、作製される共重合高分子膜に、密着性を付与する構造を導入することが可能となる。例えば、下地表面上に成膜を開始する際、その成膜初期において、利用する複数種の有機モノマーのうち、分子内にシリコン原子を含むもの、あるいは、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の構造を有するものについて、その供給比率を高くすると、その界面においては、シリコン原子、あるいは、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の構造の面密度を高くした共重合高分子の成長がなされ、密着性をより高いものとできる。
【００５２】
【実施例】
以下に実施例を示して、本発明をより具体的に説明する。なお、これらの実施例は、本発明の最良の実施の形態の一例ではあるものの、本発明はこれら実施例により限定を受けるものではない。
【００５３】
（第１の実施例）
以下、有機モノマーＡに式（Ｉ）のＤＶＳ−ＢＣＢモノマー（ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンモノマー）を用い、有機モノマーＢに式（ＩＩ）のＢＢＢモノマー（ビスベンゾブテニルブタジエンモノマー）を用い、これらの気化混合ガスから、ＤＶＳ−ＢＣＢガスとＢＢＢガスの共重合高分子膜成膜にいたる一連のプロセスを説明する。
【００５４】
ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーおよびＢＢＢモノマーには、重合反応に関与する構造として、ベンゾシクロブテン基とエテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−；ビニレン基）が含まれている。その重合過程は下記の経路で進行すると考えられる。まず、下記化学式（Ｖ）に示す反応が起こり、ベンゾシクロブテン基の炭素４員環が開環して、隣接する２つのアルキリデン構造（ＣＨ2＝）が形成する。
【００５５】
【化１０】
Figure 0004997670
【００５６】
反応式（Ｖ） ベンゾシクロブテン基の開環反応
次いで、隣接する２つのアルキリデン構造（ＣＨ2＝）となった開環部と、エテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−）との反応により、６員環構造が形成され、下記化学式（ＶＩ）に示す重合反応が進行する。
【００５７】
【化１１】
Figure 0004997670
【００５８】
反応式（ＶＩ） ベンゾシクロブテン基の開環部とビニレン構造との重合反応
なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーおよびＢＢＢモノマーは、それぞれ、その分子内にベンゾシクロブテン基およびエテン−１，２−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−；ビニレン基）を有しているため、それぞれ、単独で用いた際にも、そのモノマーを骨格とするホモ高分子膜、すなわち、ＤＶＳ−ＢＣＢポリマー膜あるいはＢＢＢポリマー膜が成長する。なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーの分子内には、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）を有する構造が含まれており、一方、ＢＢＢモノマーには、かかる構造は存在していなお。このシロキサン構造は、重合反応後にも、保持されており、また、半導体材料表面に作用して、密着性に大きな貢献をしめす。
【００５９】
前記のベンゾシクロブテン基とビニレン構造との間で起こる、開環・付加の反応は、加熱のみでも生じるが、予めプラズマエネルギーにより、例えば、ベンゾシクロブテン基部分を励起した状態とすると、少ない熱的エネルギーを加えるのみで、その反応を進行させることが可能となる。従って、これらＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＢＢＢモノマーガスとの混合ガスを、基板に吹き付ける直前に、プラズマ中を通過させ、プラズマエネルギーによって活性化を行うことで、加熱されている基板上に達した際、その熱的エネルギーによって、ベンゾシクロブテン基の開環反応と、それに続く、ビニレン構造との付加的環形成反応は速やかに進行して、下記式（ＶＩＩ）：
【００６０】
【化１２】
Figure 0004997670
【００６１】
（ＶＩＩ）： ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜
で示されるような、網目構造をとるＤＶＳ−ＢＣＢとＢＢＢとを骨格とする共重合高分子膜（ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜）が形成される。なお、図中には未開環のシクロブテン環が複数存在しているが、実際には十分な共重合反応が生じ未反応のシクロブテン環はFTIRスペクトルで確認できない程度である。さらに、シロキサン構造中のＳｉ−ＣＨ3結合がＳｉ−Ｈ結合へと置換されたり、ベンゼン環の一部が開環した構造が認められる場合もある。実際には、プラズマによる活性化後、熱的な過程では、シクロブテン環の開環とビニレン基の付加・挿入以外の反応も生じており、これら中心的な反応と並行して、下記する種々の中間活性種を経由する、プラズマによる活性化と基板加熱による熱的な過程による共重合反応も進行しているものと考えられる。
【００６２】
【化１３】
Figure 0004997670
【００６３】
メチル基の水素置換
【００６４】
【化１４】
Figure 0004997670
【００６５】
ベンゼン環の開環
この反応の特徴は、原料モノマー以外の分子が重合反応に関与せず、また重合反応による副生成物が形成されないことにある。ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーはともに、気相中で予め混合されるため、基板面上に吸着した後の表面拡散速度も大きく、ほぼ、理想的に両者が混合された共重合高分子膜が得られる。なお、得られるＤVＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜は、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＢＢＢモノマーガスのモル供給量が等しい際には、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみから得られるホモ高分子膜と比較して、シロキサン構造（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）の含有密度は半分となる。このシロキサン構造は、例えば、下地のシリカ膜との密着性や高分子膜の機械強度の向上には適しているものの、それ自体、シリコン原子と酸素原子を含むため、その分極率は大きく、誘電率の低減を阻む要因となる。例えば、プラズマ重合ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜の比誘電率（K）が２．６であるのに対し、ＤVＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜（５０％：５０％）ではK=２．４〜２．２となる。さらに、ＢＢＢの比率が１００％となると、Ｋ＝２．０〜１．８程度になる。
【００６６】
ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＢＢＢモノマーガスを用いた共重合高分子膜成膜プロセスを、図１にしめす共重合高分子膜の成長装置を用いる場合を例にとり、詳しく説明する。ここで、有機モノマーＡに、ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテンモノマー（ＤＶＳ−ＢＣＢモノマー）を用い、有機モノマーＢに、ビスベンゾブテニルブタジエン（ＢＢＢ）モノマーを用いた場合について示す。キャリアガス２６、パージガスおよび圧力送出ガス２７は、いずれもヘリウム（Ｈｅ）である。反応室内のクリーニングに利用するクリーニングガス２１は、ＮＦ3と酸素、あるいはＳＦ6と酸素あるいはオゾンの混合気体である。また、ＣＦ4やＣ2Ｆ6といったフルオロカーボンガスと酸素あるいはオゾンの混合気体を用いてもよい。有機モノマーの気化に関しては、ここではＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみを詳細に説明する。
【００６７】
まず、共重合高分子膜の成長装置（図１）の気化制御器の初期状態では、気化制御器３０内のバルブ３７、バルブ４１およびバルブ４９を“開”とし、排気ポンプ１４で、反応室１、排気配管１６、廃液配管１５、気化室３２、気化原料供給配管３８を真空引きする。気化温度は、有機モノマーの必要供給量を確保するために必要な温度が望ましいが、気化させる有機モノマーを気化室へ供給する配管部において、有機モノマー自体の分解や重合等の変質、それに起因する配管の閉塞等を伴わない温度であることが必要である。また、ヒータ３により加熱される気化原料供給配管３８などの配管部材は、それらの加熱温度に耐えられるものとすること、あるいは、加熱温度を用いる配管部材の耐熱温度範囲に設定すること可能な条件を選択することが必要である。また、加熱されている配管の温度は、配管各所に設置された熱電対によりモニターし、常に設定温度となるよう配管加熱ヒータの出力を制御する。 図２に示す、気化供給システムのバルブ４５を“開”とし、キャリアガス供給配管４０よりキャリアガス（Ｈｅ）２６を気体流量制御器３１を介して気化制御器３０に供給し、さらに気化原料供給配管３８、１８を介して反応室１に流し、排気配管１６を介して排気ポンプ１４で装置外に排気する。ここ工程では、気化温度を２１０℃に加熱する。また、Ｈｅキャリアガス流量５００ｓｃｃｍとした。この条件では、気化制御器の全圧Ｐは、７Ｔｏｒｒであり、反応室１内圧は２．０Ｔｏｒｒであった。また、反応室１内に設置された基板加熱部６により、半導体集積回路が形成されたシリコン基板（半導体基板）５を４００℃に加熱した。なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーを用いる場合、成膜時の基板加熱温度は、２００℃〜４５０℃の範囲に選択するのが適当である。
【００６８】
図２に示すような有機モノマー気化供給システム６１、６２により、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーは、それぞれＨｅキャリアガスとともに、それぞれの気化原料供給配管３８Ａ、３８Ｂを介し反応室１へ供給され、混合される。反応室１内のシャワーヘッド７において、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーを含む混合ガスを分散させて、基板５表面に吹き付ける。このシャワーヘッド６には、接地されている基板加熱部６表面に対して、１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーが印加されており、シャワーヘッド７下に、キャリアガスに用いているＨｅのプラズマを発生させた。その際、ＲＦパワーは、１００Ｗ以下、好ましくは５０Ｗ以下とし、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーの分子内に存在する重合基（ベンゾブテン炭素４員環またはビニレン基）の活性化のみを行う程度のプラズマエネルギーに留めることが肝要である。ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーの混合ガスは、かかるＨｅプラズマを通して半導体基板５上に吹き付ける間に、含まれるモノマーの活性化がなされる。４００℃に加熱された基板表面上で、予め活性化されているＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーは、共重合反応を起こし、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマー由来の骨格ユニットで構成される共重合高分子膜（有機絶縁膜）が形成される。この際、排気配管１６には、未反応のＤＶＳ−ＢＣＢモノマーおよびＢＢＢモノマーが含まれているキャリアガスが達するが、排気ポンプの前に挿入されている、冷却により２０℃程度に冷やされた冷却トラップ１４にて、含有されていたＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーは再液化され、排気ポンプ８には入り込まない。延べ供給量が所定量に達するまで、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーを供給して、成膜を継続した後、それぞれの供給を停止し、反応室内の半導体基板５を取り出す。
【００６９】
ここで、成膜時のＤＶＳ−ＢＣＢモノマーガスとＢＢＢモノマーガスの相対供給量比を変化させることで、その間に成膜される膜厚方向に、ＤＶＳ−ＢＣＢとＢＢＢのユニットの含有比率の変化した、すなわち、構造（組成）が変化した共重合高分子膜が得られる。例えば、重量流量換算で流速０．１５ｇ／分のＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみを３０秒間供給し、その後ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーを同時に重量流量換算でそれぞれ流速０．１５ｇ／分と０．１０ｇ／分で１分間供給した。その後、ＢＢＢモノマーの供給を停止し、重量流量換算で流速０．１５ｇ／分のＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみを３０秒間供給した。あるいは、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーの供給量を０．１５ｇ／分一定とし、ＢＢＢモノマーの供給速度を最初の３０秒間で０ｇ／分から０．１ｇ／分へ増加させ、その後、この０．１／分に１分間保ち、その後の３０秒間で、０．１ｇ／分から０ｇ／分へ減少させることもできる。いずれの場合も、相対供給量比の変化に追従して、含有されるＤＶＳ−ＢＣＢとＢＢＢの骨格ユニットの相対的な密度比が連続的に変化した共重合高分子膜が得られる。
【００７０】
図４に示されるように、得られた高分子膜では、それぞれ、その上下の界面に近い領域ではＤＶＳ−ＢＣＢの骨格ユニットの含有率が相対的に高い、組成に差違により三層構造となった共重合高分子膜となる。この三層構造では、ＤＶＳ−ＢＣＢの骨格ユニットの含有率が相対的に高い上層部と下層部では、例えば、下地面との界面には、ＤＶＳ−ＢＣＢの骨格ユニットに由来するシロキサン構造の面密度が高くなっており、他の半導体材料との密着性に優れた共重合高分子膜となっている。また、上層部と下層部以外の、中間層の部分は、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーに対するＢＢＢモノマーの供給量比を増やすことで、相対的に、ＤＶＳ−ＢＣＢ骨格は少なく、ＢＢＢ骨格を多く含んだ、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢの共重合高分子膜が得られる。このＢＢＢ骨格を比較的に多く含む中間層部を有する共重合高分子膜では、膜中に含まれる、酸素とシリコンを有するシロキサン構造の密度は非常に少ないものとなり、また、相対的に嵩密度も小さくなり、結果として、ＢＢＢ骨格を含まないＤＶＳ−ＢＣＢのホモ重合膜に比べて、低い比誘電率が得られる。なお、図４では、説明のために、構造の異なる３種の膜からなる積層膜であるかのような表記をしているが、実際には、成膜を継続した状態で、各モノマーの供給量をそれぞれ独立に制御しつつ、連続的に供給量を変化させているので、各層の間でも共重合鎖は連続し、その組成が連続的に変化している、全体としては一体の共重合高分子膜となっている。また、急激な供給量の変化を行うことで、その過渡的な組成変化域を急峻とした構造とすることも可能である。この例では、有機モノマーＢとして、ＢＢＢモノマーを用いたが、例えば、ＢＢＢモノマーに代えて、下記一般式（ＩＩＩ）：
【００７１】
【化１５】
Figure 0004997670
【００７２】
（ＩＩＩ） 不飽和炭素水素基付加ＢＢＢモノマー誘導体
（式中、Ｒ１、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、それぞれ独立に、水素または不飽和炭化水素基を表す）で示される、 ＢＢＢモノマーのブタジエン−１，４−ジイル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−）に、さらに、不飽和炭化水素基が付加されたＢＢＢモノマー誘導体を用いることもできる。
【００７３】
なお、第１の実施例では、有機モノマー原料として、ともに、ベンゾシクロブテン環とビニレン基構造を有するＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーの組み合わせを示したが、このＢＢＢモノマーの代わりに、下記する一般式（ＶＩＩＩ）：
【００７４】
【化１６】
Figure 0004997670
【００７５】
（ＶＩＩＩ） ＤＶＳ−ＢＣＢと共重合反応可能なビスベンゾシクロ誘導体
に示すように、ベンゾシクロブテン環を二つもつ構造のモノマーであれば、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーと組み合わせる他の有機モノマー原料として用いることができる。
【００７６】
上記の一般式（ＶＩＩＩ）に示すビスベンゾシクロ誘導体中のＱとして、利用可能な二価の基の一例を以下に示す。
【００７７】
（１） エチル基 あるいは不飽和炭化水素鎖
−ＣＨ2−ＣＨ2−
（２） ビニレン基（エテン−１，２−ジイル基）
−ＣＨ＝ＣＨ−
（３） ブタジエン−１，４−ジイル基
−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−
（４） アルカジエン−ジイル型の基
【００７８】
【化１７】
Figure 0004997670
【００７９】
（式中、Ｒ８は不飽和炭化水素基を、Ｒ９，Ｒ１０は、水素又は不飽和炭化水素基を表す）
（５） エチンジイル基
−Ｃ≡Ｃ−
（６） ヘキサ−１，５−ジイン−１，６−ジイル型の基
−Ｃ≡Ｃ−Ｃ−Ｃ−Ｃ≡Ｃ−
（７） ｍ−フェニレン基
【００８０】
【化１８】
Figure 0004997670
【００８１】
（８） １，３−ジビニルベンゼン−β，β’−ジイル基
【００８２】
【化１９】
Figure 0004997670
【００８３】
（９） ベンゼン−１，３−ジカルボニル基
【００８４】
【化２０】
Figure 0004997670
【００８５】
（１０） ２，２−ジフェニルプロパン−４，４’−ビスオキシカルボニル基
【００８６】
【化２１】
Figure 0004997670
【００８７】
（１１） ヘプタン−１，７−ジアミノカルボニル基
−ＣＯ−ＮＨ−（ＣＨ2）7−ＮＨ−ＣＯ−
（１２） ブタン−１，４−ジオキシカルボニル基
−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ2）4−Ｏ−ＣＯ−
このように、本発明の作製方法では、複数の有機モノマーガスを原料として使用し、成膜時にその供給量を独立かつ連続的に制御することで、膜厚方向において、連続的に構造（組成）を変化させることができる。その利点を利用すると、作製される共重合高分子膜と他材料との界面においては、その密着性と膜機械強度に優れたものとし、それに続いて、実効的比誘電率の低い共重合高分子膜を連続して作製することができる。加えて、減圧下での気相成長法を用いているため、有機モノマーの拡散速度、移動度が大きく、複数のモノマーガスが理想的に混合した状態で、下地表面に吹き付けることができ、その表面上に形成される共重合高分子膜の面内の組成（構造）は均一化された上で、膜厚方向においては、連続的に構造（組成）が変化している高分子膜をえることができる。
【００８８】
なお、ここではＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとビスベンゾシクロ誘導体との共重合反応を例にとって説明したが、異なる種類のビスベンゾシクロ誘導体を複数用いても、同様に、それら複数種のモノマーを骨格とする共重合高分子膜を得られることは勿論のことである。例えば、上記一般式（ＩＩＩ）の不飽和炭化水素付加ＢＢＢモノマーと式（ＩＩ）のＢＢＢモノマーとの共重合反応による、共重合高分子膜の気相成長に適用することも可能である。勿論、その場合、得られる共重合高分子膜には、シロキサン構造は含まれない。一般式（ＩＩＩ）の不飽和炭化水素付加ＢＢＢモノマーを単独で用いた場合、ＢＢＢモノマーを単独で用いる場合と比較して、得られる高分子膜は、より嵩密度の低いものとなり、従って、より実効的比誘電率の小さい高分子膜となる。例えば、Ｒ３、Ｒ４，Ｒ５およびＲ６のすべてをメチル基とした場合、ＢＢＢモノマーを単独で用いた場合と比較して、得られる高分子膜では、その比誘電率は２５％低減する。なお、下記する：
【００８９】
【化２２】
Figure 0004997670
【００９０】
不飽和炭素付加ＢＢＢモノマーとＢＢＢモノマーとの共重合反応
一般式（ＩＩＩ）の不飽和炭化水素付加ＢＢＢモノマーと式（ＩＩ）のＢＢＢモノマーと原料モノマーの組み合わせの共重合反応を利用する系においては、下記の式（ＩＸ）：
【００９１】
【化２３】
Figure 0004997670
【００９２】
不飽和炭化水素付加ＢＢＢモノマーとＢＢＢモノマーとの共重合高分子膜で示される構造の共重合高分子膜となるが、その成膜中に、両者の相対的な供給量比を連続的に変化する際、気相成長される共重合高分子膜は、その膜厚方向に嵩密度が連続的に変化している膜が得られる。
【００９３】
（第２の実施例）
この例では、原料の有機モノマーとして、下記する：
【００９４】
【化２４】
Figure 0004997670
【００９５】
ＤＶＳ−ＢＣＢとナフタレンジシクロブテン（ＮＣＢ）の共重合高分子反応ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとナフタレンジシクロブテン（ＮＣＢ）モノマーとの組み合わせを選択して、ＤＶＳ−ＢＣＢとＮＣＢとの共重合高分子膜の成膜について説明する。このＮＣＢも、その分子内に２つのシクロブテン環構造を有しており、このシクロブテン環構造と、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのビニレン基部分との間で、上で説明した開環、付加反応による、６員環形成の反応が生じ、下記式（Ｘ）：
【００９６】
【化２５】
Figure 0004997670
【００９７】
（Ｘ） ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＮＣＢの共重合高分子
に示される、ＤＶＳ−ＢＣＢとＮＣＢとの共重合高分子膜を、上記の第１の実施例において説明したプラズマ重合法に準じて、気相成長することができる。
【００９８】
なお、ナフタレンジシクロブテン（ＮＣＢ）は、常温では固体であるため、その気化には、図３に示す構成の気化供給システムを利用した。また、ＮＣＢの代わりに、下記式（ＸＩ）：
【００９９】
【化２６】
Figure 0004997670
【０１００】
（ＸＩ）： フェナントレンジシクロブテン
で示されるフェナントレンジシクロブテンなど、分子内にの縮合しているベンゼン環数が増したものを用いる場合でも、その気化が可能で、所望の平衡蒸気圧を得ることが可能である限り、同じ方法で、それら縮合環化合物モノマーとＤＶＳ−ＢＣＢとの共重合高分子膜を成長することもできる。
【０１０１】
（第３の実施例）
この例では、原料の有機モノマーとして、下記する：
【０１０２】
【化２７】
Figure 0004997670
【０１０３】
ＤＶＳ−ＢＣＢとＢＶ−ＢＣＢの共重合高分子反応
ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとベンゾビニルベンゾシクロブテン（ＢＶ−ＢＣＢ：（２−フェニルビニル）ベンゾシクロブテン）モノマーとの組み合わせを選択して、ＤＶＳ−ＢＣＢとＢＶ−ＢＣＢとの共重合高分子膜の成膜について説明する。このＢＶ−ＢＣＢも、その分子内に、シクロブテン環構造と、ビニレン基構造とを有しており、単独でも、その間で、開環、付加反応による、６員環形成の反応を通して、重合が進行するものである。つまり、ＢＶ−ＢＣＢ単独で用いても、重合反応が生じ、ＢＶ−ＢＣＢ高分子の膜を気相成長することも可能である。
【０１０４】
この二種の有機モノマーの組み合わせでも、ＢＶ−ＢＣＢは、その分子内に有するシクロブテン環構造とビニレン基構造とを利用して、ＤＶＳ−ＢＣＢと共重合反応を行い、下記式（ＸＩＩ）：
【０１０５】
【化２８】
Figure 0004997670
【０１０６】
（ＸＩＩ）： ＤＶＳ−ＢＣＢ/ＢＶ−ＢＣＢの共重合高分子膜
で示される構造の共重合高分子膜が気相成長する。なお、この共重合高分子膜では、ＢＶ−ＢＣＢは、重合に関与できる構造が前記の二種のみであるため、架橋密度が小さくなり、空隙率が大きいものとなる。その結果、得られる共重合高分子膜は、比誘電率２以下の膜となる。なお、ＢＶ−ＢＣＢ以外に、ビニルベンゾシクロブテンを用いることもできる。
【０１０７】
ビニルベンゾシクロブテン
【０１０８】
【化２９】
Figure 0004997670
【０１０９】
（第４の実施例）
第４の実施例として、本発明の作製方法で得られる共重合高分子膜をＭＯＳＦＥＴデバイスの多層配線構造を作製する際、その絶縁膜の一つに適用した事例について説明する。図５は、ＭＯＳＦＥＴデバイスにおける多層配線構造の一例を模式的に示す断面図である。この図５に示す構成では、第１の実施例に記載したＤＶＳ−ＢＣＢ/ＢＢＢ共重合高分子膜を、シリコン基板８１に形成されたＭＯＳＦＥＴ８２上の３層の銅配線８５，８７，８９（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）の間を絶縁分離する層間絶縁膜に適用している。
【０１１０】
第１層目銅配線（Ｍ１）８５は、ＭＯＳＦＥＴ上の無機層間絶縁膜８４に形成されている銅コンタクトプラグ８３上に形成される。無機層間絶縁膜８４の表面には、銅拡散バリアキャップ膜として１０ｎｍ厚以下の極薄膜シリコン窒化膜９０が形成されている。第１層目銅配線８５の配線間絶縁膜９１は、ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９１ａとＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９１ｂとＤＶＳ−ＢＣＢ膜９１ｃの３層構造となっている。すなわち、下地の銅拡散バリアキャップ膜９０、ならびに、この配線間絶縁膜９１上に形成される銅拡散バリアキャップ膜と接する界面層には、かかるシリコン窒化膜との密着性と機械的強度とに優れたＤＶＳ−ＢＣＢ膜９１ａ,９１ｃが配置されている。具体的には、比誘電率ｋ＝２．５のＤＶＳ−ＢＣＢ膜を利用しているが、単位骨格当たり、２つのシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）が含まれており、そのため、機械的強度と銅拡散バリア膜との密着性に優れたものとなっている。一方、中間層であるＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９１ｂは、ＤＶＳ−ＢＣＢ骨格に付随するシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）が、ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９１ａの半分以下となる、ＤＶＳ−ＢＣＢ骨格の含有比率が５０％に満たないものとされ、その比誘電率はｋ＝２．１である。この第１層目の配線間絶縁膜に利用する、三層構造の高分子膜の実効的誘電率は、ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜とＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜との膜厚比に依存するので、誘電率の低減化を図る上では、上層と下層のＤＶＳ−ＢＣＢ膜の総厚さを、中間層のＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜の膜厚の２０％程度とすることが望ましい。例えば、この三層構造の高分子膜により埋め込まれる銅配線８５の厚さが３００ｎｍである場合、この高分子膜全体の厚さは３００ｎｍとされ、そのうち、ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９１ａ、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９１ｂ、ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９１ｃのそれぞれの厚さは１５ｎｍ/２７０ｎｍ/１５ｎｍとする。その場合、高分子膜全体のの実効比誘電率は、２．２〜２．３程度であった。
【０１１１】
かかる積層型の共重合高分子膜は、図１に示した共重合高分子膜の成長装置を用いて成長した。この例では、基板加熱温度を４２５℃とし、キャリアガスとしてＨｅガスを利用した上で、シャワーヘッド７には５０ＷのＲＦパワーを印加して、Ｈｅプラズマを発生させた。まず、成膜初期では、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみを供給して１５ｎｍ厚のＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９１ａを成長させた。その後、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーとが等モル供給となるように、例えば、単位時間当たりの供給量を、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマー ０．１５ｇ／分、ＢＢＢモノマー ０．１ｇ／分に設定し、その条件で、２分間成長を継続して、２７０ｎｍ厚のＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９１ｂを成長した。その後、再び、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーのみを供給して１５ｎｍ厚のＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９１ｃを成長させた。
【０１１２】
なお、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーの供給量を一定とし、ＢＢＢモノマーの供給量を連続的に増減させれば、三層構造の全層が、その組成は異なるものの、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜となり、その際、膜中に含まれるシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の濃度が、下地との界面ならびに表面の近傍領域では高く、中間層で漸次的に低くなる膜とすることもできる。この第１の配線層間絶縁膜に形成された配線溝には、１０ｎｍ厚のＴａＮバリア膜で側面および底面が覆われた第１層目のシングルダマシン銅配線８５が形成される。
【０１１３】
その後、第１の銅配線上に１０ｎｍ厚の銅拡散バリア膜９０を成長させ、第２の配線絶縁膜９２を成長する。この第２の配線絶縁膜９２部には、第１の配線層とのビア８６と第２の銅配線８７からなるデュアルダマシン銅配線が形成される。ここでは、第２の配線絶縁膜９２として、ＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９２ａとＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂとＤＶＳ−ＢＣＢ膜９２ｃの３層構造膜を成長する。まず、銅ビア部にあたる層間絶縁膜には機械的強度に優れるＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９２ａを成長する。その後、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂを成長する。かかるＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂの作製では、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーとのモル供給量を１：３とし、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の濃度をＤＳＶ−ＢＣＢ高分子膜９２ａ中の２５％程度以下とした。その後、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂには配線溝をドライエッチングにより形成しなければならないが、そのドライエッチング工程においては、下地のＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９２ａをエッチング停止層として用いることができる。ドライエッチングに、Ｎ2／Ｈ2／ＣＦx系エッチングガスを用いる場合、そのエッチング速度は、膜中のシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の濃度に依存する。ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂのシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）の濃度を下地ＤＶＳ−ＢＣＢ膜９２ａと比較して、２５％以下まで小さくしているのは、かかるエッチング選択性を向上させるためである。また、その比誘電率は２．０程度となり、配線間容量の低減の観点からも、かかる組成の選択は有利である。このＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂ上に、機械的強度と密着性に優れたＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９２ｃを成長する。かかる構造の積層膜も、図１に示した共重合高分子膜の成長装置を用い、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーとの相対供給量を所定量に制御することで連続成長させることができる。この第２の配線絶縁膜９２を構成するＤＶＳ−ＢＣＢ膜９２ａにはビアが開口され、ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜９２ｂとＤＶＳ−ＢＣＢ膜９２ｃには配線溝が形成される。そして、これらの配線溝とビアからなる開口部に、その側面と底面をＴａＮバリア膜で覆われた第２層目のデュアルダマシン銅配線が形成される。
【０１１４】
その後、第２層目の銅配線上に１０ｎｍ厚の銅拡散バリア膜であるＳｉＮ膜を成長させ、第３の配線絶縁膜９３を成長する。この第３の配線絶縁膜９３部には、第２の配線層とのビア８８と第３の銅配線８９からなるデュアルダマシン銅配線が形成される。第３の配線層間絶縁膜９３では、配線ビア部には、機械的強度に優れるＤＶＳ−ＢＣＢ高分子膜９３ａを、配線形成部には、ＢＢＢ高分子膜９３ｂを、さらに最上層には、機械的強度の大きいＤＶＳ−ＢＣＢ膜９３ｃを用いている。この場合、成膜の際、供給ガス系を１００％ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーから１００％ＢＢＢモノマー、そして再び１００％ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーと切り替える。中間層の、１００％ＢＢＢモノマーから得られるＢＢＢ高分子膜には、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）は含まれず、その比誘電率は２．０〜１．８程度である。上層配線には、配線長の長いものが存在するため、実効比誘電率のより低い層間絶縁膜が必要となるため、この第３の配線絶縁膜９３ｂに、１００％ＢＢＢ高分子膜を用いた。
【０１１５】
この例のように、本発明の共重合高分子膜の成長方法を用いることで、ＤＶＳ−ＢＣＢモノマーとＢＢＢモノマーとを原料として、共重合高分子膜を形成する気相成長系において、それぞれの骨格モノマーの含有比率を０％から１００％まで変化させることもできる。従って、ＵＬＳＩ多層配線のように各配線層の配線層間絶縁膜に対して、要求される膜物性、例えば、機械強度や密着性や比誘電率が異なる場合でも、用いる有機モノマーガスの供給比を制御するのみで、各骨格モノマーの含有比率を自由に変化させることが可能となる利点がある。
【０１１６】
さらに、ＢＢＢモノマーと不飽和炭化水素基付加ＢＢＢモノマーとを原料に用いた系では、不飽和炭化水素基付加ＢＢＢモノマーを原料とする際にはより嵩密度の小さい膜が得られるので、ＢＢＢモノマーとの相対供給量を変化させることで、膜厚方向に嵩密度が連続的あるいはステップ状に変化している共重合高分子膜、それに伴い、比誘電率と同様に屈折率も連続的あるいはステップ状に変化している共重合高分子膜が得られる。このような屈折率分布を有する共重合高分子膜は、光導波路用基板に利用することもできる。
【０１１７】
以上に例示した共重合高分子膜の成長例では、複数種の有機モノマーの一つをＤＶＳ−ＢＣＢとしているが、これだけでなく、本発明では、有機モノマー単独であっても重合する有機モノマーであれは、それらを複数種を混合して、その組成を広い範囲で変化させた共重合高分子膜を気相成長すること可能である。例えば、第１の実施例や第２の実施例に記載された、ビニレン基やシクロブテン基など、その間で重合を起こせる活性基を少なくとも２つ以上含有している有機モノマーであれば、これらの有機モノマーを複数種混合して、それらの共重合高分子膜を気相成長させることができる。さらに、主原料の自己重合可能な有機モノマー２種類以上を含む混合ガスに対して、さらに、アセチレンやエチレンといった重合補助ガスを添加して、共重合高分子膜を気相成長させることもできる。
【０１１８】
【発明の効果】
本発明の共重合高分子膜の作製方法では、例えば、上でその原理を説明したＭＶＰ法、なかでも、プラズマ重合法などの手段を更に発展させた気相成長法を利用して作製する際、重合反応が可能な原料として、複数の有機モノマーを用いることにより、複数のモノマーに由来する骨格ユニットを含む共重合高分子構造を作製することが可能となり、従来、単一種の原料モノマーを用いていた際には、到底達成することができなかった、幅広い機能性を有する有機高分子膜を得ることが可能となった。また、気相成長による成膜工程中に、混合ガスとして供給する各原料の供給量の制御を、その複数の原料モノマーそれぞれに対して独立に制御することにより、成膜される膜厚方向において、共重合高分子膜の構造、具体的には、それを構成する原料モノマーに由来する骨格の含有比率（組成）を、広い範囲で制御することが可能となる。加えて、かかる利点を用いて、シリコン酸化膜をはじめとする半導体材料と接する界面、例えば、成膜開始時に下地となる半導体材料表面に形成される共重合高分子膜は、その構造（組成）を、かかる半導体材料との密着性に大きな貢献を果す有機モノマーユニットの比率が高いものとすることで、この界面の密着性を向上させることができる。同様に、成膜終了時にも、その後、かかる共重合高分子膜表面に設ける半導体材料との密着性に貢献する有機モノマーユニットの比率が高い組成（構造）とすることで、かかる共重合高分子膜を下地として、堆積形成される、上部の半導体材料層との界面における密着性を向上させることができる。その一方では、共重合高分子膜の中間部においては、前記の膜下端（下層部）、表面（上層部）とは、その構造（組成）を変えて、構造的に低密度化を促進する有機モノマーユニットの比率が増したものとすることにより、かかる中間部に形成される共重合高分子の実効的な誘電率を低減させることが可能となる。従って、下地の半導体材料との界面ならびに、かかる高分子膜表面に設ける上部の半導体材料層との界面では、それら半導体材料に対する優れた密着性を維持しつつ、共重合高分子膜全体としては、実効的な誘電率を低減させることが可能となる。より具体的には、界面領域に機械強度と密着性に富んだ共重合高分子膜を配置し、その間に位置する中間層に嵩密度の小さな共重合高分子膜を配置することで、膜全体として実効比誘電率が低く、かつ密着性および機械的強度に優れた層間絶縁膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の共重合高分子膜の作製方法の実施に利用可能な高分子膜成膜装置構成の一例を模式的に示す図である。
【図２】本発明の共重合高分子膜の作製方法に利用される、液体状の有機モノマーの気化供給に利用可能な気化制御器の構成の一例を模式的に示す図である。
【図３】本発明の共重合高分子膜の作製方法に利用される、固体状の有機モノマーの気化供給に利用可能な気化制御器の構成の一例を模式的に示す図である。
【図４】本発明の一実施例において、作製される三層構造の共重合高分子膜における、各層領域の共重合高分子の構造を模式的に示す図である。
【図５】本発明の共重合高分子膜を、層間の絶縁分離用の絶縁膜層に利用し、多層銅配線を達成している半導体装置の一例を示す断面模式図である。
【図６】本発明の共重合高分子膜の作製方法に利用される、ＭＶＰ法の原理を説明する図である。
【符号の説明】
１ 反応室
２ 反応室加熱ヒータ
３ 配管加熱ヒータ
４ 共重合高分子膜
５ 半導体基板
６ 基板加熱部
７ シャワーヘッド
８ 真空ポンプ
９ ＲＦ電源
１０ マッチングボックス
１１ ＲＦケーブル
１２ａ、１２ｂ アース線
１３ 気体流量制御器
１４ 冷却トラップ
１５ 廃液配管
１６ 排気配管
１７ バルブ
１８Ａ、１８Ｂ バルブ
１９Ａ 気化モノマーＡ
１９Ｂ 気化モノマーＢ
２０Ａ 排気気化モノマーＡ
２０Ｂ 排気気化モノマーＢ
２１ クリーニングガス
２２Ａ 有機モノマーＡ
２２Ｂ 有機モノマーＢ
２３Ａ 有機モノマーＡタンク
２３Ｂ 有機モノマーＢタンク
２４Ａ 洗浄溶剤Ａ
２５Ａ 洗浄溶剤Ａタンク
２６Ａ キャリアガスＡ
２６Ｂ キャリアガスＢ
２７ 圧力送出ガス
２８Ａ 有機モノマーＡ用液体流量指示器
２９Ａ 洗浄溶剤Ａ用液体流量指示器
３０Ａ 気化制御器Ａ
３１Ａ 気体流量制御器Ａ
３１Ｂ 気体流量制御器Ｂ
３２Ａ 気化室
３３Ｂ 気体流量指示器Ｂ
３４ ヒータ
３５Ａ 気化制御バルブＡ
３６Ａ 洗浄溶剤制御バルブＡ
３７Ａ 気化制御器Ａ内バルブ
３８Ａ 気化原料Ａ供給配管
３８Ｂ 気化原料Ｂ供給配管
３９Ａ 気化原料Ａ排気配管
３９Ｂ 気化原料Ｂ排気配管
４０Ａ キャリアガスＡ供給配管
４０Ｂ キャリアガスＢ供給配管
４１Ａ、４１Ｂ〜４８Ａ、４８Ｂ バルブ
５０ 排気ポンプ
５１ 反応室
５２ 有機絶縁膜
５３ 半導体基板
５４ 基板加熱部
５５ タンク
５６ 気化原料配管
６１ 気化モノマーＡ供給システム
６２ 気化モノマーＢ供給システム
８１ シリコン基板
８２ ＭＯＳＦＥＴ
８３ 銅コンタクトプラグ
８４ 無機層間絶縁膜
８５ 第１層目銅配線
８６ ビア
８７ 第２層目銅配線
８８ ビア
８９ 第３層目銅配線
９０ 銅拡散バリア膜
９１ 第１の配線絶縁膜
９１ａ，９１ｃ ＤＶＳ−ＢＣＢ膜
９１ｂ、 ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜
９２ 第２の配線絶縁膜
９２ａ，９２ｃ ＤＶＳ−ＢＣＢ膜
９２ｂ ＤＶＳ−ＢＣＢ／ＢＢＢ共重合高分子膜
９３ 第３の配線絶縁膜
９３ａ，９３ｃ ＤＶＳ−ＢＣＢ膜
９３ｂ ＢＢＢ高分子膜

Claims (15)

  1. 共重合高分子膜を気相成長法により作製する方法であって、
    前記共重合高分子膜は、少なくとも２種類以上の有機モノマーを骨格とする共重合高分子により構成され、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーは、その単独の有機モノマーであっても重合反応を生じるものあり、かつ、少なくとも、他の１種の有機モノマーとも重合反応を生じるものであり、
    原料として、前記少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の蒸気を含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、
    供給される前記混合ガスを、前記反応室内に設置する、加熱されている下地面上に吹き付ける工程と、
    加熱されている前記下地面上において、吹き付けられた前記混合ガス中に含有される少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の重合反応を起こし、共重合高分子膜の成長を行う工程とを少なくとも有し、
    原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
    （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記式（ＩＩ）：
    Figure 0004997670
    （ＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン
    で示されるビスベンゾブテニルブタジエン モノマーである
    ことを特徴とする、共重合高分子膜の作製方法。
  2. 共重合高分子膜を気相成長法により作製する方法であって、
    前記共重合高分子膜は、少なくとも２種類以上の有機モノマーを骨格とする共重合高分子により構成され、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーは、その単独の有機モノマーであっても重合反応を生じるものあり、かつ、少なくとも、他の１種の有機モノマーとも重合反応を生じるものであり、
    原料として、前記少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の蒸気を含む混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、
    供給される前記混合ガスを、前記反応室内に設置する、加熱されている下地面上に吹き付ける工程と、
    加熱されている前記下地面上において、吹き付けられた前記混合ガス中に含有される少なくとも２種類以上の有機モノマー分子の重合反応を起こし、共重合高分子膜の成長を行う工程とを少なくとも有し、
    原料として利用する、前記２種類以上有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
    （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記一般式（ＩＩＩ）：
    Figure 0004997670
    （ＩＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン誘導体
    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、水素あるいは不飽和炭素水素基を示す）で表されるビスベンゾブテニルブタジエン誘導体 モノマーである
    ことを特徴とする、共重合高分子膜の作製方法。
  3. 前記混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程と、
    前記加熱されている下地面上に吹き付ける工程との間に、
    前記減圧下の反応室内において、前記混合ガスを反応室内に生成されているプラズマ中を通過させる過程を設ける
    ことを特徴とする、請求項１または２に記載の共重合高分子膜の作製方法。
  4. 前記混合ガスを減圧下の反応室に供給する工程において、
    前記混合ガス中に含有される、少なくとも２種類以上の有機モノマーについて、その有機モノマー分子相互の相対的含有比率を膜成長の途中で変化させ、
    少なくとも、作製される共重合高分子膜の膜厚方向に、前記相対的含有比率を変化させる少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格ユニットの比率で表される面内平均組成を変化させる
    ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の共重合高分子膜の作製方法。
  5. 共重合高分子膜の気相成長を開始する初期においては、原料として使用する、前記の少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、
    前記式（Ｉ）で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーの供給比率を高くし、その後、該式（Ｉ）で示されるモノマーの供給比率を低下させる時期を設ける
    ことを特徴とする、請求項１または２に記載の共重合高分子膜の作製方法。
  6. 下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
    少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
    その膜厚方向において、前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットの比率で表される面内平均組成が連続的に変化する領域を有し、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
     （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記式（ＩＩ）：
    Figure 0004997670
     （ＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン
    で示されるビスベンゾブテニルブタジエン モノマーである
    ことを特徴とする共重合高分子膜。
  7. 下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
    少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
    その膜厚方向において、前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットの比率で表される面内平均組成が連続的に変化する領域を有し、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
     （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記一般式（ＩＩＩ）：
    Figure 0004997670
     （ＩＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン誘導体
    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、水素あるいは不飽和炭素水素基を示す）で表されるビスベンゾブテニルブタジエン誘導体 モノマーである
    ことを特徴とする共重合高分子膜。
  8. 前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも前記式（Ｉ）で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーに由来する有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
    前記有機モノマーユニットの比率で表される面内平均組成が連続的に変化に伴い、膜厚方向において、膜中に含まれるシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度が連続的に変化している
    ことを特徴とする請求項６または７に記載の共重合高分子膜。
  9. 前記膜厚方向において存在する、膜中に含まれるシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の連続的な変化は、膜厚の中央部に比較して、前記下地面と接する共重合高分子膜の下面、ならびに膜の上面付近の領域では、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度が相対的に高くするものである
    ことを特徴とする請求項８に記載の共重合高分子膜。
  10. 膜厚の中央部に比較して、下地面と接する共重合高分子膜の下面、ならびに膜の上面付近の領域では、面内平均の共重合高分子の嵩密度が相対的に高くなっている
    ことを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の共重合高分子膜。
  11. 半導体装置を構成する下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
    少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は、前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
    前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
    少なくとも、膜中に含まれる前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の差違により区別される上層、中間層、下層が積層されてなる膜厚方向に層状構造を有し、
    前記上層ならびに下層と比較して、中間層においては、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度は低く、
    かつ、この層状構造を有する共重合高分子膜により、前記半導体装置の銅配線膜が埋め込まれている形状をとっており、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
     （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記式（ＩＩ）：
    Figure 0004997670
     （ＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン
    で示されるビスベンゾブテニルブタジエン モノマーであり、
    その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有している、前記少なくとも１種の有機モノマーユニットは、前記式（Ｉ）で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーに由来する有機モノマーユニットである
    ことを特徴とする共重合高分子膜。
  12. 半導体装置を構成する下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
    少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は、前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
    前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
    少なくとも、膜中に含まれる前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の差違により区別される上層、中間層、下層が積層されてなる膜厚方向に層状構造を有し、
    前記上層ならびに下層と比較して、中間層においては、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度は低く、
    かつ、この層状構造を有する共重合高分子膜により、前記半導体装置の銅配線膜が埋め込まれている形状をとっており、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
     （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記一般式（ＩＩＩ）：
    Figure 0004997670
     （ＩＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン誘導体
    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、水素あるいは不飽和炭素水素基を示す）で表されるビスベンゾブテニルブタジエン誘導体 モノマーであり、
    その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有している、前記少なくとも１種の有機モノマーユニットは、前記式（Ｉ）で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーに由来する有機モノマーユニットである
    ことを特徴とする共重合高分子膜。
  13. 半導体装置を構成する下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
    少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は、前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
    前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
    少なくとも、膜中に含まれる前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の差違により区別される上層、中間層、下層が積層されてなる膜厚方向に層状構造を有し、
    前記上層ならびに下層と比較して、中間層においては、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度は低く、
    かつ、この層状構造を有する共重合高分子膜の下層により、前記半導体装置のビア銅膜が埋め込まれ、また、中間層および上層により銅配線膜が埋め込まれている形状をとっており、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
     （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記式（ＩＩ）：
    Figure 0004997670
     （ＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン
    で示されるビスベンゾブテニルブタジエン モノマーであり、
    その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有している、前記少なくとも１種の有機モノマーユニットは、前記式（Ｉ）で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーに由来する有機モノマーユニットである
    ことを特徴とする共重合高分子膜。
  14. 半導体装置を構成する下地面上に気相成長方法で作製されてなる共重合高分子膜であって、
    少なくとも２種類以上の有機モノマーが共重合してなる共重合高分子で形成され、また、かかる共重合高分子は、前記少なくとも２種類以上の有機モノマーに由来する骨格が保持された構造を有し、
    前記共重合高分子を構成する、少なくとも２種類以上の有機モノマーユニットのうち、少なくとも１種の有機モノマーユニットは、その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有しており、
    少なくとも、膜中に含まれる前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度の差違により区別される上層、中間層、下層が積層されてなる膜厚方向に層状構造を有し、
    前記上層ならびに下層と比較して、中間層においては、前記シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造の密度は低く、
    かつ、この層状構造を有する共重合高分子膜の下層により、前記半導体装置のビア銅膜が埋め込まれ、また、中間層および上層により銅配線膜が埋め込まれている形状をとっており、
    前記少なくとも２種類以上の有機モノマーのうち、少なくとも、その二つは、下記式（Ｉ）：
    Figure 0004997670
     （Ｉ） ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン
    で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーと、
    下記一般式（ＩＩＩ）：
    Figure 0004997670
     （ＩＩＩ） ビスベンゾブテニルブタジエン誘導体
    （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、互いに独立して、水素あるいは不飽和炭素水素基を示す）で表されるビスベンゾブテニルブタジエン誘導体 モノマーであり、
    その内部構造として、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）構造を有している、前記少なくとも１種の有機モノマーユニットは、前記式（Ｉ）で示されるジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン モノマーに由来する有機モノマーユニットである
    ことを特徴とする共重合高分子膜。
  15. １つ以上の有機高分子膜を層間絶縁膜として利用する半導体装置であって、
    前記層間絶縁膜として設けられている、有機高分子膜の少なくとも１つは、前記請求項６〜１４のいずれか一項に記載する共重合高分子膜である
    ことを特徴とする半導体装置。
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