JP4988799B2 - 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
このような構成によれば、生産性の向上が求められ且つ圧電振動デバイスの密封性も高い。
またこの圧電振動デバイスにおいて、接合材は金属材料であり、嵌め合わせ部には金属膜が形成されている。
またこの圧電振動デバイスにおいて、接合材は樹脂材料である。そして接合材を介して接合した圧電振動デバイスの外側に耐蝕膜が形成されている。この耐蝕膜は無機酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜の少なくとも1つを含む。
さらに圧電振動デバイスの圧電振動片はATカット水晶振動片又は音叉型水晶振動片を含む。
このような構成によれば、ウエハ単位で生産できるため生産性の向上を図ることができる。
また、接合材による接合の工程後に、圧電ウエハの第1嵌め合わせ部及びプレートウエハの第2嵌め合わせ部を通過するスリットを形成する工程と、スリットに耐蝕膜を形成する工程と、を備える。この耐蝕膜は無機酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜の少なくとも1つを含み、化学気相成長法又はスパッタ法により無機酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜の少なくとも1つが形成される。
また圧電振動デバイスの製造方法は、接合の工程後に、接合されたウエハをスリットに沿ってスリットより細い幅で切断する工程を備える。
図1(a)は、第一水晶振動デバイス100を構成する第一リッド10の内面図であり、(b)は音叉型水晶振動片30を有する第一水晶フレーム20の上面図であり、(c)は第一ベース40の上面図であり、(d)は(a)から(c)のA−A断面で第一水晶振動デバイス100を示した断面構成図である。第一水晶振動デバイス100は、最上部の第一リッド10、第一水晶フレーム20及び第一ベース40から構成される。
図1(a)に示されるように第一リッド10は、リッド側凹部17を第一水晶フレーム20側の片面に有している。第一リッド10は、第一水晶フレーム20側の最外周の内側に嵌め合わせ用凹部73を形成している。この嵌め合わせ用凹部73の凹みには金属膜15が形成されている。
図4はリッド用ウエハ10WA側から見たパッケージウエハ85Wの上面図である。また、図4は特にリッド用ウエハ10WAが透明の状態で、水晶ウエハ20WAの音叉型水晶振動片30を主体に描かれている。パッケージウエハ85Wは、説明の都合上、1つの第二水晶振動デバイス110の外形(XY平面の大きさ)に相当する領域を仮想線(二点鎖線)で表示している。また、音叉型水晶振動片30と外枠部29とが区別し易いように空間22が網目で示されている。
第二水晶振動デバイス110は、樹脂などの接着材で簡易的に接合を行うため嵌め合わせ用凸部69又は嵌め合わせ用凹部68に金属膜を形成しない。樹脂などの接着材として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂及びポリイミド樹脂などの一つ又は複数が使用される。
図6A及び図6Bは、図4に示された第二水晶振動デバイス110を有するパッケージウエハ85WのD−D断面線で切断して接合した状態を示す断面図である。図6A及び図6Bは、第二水晶振動デバイス110の製造工程を説明する図である。パッケージウエハ85Wは、説明の都合上第二水晶振動デバイス110の大きさに相当する領域を仮想線(二点鎖線)で表示している。
図6A(b)に示されるように、パッケージウエハ85Wは、第二水晶振動デバイス110の大きさに相当する領域の切断溝60の仮想線(二点鎖線)に沿ってダイシングソーで切断され、パッケージウエハ85Wにスリット87が形成される。このスリット87の切り込み深さは、重ねられて接合した嵌め合わせ用凸部69及び嵌め合わせ用凹部68を越える範囲までである。ウエハ単位でなく個々の第二水晶振動デバイス110で扱う場合にはスリット87はパッケージウエハ85Wの底面まで貫通し、個々の第二水晶振動デバイス110に切断してもよい。
図6B(c)に示されるように、スリット87が形成されたパッケージウエハ85Wに対して、耐蝕膜90が形成される。耐蝕膜90は、化学的気相成長法(CVD)及び物理的気相成長法(PVD)によって、パッケージウエハ85Wの側面及び上面に成膜される。特に、嵌め合わせ用凸部69及び嵌め合わせ用凹部68の側面は、耐蝕膜90で厚く覆われることが好ましい。
図6B(d)に示されるように、スリット87に沿ってスリット87より細い幅のダイシングソーで切断部96を形成する。第二水晶振動デバイス110は、ダイシングにより個々の第二圧電振動デバイス110に切り離される。
15、25、45… 金属膜
17 … リッド側凹部
20 … 第一水晶フレーム、20A … 第二水晶フレーム
21 … 振動腕、22 …空間部、23 … 基部、26 … 支持腕
29 … 外枠部
30 … 音叉型水晶振動片
31、32 … 基部電極、33、34 … 励振電極
40 … 第一ベース、40A … 第二ベース、
41 … 第1スルーホール、43 … 第2スルーホール
42 … 第1接続電極、 44 … 第2接続電極
47 … ベース側凹部
49 … 接続電極用段差
60 … 切断溝
68,73 … 嵌め合わせ用凹部、69,72 … 嵌め合わせ用凸部
70 … 封止材、75 … 共晶金属ボール
80W、85W … パッケージウエハ
87 … スリット
90 … 耐蝕膜
96 … 切断部
100 … 第一水晶振動デバイス、110 … 第二水晶振動デバイス
EX1 … 第1外部電極、 EX2 … 第2外部電極
10W、10WA … リッド用ウエハ
20W、20WA … 振動片用の水晶ウエハ
40W、40WA … ベース用ウエハ
Claims (14)
- 励振電極が形成された圧電振動片及び前記圧電振動片の外周に配置される枠体を有する圧電フレームと、
前記圧電フレームの枠体の一方の面に接合する第1プレートと、
前記圧電フレームの枠体の他方の面に接合する第2プレートと、を備え、
前記枠体の一方の面に凸状の第1嵌め合わせ部が形成され、前記枠体の他方の面に前記凸状を逆にした凹状の第3嵌め合わせ部が形成され、
前記第1プレートに凹状の第2嵌め合わせ部が形成され、
前記第2プレートに凸状の第4嵌め合わせ部が形成され、
前記第1嵌め合わせ部と前記第2嵌め合わせ部とが接合材を介して接合し、前記第3嵌め合わせ部と前記第4嵌め合わせ部とが接合材を介して接合している圧電振動デバイス。 - 前記凸状は、前記面の法線方向に所定の高さと前記法線方向と直交する方向に所定の幅とを有し、
前記凹状は、前記所定の高さと同じ深さと前記所定の幅と同じ幅を有する請求項1に記載の圧電振動デバイス。 - 前記接合材は金属材料であり、前記第1嵌め合わせ部から前記第4嵌め合わせ部には金属膜が形成されている請求項1又は請求項2に記載の圧電振動デバイス。
- 前記接合材は樹脂材料である請求項1又は請求項2に記載の圧電振動デバイス。
- 前記接合材を介して接合した圧電振動デバイスの外側に耐蝕膜が形成されている請求項4に記載の圧電振動デバイス。
- 前記耐蝕膜は無機酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜の少なくとも1つを含む請求項5に記載の圧電振動デバイス。
- 前記第1プレート及び前記第2プレートは、ガラス、セラミック又は圧電材料のいずれか一つからなることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
- 前記圧電振動片がATカット水晶振動片又は音叉型水晶振動片を含む請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
- 励振電極が形成された圧電振動片及び前記圧電振動片の外周に配置され且つ一方の面に凸状の第1嵌め合わせ部及び他方の面に前記凸状を逆にした凹状の第3嵌め合わせ部が形成された枠体を有する圧電フレームが複数形成された圧電ウエハを用意する工程と、
前記第1嵌め合わせ部と嵌め合う凹状の第2嵌め合わせ部が形成され前記枠体とほぼ同じ大きさの第1プレートが複数形成された第1プレートウエハを用意する工程と、
前記第3嵌め合わせ部と嵌め合う凸状の第4嵌め合わせ部が形成され前記枠体とほぼ同じ大きさの第2プレートが複数形成された第2プレートウエハを用意する工程と、
前記第1嵌め合わせ部と前記第2嵌め合わせ部との間、及び前記第3嵌め合わせ部と前記第4嵌め合わせ部との間に接合材を配置する工程と、
前記圧電ウエハ及び前記プレートウエハを重ね合わせ、前記接合材を用いて接合する工程と、
を備える圧電振動デバイスの製造方法。 - 前記凸状は、前記面の法線方向に所定の高さと前記法線方向と直交する方向に所定の幅とを有し、
前記凹状は、前記所定の高さと同じ深さと前記所定の幅と同じ幅を有する請求項9に記載の圧電振動デバイスの製造方法。 - 前記接合の工程後に、前記接合されたウエハを前記枠体の最外周に沿って切断する工程を備える請求項9又は請求項10に記載の圧電振動デバイスの製造方法。
- 前記接合材による接合の工程後に、前記圧電ウエハの第1嵌め合わせ部及び第3嵌め合わせ部、前記第1プレートウエハの第2嵌め合わせ部並びに前記第2プレートウエハの第4嵌め合わせ部を通過するスリットを形成する工程と、
前記スリットに耐蝕膜を形成する工程と、
を備える請求項9に記載の圧電振動デバイスの製造方法。 - 前記耐蝕膜は無機酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜の少なくとも1つを含み、化学気相成長法又はスパッタ法により前記無機酸化膜、窒化膜又は酸化窒化膜の少なくとも1つが形成される請求項12に記載の圧電振動デバイスの製造方法。
- 前記接合の工程後に、前記接合されたウエハを前記スリットに沿って前記スリットより細い幅で切断する工程を備える請求項12に記載の圧電振動デバイスの製造方法。
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US9136820B2 (en) * | 2012-07-31 | 2015-09-15 | Tdk Corporation | Piezoelectric device |
US8994251B2 (en) | 2012-08-03 | 2015-03-31 | Tdk Corporation | Piezoelectric device having first and second non-metal electroconductive intermediate films |
JP2014182170A (ja) | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Seiko Epson Corp | 封止構造、干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器 |
US9257959B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-02-09 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, oscillator, electronic apparatus, sensor, and moving object |
JP6133697B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2017-05-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動片、圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法 |
KR101522670B1 (ko) * | 2014-08-19 | 2015-05-26 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | 압전 소자 및 이를 구비하는 전자기기 |
JP2016095143A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体 |
KR20170073080A (ko) * | 2015-12-18 | 2017-06-28 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
WO2018003315A1 (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-04 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス、及び圧電振動デバイスの製造方法 |
WO2018008198A1 (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 株式会社村田製作所 | 共振子及び共振装置 |
KR101872599B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2018-06-28 | 삼성전기주식회사 | 탄성파 필터 장치 |
CN106757221A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-05-31 | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 | 一种陶瓷基板表面选择性制备金锡共晶焊料的方法 |
JP2019211218A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、複合センサー、慣性計測ユニット、移動体測位装置、携帯型電子機器、電子機器、移動体、走行支援システム、表示装置、および物理量センサーの製造方法 |
KR20200007545A (ko) * | 2018-07-13 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 패키지 |
KR20220090162A (ko) * | 2020-12-22 | 2022-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 진동 장치 및 이를 포함하는 장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3339091A (en) * | 1964-05-25 | 1967-08-29 | Hewlett Packard Co | Crystal resonators |
JPS5478693A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-22 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Crystal vibrator |
GB2146839B (en) * | 1983-07-27 | 1987-04-01 | Nihon Dempa Kogyo Co | Piezoelectric resonator |
JPS6457738A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-06 | Sumitomo Electric Industries | Package for semiconductor device |
JPH0348446A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH10335970A (ja) * | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Miyota Co Ltd | 表面実装型圧電振動子 |
JP4060972B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2008-03-12 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子及びその製造方法 |
JP2002050939A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子 |
CN1670978B (zh) * | 2004-02-26 | 2010-12-29 | 京瓷株式会社 | 电子装置的制造方法 |
WO2007017992A1 (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-15 | Daishinku Corporation | 圧電振動デバイスおよびその製造方法 |
JP4690146B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-06-01 | セイコーインスツル株式会社 | 水晶振動子、発振器及び電子機器 |
CN101253684B (zh) * | 2005-08-31 | 2012-02-29 | 京瓷株式会社 | 压电共振子 |
JP2008182468A (ja) | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスの製造方法 |
JP4412506B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2010-02-10 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
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