JP4412506B2 - 圧電デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、圧電デバイスおよびその製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化に伴い、水晶振動子等の圧電デバイスは、より一層の小型化が要求されている。素子の小型化を実現するための技術として、たとえば水晶振動子を有する水晶基板を、上下方向から同様の形状の基板で挟んで３層の基板を互いに接合することにより封止する技術が提案されている（特許文献１参照）。

また、このような技術を適用することにより、複数の水晶振動子を有する水晶基板を用いた場合には、上下方向から基板を接合した後に基板を切断することにより、小型の複数の圧電デバイスを得ることができ、工程数の削減を図ることができる。
特開２００６−９４３７２号公報

本発明は、さらなる小型化を実現することのできる圧電デバイスおよびその製造方法を提供することにある。

本発明に係る圧電デバイスは、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
前記中間基板は、
圧電振動部と、
前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部と、
前記圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極と、
前記圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極と、
前記第１の励振電極と電気的に接続される第１の配線と、
前記第２の励振電極と電気的に接続される第２の配線と、
を有し、
前記枠部の上面と下面とを接続している内側面は、前記枠部の上面または下面とのなす内角が９０度より大きい傾斜面を有し、
前記第１の配線または第２の配線は、前記傾斜面の表面に設けられている。

本発明に係る圧電デバイスにおいて、
前記枠部は、その下面に設けられ、かつ当該枠部の内側から外側に連通する第１の凹部を有し、
前記第１の配線は、前記第１の凹部内に延びていることができる。

本発明に係る圧電デバイスにおいて、
前記枠部は、その下面に設けられ、かつ当該枠部の内側から外側に連通し、かつ前記第１の凹部と対向する位置に設けられている第２の凹部をさらに有し、
前記第２の配線は、前記第２の凹部内に延びている。

本発明に係る圧電デバイスにおいて、前記第１の傾斜面は２段に形成されており、
前記第１の配線は、前記２段の傾斜面の両方に形成されていてもよい。

本発明に係る圧電デバイスにおいて、
前記枠部の内側面は、前記枠部の上面とのなす内角が９０度より大きい第１の傾斜面と、前記枠部の下面とのなす内角が９０度より大きい第２の傾斜面と、を有し、
前記第１の配線は、前記第１の傾斜面および前記第２の傾斜面の双方に延びている。

本発明に係る圧電デバイスの製造方法は、
下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスの製造方法であって、
（ａ）上側基板および下側基板と、圧電振動部、前記圧電振動部の周囲を囲む枠部、前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部、前記圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極、前記圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極、前記第１の励振電極と電気的に接続される第１の配線、前記第２の励振電極と電気的に接続される第２の配線、および前記枠部の下面に設けられ当該枠部の内側から外側に連通する第１の凹部ならびに第２の凹部を有する中間基板とを準備する工程と、
（ｂ）一対のプローブを前記第１の配線および前記第２の配線に接触させて前記圧電振動部の振動周波数を調整する工程と、
（ｃ）前記上側基板および前記下側基板と前記中間基板とを接合する工程と、
を含み、
前記工程（ａ）において、
前記第１の配線は、前記第１の凹部内に延びており、
前記第２の配線は、前記第２の凹部内に延びており、
前記工程（ｂ）において、
前記一対のプローブの一方は、前記第１の凹部内において前記第１の配線と接触し、
前記一対のプローブの他方は、前記第２の凹部内において前記第２の配線と接触する。

本発明に係る圧電デバイスの製造方法において、
前記工程（ａ）において、
前記中間基板は、基板面方向に配列された複数の圧電振動部と、複数の前記第１の励振電極および複数の前記第２の励振電極と、複数の前記第１の配線および複数の前記第２の配線と、複数の前記第１の凹部および複数の前記第２の凹部とを有し、
一の枠部に設けられた前記第１の凹部は、当該一の枠部と隣り合う他の枠部に設けられた第２の凹部と連通する連通部を有し、
前記下側基板は、複数の貫通穴を有し、
前記工程（ｃ）では、
前記複数の貫通穴のそれぞれが、前記連通部と重複するように前記下側基板と前記中間基板とを接合し、
前記工程（ｃ）の後に、
前記複数の貫通穴に導電材料を埋め込む工程と、
前記複数の連通部を含む領域に設けられた切断ラインに沿って前記上側基板、前記中間基板、および前記下側基板を切断分離する工程と、
をさらに含む。

１．圧電デバイス
図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスに用いられる中間基板を示す上面図、下面図、または断面図である。図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図であり、図１（Ａ）および図１（Ｂ）におけるII（Ａ）-II（Ａ）切断面に対応する図である。

本実施の形態に係る圧電デバイス１００は、下側基板３０および上側基板２０と、それらに挟まれている中間基板１０とを含む。下側基板３０および上側基板２０は、図３に示すように、中間基板１０を挟むことにより、中間基板１０に設けられている圧電振動部１１を封止することができる。

１．１．中間基板
図１（Ａ）は、中間基板１０を模式的に示す上面図であり、図１（Ｂ）は、中間基板１０を模式的に示す下面図である。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、中間基板１０を模式的に示す断面図であり、図２（Ａ）は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）におけるII（Ａ）-II（Ａ）切断面に対応する図であり、図２（Ｂ）は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）におけるII（Ｂ）-II（Ｂ）切断面に対応する図であり、図２（Ｃ）は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）におけるII（Ｃ）-II（Ｃ）切断面に対応する図である。

中間基板１０は、圧電振動部１１と、圧電振動部１１の周囲を取り囲む枠部１２と、圧電振動部１１と枠部１２とを接続する接続部１５ａ、１５ｂと、圧電振動部１１の上面に設けられた第１の励振電極１３と、圧電振動部１１の下面に設けられた第２の励振電極１４と、第１の励振電極１３と電気的に接続されている第１の配線２３と、第２の励振電極と電気的に接続されている第２の配線３３と、を有する。

中間基板１０は、接続部１５ａ、１５ｂ以外の領域が接触しないように、たとえばＣ字型のスリット１６ａを有する。中間基板１０において、スリット１６ａの内側の領域が圧電振動部１１として機能し、スリット１６ａの外側の領域が上側基板２０および下側基板３０と接合するための枠部１２として機能する。また、２箇所に設けられた接続部１５ａ、１５ｂの間にスリット１６ｂを有する。このように、圧電振動部１１は、Ｚ’軸に平行な２つの端部のうち一方のみが支持されている。

中間基板１０は、段差構造および傾斜面を有している。具体的には、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、枠部１２の外側の領域が上下方向に最も厚く、枠部１２の内側面に向かって薄くなり、圧電振動部１１の領域が最も薄く形成されている。接続部１５ａ、１５ｂは、圧電振動部１１と同じ厚さでもよいし、圧電振動部１１から枠部１２にかけて上下面において傾斜して徐々に厚くなっていてもよい。圧電振動部１１は、枠部１２の上下方向において中心に位置する。このような形状を有することにより、上側基板２０と下側基板３０との間に空洞ができて圧電振動部１１の振動が可能となる。

枠部１２の内側面は、枠部１２の上面と下面とを接続し、第１の傾斜面１７ａおよび第２の傾斜面１７ｂを有する。第１の傾斜面１７ａは、枠部１２の上面とのなす内角θ_１が９０度より大きい。第２の傾斜面１７ｂは、枠部１２の下面とのなす内角θ_２が９０度より大きい。第１の傾斜面１７ａおよび第２の傾斜面１７ｂは、図２（Ａ）に示すように、上下方向に２段に設けられていてもよい。

枠部１２は、その下面に設けられ、かつ枠部１２の内側から外側に連通する第１の凹部１８ａおよび１８ｂをさらに有する。第１の凹部１８ａおよび第２の凹部１８ｂは、枠部１２上であって、かつ圧電振動部１１を挟んで相互に対向する位置に設けられている。すなわち、第２の凹部１８ｂは、枠部１２において接続部１５ａ側に設けられており、第１の凹部１８ａは、圧電振動部１１を挟んで第２の凹部と対向する位置に設けられている。

圧電振動部１１は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。圧電振動部１１、接続部１５ａ、１５ｂ、および枠部１２は、水晶基板からなることが好ましく、たとえば、基板面がＸ軸に平行でＸ軸の回りに回転切断して作製されるＡＴカットの水晶基板である。

第１の励振電極１３は、中間基板１０の上面に圧電振動部１１と接触するように設けられ、第２の励振電極１４は、中間基板１０の下面に圧電振動部１１と接触するように設けられている。第１の励振電極１３は、接続部１５ａ上に設けられた第１の配線２３から引き出されて、圧電振動部１１上に延出している。第２の励振電極１４は、接続部１５ｂの下面に設けられた第２の配線３３から引き出されて、圧電振動部１１の下面に延出している。

第１の配線２３は、接続部１５ａ上から枠部１２の内側面の第１の傾斜面１７ａ上に延びている。さらに第１の配線２３は、圧電振動部１１の周囲を回るように第１の傾斜面１７ａ上に設けられ、枠部１２上であって、接続部１５ａが設けられた側と対向する側の第２の傾斜面１７ｂを通って第１の凹部１８ａ内に延びている。

第２の配線３３は、接続部１５ｂの下面から枠部１２の内側面の第２の傾斜面１７ｂ上に延びている。さらに第２の配線３３は、第２の傾斜面１７ｂ上から、接続部１５ｂ側に設けられている第２の凹部１８ｂ内に延びている。

第１の励振電極１３、第２の励振電極１４、第１の配線２３、および第２の配線３３の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造である。

１．２．全体の構成
図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスの断面図である。上側基板２０および下側基板３０の材質は、絶縁性の材質であれば特に限定されないが、材質の熱膨張差を考慮すると中間基板と同一の材質であることが好ましく、たとえば水晶からなる。

下側基板３０は、第１の凹部１８ａの下方に設けられた第１の溝部２５と、第２の凹部１８ｂの下方に設けられた第２の溝部２６とを有する。第１の溝部２５および第２の溝部２６は、平面視においてたとえば半円または円弧形状であり、下側基板３０の上面から下面に貫通している。下側基板３０は、その下面に設けられた第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を有する。第１の外部端子３２は、第１の溝部２５を取り囲む領域に設けられている。第２の外部端子３４は、第２の溝部２６を取り囲む領域に設けられている。

圧電デバイス１００は、第１の配線２３と第１の外部端子３２とを電気的に接続する第３の配線３５と、第２の配線３３と第１の外部端子３４とを電気的に接続する第４の配線３６とをさらに含む。第３の配線３５および第４の配線３６の材質としては、たとえば半田等の導電性材料からなる。

第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、圧電デバイス１００を外部の機器とを電気的に接続するために用いられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４は、互いに離れた位置に設けられ、具体的には下側基板２０の長手方向に対向する端部にそれぞれ設けられる。第１の外部端子３２および第２の外部端子３４の材質としては、たとえば下地としてＣｒ膜を用い、その上にＡｕ膜を有する多層構造である。

本実施の形態に係る圧電デバイス１００は、枠部１２の内側面にある第１の傾斜面１７ａ及び第１の凹部１８ａを介して、第１の配線２３を外側面に引き出している。これにより、たとえば中間基板の枠部にスルーホールを設け、前記スルーホールを介して第１の配線を枠部の外側面に引き出す場合と比べて、圧電デバイス１００を容易に小型化することができ、圧電振動部の面積を大きくすることができ、ひいてはＣＩ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値を低く抑えることができる。

また、本実施の形態に係る圧電デバイス１００によれば、第１の傾斜面１７ａ及び第２の傾斜面のうち、Ｘ軸方向の面において、接続電極２３を中間水晶板１１０の上面から下面に引き回している。図２に示されるように、Ｘ軸方向の面は、Ｚ’軸方向の面に比べてその頂点角度（すなわち、第１の傾斜面１７ａ及び第２の傾斜面１７ｂにより形成される角度）が緩やかである。従って、Ｚ’軸方向の面を利用して接続電極を中間水晶板の上面から下面に引き回す場合に比べ、断線の頻度を低減することができる。

また、傾斜面１７aは２段に形成され、その両方に接続電極２３が形成されている。そのため、接続電極２３を幅広に形成することができ、シート抵抗の低減が可能になる。その結果、ＣＩ値の上昇を防ぐことができる。

２．圧電デバイスの製造方法
次に本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法について説明する。図４〜図１０は、本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法を示す図である。

（１）まず、上側水晶板１２０（上側基板）、中間水晶板１１０（中間基板）、および下側水晶板１３０（下側基板）を準備する（図６参照）。上側水晶板１２０、中間水晶板１１０、および下側水晶板１３０は、それぞれ複数の上側基板２０、中間基板１０、および下側基板３０が配列された基板である。

図４は、本実施の形態にかかる中間水晶板１１０の下面を示す図である。中間水晶板１１０は、複数の圧電振動部１１と、複数の接続部１５ａ、１５ｂと、複数の第１の励振電極１３と、複数の第２の励振電極と、複数の第１の凹部１８ａと、複数の第２の凹部１８ｂとを有し、圧電振動部１１の周囲には、枠部１２が形成されている。枠部１２は、一体化しており、その上に切断ラインＬ１、Ｌ２が設けられる。切断ラインＬ１および切断ラインＬ２は、直角に交叉するように設けられている。

切断ラインＬ１を介して隣り合う第１の凹部１８ａと第２の凹部１８ｂは、図４に示すように、連通していてもよい。第１の凹部１８ａと第２の凹部１８ｂとの連通部４０と切断ラインＬ１とが重複する位置に設けられている。

第１の凹部１８ａに設けられている第１の配線２３と、第２の凹部１８ｂに設けられている第２の配線３３とは、接触しないように設けられており、少なくとも切断ラインＬ１上には、形成されていない。

ここで中間水晶板１１０の作製方法の一例について説明する。

まず、水晶板を準備し、第１の傾斜面１７ａおよび第２の傾斜面１７ｂのうち、１段目を形成し、その後に第１の傾斜面１７ａおよび第２の傾斜面１７ｂのうちの２段目、並びに第１の凹部１８ａおよび第２の凹部１８ｂを形成する。ここでは、たとえばウェットエッチングを用いる。第１の傾斜面１７ａおよび第２の傾斜面１７ｂの形成と同時に、後に圧電振動部１１となる薄板部分と枠部１２となる厚板部分とが形成される。

次に、スリット１６ａ、１６ｂを形成して、圧電振動部１１および枠部１２を設ける。この工程は、たとえばフォトリソグラフィ技術を利用したウェットエッチングにより設けられる。

次に、第１の励振電極１３、第２の励振電極１４、第１の配線２３、および第２の配線３３をたとえばフォトリソグラフィ技術を利用したエッチング、蒸着法やスパッタ法により設ける。第１の配線２３および第２の配線３３は、第１の傾斜面１８ａおよび第２の傾斜面１８ｂの表面と、第１の凹部１８ａおよび第２の凹部１８ｂの内部に設けられる。

次に、複数の圧電振動部１１のそれぞれの周波数を調整する（図５参照）。図５は、周波数調整を説明するための図であり、図４の中間水晶板１１０のV−V断面を含む図である。図４において、中間水晶板１１０の下面が上側に描かれている。周波数の調整は、圧電振動部１１を振動させて周波数を検出しながら、第１の励振電極１３または第２の励振電極１４の厚みを変えることにより行う。具体的には、第１の凹部１８ａ内の第１の配線２３と、第２の凹部１８ｂ内の第２の配線３３のそれぞれに、プローブ６２、６４を接触させて圧電振動部１１を振動させる。そして検出された周波数に基づいて、たとえば第１の励振電極１３を薄膜化する。第１の励振電極１３の薄膜化は、公知の方法を用いて行うが、たとえばアルゴンプラズマ６０を第１の励振電極１３の表面に照射することにより行われる。このとき、第１の励振電極１３をたとえば蒸着法等により厚膜化してもよい。

以上の工程により中間水晶板１１０を作製することができる。

下側水晶板１３０は、複数の貫通穴４２を有する（図６参照）。下側水晶板１３０において貫通穴４２は、切断ラインＬ１上であって、第１の配線２３および第２の配線３３の連通部４０側における端部と重複する位置に設けられている。貫通穴４２の形状は、平面視においてたとえば円形であることができ、下方に向かって半径が大きくなっていることが好ましい。貫通穴４２は、後に切断ラインＬ１に沿って切断されることによって、上述した第１の溝部２５と第２の溝部２６に分離する。

（２）次に、上側水晶板１２０および下側水晶板１３０と、中間水晶板１１０とを接合する（図６および図７参照）。接合は、直接接合を適用することが好ましい。接合する２枚の水晶板のうち少なくとも一方の接合部にプラズマを照射し、当該接合部を活性化させる。その後、２枚の基板を張り合わせて接合することにより、加熱による応力の発生を軽減して振動数を安定化させることができる。接合する際の位置合わせは、貫通穴４２の中心と連通部４０の中心とが重複するように行われる。

（３）次に、貫通穴４２に下方から導電性材料を埋め込むことによって、導電層７０を形成する。具体的には、まず、貫通穴４２の内部に、導電性材料としてたとえば半田、ＡｕＧｅ等の球体の金属ボール７０ａを配置する（図８参照）。金属ボール７０ａの大きさは、少なくとも貫通穴４２の上面における直径より大きい直径を有する。このように金属ボール７０ａを貫通穴４２に嵌め込んだ後に、レーザー光７２を照射して、金属ボール７０ａを溶解して導電層７０を形成し、貫通穴４２を塞ぐ（図９参照）。金属ボール７０ａの溶解は、レーザー光の照射に限定されず、たとえば高温炉を用いてもよい。

次いで、第１の外部端子３２および第２の外部端子３４を、導電層７０と接触するように設ける（図１０参照）。なお、切断ラインＬ１を介して隣り合う第１の外部端子３２と第２の外部端子３４は、連続的に形成されていてもよい。

以上の工程により、図９に示すように、水晶板が３層積層され、複数の圧電振動部を有する圧電水晶デバイス３００（圧電デバイス）を得ることができる。

（４）次に、切断ラインＬ１およびＬ２に沿って、圧電水晶デバイス３００を切断分離する。

以上の工程により、圧電デバイス１００を得ることができる（図３参照）。

本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法では、圧電振動部１１の周波数調整工程において、第１の凹部１８ａおよび第２の凹部１８ｂ内においてプローブ６２、６４を第１の配線２３および第２の配線３３に接触させている（図５参照）。これにより、同一面でプローブコンタクトをとることができるため、プローブ６２、６４の構造を簡略化することができる。

また、本実施の形態に係る圧電デバイス１００の製造方法では、貫通穴４２に設けた導電層７０を切断分離工程で切断している。これにより、第１の配線２３から第１の外部端子３２への電気的接続のための第３の配線３５と、第２の配線３３から第２の外部端子３４への電気的接続のための第４の配線３６を共通の工程で設けることができ、工程数を削減することができる。

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば圧電振動部として音叉型振動子を用いてもよい。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１（Ａ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、本実施の形態に係る圧電デバイスを構成する中間基板を示す下面図である。 図２（Ａ）、図２（Ｂ）、および図２（Ｃ）は、本実施の形態に係る中間基板を示す断面図である。 図３は、本実施の形態に係る圧電デバイスを示す断面図である。 図４は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図５は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図６は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図７は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図８は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図９は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。 図１０は、本実施の形態に係る圧電デバイスの製造方法を説明するための図である。

符号の説明

１０…圧電振動板、 １１…圧電振動部、 １２…枠部、 １３…第１の励振電極、 １４…第２の励振電極、 １５ａ，１５ｂ…接続部、 １６ａ，１６ｂ…スリット、１７ａ…第１の傾斜面、 １７ｂ…第２の傾斜面、 １８ａ…第１の凹部、 １８ｂ…第２の凹部、 ２３…第１の配線、 ２５…第１の溝部、 ２６…第２の溝部、 ３２…第１の外部端子、 ３３…第１の配線、 ３４…第２の外部端子、 ３５…第３の配線、 ３６…第４の配線、 ４０…連通部、 ４２…貫通穴、 ６０…アルゴンプラズマ、 ６２，６４…プローブ、 ７０ａ…金属ボール、 ７０…導電層、 ７２…レーザー光、 １００…圧電デバイス、 １１０…中間水晶板、 １２０…上側水晶板、 １３０…下側水晶板、 Ｌ１，Ｌ２…切断ライン

Claims (4)

1. 下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスであって、
   前記中間基板は、
   圧電振動部と、
   前記圧電振動部の周囲を囲む枠部と、
   前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部と、
   前記圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極と、
   前記圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極と、
   前記第１の励振電極と電気的に接続される第１の配線と、
   前記第２の励振電極と電気的に接続される第２の配線と、
   を有し、
   前記枠部の内側面は、前記枠部の上面とのなす内角が９０度より大きい第１の傾斜面と、前記枠部の下面とのなす内角が９０度より大きい第２の傾斜面と、を有し、
   前記枠部は、その下面に設けられ、かつ当該枠部の内側から外側に連通する第１の凹部を有し、
   前記第１の配線は、前記第１の傾斜面および前記第２の傾斜面の表面に設けられ、前記第１の凹部内に延びている、圧電デバイス。
2. 請求項１において、
   前記枠部は、その下面に設けられ、かつ当該枠部の内側から外側に連通し、かつ前記第１の凹部と対向する位置に設けられている第２の凹部をさらに有し、
   前記第２の配線は、前記第２の凹部内に延びている、圧電デバイス。
3. 下側基板および上側基板と、それらに挟まれている中間基板とを含む圧電デバイスの製造方法であって、
   （ａ）上側基板および下側基板と、圧電振動部、前記圧電振動部の周囲を囲む枠部、前記圧電振動部と前記枠部とを接続する接続部、前記圧電振動部の上面に設けられた第１の励振電極、前記圧電振動部の下面に設けられた第２の励振電極、前記第１の励振電極と電気的に接続される第１の配線、前記第２の励振電極と電気的に接続される第２の配線、および前記枠部の下面に設けられ当該枠部の内側から外側に連通する第１の凹部ならびに第２の凹部を有する中間基板とを準備する工程と、
   （ｂ）一対のプローブを前記第１の配線および前記第２の配線に接触させて前記圧電振動部の振動周波数を調整する工程と、
   （ｃ）前記上側基板および前記下側基板と前記中間基板とを接合する工程と、
   を含み、
   前記工程（ａ）において、
   前記第１の配線は、前記第１の凹部内に延びており、
   前記第２の配線は、前記第２の凹部内に延びており、
   前記工程（ｂ）において、
   前記一対のプローブの一方は、前記第１の凹部内において前記第１の配線と接触し、
   前記一対のプローブの他方は、前記第２の凹部内において前記第２の配線と接触する、圧電デバイスの製造方法。
4. 請求項３において、
   前記工程（ａ）において、
   前記中間基板は、基板面方向に配列された複数の圧電振動部と、複数の前記第１の励振電極および複数の前記第２の励振電極と、複数の前記第１の配線および複数の前記第２の配線と、複数の前記第１の凹部および複数の前記第２の凹部とを有し、
   一の枠部に設けられた前記第１の凹部は、当該一の枠部と隣り合う他の枠部に設けられた第２の凹部と連通する連通部を有し、
   前記下側基板は、複数の貫通穴を有し、
   前記工程（ｃ）では、
   前記複数の貫通穴のそれぞれが、前記連通部と重複するように前記下側基板と前記中間基板とを接合し、
   前記工程（ｃ）の後に、
   前記複数の貫通穴に導電材料を埋め込む工程と、
   前記複数の連通部を含む領域に設けられた切断ラインに沿って前記上側基板、前記中間基板、および前記下側基板を切断分離する工程と、
   をさらに含む、圧電デバイスの製造方法。