JP4986395B2 - バッテリパック、および携帯型電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、データ認証回路、バッテリパック、および携帯型電子機器に関し、特に温度検出機能と認証機能とを有するバッテリパック、携帯型電子機器およびそれらに用いられるデータ認証回路に関する。
携帯電話機等の携帯型の電子機器においては、本体に電力を供給するバッテリを搭載したバッテリパックが一般的に使われる。バッテリを充電しても十分に機能しない場合、バッテリパックごと交換して電子機器を継続的に利用することができる。ここで、バッテリとしては、リチウムイオン電池などの再充電可能な二次電池を用い、過充電防止回路や過放電防止回路などが組み込まれて一体化され、バッテリパックとして構成されているのが一般的である。これらの二次電池の使用可能時間が短くなった(俗にバッテリの寿命が短くなったと言われる)場合、所定の電圧まで再充電できなくなった場合や、故障などにより所定の電力が本体に供給できなくなった場合などには、バッテリパックごと別なものに交換して、本体側へ搭載して用いることが行われる。
バッテリパックはバッテリ充電時に高温となるため、バッテリパックが所定以上の温度とならないように、電子機器の本体側からバッテリパックの温度をモニタすることがある。すなわち、本体側と接続された電源からバッテリへ電力を供給することで行われるバッテリ充電時に、バッテリパック内のバッテリ近傍に備えられる温度検出センサの出力データを本体側でモニタし、これが予め設定された所定温度以上となることで充電を中止したり、警報を表示したりしている。また、使用中においても、バッテリなどに異常が生じていないか、定期的にバッテリパックの温度をモニタすることもある。これらの場合、バッテリパックからの温度検出に関する出力データを取りこむ端子が必要であり、バッテリパックと本体側に付加されている。
また、バッテリパックが正規なものであるか否かを識別するためにバッテリパックの認証を行う技術が知られている。すなわち、バッテリパックと機器本体とにそれぞれID(識別子)等を記憶させ、接続時にバッテリパックから出力されるIDを機器本体に記憶したIDと照合してバッテリパックの正当性の認証を行うものである。この認証によって機器本体に適合しないような不正なバッテリパックを識別している。最近では、パッテリパックの模倣品、模造品により、充電時のほか、電子機器に搭載して使用中においても、異常な発熱や液漏れ、破裂などの問題が生じる可能性があることが指摘されている。このため、温度検出に加えて認証機能を有するバッテリパックが望まれている。
このようなID信号を取りこむ場合、一般には新たな端子や信号線を設ける必要がある。この場合、部品点数の増大や実装面積の拡大に繋がってしまう。そこで、バッテリパックの認証を行う際の認証のためのデータ送受の信号と温度検出センサからの信号とを一つの信号線で共用して送受するようにして、部品点数の増大や実装面積の拡大を抑えるように構成する装置が知られている(例えば特許文献1参照)。
図7は、従来の装置のデータ送受信回路における温度検出センサの伝送線とクロックの通信線とを共用する構成を示すブロック図である。図7において、サーミスタ(温度検出センサ)THの抵抗測定時には、トランジスタTをオンとし、電源Vに対する抵抗RとサーミスタTHとの分圧が通信ラインに印加される。分圧の値をバッファB1で入力して本体側の不図示の回路で読み取ることで温度検出を行う。一方、認証時には、本体側でトランジスタTをオフとし、イネーブル信号E1をアクティブとする。そして、バッファTBからバッテリ側のバッファB2にクロックCLKを伝送する。このようにして、認証時のクロックの送受の信号と温度検出センサからの信号とを一つの信号線で共用して送受することができる。
特開2003−162986号公報 (図6)
ところで、図7の回路においては、サーミスタの抵抗測定時にトランジスタTがオンとなるため、電源Vに対する抵抗RとサーミスタTHとの分圧が通信ライン(信号線)に印加される。この時、認証回路のバッファB1、B2の入力には、電源と接地の中間電圧、すなわち、抵抗Rの値とサーミスタTHのその時の温度により定まる抵抗値(以下THRという)との和を分母にして分子THRと電源Vの電圧(電源Vと接地との間の電圧)を乗じた電圧が印加されることとなる。このためその中間電圧の値によっては、バッファB2の出力が不定となって認証回路の誤動作を引き起こすおそれがある。なお、入力バッファの出力値が不定になるような入力電圧または入力電位を本明細書では以下、特に「不定領域電圧」または「不定領域電位」という。
一般にサーミスタTHの温度検出は、アナログ値の分圧をA−Dコンバータでデジタル変換して処理する場合が多い。こういった場合において、温度検出の精度を高めようとすると、バッテリパックの通常使用状態での平均温度におけるサーミスタの抵抗値THRと、抵抗Rの値とを同程度にして、分圧変動の基準値を電源電圧Vの1/2程度にすることで、温度変動の幅を観測できる領域が広がり、より高精度の温度測定が行えるので、好ましい。この場合、当然に、分圧の値は、電源電圧Vの半分程度になる。従って、前述のバッファB1、B2の入力が不定領域電圧になりやすい。不定領域電圧が加えられると、バッファB1、B2の出力が不定となり、後段の認証回路に悪影響、誤動作を及ぼすおそれが高まる。また、一般にバッファは、CMOS回路で構成されている。通常、CMOS回路のバッファは、電源電圧の約7〜8割程度以上の入力電圧で確実にハイレベルと認識し、電源電圧の約1〜2割以下程度の入力電圧で確実にローレベルと認識するものが多い。なお、本明細書でハイレベルという場合は、出力が確実にハイレベルになる入力電圧をいい、ローレベルという場合には、出力が確実にローレベルとなる入力電圧をいう。従って、入力電圧が電源電圧の2割程度を超え、7割程度未満の電圧では、ハイレベル、ローレベルのいずれになるか保証できない不定領域とされているものが多い。この不定領域が、本明細書でいう不定領域電圧の一具体例である。また、不定領域電圧が印加されると、CMOS回路を貫通電流が流れることにより、バッテリの消耗を早めるなどの問題が生じる場合もある。さらに、通常、温度測定は定期的に行われるので、認証回路に悪影響を与える機会などは更に高まる。
前記課題を解決するために、入力端子と認証回路との間にレベル補正回路を挿入し、レベル補正回路により、不定領域電圧が認証回路に到達しないようにする。
本発明の一つのアスペクトに係るバッテリパックは、入出力端子と、入出力端子に対して認証に関わる信号を出力する認証回路と、入力端が入出力端子に接続され、出力端が認証回路の入力端に接続されるレベル補正回路と、一の端子が入出力端子に接続され、他の端子は基準電源に接続される温度センサと、を備える。レベル補正回路は、入出力端子に印加される電圧を不定領域電圧よりも大または小に補正して認証回路へ出力する。
本発明によれば、レベル補正回路により、入力バッファの出力が不定になるような不定領域電圧が認証回路に印加されないように構成したので、認証回路への悪影響や、認証回路の誤動作、バッテリの異常消耗などを抑えることができる。
本発明の実施形態に係るデータ認証回路は、バッテリパックとバッテリパックを装着する携帯型電子機器(本体装置)との間で、バッテリパックの正当性の認証を行うためのスレーブ認証回路(図1の21)において用いられる。電源電位と接地電位の間の電位を与えて温度検出を行う温度センサの電位を読み取るための信号線(図1のT端子ライン)が、バッテリパックと本体装置間のデータ送受信の伝送路としても利用される。データ認証回路は、信号線に電圧比較回路を介して接続されるレベル補正回路(図1の13、23)を有し、認証回路の入力端には不定領域電圧が印加されないように構成されており、認証情報を通信ラインに重畳する。
また、本発明の実施形態に係る携帯型電子機器は、更に、バッテリパック側のスレーブ認証回路に対応する認証回路として本体側にはマスタ認証回路を有する。マスタ認証回路(図1の11)は、レベル補正回路(図1の13)を有し、スレーブ側同様に認証回路(図1の12)の入力端には不定領域電圧が印加されないように構成されており、認証情報を通信ラインに重畳する。以下、実施例に即し、図面を参照してより詳しく説明する。
図1は、本発明の第1の実施例に係るバッテリパックと携帯型電子機器の構成を示すブロック図である。図1において、携帯型電子機器(本体側)には、CPU10、マスタ認証回路11、抵抗器R1を備える。一方、バッテリパック側には、スレーブ認証回路21、サーミスタTH、バッテリBATを備える。なお、携帯型電子機器は、携帯電話や、携帯型情報端末(デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ機能などの複合型情報端末を含む)などの装置であって、装置の本体側には、携帯型電子機器を機能させる種々の回路等が搭載されるが、本発明に関わらないので、その説明を省略する。また、バッテリパック側にも、前述のスレーブ認証回路21、サーミスタTH、バッテリBAT以外にも、本体側との間で充電や電源供給等が行われるための付属回路、装置等を有するが、本発明に関わらないので、それらの詳細な説明を省略する。
なお、図1に概略を示すように、バッテリBATから、バッテリの電源電圧VDDが、本体側やバッテリパック側の電子回路、回路素子に供給される。また、必要により、昇圧、降圧した電圧をこれらの回路素子などに供給するが、本発明の動作に直接関係ない箇所については、説明は省略する。なお、例えば、バッテリBATの電源電圧VDDは、4V程度である。勿論、この値は一例であり、本発明においては、種々の値を取ることができる。
携帯型電子機器(本体側)において、CPU10は、端子VREFから抵抗器R1を介してサーミスタTHに温度検出のための電圧を供給する。抵抗器R1とサーミスタTHの接続点(T端子ライン)は、CPU10の端子ADに接続され、CPU10は、端子ADの電圧を読み取ることでサーミスタTHの温度を算出する。その算出結果を元に携帯型電子機器の制御等を行う温度判断機能を内蔵する。なお、サーミスタTHは種々の抵抗温度特性を有するものを用いることができる。例えば、25℃程度の室温で、数KΩ〜数十KΩの抵抗値、−40℃程度の低温で、室温の数十倍程度の抵抗値、75℃程度の高温で室温の数倍〜数十倍程度の抵抗値を示す抵抗−温度特性を有するものが用いられる。
また、CPU10は、バッテリパックの認証を行うためにマスタ認証回路11に対し必要なデータの送受信を端子STを介して行い、マスタ認証回路11から得た認証結果によって携帯型電子機器の制御を行う。CPU10とマスタ認証回路11とは、例えば、シリアルまたはパラレルの通信線で接続され、双方向のデータ通信が可能な状態となっている。
マスタ認証回路11は、認証回路12、レベル補正回路13、出力回路14を備える。認証回路12は、認証機能を備え、CPU10と認証に関わる制御情報の送受信を行う。レベル補正回路13は、入力がT端子ラインに接続され、バッテリパック側から送られる認証に関わるデータ、例えばバッテリパックのID情報等を受信して認証回路12に出力する。出力回路14は、出力がT端子ラインに接続され、認証回路12から出力される認証に関わるデータ、例えばID情報の送出要求等をバッテリパック側に送信する。
バッテリパック側において、スレーブ認証回路21は、認証回路22、レベル補正回路23、出力回路24を備える。スレーブ認証回路21は、認証機能を備え、携帯型電子機器(本体側)から送られる認証に関わるデータに対して応答するデータ、例えばバッテリパックのID情報等を出力回路24を介して携帯型電子機器(本体側)に送信する。レベル補正回路23は、入力がT端子ラインに接続され、携帯型電子機器(本体側)から送られる認証に関わるデータを受信して認証回路22に出力する。出力回路24は、出力がT端子ラインに接続され、認証回路22から出力される認証に関わるデータを携帯型電子機器(本体側)に送信する。
また、バッテリパック側にはバッテリ周辺の温度を監視するためのサーミスタTHが備えられ、サーミスタTHの一端は、T端子ラインに接続され、他端は接地されている。
バッテリパック側と携帯型電子機器(本体側)は、以上のように構成され、CPU10のAD端子、抵抗器R1の一端、レベル補正回路13の入力端、出力回路14の出力端、サーミスタTHの一端、レベル補正回路23の入力端、出力回路24の出力端は、共通にT端子ラインに接続される。そしてT端子ラインを介してCPU10がサーミスタTHの電位を読み取る。また、T端子ラインを介して、出力回路14は、レベル補正回路23に対しデータ信号を送信し、出力回路24は、レベル補正回路13に対しデータ信号を送信する。このようにマスタ認証回路11とスレーブ認証回路21とは、1本の通信線(T端子ライン)で接続されており、双方向の通信が可能である。マスタ認証回路11およびスレーブ認証回路21のそれぞれの出力端子は、バッテリ周辺の温度を監視するためのサーミスタTHが接続されるライン(T端子ライン)に、電源からの信号を重畳できるような構成になっており、認証回路内から必要な信号を重畳するようにコントロールされる。
CPU10は、バッテリ周辺の温度検出のためにサーミスタTHの電圧測定の開始を判断し、サーミスタTHの端子電圧情報からサーミスタTHの温度を算出し、その算出結果を元に携帯型電子機器の制御を行う温度判断機能を内蔵する。また、CPU10は、バッテリパックの認証を行うためにマスタ認証回路11に対し必要なデータの送受信を行い、認証結果により携帯型電子機器の制御を行う。例えば、装着したバッテリパックが正規なものか否かをユーザに対し表示するようにする。
次に、レベル補正回路13、23について説明する。図2は、本発明の第1の実施例に係るレベル補正回路の構成を示すブロック図である。レベル補正回路13、23は同じ構成であるのでレベル補正回路23について説明する。レベル補正回路23は、抵抗器R2、コンデンサC1、コンパレータCMPを備える。コンパレータCMPの入力端子IN1は、サーミスタTHが接続されるT端子ラインと抵抗器R2の一端とに接続される。コンパレータCMPの入力端子IN2は、抵抗器R2の他端とコンデンサC1の一端に接続され、コンデンサC1の他端は接地される。コンパレータCMPの出力は、認証回路22に接続される。抵抗器R2とコンデンサC1は、積分器を構成し、コンパレータCMPは、T端子ラインの信号レベル(入力端子IN1のレベル)と、この信号を積分したレベル(入力端子IN2のレベル)とを比較し、比較結果をシリアル論理データとして認証回路22に出力する。
ここで、コンパレータCMPは、レベル差を増幅するものであるので、入力端子IN1のレベルと入力端子IN2のレベルに電位差があれば、出力は電源電圧の近傍値又は接地電位の近傍値のいずれかの値として出力される。すなわち、ハイレベル又はローレベルのいずれかの値として出力され、不定領域電圧は出力されない。なお、温度測定の場合などのように入力端子IN1と入力端子IN2が同電位の場合が問題であるが、本実施例に係るコンパレータは、後述するようにオフセット電圧特性を有しているので、この場合でも不定領域電圧は出力されない。従ってオフセット電圧の値を加味してもレベル差が生じるようにオフセット電圧値などが選択される。
続いて、出力回路14、24について説明する。図3は、本発明の第1の実施例に係る出力回路の構成を示すブロック図である。出力回路14、24は同じ構成であるので出力回路14について説明する。出力回路14は、電界効果トランジスタTRを備える。電界効果トランジスタTRは、認証回路12が出力する2値信号に応じてオンオフするように動作する。オンの場合は、電源電圧VDDをT端子ラインに供給し、オフの場合は、T端子ラインに影響を与えない(すなわち、サーミスタTHの温度測定のための電位が保持される。この理由は、抵抗器R1は常に接続されており、端子VREFにはVDDが印加されていること、及びT端子ラインに接続されるコンパレータCMPなどがT端子ラインから見てハイ・インピーダンスであるからである。)。出力回路14は、電界効果トランジスタTRをオンオフさせることで、T端子ラインにシリアル論理データを出力する。なお、認証を行わない場合、つまり、電界効果トランジスタTRをオフに固定している場合には、T端子から見るとハイ・インピーダンスになっており、温度測定には影響はない。
次に、本体側とバッテリパック側の動作について説明する。図4は、認証時におけるT端子ライン(レベル補正回路23内のコンパレータCMPの端子IN1)の信号波形とレベル補正回路23内のコンパレータCMPの端子IN2の信号波形とを表す図である。
まず、バッテリパック側のスレーブ認証回路21は、通常、低消費電力モードで消費電力を抑えた状態にある。
認証時、本体側のマスタ認証回路11は、CPU10の端子STから送信されてくる認証開始コマンドを受け、通常モードへ復帰し、認証開始パルスをT端子ラインに送出する。このときレベル補正回路のコンパレータの入力端子IN1の電圧は、マスタ認証回路11の動作電圧VDDに近い電圧Vstに上昇する。一方コンパレータの入力端子IN2の電圧は、認証パルス送信前においては、入力端子IN1の電圧と同じであり、本実施例においては、例えば、室温においては、サーミスタの抵抗値と、固定抵抗R1の値を同程度に設定しているので、VDDの1/2程度の値となる。そして、認証開始パルスが送信されると、入力端子IN2の電圧は上昇するが、積分回路の抵抗器R2、コンデンサC1の時定数により、入力端子IN1に比べて電圧の上昇が遅れる。
コンパレータCMPでは、入力端子IN2の電圧上昇が遅れる分、入力端子IN1の電圧が高いため、入力端子IN2と入力端子IN1に電圧差が生じる。この電圧差によって確定した出力値が認証回路22のシリアル論理データのデータ入力部へ伝送され、スレーブ認証回路21が低消費電力モードから通常モードへ復帰する。
次に、マスタ認証回路11から認証情報を送信する際、重畳パルスを送出する(重畳パルス1)。この重畳パルスはデューティ比50%程度の矩形波であり、積分回路によって積分される。認証開始パルスを送出後、コンパレータの入力端子IN2の電圧は、Vst付近まで上昇しているが、重畳パルスを送出することにより、積分回路の働きでVthとVstの中間値付近で安定する。
一方、入力端子IN1の電圧は、Vst又はVthであるので、出力は、電源電圧近傍(ハイレベル)又は接地電位(ローレベル)のいずれかとなり、不定領域電圧の出力は発生しない。そして、認証関連情報data1をT端子ラインに重畳させた場合も図4で明らかなように重畳させた信号の入力端子IN1の電圧は、Vst又はVthであり、入力端子IN2の電圧は、そのほぼ中間の値であるので、出力は、電源電圧近傍(ハイレベル)又は接地電位(ローレベル)のいずれかとなり、不定領域電圧の出力は発生しない。従って、必要な情報を認証回路22に伝達することができる。この際、重畳信号判定電圧が安定受信レベルを外れない周期で積分用の重畳パルスを定期的に送出することが好ましい。また、コンパレータCMPのオフセット電圧の値は、Vst又はVthの値も加味して定めることが好ましい。
次にスレーブ認証回路21から、同様にT端子ラインに重畳することにより、認証関連情報をマスタ認証回路11に返送する。マスタ認証回路11は、返送された情報によって認証の可否を判断し、CPU10に判断結果を送信する。
マスタ認証回路11およびスレーブ認証回路21は、認証処理終了後、自動的に低消費電力モードへ移行する。
一方、以上の説明の認証処理が行われない期間において、温度測定がなされる。温度測定の際には、サーミスタTHと抵抗器R1とによる電源電圧VDDの分圧(Vth)がレベル補正回路13、23にそれぞれ中間電圧として入力される。本実施例においては、前述のように室温におけるサーミスタと固定抵抗の抵抗値を同程度としたため、この中間電圧は、VDDの1/2程度となる。この時、レベル補正回路13、23内のコンパレータCMPの入力端子IN1と入力端子IN2とは、ほぼ同電位になるが、コンパレータCMPは、所定のオフセット電圧を入力端子IN1と入力端子IN2との間に与えるように構成したものを選定しているので、コンパレータCMPの出力が変動することはない。なお、この場合のオフセットをどう構成するかは、認証回路の構成などにより、適宜選択する。温度測定が終了して認証処理に入ると、レベル補正回路13、23では、認証のための信号が重畳された信号がコンパレータCMPに入力され、比較結果の信号が認証回路12、22に入力される。
なお、温度測定がされる場合、レベル補正回路から、ハイレベル又はローレベルの出力信号が認証回路の入力端にされても、認証回路は、認証開始コマンドを受けない限り動作しない。また、出力回路14、24の電界効果トランジスタTRは、認証開始コマンドを受けていないのでオフとなっている。従って、T端子から見るとハイ・インピーダンスになっており、温度測定には影響はない。また、従来技術のような認証回路への悪影響も生じない。さらに、室温でのサーミスタの抵抗値と抵抗Rの抵抗値をほぼ同様にしたのは一例であり、もう少し高い温度領域や低い温度領域でほぼ同様にするなども全く自由である。
以上のようにコンパレータCMPが動作することで、認証回路12、22の入力には2値信号の中間となって不安定となるような不定領域電圧が印加されなくなり、認証回路の誤動作が防止される。また、認証回路が不必要に動作することがないので、消費電流が低減される。
なお、以上の説明では、コンパレータCMPの入力端子IN2の電位(基準電圧)を積分回路を用いて生成しているが、積分回路を用いる必要は必ずしもない。例えば、バッテリパック側ではバッテリからレギュレータ等の電源回路を通して生成しても同様の効果が得られる。本体側も同様に本体内部で使用している電圧を基準電圧に用いることにより、同様の効果が得られる。この場合、用いるサーミスタTHの抵抗温度特性と固定抵抗のR1の値にもよく注意して適切な基準電位を選定する必要があるのはいうまでもないことである。
次に、レベル補正回路13、23においてコンパレータCMPを用いない構成について説明する。図5は、本発明の第1の実施例に係るレベル補正回路の他の構成を示すブロック図である。レベル補正回路13aは、抵抗器R3、コンデンサC2、バッファ回路BUFを備える。バッファ回路BUFの入力端子は、コンデンサC2を介してサーミスタTHが接続されるT端子ラインに接続され、また抵抗器R3の一端に接続される。抵抗器R3の他端は、接地される。バッファ回路BUFの出力端子は、認証回路12に接続される。バッファ回路BUFの入力端子は、コンデンサC2を介してT端子ラインに接続されるので、温度測定の際の不定領域電位が入力されることがない。一方、認証のための信号が重畳された信号は、コンデンサC2を介して入力され、バッファ回路BUFで増幅され、シリアル論理データとして認証回路12に出力される。この場合も、レベル補正回路から電源電位近傍と基準電位近傍のいずれかの電圧が出力され、不定領域電圧が出力されないのは言うまでもないことである。また、この場合は、直流成分がカットされるため、認証回路間の通信は、矩形波を用いて交流成分を生成して情報の伝達を行う。
以上のように構成されるレベル補正回路13aを用いることで、先に説明したレベル補正回路13、23と同様に、認証回路12、22の入力への不定領域電圧の印加が無くなり、認証回路の誤動作などが防止される。
図6は、本発明の第2の実施例に係るバッテリパックと携帯型電子機器の構成を示すブロック図である。図6において、携帯型電子機器(本体側)には、CPU10a、マスタ認証回路11a、抵抗器R1、スイッチS1、S2を備える。一方、バッテリパック側には、認証回路22a、サーミスタTH、電圧調整回路25、コンパレータ26、インバータ回路INV、スイッチS3、S4を備える。ここで、電圧調整回路25、コンパレータ26は、レベル補正回路23aを構成する。なお、バッテリ側のスレーブ認証回路を構成するものとしては、認証回路22a、電圧調整回路25、コンパレータ26、インバータ回路INV、スイッチS3、S4が含まれる。また、本体側には、実施例1と同様に携帯型電子機器を機能させる種々の回路等が搭載されるが、本発明に関わらないので、その説明を省略する。また、バッテリパック側には、更にバッテリBAT等が搭載され、本体側との間で充電や電源供給が行われるが、バッテリBAT以外は、本発明に関わらないので、その説明を省略する。
携帯型電子機器(本体側)において、CPU10aは、端子VREFから抵抗器R1、スイッチS1を介してサーミスタTHに温度検出のための電圧を供給する。抵抗器R1とスイッチS1の接続点は、CPU10aの端子ADに接続される。CPU10aは、スイッチS1が閉じている時に端子ADの電圧を読み取ることでサーミスタTHの温度を算出する。その算出結果を元に携帯型電子機器の制御等を行う温度判断機能を内蔵する。
また、CPU10aは、バッテリパックの認証を行うためにマスタ認証回路11aに対し必要なデータの送受信を端子STを介して行い、マスタ認証回路11aから得た認証結果により携帯型電子機器の制御を行う。マスタ認証回路11aは、認証機能を備え、マスタ認証回路11aの入出力端子D1は、スイッチS2が閉じている時にT端子ラインに接続され、バッテリパック側と認証に関わるデータの送受を行う。なお、スイッチS1は、CPU10aの制御端子Ctr1の出力によって開閉が制御され、スイッチS2は、CPU10aの制御端子Ctr2の出力によって開閉が制御される。
バッテリパック側において、認証回路22aは、認証機能を備え、認証回路22aの入出力端子D2は、スイッチS3が閉じている時にT端子ラインに接続され、携帯型電子機器(本体側)と認証に関わるデータの送受を行う。
また、バッテリパック側にはバッテリ周辺の温度を監視するためのサーミスタTHが備えられ、サーミスタTHの一端はT端子ラインに接続され、他端は接地されている。
さらに、コンパレータ26は、入力端子の一方がT端子ラインに接続され、他方が電圧調整回路25を介してバッテリBATに接続され、サーミスタTHの端子電圧(不定領域電位など)とは異なる所定の電位が与えられる。従って、コンパレータ26から出力される電位は、電源電位近傍または接地電位近傍の値であり、不定領域電圧は出力されない。また、コンパレータ26の出力は、スイッチS4を介して認証回路22aの入出力端子D2に接続される。なお、スイッチS3、S4は、認証回路22aの制御端子Ctr3と制御端子Ctr3に接続されるインバータ回路INVとの出力によって互いに相反するように開閉される。
以上のような構成において、サーミスタTHの電圧測定時と認証時に応じて、スイッチを用いてT端子ラインへの接続ラインを物理的に切替える。サーミスタTHの電圧測定時には、スイッチS1、S4が導通状態となっており、スイッチS2、S3はオープン状態となっている。コンパレータ26の入力は、ハイインピーダンスであるため、T端子ラインには、抵抗R1、サーミスタTHのみの抵抗成分が見え、サーミスタTHの端子電圧測定時には、マスタ認証回路11a、認証回路22aは影響を受けない。また、認証回路22aのシリアルデータ入力端子D2は、レベル補正回路として動作するコンパレータ26が前段に接続されているため、T端子ラインの不定領域電圧が印加されることはない。
認証時には、CPU10aの制御端子Ctr1を用いてスイッチS1をオープンにし、制御端子Ctr2を用いてスイッチS2を導通状態にする。この時、スイッチS3、S4は、サーミスタ電圧測定時と同じように、それぞれオープン、導通状態である。この状態で、認証開始パルスをマスタ認証回路11aから認証回路22aへ送信する。認証回路22aは、コンパレータ26を介して認証開始パルス信号を入力して認識した時点で、スイッチS3を導通状態、スイッチS4をオープン状態に切替える。スイッチS3を接続するのは、双方向通信を可能とするためであり、スイッチS4をオープンにするのはコンパレータ26の出力とスレーブ認証回路の出力端子D2とのデータの衝突を防ぐためである。認証終了時は、スイッチを初期状態に戻すことにより、サーミスタTHの電圧測定が可能となる。
なお、電圧調整回路25、コンパレータ26の代わりに実施例1で説明した図5に示すようなレベル補正回路を用いてもよい。この場合も既に述べたように認証回路へ不定領域電圧の印加を防ぐことが可能である。この場合は、直流成分がカットされるため、認証回路間の通信は、矩形波を用いて交流成分を生成して情報の伝達を行う。
図6の構成によれば、信号ラインに対してスイッチで物理的に接続換えを行うため、実施例1で説明したような認証のための重畳パルスを送出する必要がない。したがって、本体側の制御が容易となる。
デジタルビデオカメラ、デジタルスチールカメラ、携帯電話、プリンタ等の携帯型電子機器に装着されるバッテリパックの認証の用途に適用できる。
本発明の第1の実施例に係るバッテリパックと携帯型電子機器の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施例に係るレベル補正回路の構成を示すブロック図である。 本発明の第1の実施例に係る出力回路の構成を示すブロック図である。 認証時におけるT端子ラインの信号波形とコンパレータの端子IN2の信号波形とを表す図である。 本発明の第1の実施例に係るレベル補正回路の他の構成を示すブロック図である。 本発明の第2の実施例に係るバッテリパックと携帯型電子機器の構成を示すブロック図である。 従来の装置の認証回路における温度検出センサの伝送線と認証データの通信線とを共用する構成を示すブロック図である。
符号の説明
10、10a CPU
11、11a マスタ認証回路
12、22、22a 認証回路
13、13a、23、23a レベル補正回路
14、24 出力回路
21、21a スレーブ認証回路
25 電圧調整回路
26 コンパレータ
BAT バッテリ
C1、C2 コンデンサ
CMP コンパレータ
INV インバータ回路
R1、R2、R3 抵抗器
TH サーミスタ
S1、S2、S3、S4 スイッチ
TR 電界効果トランジスタ
BUF バッファ

Claims (7)

  1. 入出力端子と、
    前記入出力端子に対して認証に関わる信号を出力する認証回路と、
    入力端が前記入出力端子に接続され、出力端が前記認証回路の入力端に接続されるレベル補正回路と、
    一の端子が前記入出力端子に接続され、他の端子は基準電源に接続される温度センサと、
    を備え、
    前記レベル補正回路は、前記入出力端子に印加される電圧を不定領域電圧よりも大または小に補正して前記認証回路へ出力することを特徴とするバッテリパック
  2. 前記レベル補正回路は、前記入出力端子に印加される電圧をハイレベル又はローレベルに補正して前記認証回路に出力することを特徴とする請求項1記載のバッテリパック
  3. 前記レベル補正回路は、その入力端に入力される第1の電圧と、前記第1の電圧を積分する積分回路を介して得られる第2の電圧とを比較する電圧比較回路を備え、
    前記電圧比較回路の出力を前記レベル補正回路の出力として出力することを特徴とする請求項1又は2記載のバッテリパック
  4. 前記レベル補正回路は、その入力端に入力される第1の電圧と、電圧調整回路から供給される第2の電圧とを比較する電圧比較回路を備え、
    前記電圧比較回路の出力を前記レベル補正回路の出力として出力することを特徴とする請求項1又は2記載のバッテリパック
  5. 前記レベル補正回路は、その入力端に入力される第1の電圧の直流分を遮断するバッファ回路を備え、
    前記バッファ回路の出力を前記レベル補正回路の出力として出力することを特徴とする請求項1又は2記載のバッテリパック
  6. 請求項1〜5のいずれか一に記載のバッテリパックであって、
    前記レベル補正回路の出力端と前記認証回路の入力端との間に配置される第1のスイッチと、
    前記入出力端子と前記認証回路の出力端との間に配置される第2のスイッチと、を備え、
    バッテリパックの認証開始信号に応答して前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとは、相反するように開閉動作することを特徴とするバッテリパック。
  7. 請求項1〜6のいずれか一に記載のバッテリパックを接続して認証動作を行う携帯型電子機器であって、
    前記温度センサを機能させるために前記不定領域電圧を前記温度センサの一の端子に供給する供給回路と、
    本体側入出力端子と、前記本体側入出力端子に対して認証に関わる信号を出力する本体側認証回路と、入力端が前記本体側入出力端子に接続され、出力端が前記本体側認証回路の入力端に接続される本体側レベル補正回路と、を備え、前記本体側レベル補正回路は、前記本体側入出力端子に印加される電圧を前記不定領域電圧よりも大または小に補正して前記本体側認証回路へ出力する本体側データ認証回路と、
    を備え、
    前記バッテリパックの入出力端子と、前記供給回路の出力端子と、前記本体側データ認証回路の入出力端子とを共通に接続することを特徴とする携帯型電子機器。
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