JP4980644B2 - Coating method and coating apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、被処理基板上に液を塗布する技術に係り、特にスピンレス方式で基板上に塗布膜を形成する塗布方法および塗布装置に関する。   The present invention relates to a technique for applying a liquid on a substrate to be processed, and more particularly to a coating method and a coating apparatus for forming a coating film on a substrate by a spinless method.

最近、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利なレジスト塗布法として、長尺型のレジストノズルをそのスリット状の吐出口よりレジスト液を帯状に吐出させながら基板に対して相対的に移動または走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式（たとえば特許文献１参照）が普及している。   Recently, in a photolithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD), as a resist coating method that is advantageous for increasing the size of a substrate to be processed (for example, a glass substrate), a long resist nozzle is used from its slit-like discharge port. A spinless method in which a resist solution is applied with a desired film thickness on a substrate without requiring a rotational motion by moving or scanning the resist solution relative to the substrate while discharging it in a strip shape (for example, Patent Documents) 1) is popular.

スピンレス方式（スリット式とも称される）を採用するレジストプロセスにおいても、その前処理として洗浄処理およびアドヒージョン処理が行われ、洗浄処理では基板表面の粒子や有機物等の汚れが除去される。アドヒージョン処理では基板とレジスト膜との密着性を向上させるために蒸気状のＨＭＤＳが基板上に塗布される。そして、レジスト塗布処理は、アドヒージョン処理後の無地の基板上に対して行われている。
特開平１０−１５６２５５ Also in a resist process that adopts a spinless method (also referred to as a slit method), a cleaning process and an adhesion process are performed as pre-processing, and dirt such as particles and organic substances on the substrate surface is removed in the cleaning process. In the adhesion process, vapor HMDS is applied on the substrate in order to improve the adhesion between the substrate and the resist film. Then, the resist coating process is performed on the plain substrate after the adhesion process.
JP-A-10-156255

しかしながら、従来のスピンレス方式は、基板上に形成するレジスト塗布膜の膜厚制御に改善の余地を残しており、特に面内均一性の向上が課題となっている。具体的には、塗布開始部では塗布膜の膜厚が落ち込む一方で、塗布中間部では塗布膜の膜厚が左右両端部で制御不能となり、塗布終端部では塗布膜が顕わに盛り上がりやすいという問題がある。   However, the conventional spinless method leaves room for improvement in the film thickness control of the resist coating film formed on the substrate, and in particular, improvement of in-plane uniformity is a problem. Specifically, while the film thickness of the coating film falls at the coating start part, the film thickness of the coating film becomes uncontrollable at both the left and right ends at the middle part of the coating, and the coating film tends to rise up clearly at the coating end part. There's a problem.

より詳細には、従来のスピンレス方式によると、図２２に示すような平面視のパターンで基板Ｇ上にレジスト液の塗布膜２００が形成される。ここで、塗布開始部Ａでは、図２３の（Ａ）に示すように、長尺型のレジストノズル２０２が基板ＧとのギャップＤAを狭くしてレジスト液の前置吐出または着液を行うのであるが、レジストノズル２０２のスリット状吐出口２０２ａより出たレジスト液が基板Ｇ上で外側（特にノズル長手方向外側）へ過分に広がりやすい。この結果、図２４に示すように、塗布開始部Ａ（特にその左右角隅部）でレジスト塗布膜２００の膜厚が外側へ向って垂れるように落ち込む。 More specifically, according to the conventional spinless method, the resist solution coating film 200 is formed on the substrate G in a plan view pattern as shown in FIG. Here, in the coating start portion A, as shown in (A) of FIG. 23, the resist nozzle 202 of the long type performs pre置吐unloading or Chakueki of the resist solution by narrowing the gap D A of the substrate G However, the resist solution exiting from the slit-like ejection port 202a of the resist nozzle 202 tends to spread excessively on the substrate G to the outside (particularly the nozzle longitudinal direction outside). As a result, as shown in FIG. 24, the film thickness of the resist coating film 200 drops at the coating start portion A (particularly the left and right corners) so as to hang outward.

塗布走査中は、図２３の（Ｂ）に示すように、レジストノズル２０２が基板ＧとのギャップＤBを塗布開始時よりも大きくしてその背面下端部にメニスカスを形成しながら基板Ｇ上方を移動し、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液がノズル２０２に引きずられるため、図２５に示すように、塗布中間部Ｂの左右両端部でレジスト液が内側へ寄って盛り上がり２０４を形成しやすい。この盛り上がり２０４は、走査速度を大きくするほど、あるいはギャップＤBを大きくするほど、点線２０４'で示すように大きくなる傾向がある。 During coating scan, as shown in FIG. 23 (B), the resist nozzle 202 to the substrate G upward while forming a meniscus on the back lower end made larger than the application start time of the gap D B of the substrate G Since the resist solution immediately after being moved and discharged onto the substrate G is dragged by the nozzle 202, as shown in FIG. 25, the resist solution approaches inward at both left and right ends of the coating intermediate portion B to form a bulge 204. Cheap. The swelling 204, the larger the scan speed, or the larger the gap D B, tends to become larger as indicated by the dotted line 204 '.

そして、レジストノズル２０２がレジスト液の吐出を終了する際には上方へ移動して退避することにより、そのスリット状吐出口２０２ａの両端からレジスト液の液切りが始まるため、塗布終端部Ｃ（特にその左右角隅部）ではレジスト液の内側への寄りがさらに強まり、一層大きな盛り上がりを形成しやすい。   When the resist nozzle 202 finishes discharging the resist solution, the resist nozzle 202 moves upward and retracts to start draining the resist solution from both ends of the slit-like discharge port 202a. At the left and right corners), the inward movement of the resist solution is further strengthened, and it is easy to form a larger bulge.

上記のようなレジスト塗布膜の膜厚変動または不均一性は、レジストプロセスの仕様や条件に応じてレジストノズル２０２の吐出構造を最適化することにより、ある程度まで解消できる。しかしながら、この手法は汎用性がなく、仕様（たとえば膜厚）や条件（たとえばレジストの種類）を変更する度毎にレジストノズルのハードウェア的な交換を必要とし、コストや運用の面で実用上の不利点が大きい。   The film thickness variation or non-uniformity of the resist coating film as described above can be eliminated to some extent by optimizing the discharge structure of the resist nozzle 202 in accordance with the specifications and conditions of the resist process. However, this method is not versatile and requires hardware replacement of the resist nozzle every time the specifications (for example, film thickness) and conditions (for example, the type of resist) are changed, which is practical in terms of cost and operation. The disadvantages are great.

さらに、従来のスピンレス方式では、図２６に示すように、塗布開始位置Ａにおける前置吐出に際してレジストノズル２０２と基板Ｇとの間のギャップＤがレジスト液で完全に満たされずに隙間（着液不良箇所）２０６が発生することが多々あった。このような着液不良箇所２０６のある状態で塗布走査を開始すると、図２７に示すように、レジストノズル２０２の背面下部に形成されるメニスカスの頂上ライン（ウエットライン）が着液不良箇所２０６で落ち込み、その位置に対応するレジスト塗布膜２００上の位置で走査方向に筋状の塗布ムラ２０８が生じやすい。   Furthermore, in the conventional spinless method, as shown in FIG. 26, the gap D between the resist nozzle 202 and the substrate G is not completely filled with the resist solution during the pre-discharge at the coating start position A, and the gap (liquid deposition failure) ) 206 often occurred. When application scanning is started in a state where there is such a poor liquid landing portion 206, as shown in FIG. 27, the top line (wet line) of the meniscus formed at the lower back of the resist nozzle 202 is the liquid landing defective portion 206. The streaky coating unevenness 208 tends to occur in the scanning direction at a position on the resist coating film 200 corresponding to the position.

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、塗布膜の膜厚制御、特に周縁部の膜厚均一化を容易に行えるスピンレス方式の塗布方法および塗布装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and provides a spinless coating method and a coating apparatus that can easily control the film thickness of the coating film, in particular, uniformize the film thickness of the peripheral portion. For the purpose.

本発明の別の目的は、塗布開始位置でノズルと被処理基板との間のギャップに処理液を確実に隙間なく満たして塗布ムラを防止するようにしたスピンレス方式の塗布方法および塗布装置を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a spinless coating method and a coating apparatus in which the gap between the nozzle and the substrate to be processed is reliably filled with the processing liquid without gaps at the coating start position to prevent coating unevenness. There is to do.

上記の目的を達成するために、本発明の塗布方法は、矩形の被処理基板の周縁部に処理液を塗布して前記基板の４辺に沿って延びるライン状の塗布膜を形成するライン状塗布工程と、前記基板上の互いに対向する一対のライン状塗布膜間の距離に対応した長さのスリット状吐出口を有する長尺型の第１のノズルを前記基板の１辺に沿って延びる前記ライン状塗布膜の近傍に設定された塗布開始位置に着けて、前記スリット状吐出口より吐出させた着液用の処理液または予め前記スリット状吐出口に付着させた着液用の処理液を前記ライン状塗布膜と一体化させて前記第１のノズルと前記基板との間のギャップを塞ぐ着液工程と、前記スリット状吐出口より処理液を帯状に吐出させながら前記第１のノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に前記基板上で相対的に移動させて、前記基板上の前記ライン状塗布膜で囲まれた塗布領域内に広がって前記ライン状塗布膜と一体化する面状の塗布膜を形成する面状塗布工程とを有する。
 In order to achieve the above-described object, the coating method of the present invention applies a processing solution to the peripheral portion of a rectangular substrate to be processed to form a linear coating film extending along the four sides of the substrate. A long first nozzle having a slit-like discharge port having a length corresponding to the distance between the coating step and a pair of line-shaped coating films facing each other on the substrate extends along one side of the substrate. A process liquid for landing liquid that is discharged from the slit-shaped discharge port at a coating start position set in the vicinity of the line-shaped coating film, or a process liquid for liquid landing that is previously attached to the slit-shaped discharge port Is integrated with the line-shaped coating film to close the gap between the first nozzle and the substrate, and the first nozzle is discharged while the processing liquid is discharged from the slit-shaped discharge port in a strip shape. The horizontal direction perpendicular to the nozzle longitudinal direction A planar coating that forms a planar coating film that is moved relative to the substrate and spreads in a coating region surrounded by the linear coating film on the substrate to be integrated with the linear coating film. Process.

また、本発明の塗布装置は、矩形の被処理基板の周縁部に処理液を塗布して前記基板の４辺に沿って延びるライン状の塗布膜を形成するライン状塗布処理部と、前記基板上の互いに対向する一対のライン状塗布膜間の距離に対応した長さのスリット状吐出口を有する長尺型の第１のノズルを前記基板の１辺に沿って延びる前記ライン状塗布膜の近傍に設定された塗布開始位置に着けて、前記スリット状吐出口より吐出させた着液用の処理液または予め前記スリット状吐出口に付着させた着液用の処理液を前記ライン状塗布膜と一体化させて前記第１のノズルと前記基板との間のギャップを塞ぐ着液部と、前記スリット状吐出口より処理液を帯状に吐出させながら前記第１のノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に前記基板上で相対的に移動させて、前記基板上の前記ライン状塗布膜で囲まれた塗布領域内に広がって前記ライン状塗布膜と一体化する面状の塗布膜を形成する面状塗布処理部とを有する。
 In addition, the coating apparatus of the present invention includes a line-shaped coating processing unit that applies a processing liquid to a peripheral portion of a rectangular substrate to be processed to form a line-shaped coating film extending along four sides of the substrate, and the substrate A long first nozzle having a slit-like discharge port having a length corresponding to the distance between a pair of mutually opposing line-shaped coating films on the upper side of the line-shaped coating film extending along one side of the substrate. At the application start position set in the vicinity, the treatment liquid for landing discharged from the slit-like discharge port or the treatment liquid for landing attached to the slit-like discharge port in advance is applied to the line-like coating film. And a liquid landing part that closes the gap between the first nozzle and the substrate, and the first nozzle is orthogonal to the longitudinal direction of the nozzle while discharging the treatment liquid in a strip shape from the slit-like discharge port. Relatively horizontally on the substrate By moving, and a planar coating processing section for forming a surface coating film be integrated with the line-shaped coating film spreads the line-shaped coating film enclosed by the application region on the substrate.

本発明の塗布方法または塗布装置によれば、基板上の塗布領域一面に処理液を塗布する面状塗布工程に先行して、ライン状塗布工程（またはライン状塗布処理部）により、基板の周縁部に処理液を塗布して基板の４辺に沿って延びるライン状の塗布膜を形成しておく。次に、着液工程（または着液部）により、長尺型の第１のノズルを塗布開始位置に着ける。ここで、着液用の処理液が塗布開始位置近傍のライン状塗布膜に付着して一体化することにより、第１のノズルと基板との間のギャップを隙間なく塞ぐことができる。これにより、面状塗布工程（面状塗布処理部）により基板上で第１のノズルの相対移動または走査移動を行うときに、第１のノズルの背面下部に形成されるメニスカスの頂上ラインが安定して、塗布領域内に塗布ムラのない平坦面の面状塗布膜が形成される。 According to the coating method or the coating apparatus of the present invention, the peripheral edge of the substrate is formed by a line-shaped coating process (or a line-shaped coating processing section) prior to the surface coating process for coating the processing liquid on the entire coating region on the substrate. A treatment liquid is applied to the part to form a line-shaped coating film extending along the four sides of the substrate. Next, the long first nozzle is placed at the application start position by the liquid application step (or liquid application part). Here, the treatment liquid for depositing adheres to and integrates with the line-shaped coating film in the vicinity of the coating start position, so that the gap between the first nozzle and the substrate can be closed without a gap. Thereby, when the relative movement or scanning movement of the first nozzle is performed on the substrate by the planar coating process (planar coating processing unit), the top line of the meniscus formed at the lower back of the first nozzle is stable. Thus, a planar surface coating film having no coating unevenness is formed in the coating region.

本発明においては、ライン状塗布処理と面状塗布処理とが個別の基板支持部で（場所を変えて）行われてもよく、同一の基板支持部（同じ場所）で行われてもよい。   In the present invention, the line coating process and the planar coating process may be performed by individual substrate support portions (changing places), or may be performed by the same substrate support portion (same locations).

本発明の別の観点における塗布方法は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する塗布方法であって、前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成し、前記塗布走査によって前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする。   The coating method according to another aspect of the present invention is such that the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle are opposed substantially horizontally with a minute gap, and the processing liquid is discharged from the nozzle to the substrate. A coating method for performing a coating scan in which the nozzle is moved in a relatively horizontal direction to form a planar coating film of the processing liquid on the substrate, in the vicinity of a position where the coating scan on the substrate ends. Further, prior to the coating scan, a preceding coating film made of the processing liquid is formed in a desired pattern, and the preceding coating film is aligned with the end of the planar coating film formed on the substrate by the coating scanning. The preceding coating film becomes an extended portion of the planar coating film.

また、本発明の別の観点における塗布装置は、被処理基板と長尺形ノズルの吐出口とを微小なギャップを隔ててほぼ水平に対向させ、前記基板に対して前記ノズルより処理液を吐出させながら前記ノズルを相対的に水平方向で移動させる塗布走査を行って、前記基板上に前記処理液の面状塗布膜を形成する面状塗布処理部と、前記基板上の前記塗布走査が終了する位置付近に、前記面状塗布処理部の前記塗布走査に先立って前記処理液からなる先行の塗布膜を所望のパターンで形成する先行塗布膜形成部とを有し、前記面状塗布処理部の塗布走査により前記基板上に形成される面状塗布膜の終端に前記先行塗布膜が合わさって、前記先行塗布膜が前記面状塗布膜の拡張部分となるようにする。   Further, the coating apparatus according to another aspect of the present invention causes the substrate to be processed and the discharge port of the long nozzle to face each other almost horizontally with a minute gap, and discharges the processing liquid from the nozzle to the substrate. And performing a coating scan in which the nozzle is moved relatively in the horizontal direction to form a planar coating processing unit for forming a planar coating film of the processing liquid on the substrate, and the coating scanning on the substrate is completed. A preceding coating film forming unit for forming a preceding coating film made of the processing liquid in a desired pattern prior to the coating scanning of the planar coating processing unit, The preceding coating film is aligned with the end of the planar coating film formed on the substrate by coating coating, so that the preceding coating film becomes an extended portion of the planar coating film.

本発明の好適な一態様においては、基板が矩形であり、先行塗布膜は基板上の塗布走査が終了する側の角隅部に形成される。   In a preferred aspect of the present invention, the substrate is rectangular, and the preceding coating film is formed at the corners on the side where the coating scanning on the substrate is completed.

上記の方式によれば、面状塗布処理の際に塗布走査の終了位置付近で面状塗布膜が先行塗布膜に合わさって（一体化して）、先行塗布膜が面状塗布膜の拡張部分となるので、塗布終端部における面状塗布膜のアウトラインを任意に調整することができる。
According to the above method , the planar coating film is combined (integrated) with the preceding coating film in the vicinity of the end position of the coating scanning during the planar coating process, and the leading coating film and the extended portion of the planar coating film are combined. Therefore, the outline of the planar coating film at the coating terminal portion can be arbitrarily adjusted.

本発明の塗布方法または塗布装置によれば、上記のような構成および作用により、スピンレス方式の塗布処理において塗布膜の膜厚制御、特に周縁部の膜厚均一化を容易に行うことができる。さらに、塗布開始位置でノズルと被処理基板との間のギャップに処理液を確実に隙間なく満たして塗布ムラを防止することもできる。   According to the coating method or the coating apparatus of the present invention, the film thickness control of the coating film, in particular, the uniform thickness of the peripheral portion can be easily performed in the spinless coating process by the configuration and operation as described above. Furthermore, it is possible to reliably fill the gap between the nozzle and the substrate to be processed without gaps at the application start position, thereby preventing uneven application.

以下、図１〜図２１を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図１に、本発明の塗布方法および塗布装置の適用可能な構成例として塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベークの各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置（図示せず）で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as a configuration example to which the coating method and the coating apparatus of the present invention can be applied. This coating and developing processing system is installed in a clean room. For example, a glass substrate for LCD is used as a substrate to be processed, and cleaning, resist coating, pre-baking, developing, and post-baking processes in a photolithography process are performed in the LCD manufacturing process. Is what you do. The exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システムは、大きく分けて、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２と、インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４とで構成される。   This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.

システムの一端部に設置されるカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを所定数たとえば４個まで載置可能なカセットステージ１６と、このカセットステージ１６上の側方でかつカセットＣの配列方向と平行に設けられた搬送路１７と、この搬送路１７上で移動自在でステージ１６上のカセットＣについて基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２０とを備えている。この搬送機構２０は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、後述するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２側の搬送装置３８と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。   A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a cassette stage 16 on which a predetermined number, for example, four cassettes C for storing a plurality of substrates G can be placed, and a side on the cassette stage 16. And a transport path 17 provided in parallel with the arrangement direction of the cassette C, and a transport mechanism 20 that is movable on the transport path 17 and that allows the substrate C to be taken in and out of the cassette C on the stage 16. The transport mechanism 20 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm, can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and is transported on the process station (P / S) 12 side described later. And the substrate G can be transferred.

プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２は、上記カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０側から順に洗浄プロセス部２２と、塗布プロセス部２４と、現像プロセス部２６とを基板中継部２３、薬液供給ユニット２５およびスペース２７を介して（挟んで）横一列に設けている。   The process station (P / S) 12 includes, in order from the cassette station (C / S) 10 side, a cleaning process unit 22, a coating process unit 24, and a development process unit 26, a substrate relay unit 23, a chemical solution supply unit 25, and It is provided in a horizontal row via (spaced) the space 27.

洗浄プロセス部２２は、２つのスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８と、上下２段の紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０と、加熱ユニット（ＨＰ）３２と、冷却ユニット（ＣＯＬ）３４とを含んでいる。   The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCR) 28, an upper and lower ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL) 34. Contains.

塗布プロセス部２４は、スピンレス方式の面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０と、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２と、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４と、上下２段型アドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６と、上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８と、加熱ユニット（ＨＰ）５０とを含んでいる。   The coating process unit 24 includes a spinless surface coating unit (ACT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, a line coating unit (LCT) 44, and an upper / lower two-stage adhesion / cooling unit (AD / COL). ) 46, an upper and lower two-stage heating / cooling unit (HP / COL) 48, and a heating unit (HP) 50.

現像プロセス部２６は、３つの現像ユニット（ＤＥＶ）５２と、２つの上下２段型加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３と、加熱ユニット（ＨＰ）５５とを含んでいる。   The development process unit 26 includes three development units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 53, and a heating unit (HP) 55.

各プロセス部２２，２４，２６の中央部には長手方向に搬送路３６，４７，５８が設けられ、搬送装置３８，５４，６０がそれぞれ搬送路３６，４７，５８に沿って移動して各プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Ｇの搬入／搬出または搬送を行うようになっている。なお、このシステムでは、各プロセス部２２，２４，２６において、搬送路３６，４７，５８の一方の側に液処理系のユニット（ＳＣＲ，ＣＴ，ＤＥＶ等）が配置され、他方の側に熱処理系のユニット（ＨＰ，ＣＯＬ等）が配置されている。   Conveying paths 36, 47, 58 are provided in the longitudinal direction at the center of each process unit 22, 24, 26, and the conveying devices 38, 54, 60 move along the conveying paths 36, 47, 58, respectively. Each unit in the process unit is accessed to carry in / out or carry the substrate G. In this system, in each process part 22, 24, 26, a liquid processing unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 47, 58, and heat treatment is performed on the other side. System units (HP, COL, etc.) are arranged.

システムの他端部に設置されるインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４は、プロセスステーション１２と隣接する側にイクステンション（基板受け渡し部）５６およびバッファステージ５７を設け、露光装置と隣接する側に搬送機構５９を設けている。この搬送機構５９は、Ｙ方向に延在する搬送路１９上で移動自在であり、バッファステージ５７に対して基板Ｇの出し入れを行なうほか、イクステンション（基板受け渡し部）５６や隣の露光装置と基板Ｇの受け渡しを行うようになっている。   The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system is provided with an extension (substrate transfer unit) 56 and a buffer stage 57 on the side adjacent to the process station 12, and is transported to the side adjacent to the exposure apparatus. A mechanism 59 is provided. The transport mechanism 59 is movable on the transport path 19 extending in the Y direction, and is used to load and unload the substrate G with respect to the buffer stage 57, and to extend from the extension (substrate transfer unit) 56 and the adjacent exposure device. The substrate G is transferred.

図２に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０において、搬送機構２０が、ステージ１２上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の洗浄プロセス部２２の搬送装置３８に渡す（ステップＳ1）。   FIG. 2 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the stage 12 and transports it to the cleaning process unit 22 of the process station (P / S) 12. It is passed to the device 38 (step S1).

洗浄プロセス部２２において、基板Ｇは、先ず紫外線照射／冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）３０に順次搬入され、最初の紫外線照射ユニット（ＵＶ）では紫外線照射による乾式洗浄を施され、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で所定温度まで冷却される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。   In the cleaning process section 22, the substrate G is first sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the first ultraviolet irradiation unit (UV), and then subjected to the next cooling unit ( COL) to cool to a predetermined temperature (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface.

次に、基板Ｇはスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２８の１つでスクラビング洗浄処理を受け、基板表面から粒子状の汚れが除去される（ステップＳ3）。スクラビング洗浄の後、基板Ｇは、加熱ユニット（ＨＰ）３２で加熱による脱水ベーク処理を受け（ステップＳ4）、次いで冷却ユニット（ＣＯＬ）３４で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。これで洗浄プロセス部２２における前処理が終了し、基板Ｇは、搬送装置３８により基板受け渡し部２３を介して塗布プロセス部２４へ搬送される。   Next, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCR) 28 to remove particulate dirt from the substrate surface (step S3). After the scrubbing cleaning, the substrate G is subjected to dehydration baking by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature in the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pretreatment in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transferred to the coating process unit 24 by the transfer device 38 via the substrate transfer unit 23.

塗布プロセス部２４において、基板Ｇは、最初にライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４へ搬入され、そこで後述するように基板Ｇ上に設定された塗布領域の外周または周縁部にレジスト液をライン状に塗布される（ステップＳ6）。こうして基板Ｇ上に形成されたライン状のレジスト塗布膜は、直後に加熱ユニット（ＨＰ）５０において加熱処理により乾かされる（ステップＳ7）。次に、基板Ｇはアドヒージョン／冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）４６に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット（ＡＤ）では疎水化処理（ＨＭＤＳ）を受け（ステップＳ8）、次の冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ9）。なお、加熱乾燥工程（ＨＰ）と疎水化工程（ＨＭＤＳ）との間に冷却処理（ＣＯＬ）を入れてもよい。   In the coating process unit 24, the substrate G is first carried into a line-shaped coating unit (LCT) 44, where a resist solution is formed in a line shape on the outer periphery or the peripheral portion of the coating region set on the substrate G as described later. It is applied (step S6). The line-shaped resist coating film thus formed on the substrate G is immediately dried by heat treatment in the heating unit (HP) 50 (step S7). Next, the substrate G is sequentially carried into an adhesion / cooling unit (AD / COL) 46, where the first adhesion unit (AD) is subjected to a hydrophobization process (HMDS) (step S8), and the next cooling unit (COL). ) To a constant substrate temperature (step S9). In addition, you may put a cooling process (COL) between a heat drying process (HP) and a hydrophobization process (HMDS).

その後、基板Ｇは、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０でスピンレス法により塗布領域一面にレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４２で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ10）。   Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution over the entire surface of the coating area by a spin-less method with a planar coating unit (ACT) 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure with a reduced pressure drying unit (VD) 42 (step S10).

次に、基板Ｇは、加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）４８に順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）では塗布後のベーキング（プリベーク）が行われ（ステップＳ11）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ12）。なお、この塗布後のベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５０を用いることもできる。   Next, the substrate G is sequentially carried into the heating / cooling unit (HP / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking after coating (pre-baking) (step S11), and then the cooling unit ( COL) to cool to a constant substrate temperature (step S12). In addition, the heating unit (HP) 50 can also be used for baking after this application | coating.

上記塗布処理の後、基板Ｇは、塗布プロセス部２４の搬送装置５４と現像プロセス部２６の搬送装置６０とによってインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４へ搬送され、そこから露光装置に渡される（ステップＳ13）。露光装置では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置からインタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４に戻される。インタフェース部（Ｉ／Ｆ）１４の搬送機構５９は、露光装置から受け取った基板Ｇをイクステンション５６を介してプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１２の現像プロセス部２６に渡す（ステップＳ13）。   After the coating process, the substrate G is transported to the interface unit (I / F) 14 by the transport device 54 of the coating process unit 24 and the transport device 60 of the development process unit 26, and is passed from there to the exposure apparatus (step). S13). In the exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist on the substrate G. After the pattern exposure, the substrate G is returned from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14. The transport mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 passes the substrate G received from the exposure apparatus to the development process unit 26 of the process station (P / S) 12 via the extension 56 (step S13).

現像プロセス部２６において、基板Ｇは、現像ユニット（ＤＥＶ）５２のいずれか１つで現像処理を受け（ステップＳ14）、次いで加熱／冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）５３の１つに順次搬入され、最初の加熱ユニット（ＨＰ）ではポストベーキングが行われ（ステップＳ15）、次に冷却ユニット（ＣＯＬ）で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ16）。このポストベーキングに加熱ユニット（ＨＰ）５５を用いることもできる。   In the development process section 26, the substrate G is subjected to development processing in any one of the development units (DEV) 52 (step S14), and then sequentially carried into one of the heating / cooling units (HP / COL) 53, Post baking is performed in the first heating unit (HP) (step S15), and then cooling is performed to a constant substrate temperature in the cooling unit (COL) (step S16). A heating unit (HP) 55 can also be used for this post-baking.

現像プロセス部２６で一連の処理が済んだ基板Ｇは、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）２４の搬送装置６０，５４，３８によりカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０まで戻され、そこで搬送機構２０によりいずれか１つのカセットＣに収容される（ステップＳ1）。   The substrate G that has undergone a series of processing in the development process unit 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 of the process station (P / S) 24. It is accommodated in one cassette C (step S1).

この塗布現像処理システムにおいては、塗布プロセス部２４、特にライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４および面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０に本発明を適用することができる。以下、図３〜図１４につき、本発明の一実施形態におけるライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４および面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０の構成および作用を詳細に説明する。   In this coating and developing treatment system, the present invention can be applied to the coating process section 24, particularly the line-shaped coating unit (LCT) 44 and the planar coating unit (ACT) 40. Hereinafter, the configurations and operations of the line-shaped coating unit (LCT) 44 and the surface-shaped coating unit (ACT) 40 in one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

図３に、この実施形態におけるライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４内の要部の構成を示す。このライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ６２と、このステージ６２上の基板Ｇに対してレジスト液をドット状または糸状に吐出するインクジェット式のレジストノズル（以下、「インクジェットノズル」と称する。）６４をＸＹ方向で移動させるノズル走査機構６６と、各部を制御するコントローラ（図示せず）とを有している。   In FIG. 3, the structure of the principal part in the linear application | coating unit (LCT) 44 in this embodiment is shown. The line-shaped coating unit (LCT) 44 includes a stage 62 for horizontally mounting and holding the substrate G, and an ink jet type that discharges a resist solution to the substrate G on the stage 62 in the form of dots or threads. The nozzle scanning mechanism 66 moves the resist nozzle (hereinafter referred to as “inkjet nozzle”) 64 in the X and Y directions, and a controller (not shown) for controlling each part.

ノズル走査機構６６においては、Ｙ方向に延びる一対のＹガイドレール６８，６８がステージ６２の左右両側に配置され、ステージ６２上方を横断してＸ方向に延びる１本のＸガイドレール７０がたとえば電気モータを有するＹ方向駆動部７２によりＹガイドレール６８，６８上でＹ方向に移動可能となっている。さらに、Ｘガイドレール７０にはＸ方向にたとえば自走式または外部駆動式で移動できるキャリッジ（搬送体）７４が搭載されており、このキャリッジ７４にインクジェットノズル６４が取り付けられている。Ｙ方向駆動部７２によるＹ方向の移動とキャリッジ７４によるＸ方向の移動との組み合わせにより、ステージ６２上方のＸＹ面上でインクジェットノズル６４を任意の２点間で、あるいは任意の直線または曲線ルートで移動させることができる。   In the nozzle scanning mechanism 66, a pair of Y guide rails 68, 68 extending in the Y direction are disposed on the left and right sides of the stage 62, and one X guide rail 70 extending in the X direction across the stage 62 is electrically connected, for example. A Y-direction drive unit 72 having a motor is movable in the Y direction on the Y guide rails 68 and 68. Furthermore, a carriage (conveyance body) 74 that can be moved in the X direction by, for example, a self-propelled type or an externally driven type is mounted on the X guide rail 70, and an inkjet nozzle 64 is attached to the carriage 74. By combining the movement in the Y direction by the Y direction driving unit 72 and the movement in the X direction by the carriage 74, the inkjet nozzle 64 is moved between any two points on the XY plane above the stage 62, or in any straight or curved route. Can be moved.

インクジェットノズル６４は、その吐出口の内奥に噴射手段としてたとえばピエゾ素子を内蔵しており、上記コントローラからの電気的な駆動信号で該ピエゾ素子を収縮動作させ、その収縮圧力によりノズル内のレジスト液を加圧し、液滴として吐出口よりジェット噴射するように構成されている。なお、レジスト液供給部（図示せず）がタンクとして直接に、あるいは配管（図示せず）を介してインクジェットノズル６４に接続されている。   The ink jet nozzle 64 incorporates, for example, a piezo element as an ejection means in the inner part of the discharge port, and contracts the piezo element with an electrical drive signal from the controller, and the resist pressure in the nozzle is adjusted by the contraction pressure. The liquid is pressurized and jetted as droplets from a discharge port. A resist solution supply unit (not shown) is connected to the ink jet nozzle 64 directly as a tank or via a pipe (not shown).

このライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４では、上記のような構成により、基板Ｇ上の予め設定された塗布領域についてその周縁部の一部または全部に処理液を塗布してライン状のレジスト塗布膜を形成することができる。たとえば、図４に示すように、インクジェットノズル６４をノズル走査機構６６により基板Ｇの４辺に沿って(1)→(2)→(3)→(4)のルートで移動させ、このルート上の各点にインクジェットノズル６４より所望量のレジスト液を滴下することにより、塗布領域ＲＥの周縁部に長方形のライン状レジスト塗布膜７６を形成することができる。ここで、塗布領域ＲＥは、後述する面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０においてレジスト液がスピンレス法で面状に塗布される基板Ｇ上の領域である。通常、塗布領域ＲＥの外縁位置は基板Ｇの端から幾分（たとえば１０ｍｍ）内側に設定される。 In the line-shaped coating unit (LCT) 44, a line-shaped resist coating film is formed by coating a treatment liquid on a part or all of the peripheral edge of a predetermined coating region on the substrate G with the above-described configuration. Can be formed. For example, as shown in FIG. 4, the inkjet nozzle 64 is moved along the four sides of the substrate G by the nozzle scanning mechanism 66 along the route (1) → (2) → (3) → (4). By dropping a desired amount of resist solution from the inkjet nozzle 64 onto each point, a rectangular line-shaped resist coating film 76 can be formed on the peripheral edge of the coating region RE. Here, the application region RE is a region on the substrate G where a resist solution is applied in a planar manner by a spinless method in a planar application unit (ACT) 40 described later. Usually, the outer edge position of the application region RE is set somewhat inside (for example, 10 mm) from the edge of the substrate G.

ライン状レジスト塗布膜７６の平面視パターンの形状は、基板Ｇに合わせた形状（四角形）を標準とするが、後工程の面状レジスト塗布（ＡＣＴ）における要求仕様や処理条件に合わせて任意のバリエーションをもたせることができる。たとえば、図２２〜図２７について述べたような従来技術におけるレジスト塗布膜２００のエッジ部の膜厚変動または不均一性をより効果的に低減するために、後工程の面状レジスト塗布（ＡＣＴ）で塗布開始位置ＡとなるＸ方向の基板一端部側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ａを図８中の円内部分拡大図ＬＡで示すように丸めて内側に寄せるパターンや、塗布終端位置ＣとなるＸ方向の基板他端部側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ｃを図８中の円内部分拡大図ＬＣで示すように鋭角に尖らせて外側へ広げるパターンなどが好適である。   The shape of the line-shaped resist coating film 76 in plan view is a shape (rectangular shape) that matches the substrate G as a standard, but any shape can be selected according to the required specifications and processing conditions in the subsequent step of resist coating (ACT). Variations can be given. For example, in order to more effectively reduce the film thickness variation or non-uniformity of the edge portion of the resist coating film 200 in the prior art as described with reference to FIGS. A pattern in which the corner portion 76A of the line-shaped resist coating film 76 is rounded toward the inner side as shown in the in-circle enlarged view LA in FIG. A pattern or the like in which the corner portion 76C of the line-shaped resist coating film 76 is sharpened at an acute angle and spread outward as shown in the in-circle partial enlarged view LC in FIG. It is.

また、図５に示すように、ライン状レジスト塗布膜７６の断面形状やサイズ（特に幅Ｗや高さＨ等）も一定の制限内で任意に選択できる。図中、点線Ｊは基板Ｇ上の製品領域と非製品領域との境界を示す。通常、塗布領域ＲＥの外周位置は境界Ｊの外側に設定されるので、ライン状レジスト塗布膜７６も境界Ｊの外側に形成されてよい。   Further, as shown in FIG. 5, the cross-sectional shape and size (in particular, the width W, the height H, etc.) of the line resist coating film 76 can be arbitrarily selected within a certain limit. In the drawing, a dotted line J indicates a boundary between a product area and a non-product area on the substrate G. Usually, since the outer peripheral position of the coating region RE is set outside the boundary J, the line resist coating film 76 may also be formed outside the boundary J.

上記のように、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４で基板Ｇ上に形成されたライン状レジスト塗布膜７６は、直後に加熱ユニット（ＨＰ）５０において加熱処理により乾かされる（ステップＳ7）。この加熱乾燥は、ライン状レジスト塗布膜７６に残留している溶剤を蒸発させて基板Ｇとの密着性を高めるために行われるものであるが、プリベーク（ステップＳ11）ほどの乾きである必要はなく、半乾きでもよい。   As described above, the line-shaped resist coating film 76 formed on the substrate G by the line-shaped coating unit (LCT) 44 is immediately dried by heat treatment in the heating unit (HP) 50 (step S7). This heat drying is performed in order to evaporate the solvent remaining in the line resist coating film 76 and improve the adhesion with the substrate G, but it is necessary to dry as much as pre-baking (step S11). It may be semi-dry.

図６に、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内の要部の構成を示す。この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０は、基板Ｇを水平に載置して保持するためのステージ８０と、このステージ８０上に載置される基板Ｇの上面（正確には塗布領域ＲＥ）に長尺型のレジストノズル（以下、「長尺ノズル」と称する。）８２を用いてスピンレス法でレジスト液を面状に塗布するための塗布処理部８４とを有している。   In FIG. 6, the structure of the principal part in the planar application unit (ACT) 40 is shown. The planar coating unit (ACT) 40 is placed on a stage 80 for horizontally mounting and holding the substrate G, and on the upper surface (more precisely, the coating region RE) of the substrate G placed on the stage 80. And a coating processing unit 84 for applying a resist solution in a planar manner by a spinless method using a long resist nozzle (hereinafter referred to as “long nozzle”) 82.

塗布処理部８４は、長尺ノズル８２を含むレジスト液供給機構８６と、塗布処理時に長尺ノズル８２をステージ８０上方でＸ方向に水平移動させるノズル移動機構８８とを有する。レジスト液供給機構８６において、長尺ノズル８２は、ステージ８０上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さでＹ方向に延びるスリット状の吐出口を有しており、レジスト液供給源（図示せず）からのレジスト液供給管９０に接続されている。ノズル移動機構８８は、長尺ノズル８２を水平に支持する逆さコ字状または門形のノズル支持体９２と、このノズル支持体９２をＸ方向で双方向に直進移動させる直進駆動部９４とを有する。この直進駆動部９４は、たとえばガイド付きのリニアモータ機構またはボールねじ機構で構成されてよい。また、長尺ノズル８２の高さ位置を変更または調節するためのガイド付きの昇降機構９６が、たとえばノズル支持体９２と長尺ノズル８２とを接続するジョイント部９８に設けられている。昇降機構９６が長尺ノズル８２の高さ位置を調節または可変することで、長尺ノズル８２の下端または吐出口とステージ８０上の基板Ｇの上面（被処理面）との間の距離間隔つまりギャップの大きさを任意に調整または可変することができる。   The coating processing unit 84 includes a resist solution supply mechanism 86 including a long nozzle 82 and a nozzle moving mechanism 88 that horizontally moves the long nozzle 82 above the stage 80 in the X direction during the coating process. In the resist solution supply mechanism 86, the long nozzle 82 has a slit-like discharge port extending in the Y direction with a length that can cover the substrate G on the stage 80 from one end to the other end, and a resist solution supply source ( (Not shown) is connected to a resist solution supply pipe 90. The nozzle moving mechanism 88 includes an inverted U-shaped or gate-shaped nozzle support 92 that horizontally supports the long nozzle 82, and a rectilinear drive unit 94 that linearly moves the nozzle support 92 in both directions in the X direction. Have. This linear drive part 94 may be comprised by the linear motor mechanism with a guide, or a ball screw mechanism, for example. In addition, an elevating mechanism 96 with a guide for changing or adjusting the height position of the long nozzle 82 is provided at, for example, a joint portion 98 that connects the nozzle support 92 and the long nozzle 82. The elevating mechanism 96 adjusts or changes the height position of the long nozzle 82, so that the distance interval between the lower end or discharge port of the long nozzle 82 and the upper surface (surface to be processed) of the substrate G on the stage 80, that is, The size of the gap can be arbitrarily adjusted or varied.

長尺ノズル８２は、たとえばステンレス鋼等の対錆性と加工性に優れた金属からなり、下端のスリット状吐出口に向って先細りのテーパ面を有している。長尺ノズル８２のスリット状吐出口の全長は、基板Ｇの幅サイズもしくは後述する対向するライン状レジスト塗布膜間の幅（距離間隔）に対応している。これにより、長尺ノズル８２の吐出口の両端が基板Ｇ上の塗布領域ＲＥの左右両端のほぼ真上をＸ方向に移動するようになっている。   The long nozzle 82 is made of a metal excellent in rust resistance and workability, such as stainless steel, and has a tapered surface tapered toward the slit-like discharge port at the lower end. The overall length of the slit-like discharge port of the long nozzle 82 corresponds to the width size of the substrate G or the width (distance interval) between opposing line-shaped resist coating films described later. Thereby, both ends of the discharge port of the long nozzle 82 are moved in the X direction almost right above both left and right ends of the coating region RE on the substrate G.

この面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０においては、ステージ８０上に基板Ｇを載置し、コントローラ（図示せず）の制御の下でレジスト液供給機構８６およびノズル移動機構８８等を所定のシーケンスで動作させることにより、図８に示すように、基板Ｇ上の塗布領域ＲＥに、つまりライン状レジスト塗布膜７６の矩形枠または堤で囲まれた領域内に、面状のレジスト塗布膜１００を所望の膜厚で形成することができる。   In the surface coating unit (ACT) 40, a substrate G is placed on a stage 80, and a resist solution supply mechanism 86, a nozzle moving mechanism 88, and the like are operated in a predetermined sequence under the control of a controller (not shown). By operating, as shown in FIG. 8, the planar resist coating film 100 is desired in the coating region RE on the substrate G, that is, in the region surrounded by the rectangular frame or bank of the line resist coating film 76. It can be formed with the film thickness.

より詳細には、図６に示すように、ステージ８０の上方を所定の高さでＸ方向に縦断または走査するように長尺ノズル８２をノズル移動機構８８により一定速度で移動させながら、レジスト液供給機構８６において長尺ノズル８２のスリット状吐出口よりＹ方向に広がる帯状の吐出流でレジスト液をステージ８０上の基板Ｇの塗布領域ＲＥに供給する。このような長尺ノズル８２の塗布走査により、図７に示すように、基板Ｇ上には長尺ノズル８２の後を追うようにして基板の一端から他端に向ってレジスト液の面状塗布膜１００が形成されていく。その際、面状レジスト塗布膜１００が基板Ｇの外側（特に左右外側）へ向って広がる過程でライン状レジスト塗布膜７６と接触ないし一体化し、ライン状レジスト塗布膜７６によって面状レジスト塗布膜１００の外縁の位置が規定されると同時に膜厚も制御される。   More specifically, as shown in FIG. 6, while moving the long nozzle 82 at a constant speed by a nozzle moving mechanism 88 so as to vertically cross or scan the stage 80 at a predetermined height in the X direction, the resist solution In the supply mechanism 86, the resist solution is supplied to the coating region RE of the substrate G on the stage 80 by a strip-like discharge flow spreading in the Y direction from the slit-like discharge port of the long nozzle 82. By applying and scanning the long nozzle 82 as described above, as shown in FIG. 7, a planar application of a resist solution is performed on the substrate G from one end of the substrate to the other end so as to follow the long nozzle 82. A film 100 is formed. At this time, the planar resist coating film 100 is brought into contact with or integrated with the line resist coating film 76 in the process of spreading toward the outside (particularly left and right outside) of the substrate G. At the same time as the position of the outer edge is defined, the film thickness is also controlled.

すなわち、塗布開始位置Ａでは、長尺ノズル８２が基板Ｇとのギャップを狭くしてレジスト液の前置吐出または着液を行うために、長尺ノズル８２のスリット状吐出口より出たレジスト液が基板Ｇ上で外側（特にノズル長手方向外側）へ過分に広がりやすい。しかしながら、この実施形態においては、塗布領域ＲＥの外縁部に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されている。これにより、図９に示すように、面状レジスト塗布膜１００の外縁がライン状レジスト塗布膜７６の堤部によって規制されるため、それよりも外側へ広がることはなく（バンク効果）、仮想線１００'で示すような膜厚の先細り（落ち込み）が阻止される。とりわけ、図８中の円内部分拡大図ＬＡに示すように、塗布開始位置Ａ側でライン状レジスト塗布膜７６の角部（コーナー部）を丸めるパターンにおいては、上記のようなバンク効果ないし膜厚落ち込み防止の効果を一層高めることができる。   That is, at the application start position A, the long nozzle 82 narrows the gap with the substrate G, and the resist solution exits from the slit-like discharge port of the long nozzle 82 in order to perform pre-discharge or landing of the resist solution. Tends to spread excessively on the substrate G outward (particularly in the nozzle longitudinal direction). However, in this embodiment, a line resist coating film 76 is formed in advance on the outer edge of the coating region RE. As a result, as shown in FIG. 9, the outer edge of the planar resist coating film 100 is regulated by the bank portion of the line resist coating film 76, so that it does not spread outward (bank effect), and the virtual line The taper (sag) of the film thickness as indicated by 100 'is prevented. In particular, as shown in a partial enlarged view LA in a circle in FIG. 8, in the pattern in which the corner (corner portion) of the line resist coating film 76 is rounded on the coating start position A side, the bank effect or film as described above is used. The effect of preventing the thickness drop can be further enhanced.

一方、塗布走査中は、図７に示すように、長尺ノズル８２がその背面下端部にメニスカスを形成した状態で基板Ｇ上方をＸ方向に移動することにより、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液が長尺ノズル８２に引きずられるため、塗布中間部Ｂの左右両端部ではレジスト液が内側へ寄せられるような力を受ける。しかしながら、この実施形態においては、塗布領域ＲＥの外縁部に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されているので、図１０に示すように、面状レジスト塗布膜１００の外縁部がライン状レジスト塗布膜７６との付着（ぬれ）による引力で所定の外周位置に留まるため、内側へ寄せられることがなく、仮想線１００'で示すような膜厚の盛り上がりが抑制される。   On the other hand, during the application scanning, as shown in FIG. 7, immediately after the long nozzle 82 is moved onto the substrate G in the X direction with the meniscus formed at the lower end of the back surface, Since the resist solution is dragged by the long nozzle 82, the resist solution receives a force that draws the resist solution inward at the left and right ends of the coating intermediate portion B. However, in this embodiment, since the line-shaped resist coating film 76 is formed in advance on the outer edge portion of the coating region RE, as shown in FIG. 10, the outer edge portion of the planar resist coating film 100 is a line shape. Since it stays at a predetermined outer peripheral position by the attractive force due to adhesion (wetting) with the resist coating film 76, it is not moved inward, and the swell of the film thickness as shown by the virtual line 100 ′ is suppressed.

また、塗布終了部Ｃでは、基板Ｇ上に吐出された直後のレジスト液が塗布中間部Ｂよりも一層大きな内向きの力を長尺ノズル８２側から受けるものの、やはりライン状レジスト塗布膜７６との付着（ぬれ）による引力で所定の外周位置に留まって、内側へ寄せられることがなく、膜厚の盛り上がりが防止される。とりわけ、図８中の円内部分拡大図ＬＣに示すように、塗布終了位置Ｃ側でライン状レジスト塗布膜７６の角部７６Ｃを鋭角にして外側へ拡げるパターンにおいては、塗布終了の間際に長尺ノズル８２より吐出された過分量のレジスト液をその領域拡張部分に導いてライン状レジスト塗布膜７６にぬれの付着力でしっかり保持させることができ、それによって上記のような膜厚盛り上がり防止の効果を一層高めることができる。   In the coating end portion C, the resist solution immediately after being discharged onto the substrate G receives a greater inward force than the coating intermediate portion B from the long nozzle 82 side. It stays at a predetermined outer peripheral position by the attractive force due to the adhesion (wetting) of the film, and is not moved inward, thereby preventing the film thickness from rising. In particular, as shown in a partial enlarged view LC in a circle in FIG. 8, in a pattern in which the corner portion 76C of the line resist coating film 76 is sharpened and widened outward on the coating end position C side, it is long before the end of coating. An excessive amount of the resist solution discharged from the long nozzle 82 can be guided to the area expansion portion and can be firmly held by the wet resist on the line resist coating film 76, thereby preventing the film thickness from rising as described above. The effect can be further enhanced.

さらに、この実施形態では、塗布走査の開始直前または開始時に塗布開始位置Ａで長尺ノズル８２と基板Ｇとの間のギャップをレジスト液で塞ぐための着液を再現性よく良好に行うことができる。すなわち、図１２に示すように、塗布開始位置ＡまたはそのＸ方向外側近傍に前以てライン状レジスト塗布膜７６が形成されているので、長尺ノズル８２のスリット状吐出口８２ａより吐出された着液用のレジスト液Ｒはライン状レジスト塗布膜７６に上から重なるように付着ないし一体化してノズル長手方向（Ｙ方向）に広がることにより、ギャップ内にレジスト液Ｒを隙間なく満たして完全に塞ぐことができる。   Furthermore, in this embodiment, the landing liquid for closing the gap between the long nozzle 82 and the substrate G with the resist solution at the coating start position A immediately before or at the start of the coating scan is performed with good reproducibility. it can. That is, as shown in FIG. 12, the line-shaped resist coating film 76 is formed in advance at the coating start position A or in the vicinity of the outer side in the X direction, so that it was discharged from the slit-shaped discharge port 82a of the long nozzle 82. The resist solution R for deposition is attached or integrated so as to overlap the line resist coating film 76 from above and spread in the longitudinal direction of the nozzle (Y direction), so that the resist solution R is completely filled in the gap without gaps. Can be closed.

このように、長尺ノズル８２と基板Ｇとのギャップをレジスト液で完全に満たした状態で塗布走査を開始することにより、図７に示すように、長尺ノズル８２の背面下部に形成されるメニスカスの頂上ライン（ウエットライン）ＷＬが水平一直線に安定し、基板Ｇ上に塗布ムラのない平坦面のレジスト塗布膜１００を形成することができる。   In this manner, by starting coating scanning in a state where the gap between the long nozzle 82 and the substrate G is completely filled with the resist solution, as shown in FIG. The top line (wet line) WL of the meniscus is stabilized in a horizontal line, and a flat resist coating film 100 with no coating unevenness can be formed on the substrate G.

この実施形態においては、レジストプロセスの様々な仕様や条件に対して、長尺ノズル８２のハードウェア的な変更または交換を要することなく、ライン状レジスト塗布膜７６のプロファイル（塗布位置、膜厚Ｈ、幅Ｗ等）を適宜選択することにより、上記のような均一化の膜厚制御を容易に実現することができる。   In this embodiment, the profile (coating position, film thickness H) of the linear resist coating film 76 is not required for various specifications and conditions of the resist process without requiring hardware change or replacement of the long nozzle 82. , Width W, etc.) can be selected as appropriate, so that uniform film thickness control as described above can be easily realized.

たとえば、走査速度やレジスト特性等の塗布条件を変えずに面状レジスト塗布膜１００の膜厚設定値をＴaからたとえば略２倍のＴbに変更すると、塗布走査中間部Ｂでは長尺ノズル８２によって内側に寄せられる力よりも基板とのぬれで外側へ広がろうとするレジスト液の量的な力が勝り、左右両端部で膜厚が盛り上がるどころか外に向って垂れ（落ち込み）やすくなる。 For example, changing the film thickness set value of the planar resist coating film 100 without changing the coating conditions such as the scan speed and resist characteristics from T a for example approximately twice the T b, applying scanning intermediate portion B in long nozzle The amount of resist solution that tends to spread outward due to wetting with the substrate is greater than the force brought inward by 82, and the film tends to sag (drop) outward rather than rising at both left and right ends.

この場合は、図１１に示すように、ライン状レジスト塗布膜７６の塗布位置を基板内側（製品領域側）へ寄せることで、ライン状レジスト塗布膜７６に面状レジスト塗布膜１００の外縁部の広がりを阻止するバンク効果の機能を持たせることができる。これによって、仮想線（一点鎖線）１００'で示すような面状レジスト塗布膜１００における膜厚の垂れまたは落ち込みをなくし、膜厚の均一化を図ることができる。   In this case, as shown in FIG. 11, the application position of the line resist coating film 76 is moved to the inside of the substrate (product region side), so that the outer edge portion of the planar resist coating film 100 is formed on the line resist coating film 76. A bank effect function for preventing the spread can be provided. As a result, the film thickness sagging or sagging in the planar resist coating film 100 as indicated by the phantom line (dashed line) 100 ′ can be eliminated, and the film thickness can be made uniform.

上記したように、この実施形態によれば、スピンレス方式のレジスト塗布において、基板Ｇ上に設定される塗布領域ＲＥの外周に前以てライン状のレジスト塗布膜７８を形成することにより、正規のスピンレス塗布処理において面状レジスト塗布膜１００の膜厚制御、特に周縁部の膜厚均一化制御を容易に行うことができる。さらに、塗布開始時または直前の着液動作で長尺ノズル８２と基板Ｇとの間のギャップをレジスト液で再現性よく確実に塞ぐことが可能であり、これによって塗布走査で筋状の塗布ムラが発生するのを防止し、平坦面の良質なレジスト膜を得ることができる。   As described above, according to this embodiment, in spinless resist coating, the line-shaped resist coating film 78 is formed in advance on the outer periphery of the coating region RE set on the substrate G. In the spinless coating process, it is possible to easily control the film thickness of the planar resist coating film 100, particularly to control the uniform thickness of the peripheral portion. In addition, the gap between the long nozzle 82 and the substrate G can be reliably and reliably closed with a resist solution at the start of application or immediately before the application of liquid, thereby causing streaky application unevenness in application scanning. Can be prevented, and a high-quality resist film having a flat surface can be obtained.

上記の実施形態では、基板Ｇ上にライン状のレジスト塗布膜７８を形成する処理を専用のライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４で行う構成としている。しかし、ライン状塗布処理を行う装置を面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内に併設または組み込む構成も可能である。   In the above embodiment, the processing for forming the line-shaped resist coating film 78 on the substrate G is performed by the dedicated line-shaped coating unit (LCT) 44. However, it is also possible to adopt a configuration in which an apparatus for performing a line-shaped coating process is installed or incorporated in the planar coating unit (ACT) 40.

たとえば、図１４に示すように、面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０において、ノズル移動機構８８のノズル支持体９２に、上記ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）５１内のライン状塗布処理装置（図３）を構成したのと同様のＸガイドレール７０、キャリッジ７４を介してインクジェットノズル６４を搭載することも可能である。この場合は、ノズル移動機構８８によりステージ８０上方で長尺ノズル８２を所定方向（Ｘ方向）に移動させる塗布走査において、インクジェットノズル６４は長尺ノズル８２の前方位置でステージ６０上方を移動することができ、長尺ノズル８２による面状塗布走査に先行してインクジェットノズル６４によるライン状塗布走査を実行させることができる。   For example, as shown in FIG. 14, in the surface coating unit (ACT) 40, the line coating processing apparatus (FIG. 3) in the line coating unit (LCT) 51 is applied to the nozzle support 92 of the nozzle moving mechanism 88. It is also possible to mount the ink jet nozzle 64 via the X guide rail 70 and the carriage 74 which are the same as the above. In this case, in the application scanning in which the long nozzle 82 is moved in a predetermined direction (X direction) above the stage 80 by the nozzle moving mechanism 88, the inkjet nozzle 64 moves above the stage 60 at a position in front of the long nozzle 82. The line-shaped application scan by the inkjet nozzle 64 can be executed prior to the sheet-form application scan by the long nozzle 82.

このように面状塗布ユニット（ＡＣＴ）４０内にライン状塗布処理装置を設ける場合は、基板Ｇ上に形成された直後のライン状レジスト塗布膜７６を乾かす手段もユニット（ＡＣＴ）４０内に設けるのが好ましい。たとえば、図１６に示すように、インクジェットノズル６４の背後で温風ヒータ１０２を走査させる構成も可能である。この温風ヒータ１０２は、たとえば抵抗発熱手段からなる発熱部１０４を有し、ガス管１０６を介してエアまたは窒素ガスを引き込んで、ヒータ１０２より基板Ｇ上のライン状レジスト塗布膜７６に向けて乾燥用の温風を吹き付ける。あるいは、ライン状レジスト塗布膜７６の作用効果をある程度低下させることにはなるが、ライン状塗布処理の後に特別の乾燥処理を行わずに面状塗布処理を行うことも可能である。   When the line-shaped coating processing apparatus is provided in the surface coating unit (ACT) 40 as described above, means for drying the line-shaped resist coating film 76 immediately after being formed on the substrate G is also provided in the unit (ACT) 40. Is preferred. For example, as shown in FIG. 16, a configuration in which the hot air heater 102 is scanned behind the inkjet nozzle 64 is also possible. This hot air heater 102 has a heat generating portion 104 made of, for example, a resistance heat generating means, draws air or nitrogen gas through the gas pipe 106, and directs the heater 102 toward the line resist coating film 76 on the substrate G. Spray hot air for drying. Alternatively, although the effect of the line resist coating film 76 is reduced to some extent, it is also possible to perform the planar coating process without performing a special drying process after the line coating process.

上記実施形態では、基板Ｇ上を一周するように塗布領域ＲＥの外縁の全部にライン状レジスト塗布膜７６を形成した。しかし、塗布領域ＲＥの外周の一部だけに、たとえば塗布開始位置付近だけに、あるいは塗布走査中間部だけに、あるいは塗布終端部だけに、あるいは角部だけに局所的なライン状レジスト塗布膜７６を形成することも可能である。また、図８の拡大図ＬＣに示す塗布パターンの一変形例として、角部（コーナー部）のライン状レジスト膜７６を結合させずに隙間を空けて形成してもよく、その構成によっても上記と同様の効果を得ることが可能である。   In the above embodiment, the line-shaped resist coating film 76 is formed on the entire outer edge of the coating region RE so as to go around the substrate G. However, the local linear resist coating film 76 is applied only to a part of the outer periphery of the application region RE, for example, only in the vicinity of the application start position, only in the application scanning intermediate part, only in the application end part, or only in the corner part. It is also possible to form Further, as a modified example of the coating pattern shown in the enlarged view LC of FIG. 8, the line-shaped resist film 76 at the corner (corner portion) may be formed with a gap without being bonded, and depending on the configuration, The same effect can be obtained.

上記実施形態における塗布走査は、ステージ８０上で基板Ｇを固定し、その上方でインクジェットノズル６４あるいは長尺ノズル８２を所定方向またはルートで移動させる方式であった。しかし、ノズル６４，８２を固定して基板Ｇを所定方向に移動する方式、あるいはノズル６４，８２と基板Ｇの双方を同時に移動させる方式も可能である。塗布走査中に基板Ｇを空中に浮上させて移動させる浮上搬送式も可能である。   The application scanning in the above embodiment is a method in which the substrate G is fixed on the stage 80 and the inkjet nozzle 64 or the long nozzle 82 is moved in a predetermined direction or route above the substrate G. However, a method in which the nozzles 64 and 82 are fixed and the substrate G is moved in a predetermined direction, or a method in which both the nozzles 64 and 82 and the substrate G are simultaneously moved is also possible. A levitation conveyance method is also possible in which the substrate G is levitated and moved in the air during application scanning.

上記実施形態においては、塗布開始時の着液に際して、長尺ノズル８２より基板Ｇとの狭ギャップに微量のレジスト液を吐出するようしているが、別の方法としてプライミング処理法による着液も可能である。プライミング処理法によれば、ステージ８０の近くに設けたプライミング処理部で長尺ノズル８２の吐出口付近にレジスト液を下塗りしてから、長尺ノズル８２をステージ８０上方へ移動させて基板Ｇと所定の狭ギャップを形成する高さまで降ろして、基板Ｇの下端に付着しているレジスト液の液膜を基板Ｇの塗布開始位置に着ける。本発明によれば、塗布開始位置の近傍に前以てライン状のレジスト塗布膜を形成しているので、プライミング処理法による着液も再現性よく良好に行うことができる。   In the above embodiment, a small amount of resist solution is discharged from the long nozzle 82 into a narrow gap with the substrate G at the time of application at the start of application. Is possible. According to the priming processing method, a resist solution is primed in the vicinity of the discharge port of the long nozzle 82 in a priming processing section provided near the stage 80, and then the long nozzle 82 is moved above the stage 80 to move to the substrate G. The film is lowered to a height at which a predetermined narrow gap is formed, and a liquid film of a resist solution adhering to the lower end of the substrate G is placed at the application start position of the substrate G. According to the present invention, since the line-shaped resist coating film is formed in the vicinity of the coating start position, the liquid deposition by the priming method can be performed with good reproducibility.

なお、長尺ノズル８２から吐出されたレジスト液が初めてライン状レジスト塗布膜７６に接液するまでは、長尺ノズル８２を静止または移動停止させておくのが好ましい。いったんレジストがライン状レジスト塗布膜７６に接液してしまうと、後は長尺ノズル８２を移動させてもライン状レジスト塗布膜７６に吸い寄せられ、ライン状レジスト塗布膜７６との間に隙間なくレジストを供給することができる。レジストを吐出して長尺ノズル８２が移動を開始するまでの時間は、予め実験等で求めておけばよい。   In addition, it is preferable that the long nozzle 82 is stopped or stopped until the resist solution discharged from the long nozzle 82 comes into contact with the line-shaped resist coating film 76 for the first time. Once the resist comes into contact with the line-shaped resist coating film 76, even after the long nozzle 82 is moved, the resist is sucked to the line-shaped resist coating film 76 and there is no gap between the line-shaped resist coating film 76. A resist can be supplied. The time from when the resist is discharged until the long nozzle 82 starts moving may be obtained in advance through experiments or the like.

また、長尺ノズル８２からレジストを吐出して、早くライン状レジスト膜７６に接液するように、初期段階ではレジストを所定量より多く吐出し、吐出したレジストがライン状レジスト塗布膜７６に接液した後に余剰量のレジストを長尺ノズル８２内に吸引するようにしてもよい。レジストの吐出から吸引開始までの時間も、予め実験等で求めておいてよい。   Further, in order to discharge the resist from the long nozzle 82 and quickly come into contact with the line resist film 76, the resist is discharged more than a predetermined amount in the initial stage, and the discharged resist contacts the line resist coating film 76. An excess amount of the resist may be sucked into the long nozzle 82 after the liquid is poured. The time from the resist discharge to the start of suction may also be obtained in advance by experiments or the like.

また、図示省略するが、ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）４４において、基板の各辺にそれぞれ対応する複数（たとえば４個）のノズル６４を備え、基板の各辺に沿って同時にライン状レジスト塗布膜７６を形成する装置構成としてもよい。この場合、より短い時間で基板上に所望のライン状レジスト塗布膜７６を形成することができる。   Although not shown, the line-shaped coating unit (LCT) 44 includes a plurality of (for example, four) nozzles 64 respectively corresponding to the respective sides of the substrate, and simultaneously forms a linear resist coating film along each side of the substrate. It is good also as an apparatus structure which forms 76. In this case, the desired line resist coating film 76 can be formed on the substrate in a shorter time.

本発明に用いるライン状塗布用のノズルおよび面状塗布用のノズルの構成も種々の変形が可能である。たとえば、インクジェットノズル６４の代わりに微細孔の吐出口を有する電磁弁オン／オフ式のノズルも使用可能である。また、長尺ノズル８２の吐出口はスリットタイプに限るものでなく、多数の微細孔吐出口を一列に配列したものも可能である。   The configuration of the nozzle for line application and the nozzle for area application used in the present invention can be variously modified. For example, a solenoid valve on / off type nozzle having a fine hole outlet may be used instead of the ink jet nozzle 64. Further, the discharge port of the long nozzle 82 is not limited to the slit type, and a plurality of fine hole discharge ports arranged in a line is also possible.

また、ライン状塗布工程において、ライン状レジスト塗布膜７６の形状をライン以外の任意のパターンに変形することも可能である。特に、スピンレス法の面状塗布においては、上記のようにレジスト液膜が基板Ｇ上の塗布終端部（特に左右角隅部）で内側（塗布走査方向と直交する方向において基板中心側）へ大きく寄りやすい。本発明によれば、基板Ｇ上の面状レジスト塗布膜の終端付近（特に左右角隅部）に、前以て（たとえば上記ライン状塗布工程と同様の先行塗布工程において）面状レジスト塗布膜のアウトライン、特に左右角隅部のアウトラインを拡張するための先行レジスト塗布膜を所望のパターンで形成することができる。   In the line coating process, the shape of the line resist coating film 76 can be changed to an arbitrary pattern other than the line. In particular, in the spinless surface coating, the resist liquid film is greatly increased inward (particularly the left and right corners) on the substrate G inwardly (on the substrate center side in the direction perpendicular to the coating scanning direction) as described above. Easy to approach. According to the present invention, in the vicinity of the end of the planar resist coating film on the substrate G (particularly in the left and right corners), the planar resist coating film is formed in advance (for example, in the preceding coating process similar to the above-described line coating process). The preceding resist coating film can be formed in a desired pattern in order to extend the outline, particularly the left and right corner corner outlines.

たとえば、図１７に示すように、基板Ｇ上の面状塗布後端側の左右角隅部に略直角の¬形または』形のパターンで先行レジスト塗布膜１１０を形成してよい。この場合、面状塗布工程においては、基板Ｇ上に形成される面状レジスト塗布膜１１２が塗布走査終端部で内側に寄っても、図１８に示すように（特に円内部分拡大図ＬＤに示すように）、基板Ｇ上の左右角隅部で面状レジスト塗布膜１１２が先行レジスト塗布膜１１０に一部重なるようにして合わさり（一体化し）、先行レジスト塗布膜１１０が面状レジスト塗布膜１１２の拡張部分として角部の形状（直角形状）を規定するような合成レジスト塗布膜１１４が得られる。   For example, as shown in FIG. 17, the preceding resist coating film 110 may be formed in a substantially right-and-left pattern in the left and right corners on the rear end side of the planar coating on the substrate G. In this case, in the planar coating process, even if the planar resist coating film 112 formed on the substrate G moves inward at the coating scanning end portion, as shown in FIG. As shown, the planar resist coating film 112 is combined (integrated) so as to partially overlap the preceding resist coating film 110 at the left and right corners on the substrate G, and the leading resist coating film 110 is planar resist coating film. A synthetic resist coating film 114 that defines the shape of the corner (right-angled shape) as an extended portion of 112 is obtained.

他にも、本発明において先行レジスト塗布膜１１０のパターンまたはレイアウトを任意に変形することができる。たとえば、図１９に示すような円形のパターン、図２０に示すような面状塗布走査方向に延びる短冊状または矩形のパターン、図２１に示すような面状塗布走査方向と直交する方向に延びる短冊状または矩形のパターンなどが可能である。これらの場合にも、やはり面状塗布走査の終端で面状レジスト塗布膜１１２が先行レジスト塗布膜１１０に合わさり（一体化し）、先行レジスト塗布膜１１０が面状レジスト塗布膜１１２の延長部分として角部の形状を規定するような合成レジスト塗布膜１１４が得られる。   In addition, in the present invention, the pattern or layout of the preceding resist coating film 110 can be arbitrarily modified. For example, a circular pattern as shown in FIG. 19, a strip or rectangular pattern extending in the planar application scanning direction as shown in FIG. 20, and a strip extending in a direction orthogonal to the planar application scanning direction as shown in FIG. A rectangular or rectangular pattern is possible. Also in these cases, the planar resist coating film 112 is combined (integrated) with the preceding resist coating film 110 at the end of the planar coating scanning, and the leading resist coating film 110 is used as an extension portion of the planar resist coating film 112. A synthetic resist coating film 114 that defines the shape of the portion is obtained.

また、本発明における先行塗布膜をレジスト液の代わりに溶剤たとえばシンナーを用いて上記と同様のパターンまたはレイアウトで形成することも可能である。この場合、図示省略するが、面状塗布工程において面状レジスト塗布膜が先行シンナー塗布膜に合わさると、面状レジスト塗布膜のレジスト液が先行シンナー塗布膜の上をぬれで拡散し、結果として面状レジスト塗布膜のアウトラインが先行シンナー塗布膜のアウトラインまで拡張または延長する。これにより、面状レジスト塗布膜が塗布走査終端部で内側に寄っても、左右角部の塗布膜アウトラインを所望の形状（たとえば直角形状）にすることができる。   It is also possible to form the preceding coating film in the present invention in the same pattern or layout as described above using a solvent such as thinner instead of the resist solution. In this case, although not shown in the figure, when the planar resist coating film is combined with the preceding thinner coating film in the planar coating process, the resist solution of the planar resist coating film diffuses on the leading thinner coating film as a result. The outline of the planar resist coating film extends or extends to the outline of the preceding thinner coating film. As a result, even if the planar resist coating film is moved inward at the coating scanning end portion, the left and right corner coating film outlines can be formed in a desired shape (for example, a right-angled shape).

上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   The above-described embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating / development processing system for LCD manufacturing. However, the present invention is applicable to any processing apparatus or application that supplies a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, a coating liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, and a wiring material can be used, and a developing liquid or a rinsing liquid can also be used. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 実施形態の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure of the process in the application | coating development processing system of embodiment. 実施形態の塗布現像処理システムに含まれるライン状塗布ユニット内の要部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the principal part in the line-shaped application unit contained in the application | coating development processing system of embodiment. 実施形態において基板上に形成されるライン状レジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the planar view pattern of the linear resist coating film formed on a board | substrate in embodiment. 実施形態において基板上に形成されるライン状レジスト塗布膜の塗布位置および断面形状を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the application position and cross-sectional shape of the line-form resist coating film formed on a board | substrate in embodiment. 実施形態の塗布現像処理システムに含まれる面状塗布ユニット内の要部の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the principal part in the planar application unit contained in the application | coating development processing system of embodiment. 実施形態の面状塗布ユニット内の作用を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the effect | action in the planar application unit of embodiment. 実施形態において基板上に形成される面状レジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the planar view pattern of the planar resist coating film formed on a board | substrate in embodiment. 実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing typically one operation of a line resist application film in an embodiment. 実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing typically one operation of a line resist application film in an embodiment. 実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing typically one operation of a line resist application film in an embodiment. 実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing typically one operation of a line resist application film in an embodiment. 実施形態におけるライン状レジスト塗布膜の一作用を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing typically one operation of a line resist application film in an embodiment. 実施形態において面状塗布処理装置にライン状塗布処理装置を組み込む一変形例の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the one modification which incorporates a linear coating processing apparatus in a planar coating processing apparatus in embodiment. 図１４の構成例による塗布処理の作用を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the effect | action of the coating process by the structural example of FIG. 図１４の構成例に加熱乾燥装置を組み込む構成例を示す略側面図である。It is a schematic side view which shows the structural example which incorporates a heat drying apparatus in the structural example of FIG. 実施形態における先行レジスト塗布膜のパターンの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the pattern of the prior | preceding resist coating film in embodiment. 実施形態における先行塗布膜の作用を示す平面図である。It is a top view which shows the effect | action of the prior application film | membrane in embodiment. 実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of a pattern of the prior application film in embodiment. 実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of a pattern of the prior application film in embodiment. 実施形態における先行塗布膜の別のパターン例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of a pattern of the prior application film in embodiment. 従来技術のスピンレス塗布処理により基板上に得られるレジスト塗布膜の平面視パターンを模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the planar view pattern of the resist coating film obtained on a board | substrate by the spinless coating process of a prior art. 従来技術のスピンレス塗布処理の作用を模式的に示す正面図である。It is a front view which shows typically the effect | action of the spinless coating process of a prior art. 従来技術における問題点を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the problem in a prior art typically. 従来技術における問題点を模式的に示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the problem in a prior art typically. 従来技術における問題点を模式的に示す正面図である。It is a front view which shows typically the problem in a prior art. 従来技術における問題点を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows the problem in a prior art typically.

符号の説明Explanation of symbols

４０ 面状塗布ユニット（ＡＣＴ）
５１ ライン状塗布ユニット（ＬＣＴ）
６２ ステージ
６４ インクジェット式レジストノズル（インクジェットノズル）
６８ Ｙガイドレール
７０ Ｘガイドレール
７２ Ｙ方向駆動部
７４ キャリッジ
７６ ライン状レジスト塗布膜
８０ ステージ
８２ 長尺型レジストノズル（長尺ノズル）
８４ 塗布処理部
８６ レジスト液供給機構
８８ ノズル移動機構
１００ 面状レジスト塗布膜
１０２ 温風ヒータ
１１０ 先行レジスト塗布膜
１１２ 面状レジスト塗布膜
１１４ 合成レジスト塗布膜
Ｇ ガラス基板（被処理基板）
ＲＥ 塗布領域 40 Surface coating unit (ACT)
51 Line application unit (LCT)
62 Stage 64 Inkjet resist nozzle (inkjet nozzle)
68 Y guide rail 70 X guide rail 72 Y direction drive unit 74 Carriage 76 Line resist coating film 80 Stage 82 Long resist nozzle (long nozzle)
84 Coating processing part 86 Resist liquid supply mechanism 88 Nozzle movement mechanism
100 Planar resist coating film
102 Warm air heater 110 Predecessor resist coating film 112 Planar resist coating film 114 Synthetic resist coating film G Glass substrate (substrate to be processed)
RE coating area

Claims (9)

矩形の被処理基板の周縁部に処理液を塗布して前記基板の４辺に沿って延びるライン状の塗布膜を形成するライン状塗布工程と、
前記基板上の互いに対向する一対のライン状塗布膜間の距離に対応した長さのスリット状吐出口を有する長尺型の第１のノズルを前記基板の１辺に沿って延びる前記ライン状塗布膜の近傍に設定された塗布開始位置に着けて、前記スリット状吐出口より吐出させた着液用の処理液または予め前記スリット状吐出口に付着させた着液用の処理液を前記ライン状塗布膜と一体化させて前記第１のノズルと前記基板との間のギャップを塞ぐ着液工程と、
前記スリット状吐出口より処理液を帯状に吐出させながら前記第１のノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に前記基板上で相対的に移動させて、前記基板上の前記ライン状塗布膜で囲まれた塗布領域内に広がって前記ライン状塗布膜と一体化する面状の塗布膜を形成する面状塗布工程と
を有する塗布方法。 A line-shaped coating process in which a processing liquid is applied to the peripheral edge of a rectangular substrate to be processed to form a line-shaped coating film extending along the four sides of the substrate;
The linear coating extending along one side of the substrate through a long first nozzle having a slit-like discharge port having a length corresponding to the distance between a pair of opposing linear coating films on the substrate. At the coating start position set in the vicinity of the film, the treatment liquid for landing liquid discharged from the slit-like discharge port or the treatment liquid for liquid landing previously attached to the slit-like discharge port is formed in the line shape. A liquid application step of integrating a coating film and closing a gap between the first nozzle and the substrate;
The first liquid nozzle is relatively moved on the substrate in a horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle while discharging the processing liquid in a strip shape from the slit-shaped discharge port, and the line-shaped coating film on the substrate is used. And a planar coating step of forming a planar coating film that extends into the enclosed coating region and is integrated with the line-shaped coating film. 前記ライン状塗布工程が、処理液を線状に吐出する第２のノズルを前記基板に対して相対的に移動させる工程を含む、請求項１に記載の塗布方法。 The coating method according to claim 1 , wherein the line-shaped coating step includes a step of moving a second nozzle that discharges the processing liquid in a linear shape relative to the substrate. 前記ライン状塗布工程によって形成されたライン状塗布膜を前記面状塗布工程の前に加熱して乾燥させる、請求項１または請求項２に記載の塗布方法。 The coating method according to claim 1 , wherein the line-shaped coating film formed by the line-shaped coating step is heated and dried before the planar coating step. 矩形の被処理基板の周縁部に処理液を塗布して前記基板の４辺に沿って延びるライン状の塗布膜を形成するライン状塗布処理部と、
前記基板上の互いに対向する一対のライン状塗布膜間の距離に対応した長さのスリット状吐出口を有する長尺型の第１のノズルを前記基板の１辺に沿って延びる前記ライン状塗布膜の近傍に設定された塗布開始位置に着けて、前記スリット状吐出口より吐出させた着液用の処理液または予め前記スリット状吐出口に付着させた着液用の処理液を前記ライン状塗布膜と一体化させて前記第１のノズルと前記基板との間のギャップを塞ぐ着液部と、
前記スリット状吐出口より処理液を帯状に吐出させながら前記第１のノズルをノズル長手方向と直交する水平方向に前記基板上で相対的に移動させて、前記基板上の前記ライン状塗布膜で囲まれた塗布領域内に広がって前記ライン状塗布膜と一体化する面状の塗布膜を形成する面状塗布処理部と
を有する塗布装置。 A line-shaped coating processing unit that applies a processing liquid to a peripheral portion of a rectangular substrate to be processed to form a line-shaped coating film extending along four sides of the substrate;
The linear coating extending along one side of the substrate through a long first nozzle having a slit-like discharge port having a length corresponding to the distance between a pair of opposing linear coating films on the substrate. At the coating start position set in the vicinity of the film, the treatment liquid for landing liquid discharged from the slit-like discharge port or the treatment liquid for liquid landing previously attached to the slit-like discharge port is formed in the line shape. A liquid landing part that is integrated with a coating film to close a gap between the first nozzle and the substrate;
The first liquid nozzle is relatively moved on the substrate in a horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the nozzle while discharging the processing liquid in a strip shape from the slit-shaped discharge port, and the line-shaped coating film on the substrate is used. A coating apparatus comprising: a planar coating processing unit that forms a planar coating film that extends into an enclosed coating region and is integrated with the line-shaped coating film. 前記ライン状塗布処理部が、
水平状態の前記基板に向けて上方から処理液を線状に吐出する第２のノズルと、
前記第２のノズルより前記基板上に吐出された処理液で前記ライン状塗布膜が形成されるように、前記第２のノズルを前記基板に対して相対的に移動させるライン状塗布走査部と
を有する請求項４に記載の塗布装置。 The line-shaped application processing unit is
A second nozzle that linearly discharges the processing liquid from above toward the horizontal substrate;
A line-shaped application scanning unit that moves the second nozzle relative to the substrate so that the line-shaped coated film is formed by the processing liquid discharged from the second nozzle onto the substrate; The coating apparatus according to claim 4 , comprising: 前記第２のノズルが、電気的な駆動信号に応じてノズル内の処理液を加圧し液滴として噴射するジェット方式のノズルからなる、請求項５に記載の塗布装置。 The coating apparatus according to claim 5 , wherein the second nozzle is a jet type nozzle that pressurizes the processing liquid in the nozzle in accordance with an electrical drive signal and ejects the processing liquid as droplets. 前記ライン状塗布処理部および前記面状塗布処理部が前記基板を水平状態に支持するためのそれぞれ独立した支持部を有する、請求項４〜６のいずれか一項に記載の塗布装置。 The coating apparatus according to any one of claims 4 to 6 , wherein the line-shaped coating processing section and the planar coating processing section have independent support sections for supporting the substrate in a horizontal state. 前記ライン状塗布処理部および前記面状塗布処理部が前記基板を水平状態に支持するための共通の支持部を有する、請求項４〜７のいずれか一項に記載の塗布装置。 The coating apparatus according to any one of claims 4 to 7 , wherein the line-shaped coating processing unit and the planar coating processing unit have a common support unit for supporting the substrate in a horizontal state. 前記ライン状塗布処理部により前記基板上に形成された前記ライン状塗布膜を加熱して乾燥させる乾燥手段を有する、請求項４〜８のいずれか一項に記載の塗布装置。 The coating apparatus according to any one of claims 4 to 8 , further comprising a drying unit that heats and drys the line-shaped coating film formed on the substrate by the line-shaped coating processing unit.
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