JP4977535B2 - パターン転写方法 - Google Patents
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Description
2、12 遮光性膜
13 高屈折率媒体
14 レジスト
15 被転写基板
16 光学素子
Claims (1)
- 基板上にパターニングされた遮光性膜を備えたフォトマスクを用いたパターン転写方法であって、下記のa乃至dの何れかの態様で前記フォトマスクのパターン形成面を屈折率が1よりも大きな媒体である純水で覆った状態で、前記フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分を有する露光光を前記パターン形成面と反対側の面から入射させ、前記パターン形成面に対向して配置された被転写基板上に設けられたレジストを、変形照明により露光する、パターン転写方法。
a:前記フォトマスクのパターン形成面のみを前記純水に浸漬させる。
b:前記フォトマスクのパターン形成面側に光学素子を設け、該パターン形成面と光学素子との間のみに前記純水を充填する。
c:前記フォトマスクのパターン形成面と前記被転写基板上のレジストを別々に、前記純水に浸漬させる。
d:前記フォトマスクのパターン形成面のみを前記純水に浸漬させ、
前記被転写基板の露光部分のみを液浸させる。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158327A JP4977535B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | パターン転写方法 |
KR1020080038315A KR20080110468A (ko) | 2007-06-15 | 2008-04-24 | 패턴 전사 방법 및 포토마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158327A JP4977535B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | パターン転写方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011205702A Division JP4977794B2 (ja) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | パターン転写方法およびフォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008311462A JP2008311462A (ja) | 2008-12-25 |
JP4977535B2 true JP4977535B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=40238813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007158327A Active JP4977535B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | パターン転写方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4977535B2 (ja) |
KR (1) | KR20080110468A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103365112A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 富士胶片株式会社 | 曝光装置及曝光方法、图案膜的制造方法 |
KR102286886B1 (ko) | 2014-11-18 | 2021-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토 마스크 및 이의 제조 방법 |
CN107710072B (zh) | 2015-07-28 | 2020-12-15 | 株式会社Lg化学 | 光掩模、包括光掩模的层压体、光掩模制备方法、图案形成装置和图案形成方法 |
KR20220077308A (ko) | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS576849A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photomask and its preparation |
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US6566021B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-05-20 | Micro Lithography, Inc. | Fluoropolymer-coated photomasks for photolithography |
US7022437B2 (en) * | 2003-01-15 | 2006-04-04 | Asml Netherlands B.V. | Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid |
JP2006173305A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Canon Inc | 露光装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 |
JP4669698B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-04-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-06-15 JP JP2007158327A patent/JP4977535B2/ja active Active
-
2008
- 2008-04-24 KR KR1020080038315A patent/KR20080110468A/ko active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008311462A (ja) | 2008-12-25 |
KR20080110468A (ko) | 2008-12-18 |
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