JP4977068B2 - Image acquisition device and sample inspection device - Google Patents
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本発明は、試料のパターン画像の採取と検査に関し、特に半導体素子や液晶ディスプレイ(LCD)を製作するときに使用されるフォトマスク、ウェハ、あるいは液晶基板などの試料のパターン画像の採取装置と検査装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE
試料検査装置は、ランプや連続発振レーザなどの光源から発した連続光を、照明光学系を介してレチクルやマスク等の被検物である試料へ導き、その試料を照明する。ここで、照明光は、試料上の限られた領域をスポット状あるいは矩形状に照明する。そして、このスポット状あるいは矩形状に照明された領域からの光は結像光学系を介して集光され、CCDあるいはTDI等のセンサの受光面上に試料の照明領域の画像が形成される。センサからの光電検出信号(画像情報)は、画像処理系に入力されて、その画像処理系は、試料の欠陥検出のための画像処理を行う。 The sample inspection apparatus guides continuous light emitted from a light source such as a lamp or a continuous wave laser to a sample which is a test object such as a reticle or mask via an illumination optical system, and illuminates the sample. Here, the illumination light illuminates a limited area on the sample in a spot shape or a rectangular shape. Then, the light from the area illuminated in the spot shape or rectangular shape is condensed through the imaging optical system, and an image of the illumination area of the sample is formed on the light receiving surface of a sensor such as a CCD or TDI. A photoelectric detection signal (image information) from the sensor is input to an image processing system, and the image processing system performs image processing for detecting a defect in the sample.
このとき、画像処理系は、試料を載置する移動ステージの2次元移動と画像情報の取り込み(センサからの光電検出信号の取り込み)と同期させて画像処理を行うことにより、試料の2次元的な画像を得ることができる。ここで、試料の良否を判定するための参照用のデータ(試料の設計データ)は、画像処理系の内部に設けられたメモリ部に格納されており、画像処理系の内部に設けられた比較部によって、センサからの画像情報と参照データとを比較検査することによって、試料に生じている傷、欠陥、ゴミ等の異物等を発見することができる。そして、画像処理系の内部の比較部からの比較判定結果がCRTモニタ等の表示装置にて表示される。 At this time, the image processing system performs image processing in synchronization with the two-dimensional movement of the moving stage on which the sample is placed and the capture of image information (capture of photoelectric detection signals from the sensor), thereby performing two-dimensional processing of the sample. Can be obtained. Here, the reference data (sample design data) for determining the quality of the sample is stored in a memory unit provided in the image processing system, and a comparison provided in the image processing system. By comparing and inspecting the image information from the sensor and the reference data by the unit, it is possible to find foreign matters such as scratches, defects, dust, etc. occurring in the sample. The comparison determination result from the comparison unit inside the image processing system is displayed on a display device such as a CRT monitor.
半導体製造用マスクなどの回路パターンは年々微細化しており、露光装置の解像度向上のため光源の短波長化が実施されている。現在はArFレーザを用いた波長193nmの光が用いられている。マスク検査に当たっては、上記の手順にてマスク画像を採取するために用いられるCCDあるいはTDI等のカメラなどにはmJ/cm2レベルで十分な出力が得られるよう高感度化が求められている。しかし、紫外光に対して高い感度を得るセンサは同時に放射線などの高エネルギー粒子線に対しても感度を有することとなり、放射線がセンサ面に到達することであたかも画像にスポット状もしくは彗星状の輝点(画像ノイズ)である偽像が生じ、欠陥検査の妨げになる。放射線は宇宙線・放射性同位体からの放出など自然界にある存在確率を以って生じるため、センサを動作させた状態であれば必ず上記の画像ノイズである偽像が発生する可能性がある。例えばマスク1枚の欠陥検査中は数時間程度の間連続して画像を採取し続ける必要があり、10数個程度の無視できない頻度で偽像が検出される。
Circuit patterns such as semiconductor manufacturing masks are becoming finer year by year, and light sources have been shortened to improve the resolution of exposure apparatuses. Currently, light having a wavelength of 193 nm using an ArF laser is used. In the mask inspection, high sensitivity is required so that a sufficient output can be obtained at the mJ /
ノイズの原因となる上記粒子線は重金属により遮蔽が可能であり、遮蔽材料としてカメラ周囲に配置することでカメラ内部への到達を防止できるが、遮蔽材として知られている鉛、タングステンは比重が大きく(鉛:11.36g/cm3、タングステン:19.3g/cm3)、周囲を包囲するカバーが大型化すると重量が増大すること、光学系メンテナンス時に光路へのアクセスが困難になるなどの問題が生じる。上記問題を回避するためカメラ単体の周囲を遮蔽材料でカバーすることが考えられるが、カメラのセンサは入射する光学画像に対して開口している必要があり遮蔽できず、発生確率は低減するものの十分な効果が得られないという問題がある。 The particle beam that causes noise can be shielded by heavy metals and can be prevented from reaching the camera by placing it around the camera as a shielding material. Lead and tungsten, known as shielding materials, have a specific gravity. Large (Lead: 11.36 g / cm3, Tungsten: 19.3 g / cm3), Increasing the size of the surrounding cover increases the weight and makes it difficult to access the optical path during optical system maintenance. Arise. In order to avoid the above problem, it is conceivable to cover the periphery of the camera alone with a shielding material, but the camera sensor needs to be open to the incident optical image and cannot be shielded, although the probability of occurrence is reduced. There is a problem that a sufficient effect cannot be obtained.
センサに宇宙線が衝突したことを検出するためのセンサを設置し、宇宙線の影響を除去する撮像装置(特許文献1参照)があり、又は、X線を遮蔽するX線検査装置(特許文献2参照)がある。
(1)本発明は、外乱を防止する画像採取装置及び試料検査装置を提供することにある。
(2)また、本発明は、宇宙線などの放射線を遮断する画像採取装置及び試料検査装置を提供することにある。
(1) An object of the present invention is to provide an image capturing device and a sample inspection device that prevent disturbance.
(2) It is another object of the present invention to provide an image capturing device and a sample inspection device that block radiation such as cosmic rays.
(1)本発明の一実施の形態は、パターンを有する試料に照射する光源と、光源から試料に照射した光を受光して、パターン画像を採取するセンサと、センサ前方に配置され、光路を曲げる光路変更体と、光路を包囲し、センサに入射する放射線を遮蔽する重金属の遮蔽体と、を備え、遮蔽体は、第1筒材、第1筒材に対し屈曲して接続される第2筒材を有し、第1筒材が光路変更体に入射する少なくとも一部の光路を包囲し、第2筒材がセンサ前方の光路を包囲し、第1筒材と第2筒材の接続部が光路変更体を包囲する、画像採取装置にある。
(2)又、本発明の一実施の形態は、パターンを有する試料に照射する光源と、試料に照射した光を受光して、測定画像を採取するセンサと、センサ前方に配置され、光路を曲げる光路変更体と、光路を包囲し、センサに入射する放射線を遮蔽する重金属の遮蔽体と、測定画像と基準画像とを比較する比較部と、を備え、遮蔽体は、第1筒材、第1筒材に対し屈曲して接続される第2筒材を有し、第1筒材が光路変更体に入射する少なくとも一部の光路を包囲し、第2筒材がセンサ前方の光路を包囲し、第1筒材と第2筒材の接続部が光路変更体を包囲する、試料検査装置にある。
(1) In one embodiment of the present invention, a light source that irradiates a sample having a pattern, a sensor that receives light irradiated on the sample from the light source and collects a pattern image, a sensor image that is disposed in front of the sensor, An optical path changing body that bends, and a heavy metal shielding body that surrounds the optical path and shields radiation incident on the sensor, the shielding body being bent and connected to the first tubular material and the first tubular material. Two cylindrical members, the first cylindrical member surrounds at least a part of the optical path incident on the optical path changing body, the second cylindrical member surrounds the optical path in front of the sensor, and the first cylindrical member and the second cylindrical member In the image capturing device, the connecting portion surrounds the optical path changing body.
(2) Further, according to one embodiment of the present invention, a light source that irradiates a sample having a pattern, a sensor that receives light irradiated to the sample and collects a measurement image, a sensor image that is disposed in front of the sensor, An optical path changing body that bends, a heavy metal shielding body that surrounds the optical path and shields radiation incident on the sensor, and a comparison unit that compares the measurement image and the reference image. A second tubular member that is bent and connected to the first tubular member, the first tubular member surrounds at least a part of an optical path incident on the optical path changing body, and the second tubular member includes an optical path in front of the sensor; The sample inspection apparatus surrounds and the connection portion of the first tubular member and the second tubular member surrounds the optical path changing body.
以下、本発明の詳細を実施の形態によって説明する。 Hereinafter, the details of the present invention will be described with reference to embodiments.
(画像取得装置)
図1は、本発明の1つの実施の形態に係る画像取得装置の概略的構成を示す図である。画像取得装置20は、パターンを有する試料に照射する光源30、光源30から試料100に照射した光を受光して、パターン画像を採取するセンサ126、センサ前方に配置され、光軸即ち光路を曲げる光路変更体、光路を包囲し、センサに入射する放射線60を遮蔽する遮蔽体50などを備えている。光源30は、例えば、波長199nmレーザを用いる。光源30から出た光は、照明光学系32を介してマスクなどの試料100を照射する。試料100は、XYθテーブル116に載置され、XYθ方向に移動制御される。試料100を透過した光束は、レンズ、ミラーなどの光学機器を有する結像光学系122を介してセンサ126に入射する。結像光学系122は、例えば、第1光路34、第1光路変更機器40、第2光路36、第2光路変更機器42、第3光路38などを備えている。第2光路変更機器42は、センサ126の受光面の前方に配置されている。試料100の透過光束は、第1光路34を通過して第1光路変更機器40で曲げられ、更に、第2光路36を通過して第2光路変更機器42で曲げられ、第3光路38を通過してセンサ126の受光面に入射する。
(Image acquisition device)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an image acquisition apparatus according to an embodiment of the present invention. The
なお、図1では、試料100の透過光について示しているが、試料100の裏面から別の照明光学系により照明光を照射して、試料100の裏面からの反射光を結像光学系122を介してセンサ126に照射してもよい。又は、試料100の透過光と反射光は、センサ126で受光し、又は複数のセンサで別々に受光することもできる。光路変更機器40、42は、光路を曲げることができるものであれば、どのようなものでもよく、例えば、折り返しミラー、プリズムなどの光学機器を使用することができる。
Although FIG. 1 shows the transmitted light of the
(遮蔽体)
宇宙線などの放射線を遮蔽する遮蔽体50は、センサ126付近に配置して、センサ126を放射線から遮蔽する。遮蔽体50は、特に、放射線60が光路方向からセンサ126への入射を遮蔽する。遮蔽体50は、例えば、L字型に接続した第1筒材と第2筒材を備え、直進する放射線を遮蔽する。第1筒材と第2筒材の接続部も放射線を遮蔽する。遮蔽体50は、センサ126の前方に配置された第2光路変更機器42の前後の第2光路36と第3光路を包囲する。例えば、L字型に接続した第1筒材と第2筒材を備え、これらの接続部も放射線を遮蔽する。第1筒材52は、第2光路36の少なくとも一部を包囲する。第2筒材54は、第3光路38を包囲する。第1筒材52と第2筒材54は、第2光路変更機器42を包囲すると、遮蔽構造が簡単となる。
(Shield)
A
遮蔽体50は、開口部から進入した放射線が、センサ126に到達しない構造となっている。第1筒材52は、第2光路36のその開口部500から進入した放射線60が、センサ126に到達しない構造となっている。例えば、図1の放射線60は、第1筒材52の筒の外周で反射、吸収などにより遮蔽され、第1筒材52の内部に進入することができない。もし、第1筒材52が短いと、放射線60は、第1筒材52の開口部500から進入し、破線で示した直線上を直進し、センサ126の受光面に到達し、測定画像に放射線60の偽像を発生する。そのため、第1筒材52は、放射線60が開口部500から進入してセンサ126に到達しない長さ以上必要である。
The
このように、光路変更機器42をセンサ126の受光面の前方に配置し、光路を曲げて、試料100のパターンの画像を受光面に入射できるようにし、曲げられた光路の前後を遮蔽体50で包囲することにより、簡単な小さな構造でもって、センサ126の前方から来る放射線を遮蔽することができる。また、遮蔽体50は、センサ126に不要な外乱光が入射することを防ぐこともできる。又は、遮蔽体50は、光路に生じる空気の流れも抑制し、気体密度の変化による屈折率変化が引き起こす画像の揺らぎをも除去することもできる。
In this way, the optical path changing device 42 is disposed in front of the light receiving surface of the
図2は、センサ126周辺の遮蔽体50を示している。遮蔽体50は、センサ126の背面と側面と周辺を包囲する包囲材56と、包囲材の開口部に接続され、センサ126の受光面に入る第3光路38を包囲する接続突起58とを備えている。第2筒体53は、接続突起58の外周に摺動、即ちスライドして嵌め込むことができる。これにより、第2筒体53と包囲材56は取り外し可能となる。このような構成を取ることにより、放射線がどの方向から来ても、センサ126を放射線から遮蔽することができる。
FIG. 2 shows the
遮蔽体50の材料は、放射線を遮蔽できる材料ならどのようなものでも良く、例えば、荷電粒子、電子線、ガンマ線などを遮蔽する鉛、タングステンなどの重金属を利用することができる。重金属は、比重が大きいので、大きな形状の遮蔽体50とすることは、実際上不適当である。遮蔽体50は、放射線を遮蔽する材料で、円筒状、断面が多角形の筒状など、光路の周囲を密閉して、放射線の進入を防止するものが良い。
Any material can be used for the
(試料検査装置)
図3は、試料検査装置10の内部構成を示す概念図である。試料検査装置10は、マスクやウェハ等の基板を試料100として、試料100のパターンAの欠陥を検査するものである。試料検査装置10は、光学画像取得部110と制御系回路150とを備えている。光学画像取得部110は、オートローダ112、照明光を発生する照明装置114、XYθテーブル116、XYθモータ118、レーザ測長システム120、第1結像光学系1220、ミラー1222、第1結像光学系1224、遮蔽体50、ピエゾ素子124、パターン画像を受光するフォトダイオードアレイなどのセンサ126、センサ回路128などを備えている。制御系回路150では、制御計算機となるCPU152が、データ伝送路となるバス154を介して、大容量記憶装置156、メモリ装置158、表示装置160、印字装置162、オートローダ制御回路170、テーブル制御回路172、オートフォーカス制御回路174、展開回路176、参照回路178、比較回路180、位置回路182などに接続されている。展開回路176、参照回路178、比較回路180、位置回路182は、図3に示すように、相互に接続されている。XYθテーブル116は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータなどのXYθモータ118により駆動される。
(Sample inspection equipment)
FIG. 3 is a conceptual diagram showing the internal configuration of the sample inspection apparatus 10. The sample inspection apparatus 10 inspects a defect of the pattern A of the
なお、図1の画像採取装置20は、図3の光学画像取得部110の一部であり、照明光を発生する照明装置114、XYθテーブル116、XYθモータ118、レーザ測長システム120、結像光学系122、ピエゾ素子124、パターン画像を受光するフォトダイオードアレイなどのセンサ126、センサ回路128などで構成することができる。光源30と照明光学系32は、照明装置114で構成される。結像光学系122は、第1結像光学系1220、ミラー1222、第1結像光学系1224などで構成される。図3では、本実施の形態を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。試料検査装置10にとって、通常、必要なその他の構成が含まれる。
The
(光学画像取得部の動作)
試料100は、オートローダ制御回路170により駆動されるオートローダ112から自動的に搬送され、XYθテーブル116の上に配置される。試料100は、照明装置114によって上方から光が照射される。試料100の下方には、結像光学系122、センサ126及びセンサ回路128が配置されている。露光用マスクなどの試料100を透過した光又は反射した光は、結像光学系122を介して、センサ126に光学像として結像する。オートフォーカス制御回路174は、試料100のたわみやXYθテーブル116のZ軸(X軸とY軸と直交する)方向への変動を吸収するため、ピエゾ素子124を制御して、試料100への焦点合わせを行なう。
(Operation of optical image acquisition unit)
The
XYθテーブル116は、CPU152の制御の下にテーブル制御回路172により駆動される。X軸方向、Y軸方向、θ方向に駆動する3軸(X−Y−θ)モータ118の様な駆動系によって移動可能となる。これらのXモータ、Yモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。XYθテーブル116の移動位置は、レーザ測長システム120により測定され、位置回路182に供給される。センサ126で受光した光学像は、センサ回路128で測定画像の電子データとなる。センサ回路128から出力された試料100の光学画像は、位置回路182から出力されたXYθテーブル116上における試料100の位置を示すデータとともに比較回路180に送られる。参照画像も比較回路180に送られる。
The XYθ table 116 is driven by the
なお、XYθテーブル116上の試料100は、オートローダ制御回路170により検査終了後に自動的に排出される。なお、光学画像の測定画像は、例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調を表現している。
The
(参照画像の生成)
試料100のパターン形成時に用いた設計データ20は、大容量記憶装置156に記憶される。設計データ20は、CPU152によって大容量記憶装置156から展開回路176に入力される。設計データの展開工程として、展開回路176は、試料100の設計データを2値ないしは多値の原イメージデータに変換して、この原イメージデータを参照回路178に送付する。参照回路178は、原イメージデータに適切なフィルタ処理を施し、測定画像に類似する参照画像を生成する。センサ回路128から得られた測定画像は、結像光学系122の解像特性やセンサ126のアパーチャ効果等によってフィルタが作用した状態にあると言える。この状態では測定画像と参照画像の特性に差異があるので、設計データ側の原イメージデータにも参照回路178によりフィルタ処理を施し、測定画像に合わせる。
(Reference image generation)
The
(測定画像の取得)
図4は、測定画像の取得手順を説明するための図である。試料100の被検査領域は、Y軸方向にスキャン幅Wで仮想的に分割される。即ち、被検査領域は、スキャン幅Wの短冊状の複数のストライプ102に仮想的に分割される。更に、その分割された各ストライプ102が連続的に走査されるようにXYθテーブル116が制御される。XYθテーブル116は、X軸に沿って移動して、測定画像は、ストライプ102として取得される。ストライプ102は、図4では、Y軸方向のスキャン幅Wを持ち、長手方向がX軸方向の長さを有する矩形の形状である。試料100を透過した光、又は試料100で反射した光は、結像光学系122を介してセンサ126に入射する。センサ126上には、図4に示されるような仮想的に分割されたパターンの短冊状領域の一部が拡大された光学像として結像される。図4に示されるようなスキャン幅Wの画像を連続的に受光する。センサ126は、第1のストライプ102における画像を取得した後、第2のストライプ102における画像を今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの画像を連続的に入力する。スキャン幅Wは、例えば2048画素程度とする。第3のストライプ102における画像を取得する場合には、第2のストライプ102における画像を取得する方向とは逆方向、即ち、第1のストライプ102における画像を取得した方向に移動しながら画像を取得する。
(Acquisition of measurement image)
FIG. 4 is a diagram for explaining a measurement image acquisition procedure. The inspection area of the
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。これらの実施の形態に示すように、センサに入射した宇宙線などの放射線を遮蔽して、測定画像で発生する偽像を抑制し、検出感度の高い検査を行うことができる。例えば、DUVレーザ光を照射してマスク上に形成されるパターン画像を採取するセンサにおいて、センサ面への宇宙線その他の荷電粒子線入射による画像ノイズ発生を生じないパターン検査を実現することができる。 The embodiments have been described above with reference to specific examples. As shown in these embodiments, radiation such as cosmic rays incident on the sensor can be shielded to suppress false images generated in the measurement image, and inspection with high detection sensitivity can be performed. For example, in a sensor that collects a pattern image formed on a mask by irradiating DUV laser light, it is possible to realize pattern inspection that does not generate image noise due to incidence of cosmic rays or other charged particle beams on the sensor surface. .
以上の説明において、「〜部」、「〜回路」或いは「〜工程」、「〜ステップ」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。又は、これらの組み合わせで実現しても良い。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、FD、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録される。 In the above description, what is described as “to part”, “to circuit” or “to process” and “to step” can be configured by a computer-operable program. Or you may make it implement by not only the program used as software but the combination of hardware and software. Alternatively, a combination with firmware may be used. Alternatively, a combination of these may be realized. When configured by a program, the program is recorded on a recording medium such as a magnetic disk device, a magnetic tape device, an FD, or a ROM (Read Only Memory).
本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。各実施の形態では、XYθテーブル116が移動することで検査位置が走査されているが、XYθテーブル116を固定し、その他の光学系が移動するように構成しても構わない。すなわち、相対移動すればよい。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略してあるが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての試料検査装置は、本発明の範囲に包含される。 The present invention is not limited to these specific examples. In each embodiment, the inspection position is scanned by moving the XYθ table 116. However, the XYθ table 116 may be fixed and other optical systems may be moved. That is, relative movement may be performed. In addition, although descriptions of parts that are not directly necessary for the description of the present invention, such as the device configuration and control method, are omitted, the required device configuration and control method can be appropriately selected and used. In addition, all sample inspection apparatuses that include the elements of the present invention and whose design can be appropriately changed by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
10・・・試料検査装置
20・・・画像採取装置
30・・・光源
32・・・照明光学系
34・・・第1光路
36・・・第2光路
38・・・第3光路
40・・・第1光路変更機器
42・・・第2光路変更機器
50・・・遮蔽体
52・・・第1筒材
54・・・第2筒材
56・・・包囲体
58・・・接続突起
60・・・放射線
100・・試料
102・・ストライプ
110・・光学画像取得部
112・・オートローダ
114・・照明装置
116・・XYθテーブル
118・・XYθモータ
120・・レーザ測長システム
122・・結像光学系
1220・第1結像光学系
1222・ミラー
1224・第2結像光学系
124・・ピエゾ素子
126・・センサ
128・・センサ回路
150・・制御系回路
152・・CPU
154・・バス
156・・大容量記憶装置
158・・メモリ装置
160・・表示装置
162・・印字装置
170・・オートローダ制御回路
172・・テーブル制御回路
174・・オートフォーカス制御回路
176・・展開回路
178・・参照回路
180・・比較回路
182・・位置回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ...
154 ··
Claims (4)
光源から試料に照射した光を受光して、パターン画像を採取するセンサと、
センサ前方に配置され、光路を曲げる光路変更体と、
光路を包囲し、センサに入射する放射線を遮蔽する重金属の遮蔽体と、を備え、
前記遮蔽体は、第1筒材、前記第1筒材に対し屈曲して接続される第2筒材を有し、前記第1筒材が前記光路変更体に入射する少なくとも一部の光路を包囲し、前記第2筒材が前記センサ前方の光路を包囲し、前記第1筒材と前記第2筒材の接続部が前記光路変更体を包囲する、画像採取装置。 A light source for irradiating a sample having a pattern;
A sensor that receives light emitted from the light source to the sample and collects a pattern image;
An optical path changing body arranged in front of the sensor and bending the optical path;
A heavy metal shield that surrounds the optical path and shields radiation incident on the sensor;
The shield has a first tubular member, a second tubular member bent and connected to the first tubular member, and the first tubular member has at least a part of an optical path incident on the optical path changing member. An image capturing device that surrounds, the second cylindrical member surrounds an optical path in front of the sensor, and a connection portion between the first cylindrical member and the second cylindrical member surrounds the optical path changing body.
前記遮蔽体は、前記センサの背面と側面を包囲する包囲材を有する、画像採取装置。 The image capturing device according to claim 1,
The image capturing apparatus, wherein the shield includes a surrounding member that surrounds a back surface and a side surface of the sensor.
遮蔽体は、光路内の気体の流れを抑制する、画像採取装置。 The image capturing device according to claim 1,
The shield is an image capturing device that suppresses the flow of gas in the optical path.
試料に照射した光を受光して、測定画像を採取するセンサと、
センサ前方に配置され、光路を曲げる光路変更体と、
光路を包囲し、センサに入射する放射線を遮蔽する重金属の遮蔽体と、
測定画像と基準画像とを比較する比較部と、を備え、
前記遮蔽体は、第1筒材、前記第1筒材に対し屈曲して接続される第2筒材を有し、前記第1筒材が前記光路変更体に入射する少なくとも一部の光路を包囲し、前記第2筒材が前記センサ前方の光路を包囲し、前記第1筒材と前記第2筒材の接続部が前記光路変更体を包囲する、試料検査装置。
A light source for irradiating a sample having a pattern;
A sensor that receives the light applied to the sample and collects a measurement image;
An optical path changing body arranged in front of the sensor and bending the optical path;
A heavy metal shield that surrounds the optical path and shields radiation incident on the sensor;
A comparison unit that compares the measurement image with the reference image,
The shield has a first tubular member, a second tubular member bent and connected to the first tubular member, and the first tubular member has at least a part of an optical path incident on the optical path changing member. A sample inspection apparatus that surrounds, the second cylindrical member surrounds an optical path in front of the sensor, and a connection portion between the first cylindrical member and the second cylindrical member surrounds the optical path changing body.
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