JP4970847B2 - プラズマ処理の異常動作を検知するための方法 - Google Patents
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Description
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- プラズマ処理の異常動作を検知する方法であって、
反応チャンバ内でプラズマ処理が開始された後、正常なプラズマ処理に要するとして予め決定された時間の中間点である時刻T1において、反応チャンバ内で互いに平行に配置された上部電極と下部電極との間の電圧Vpp1を検出する工程と、
T1後で、前記正常なプラズマ処理に要するとして予め決定された時間の終了点である時刻T2において、上部電極と下部電極との間の電圧Vpp2を検出する工程と、
演算値を得るためにVpp1とVpp2とを比較する工程と、
前記演算値が所定範囲内にあるか否かで異常動作を判定する工程と、
から成る方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記プラズマ処理はクリーニング処理である、ところの方法。
- 請求項2に記載の方法であって、異常動作と判定される、前記演算値の所定範囲はVpp2≧Vpp1を満たす、ところの方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記プラズマ処理は膜堆積処理である、ところの方法。
- 請求項4に記載の方法であって、異常動作と判定される、前記演算値の所定範囲は、|Vpp2−Vpp1|≧閾値、を満たすところの方法。
- 請求項1に記載の方法であって、上部電極はシャワーヘッドであり、下部電極はサセプタである、ところの方法。
- 請求項2に記載の方法であって、上部電極はシャワーヘッドであり、下部電極はサセプタであり、プラズマ処理は遠隔プラズマクリーニングであって、さらに、Vpp1及びVpp2を検出するために上部電極と下部電極との間に電圧を印加する工程を含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、反応チャンバはPECVD反応チャンバである、ところの方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、異常動作が検知された際、プラズマ処理を停止させる工程を含む、ところの方法。
- 請求項1に記載の方法であって、さらに、比較する工程及び判定する工程が実行されるホストコンピュータへ、検出されたVpp1及びVpp2を送信する工程を含む方法。
- プラズマCVD装置であって、
(i)互いに平行に配置された上部電極及び下部電極を具備するプラズマCVD用の反応チャンバと、
(ii)反応チャンバ内でプラズマ処理の異常動作を検知するためのシステムであって、反応チャンバ内でプラズマ処理が開始された後、正常なプラズマ処理に要するとして予め決定された時間の中間点である時刻T1において、上部電極と下部電極との間の電圧Vpp1を検出し、T1後で、前記正常なプラズマ処理に要するとして予め決定された時間の終了点である時刻T2において、上部電極と下部電極との間の電圧Vpp2を検出し、演算値を得るべくVpp1とVpp2とを比較し、演算値が所定範囲内にあるか否かで異常動作を判定するようにプログラムされている、ところのシステムと、から成る装置。 - 請求項11に記載の装置であって、前記プラズマ処理はクリーニング処理である、ところの装置。
- 請求項12に記載の装置であって、異常動作と判定される、前記演算値の所定範囲はVpp2≧Vpp1を満たす、ところの装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記プラズマ処理は膜堆積処理である、ところの装置。
- 請求項14に記載の装置であって、異常動作と判定される、前記演算値の所定範囲は、|Vpp2−Vpp1|≧閾値、を満たすところの装置。
- 請求項11に記載の装置であって、上部電極はシャワーヘッドであり、下部電極はサセプタである、ところの装置。
- 請求項12に記載の装置であって、上部電極はシャワーヘッドであり、下部電極はサセプタであり、プラズマ処理は遠隔プラズマクリーニングであって、前記システムはさらに、Vpp1及びVpp2を検出するために上部電極と下部電極との間に電圧を印加するようプログラムされている、ところの装置。
- 請求項11に記載の装置であって、反応チャンバはPECVD反応チャンバである、ところの装置。
- 請求項11に記載の装置であって、前記システムはさらに、異常動作が検知された際、プラズマ処理を停止させるようプログラムされている、ところの装置。
- 請求項11に記載の装置であって、さらに、比較及び検知を実行するホストコンピュータへ、検出されたVpp1及びVpp2を送信するインターフェースを含む装置。
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