JP4966410B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
リソグラフィ装置は、放射源とフィールドファセットミラーとの間に配置されたデブリ緩和モジュールをさらに含んでもよい。リソグラフィ装置は、放射源に配置されたアパーチャを含んでもよく、アパーチャは放射源の空間移動を切り離す。
リソグラフィ装置の一実施形態は、交代層の多層構造を含むフィルタをさらに含んでもよく、フィルタは不要の放射を反射または吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を向上させ、かつデブリを集める。交代層の多層構造はその中に埋め込まれたメッシュ状構造を有してもよい。
放射ビームおよび/または照明システムによって調整される放射ビームは、約0.1srと約0.5srとの間の発散角を有してもよい。
方法は、デブリ緩和モジュールを用いて放射源とフィールドファセットミラーとの間のデブリを緩和することをさらに含んでもよい。方法は、放射源に配置されたアパーチャを用いて放射源の空間移動を切り離すことをさらに含んでもよい。
さらにまたは代替的に、方法は、不要の放射を反射または吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を向上させることと、交代層の多層構造を含むフィルタを用いてデブリを集めることとをさらに含んでもよい。そのような交代層の多層構造はその中に埋め込まれたメッシュ状構造を有してもよい。
方法は、デブリ緩和モジュールを用いて放射源とフィールドファセットミラーとの間のデブリを緩和することをさらに含んでもよい。方法は、放射源に構成されたアパーチャを用いて放射源の空間移動を切り離すことをさらに含んでもよい。
さらにまたは代替的に、方法は、フィルタを用いて不要の放射を反射または吸収することによって放射ビームのスペクトル純度を向上させることと、フィルタを用いてデブリを集めることとをさらに含んでもよく、フィルタは交代層の多層構造を含む。そのような交代層の多層構造はその中に埋め込まれたメッシュ状構造を有してもよい。
Claims (15)
- 基板に放射ビームを投影するEUVマスクレスアプリケーションのためのリソグラフィ投影装置であって、前記装置は、
放射ビームを調整し、該調整された放射ビームを空間光変調器に供給する照明システムと、
前記放射ビームを前記照明システムに提供する放射源と、
を含み、
前記照明システムは、前記調整された放射ビームのフィールドを画定するフィールドファセットミラーを含み、該フィールドファセットミラーは、前記放射源から発散する前記放射ビームのコレクタとしても機能し、放射源と前記照明システムとを光学的に一致させる、リソグラフィ装置。 - 前記放射源と、前記コレクタとして機能するフィールドファセットミラーと、の間に配置されたデブリ緩和システムを更に含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射源と、前記空間光変調器と、の間の軸外位置に配置された、前記放射ビームのスペクトル純度を向上させるフィルタを更に含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射源と、前記空間光変調器と、の間の軸外位置に配置された、前記放射源からのデブリを集めるフィルタを更に含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記フィルタが、多層Zr/Siスペクトル純度フィルタである、請求項3又は4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記照明システムは、前記調整された放射ビームを前記空間光変調器に直接供給するために前記フィールドファセットミラーと連携する瞳ファセットミラーをさらに含む、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、
基板を保持する基板テーブルと、
前記調整された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと
を更に含む、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - マスクレスEUVリソグラフィアプリケーションのためのデバイス製造方法であって、
照明システムを用いて放射源から発される放射ビームを調整することと、
前記照明システムのフィールドファセットミラーを用いて前記調整された放射ビームのフィールドを画定することと、
前記フィールドファセットミラーを用いて前記放射源と前記照明システムとを光学的に一致させることと、
前記調整された放射ビームを空間光変調器に供給することと、
投影システムを用いて基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影することと、
を含み、
前記フィールドファセットミラーが、前記放射源から発散する前記放射ビームのコレクタとしても機能する方法。 - 前記放射源と、前記コレクタとして機能するフィールドファセットミラーと、の間に配置されたデブリ緩和システムでデブリを緩和することを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記放射源と、前記空間光変調器と、の間の軸外位置に配置されたフィルタで、前記放射ビームのスペクトル純度を向上させることを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記放射源と、前記空間光変調器と、の間の軸外位置に配置されたフィルタで、前記放射源からのデブリを集めることを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 前記フィルタが、多層Zr/Siスペクトル純度フィルタである、請求項10又は11に記載の方法。
- 前記フィールドファセットミラーと連携する瞳ファセットミラーを用いて前記調整された放射ビームを前記空間光変調器に直接供給することをさらに含む、請求項8乃至12のいずれか1項に記載の方法。
- マスクレスEUVリソグラフィアプリケーションのためのデバイス製造方法であって、
照明システムを用いて放射源から発される放射ビームを調整することと、
前記照明システムのフィールドファセットミラーを用いて前記調整された放射ビームのフィールドを画定することと、
前記放射源と前記照明システムとを光学的に一致させることと、
空間光変調器を用いて前記調整された放射ビームをパターニングすることと、
基板のターゲット部分上にパターン付けされた放射ビームを投影することと、
を含み、
前記フィールドファセットミラーが、前記放射源から発散する前記放射ビームのコレクタとしても機能する方法。 - 前記照明システムの瞳ファセットミラーを用いて前記調整された放射ビームを前記空間光変調器に直接供給することをさらに含み、該瞳ファセットミラーは前記フィールドファセットミラーと連携する、請求項14に記載の方法。
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US7250620B2 (en) * | 2005-01-20 | 2007-07-31 | Infineon Technologies Ag | EUV lithography filter |
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