JP4965106B2 - 不揮発性メモリ装置及びそれの高速プログラム方法 - Google Patents
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Description
20 入出力バッファ
30 データスキャニング部
31 スキャンデータ発生部
33 ビットカウンタ
35 アドレスカウンタ
40 書き込みドライバ
50 列選択部
60 感知増幅部
90 制御ロジック
Claims (22)
- 入力データビットを選択的にスキャンして実際プログラムされるデータビットを検出する段階と、
前記検出されたデータビットをプログラムする段階と、を含み、
前記入力データビットを選択的にスキャンする段階は、
前記入力データビットを複数個のグループに区分して、前記各グループ内のデータのビットを組み合わせて組合情報を発生する段階と、
前記組合情報に応答して、前記入力データビットの中のスキャンされる入力データビットに対応するアドレス情報を発生する段階とを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置のプログラム方法。 - 前記検出されたデータビットは所定のビット単位にプログラムされることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記アドレス情報を発生する段階では、前記組合情報に応答してカウンタを動作させることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記入力データビットを複数個のグループに組み合わせる段階では、前記複数個の入力データビットを組み合わせることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記入力データビットを複数個のグループに組み合わせる段階では、前記入力データビットを、前記入力データビットのアドレスであるスキャンアドレスと組み合わせることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記入力データビットを複数個のグループに組み合わせる段階では、前記入力データビットを複数個の前記入力データビットのアドレスであるスキャンアドレスと組み合わせることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記入力データビットを複数個のグループに組み合わせる段階では、前記入力データビットを一つまたはそれ以上のスキャンセル選択信号と組み合わせることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記データビットは2Nビットずつ組合されて、M個のグループ(M、Nは自然数)を形成することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記M個のグループの全部が第1値を有する場合、前記プログラムされるデータビットの個数がカウントされることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記M個のグループのうちの少なくとも一つのグループが第2値を有する場合、前記第2値を有する該当のグループに対するデータスキャニングを省略することを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記検出されたデータビットをプログラムする段階では、前記アドレス情報に応答して前記検出されたデータビットを選択的にプログラムすることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 前記所定のビット単位はプログラム可能な最大ビット数に該当することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置のプログラム方法。
- 入力データビットを選択的にスキャンして実際プログラムされるデータビットを検出するデータスキャニング部と、
前記検出されたデータビットをプログラムする書き込みドライバとを含み、
前記データスキャニング部は、
前記入力データビットを複数個のグループに区分して、前記各グループ内のデータのビットを組み合わせて組合情報を発生する組合ロジックと、
前記組合信号に応答して、前記入力データビットの中のスキャンされる入力データビットに対応するアドレス情報を発生するアドレス発生器とを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記データスキャニング部は検出されたデータビットをカウントするロジックをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記組合ロジックは前記入力データビット、前記入力データビットのアドレスであるスキャンアドレス、及び/またはスキャンセル選択信号に応答して前記組合信号を発生することを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレス発生器は前記組合信号及び前記スキャンクロック信号に応答して前記アドレスを発生するフリップフロップを含むことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記検出されたデータビットをカウントするロジックは、前記検出されたデータビットをプログラム可能な最大ビット数だけカウントすることを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 入力データビットを選択的にスキャンして実際プログラムされるデータビットを検出する手段と、
前記検出されたデータビットをプログラムする手段とを含み、
前記入力データビットを選択的にスキャンする手段は、
前記入力データビットを複数個のグループに区分して、前記各グループ内のデータのビットを組み合わせて組合情報を発生する手段と、
前記組合信号に応答して、前記入力データビットの中のスキャンされる入力データビットに対応するアドレス情報を発生する手段と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記入力データビットを選択的にスキャンする手段は、前記プログラムされるデータビットをプログラム可能な最大ビット数だけカウントする手段をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記アドレスを発生する手段は、データビットのグループがプログラムされるデータを含む場合、アドレスを計算して、データビットのグループがプログラムされるデータを含まない場合、アドレス計算を省略することを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記入力データビットを組み合わせる手段は、入力データビットと一つまたはそれ以上の、前記入力データビットのアドレスであるスキャンアドレスを組み合わせる手段を含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記入力データビットを組み合わせる手段は、入力データビットと一つまたはそれ以上の、前記入力データビットのアドレスであるスキャンアドレス及び/またはスキャンセル信号を組み合わせる手段を含むことを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。
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