JP4931939B2 - 半導体デバイスを形成する方法 - Google Patents
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Description
[0001]本発明の実施形態は、一般的には、高k誘電体層を形成する方法及び装置に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、ゲート誘電体層を形成する方法に関する。
[0002]集積回路は、トランジスタ、キャパシタ、レジスタのような多くの、例えば、何百万というデバイスから構成されている。電界効果トランジスタのようなトランジスタは、典型的には、ソース、ドレイン、ゲートスタックを含んでいる。ゲートスタックは、典型的には、シリコン基板、ゲート誘電体のような基板と、ゲート誘電体上に、多結晶シリコンのようなゲート電極とを含む。ゲート誘電体層は、二酸化シリコン(SiO2)のような誘電物質、又はSiON、SiN、酸化ハフニウム(HfO2)、ケイ酸ハフニウム(HfSiO2)、酸窒化ハフニウムシリコン(HfSiON)、酸化ジルコニウム(ZrO2)、ケイ酸ジルコニウム(ZrSiO2)、チタン酸バリウムストロンチウム(BaSrTiO3又はBST)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(ZrTi)O3又はPZT)等の誘電率が4.0を超える高k誘電物質から形成される。しかしながら、膜スタックは、他の物質から形成された層を含むことができることは留意すべきである。
[0044]デバイス製造プロセスの現在の技術状況では、漏れ電流が少ない5-10オングストロームEOTを持つゲート誘電体層を製造することが困難である。65nm〜90nmのトランジスタノードの10-16オングストロームEOTのプロセスの現在の技術状況では、プラズマ窒化プロセスが用いられている。しかしながら、窒化された二酸化シリコンゲート誘電体層がより薄い物理的厚さ、例えば10オングストロームに縮小されるのにつれて、ゲート漏れは、実用的デバイス用途に許容し得ないレベルに増加することがある。ゲート漏れの問題をより小さい誘電体層の厚さで解決するために、プラズマ窒化プロセスを高k誘電体酸化物又はケイ酸塩を形成する堆積プロセスで置き換えるためにハフニウム(Hf)、ランタン(La)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ストロンチウム(Sr)、鉛(Pb)、イットリウム(Y)、又はバリウム(Ba)のような物質を含有する以下のプロセスを用いることができる。
[0046]45ナノメートル(nm)以下のMOSタイプデバイスに見られる共通のゲート性能の問題を解決しようと努力して、フェルミ準位ピンニング又は閾値電圧ピンニングのような欠陥を減少及び/又は除去する新規なプロセスが生成された。一般に、プロセスは、高k誘導体を形成するステップと、その後堆積された高k物質の表面を終了させて、ゲート電極と高k誘電物質との間の良好な接合部を形成するステップとを含む。本発明の実施形態は、また、高k誘電物質を形成し、高k誘電物質の表面を終了させ、一つ以上の後処理ステップを行い、多結晶シリコン及び/又は金属ゲート層を形成するように適合されるクラスタツールを提供する。
[0070]上述したように、上記ステップ257とステップ259と共に記載されたプラズマ処理プロセスを用いて高k誘電体層を形成することは望ましい。大きなプラズマ電位、例えば、数十ボルト程度で用いるプラズマプロセスは、薄いゲート誘電体層に対する損傷を引き起こし、衝撃金属原子が形成されたMOSデバイスの下に横たわるチャネル領域に混入することさえ引き起こし得る。二酸化シリコンのような誘電体層に対する損傷又は金属原子の下に横たわる領域への混入は、デバイス性能の低下と漏れ電流の増加のために望ましくない。下記の種々の実施形態は、プラズマ処理プロセスを用いてゲート誘電体層を確実に形成するために使用し得る。このような金属プラズマ処理を行うために用いることができる種々の装置の例は、図4A-4Cと図4Fと共に以下に記載する。
[0071]図4Aは、上記ステップ257及び/又は259のプロセスを行うために使用し得るプラズマ処理チャンバ500の一実施形態の概略断面図を示す図である。この構成において、処理チャンバ500は、処理領域522において、基板401(図3A)のような基板502を処理することができる誘導結合プラズマ処理チャンバである。一実施形態において、処理チャンバ500は、誘導結合RFソースを用いる、サンタクララのAppliedMaterials社から入手できる変更されたプラズマ窒化(DPN)チャンバである。
[0078]図4B-図4Cは、上記ステップ257及び/又は259に記載したプロセスを行うために使用し得るプラズマ処理チャンバの他の実施形態の概略断面図を示す図である。この構成において、プロセスチャンバ501は、処理領域522において基板502を処理することができる容量結合プラズマ処理チャンバである。プロセスチャンバ501は、通常は、VHFソースアセンブリ595と、ターゲットアセンブリ573と、システムコントローラ602と、プロセスチャンバアセンブリ596と、基板支持アセンブリ594とを含有する。この構成において、容量結合プラズマは、ターゲット571に接続されるVHFソースアセンブリ595の使用によってプロセスチャンバアセンブリ596内に含有するターゲット571と接地チャンバ壁528との間の処理領域522に形成される。プロセスアセンブリ596は、通常は、チャンバリッド529をチャンバ壁528上に密封して位置決めされるターゲットアセンブリ573と電気絶縁体572に置き換えた以外は、上の図4Aと共に記載された要素のすべてを含有する。プロセスチャンバアセンブリ596及び基板支持アセンブリ594内の要素は、処理チャンバ500によって記載されものと同一か又は同様のものであり、そのように、適切な場合には同様の符号を用い、下で繰り返さない。
[0087]図5A-図5Cは、上記ステップ257及び/又は259で図4Aに示したターゲット505、又は図4Bに示したターゲット571から基板502の表面に、スパッタされた物質を堆積するために使用し得る種々のパルスプラズマプロセスの図表示である。図パルスプラズマプロセスは、図5A-図5Cに示されるように、通常は、誘導RFソースアセンブリ591又はVHFソースアセンブリ(即ち、、デュアルVHFソースアセンブリ597のVHFソースアセンブリ595)の使用による時間の関数として処理領域522に分配される一連の連続エネルギーパルスと、DCソースアセンブリ592からのターゲットに分配されるDCエネルギーパルスである。図5Aは、誘導RFソースアセンブリ591又はVHFソースアセンブリから分配されるRFエネルギー531と、DCソースアセンブリ592から分配されるDC電圧535が、時間の関数としてプロットされるプロセスを示す図である。図5Aは、時間の関数として、誘導RFソースアセンブリ591又はVHFソースアセンブリ595によって分配されるRFエネルギー531のプロットと、ターゲットに分配されるDC電圧535のプロットを示すので、DCと、RF、又はVHF(以後RF/VHF)パルスが同期される一実施形態を示す図である。この実施形態において、RFエネルギー531とDC電圧535のパルスは、同時に印加されないように同期されている。一般に、DCパルス532は、プラズマに存在するRF/VHF励起イオンに瞬間的な引力を供給し、充分なエネルギーでターゲット505に向かって加速するイオンがターゲットからプラズマに物質をスパッタさせる。ターゲット表面を励起するスパッタ物質は、パルスされたRF/VHFパルス533で処理領域522に形成されるプラズマへ入り、その後、イオン化することができる。基板支持部材562AがRF/VHFバイアスされているか、接地されているか、又は浮遊しているかによって、イオン化されたスパッタ原子は、基板表面近くに生成されたプラズマシースによるエネルギー設定で基板表面に分配され得る。ほとんどの場合、DC電圧パルス(又はDC電流パルス)が、所望のイオン密度とスパッタ速度が低エネルギーバイアスを用いたときに達成され得ることを確実にするように分配される場合、処理チャンバ内に充分なプラズマがあるように、RF/VHFパルス533の終わりを同期することが望ましい。
[0094]図4Fは、ゲート誘電体層の金属プラズマ処理、即ち、ドープされたゲート誘電体層を形成する低エネルギースパッタリングプロセスに用いることができる処理チャンバ500の他の実施形態の概略断面図を示す図である。この実施形態において、接地されたコリメータ540は、帯電した金属イオンを捕獲するために基板502とターゲット505の間に取り付けられる。接地されたコリメータ540の追加は、基板502へ達するように主として中性のスパッタされた原子を促進させ、基板表面上の金属薄層、潜在的には単一の単層を形成する。コリメータは、通常は、中性原子と場合によりいくつかのイオンがターゲット近くの処理領域から基板表面に通過させることを可能にする接地されたプレート全体に分配される複数の穴540Aを含有する接地されたプレート又はワイヤメッシュである。中性原子のエネルギーが、通常は、ターゲット表面から原子をスパッタするのに必要とされる一部のエネルギーであり、中性原子がプラズ電位に影響されないので、この方法によるゲート誘電体の表面上のこのような層を堆積させると、通常は、非常に小さいイオン衝撃損傷が生じる。その後、この金属層を、続いて形成された酸化物膜に組み込むことができるので、金属又は窒素イオンの注入と付随する問題、例えば、シリコン損傷や基板の下に横たわるシリコン層への金属の浸透を含まず高誘電率又は“高k”誘電体層が生成される。当業者は、図4Bと図4Cに示されるプロセスチャンバ501が、基板表面を衝突してゲート誘電体層の損傷を減少させる前に、プラズマ中大きなパーセントの帯電パーティクルを捕捉する同じ機能を達成するために、ターゲット571と基板502の表面の間に接地されたコリメータ540を含有するように構成され得ることを理解する。
[0095]図4Gは、ゲート誘電体層の金属プラズマ処理、即ち、ドープされたゲート誘電体層を形成するための低エネルギースパッタリングプロセスに用いることができる処理チャンバ500の他の実施形態の概略断面図を示す図である。処理チャンバ500の一実施形態において、誘導ソースアセンブリ591の出力がターゲット505に接続されるのでプラズマはコイル509と容量結合ターゲット505の使用によって処理領域522に生成することができる。一実施形態において、ターゲット505は、電力がRF整合508Aを通ってジェネレータ508によって分配される場合に共鳴を達成するサイズであるコイル508Bを通ってRF整合508Aの出力に結合する。図4Aを参照すると、ターゲット505のRFバイアスを加えると、ターゲット505に分配されるRF周波数とRF電力がDCバイアス、従ってターゲット505に衝突するイオンエネルギーを制御させつつ、コイル509がプラズマを生成し形成することが可能になる。また、所望の負荷サイクルでパルスされ得る誘導結合プラズマ生成要素と容量結合プラズマ生成要素の使用により、ターゲット(即ち、自己バイアス)に印加されるDCバイアス、スパッタ速度、スパッタイオンエネルギーがより容易に制御させることが可能になる。チャンバ圧、RF周波数、RF電力、負荷サイクル、基板支持体562に印加されるバイアス及び/又は処理時間のより注意深い制御によって、誘電体層におけるスパッタされた物質の量とスパッタされた物質の濃度と深さを制御することができる。単一のRFジェネレータ508とRF整合508Aの使用は、チャンバコストとシステムの複雑性を減少させる。一実施形態において、DCパルスがRFジェネレータ508によって分配されるRFパルスの間或いはRFパルス間においてターゲット505に分配され得るようにDCソースアセンブリ593がターゲット505に結合する。
[0097]上記図4A-図4C、及び図4Fのような一つ以上のプラズマ処理チャンバは、図7に示した統合処理システム600のようなマルチチャンバ、マルチプロセス基板処理プラットフォームに有益に統合され得る。本発明から利益を得るように適合させることができる統合処理システムの例は、1999年3月16日出願の共同譲渡された米国特許第5,882,165号;1993年2月16日出願の米国特許第6,440,261号;2002年8月27日出願の米国特許第6,440,261号に記載され、これらの開示内容は本明細書に全体で援用されている。統合処理システム600には、ファクトリインタフェース604、ロードポート605A-D、システムコントローラ602、真空ロードロック606A、608B、搬送チャンバ610、複数の基板処理チャンバ614A-614Fが含まれるのがよい。基板処理チャンバ614A-Fの一つ以上は、上記図2-5と共に本明細書に記載されるプラズマ処理を行うために用いられる処理チャンバ500及び/又は一つ以上のプロセスチャンバ501のようなプラズマ処理チャンバとして構成されるのがよい。他の実施形態において、統合処理システム600には、六つを超えるプロセスチャンバが含まれるのがよい。
[0102]図6Aは、本発明の一実施形態に従って電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造する方法100を示す図であるプロセスフローダイアグラムである。方法100には、例示的なCMOS電界効果トランジスタのゲート構造の製造で基板上で行われるプロセスステップが含まれる。図6Aは、方法100の完全なプロセスを図でまとめたものを示す図である。方法100の少なくとも一部は、統合半導体基板プロセスシステム(即ち、クラスタツール)の処理リアクタを用いて行うことができる。一つのこのような処理システムは、カリフォルニア、サンタクララのAppliedMaterials社から入手できるCENTURA(登録商標)統合処理システムである。
Claims (6)
- 半導体デバイスを形成する方法であって、
基板の表面上に所望の厚さを持つ誘電体層を形成するステップと、
低エネルギースパッタリングプロセスを用いて、該誘電体層の該厚さの少なくとも一部内に第一物質の濃度勾配を形成するステップと、
を含み、該低エネルギースパッタリングプロセスが、
RFジェネレータを用いてRFエネルギーを低エネルギースパッタリングチャンバの処理領域に第一RF周波数と第一RF電力でパルスするステップと、
該処理領域内に配置されたターゲットにDCソースアセンブリから分配されるDC電圧をパルスするステップと、
該ターゲットから除去された該第一物質の量が該誘電体層内に配置されうるように該パルスしたRFエネルギーと該パルスしたDC電圧とを同期するステップと、
該誘電体層と該第一物質を、窒素を含むRFプラズマにさらすステップと、
該誘電体層の上に第二物質を堆積させるステップと、
を含む、方法。 - 該第一物質が、ジルコニウム、ハフニウム、ランタン、ストロンチウム、鉛、イットリウム、及びバリウムからなる群より選ばれる、請求項1に記載の方法。
- 該誘電体層が、二酸化シリコン、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、ハフニウムシリケイトオキシド、酸化ランタン、及び酸化アルミニウムからなる群より選ばれる物質を含有する、請求項1に記載の方法。
- 窒素を含むRFプラズマに該誘電体層をさらす前に該誘電体層内に第三物質の量を配置するステップであって、該第三物質が、ハフニウム、ランタン、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ストロンチウム、鉛、イットリウム、及びバリウムからなる群より選ばれる元素を含有する、ステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 該誘電体層と該第一物質と該第三物質を酸化環境にさらすステップであって、該酸化環境が熱酸化プロセス又はプラズマ酸化プロセスを用いる、ステップを更に含む、請求項4に記載の方法。
- 該第二物質が、多結晶シリコン、タンタル、窒化タンタル、炭化タンタル、タングステン、窒化タングステン、窒化シリコンタンタル、ハフニウム、アルミニウム、ルテニウム、コバルト、チタン、ニッケル、及び窒化チタンからなる群より選ばれる物質を含有する、請求項1に記載の方法。
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