JP4929682B2 - インバータ回路装置 - Google Patents
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- 主端子間に直列接続された第1の電力半導体スイッチング素子と、第2の電力半導体スイッチング素子からなる少なくとも1つのアームを有するインバータ装置において、
該インバータ装置が、
前記第1の電力半導体スイッチング素子と前記第2の電力半導体素子の駆動信号を出力する論理回路部と、
前記第1の電力半導体スイッチング素子に逆並列に接続された第1のダイオードと、
前記第2の電力半導体スイッチング素子に逆並列に接続された第2のダイオードと、
ソースが下アームアースに接続された第1の高耐圧スイッチング素子と該第1の高耐圧スイッチング素子のドレインに一端を接続した第1の抵抗と、ソースが下アームアースに接続された第2の高耐圧スイッチング素子と該第2の高耐圧スイッチング素子のドレインに一端を接続した第2の抵抗と、を備えた昇圧レベルシフト回路と、
該昇圧レベルシフト回路の出力を入力し、前記第1の抵抗及び第2の抵抗の両方に電圧が発生した場合に当該電圧信号を無視するロジックフィルタ部と、
該ロジックフィルタ部の出力を入力するフリップフロップと、
該フリップフロップの出力を受けて前記アームの上アームの電力半導体スイッチング素子のゲートに駆動信号を伝える上アーム駆動回路部とを備え、
前記昇圧レベルシフト回路の第1の高耐圧スイッチングのオンになる期間と第2の高耐圧スイッチング素子のオンになる期間とが、前記第1のダイオードのリカバリ期間と第2のダイオードのリカバリ期間の何れよりも長いことを特徴とするインバータ装置。 - 請求項1のインバータ装置において、前記第1の高耐圧スイッチング素子と第2の高耐圧スイッチング素子のオンになる期間とは1μs以上であることを特徴とするインバータ装置。
- 請求項1あるいは請求項2の何れかに記載のインバータ装置において、前記第1の高耐圧スイッチング素子の半導体チップと第2の高耐圧スイッチング素子の半導体チップとが、前記第1の抵抗や第2の抵抗と前記フリップフロップを集積した集積回路とは別の半導体チップであることを特徴とするインバータ装置。
- 請求項1に記載のインバータ装置において、前記第1の電力半導体スイッチング素子がIGBTであって、前記第1の高耐圧スイッチング素子と第2の高耐圧スイッチング素子とがMOSFETであることを特徴とするインバータ装置。
- 請求項1に記載のインバータ装置において、前記アームを3つ備えた3相インバータ装置であることを特徴とするインバータ装置。
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