JP4929516B2

JP4929516B2 - Orientation processing equipment

Info

Publication number: JP4929516B2
Application number: JP2007192160A
Authority: JP
Inventors: 武松本; 恭博松田
Original assignee: Nissin Ion Equipment Co Ltd
Current assignee: Nissin Ion Equipment Co Ltd
Priority date: 2007-07-24
Filing date: 2007-07-24
Publication date: 2012-05-09
Anticipated expiration: 2027-07-24
Also published as: JP2009031339A

Description

この発明は、例えば液晶ディスプレイの製造等に利用されるものであって、液晶分子を所定方向に配向させるための配向膜を有する配向膜付基板にイオンビームを照射して、当該配向膜に配向処理を施す配向処理装置に関する。 The present invention is used, for example, in the manufacture of a liquid crystal display and the like, and an alignment film having an alignment film for aligning liquid crystal molecules in a predetermined direction is irradiated with an ion beam to align the alignment film. The present invention relates to an alignment processing apparatus that performs processing.

この種の配向処理装置の従来例を図６に示す。なお、これに似た配向処理装置が特許文献１、２に記載されている。 A conventional example of this type of alignment processing apparatus is shown in FIG. Similar orientation processing apparatuses are described in Patent Documents 1 and 2.

この配向処理装置は、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を配向膜付基板２に（より具体的にはその表面の配向膜６に。以下同様）照射して、配向膜６に配向処理を施すものである。 This alignment processing apparatus irradiates the alignment film 6 with an ion beam 12 extracted from the ion source 10 (more specifically, the alignment film 6 on the surface thereof). Is to be applied.

なお、この明細書では、一点で互いに直交する三つの軸をｘ軸、ｙ軸およびｚ軸とすると、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影したときの方向と実質的に平行な軸をｘ軸としている。配向膜付基板２の表面は、ｘｙ平面に沿って（より具体的には実質的に平行に）配置されている。図６（および後述する図１、図５）中の線１８は、配向膜付基板２の表面に立てた垂線であり、ｚ軸に実質的に平行である。 In this specification, if three axes orthogonal to each other at one point are an x-axis, a y-axis, and a z-axis, the design traveling direction 14 of the ion beam 12 drawn from the ion source 10 is defined as that of the alignment film-coated substrate 2. The axis substantially parallel to the direction when projected onto the surface is taken as the x-axis. The surface of the substrate with alignment film 2 is disposed along the xy plane (more specifically, substantially parallel). A line 18 in FIG. 6 (and FIGS. 1 and 5 to be described later) is a perpendicular line standing on the surface of the substrate 2 with the alignment film, and is substantially parallel to the z-axis.

配向膜付基板２は、図８に示すように、基板４の表面に配向膜６を形成したものである。より具体例を挙げると、配向膜付基板２は、ガラス等から成る基板４の表面にポリイミド等の有機高分子材料から成る配向膜６を塗布し、かつプリベークおよび焼成を行ったものである。なお、液晶ディスプレイを構成する場合は、通常、基板４と配向膜６との間に、例えばＩＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）等から成る透明電極が形成される。 As shown in FIG. 8, the substrate with alignment film 2 is obtained by forming an alignment film 6 on the surface of the substrate 4. More specifically, the substrate with alignment film 2 is obtained by applying an alignment film 6 made of an organic polymer material such as polyimide on the surface of a substrate 4 made of glass or the like, and performing pre-baking and baking. In the case of configuring a liquid crystal display, a transparent electrode made of, for example, ITO (indium oxide doped with tin) or the like is usually formed between the substrate 4 and the alignment film 6.

再び図６を参照して、配向膜付基板２にイオンビーム１２を照射することによって、特許文献１、２にも記載されているように、配向膜６に配向処理を施すことができる。これは、（ａ）イオンビーム１２を照射することで、配向膜６の表面が改質され、配向膜６を構成する高分子の主鎖または側鎖が一定方向に並び、それに沿って液晶分子が配向するようになる、（ｂ）あるいはイオンビーム照射によるスパッタリングによって配向膜６の表面に多数の微小な溝状のものが形成され、それに沿って液晶分子が配向するようになるためであると考えられる。しかも、ラビング法とは違って、非接触で配向膜６に配向処理を施すことができるため、パーティクルの発生を防止することができる。 Referring again to FIG. 6, the alignment film 6 can be subjected to alignment treatment by irradiating the alignment film-coated substrate 2 with the ion beam 12 as described in Patent Documents 1 and 2. (A) By irradiating the ion beam 12, the surface of the alignment film 6 is modified, and the main chain or side chain of the polymer constituting the alignment film 6 is arranged in a certain direction, along which liquid crystal molecules This is because (b) or a number of minute groove-like ones are formed on the surface of the alignment film 6 by sputtering by ion beam irradiation, and liquid crystal molecules are aligned along it. Conceivable. In addition, unlike the rubbing method, the alignment film 6 can be subjected to alignment treatment in a non-contact manner, so that generation of particles can be prevented.

その場合、イオンビーム１２の進行方向１４と配向膜付基板２の表面との間の角度（この例ではｘｚ平面に実質的に平行な平面内における角度）θを照射角度と呼ぶと、イオンビーム１２は、配向膜付基板２の表面に、０°＜θ≦９０°の範囲内の所定の照射角度θで照射される。 In that case, an angle between the traveling direction 14 of the ion beam 12 and the surface of the substrate with alignment film 2 (in this example, an angle in a plane substantially parallel to the xz plane) θ is referred to as an irradiation angle. 12 is irradiated to the surface of the substrate 2 with alignment film at a predetermined irradiation angle θ within a range of 0 ° <θ ≦ 90 °.

上記照射角度θに応じて、例えば、イオンビーム照射によって得られる配向秩序度およびプレチルト角を変化させることができる。配向秩序度とは、どの程度の割合の液晶分子が同一方向に配向しているかを示すものであり、１の場合が１００％である。プレチルト角とは、液晶分子が配向膜表面より起き上がる角度を言う。 Depending on the irradiation angle θ, for example, the degree of alignment order and the pretilt angle obtained by ion beam irradiation can be changed. The degree of alignment order indicates what percentage of the liquid crystal molecules are aligned in the same direction, and the case of 1 is 100%. The pretilt angle is an angle at which liquid crystal molecules rise from the alignment film surface.

配向膜付基板２の配向膜６に対する配向処理方向は、イオンビーム１２の進行方向を配向膜付基板２の表面に投影した方向となる。即ち、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向２０が所望の配向処理方向となる。この所望の配向処理方向２０は配向膜付基板２の向きとの関係で予め定められている。例えば、後述する方位角度φを０度にする場合は、この所望の配向処理方向２０は、図７を参照して、配向膜付基板２の長軸２ａに実質的に平行な方向である。 The alignment treatment direction of the substrate with alignment film 2 with respect to the alignment film 6 is a direction in which the traveling direction of the ion beam 12 is projected onto the surface of the substrate with alignment film 2. That is, a desired alignment processing direction is a direction 20 in which the design traveling direction 14 of the ion beam 12 extracted from the ion source 10 is projected onto the surface of the alignment film-coated substrate 2. This desired alignment processing direction 20 is predetermined in relation to the direction of the alignment film-coated substrate 2. For example, when the azimuth angle φ described later is set to 0 degree, the desired alignment processing direction 20 is a direction substantially parallel to the long axis 2a of the alignment film-coated substrate 2 with reference to FIG.

特開２０００−１２２０６４号公報（段落００１３、００１４、図１）JP 2000-122064 (paragraphs 0013 and 0014, FIG. 1) 特開平９−２３０３５０号公報（段落００２１−００２７、図２）JP-A-9-230350 (paragraphs 0021-0027, FIG. 2)

上記イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４は、イオン源１０の引出し面（換言すれば引出し電極系の面）１１に垂直な方向であるが、イオンビーム１２の現実の（実際の）進行方向１６は設計上の進行方向１４からずれている場合がある。 The design traveling direction 14 of the ion beam 12 extracted from the ion source 10 is a direction perpendicular to the extraction surface 11 (in other words, the surface of the extraction electrode system) 11 of the ion source 10. The (actual) traveling direction 16 may deviate from the designed traveling direction 14.

ここで、上記照射角度θが属する平面（この例ではｘｚ平面に実質的に平行な平面。即ち△ＯＡＢを含む平面）と交差（より具体的には実質的に直交）しており、かつイオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４を含む平面（即ち△ＡＢＣを含む平面）内における角度であって、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４と現実の進行方向１６との差の角度αに着目して、この角度αを偏差角度と呼ぶと、イオンビーム１２の現実の進行方向１６が設計上の進行方向１４から偏差角度αだけずれている場合がある。 Here, the plane intersects (more specifically, substantially orthogonal) with the plane to which the irradiation angle θ belongs (in this example, a plane substantially parallel to the xz plane, that is, a plane including ΔOAB), and ions. An angle in a plane including a design traveling direction 14 of the ion beam 12 extracted from the source 10 (that is, a plane including ΔABC), and a design traveling direction 14 of the ion beam 12 extracted from the ion source 10. Focusing on the angle α of the difference from the actual traveling direction 16, if this angle α is called a deviation angle, the actual traveling direction 16 of the ion beam 12 is shifted from the designed traveling direction 14 by a deviation angle α. There is a case.

その結果、図７も参照して、イオンビーム１２の現実の進行方向１６を配向膜付基板２の表面に投影した現実の配向処理方向２２が、上記所望の配向処理方向２０から角度βだけずれることになる。この角度βを、配向ずれ角度と呼ぶことにする。 As a result, referring also to FIG. 7, the actual alignment processing direction 22 obtained by projecting the actual traveling direction 16 of the ion beam 12 onto the surface of the alignment film-coated substrate 2 is deviated from the desired alignment processing direction 20 by an angle β. It will be. This angle β will be referred to as an orientation deviation angle.

そうなると、上記配向ずれ角度βの分、配向膜面内での液晶分子の配向方向が所望の配向方向からずれるので、例えば液晶ディスプレイを製造した場合、当該液晶ディスプレイの表示品質を低下させる要因となる。 Then, the alignment direction of the liquid crystal molecules in the alignment film plane is shifted from the desired alignment direction by the amount of the alignment shift angle β. For example, when a liquid crystal display is manufactured, the display quality of the liquid crystal display is deteriorated. .

なお、上記照射角度θが属する平面内において、イオンビーム１２の現実の進行方向が設計上の進行方向１４からずれていることも起こり得るが、当該ずれは、上記偏差角度αと違って、配向膜面内での液晶分子の配向方向には影響を与えないので、この出願では課題にしていない。 In the plane to which the irradiation angle θ belongs, the actual traveling direction of the ion beam 12 may be deviated from the designed traveling direction 14, but the deviation is different from the deviation angle α in the orientation. Since this does not affect the alignment direction of the liquid crystal molecules in the film plane, it is not a problem in this application.

即ち、この発明は、イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向と現実の進行方向との間の上記偏差角度に起因する上記配向ずれ角度を解消することを主たる目的としている。 That is, the main object of the present invention is to eliminate the misalignment angle caused by the deviation angle between the designed traveling direction of the ion beam drawn from the ion source and the actual traveling direction.

この発明に係る配向処理装置は、前記偏差角度を測定する偏差角度測定装置と、前記配向膜付基板を、当該配向膜付基板の表面に立てた垂線に沿う軸を中心にして回転させる基板回転装置と、前記偏差角度測定装置で測定した前記偏差角度を用いて、当該偏差角度を前記配向膜付基板の表面に投影した角度である配向ずれ角度を求め、かつ前記基板回転装置を制御して、当該配向ずれ角度を小さくする方向に当該配向ずれ角度に相当する角度だけ前記配向膜付基板を回転させる機能を有している制御装置とを備えていることを特徴としている。 The alignment processing apparatus according to the present invention includes a deviation angle measuring apparatus that measures the deviation angle, and a substrate rotation that rotates the alignment film-coated substrate about an axis along a vertical line that stands on the surface of the alignment film-coated substrate. Using the deviation angle measured by the apparatus and the deviation angle measuring device, an alignment deviation angle that is an angle obtained by projecting the deviation angle onto the surface of the substrate with the alignment film is obtained, and the substrate rotation device is controlled. And a control device having a function of rotating the alignment film-attached substrate by an angle corresponding to the orientation deviation angle in a direction of decreasing the orientation deviation angle.

この配向処理装置においては、偏差角度測定装置によって偏差角度が測定される。そして制御装置によって、偏差角度を配向膜付基板の表面に投影した角度である配向ずれ角度が求められ、かつ基板回転装置を制御して、配向ずれ角度を小さくする方向に配向ずれ角度に相当する角度だけ配向膜付基板が回転させられる。これによって、偏差角度に起因する配向ずれ角度を解消することができる。 In this orientation processing apparatus, the deviation angle is measured by the deviation angle measuring apparatus. Then, the orientation deviation angle which is an angle obtained by projecting the deviation angle onto the surface of the substrate with the alignment film is obtained by the control device, and corresponds to the orientation deviation angle in the direction of decreasing the orientation deviation angle by controlling the substrate rotation device. The substrate with the alignment film is rotated by an angle. Thereby, the misalignment angle caused by the deviation angle can be eliminated.

前記偏差角度測定装置は、前記イオン源から引き出されるイオンビームの現実の進行方向を測定するイオンビーム測定器と、当該イオンビーム測定器で測定したイオンビームの現実の進行方向および前記イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向に基づいて前記偏差角度を算出する偏差角度算出手段とを有していても良い。偏差角度算出手段は、前記制御装置内に含まれていても良い。 The deviation angle measuring device includes an ion beam measuring device that measures an actual traveling direction of an ion beam extracted from the ion source, an actual traveling direction of the ion beam measured by the ion beam measuring device, and the ion beam extracted from the ion source. And a deviation angle calculating means for calculating the deviation angle based on a design traveling direction of the ion beam. The deviation angle calculation means may be included in the control device.

前記照射角度をθ、前記偏差角度をα、前記配向ずれ角度をβとすると、前記制御装置は、
β＝ｔａｎ^-1（ｔａｎα／ｃｏｓθ）
なる式またはそれと数学的に等価の式に従って配向ずれ角度βを求める機能を有していても良い。 When the irradiation angle is θ, the deviation angle is α, and the orientation deviation angle is β, the control device
β = tan ⁻¹ (tan α / cos θ)
It may have a function of obtaining the orientation deviation angle β according to the following formula or a mathematically equivalent formula.

前記照射角度が０度よりも大きく２０度以下の場合に、前記偏差角度をα、前記配向ずれ角度をβとすると、前記制御装置は、β＝αに従って配向ずれ角度βを求める機能を有していても良い。 When the irradiation angle is greater than 0 degree and 20 degrees or less, the control device has a function of obtaining the orientation deviation angle β according to β = α, where α is the deviation angle and β is the orientation deviation angle. May be.

前記基板回転装置は、前記配向膜付基板をその中心部を中心にして回転させて、前記イオンビームの設計上の進行方向を配向膜付基板の表面に投影した方向と、前記配向膜付基板の表面内の軸との間の角度である方位角度を調整する回転装置を兼ねていても良い。 The substrate rotating device rotates the substrate with an alignment film around its central portion, and projects a direction in which the ion beam design travels onto the surface of the substrate with an alignment film; and the substrate with an alignment film It may also serve as a rotating device that adjusts the azimuth angle, which is the angle between the surface and the axis in the surface.

前記配向膜付基板を、前記イオンビームの設計上の進行方向を配向膜付基板の表面に投影したときの方向に沿う方向に搬送する基板搬送装置を更に備えていて、前記基板回転装置は、この基板搬送装置上に設けられていても良い。 The substrate rotation device further comprises a substrate transfer device that transfers the alignment film-coated substrate in a direction along a direction when the traveling direction in the design of the ion beam is projected onto the surface of the alignment film-coated substrate, It may be provided on this substrate transfer device.

請求項１、２に記載の発明によれば、イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向と現実の進行方向との間に偏差角度があっても、当該偏差角度に起因する、配向膜付基板表面での配向ずれ角度を解消することができる。その結果、配向膜面内での液晶分子の配向方向が所望の配向方向からずれるのを防止することができる。従って例えば、液晶ディスプレイの表示品質の低下を防止することができる。 According to the first and second aspects of the invention, even if there is a deviation angle between the design traveling direction of the ion beam extracted from the ion source and the actual traveling direction, the orientation is caused by the deviation angle. The misalignment angle on the film-coated substrate surface can be eliminated. As a result, it is possible to prevent the alignment direction of the liquid crystal molecules in the alignment film plane from deviating from the desired alignment direction. Therefore, for example, it is possible to prevent a decrease in display quality of the liquid crystal display.

請求項３に記載の発明によれば、配向ずれ角度を、偏差角度および照射角度を用いて正確に求めることができる、という更なる効果を奏する。 According to the third aspect of the present invention, there is a further effect that the misalignment angle can be accurately obtained using the deviation angle and the irradiation angle.

請求項４に記載の発明によれば、配向ずれ角度を、偏差角度を用いて簡単に求めることができる、という更なる効果を奏する。 According to the fourth aspect of the invention, there is an additional effect that the misalignment angle can be easily obtained using the deviation angle.

請求項５に記載の発明によれば、基板回転装置が配向ずれ角度を解消するための回転装置と方位角度を調整するための回転装置とを兼ねているので、その分、構成の簡素化および装置の小型化を図ることができる、という更なる効果を奏する。 According to the invention described in claim 5, the substrate rotating device serves as both a rotating device for eliminating the orientation deviation angle and a rotating device for adjusting the azimuth angle. There is a further effect that the apparatus can be miniaturized.

請求項６に記載の発明によれば、基板搬送装置によって配向膜付基板を搬送しながらそれに配向処理を施すことができるので、大型の配向膜付基板に対しても配向処理を施すことが容易になる、という更なる効果を奏する。 According to the sixth aspect of the present invention, since the alignment treatment can be performed on the substrate with the alignment film while being conveyed by the substrate conveyance device, the alignment treatment can be easily performed even on the large alignment film-coated substrate. It has the further effect of becoming.

図１は、この発明に係る配向処理装置の一実施形態を示す概略斜視図である。図６に示した従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。 FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of an alignment processing apparatus according to the present invention. Portions that are the same as or correspond to those in the conventional example shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and differences from the conventional example will be mainly described below.

この配向処理装置を構成するイオン源１０は、この実施形態では、一例として、ｘ軸に沿う方向の寸法よりもｙ軸に沿う方向の寸法が大きい、いわゆるリボン状のイオンビーム１２を引き出すものであるが、それに限られるものではない。 In this embodiment, as an example, the ion source 10 constituting this alignment processing apparatus extracts a so-called ribbon-shaped ion beam 12 having a dimension in the direction along the y-axis that is larger than a dimension in the direction along the x-axis. Yes, but not limited to that.

イオンビーム１２には、それを構成するイオンが配向膜６と反応して配向膜６の性質を変えないようにするために、例えばヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスイオンビームを用いるのが好ましい。 In order to prevent ions constituting the ion beam 12 from reacting with the alignment film 6 and changing the properties of the alignment film 6, for example, an inert gas ion beam of helium, neon, argon, or the like is used. preferable.

イオンビーム１２のエネルギーは、特に限定はなく、例えば１００ｅＶ〜５００ｅＶ程度で良い。 The energy of the ion beam 12 is not particularly limited, and may be about 100 eV to 500 eV, for example.

この配向処理装置は、更に、前述した偏差角度αを測定する偏差角度測定装置２４を備えている。 The orientation processing apparatus further includes a deviation angle measuring device 24 that measures the deviation angle α described above.

偏差角度測定装置２４は、この実施形態では、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の現実の進行方向１６を測定するイオンビーム測定器２６と、このイオンビーム測定器２６で測定したイオンビーム１２の現実の進行方向１６およびイオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４に基づいて上記偏差角度をαを算出する偏差角度算出手段２８とを有している。偏差角度算出手段２８は、この実施形態では、以下に述べる制御装置３０内に含めているが、換言すれば制御装置３０が有する機能の一部として含めているが、制御装置３０とは別に設けても良い。 In this embodiment, the deviation angle measuring device 24 measures the actual traveling direction 16 of the ion beam 12 drawn from the ion source 10, and the ion beam 12 measured by the ion beam measuring device 26. Deviation angle calculation means 28 for calculating α of the deviation angle based on the actual traveling direction 16 and the designed traveling direction 14 of the ion beam 12 drawn from the ion source 10 is provided. In this embodiment, the deviation angle calculation means 28 is included in the control device 30 described below. In other words, the deviation angle calculation means 28 is included as a part of the function of the control device 30, but is provided separately from the control device 30. May be.

イオンビーム測定器２６は、測定時は、矢印Ｅに示すようにｙ軸に沿う方向に移動させて、イオン源１０と配向膜付基板２との間に挿入されて、イオンビーム１２を受ける。配向膜付基板２の処理時は、当該処理の邪魔にならないように、矢印Ｅとは逆方向に移動（退避）させられる。 At the time of measurement, the ion beam measuring device 26 is moved in the direction along the y-axis as indicated by an arrow E, and is inserted between the ion source 10 and the alignment film-coated substrate 2 to receive the ion beam 12. When processing the alignment film-coated substrate 2, it is moved (retracted) in the direction opposite to the arrow E so as not to interfere with the processing.

イオンビーム測定器２６は、例えば、小さな開口を有するマスク板と、その開口と所定の位置関係に配置されていて、当該開口を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を検出する１個または複数個のビーム検出器（例えばファラデーカップ）とを備えている。 The ion beam measuring device 26 is, for example, a mask plate having a small opening and one or a single plate that is arranged in a predetermined positional relationship with the opening and receives the ion beam 12 that has passed through the opening and detects the beam current. And a plurality of beam detectors (for example, a Faraday cup).

偏差角度測定装置２４によって偏差角度αを一箇所で測定する場合は、イオンビーム測定器２６を構成するビーム検出器は少なくとも１個あれば良い。偏差角度測定装置２４によって偏差角度αをｙ軸に沿う方向の複数箇所で測定する場合は、イオンビーム測定器２６を構成するビーム検出器を、ｙ軸に沿う方向に複数個配置しておけば良い。あるいは、１個または複数個のビーム検出器を、ｙ軸に沿う方向に移動可能にしておいても良い。 When the deviation angle α is measured at one location by the deviation angle measuring device 24, it is sufficient that at least one beam detector is included in the ion beam measuring device 26. When the deviation angle α is measured by the deviation angle measuring device 24 at a plurality of locations in the direction along the y axis, a plurality of beam detectors constituting the ion beam measuring device 26 may be arranged in the direction along the y axis. good. Alternatively, one or a plurality of beam detectors may be movable in the direction along the y axis.

偏差角度αを一箇所で測定する場合は、イオンビーム測定器２６の構成が簡単になり、偏差角度算出手段２８における演算も簡単になり、測定に要する時間も短くて済む。 When the deviation angle α is measured at one place, the configuration of the ion beam measuring device 26 is simplified, the calculation in the deviation angle calculating means 28 is simplified, and the time required for measurement can be shortened.

偏差角度αを複数箇所で測定する場合は、例えば、複数の偏差角度αの平均値を偏差角度算出手段２８または制御装置３０において求めて、その平均値の偏差角度αに基づいて制御装置３０において後述する配向ずれ角度βを求めれば良い。このようにすれば、偏差角度αがｙ軸に沿う方向において均一でない場合でも、配向ずれ角度βを平均的に解消することができるので、補正をより最適化することができる。 When measuring the deviation angle α at a plurality of locations, for example, the average value of the plurality of deviation angles α is obtained by the deviation angle calculating means 28 or the control device 30 and the control device 30 based on the deviation angle α of the average value. What is necessary is just to obtain | require the orientation shift | offset | difference angle (beta) mentioned later. In this way, even when the deviation angle α is not uniform in the direction along the y axis, the orientation deviation angle β can be eliminated on average, so that the correction can be further optimized.

開口を有するマスク板と、一列または格子状に配置された複数のファラデーカップと、当該ファラデーカップからの測定データを処理してビーム電流分布を求める演算処理器とを備えるイオンビーム分布検出装置が特開２００４−２０５２２３号公報に記載されており、それと同様のものを上記偏差角度測定装置２４に用いても良い。 An ion beam distribution detection device comprising a mask plate having openings, a plurality of Faraday cups arranged in a line or a grid, and an arithmetic processing unit that processes measurement data from the Faraday cups to obtain a beam current distribution. It is described in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-205223, and the same deviation angle measuring device 24 may be used.

この配向処理装置は、更に、配向膜付基板２を、その表面に立てた垂線に沿う軸を中心にして回転させる基板回転装置３８を備えている。より具体的にはこの実施形態では、配向膜付基板２を、その中心部３２の表面に立てた垂線３４上に位置する軸３６を中心にして回転させる基板回転装置３８を備えている。この基板回転装置３８は、例えば、可逆転式のものである。垂線３４および軸３６は、ｚ軸に実質的に平行である。 The alignment processing apparatus further includes a substrate rotating device 38 that rotates the alignment film-coated substrate 2 about an axis along a perpendicular line standing on the surface thereof. More specifically, in this embodiment, a substrate rotating device 38 that rotates the substrate with alignment film 2 around a shaft 36 positioned on a vertical line 34 standing on the surface of the central portion 32 is provided. The substrate rotating device 38 is, for example, a reversible type. The normal 34 and the axis 36 are substantially parallel to the z-axis.

この配向処理装置は、更に、偏差角度測定装置２４で測定した偏差角度αを用いて、当該偏差角度αを配向膜付基板２の表面に投影した角度である前記配向ずれ角度βを求め、かつ基板回転装置３８を制御して、配向ずれ角度βを小さくする方向に配向ずれ角度βに相当する角度（即ち配向ずれ角度βに等しい角度）だけ配向膜付基板２を回転させる機能を有している制御装置３０を備えている。例えば、偏差角度αが図１に示すようにイオンビーム１２の設計上の進行方向１４に対して反時計回り方向に生じている場合は、配向膜付基板２も矢印Ｆで示すように反時計回り方向に回転させる。 This alignment processing apparatus further obtains the alignment deviation angle β, which is an angle obtained by projecting the deviation angle α on the surface of the substrate 2 with alignment film, using the deviation angle α measured by the deviation angle measuring device 24, and The substrate rotating device 38 is controlled to have a function of rotating the alignment film-coated substrate 2 by an angle corresponding to the alignment shift angle β (that is, an angle equal to the alignment shift angle β) in the direction of decreasing the alignment shift angle β. The control device 30 is provided. For example, when the deviation angle α is generated in the counterclockwise direction with respect to the design traveling direction 14 of the ion beam 12 as shown in FIG. 1, the alignment film substrate 2 is also counterclockwise as indicated by the arrow F. Rotate around.

配向ずれ角度βの求め方の一例を、図１を参照して説明する。前記線１８が配向膜付基板２の表面およびイオン源１０の引出し面１１と交わる点を、それぞれＯ、Ｂとする。点Ｂを通りイオンビーム１２の設計上の進行方向１４および現実の進行方向１６が配向膜付基板２の表面と交わる点を、それぞれＡ、Ｃとする。△（三角形）ＯＡＢにおいて次式が成立する。ＯＡ、ＡＢは辺である（後述するＡＣも同様）。 An example of how to determine the orientation deviation angle β will be described with reference to FIG. The points where the line 18 intersects the surface of the substrate with alignment film 2 and the extraction surface 11 of the ion source 10 are O and B, respectively. The points where the design traveling direction 14 of the ion beam 12 and the actual traveling direction 16 of the ion beam 12 intersect with the surface of the alignment film-coated substrate 2 through the point B are denoted by A and C, respectively. In Δ (triangle) OAB, the following equation holds. OA and AB are sides (the same applies to AC described later).

［数１］
ＯＡ＝ＡＢ・ｃｏｓθ [Equation 1]
OA = AB · cos θ

△ＡＢＣにおいて次式が成立する。
［数２］
ＡＣ＝ＡＢ・ｔａｎα At ΔABC, the following equation is established.
[Equation 2]
AC = AB ・ tanα

△ＯＡＣにおいて次式が成立する。
［数３］
β＝ｔａｎ^-1（ＡＣ／ＯＡ） The following formula is established at ΔOAC.
[Equation 3]
β = tan ⁻¹ (AC / OA)

数３に数１、数２を代入して整理すると次式となる。
［数４］
β＝ｔａｎ^-1（ｔａｎα／ｃｏｓθ） Substituting Equations 1 and 2 into Equation 3 and rearranging results in the following equation.
[Equation 4]
β = tan ⁻¹ (tan α / cos θ)

偏差角度αは、上記偏差角度測定装置２４によって測定されて制御装置３０に与えられる。照射角度θは、イオン源１０をどの向きに固定したかによって分かっているので、その値が制御装置３０に設定される。これらα、θを用いて、制御装置３０は、上記数４またはそれと数学的に等価の式に従って、配向ずれ角度βを求める機能を有している。これによって、配向ずれ角度βを正確に求めることができる。更に制御装置３０は、基板回転装置３８を制御して、上記配向ずれ角度βに等しい角度だけ配向膜付基板２を上記方向に回転させる機能を有している。これによって、偏差角度αに起因する配向ずれ角度βを解消することができる。即ち、配向ずれ角度βを実質的に０にすることができる。 The deviation angle α is measured by the deviation angle measuring device 24 and given to the control device 30. Since the irradiation angle θ is known from which direction the ion source 10 is fixed, the value is set in the control device 30. Using these α and θ, the control device 30 has a function of obtaining the orientation deviation angle β according to the above equation 4 or an equation mathematically equivalent thereto. Thereby, the orientation deviation angle β can be accurately obtained. Further, the control device 30 has a function of controlling the substrate rotation device 38 to rotate the alignment film-coated substrate 2 in the above direction by an angle equal to the alignment deviation angle β. Thereby, the misalignment angle β caused by the deviation angle α can be eliminated. That is, the orientation shift angle β can be substantially zero.

配向ずれ角度βを解消した後の状態の一例の平面図を図２に示す。所望の配向処理方向２０と現実の配向処理方向２２とが一致していることが分かる。 FIG. 2 shows a plan view of an example of the state after the orientation deviation angle β is eliminated. It can be seen that the desired alignment processing direction 20 and the actual alignment processing direction 22 coincide.

なお、図面では、上記偏差角度α、配向ずれ角度βを、分かりやすくするために大きい角度で描いているが、実際は、両角度α、βは、後述する表１にも示すように、数度程度以下と小さいので、配向膜付基板２を図２に示すように回転させて配向ずれ角度βを解消しても、配向膜付基板２の処理に実質的に支障はない。 In the drawing, the deviation angle α and the orientation deviation angle β are depicted as large angles for easy understanding, but in reality, both angles α and β are several degrees as shown in Table 1 described later. Therefore, even if the alignment film-attached substrate 2 is rotated as shown in FIG. 2 to eliminate the misalignment angle β, there is no substantial problem in the processing of the alignment film-provided substrate 2.

また、配向膜付基板２を上記のように回転させる軸３６は、必ずしも配向膜付基板２の中心部３２を通っていなくても上記配向ずれ角度βを解消することはできるけれども、この実施形態のように配向膜付基板２の中心部３２を通っているものにするのが好ましい。そのようにすれば、配向膜付基板２を上記のように回転させても、配向膜付基板２の中心位置が元の中心位置からずれるのを防止することができる。 In addition, although the axis 36 for rotating the alignment film-coated substrate 2 as described above can eliminate the alignment shift angle β even if it does not necessarily pass through the center portion 32 of the alignment film-coated substrate 2, this embodiment Thus, it is preferable to pass through the center portion 32 of the alignment film-coated substrate 2. By doing so, it is possible to prevent the center position of the substrate with alignment film 2 from deviating from the original center position even if the substrate with alignment film 2 is rotated as described above.

以上のようにこの配向処理装置によれば、イオン源１０から引き出されるイオンビーム１２の設計上の進行方向１４と現実の進行方向１６との間に偏差角度αがあっても、当該偏差角度αに起因する、配向膜付基板２の表面での配向ずれ角度βを解消することができる。その結果、配向膜面内での液晶分子の配向方向が所望の配向方向からずれるのを防止することができる。従って例えば、液晶ディスプレイの表示品質の低下を防止することができる。 As described above, according to this orientation processing apparatus, even if there is a deviation angle α between the design traveling direction 14 of the ion beam 12 drawn from the ion source 10 and the actual traveling direction 16, the deviation angle α The misalignment angle β on the surface of the alignment film-provided substrate 2 due to the above can be eliminated. As a result, it is possible to prevent the alignment direction of the liquid crystal molecules in the alignment film plane from deviating from the desired alignment direction. Therefore, for example, it is possible to prevent a decrease in display quality of the liquid crystal display.

上記数４に従って配向ずれ角度βを計算した結果の一例を表１に示す。 Table 1 shows an example of the result of calculating the misalignment angle β according to the above equation 4.

この表１からも分かるように、０°＜θ≦２０°の場合は、配向ずれ角度βは偏差角度αに実質的に等しいので、制御装置３０は、上記数４に従って配向ずれ角度βを求める代わりに、β＝αに従って配向ずれ角度βを求める機能を有していても良い。そのようにすれば、配向ずれ角度βを簡単に求めることができる。 As can be seen from Table 1, when 0 ° <θ ≦ 20 °, the orientation deviation angle β is substantially equal to the deviation angle α. Therefore, the control device 30 obtains the orientation deviation angle β according to the above equation 4. Instead, it may have a function of obtaining the orientation deviation angle β according to β = α. By doing so, the misalignment angle β can be easily obtained.

ところで、配向膜付基板２に照射するイオンビーム１２の方向を表すものとして、更に、図３に例示するように、イオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影した方向と、配向膜付基板２の表面内の軸との間の角度である方位角度φというものがある。配向膜付基板２の表面内の軸には、図示例のように配向膜付基板２が矩形の場合は、中心部３２で互いに直交する長軸２ａと短軸２ｂとがある。上記方位角度φは、この例では長軸２ａとの間の角度であるが、短軸２ｂとの間の角度としても良い。配向膜付基板２が正方形の場合は、上記方位角度φは、中心部３２で互いに直交する二つの軸の内のいずれか一方の軸との間の角度である。図１は、方位角度φが０度の場合を示したものである。 By the way, as an example of the direction of the ion beam 12 irradiated to the alignment film-coated substrate 2, the design traveling direction 14 of the ion beam 12 is projected onto the surface of the alignment film-coated substrate 2 as illustrated in FIG. 3. There is an azimuth angle φ which is an angle between the measured direction and an axis in the surface of the substrate 2 with alignment film. When the substrate with alignment film 2 is rectangular as shown in the drawing, the axes within the surface of the substrate with alignment film 2 have a major axis 2a and a minor axis 2b that are orthogonal to each other at the central portion 32. The azimuth angle φ is an angle between the major axis 2a in this example, but may be an angle between the minor axis 2b. When the substrate with alignment film 2 is square, the azimuth angle φ is an angle between any one of two axes orthogonal to each other at the center portion 32. FIG. 1 shows a case where the azimuth angle φ is 0 degree.

上記方位角度φを調整することによって、液晶分子の長軸と配向膜付基板２の例えば長軸２ａとの成す角度を制御して、配向膜付基板２と液晶分子の配向方向との相対角度を制御することができる。そのためには、例えば、配向膜付基板２をその中心部３２を中心にして回転させれば良い。 By adjusting the azimuth angle φ, the angle formed between the major axis of the liquid crystal molecules and, for example, the major axis 2a of the substrate 2 with the alignment film is controlled, and the relative angle between the alignment film substrate 2 and the alignment direction of the liquid crystal molecules. Can be controlled. For this purpose, for example, the alignment film-coated substrate 2 may be rotated around its central portion 32.

上記基板回転装置３８が、この配向膜付基板２を回転させて方位角度φを調整する回転装置を兼ねていても良い。そのようにすれば、両者を兼ねている分、構成の簡素化および装置の小型化を図ることができる。 The substrate rotation device 38 may also serve as a rotation device that adjusts the azimuth angle φ by rotating the alignment film-coated substrate 2. By doing so, the structure can be simplified and the apparatus can be miniaturized as much as both.

方位角度φを調整するための配向膜付基板２の回転は、上記配向ずれ角度βを解消するための配向膜付基板２の回転の先に行っても良いし、後に行っても良いし、両者を併せて行っても良い。 The rotation of the substrate with alignment film 2 for adjusting the azimuth angle φ may be performed before or after the rotation of the substrate with alignment film 2 for eliminating the alignment deviation angle β. You may perform both together.

再び図１を参照して、配向処理装置は、配向膜付基板２を、上記イオンビーム１２の設計上の進行方向１４を配向膜付基板２の表面に投影したときの方向に、換言すれば上記所望の配向処理方向２０に沿う方向に（より具体的には配向処理方向２０に実質的に平行な方向に）搬送する基板搬送装置を更に備えていても良い。図中の矢印Ｄは、その基板搬送方向の一例を示す。この基板搬送方向Ｄは、この実施形態では、ｘ軸に実質的に平行な方向である。基板搬送方向Ｄを、図示例とは逆方向にしても良い（他の図においても同様）。 Referring again to FIG. 1, the alignment processing apparatus, in other words, the direction in which the design traveling direction 14 of the ion beam 12 is projected onto the surface of the alignment film-coated substrate 2, in other words, the alignment film-coated substrate 2. You may further provide the board | substrate conveyance apparatus which conveys in the direction in alignment with the said desired orientation process direction 20 (specifically, the direction substantially parallel to the orientation process direction 20). An arrow D in the figure shows an example of the substrate transport direction. In this embodiment, the substrate transport direction D is a direction substantially parallel to the x axis. The substrate transport direction D may be opposite to the illustrated example (the same applies to other drawings).

図４に、上記基板搬送装置の一例を示す。この基板搬送装置４０は、基板搬送方向Ｄに沿うレール４６と、このレール４６上を基板搬送方向Ｄに移動する移動テーブル４４と、この移動テーブル４４上に設けられていて配向膜付基板２を保持するホルダ４２とを備えている。そして、前記基板回転装置３８は、この基板搬送装置４０上に設けられている。より具体的には、基板回転装置３８は移動テーブル４４に固定されており、この基板回転装置３８の軸３６によってホルダ４２を配向膜付基板２と共に上記矢印Ｆ方向またはその逆方向Ｆ′に回転させるよう構成されている。 FIG. 4 shows an example of the substrate transfer apparatus. The substrate transfer device 40 includes a rail 46 along the substrate transfer direction D, a moving table 44 that moves on the rail 46 in the substrate transfer direction D, and the alignment film-attached substrate 2 provided on the moving table 44. The holder 42 to hold | maintain is provided. The substrate rotation device 38 is provided on the substrate transport device 40. More specifically, the substrate rotating device 38 is fixed to the moving table 44, and the holder 42 is rotated together with the alignment film-coated substrate 2 in the direction of arrow F or the opposite direction F ′ by the shaft 36 of the substrate rotating device 38. It is configured to let you.

上記のような基板搬送装置４０を備えていると、基板搬送装置４０によって配向膜付基板２を搬送しながらそれに配向処理を施すことができるので、大型の配向膜付基板２に対しても配向処理を施すことが容易になる。 When the substrate transfer apparatus 40 as described above is provided, the alignment process can be performed on the substrate 2 with the alignment film while being transferred by the substrate transfer apparatus 40. It becomes easy to perform processing.

但し、配向膜付基板２を上記のように搬送することは必須ではなく、配向膜付基板２を搬送しなくても、イオン源１０から引き出すイオンビーム１２の面積に応じて、配向膜付基板２に配向処理を施すことは可能である。必要に応じて、イオン源１０から引き出すイオンビーム１２の面積を大きくしても良い。 However, it is not essential to transport the alignment film-attached substrate 2 as described above, and the alignment film-provided substrate 2 can be used in accordance with the area of the ion beam 12 drawn from the ion source 10 without transferring the alignment film-attached substrate 2. It is possible to perform orientation treatment on 2. If necessary, the area of the ion beam 12 extracted from the ion source 10 may be increased.

なお、上記配向ずれ角度βを解消するためや、方位角度φを０度よりも大きくするために、配向膜付基板２をホルダ４２と共に上記のように回転させた場合は、ホルダ４２およびその上の配向膜付基板２は、基板搬送方向Ｄに対して角度を持った状態で搬送されることになるが、それを許容するスペースを考慮しておけば、特に支障はない。 When the substrate with alignment film 2 is rotated as described above together with the holder 42 in order to eliminate the misalignment angle β and to make the azimuth angle φ larger than 0 degree, the holder 42 and the top The alignment film-attached substrate 2 is transported at an angle with respect to the substrate transport direction D, but there is no particular problem if a space allowing it is taken into consideration.

また、イオン源１０から引き出すイオンビーム１２のｙ軸に沿う方向の寸法を、配向膜付基板２のｙ軸に沿う方向の寸法よりも大きくしておくことと、配向膜付基板２を上記のように搬送することとを併用しても良い。そのようにすれば、イオン源１０あるいは配向膜付基板２をｙ軸に沿う方向に移動させることや、イオンビーム１２をｙ軸に沿う方向に走査することを行わなくても、配向膜付基板２の全面に配向処理を施すことができる。従って、大型の配向膜付基板２の全面に配向処理を施すことが容易になる。 Further, the dimension in the direction along the y-axis of the ion beam 12 drawn from the ion source 10 is made larger than the dimension in the direction along the y-axis of the substrate with alignment film 2, and the substrate with alignment film 2 is Thus, it may be used in combination. By doing so, the substrate with the alignment film can be obtained without moving the ion source 10 or the substrate 2 with the alignment film in the direction along the y axis or scanning the ion beam 12 in the direction along the y axis. 2 can be subjected to orientation treatment. Therefore, it becomes easy to perform alignment treatment on the entire surface of the large substrate 2 with alignment film.

上記配向ずれ角度βを解消するためには、上記基板回転装置３８の代わりに、図５に示す配向処理装置のように、イオン源１０を、その中心部５２を通り、かつ前記△ＡＢＣを含む平面に垂直な軸５６を中心にして回転させるイオン源回転装置５８を設けても良い。この場合は、制御装置３０は、上記配向ずれ角度βを求める機能を有している必要はなく、イオン源回転装置５８を制御して、偏差角度測定装置２４で測定した上記偏差角度αを小さくする方向に（即ち矢印Ｇに示すように偏差角度αと反対方向に）偏差角度αだけイオン源１０を回転させる機能を有していれば良い。 In order to eliminate the misalignment angle β, instead of the substrate rotation device 38, the ion source 10 is passed through the central portion 52 and includes the ΔABC as in the alignment processing device shown in FIG. An ion source rotating device 58 that rotates about an axis 56 perpendicular to the plane may be provided. In this case, the control device 30 does not need to have a function of obtaining the orientation deviation angle β, and controls the ion source rotating device 58 to reduce the deviation angle α measured by the deviation angle measuring device 24. It is only necessary to have a function of rotating the ion source 10 by the deviation angle α in the direction of movement (that is, in the direction opposite to the deviation angle α as indicated by the arrow G).

イオン源１０を上記のように回転させることによって、偏差角度αを解消することができる。その結果、配向ずれ角度βを解消することができる。 The deviation angle α can be eliminated by rotating the ion source 10 as described above. As a result, the orientation shift angle β can be eliminated.

この発明に係る配向処理装置の一実施形態を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows one Embodiment of the orientation processing apparatus which concerns on this invention. 配向ずれ角度を解消した後の状態の一例を示す平面図である。It is a top view showing an example of a state after canceling an orientation shift angle. 方位角度を０度以外にしたときの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example when an azimuth angle is made into other than 0 degree | times. 基板搬送装置の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of a board | substrate conveyance apparatus. 基板回転装置の代わりにイオン源回転装置を設けた配向処理装置の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the orientation processing apparatus which provided the ion source rotation apparatus instead of the substrate rotation apparatus. 従来の配向処理装置の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the conventional orientation processing apparatus. 配向ずれ角度が生じている状態の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example in the state where the orientation shift angle has arisen. 配向膜付基板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the board | substrate with an alignment film.

符号の説明Explanation of symbols

２配向膜付基板
１０イオン源
１２イオンビーム
１４設計上の進行方向
１６現実の進行方向
２０所望の配向処理方向
２２現実の配向処理方向
２４偏差角度測定装置
３０制御装置
３８基板回転装置
４０基板搬送装置
α 偏差角度
β 配向ずれ角度
θ 照射角度
φ 方位角度 DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Substrate with alignment film 10 Ion source 12 Ion beam 14 Designed traveling direction 16 Actual traveling direction 20 Desired orientation processing direction 22 Actual orientation processing direction 24 Deviation angle measuring device 30 Controller 38 Substrate rotating device 40 Substrate transport device α Deviation angle β Orientation deviation angle θ Irradiation angle φ Azimuth angle

Claims

イオンビームの進行方向と配向膜付基板の表面との間の角度を照射角度と呼ぶと、イオン源から引き出されたイオンビームを配向膜付基板の表面に所定の照射角度で照射して、配向膜付基板の配向膜に配向処理を施す配向処理装置において、
前記照射角度が属する平面と交差しておりかつ前記イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向を含む平面内における角度であって、前記イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向と現実の進行方向との差である偏差角度を測定する偏差角度測定装置と、
前記配向膜付基板を、当該配向膜付基板の表面に立てた垂線に沿う軸を中心にして回転させる基板回転装置と、
前記偏差角度測定装置で測定した前記偏差角度を用いて、当該偏差角度を前記配向膜付基板の表面に投影した角度である配向ずれ角度を求め、かつ前記基板回転装置を制御して、当該配向ずれ角度を小さくする方向に当該配向ずれ角度に相当する角度だけ前記配向膜付基板を回転させる機能を有している制御装置とを備えていることを特徴とする配向処理装置。 When the angle between the traveling direction of the ion beam and the surface of the substrate with the alignment film is called an irradiation angle, the surface of the substrate with the alignment film is irradiated with the ion beam extracted from the ion source at a predetermined irradiation angle. In an alignment processing apparatus for performing an alignment process on an alignment film of a substrate with a film,
An angle within a plane that intersects the plane to which the irradiation angle belongs and includes a design travel direction of the ion beam extracted from the ion source, and a design travel direction of the ion beam extracted from the ion source A deviation angle measuring device for measuring a deviation angle which is a difference between the actual traveling direction and
A substrate rotating device for rotating the substrate with an alignment film about an axis along a perpendicular line standing on a surface of the substrate with the alignment film;
Using the deviation angle measured by the deviation angle measuring device, an alignment deviation angle that is an angle obtained by projecting the deviation angle onto the surface of the substrate with the alignment film is obtained, and the substrate rotating device is controlled to perform the alignment. An alignment processing apparatus comprising: a control device having a function of rotating the substrate with alignment film by an angle corresponding to the alignment shift angle in a direction of decreasing the shift angle.

前記偏差角度測定装置は、前記イオン源から引き出されるイオンビームの現実の進行方向を測定するイオンビーム測定器と、当該イオンビーム測定器で測定したイオンビームの現実の進行方向および前記イオン源から引き出されるイオンビームの設計上の進行方向に基づいて前記偏差角度を算出する偏差角度算出手段とを有しており、当該偏差角度算出手段は前記制御装置内に含まれている請求項１記載の配向処理装置。 The deviation angle measuring device includes an ion beam measuring device that measures an actual traveling direction of an ion beam extracted from the ion source, an actual traveling direction of the ion beam measured by the ion beam measuring device, and the ion beam extracted from the ion source. 2. The orientation according to claim 1, further comprising: a deviation angle calculation unit that calculates the deviation angle based on a design traveling direction of the ion beam to be generated, and the deviation angle calculation unit is included in the control device. Processing equipment.

前記照射角度をθ、前記偏差角度をα、前記配向ずれ角度をβとすると、前記制御装置は、
β＝ｔａｎ^-1（ｔａｎα／ｃｏｓθ）
なる式またはそれと数学的に等価の式に従って配向ずれ角度βを求める機能を有している請求項１または２記載の配向処理装置。 When the irradiation angle is θ, the deviation angle is α, and the orientation deviation angle is β, the control device
β = tan ⁻¹ (tan α / cos θ)
The alignment processing apparatus according to claim 1, wherein the alignment processing apparatus has a function of obtaining an alignment deviation angle β according to the following equation or an equation mathematically equivalent thereto.

前記照射角度が０度よりも大きく２０度以下の場合に、前記偏差角度をα、前記配向ずれ角度をβとすると、前記制御装置は、β＝αに従って配向ずれ角度βを求める機能を有している請求項１または２記載の配向処理装置。 When the irradiation angle is greater than 0 degree and 20 degrees or less, the control device has a function of obtaining the orientation deviation angle β according to β = α, where α is the deviation angle and β is the orientation deviation angle. The alignment processing apparatus according to claim 1 or 2.

前記基板回転装置は、前記配向膜付基板をその中心部を中心にして回転させて、前記イオンビームの設計上の進行方向を配向膜付基板の表面に投影した方向と、前記配向膜付基板の表面内の軸との間の角度である方位角度を調整する回転装置を兼ねている請求項１ないし４のいずれかに記載の配向処理装置。 The substrate rotating device rotates the substrate with an alignment film around its central portion, and projects a direction in which the ion beam design travels onto the surface of the substrate with an alignment film; and the substrate with an alignment film The orientation processing apparatus according to claim 1, which also serves as a rotating device that adjusts an azimuth angle that is an angle between the surface and the axis in the surface.

前記配向膜付基板を、前記イオンビームの設計上の進行方向を配向膜付基板の表面に投影したときの方向に沿う方向に搬送する基板搬送装置を更に備えていて、前記基板回転装置は、この基板搬送装置上に設けられている請求項１ないし５のいずれかに記載の配向処理装置。 The substrate rotation device further comprises a substrate transfer device that transfers the alignment film-coated substrate in a direction along a direction when the traveling direction in the design of the ion beam is projected onto the surface of the alignment film-coated substrate, The alignment processing apparatus according to claim 1, wherein the alignment processing apparatus is provided on the substrate transfer apparatus.