JP4925881B2 - Through-hole filling method - Google Patents

Through-hole filling method Download PDF

Info

Publication number
JP4925881B2
JP4925881B2 JP2007076184A JP2007076184A JP4925881B2 JP 4925881 B2 JP4925881 B2 JP 4925881B2 JP 2007076184 A JP2007076184 A JP 2007076184A JP 2007076184 A JP2007076184 A JP 2007076184A JP 4925881 B2 JP4925881 B2 JP 4925881B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
hole
recess
substrate
filling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007076184A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008235755A (en
Inventor
隆啓 杉山
晋一 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
Priority to JP2007076184A priority Critical patent/JP4925881B2/en
Publication of JP2008235755A publication Critical patent/JP2008235755A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4925881B2 publication Critical patent/JP4925881B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、基板に形成したスルーホールに金属を充填し、ボイド等のないビアを形成するスルーホールフィリング方法に関する。   The present invention relates to a through-hole filling method in which a through-hole formed in a substrate is filled with metal to form a via without voids.

プリント基板やセラミック基板などからなる基板に形成されたスルーホールやブラインドビアホールを金属で充填する方法として、基板表面に導電化処理を施し、その後メッキ法によって、スルーホール内やブラインドビアホール内にメッキ金属を充填するビアフィリング方法が種々提案されている。   As a method of filling through holes and blind via holes formed on printed circuit boards and ceramic substrates with metal, the substrate surface is subjected to conductive treatment, and then plated metal is plated in the through holes and blind via holes by plating. Various via filling methods have been proposed.

しかしながら、スルーホール内をメッキ金属で充填する際には、スルーホール内に析出するメッキ金属の厚さが必ずしも均一とはならず、ボイドが形成されやすくなる。そのため、アスペクト比が１を越えるスルーホールを電解メッキ法により充填することは非常に困難であった。   However, when the through hole is filled with the plating metal, the thickness of the plating metal deposited in the through hole is not necessarily uniform, and voids are easily formed. Therefore, it has been very difficult to fill through holes having an aspect ratio exceeding 1 by electrolytic plating.

図５は従来提案されているブラインドビアホールのフィリング方法の説明図である。裏面に銅箔が貼り付けられている厚さ６０μｍのエポキシ樹脂からなる基板２０に対し、最も効率的に穴埋めを行うため、直径８０〜１００μｍのブラインドビアホール２１を形成する（図５Ａ）。この後、無電解銅メッキを行い、基板２０表面及びブラインドビアホール２１内壁に、無電解銅メッキ層２２を形成する。その後、この無電解銅メッキ層２２を電極として使用して電解メッキ法により、ブラインドビアホール２１内が電解銅メッキ層２３で充填される（特許文献１参照）。このようなブラインドビアホールフィリング方法において、アスペクト比が１を越える場合には電解メッキ法により充填することは非常に困難であることが知られている。   FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventionally proposed blind via hole filling method. A blind via hole 21 having a diameter of 80 to 100 μm is formed in the substrate 20 made of an epoxy resin having a thickness of 60 μm with a copper foil attached to the back surface in order to perform the most efficient hole filling (FIG. 5A). Thereafter, electroless copper plating is performed to form an electroless copper plating layer 22 on the surface of the substrate 20 and the inner wall of the blind via hole 21. Thereafter, the inside of the blind via hole 21 is filled with the electrolytic copper plating layer 23 by electrolytic plating using the electroless copper plating layer 22 as an electrode (see Patent Document 1). In such a blind via hole filling method, when the aspect ratio exceeds 1, it is known that it is very difficult to fill by an electrolytic plating method.

一方、図６は従来提案されているスルーホールのフィリング方法の説明図である。厚さ３００μｍの基板３０に直径が１ｍｍ以下のスルーホール３１を形成する。この後、基板３０表面及びスルーホール３１内壁に金属薄膜３２を形成し（図６Ａ）、促進剤や抑制剤を含まないメッキ液を用い、基板３０の一方の面側の電流密度と他方の面側の電流密度を異ならせて電解メッキを行う。その結果、スルーホール３１の高電流密度の面がメッキ金属３３で塞がれる（図６Ｂ）。その後、開口する面側の電流密度を高くし、メッキ金属３３で塞がれた面側の電流密度を低くして、促進剤や抑制剤を含むメッキ液で電解メッキを行う。このようにすることにより、スルーホール３１内にメッキ金属３３を充填することが可能となる（図６Ｃ）（特許文献２参照）。
特開２００１−２００３８６号公報 特開２００６−１１１８９６号公報 On the other hand, FIG. 6 is an explanatory view of a conventionally proposed through hole filling method. A through hole 31 having a diameter of 1 mm or less is formed in a substrate 30 having a thickness of 300 μm. Thereafter, a metal thin film 32 is formed on the surface of the substrate 30 and the inner wall of the through-hole 31 (FIG. 6A), and a plating solution containing no accelerator or inhibitor is used. Electroplating is performed with different current densities on the sides. As a result, the surface with high current density of the through hole 31 is blocked with the plated metal 33 (FIG. 6B). Thereafter, the current density on the surface side to be opened is increased, the current density on the surface side blocked with the plating metal 33 is decreased, and electrolytic plating is performed with a plating solution containing an accelerator and an inhibitor. In this way, the plated metal 33 can be filled in the through hole 31 (FIG. 6C) (see Patent Document 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-200386 JP 2006-111896 A

従来のスルーホールのフィリング方法は、２種類のメッキ液を使用したり、メッキ工程の途中で電流密度を反転させるなど、簡便な方法ではなかった。またアスペクト比が１を越えるスルーホール内をメッキ金属で充填することが難しいという問題があった。さらに、ブラインドビアホールのフィリング方法においても、アスペクト比が１を越えると、その内部をメッキ金属で充填することが難しくなることが知られている。   The conventional through-hole filling method is not a simple method such as using two types of plating solutions or inverting the current density during the plating process. Further, there is a problem that it is difficult to fill a through hole with an aspect ratio exceeding 1 with a plated metal. Further, in the method of filling blind via holes, it is known that when the aspect ratio exceeds 1, it becomes difficult to fill the inside with plating metal.

本発明は上記問題点を解消し、アスペクト比の高いビアを簡便に形成することができるスルーホールフィリング方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a through-hole filling method capable of solving the above problems and easily forming a via having a high aspect ratio.

上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、前記スルーホール内に誘電体を充填する工程と、前記基板の一方の面から前記スルーホール内に充填した前記誘電体の一部を除去し、第１の凹部を形成する工程と、該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る前記誘電体を除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 of the present application is a through hole filling method for filling a metal in a through hole formed in a substrate, a step of filling a dielectric in the through hole, Removing a part of the dielectric filled in the through-hole from one surface to form a first recess, filling the first recess with a first metal, and the substrate Removing the dielectric remaining in the through hole from the other surface of the substrate, forming a second recess exposing the first metal at the bottom, and a second metal in the second recess And filling the through-hole with the first metal and the second metal.

本願請求項２に係る発明は、基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、前記スルーホール内にフォトレジストあるいは感光性ポリイミドを充填する工程と、前記基板の一方あるいは他方の面から前記フォトレジストあるいは前記感光性ポリイミドを露光し、該露光の結果生じた溶解度の差を利用して、前記フォトレジストあるいは前記感光性ポリイミドの一部を除去し、前記第１の凹部を形成する工程と、該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る前記フォトレジストあるいは前記感光性ポリイミドを除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とする。   The invention according to claim 2 of the present invention is a through-hole filling method for filling a metal in a through-hole formed in a substrate, a step of filling the through-hole with a photoresist or a photosensitive polyimide, and one or the other of the substrates The photoresist or the photosensitive polyimide is exposed from the surface, and a part of the photoresist or the photosensitive polyimide is removed using the difference in solubility generated as a result of the exposure, and the first recess is formed. Forming, filling the first concave portion with the first metal, removing the photoresist or the photosensitive polyimide remaining in the through hole from the other surface of the substrate, and A step of forming a second recess exposing the first metal, and a step of filling the second recess with the second metal. Wherein the filling Horu by said second metal as the first metal.

本願請求項３に係る発明は、基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、前記スルーホール内にネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドを充填する工程と、該スルーホール内に充填された前記ネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドの一部が露光され、未露光部の前記ネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドを除去することにより、少なくとも前記基板の一方の面に開口する第１の凹部を形成する工程と、該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る露光された前記ネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドを除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とする。   The invention according to claim 3 of the present application is a through hole filling method for filling a metal in a through hole formed in a substrate, a step of filling a negative photoresist or a negative polyimide in the through hole, A portion of the negative photoresist or negative polyimide filled in is exposed and the unexposed portion of the negative photoresist or negative polyimide is removed to open at least one surface of the substrate. A step of forming one recess, a step of filling the first recess with a first metal, and the exposed negative photoresist or negative type remaining in the through hole from the other surface of the substrate. Removing the polyimide and forming a second recess exposing the first metal at the bottom; and second inside the second recess. And a step of filling in the genus, characterized by filling said through hole by said second metal as the first metal.

本願請求項４に係る発明は、基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、前記スルーホール内に、液状誘電体を充填させた後、該充填された前記液状誘電体を加熱することにより、体積が減少した誘電体を前記スルーホール内に残し、少なくとも前記基板の一方の面に開口する第１の凹部を形成する工程と、該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る前記誘電体を除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the through hole filling method of filling a metal in a through hole formed in a substrate, the liquid dielectric is filled in the through hole, and then the filled liquid dielectric Is heated to leave a dielectric having a reduced volume in the through hole, and a first recess is formed in at least one surface of the substrate, and the first recess is formed in the first recess. Filling with metal, removing the dielectric remaining in the through-hole from the other surface of the substrate, forming a second recess exposing the first metal at the bottom, and the second Filling the inside of the recess with a second metal, and filling the through hole with the first metal and the second metal.

本願請求項５に係る発明は、請求項１乃至４いずれかに記載のスルーホールフィリング方法において、前記第１の凹部内を前記第１の金属で充填する工程は、前記第１の凹部を形成した後、前記基板の一方の面表面と前記第１の凹部内を第３の金属からなる膜で被覆した後、電解メッキ法により前記第１の凹部内に前記第４の金属を析出させる工程からなり、前記第２の凹部内を前記第２の金属で充填する工程は、前記第２の凹部を形成した後、前記基板の他方の面表面と前記第２の凹部内を第５の金属からなる膜で被覆した後、電解メッキ法により前記第２の凹部内に前記第６の金属を析出させる工程からなることを特徴とする。   The invention according to claim 5 of the present application is the through hole filling method according to any one of claims 1 to 4, wherein the step of filling the first recess with the first metal forms the first recess. Then, after coating the surface of one surface of the substrate and the inside of the first recess with a film made of a third metal, the fourth metal is deposited in the first recess by electrolytic plating. And the step of filling the second recess with the second metal comprises forming the second recess and then forming the fifth metal on the other surface of the substrate and the second recess. And a step of depositing the sixth metal in the second recess by an electrolytic plating method.

本願請求項６に係る発明は、請求項５記載のスルーホールフィリング方法において、前記基板の一方の面及び他方の面の表面を被覆する前記第３の金属、前記第４の金属、前記第５の金属及び前記第６の金属を除去し、前記基板表面を露出する工程を含むことを特徴とする。   The invention according to claim 6 of the present application is the through hole filling method according to claim 5, wherein the third metal, the fourth metal, and the fifth metal covering the surfaces of the one surface and the other surface of the substrate are provided. And removing the metal and the sixth metal to expose the substrate surface.

本発明のスルーホールフィリング方法は、スルーホールの深さのほぼ半分の位置に金属膜を形成することで、アスペクト比が比較的小さい２つのブラインドビアホールを形成し、そのぞれぞれの内部に金属を充填する構成となっている。それぞれのブラインドビアホールは、アスペクト比が比較的小さいので、穴埋め性が低下することはなく、その内部に効率よく金属を充填することができる。その結果、スルーホール全体でも穴埋め性が低下することはなく、スルーホール全体を金属で充填したビアを形成することができる。   In the through-hole filling method of the present invention, two blind via holes having a relatively small aspect ratio are formed by forming a metal film at a position approximately half the depth of the through-hole, and the inside of each of them is formed. The structure is filled with metal. Since each blind via hole has a relatively small aspect ratio, the filling performance does not deteriorate, and the inside can be efficiently filled with metal. As a result, the fillability of the entire through hole is not lowered, and a via in which the entire through hole is filled with metal can be formed.

特にアスペクト比が１．０を越えるスルーホールの場合、穴埋め性を低下させることなく、効率よく金属を充填することができるので、効果が大きい。   In particular, in the case of a through hole having an aspect ratio exceeding 1.0, the metal can be filled efficiently without deteriorating the filling property, so that the effect is great.

本発明の方法は、メッキ法によりスルーホール内部全体に金属を充填することができるため、スルーホール側壁と充填した金属（メッキ金属）との密着性が良く、熱伝導性の優れたビアを形成することができ、サーマルビアとして好適となる。また、導電性に優れているため、接地用ビアとしても好適となる。   According to the method of the present invention, the entire inside of the through hole can be filled with a plating method, so that the adhesion between the side wall of the through hole and the filled metal (plating metal) is good, and a via having excellent thermal conductivity is formed. This is suitable as a thermal via. Moreover, since it is excellent in conductivity, it is also suitable as a grounding via.

以下、本発明のスルーホールフィリング方法について詳細に説明する。本発明のスルーホールフィリング方法は、まず、スルーホールの深さの所望の位置に、金属膜を形成し、ブラインドビアホールを形成する。その結果、スルーホール両端それぞれに、アスペクト比の小さいブラインドビアホールが形成される。通常、アスペクト比が１．０を越えないのブラインドビアホールは、穴埋め性が良く、金属を充填することができるので、スルーホール両端それぞれに、アスペクト比が１．０を越えない程度のブラインドビアホールを形成するのが好ましい。   Hereinafter, the through-hole filling method of the present invention will be described in detail. In the through-hole filling method of the present invention, first, a metal film is formed at a desired position in the depth of the through-hole to form a blind via hole. As a result, blind via holes having a small aspect ratio are formed at both ends of the through hole. Normally, a blind via hole having an aspect ratio not exceeding 1.0 has a good filling property and can be filled with metal. Therefore, a blind via hole having an aspect ratio not exceeding 1.0 is provided at each end of the through hole. Preferably formed.

その後、通常の方法により、それぞれのブラインドビアホール内に金属を充填する。それぞれのブラインドビアホールは、穴埋め性良く金属が充填されるので、スルーホール全体として、穴埋め性良く金属が充填される。以下、実施例について詳細に説明する。   Thereafter, each blind via hole is filled with metal by a normal method. Since each blind via hole is filled with a metal with good fillability, the entire through hole is filled with metal with good fillability. Hereinafter, examples will be described in detail.

図１は本発明の第１の実施例の説明図である。まず、スルーホール２が形成されたセラミックスからなる基板１上に、ポジ型フォトレジストからなる誘電体３を載置する（図１Ａ）。次に、レジスト塗布用のスキージ４を用いて、基板１表面に誘電体３を塗布する（図１Ｂ）。このとき粘度の高い（例えば９００ＣＰ程度）フォトレジストを用いると、基板１のスルーホール２の裏面側から誘電体３が流れ出すことはなく、スルーホール２内部が誘電体３で充填される（図１Ｃ）。   FIG. 1 is an explanatory diagram of a first embodiment of the present invention. First, a dielectric 3 made of a positive photoresist is placed on a substrate 1 made of ceramic in which a through hole 2 is formed (FIG. 1A). Next, a dielectric 3 is applied to the surface of the substrate 1 using a resist coating squeegee 4 (FIG. 1B). At this time, if a photoresist having a high viscosity (for example, about 900 CP) is used, the dielectric 3 does not flow out from the back surface side of the through hole 2 of the substrate 1, and the inside of the through hole 2 is filled with the dielectric 3 (FIG. 1C). ).

次に、基板１の一方の面から、紫外線を照射し、フォトレジストを露光させる（図１Ｄ）。ここでフォトレジストは、所定の深さ（スルーホール２のほぼ半分の深さ）まで露光されるように、露光量を調整する。その後、フォトレジストの現像液を用いて、露光したフォトレジストを除去し、第１の凹部５を形成する（図１Ｅ）。このように誘電体３として、ポジ型フォトレジストを用いると、通常の露光、現像によって、所定の深さの第１の凹部５を形成することができる。なお、フォトレジストを除去する方法は、ドライエッチング法によることも可能である。またポジ型フォトレジストの代わりに、他の誘電体を用いても良い。例えば、ネガ型フォトレジストを用いる場合、露光によりネガ型フォトレジストは現像液に対して難溶性となるので、未露光部分のネガ型フォトレジストが除去されることになる。つまり、図１（Ｅ）の基板１の表面側のスルーホール内に露光されたネガ型フォトレジストが残ることになる。フォトレジストの代わりに感光性ポリイミドを用いることもできる。さらに感光性のないポリイミドであってもよい。このように形成された第１の凹部５は、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。   Next, ultraviolet light is irradiated from one surface of the substrate 1 to expose the photoresist (FIG. 1D). Here, the exposure amount is adjusted so that the photoresist is exposed to a predetermined depth (approximately half the depth of the through hole 2). Thereafter, the exposed photoresist is removed using a photoresist developer to form a first recess 5 (FIG. 1E). As described above, when a positive photoresist is used as the dielectric 3, the first concave portion 5 having a predetermined depth can be formed by normal exposure and development. Note that a method of removing the photoresist can be performed by a dry etching method. Other dielectrics may be used instead of the positive type photoresist. For example, when a negative photoresist is used, the negative photoresist is hardly soluble in the developer by exposure, and therefore, the unexposed portion of the negative photoresist is removed. That is, the exposed negative photoresist remains in the through hole on the surface side of the substrate 1 in FIG. Photosensitive polyimide can also be used in place of the photoresist. Furthermore, non-photosensitive polyimide may be used. The first recess 5 thus formed has a structure similar to that of a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less.

次に、第１の凹部５が形成された基板１表面及び第１の凹部５内（側壁及び底面）を被覆するように、約０．５μｍの第１の給電用金属膜６（第３の金属からなる膜に相当）を形成する（図１Ｆ）。この第１の給電用金属膜６は、第１の凹部５の側壁全面を被覆するように形成する必要があるので、スパッタ法により形成するのが好ましい。なお、第１の凹部５の側壁全面を被覆することができれば、無電解メッキ法、蒸着法などによって形成しても良い。   Next, the first power supply metal film 6 (the third metal film 6) having a thickness of about 0.5 μm is formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the first recess 5 is formed and the inside of the first recess 5 (side wall and bottom surface). (Corresponding to a film made of metal) is formed (FIG. 1F). Since the first power supply metal film 6 needs to be formed so as to cover the entire side wall of the first recess 5, it is preferably formed by a sputtering method. In addition, as long as the whole side wall of the 1st recessed part 5 can be coat | covered, you may form by the electroless-plating method, a vapor deposition method, etc.

その後、第１の給電用金属膜６を形成した面の裏面側から、誘電体３を全て除去し、第２の凹部７を形成する（図１Ｇ）。この第２の凹部７も、第１の凹部５同様、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。次に、第２の凹部７を形成した基板１表面及び第２の凹部７内（側壁及び底面）を被覆するように、先に形成した第１の給電用金属膜６同様、約０．５μｍの第２の給電用金属膜８（第５の金属からなる膜に相当）を形成する（図１Ｈ）。   Thereafter, all of the dielectric 3 is removed from the back surface side of the surface on which the first power supply metal film 6 is formed, and a second recess 7 is formed (FIG. 1G). Similarly to the first recess 5, the second recess 7 has the same structure as a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less. Next, like the first power supply metal film 6 previously formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the second recess 7 is formed and the inside of the second recess 7 (side wall and bottom surface), about 0.5 μm. The second power supply metal film 8 (corresponding to a film made of the fifth metal) is formed (FIG. 1H).

次に、基板１を支持用治具９に貼り付け、第１の給電用金属膜６を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第１のメッキ層１０（第４の金属からなる膜に相当）を形成する。第１の凹部５はアスペクト比が１以下なので、この第１のメッキ層１０と先に形成した第１の給電用金属膜６によって、第１の凹部５は充填される構造となる（図１Ｉ）。次に、第１のメッキ層１０が形成された面に支持用治具９を貼り付け直して、第２の給電用金属膜８を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第２のメッキ層１１（第６の金属からなる膜に相当）を形成する。第２の凹部７はアスペクト比が１以下なので、この第２のメッキ層１１と先に形成した第２の給電用金属膜８によって、第２の凹部７は充填される構造となる（図１Ｊ）。 Next, the substrate 1 is affixed to the supporting jig 9, and the first power supply metal film 6 is used as an electrode to perform copper electroplating, and the first plating layer 10 (film made of the fourth metal). Equivalent). Since the first recess 5 has an aspect ratio of 1 or less, the first recess 5 is filled with the first plating layer 10 and the first metal film 6 for power supply formed in advance (FIG. 1I). ). Next, the supporting jig 9 is reattached to the surface on which the first plating layer 10 is formed, and the second power supply metal film 8 is used as an electrode to perform electrolytic plating of copper. A plating layer 11 (corresponding to a film made of a sixth metal) is formed. Since the second recess 7 has an aspect ratio of 1 or less, the second recess 7 is filled with the second plating layer 11 and the previously formed second power supply metal film 8 (FIG. 1J). ).

支持用治具９を除去した基板１を図１（Ｋ）に示す。図に示すように基板１の両面には、第１、第２のメッキ層１０、１１及び第１、第２の給電用金属膜６、８が形成されているので、これらを除去するため、基板１両面を研磨し、基板１の両面を露出させ、ビア１２を備えた基板１が完成する（図１Ｌ）。   The substrate 1 from which the supporting jig 9 has been removed is shown in FIG. As shown in the figure, the first and second plating layers 10 and 11 and the first and second power supply metal films 6 and 8 are formed on both surfaces of the substrate 1. Both surfaces of the substrate 1 are polished to expose both surfaces of the substrate 1 to complete the substrate 1 provided with the vias 12 (FIG. 1L).

次に第２の実施例について説明する。まず、スルーホール２が形成されたセラミックスからなる基板１上に、第１の実施例と異なりネガ型感光性ポリイミドからなる誘電体３を載置する（図２Ａ）。次に第１の実施例同様、スキージ４を用いて、基板１表面に誘電体３を塗布する（図２Ｂ）。このとき粘度の高いポリイミドを用いると、基板１のスルーホール２の裏面側から誘電体３が流れ出すことはなく、スルーホール２内部が誘電体３で充填される（図２Ｃ）。   Next, a second embodiment will be described. First, unlike the first embodiment, a dielectric 3 made of negative photosensitive polyimide is placed on a substrate 1 made of ceramics in which a through hole 2 is formed (FIG. 2A). Next, as in the first embodiment, the dielectric 3 is applied to the surface of the substrate 1 using the squeegee 4 (FIG. 2B). If polyimide with high viscosity is used at this time, the dielectric 3 does not flow out from the back surface side of the through hole 2 of the substrate 1, and the inside of the through hole 2 is filled with the dielectric 3 (FIG. 2C).

次に、基板１の一方の面から、レーザ光を照射し、ポリイミドを感光させる（図２Ｄ）。ここで、所定の深さ（スルーホール２のほぼ半分の深さ）のポリイミドが感光するように、レーザ光の焦点を設定する。その結果、スルーホール２のほぼ半分の深さのポリイミドのみが感光して硬化するが、その他の部分のポリイミドは感光しないので、硬化しないことになる。その後、リムーバーを用いて、感光していないポリイミドを除去すると、スルーホール２のほぼ半分の深さの位置に、厚さ１０μｍ程度のブリッジ状の誘電体３が残され、その両端に凹部が形成される（図２Ｅ）。ここで、その一方の凹部を第１の凹部５とする。この第１の凹部５は、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。なお、ネガ型感光性ポリイミドの代わりに、ネガ型フォトレジストを用いることもできる。   Next, laser light is irradiated from one surface of the substrate 1 to expose the polyimide (FIG. 2D). Here, the focal point of the laser beam is set so that polyimide having a predetermined depth (approximately half the depth of the through hole 2) is exposed. As a result, only the polyimide having a depth approximately half of the through hole 2 is exposed and cured, but the other portions of the polyimide are not exposed and are not cured. Thereafter, when the unexposed polyimide is removed using a remover, a bridge-like dielectric 3 having a thickness of about 10 μm is left at a position about half the depth of the through hole 2, and concave portions are formed at both ends thereof. (FIG. 2E). Here, one of the recesses is referred to as a first recess 5. The first recess 5 has the same structure as a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less. A negative photoresist can be used instead of the negative photosensitive polyimide.

次に、第１の凹部５が形成された基板１表面及び第１の凹部５内（側壁及び底面）を被覆するように、約０．５μｍの第１の給電用金属膜６（第３の金属からなる膜に相当）を形成する（図２Ｆ）。この第１の給電用金属膜６は、第１の凹部５の側壁全面を被覆するように形成する必要があるので、スパッタ法により形成するのが好ましい。なお、第１の凹部５の側壁全面を被覆することができれば、無電解メッキ法、蒸着法などによって形成しても良い。   Next, the first power supply metal film 6 (the third metal film 6) having a thickness of about 0.5 μm is formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the first recess 5 is formed and the inside of the first recess 5 (side wall and bottom surface). (Corresponding to a film made of metal) is formed (FIG. 2F). Since the first power supply metal film 6 needs to be formed so as to cover the entire side wall of the first recess 5, it is preferably formed by a sputtering method. In addition, as long as the whole side wall of the 1st recessed part 5 can be coat | covered, you may form by the electroless-plating method, a vapor deposition method, etc.

その後、第１の給電用金属膜６を形成した面の裏面側から、スルーホール内に残る誘電体３を除去し、第２の凹部７を形成する（図２Ｇ）。ここで、感光して硬化したポリイミドあるいはフォトレジストは、ドライエッチングまたはヒドラジン系エッチャントを用いたウエットエッチングにより除去することができる。この第２の凹部７も、第１の凹部５同様、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。次に、第２の凹部７を形成した基板１表面及び第２の凹部７内（側壁及び底面）を被覆するように、先に形成した第１の給電用金属膜６同様、約０．５μｍの第２の給電用金属膜８（第５の金属からなる膜に相当）を形成する（図２Ｈ）。   Thereafter, the dielectric 3 remaining in the through hole is removed from the back surface side of the surface on which the first power supply metal film 6 is formed, and a second recess 7 is formed (FIG. 2G). Here, the polyimide or photoresist cured by exposure to light can be removed by dry etching or wet etching using a hydrazine-based etchant. Similarly to the first recess 5, the second recess 7 has the same structure as a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less. Next, like the first power supply metal film 6 previously formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the second recess 7 is formed and the inside of the second recess 7 (side wall and bottom surface), about 0.5 μm. A second power supply metal film 8 (corresponding to a film made of a fifth metal) is formed (FIG. 2H).

次に、基板１を支持用治具９に貼り付け、第１の給電用金属膜６を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第１のメッキ層１０（第４の金属からなる膜に相当）を形成する。第１の凹部５はアスペクト比が１以下なので、この第１のメッキ層１０と先に形成した第１の給電用金属膜６によって、第１の凹部５は充填される構造となる（図２Ｉ）。次に、第１のメッキ層１０が形成された面を支持用治具９に貼り付け直して、第２の給電用金属膜８を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第２のメッキ層１１（第６の金属からなる膜に相当）を形成する。第２の凹部７はアスペクト比が１以下なので、この第２のメッキ層１１と先に形成した第２の給電用金属膜８によって、第２の凹部７は充填される構造となる（図２Ｊ）。
Next, the substrate 1 is affixed to the supporting jig 9, and the first power supply metal film 6 is used as an electrode to perform copper electroplating, and the first plating layer 10 (film made of the fourth metal). Equivalent). Since the first recess 5 has an aspect ratio of 1 or less, the first recess 5 is filled with the first plating layer 10 and the first metal film 6 for power supply formed in advance (FIG. 2I). ). Next, the surface on which the first plating layer 10 is formed is reattached to the supporting jig 9, and the second power supply metal film 8 is used as an electrode to perform electrolytic plating of copper. A plating layer 11 (corresponding to a film made of a sixth metal) is formed. Since the second recess 7 has an aspect ratio of 1 or less, the second recess 7 is filled with the second plating layer 11 and the previously formed second power supply metal film 8 (FIG. 2J). ).

支持用治具９を除去した基板１を図２（Ｋ）に示す。図に示すように基板１の両面には、第１、第２のメッキ層１０、１１及び第１、第２の給電用金属膜６、８が形成されているので、これらを除去するため、基板１両面を研磨し、基板１の表面を露出させ、ビア１２を備えた基板１を完成する（図２Ｌ）。   The substrate 1 from which the supporting jig 9 has been removed is shown in FIG. As shown in the figure, the first and second plating layers 10 and 11 and the first and second power supply metal films 6 and 8 are formed on both surfaces of the substrate 1. Both surfaces of the substrate 1 are polished to expose the surface of the substrate 1 to complete the substrate 1 provided with the vias 12 (FIG. 2L).

次に第３の実施例について説明する。第１の実施例同様、スルーホール２が形成されたセラミックスからなる基板１上に、ポジ型フォトレジストからなる誘電体３を載置する（図３Ａ）。次に、レジスト塗布用のスキージ４を用いて、基板１表面に誘電体３を塗布する（図３Ｂ）。このとき粘度の高いフォトレジストを用いると、基板１のスルーホール２の裏面側から誘電体３が流れ出すことはなく、スルーホール２内部が誘電体３で充填される（図３Ｃ）。   Next, a third embodiment will be described. Similar to the first embodiment, a dielectric 3 made of a positive photoresist is placed on a substrate 1 made of ceramic in which a through hole 2 is formed (FIG. 3A). Next, a dielectric 3 is applied to the surface of the substrate 1 using a squeegee 4 for resist application (FIG. 3B). At this time, if a photoresist having a high viscosity is used, the dielectric 3 does not flow out from the back surface side of the through hole 2 of the substrate 1, and the inside of the through hole 2 is filled with the dielectric 3 (FIG. 3C).

次に、基板１の一方の面から、紫外線を斜めに照射し、フォトレジストを露光させる（図３Ｄ）。その後、フォトレジストの現像液を用いて、露光したフォトレジストを除去し、三角形に開口する第１の凹部５を形成する（図３Ｅ）。この第１の凹部５は、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。   Next, ultraviolet rays are obliquely irradiated from one surface of the substrate 1 to expose the photoresist (FIG. 3D). Thereafter, the exposed photoresist is removed using a photoresist developer to form a first recess 5 having a triangular opening (FIG. 3E). The first recess 5 has the same structure as a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less.

次に、第１の凹部５が形成された基板１表面及び第１の凹部５内（側壁及び底面）を被覆するように、約０．５μｍの第１の給電用金属膜６（第３の金属からなる膜に相当）を形成する（図３Ｆ）。この第１の給電用金属膜６は、第１の凹部５の側壁全面を被覆するように形成する必要があるので、スパッタ法により形成するのが好ましい。なお、第１の凹部５の側壁全面を被覆することができれば、無電解メッキ法、蒸着法などによって形成しても良い。   Next, the first power supply metal film 6 (the third metal film 6) having a thickness of about 0.5 μm is formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the first recess 5 is formed and the inside of the first recess 5 (side wall and bottom surface). (Corresponding to a film made of metal) is formed (FIG. 3F). Since the first power supply metal film 6 needs to be formed so as to cover the entire side wall of the first recess 5, it is preferably formed by a sputtering method. In addition, as long as the whole side wall of the 1st recessed part 5 can be coat | covered, you may form by the electroless-plating method, a vapor deposition method, etc.

その後、第１の給電用金属膜６を形成した面の裏面側から、誘電体３を全て除去し、三角形の第２の凹部７を形成する（図３Ｇ）。この第２の凹部７も、第１の凹部５同様、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。次に、第２の凹部７を形成した基板１表面及び第２の凹部７内（側壁及び底面）を被覆するように、先に形成した第１の給電用金属膜６同様、約０．５μｍの第２の給電用金属膜８（第５の金属からなる膜に相当）を形成する（図３Ｈ）。   Thereafter, all of the dielectric 3 is removed from the back side of the surface on which the first power supply metal film 6 is formed to form a triangular second recess 7 (FIG. 3G). Similarly to the first recess 5, the second recess 7 has the same structure as a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less. Next, like the first power supply metal film 6 previously formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the second recess 7 is formed and the inside of the second recess 7 (side wall and bottom surface), about 0.5 μm. A second power supply metal film 8 (corresponding to a film made of a fifth metal) is formed (FIG. 3H).

次に、基板１を支持用治具９に貼り付け、第１の給電用金属膜６を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第１のメッキ層１０（第４の金属からなる膜に相当）を形成する。この第１のメッキ層１０と先に形成した第１の給電用金属膜６によって、第１の凹部５は充填される構造となる（図２Ｉ）。次に、第１のメッキ層１０が形成された面に支持用治具９を貼り付け直して、第２の給電用金属膜８を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第２のメッキ層１１（第６の金属からなる膜に相当）を形成する。この第２のメッキ層１１と先に形成した第２の給電用金属膜８によって、第２の凹部７は充填される構造となる（図３Ｊ）。このように第１の凹部５、第２の凹部７を三角形状とすると、特に穴埋め性が向上することが知られている。   Next, the substrate 1 is affixed to the supporting jig 9, and the first power supply metal film 6 is used as an electrode to perform copper electroplating, and the first plating layer 10 (film made of the fourth metal). Equivalent). The first recess 5 is filled with the first plating layer 10 and the first metal film 6 for power supply formed in advance (FIG. 2I). Next, the supporting jig 9 is reattached to the surface on which the first plating layer 10 is formed, and the second power supply metal film 8 is used as an electrode to perform electrolytic plating of copper. A plating layer 11 (corresponding to a film made of a sixth metal) is formed. The second recess 7 is filled with the second plating layer 11 and the second power supply metal film 8 formed in advance (FIG. 3J). Thus, it is known that when the first concave portion 5 and the second concave portion 7 have a triangular shape, the hole filling property is improved.

支持用治具９を除去し４基板１を図３（Ｋ）に示す。図に示すように基板１の両面には、第１、第２のメッキ層１０、１１及び第１、第２の給電用金属膜６、８が形成されているので、これらを除去するため、基板１両面を研磨し、基板１の両面を露出させ、ビア１２を備えた基板１が完成する（図３Ｌ）。   The supporting jig 9 is removed, and the four substrates 1 are shown in FIG. As shown in the figure, the first and second plating layers 10 and 11 and the first and second power supply metal films 6 and 8 are formed on both surfaces of the substrate 1. Both surfaces of the substrate 1 are polished to expose both surfaces of the substrate 1 to complete the substrate 1 having the vias 12 (FIG. 3L).

次に第４の実施例について説明する。まず、スルーホール２が形成されたセラミックスからなる基板１上に、第１の実施例と異なり低粘度ポジ型フォトレジストからなる液状の誘電体３を載置する（図４Ａ）。次に第１の実施例同様、レジスト塗布用のスキージ４を用いて、基板１表面に誘電体３を塗布する（図４Ｂ）。このとき粘度の低い（例えば３５ｃＳｔ程度）フォトレジストを用いると、圧力をかけなくても気泡を抱えることなくスルーホール２内部が誘電体３で充填される（図４Ｃ）。   Next, a fourth embodiment will be described. First, unlike the first embodiment, a liquid dielectric 3 made of a low-viscosity positive photoresist is placed on a substrate 1 made of ceramics in which through-holes 2 are formed (FIG. 4A). Next, as in the first embodiment, the dielectric 3 is applied to the surface of the substrate 1 using the squeegee 4 for resist application (FIG. 4B). At this time, if a photoresist having a low viscosity (for example, about 35 cSt) is used, the inside of the through hole 2 is filled with the dielectric 3 without holding bubbles even if no pressure is applied (FIG. 4C).

次に、加熱して溶媒を蒸発させる。その結果、誘電体３の体積が減少して第１の凹部５が形成される（図４Ｄ）。このように形成された第１の凹部５は、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。   Next, the solvent is evaporated by heating. As a result, the volume of the dielectric 3 is reduced and the first recess 5 is formed (FIG. 4D). The first recess 5 thus formed has a structure similar to that of a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less.

次に、第１の凹部５が形成された基板１表面及び第１の凹部５内（側壁及び底面）を被覆するように、約０．５μｍの第１の給電用金属膜６（第３の金属からなる膜に相当）を形成する（図４Ｅ）。この第１の給電用金属膜６は、第１の凹部５の側壁全面を被覆するように形成する必要があるので、スパッタ法により形成するのが好ましい。なお、第１の凹部５の側壁全面を被覆することができれば、無電解メッキ法、蒸着法などによって形成しても良い。   Next, the first power supply metal film 6 (the third metal film 6) having a thickness of about 0.5 μm is formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the first recess 5 is formed and the inside of the first recess 5 (side wall and bottom surface). (Corresponding to a film made of metal) is formed (FIG. 4E). Since the first power supply metal film 6 needs to be formed so as to cover the entire side wall of the first recess 5, it is preferably formed by a sputtering method. In addition, as long as the whole side wall of the 1st recessed part 5 can be coat | covered, you may form by the electroless-plating method, a vapor deposition method, etc.

その後、第１の給電用金属膜６を形成した面の裏面側から、誘電体３を全て除去し、第２の凹部７を形成する（図４Ｆ）。この第２の凹部７も、第１の凹部５同様、アスペクト比が１以下の通常のブラインドビアホールと同様の構造となる。次に、第２の凹部７を形成した基板１表面及び第２の凹部７内（側壁及び底面）を被覆するように、先に形成した第１の給電用金属膜６同様、約０．５μｍの第２の給電用金属膜８（第５の金属からなる膜に相当）を形成する（図４Ｇ）。   Thereafter, all of the dielectric 3 is removed from the back surface side of the surface on which the first power supply metal film 6 is formed, and a second recess 7 is formed (FIG. 4F). Similarly to the first recess 5, the second recess 7 has the same structure as a normal blind via hole having an aspect ratio of 1 or less. Next, like the first power supply metal film 6 previously formed so as to cover the surface of the substrate 1 on which the second recess 7 is formed and the inside of the second recess 7 (side wall and bottom surface), about 0.5 μm. A second power supply metal film 8 (corresponding to a film made of a fifth metal) is formed (FIG. 4G).

次に、基板１を支持用治具９に貼り付け、第１の給電用金属膜６を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第１のメッキ層１０（第４の金属からなる膜に相当）を形成する。この第１のメッキ層１０と先に形成した第１の給電用金属膜６によって、第１の凹部５は充填される構造となる（図４Ｈ）。次に、第１のメッキ層１０が形成された面に支持用治具９を貼り付け直して、第２の給電用金属膜８を電極として用いて、銅の電解メッキを行い、第２のメッキ層１１（第６の金属からなる膜に相当）を形成する。この第２のメッキ層１１と先に形成した第２の給電用金属膜８によって、第２の凹部７は充填される構造となる（図４Ｉ）。ここで、第２の凹部７の底部は、中央部分が盛り上がった構造となるが、周辺の隙間にも第２のメッキ層１１は入り込み、充填することができる。   Next, the substrate 1 is affixed to the supporting jig 9, and the first power supply metal film 6 is used as an electrode to perform copper electroplating, and the first plating layer 10 (film made of the fourth metal). Equivalent). The first recess 5 is filled with the first plated layer 10 and the first power supply metal film 6 formed previously (FIG. 4H). Next, the supporting jig 9 is reattached to the surface on which the first plating layer 10 is formed, and the second power supply metal film 8 is used as an electrode to perform electrolytic plating of copper. A plating layer 11 (corresponding to a film made of a sixth metal) is formed. The second recess 7 is filled with the second plating layer 11 and the previously formed second power supply metal film 8 (FIG. 4I). Here, the bottom of the second concave portion 7 has a structure in which the central portion is raised, but the second plating layer 11 can also enter and fill the peripheral gap.

支持用治具９を除去した基板１を図４（Ｊ）に示す。図に示すように基板１の両面には、第１、第２のメッキ層１０、１１及び第１、第２の給電用金属膜６、７が形成されているので、これらを除去するため、基板１両面を研磨し、基板１の両面を露出させ、ビア１２を備えた基板１が完成する（図４Ｋ）。   The substrate 1 from which the supporting jig 9 has been removed is shown in FIG. As shown in the figure, the first and second plating layers 10 and 11 and the first and second power supply metal films 6 and 7 are formed on both surfaces of the substrate 1. Both surfaces of the substrate 1 are polished to expose both surfaces of the substrate 1 to complete the substrate 1 having the vias 12 (FIG. 4K).

以上説明したように本発明によれば、アスペクト比が１．０を越えるスルーホールに、電解メッキ法を用いて金属を充填する場合でも、アスペクト比が１．０を越えないブラインドビアホールに金属を充填する方法と同等となるので、ボイド等が発生することはない。その結果、熱伝導性の良いビアを形成することができる。   As described above, according to the present invention, even when a through hole having an aspect ratio exceeding 1.0 is filled with a metal using an electrolytic plating method, the metal is applied to the blind via hole whose aspect ratio does not exceed 1.0. Since this is equivalent to the filling method, no voids or the like are generated. As a result, a via with good thermal conductivity can be formed.

なお、上記実施例の説明では、第１の給電用金属膜６及び第２の給電用金属膜８を形成した後、それぞれの表面に第１のメッキ層１０及び第２のメッキ層１１を形成する工程としたが、第１の給電用金属膜６を形成した後、第１のメッキ層１０を形成し、その後第２の給電用金属膜８及び第２のメッキ層１１を形成することも可能である。また、セラミック基板の代わりに、他の誘電体基板であっても、本発明によりスルーホールを埋め込むことができる。   In the description of the above embodiment, after the first power supply metal film 6 and the second power supply metal film 8 are formed, the first plating layer 10 and the second plating layer 11 are formed on the respective surfaces. The first power supply metal film 6 is formed, the first plating layer 10 is formed, and then the second power supply metal film 8 and the second plating layer 11 are formed. Is possible. Further, in place of the ceramic substrate, the through hole can be buried by another dielectric substrate according to the present invention.

また、スルーホール両端に形成するブラインドビアホールのアスペクト比は、１．０を越えない程度であれば、通常の方法でブラインドビアホールを充填することができて好ましいが、アスペクト比が１．０を越える場合であっても、ブラインドビアホール内を十分にメッキ金属で充填できる場合には、これを除外するものではない。本発明は、十分にメッキ金属を充填することができるブラインドビアホールを２つ形成することで、その２倍のアスペクト比のビアを形成することができるように構成したものである。   Moreover, if the aspect ratio of the blind via hole formed at both ends of the through hole is not more than 1.0, it is preferable that the blind via hole can be filled by a normal method, but the aspect ratio exceeds 1.0. Even in this case, if the inside of the blind via hole can be sufficiently filled with the plated metal, this is not excluded. The present invention is configured such that a via having a double aspect ratio can be formed by forming two blind via holes that can be sufficiently filled with a plated metal.

本発明の第１の実施例を説明する図である。It is a figure explaining the 1st Example of this invention. 本発明の第２の実施例を説明する図である。It is a figure explaining the 2nd Example of this invention. 本発明の第３の実施例を説明する図である。It is a figure explaining the 3rd Example of the present invention. 本発明の第４の実施例を説明する図である。It is a figure explaining the 4th Example of this invention. 従来のブラインドビアホールのフィリング方法を説明する図である。It is a figure explaining the filling method of the conventional blind via hole. 従来のスルーホールのフィリング方法を説明する図である。It is a figure explaining the filling method of the conventional through hole.

符号の説明Explanation of symbols

１：基板、２：スルーホール、３：誘電体、４：スキージ、５：第１の凹部、６：第１の給電用金属膜、７：第２の凹部、８：第２の給電用金属膜、９：支持用治具、１０：第１のメッキ層、１１：第２のメッキ層、１２：ビア、２０：基板、２１：ブラインドビアホール、２２：無電解銅メッキ層、２３：電解銅メッキ層、３０：基板、３１：スルーホール、３２：金属薄膜、３３：メッキ金属 1: substrate, 2: through hole, 3: dielectric, 4: squeegee, 5: first recess, 6: first power supply metal film, 7: second recess, 8: second power supply metal Membrane, 9: support jig, 10: first plating layer, 11: second plating layer, 12: via, 20: substrate, 21: blind via hole, 22: electroless copper plating layer, 23: electrolytic copper Plating layer, 30: substrate, 31: through hole, 32: metal thin film, 33: plating metal

Claims (6)

基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、
前記スルーホール内に誘電体を充填する工程と、
前記基板の一方の面から前記スルーホール内に充填した前記誘電体の一部を除去し、第１の凹部を形成する工程と、
該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、
前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る前記誘電体を除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、
該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、
前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とするスルーホールフィリング方法。 In a through hole filling method for filling a metal in a through hole formed in a substrate,
Filling the through hole with a dielectric;
Removing a part of the dielectric filled in the through hole from one surface of the substrate to form a first recess;
Filling the first recess with a first metal;
Removing the dielectric remaining in the through hole from the other surface of the substrate, and forming a second recess exposing the first metal at the bottom;
Filling the second recess with a second metal,
The through hole filling method, wherein the through hole is filled with the first metal and the second metal. 基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、
前記スルーホール内にフォトレジストあるいは感光性ポリイミドを充填する工程と、
前記基板の一方あるいは他方の面から前記フォトレジストあるいは前記感光性ポリイミドを露光し、該露光の結果生じた溶解度の差を利用して、前記フォトレジストあるいは前記感光性ポリイミドの一部を除去し、前記第１の凹部を形成する工程と、
該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、
前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る前記フォトレジストあるいは前記感光性ポリイミドを除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、
該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、
前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とするスルーホールフィリング方法。 In a through hole filling method for filling a metal in a through hole formed in a substrate,
Filling the through hole with a photoresist or photosensitive polyimide;
Exposing the photoresist or the photosensitive polyimide from one or the other surface of the substrate, using the difference in solubility resulting from the exposure, to remove a portion of the photoresist or the photosensitive polyimide, Forming the first recess;
Filling the first recess with a first metal;
Removing the photoresist or the photosensitive polyimide remaining in the through hole from the other surface of the substrate, and forming a second recess exposing the first metal at the bottom;
Filling the second recess with a second metal,
The through hole filling method, wherein the through hole is filled with the first metal and the second metal. 基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、
前記スルーホール内にネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドを充填する工程と、
該スルーホール内に充填された前記ネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドの一部が露光され、未露光部の前記ネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドを除去することにより、少なくとも前記基板の一方の面に開口する第１の凹部を形成する工程と、
該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、
前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る露光された前記ネガ型フォトレジストあるいはネガ型ポリイミドを除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、
該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、
前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とするスルーホールフィリング方法。 In a through hole filling method for filling a metal in a through hole formed in a substrate,
Filling the through hole with negative photoresist or negative polyimide;
A portion of the negative photoresist or negative polyimide filled in the through hole is exposed, and the negative photoresist or negative polyimide in the unexposed area is removed, thereby removing at least one surface of the substrate. Forming a first recess opening in
Filling the first recess with a first metal;
Removing the exposed negative photoresist or negative polyimide remaining in the through-hole from the other surface of the substrate to form a second recess exposing the first metal at the bottom;
Filling the second recess with a second metal,
The through hole filling method, wherein the through hole is filled with the first metal and the second metal. 基板に形成されたスルーホールに金属を充填するスルーホールフィリング方法において、
前記スルーホール内に、液状誘電体を充填させた後、該充填された前記液状誘電体を加熱することにより、体積が減少した誘電体を前記スルーホール内に残し、少なくとも前記基板の一方の面に開口する第１の凹部を形成する工程と、
該第１の凹部内を第１の金属で充填する工程と、
前記基板の他方の面から前記スルーホール内に残る前記誘電体を除去し、底部に前記第１の金属を露出する第２の凹部を形成する工程と、
該第２の凹部内を第２の金属で充填する工程とを含み、
前記スルーホールを前記第１の金属と前記第２の金属によって充填することを特徴とするスルーホールフィリング方法。 In a through hole filling method for filling a metal in a through hole formed in a substrate,
After filling the through-hole with a liquid dielectric, the filled liquid dielectric is heated to leave a reduced volume of the dielectric in the through-hole, and at least one surface of the substrate Forming a first recess opening in
Filling the first recess with a first metal;
Removing the dielectric remaining in the through hole from the other surface of the substrate, and forming a second recess exposing the first metal at the bottom;
Filling the second recess with a second metal,
The through hole filling method, wherein the through hole is filled with the first metal and the second metal. 請求項１乃至４いずれかに記載のスルーホールフィリング方法において、
前記第１の凹部内を前記第１の金属で充填する工程は、前記第１の凹部を形成した後、前記基板の一方の面表面と前記第１の凹部内を第３の金属からなる膜で被覆した後、電解メッキ法により前記第１の凹部内に前記第４の金属を析出させる工程からなり、
前記第２の凹部内を前記第２の金属で充填する工程は、前記第２の凹部を形成した後、前記基板の他方の面表面と前記第２の凹部内を第５の金属からなる膜で被覆した後、電解メッキ法により前記第２の凹部内に前記第６の金属を析出させる工程からなることを特徴とするスルーホールフィリング方法。 In the through-hole filling method according to any one of claims 1 to 4,
The step of filling the first recess with the first metal includes forming a film of the third metal on one surface of the substrate and the first recess after the first recess is formed. And the step of depositing the fourth metal in the first recess by electrolytic plating,
In the step of filling the second recess with the second metal, after forming the second recess, the other surface of the substrate and the second recess are formed of a film made of the fifth metal. A through-hole filling method comprising the step of depositing the sixth metal in the second recess by an electrolytic plating method after covering with 請求項５記載のスルーホールフィリング方法において、
前記基板の一方の面及び他方の面の表面を被覆する前記第３の金属、前記第４の金属、前記第５の金属及び前記第６の金属を除去し、前記基板表面を露出する工程を含むことを特徴とするスルーホールフィリング方法。 In the through-hole filling method according to claim 5,
Removing the third metal, the fourth metal, the fifth metal, and the sixth metal covering the surfaces of one surface and the other surface of the substrate and exposing the substrate surface; A through-hole filling method comprising:
JP2007076184A 2007-03-23 2007-03-23 Through-hole filling method Expired - Fee Related JP4925881B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007076184A JP4925881B2 (en) 2007-03-23 2007-03-23 Through-hole filling method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007076184A JP4925881B2 (en) 2007-03-23 2007-03-23 Through-hole filling method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008235755A JP2008235755A (en) 2008-10-02
JP4925881B2 true JP4925881B2 (en) 2012-05-09

Family

ID=39908169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007076184A Expired - Fee Related JP4925881B2 (en) 2007-03-23 2007-03-23 Through-hole filling method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4925881B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6161143B2 (en) * 2012-03-30 2017-07-12 株式会社伸光製作所 Wiring board manufacturing method
CN106686910A (en) * 2017-03-20 2017-05-17 广东欧珀移动通信有限公司 Circuit board making method, circuit board and terminal

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156792A (en) * 1980-05-02 1981-12-03 Fujitsu Ltd Thickly plating method
JP2002261440A (en) * 2001-03-01 2002-09-13 Sony Chem Corp Method of manufacturing flexible wiring board and the flexible wiring board
JP4054269B2 (en) * 2003-03-20 2008-02-27 Ｔｄｋ株式会社 Electronic component manufacturing method and electronic component
JP4634735B2 (en) * 2004-04-20 2011-02-16 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of multilayer wiring board

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008235755A (en) 2008-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3786554B2 (en) Circuit board manufacturing method for forming fine structure layer on both sides of flexible film
TWI305480B (en) Method of fabricating printed circuit board having embedded multi-layer passive devices
KR100834515B1 (en) Method for forming photoresist-laminated substrate, method for plating insulating substrate, method for surface treating metal layer of circuit board, and method for manufacturing multi layer ceramic condenser using metal nanoparticles aerosol
EP0028657A1 (en) Hollow multilayer printed wiring board, and method of fabricating same
US20070144769A1 (en) Method and apparatus for a printed circuit board using laser assisted metallization and patterning of a substrate
JPS62158393A (en) Manufacture of printed circuit
JP2011119567A (en) Method of manufacturing printed wiring board
JP5379281B2 (en) Method for manufacturing printed circuit board
JP2009283739A (en) Wiring substrate and production method thereof
KR100642167B1 (en) Method for producing multi-layer circuits
JP2006100631A (en) Wiring board and its manufacturing method
JP4925881B2 (en) Through-hole filling method
KR20090011528A (en) Fabricating method of printed circuit board
US3424658A (en) Method of producing a printed circuit board on a metallic substrate
US20060196598A1 (en) Method of forming through hole and method of manufacturing electronic circuit
JP2004047836A (en) Printed board and its manufacturing method
JPH05259639A (en) Manufacture of printed wiring board
KR20020026849A (en) Wiring circuit board having bumps and method of producing same
KR100576652B1 (en) Method for making double sides wiring substrate
JPH02119298A (en) Manufacture of multilayer printed wiring board for mounting semiconductor element
JPH02196494A (en) Manufacture of printed wiring board for surface mounting
JPH077264A (en) Manufacture of printed wiring board
JPH0233994A (en) Manufacture of circuit
CN115551232A (en) Circuit board processing method for improving electroplating hole filling cavity and circuit board
JP2622848B2 (en) Manufacturing method of printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111021

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111101

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120117

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120207

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4925881

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees