JP4924817B2 - タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 Download PDFInfo
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Albert A. Ballman:Journal of American Ceramic Society, Vol.48 (1965)
体積抵抗率が1010Ω・cm未満に制御されたタンタル酸リチウム基板であって、タンタル酸リチウム基板中のZr濃度が100ppm以下であることを特徴とし、
請求項2に係る発明は、
体積抵抗率が1013Ω・cm以下に制御されたタンタル酸リチウム基板であって、タンタル酸リチウム基板中のZr濃度が30ppm以下であることを特徴とするものである。
基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を還元処理して体積抵抗率が1010Ω・cm未満に制御されたタンタル酸リチウム基板を製造する方法を前提とし、
Zr濃度が500ppm以下の原料融液を用いて育成されたタンタル酸リチウム単結晶から作製されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を用いること特徴とし、
請求項4に係る発明は、
基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を還元処理して体積抵抗率が1013Ω・cm以下に制御されたタンタル酸リチウム基板を製造する方法を前提とし、
Zr濃度が150ppm以下の原料融液を用いて育成されたタンタル酸リチウム単結晶から作製されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を用いることを特徴とし、
また、請求項5に係る発明は、
請求項3または請求項4に記載の発明に係るタンタル酸リチウム基板の製造方法を前提とし、
上記還元処理が、基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の基板をAl粉末若しくはAlとAl2O3の混合粉末に埋め込んで行う還元処理であることを特徴とするものである。
基板中に含まれるZr濃度が100ppm以下であるため、還元処理後における体積抵抗率が再現性よく安定して1010Ω・cm未満に制御されており、
また、請求項2に記載の発明に係るタンタル酸リチウム基板によれば、
基板中に含まれるZr濃度が30ppm以下であるため、還元処理後における体積抵抗率が再現性よく安定して1013Ω・cm以下に制御されている。
Zr濃度が500ppm以下の原料融液を用いて育成されたタンタル酸リチウム単結晶から作製されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を用いるため、還元処理により再現性よく安定して体積抵抗率が1010Ω・cm未満に制御されたタンタル酸リチウム基板を製造することが可能となり、
また、請求項4、5に記載の発明に係るタンタル酸リチウム基板の製造方法によれば、
Zr濃度が150ppm以下の原料融液を用いて育成されたタンタル酸リチウム単結晶から作製されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を用いるため、還元処理により再現性よく安定して体積抵抗率が1013Ω・cm以下に制御されたタンタル酸リチウム基板を製造することが可能となる。
[比較例1]
故意にZrをドープしたZr濃度が700ppmの原料を用いた以外は実施例1と同様にしてLT単結晶の育成を行った。得られたLT単結晶中のZr濃度は、LT単結晶の種結晶側の先端部で131ppm、種結晶と反対側の底部で140ppmであった。
[比較例2]
故意にZrをドープしたZr濃度が250ppmの原料を用いた以外は実施例1と同様にしてLT単結晶の育成を行った。得られたLT単結晶中のZr濃度は、LT単結晶の種結晶側の先端部で47ppm、種結晶と反対側の底部で50ppmであった。
[比較例3]
図2に示す構成の従来例に係る電気炉を用いて、実施例4と同様にLT単結晶の育成を連続して10回行った。
2 ジルコニア耐火物
3 リッド
4 アフターヒーター
5 アルミナ耐火物
6 シード棒
7 LT単結晶
8 原料融液
9 金属板
Claims (5)
- 体積抵抗率が1010Ω・cm未満に制御されたタンタル酸リチウム基板であって、タンタル酸リチウム基板中のZr濃度が100ppm以下であることを特徴とするタンタル酸リチウム基板。
- 体積抵抗率が1013Ω・cm以下に制御されたタンタル酸リチウム基板であって、タンタル酸リチウム基板中のZr濃度が30ppm以下であることを特徴とするタンタル酸リチウム基板。
- 基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を還元処理して体積抵抗率が1010Ω・cm未満に制御されたタンタル酸リチウム基板を製造する方法において、
Zr濃度が500ppm以下の原料融液を用いて育成されたタンタル酸リチウム単結晶から作製されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を用いること特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を還元処理して体積抵抗率が1013Ω・cm以下に制御されたタンタル酸リチウム基板を製造する方法において、
Zr濃度が150ppm以下の原料融液を用いて育成されたタンタル酸リチウム単結晶から作製されたタンタル酸リチウム単結晶の基板を用いることを特徴とするタンタル酸リチウム基板の製造方法。 - 上記還元処理が、基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の基板をAl粉末若しくはAlとAl2O3の混合粉末に埋め込んで行う還元処理であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のタンタル酸リチウム基板の製造方法。
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