JP4922915B2 - Substrate processing apparatus and substrate alignment method - Google Patents

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Description

この発明は、基板保持回転機構に基板を保持して処理する基板処理装置、および基板保持回転機構に対する基板の芯合わせ方法に関する。処理または芯合わせの対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus that holds and processes a substrate on a substrate holding and rotating mechanism, and a substrate alignment method for the substrate holding and rotating mechanism. Examples of substrates to be processed or centered include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disks. Substrates, photomask substrates and the like are included.

半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置は、基板を保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。スピンチャックは、円盤状のベース部材と、このベース部材の周縁部に立設された複数本の挟持ピンとを含み、この複数本の挟持ピンを基板の端面に当接させて基板を挟持する。   A substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer includes a spin chuck that rotates while holding the substrate, and a processing liquid nozzle that supplies a processing liquid to the substrate held by the spin chuck. The spin chuck includes a disk-shaped base member and a plurality of sandwiching pins erected on the periphery of the base member, and sandwiches the substrate by bringing the plurality of sandwiching pins into contact with the end surface of the substrate.

しかし、このような構成では、基板端面において挟持ピンが当接する部位に処理残りが生じる。とくに、基板表面に銅膜を形成した後に、基板周縁部および端面の不要な銅膜および銅イオンを除去しようとするベベルエッチング処理やベベル洗浄処理においては、処理残りが問題となる。
このような処理残りは、その後に基板搬送ロボットによって基板を搬送するときに、基板保持ハンドの金属汚染を引き起こし、これがさらに他の基板へと転移し、基板処理装置の各部に金属汚染を拡散させる原因となるおそれがある。 However, in such a configuration, a processing residue is generated at a portion where the pin is in contact with the end face of the substrate. In particular, in the bevel etching process and the bevel cleaning process for removing unnecessary copper film and copper ions on the peripheral edge and end face of the substrate after the copper film is formed on the substrate surface, the remaining processing becomes a problem.
Such processing residue causes metal contamination of the substrate holding hand when the substrate is subsequently transferred by the substrate transfer robot, which is further transferred to another substrate and diffuses the metal contamination to each part of the substrate processing apparatus. May cause this.

この問題を解決するために、下記特許文献１に示す先行技術では、回転ベース部材に植設した基板支持部材によって基板を下面から支持する一方で、基板の上面から気体を供給して基板支持部材に基板を押し付け、基板支持部材と基板との摩擦によって基板を保持しつつ回転させる構成が提案されている。
この構成では、基板を正確に位置合わせして基板支持部材上に支持させることが重要である。もしも、回転ベース部材の回転軸線と基板の中心とにずれがあると、回転に伴う遠心力によって、基板は水平方向へと移動しようとするから、基板の保持が不安定になるおそれがあるからである。 In order to solve this problem, in the prior art shown in Patent Document 1 below, the substrate support member is provided on the rotating base member to support the substrate from the lower surface, while gas is supplied from the upper surface of the substrate to support the substrate. A configuration has been proposed in which a substrate is pressed against the substrate and rotated while holding the substrate by friction between the substrate support member and the substrate.
In this configuration, it is important that the substrate is accurately aligned and supported on the substrate support member. If there is a deviation between the rotation axis of the rotating base member and the center of the substrate, the substrate tends to move in the horizontal direction due to the centrifugal force that accompanies the rotation. It is.

そこで、下記特許文献２に示す先行技術のように、基板をスピンチャックに対して芯合わせするために、所定の基板保持位置に基板を位置決めするための位置決めガイドをスピンチャックに設け、この位置決めガイドに基板を押し付けることにより、基板の位置決めを行う構成が提案されている。
特開２００６−３２８９１号公報 特開２００７−２６６２８７号公報 Therefore, as in the prior art shown in Patent Document 2 below, in order to align the substrate with the spin chuck, a positioning guide for positioning the substrate at a predetermined substrate holding position is provided in the spin chuck, and this positioning guide A configuration has been proposed in which the substrate is positioned by pressing the substrate against the substrate.
JP 2006-32891 A JP 2007-266287 A

ところが、基板の径には寸法公差（たとえば直径３００ｍｍの基板で±０．２ｍｍ）があるため、基板の標準径を基準として位置決め部材を設けても、位置決めされた基板の中心が寸法公差に対応する誤差だけスピンチャックの回転軸線上からずれることが避けられない。とくに、基板の裏面に事前にエッチング処理が施されている場合には基板の周縁部の膜減りによって基板の径が微小量だけ縮小していることがあり（たとえば直径３００ｍｍの基板で−０．５ｍｍ程度）、位置決めされた基板の中心が回転軸線から寸法公差以上にずれることがある。   However, since there is a dimensional tolerance (for example, ± 0.2 mm for a 300 mm diameter substrate), the center of the substrate that is positioned corresponds to the dimensional tolerance even if a positioning member is provided based on the standard diameter of the substrate. Therefore, it is unavoidable that the rotation axis of the spin chuck is shifted by the error. In particular, when the back surface of the substrate has been subjected to an etching process in advance, the substrate diameter may be reduced by a minute amount due to a reduction in the thickness of the peripheral edge of the substrate (for example, −0. The center of the positioned substrate may deviate from the rotation axis by more than the dimensional tolerance.

このような位置合わせ誤差は、基板保持の観点からは許容できる範囲であるものの、ベベルエッチング処理やベベル洗浄処理における基板周縁部の洗浄幅が基板の周方向各部で一様にならないという問題は回避できない。すなわち、基板の中心がスピンチャックの回転軸線から偏心していると、それに応じて、ベベルエッチング処理やベベル洗浄処理におけるリング状の洗浄領域もスピンチャックの回転軸線から偏心する。その結果、基板周縁部の各部で洗浄幅にばらつきが生じることになる。   Such an alignment error is acceptable from the standpoint of holding the substrate, but avoids the problem that the cleaning width at the peripheral edge of the substrate in the bevel etching process or the bevel cleaning process is not uniform in each circumferential part of the substrate. Can not. That is, if the center of the substrate is eccentric from the rotation axis of the spin chuck, the ring-shaped cleaning region in the bevel etching process or the bevel cleaning process is also eccentric from the rotation axis of the spin chuck. As a result, the cleaning width varies in each part of the peripheral edge of the substrate.

たとえば、ベベルエッチング処理やベベル洗浄処理における洗浄幅には、基板径の寸法公差未満の高い精度（たとえば直径３００ｍｍの基板で±０．１ｍｍ程度）が要求されるようになってきており、それに応じて、スピンチャックに対する基板の芯合わせにも同等の精度が求められるようになってきている。これは、洗浄幅に大きなばらつきがあると、それを見込んで中央のデバイス領域を狭く設定しなければならなくなるからである。   For example, the cleaning width in the bevel etching process or the bevel cleaning process is required to have a high accuracy less than the dimensional tolerance of the substrate diameter (for example, about ± 0.1 mm for a substrate having a diameter of 300 mm). Therefore, the same accuracy is required for the alignment of the substrate with respect to the spin chuck. This is because if there is a large variation in the cleaning width, the central device region must be set narrow in view of this.

そこで、この発明の目的は、基板保持回転機構に精密に芯合わせされた状態で基板を保持させることができる基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板保持回転機構に基板を精密に芯合わせすることができる基板の芯合わせ方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can hold a substrate in a state in which the substrate holding and rotating mechanism is precisely aligned.
Another object of the present invention is to provide a substrate alignment method capable of precisely aligning a substrate with a substrate holding and rotating mechanism.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、円形の基板（Ｗ）を保持して所定の回転軸線（Ｊ）まわりに回転させる基板保持回転機構（４）と、この基板保持回転機構に保持される基板の径を計測する基板径計測手段（８８，９０；９３；９６，９７）と、前記基板保持回転機構に設けられ、基板の端面に当接することにより、当該基板の中心が前記回転軸線と微小距離だけ隔てられるような予め定める初期位置に基板を位置決めするための位置決め部材（５５）と、基板の端面に当接して基板の位置を規制するための規制部材（７５）とを含み、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線に対して反対側に、基板の端面と当接するための部材が設けられておらず、前記基板径計測手段の計測結果に基づいて、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の距離だけ前記回転軸線に向かって基板が移動するように、前記規制部材を移動させる規制部材移動手段（２０，７８）をさらに含む、基板処理装置（１００；２００；３００）である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a substrate holding rotation mechanism (4) for holding a circular substrate (W) and rotating it around a predetermined rotation axis (J), and the substrate holding rotation. The substrate diameter measuring means (88, 90; 93; 96, 97) for measuring the diameter of the substrate held by the mechanism, and the substrate holding and rotating mechanism are provided in contact with the end surface of the substrate, thereby making the center of the substrate A positioning member (55) for positioning the substrate at a predetermined initial position that is separated from the rotation axis by a minute distance, and a regulation member (75) for contacting the end surface of the substrate to regulate the position of the substrate wherein the door, the center of the substrate positioned at the initial position on the opposite side with respect to the axis of rotation, no member is provided for abutting on the end face of the substrate, the measurement result of the previous SL substrate diameter measuring means on the basis of the first Distance between the center of the substrate positioned at a position between the axis of rotation so that the substrate moves toward the axis of rotation, further comprising a regulating member moving means (20,78) for moving the regulating member, It is a substrate processing apparatus (100; 200; 300).

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板の端面に当接する規制部材によって基板の位置が規制されることによって、基板保持回転機構に対する基板の芯合わせが行われる。すなわち、基板径計測手段によって基板の径が予め計測される。基板は、位置決め部材によって初期位置に位置決めされる。初期位置にある基板の端面に規制部材が当接し、かつ、その規制部材が移動されることにより、基板が回転軸線に向けて移動される。このときの基板の移動距離は、初期位置にある基板の中心と回転軸線との間の距離であり、この移動距離は、基板径計測手段により計測された基板の径に対応する。そのため、基板径の寸法公差によらずに、基板の中心を基板保持回転機構の回転軸線上に正確に位置合わせすることができる。これにより、基板保持回転機構に精密に芯合わせされた状態で基板を保持させることができる。
また、請求項２に記載のように、基板を前記初期位置に位置決めするために、前記位置決め部材に向けて基板を押し付ける押し付け手段（５１，６７）をさらに含むものであってもよい。この場合、基板は、その端面に当接する位置決め部材に押し付けられることにより、初期位置に位置決めされる。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this invention, the position of the substrate is regulated by the regulating member that contacts the end surface of the substrate, whereby the substrate is aligned with the substrate holding and rotating mechanism. That is, the diameter of the substrate Ru measured in advance by a substrate diameter measuring means. The substrate is positioned at the initial position by the positioning member. When the regulating member comes into contact with the end surface of the substrate at the initial position and the regulating member is moved, the substrate is moved toward the rotation axis. The movement distance of the substrate at this time is a distance between the center of the substrate at the initial position and the rotation axis, and this movement distance corresponds to the diameter of the substrate measured by the substrate diameter measuring means. Therefore, the center of the substrate can be accurately aligned on the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism without depending on the dimensional tolerance of the substrate diameter. Accordingly, the substrate can be held in a state where the substrate is accurately aligned with the substrate holding and rotating mechanism.
Further, as described in claim 2, in order to position the substrate at the initial position, it may further include pressing means (51, 67) for pressing the substrate toward the positioning member. In this case, the substrate is positioned at the initial position by being pressed against the positioning member in contact with the end face.

前記の目的を達成するための請求項３記載の発明は、円形の基板（Ｗ）を保持して所定の回転軸線（Ｊ）まわりに回転させる基板保持回転機構（４）と、この基板保持回転機構に保持される基板の径を計測する基板径計測手段（８８，９０；９３；９６，９７）と、前記基板保持回転機構に設けられ、基板の端面に当接することにより、予め定める初期位置に基板を位置決めするための位置決め部材（５５）と、基板を前記初期位置に位置決めするために、前記位置決め部材に向けて基板を押し付ける押し付け手段（５１，６７）と、基板の端面に当接して基板の位置を規制するための規制部材（７５）と、前記基板径計測手段の計測結果に基づいて、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の距離だけ前記回転軸線に向かって基板が移動するように、前記規制部材を移動させる規制部材移動手段（２０，７８）とを含み、前記規制部材が、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線とを通る直線を対称軸とする線対称な位置関係で一対設けられており、前記規制部材移動手段は、前記対称軸に対して対称な進退方向にそれぞれ沿うように前記一対の規制部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して進退させるものである、基板処理装置（１００；２００；３００）である。 According to a third aspect of the present invention for achieving the above object, a substrate holding and rotating mechanism (4) for holding a circular substrate (W) and rotating it around a predetermined rotation axis (J), and the substrate holding rotation A substrate diameter measuring means (88, 90; 93; 96, 97) for measuring the diameter of the substrate held by the mechanism, and a predetermined initial position provided in the substrate holding and rotating mechanism and contacting the end surface of the substrate. A positioning member (55) for positioning the substrate, a pressing means (51, 67) for pressing the substrate toward the positioning member to position the substrate at the initial position, and an end face of the substrate Based on the measurement result of the substrate diameter measuring means and the regulating member (75) for regulating the position of the substrate, the rotation axis is the distance between the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis. Restricting member moving means (20, 78) for moving the restricting member so that the substrate moves toward the substrate, and the restricting member passes through the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis. A pair of linearly symmetric positional relations with a straight line as an axis of symmetry is provided, and the restricting member moving means rotates the pair of restricting members along the substrate holding and rotating directions so as to be symmetric with respect to the symmetry axis. This is a substrate processing apparatus (100; 200; 300) that moves forward and backward with respect to the substrate held by the mechanism.

この発明によれば、基板の端面に当接する規制部材によって基板の位置が規制されることによって、基板保持回転機構に対する基板の芯合わせが行われる。すなわち、基板径計測手段によって基板の径が予め計測される。基板は、その端面に当接する位置決め部材に押し付けられることにより、初期位置に位置決めされる。初期位置にある基板の端面に規制部材が当接し、かつ、その規制部材が移動されることにより、基板が回転軸線に向けて移動される。このときの基板の移動距離は、初期位置にある基板の中心と回転軸線との間の距離であり、この移動距離は、基板径計測手段により計測された基板の径に対応する。そのため、基板径の寸法公差によらずに、基板の中心を基板保持回転機構の回転軸線上に正確に位置合わせすることができる。これにより、基板保持回転機構に精密に芯合わせされた状態で基板を保持させることができる。  According to this invention, the position of the substrate is regulated by the regulating member that contacts the end surface of the substrate, whereby the substrate is aligned with the substrate holding and rotating mechanism. That is, the substrate diameter is measured in advance by the substrate diameter measuring means. The substrate is positioned at an initial position by being pressed against a positioning member that abuts on the end surface thereof. When the regulating member comes into contact with the end surface of the substrate at the initial position and the regulating member is moved, the substrate is moved toward the rotation axis. The movement distance of the substrate at this time is a distance between the center of the substrate at the initial position and the rotation axis, and this movement distance corresponds to the diameter of the substrate measured by the substrate diameter measuring means. Therefore, the center of the substrate can be accurately aligned on the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism without depending on the dimensional tolerance of the substrate diameter. Accordingly, the substrate can be held in a state where the substrate is accurately aligned with the substrate holding and rotating mechanism.
また、一対の規制部材が基板の端面と当接することにより、基板の位置が規制される。そのため、基板と規制部材とが当接する際に基板が予期しない方向に変位することを防止することができる。このため、基板の中心を基板保持回転機構の回転軸線上に正確に位置合わせすることができる。一対の規制部材は、初期位置に位置決めされた基板の中心と基板保持回転機構の回転軸線とを通る直線を対称軸として線対称な位置関係で設けられており、しかも、前記対称軸に対して対象な進退方向にそれぞれ沿って進退される。したがって、一対の規制部材を移動させることによって、初期位置に位置決めされた基板を前記対称軸をなす直線に沿って回転軸線側へと変位させることができる。  Further, the position of the substrate is regulated by the pair of regulating members coming into contact with the end surface of the substrate. Therefore, it is possible to prevent the substrate from being displaced in an unexpected direction when the substrate and the regulating member come into contact with each other. For this reason, the center of the substrate can be accurately aligned on the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism. The pair of regulating members are provided in a line-symmetrical positional relationship with a straight line passing through the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism as a symmetry axis, and with respect to the symmetry axis. Advancing and retreating along each target advancing and retracting direction. Therefore, by moving the pair of restricting members, the substrate positioned at the initial position can be displaced toward the rotation axis along the straight line forming the symmetry axis.

請求項４記載の発明は、基板を保持して所定の基板搬入方向（Ｘ１）に移動することによって、前記基板保持回転機構に基板を受け渡す基板搬送ハンド（６０）をさらに含み、前記位置決め部材が、前記回転軸線よりも前記基板搬入方向下流側に中心が位置するように定められた前記初期位置に基板を位置決めするものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 4 further includes a substrate transfer hand (60) for transferring the substrate to the substrate holding and rotating mechanism by holding the substrate and moving it in a predetermined substrate carry-in direction (X1), and the positioning member The substrate processing according to any one of claims 1 to 3 , wherein the substrate is positioned at the initial position determined so that a center is located downstream of the rotation axis in the substrate loading direction. Device.

この発明によれば、位置決め部材によって、回転軸線よりも基板搬入方向下流側に中心が位置するように定められた初期位置に基板が位置決めされる。そして、基板は、規制部材の移動に伴って、基板搬入方向と反対方向に向けて移動される。これにより、基板の中心を基板保持回転機構の回転軸線上に位置合わせすることができる。
請求項５記載の発明は、前記押し付け手段が、前記基板搬送ハンドを前記基板搬入方向に移動させるハンド駆動機構（６７）を含む、請求項４記載の基板処理装置である。 According to this invention, the substrate is positioned by the positioning member at the initial position determined so that the center is located downstream of the rotation axis with respect to the substrate loading direction. And a board | substrate is moved toward the direction opposite to a board | substrate carrying-in direction with the movement of a control member. Thereby, the center of the substrate can be aligned with the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism.
A fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect , wherein the pressing means includes a hand drive mechanism (67) for moving the substrate transport hand in the substrate transport direction.

この発明によれば、基板の搬入のためのハンド駆動機構によって基板保持ハンドを基板搬入方向に移動させることにより、基板を位置決め部材に押し付けて初期位置に位置決めすることができる。したがって、基板を位置決め部材に押し付けるための専用の手段を設ける必要がない。
前記押し付け手段は、前記基板搬送ハンドに備えられ、基板の端面に当接する当接部材（５２）と、この当接部材を前記基板搬入方向に沿って基板端面に弾性的に付勢する付勢手段（５４）とを含むことが好ましい。この場合、当接部材が基板の端面に弾性的に当接するから、基板を位置決め部材に向けて押し付ける際に、基板の端面に変形や潰れが生じることを防止することができる。この付勢手段は、たとえば、ばねその他の弾性部材であってもよい。 According to the present invention, by moving the substrate holding hand in the substrate loading direction by the hand driving mechanism for loading the substrate, the substrate can be pressed against the positioning member and positioned at the initial position. Therefore, it is not necessary to provide a dedicated means for pressing the substrate against the positioning member.
The pressing means is provided in the substrate transport hand, and a contact member (52) that contacts the end surface of the substrate, and a bias that elastically biases the contact member toward the substrate end surface along the substrate loading direction. Means (54). In this case, since the contact member elastically contacts the end surface of the substrate, it is possible to prevent the end surface of the substrate from being deformed or crushed when pressing the substrate toward the positioning member. This urging means may be, for example, a spring or other elastic member.

請求項６記載の発明は、前記基板径計測手段が、基板搬送のための基板保持ハンド（７０）に保持されている基板の径を計測する保持基板径計測手段（９０，９３）を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板搬送のための基板保持ハンドに保持されている基板の径が基板径計測手段により計測される。そのため、基板の搬送動作の途中で基板の径を計測することができる。したがって、基板の径の計測するために、基板Ｗの搬送動作を中断する必要はない。これにより、スループットを良好に保つことができる。 The invention according to claim 6 includes the holding substrate diameter measuring means (90, 93) for measuring the diameter of the substrate held by the substrate holding hand (70) for transferring the substrate. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-5.
According to the present invention, the diameter of the substrate held by the substrate holding hand for carrying the substrate is measured by the substrate diameter measuring means. Therefore, the diameter of the substrate can be measured during the substrate transport operation. Therefore, it is not necessary to interrupt the transfer operation of the substrate W in order to measure the diameter of the substrate. Thereby, the throughput can be kept good.

請求項７記載の発明は、前記保持基板径計測手段が、前記基板保持ハンドに保持された基板の端面に向けて進退可能に前記基板保持ハンドに設けられた当接部材（８８）と、この当接部材の位置を検出する位置検出手段（９０）とを含む、請求項６記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板の端面に当接する当接部材の位置の検出に基づいて、基板の径が計測される。このため、基板の径を、簡単な構成で計測することができる。 According to a seventh aspect of the present invention, the holding substrate diameter measuring means includes an abutting member (88) provided on the substrate holding hand so as to be able to advance and retreat toward an end surface of the substrate held by the substrate holding hand. The substrate processing apparatus according to claim 6, further comprising position detection means for detecting a position of the contact member.
According to this invention, the diameter of the substrate is measured based on the detection of the position of the contact member that contacts the end surface of the substrate. For this reason, the diameter of the substrate can be measured with a simple configuration.

より具体的には、たとえば、基板中心に関して当接部材とは反対側で基板端面を規制する基板端面規制部材（８３，８４）を基板保持ハンド上に設けておくことが好ましい。この場合、当接部材を進出させて基板端面に当接させ、この当接部材と基板端面規制部材とで基板を挟持させる。この挟持状態での当接部材の位置は、基板保持ハンドに保持されている基板の径に対応する。   More specifically, for example, it is preferable that a substrate end surface regulating member (83, 84) for regulating the substrate end surface on the side opposite to the contact member with respect to the substrate center is provided on the substrate holding hand. In this case, the contact member is advanced to contact the substrate end surface, and the substrate is sandwiched between the contact member and the substrate end surface regulating member. The position of the contact member in the sandwiched state corresponds to the diameter of the substrate held by the substrate holding hand.

請求項８記載の発明は、前記規制部材が、前記基板保持回転機構に保持される基板の位置を規制するための規制処理位置と、この規制処理位置から退避した退避位置との間で移動可能に設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板の端面を規制する際は、規制部材は規制処理位置に移動され、基板の端面を規制しないときは、規制部材は退避位置に移動される。これにより、基板に処理が施される場合に、規制部材が、基板保持回転機構の周囲の部材に干渉することを防止することができる。 According to an eighth aspect of the present invention, the restriction member is movable between a restriction processing position for restricting a position of the substrate held by the substrate holding and rotating mechanism and a retreat position retracted from the restriction processing position. It is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-7 provided in.
According to this invention, when the end surface of the substrate is regulated, the regulating member is moved to the regulation processing position, and when the end surface of the substrate is not regulated, the regulating member is moved to the retracted position. Thereby, when a process is performed on the substrate, it is possible to prevent the regulating member from interfering with members around the substrate holding and rotating mechanism.

前記基板処理装置は、たとえば、基板保持回転機構の周囲に設けられ、基板の回転に伴う遠心力によって基板から飛び出す処理液（基板表面を処理する液体）を受け止めるガード（９８）を含むものであってもよい。このガードは、たとえば、基板保持回転機構の回転軸線に平行な方向に沿って移動可能に設けられていて、基板保持回転機構に対する基板の搬入／搬出の際には、基板保持回転機構の側方から退避したガード退避位置に配置され、基板に処理液を供給する基板処理時には基板保持回転機構の側方に対向する処理位置に配置される。   The substrate processing apparatus includes, for example, a guard (98) that is provided around the substrate holding and rotating mechanism and receives a processing liquid (liquid for processing the substrate surface) that jumps out of the substrate due to a centrifugal force accompanying the rotation of the substrate. May be. The guard is provided, for example, so as to be movable along a direction parallel to the rotation axis of the substrate holding / rotating mechanism. When the substrate is loaded into / unloaded from / to the substrate holding / rotating mechanism, the guard is disposed laterally. Is disposed at a processing position opposite to the side of the substrate holding and rotating mechanism during substrate processing for supplying the processing liquid to the substrate.

このような構成の場合に、基板保持回転機構に対する基板の芯合わせは、ガードを前記ガード退避位置に配置した状態で行われる。このとき、規制部材が前記規制処理位置に配置される。基板の芯合わせを終えて基板の処理を行うときには、規制部材が前記退避位置に退避させられる。ガードを前記処理位置に配置するときに、このガードと規制部材との干渉を回避できる。   In the case of such a configuration, the centering of the substrate with respect to the substrate holding and rotating mechanism is performed in a state where the guard is disposed at the guard retracted position. At this time, the restricting member is disposed at the restricting processing position. When the substrate is aligned and the substrate is processed, the restricting member is retracted to the retracted position. When the guard is disposed at the processing position, interference between the guard and the regulating member can be avoided.

請求項９に記載のように、前記初期位置は、当該初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の前記微小距離が基板の径の寸法公差よりも大きくなる位置に設定されていてもよい。
請求項１０記載の発明は、円形の基板（Ｗ）を保持して所定の回転軸線（Ｊ）まわりに回転させるための基板保持回転機構（４）に対して基板を芯合わせするための方法であって、前記基板保持回転機構に保持される基板の径を計測する基板径計測ステップ（Ｓ１）と、前記基板保持回転機構に設けられた位置決め部材（５５）に基板の端面に当接させることにより、当該基板を予め定める初期位置に位置決めするステップと、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線とを通る直線を対称軸とする線対称な位置関係で一対設けられて、基板の端面に当接して基板の位置を規制するための規制部材（７５）を、前記基板径の計測結果に基づいて、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の距離だけ前記回転軸線に向かって基板が移動するように移動させる規制部材移動ステップ（Ｓ２，Ｓ３）とを含み、前記規制部材移動ステップは、前記対称軸に対して対称な進退方向にそれぞれ沿うように前記一対の規制部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して進退させる規制部材進退ステップを含む、基板の芯合わせ方法である。 According to a ninth aspect of the present invention, the initial position is set at a position where the minute distance between the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis is larger than a dimensional tolerance of the substrate diameter. It may be.
The invention according to claim 10 is a method for aligning the substrate with respect to the substrate holding and rotating mechanism (4) for holding and rotating the circular substrate (W) around a predetermined rotation axis (J). Then, a substrate diameter measuring step (S1) for measuring a diameter of the substrate held by the substrate holding and rotating mechanism, and a positioning member (55) provided in the substrate holding and rotating mechanism are brought into contact with the end surface of the substrate. The substrate is positioned in a predetermined initial position, and a pair is provided in a line-symmetrical positional relationship with a straight line passing through the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis as a symmetric axis. Based on the measurement result of the substrate diameter, a distance between the rotation axis and the center of the substrate positioned at the initial position is a restriction member (75) for contacting the end surface of the substrate to restrict the position of the substrate. Just said Look including a regulating member moving step of moving (S2, S3) such that the substrate moves toward the guinea lines, the regulating member moving step, the along respective symmetrical forward and backward direction with respect to the symmetry axis The substrate centering method includes a regulating member advancing / retreating step of advancing / retreating a pair of regulating members with respect to the substrate held by the substrate holding / rotating mechanism .

この方法によれば、基板の端面に当接する規制部材によって基板の位置が規制されることによって、基板保持回転機構に対する基板の芯合わせが行われる。 According to this method, the position of the substrate is regulated by the regulating member that comes into contact with the end surface of the substrate, whereby the substrate is aligned with the substrate holding and rotating mechanism .

すなわち、基板径計測手段によって基板の径が予め計測される。基板は、その端面に当接する位置決め部材に押し付けられることにより初期位置に位置決めされる。初期位置にある基板の端面に規制部材が当接し、かつ、その規制部材が移動されることにより、基板が回転軸線に向けて移動される。このときの基板の移動距離は、初期位置にある基板の中心と回転軸線との間の距離であり、この移動距離は、実際に計測された当該基板の径に対応する。そのため、移動後の規制部材により規制される基板は、基板径の寸法公差によらずに、その中心が基板保持回転機構の回転軸線上に位置するようになる。これにより、基板保持回転機構に精密に芯合わせされた状態で基板を保持させることができる。
また、一対の規制部材が基板の端面と当接することにより、基板の位置が規制される。そのため、基板と規制部材とが当接する際に基板が予期しない方向に変位することを防止することができる。このため、基板の中心を基板保持回転機構の回転軸線上に正確に位置合わせすることができる。一対の規制部材は、初期位置に位置決めされた基板の中心と基板保持回転機構の回転軸線とを通る直線を対称軸として線対称な位置関係で設けられており、しかも、前記対称軸に対して対象な進退方向にそれぞれ沿って進退される。したがって、一対の規制部材を移動させることによって、初期位置に位置決めされた基板を前記対称軸をなす直線に沿って回転軸線側へと変位させることができる。 That is, the substrate diameter is measured in advance by the substrate diameter measuring means. The substrate is positioned at the initial position by being pressed against a positioning member that is in contact with the end surface of the substrate. When the regulating member comes into contact with the end surface of the substrate at the initial position and the regulating member is moved, the substrate is moved toward the rotation axis. The movement distance of the substrate at this time is a distance between the center of the substrate at the initial position and the rotation axis, and this movement distance corresponds to the actually measured diameter of the substrate. Therefore , the center of the substrate regulated by the moved regulation member is positioned on the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism regardless of the dimensional tolerance of the substrate diameter . Accordingly, the substrate can be held in a state where the substrate is accurately aligned with the substrate holding and rotating mechanism.
Further, the position of the substrate is regulated by the pair of regulating members coming into contact with the end surface of the substrate. Therefore, it is possible to prevent the substrate from being displaced in an unexpected direction when the substrate and the regulating member come into contact with each other. For this reason, the center of the substrate can be accurately aligned on the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism. The pair of regulating members are provided in a line-symmetrical positional relationship with a straight line passing through the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis of the substrate holding and rotating mechanism as a symmetry axis, and with respect to the symmetry axis. Advancing and retreating along each target advancing and retracting direction. Therefore, by moving the pair of restricting members, the substrate positioned at the initial position can be displaced toward the rotation axis along the straight line forming the symmetry axis.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態（第１の実施形態）に係る基板処理装置１００のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置１００は、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板に代表される円形の基板Ｗの表面に薬液やリンス液（たとえば純水（脱イオン化された純水））等の処理液を施すための枚葉式の装置である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus 100 according to one embodiment (first embodiment) of the present invention. The substrate processing apparatus 100 applies a processing solution such as a chemical solution or a rinsing solution (for example, pure water (deionized pure water)) to the surface of a circular substrate W typified by a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. It is a single-wafer type device.

この基板処理装置１００は、基板Ｗに対して処理液による処理を施す処理部ＰＣと、この処理部ＰＣの一方側に結合されたインデクサ部ＩＮＤと、インデクサ部ＩＮＤの処理部ＰＣと反対側に並べて配置された複数（図１では３つ）のカセット載置部ＣＳとを備えている。各カセット載置部ＣＳには、複数枚の基板Ｗを多段に積層した状態で収容して保持するカセットＣ（複数枚の基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）など）が載置されている。   The substrate processing apparatus 100 includes a processing unit PC that performs processing on a substrate W with a processing liquid, an indexer unit IND coupled to one side of the processing unit PC, and a processing unit PC opposite to the processing unit PC of the indexer unit IND. A plurality of (three in FIG. 1) cassette mounting parts CS arranged side by side are provided. Each cassette mounting section CS has a cassette C (FOUP (Front Opening Unified Pod) for storing a plurality of substrates W in a sealed state), SMIF for storing and holding a plurality of substrates W in a stacked state. (Standard Mechanical Inter Face) pod, OC (Open Cassette), etc.) are placed.

インデクサ部ＩＮＤには、カセット載置部ＣＳの配列方向に延びる搬送路ＩＰが形成されている。この搬送路ＩＰには、インデクサロボットＩＲが配置されている。
インデクサロボットＩＲは、搬送路ＩＰに沿って往復移動可能に設けられており、各カセット載置部ＣＳに載置されたカセットＣに対向することができる。また、インデクサロボットＩＲは、アームと、アームの先端に結合されて、基板Ｗを保持するための基板保持ハンド７０（図２参照）とを備えており、カセットＣに対向した状態で、そのカセットＣに基板保持ハンド７０をアクセスさせて、カセットＣから未処理の基板Ｗを取り出したり、処理済みの基板ＷをカセットＣに収納したりすることができる。さらに、インデクサロボットＩＲは、搬送路ＩＰの中央部に位置した状態で、処理部ＰＣに対して基板保持ハンド７０をアクセスさせて、後述するシャトル搬送機構Ｓに未処理の基板Ｗを受け渡したり、シャトル搬送機構Ｓから処理済みの基板Ｗを受け取ったりすることができる。 In the indexer section IND, a transport path IP extending in the arrangement direction of the cassette mounting section CS is formed. An indexer robot IR is disposed on the transport path IP.
The indexer robot IR is provided so as to be able to reciprocate along the transport path IP, and can face the cassette C placed on each cassette placement section CS. Further, the indexer robot IR includes an arm and a substrate holding hand 70 (see FIG. 2) coupled to the tip of the arm for holding the substrate W. It is possible to access the substrate holding hand 70 to C and take out the unprocessed substrate W from the cassette C, or store the processed substrate W in the cassette C. Further, the indexer robot IR allows the processing unit PC to access the substrate holding hand 70 in a state where the indexer robot IR is located at the center of the transfer path IP, and delivers an unprocessed substrate W to the shuttle transfer mechanism S described later. The processed substrate W can be received from the shuttle transport mechanism S.

処理部ＰＣには、インデクサ部ＩＮＤの搬送路ＩＰの中央部から、この搬送路ＩＰと直交する方向に延びる搬送路ＴＰが形成されている。搬送路ＴＰの中央には、主搬送ロボットＭＲが配置されている。処理部ＰＣには、複数（図１では４つ）の基板処理ユニットＵが、主搬送ロボットＭＲを取り囲むように配置されている。また、搬送路ＴＰには、インデクサロボットＩＲと主搬送ロボットＭＲとの間の基板Ｗの受け渡しを仲介するシャトル搬送機構Ｓが設けられている。シャトル搬送機構Ｓは、搬送路ＴＰに沿って配置された一対のレール６８と、このレール６８上を、基板Ｗを保持しつつ往復移動するシャトル本体６９とを備えている。シャトル搬送機構Ｓは、インデクサロボットＩＲから未処理の基板Ｗを受け取ることができ、かつ処理済みの基板ＷをインデクサロボットＩＲに受け渡すことができる。   The processing section PC is formed with a transport path TP extending from the center of the transport path IP of the indexer section IND in a direction orthogonal to the transport path IP. A main transfer robot MR is arranged in the center of the transfer path TP. In the processing unit PC, a plurality (four in FIG. 1) of substrate processing units U are arranged so as to surround the main transfer robot MR. The transport path TP is provided with a shuttle transport mechanism S that mediates the delivery of the substrate W between the indexer robot IR and the main transport robot MR. The shuttle transport mechanism S includes a pair of rails 68 arranged along the transport path TP, and a shuttle main body 69 that reciprocates while holding the substrate W on the rails 68. The shuttle transport mechanism S can receive an unprocessed substrate W from the indexer robot IR and can deliver the processed substrate W to the indexer robot IR.

主搬送ロボットＭＲは、基板Ｗを保持するための基板搬送ハンド６０（図４参照）を備えており、シャトルＳに基板搬送ハンド６０をアクセスさせて、シャトル搬送機構Ｓから未処理の基板Ｗを受け取ったり、処理済みの基板Ｗをシャトル搬送機構Ｓに受け渡したりすることができる。また、主搬送ロボットＭＲは、複数の基板処理ユニットＵに基板搬送ハンド６０をアクセスさせることができ、各基板処理ユニットＵとの間で相互に基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。   The main transfer robot MR includes a substrate transfer hand 60 (see FIG. 4) for holding the substrate W. The substrate transfer hand 60 is accessed by the shuttle S, and an unprocessed substrate W is transferred from the shuttle transfer mechanism S. The substrate W that has been received or processed can be transferred to the shuttle transport mechanism S. In addition, the main transfer robot MR can access the substrate transfer hand 60 to a plurality of substrate processing units U, and can transfer the substrate W to and from each substrate processing unit U. Yes.

図２は、インデクサロボットＩＲの構成の一部を拡大して示す平面図である。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを保持して搬送する基板保持ハンド７０と、この基板保持ハンド７０を、上下左右に移動させるハンド駆動機構７１とを備えている。ハンド駆動機構７１は、制御部２０によって制御されるようになっている。
基板保持ハンド７０は、基部８０と、この基部８０から延出された互いにほぼ平行な一対の腕部８１，８２とを有し、二股フォーク状に形成されている。一対の腕部８１，８２の各先端部には、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平移動を規制する規制面８３ｂ，８４ｂをそれぞれ有する規制部材８３，８４が固定されている。一方、基部８０には、基板Ｗの周縁部を下方から支持する一対の基板支持部材８７が設けられている。各基板支持部材８７は、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平移動を規制する規制面８７ｂを有している。 FIG. 2 is an enlarged plan view showing a part of the configuration of the indexer robot IR. The indexer robot IR includes a substrate holding hand 70 that holds and transports the substrate W, and a hand drive mechanism 71 that moves the substrate holding hand 70 up, down, left, and right. The hand drive mechanism 71 is controlled by the control unit 20.
The substrate holding hand 70 has a base portion 80 and a pair of arms 81 and 82 that extend from the base portion 80 and are substantially parallel to each other, and is formed in a bifurcated fork shape. Restricting members 83 and 84 having restricting surfaces 83b and 84b that abut against the end surface of the substrate W and restrict the horizontal movement of the substrate W are fixed to the tip portions of the pair of arm portions 81 and 82, respectively. On the other hand, the base 80 is provided with a pair of substrate support members 87 that support the peripheral edge of the substrate W from below. Each substrate support member 87 has a regulating surface 87 b that abuts the end surface of the substrate W and regulates the horizontal movement of the substrate W.

基部８０には、基板Ｗの端面に当接可能な当接部材８８が、基板Ｗの中心に向かって進退可能に設けられている。当接部材８８は、基部８０に固定されたシリンダ８５のロッド８６の先端に取り付けられている。このシリンダ８５は、基板Ｗの半径方向にほぼ沿ってロッド８６を進出／退避させる。シリンダが進出すると、当接部材８８も進出する。この進出する当接部材８８によって、基板Ｗは規制面８３ｂ，８４ｂに向かって押し付けられる。これにより、インデクサロボットＩＲの基板保持ハンド７０は、当接部材８８と規制部材８３，８４の規制面８３ｂ，８４ｂとの間で、基板Ｗを挟持して保持することができるようになっている。   A contact member 88 capable of contacting the end surface of the substrate W is provided on the base portion 80 so as to be able to advance and retract toward the center of the substrate W. The contact member 88 is attached to the tip of the rod 86 of the cylinder 85 fixed to the base 80. The cylinder 85 advances / retreats the rod 86 substantially along the radial direction of the substrate W. When the cylinder advances, the contact member 88 also advances. By the abutting member 88 that advances, the substrate W is pressed toward the regulation surfaces 83b and 84b. Accordingly, the substrate holding hand 70 of the indexer robot IR can hold the substrate W by holding it between the contact member 88 and the regulating surfaces 83b and 84b of the regulating members 83 and 84. .

基板保持ハンド７０には、基板Ｗの径（直径）を計測するためのリニアスケール（位置検出手段）９０が設けられている。リニアスケール９０は、当接部材８８から突出する被検出部８８ａと、基板保持ハンド７０の上面に配置されて、当接部材８８（被検出部８８ａ）の位置情報を検出するためのメインスケール９１とを備えている。メインスケール９１は、当接部材８８の進退方向に沿う帯状のスケールである。   The substrate holding hand 70 is provided with a linear scale (position detecting means) 90 for measuring the diameter (diameter) of the substrate W. The linear scale 90 is arranged on the detected portion 88a protruding from the contact member 88 and the upper surface of the substrate holding hand 70, and a main scale 91 for detecting position information of the contact member 88 (detected portion 88a). And. The main scale 91 is a belt-like scale along the advancing / retreating direction of the contact member 88.

カセットＣ内の基板Ｗを基板保持ハンド７０ですくいとるときには、シリンダ８５のロッド８６は退避状態に制御される。そして、基板Ｗが規制部材８３，８４および基板支持部材８７によって下方から支持された後に、シリンダ８５のロッド８６は進出され、これに伴って当接部材８８が進出する。これにより、基板Ｗは、規制部材８３，８４の基板支持面８３ａ，８４ａおよび基板支持部材８７上でスライドし、規制面８３ｂ，８４ｂに押し付けられる。こうして、基板Ｗは、当接部材８８と規制面８３ｂ，８４ｂとの間で挟持された状態で搬送されることになる。この基板Ｗの挟持状態で、メインスケール９１によって被検出部８８ａの位置情報が検出される。メインスケール９１によって検出された被検出部８８ａの位置情報は、制御部２０に与えられるようになっている。後述するように、制御部２０は、被検出部８８ａの位置情報に基づいて、基板Ｗの径を計測する。   When the substrate W in the cassette C is scooped with the substrate holding hand 70, the rod 86 of the cylinder 85 is controlled to the retracted state. After the substrate W is supported from below by the regulation members 83 and 84 and the substrate support member 87, the rod 86 of the cylinder 85 is advanced, and the contact member 88 is advanced accordingly. Accordingly, the substrate W slides on the substrate support surfaces 83a and 84a and the substrate support member 87 of the restriction members 83 and 84 and is pressed against the restriction surfaces 83b and 84b. Thus, the substrate W is transported in a state of being sandwiched between the contact member 88 and the regulating surfaces 83b and 84b. The position information of the detected portion 88a is detected by the main scale 91 in the sandwiched state of the substrate W. The position information of the detected part 88 a detected by the main scale 91 is given to the control part 20. As will be described later, the control unit 20 measures the diameter of the substrate W based on the position information of the detected portion 88a.

その後、シリンダ８５のロッド８６が退避状態に制御されて、基板Ｗの挟持が解かれ、シャトル搬送機構Ｓとの間での基板Ｗの受渡しが行われる。
図３は、図１に示す基板処理ユニットＵの構成を説明するための図解的な断面図である。複数の基板処理ユニットＵはいずれも同一構成を有している。そのため、一つの基板処理ユニットＵの構成について図面を参照しつつ説明する。 Thereafter, the rod 86 of the cylinder 85 is controlled to the retracted state, the clamping of the substrate W is released, and the substrate W is transferred to and from the shuttle transport mechanism S.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the substrate processing unit U shown in FIG. The plurality of substrate processing units U all have the same configuration. Therefore, the configuration of one substrate processing unit U will be described with reference to the drawings.

基板処理ユニットＵは、基板Ｗの下面に対して処理液を供給して、その下面の処理を行うことができる。また、基板Ｗの下面に対して処理液を供給することにより、基板Ｗの下面から基板Ｗの端面を伝ってその上面（デバイス形成面）に処理液を回り込ませ、基板Ｗの上面周縁部の処理（ベベル処理）を行うことができる。さらに、基板Ｗの上面に対して処理液を供給して、その上面の処理を行うことができる。   The substrate processing unit U can supply a processing liquid to the lower surface of the substrate W and perform processing on the lower surface. In addition, by supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate W, the processing liquid flows from the lower surface of the substrate W to the upper surface (device formation surface) through the end surface of the substrate W, and Processing (bevel processing) can be performed. Furthermore, the processing liquid can be supplied to the upper surface of the substrate W to perform processing on the upper surface.

基板処理ユニットＵは、中空の回転軸１が、モータ３の回転軸に連結されており、このモータ３を駆動することにより、鉛直方向に沿う回転軸線Ｊ回りに回転可能となっている。回転軸１の上端部には、スピンベース５が一体的に連結されている。したがって、モータ３の駆動によりスピンベース５が回転軸線Ｊ回りに回転可能となっている。また、スピンベース５の周縁部付近には、基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５から上方に向けて突出して設けられている。そして、複数個の支持部７によってスピンベース５から所定の間隔離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。これらの支持部７およびスピンベース５などにより、基板Ｗを保持して回転する基板保持回転機構としてのスピンチャック４が構成されている。   In the substrate processing unit U, a hollow rotating shaft 1 is connected to a rotating shaft of a motor 3, and by driving the motor 3, the substrate processing unit U can rotate around a rotating axis J along the vertical direction. A spin base 5 is integrally connected to the upper end of the rotating shaft 1. Therefore, the spin base 5 can rotate around the rotation axis J by driving the motor 3. In addition, a plurality of support portions 7 that support the substrate W while being in contact with the periphery of the lower surface of the substrate W are provided in the vicinity of the periphery of the spin base 5 so as to protrude upward from the spin base 5. Then, the substrate W is horizontally supported by the plurality of support portions 7 while being separated from the spin base 5 by a predetermined distance. The support 7 and the spin base 5 constitute a spin chuck 4 as a substrate holding and rotating mechanism that holds and rotates the substrate W.

図４はスピンチャック４の平面図であり、主搬送ロボットＭＲの基板搬送ハンド６０によって基板Ｗが搬入されるときの様子が示されている。この基板搬送ハンド６０は、基板Ｗを保持して予め定める基板搬入方向Ｘ１に移動して、スピンチャック４に基板Ｗを受け渡すものである。
スピンベース５には、その中心部に開口が設けられるとともに、その周縁部付近には支持部７が複数個（この実施形態では１２個）設けられている。そして、１２個の支持部７が回転軸線Ｊを中心として３０度ずつの等角度間隔で放射状に配置されている。 FIG. 4 is a plan view of the spin chuck 4 and shows a state where the substrate W is carried in by the substrate transport hand 60 of the main transport robot MR. The substrate transport hand 60 holds the substrate W, moves in a predetermined substrate loading direction X1, and delivers the substrate W to the spin chuck 4.
The spin base 5 has an opening at the center thereof, and a plurality of support portions 7 (12 in this embodiment) are provided in the vicinity of the peripheral edge thereof. The twelve support portions 7 are arranged radially at equiangular intervals of 30 degrees around the rotation axis J.

基板Ｗを水平支持するためには、支持部７の個数は少なくとも３個以上であればよいが、支持部７が基板Ｗの下面に当接する部分を処理するためには、支持部７を基板Ｗの下面に対して接触／離間自在に構成するとともに、処理中に少なくとも１回以上、各支持部７を基板Ｗの下面から離間させるのが望ましい。そのため、支持部７が基板Ｗの下面に当接する部分をも含めて基板Ｗの下面全域を処理するためには少なくとも４個以上の支持部７が必要とされる。   In order to horizontally support the substrate W, the number of the support portions 7 may be at least three or more. However, in order to process a portion where the support portion 7 abuts on the lower surface of the substrate W, the support portion 7 is attached to the substrate. It is desirable that the lower surface of W be configured to be able to contact / separate from the lower surface of W and that each support portion 7 is separated from the lower surface of substrate W at least once during processing. Therefore, in order to process the entire lower surface of the substrate W including the portion where the support portion 7 contacts the lower surface of the substrate W, at least four or more support portions 7 are required.

この実施形態では、たとえば、１２個の支持部７を１つおきの６個ずつの２グループに分け、基板Ｗを処理液で処理するときには、当該２つのグループの支持部７で交互に基板Ｗを支持するように動作する。
また、この基板処理ユニットＵは、図３に示すようにスピンベース５に対向して配置され、基板Ｗの上面側の雰囲気を遮断するための雰囲気遮断板９と、この雰囲気遮断板９と基板Ｗの上面との間に形成される空間ＳＰに窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給部２１を備えている。そして、ガス供給部２１から基板Ｗの上面に向けて空間ＳＰに不活性ガスを供給することによって、基板Ｗを支持部７に押圧させて、基板Ｗをスピンチャック４に保持させることが可能となっている。これにより、支持部７と基板Ｗ下面との間の摩擦力により、スピンチャック４の回転力が支持部７を介して基板Ｗに伝えられる。 In this embodiment, for example, when the twelve support portions 7 are divided into two groups of every other six, and the substrate W is processed with the processing liquid, the substrate W is alternately used by the support portions 7 of the two groups. Operate to support.
In addition, the substrate processing unit U is disposed opposite to the spin base 5 as shown in FIG. 3, and includes an atmosphere blocking plate 9 for blocking the atmosphere on the upper surface side of the substrate W, and the atmosphere blocking plate 9 and the substrate. A gas supply unit 21 that supplies an inert gas such as nitrogen gas to the space SP formed between the upper surface of W is provided. Then, by supplying an inert gas to the space SP from the gas supply unit 21 toward the upper surface of the substrate W, it is possible to press the substrate W against the support unit 7 and hold the substrate W on the spin chuck 4. It has become. Thereby, the rotational force of the spin chuck 4 is transmitted to the substrate W through the support portion 7 due to the frictional force between the support portion 7 and the lower surface of the substrate W.

雰囲気遮断板９は、中空筒状の支持軸１１の下端部に一体回転可能に取り付けられている。支持軸１１には、図示を省略する遮断駆動機構が連結されており、遮断駆動機構のモータを駆動することにより支持軸１１とともに雰囲気遮断板９がスピンチャック４の回転軸１と同軸の回転軸線Ｊ回りに回転されるように構成されている。制御部２０は、遮断駆動機構のモータをモータ３と同期するように制御することで、スピンチャック４と同じ回転方向および同じ回転速度で雰囲気遮断板９を回転駆動させることができる。また、遮断駆動機構の昇降駆動用アクチュエータ（例えばエアシリンダなど）を作動させることで雰囲気遮断板９をスピンベース５に近接させたり、逆に離間させたりすることが可能となっている。   The atmosphere blocking plate 9 is attached to the lower end portion of the hollow cylindrical support shaft 11 so as to be integrally rotatable. An unillustrated shut-off drive mechanism is connected to the support shaft 11, and the atmosphere shut-off plate 9 along with the support shaft 11 and the rotary shaft 1 of the spin chuck 4 are coaxial with the support shaft 11 by driving a motor of the shut-off drive mechanism. It is configured to rotate around J. The control unit 20 can drive the atmosphere blocking plate 9 to rotate at the same rotation direction and the same rotation speed as the spin chuck 4 by controlling the motor of the blocking drive mechanism to synchronize with the motor 3. In addition, the atmosphere blocking plate 9 can be brought close to the spin base 5 or can be separated from the spin base 5 by operating a lifting drive actuator (for example, an air cylinder) of the blocking drive mechanism.

雰囲気遮断板９は基板Ｗの径より若干大きく、その中心部に開口を有している。雰囲気遮断板９はスピンチャック４の上方に配置されて、その下面（底面）が基板Ｗの上面と対向する対向面９ａとなっている。この対向面９ａには、複数のガス噴出口９ｂが開口している。複数のガス噴出口９ｂは、スピンベース５に設けられた支持部７に対応する位置に、より具体的には支持部７の回転軌跡上に、回転軸線Ｊを中心とする円周に沿って等間隔に配列されている。これらのガス噴出口９ｂは、雰囲気遮断板９の内部のガス流通空間９ｃに連通している。なお、ガス噴出口９ｂは複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、回転軸線Ｊを中心として同心円状に全周にわたってリング状に開口したものであってもよい。ただし、複数のガス噴出口９ｂとした方が、ガス噴出圧の均一性を得る点で有利である。   The atmosphere blocking plate 9 is slightly larger than the diameter of the substrate W and has an opening at the center thereof. The atmosphere blocking plate 9 is disposed above the spin chuck 4, and its lower surface (bottom surface) is a facing surface 9 a that faces the upper surface of the substrate W. A plurality of gas ejection ports 9b are opened on the facing surface 9a. The plurality of gas ejection ports 9b are located at positions corresponding to the support portion 7 provided on the spin base 5, more specifically on the rotation locus of the support portion 7 along the circumference around the rotation axis J. They are arranged at equal intervals. These gas outlets 9 b communicate with the gas circulation space 9 c inside the atmosphere blocking plate 9. The gas outlet 9b is not limited to a plurality of openings, and may be a single opening, for example, a concentric circle-shaped opening around the entire circumference around the rotation axis J. However, it is advantageous to obtain a plurality of gas ejection ports 9b in that the gas ejection pressure is uniform.

雰囲気遮断板９の内部に形成されたガス流通空間９ｃにガスを供給するために、ガス流通空間９ｃは配管２５を介してガス供給部２１に連通接続されている。この配管２５には制御部２０により開閉制御される開閉弁２３が介装されている。このため、制御部２０が開閉弁２３を開にすることでガス供給部２１からガス流通空間９ｃに窒素ガス等の不活性ガスが供給されて、複数のガス噴出口９ｂから基板Ｗの上面に向けて不活性ガスが噴出される。また、複数のガス噴出口９ｂは支持部７の回転軌跡上に配置されるように雰囲気遮断板９の対向面９ａに設けられて、略鉛直方向に不活性ガスを噴出するように形成されている。なお、複数のガス噴出口９ｂからの不活性ガスは支持部７の回転軌跡上に供給する場合に限らず、支持部７の回転軌跡よりも径方向内側あるいは外側に供給するようにしてもよい。   In order to supply gas to the gas circulation space 9 c formed inside the atmosphere blocking plate 9, the gas circulation space 9 c is connected to the gas supply unit 21 through the pipe 25. An opening / closing valve 23 that is controlled to be opened and closed by the control unit 20 is interposed in the pipe 25. For this reason, when the control unit 20 opens the on-off valve 23, an inert gas such as nitrogen gas is supplied from the gas supply unit 21 to the gas circulation space 9c, and the plurality of gas ejection ports 9b are supplied to the upper surface of the substrate W. Inert gas is spouted out. The plurality of gas ejection ports 9b are provided on the opposing surface 9a of the atmosphere shielding plate 9 so as to be arranged on the rotation locus of the support portion 7, and are formed so as to eject inert gas in a substantially vertical direction. Yes. In addition, the inert gas from the plurality of gas ejection ports 9b is not limited to the case where the inert gas is supplied on the rotation locus of the support portion 7, but may be supplied radially inside or outside the rotation locus of the support portion 7. .

複数のガス噴出口９ｂの各々から均一に不活性ガスを噴出されることで、基板Ｗはスピンベース５に上方に向けて突出して設けられた各支持部７に均等に押圧される。これにより、基板Ｗはスピンチャック４に水平に保持される。
雰囲気遮断板９の中心の開口および支持軸１１の中空部には、上部洗浄ノズル１２が同軸に設けられ、その下端部のノズル口１２ａからスピンベース５に押圧保持された基板Ｗの上面の回転中心付近に薬液、リンス液等の処理液を供給できるように構成されている。この上部洗浄ノズル１２は、配管１３に連通接続されている。この配管１３は、基端部において分岐しており、一方の分岐配管１３ａには薬液供給源３１が接続され、他方の分岐配管１３ｂにはリンス液供給源３３が接続されている。各分岐配管１３ａ，１３ｂには開閉弁１５、１７が介装されており、装置全体を制御する制御部２０による開閉弁１５、１７の開閉制御によって上部洗浄ノズル１２から基板Ｗの上面に薬液とリンス液とを選択的に切り換えて供給することができる。 The inert gas is uniformly ejected from each of the plurality of gas ejection ports 9b, whereby the substrate W is evenly pressed by the support portions 7 provided to protrude upward from the spin base 5. As a result, the substrate W is held horizontally by the spin chuck 4.
An upper cleaning nozzle 12 is coaxially provided in the opening at the center of the atmosphere blocking plate 9 and the hollow portion of the support shaft 11, and the upper surface of the substrate W that is pressed and held by the spin base 5 from the nozzle port 12 a at the lower end thereof is rotated. A treatment liquid such as a chemical liquid or a rinsing liquid can be supplied near the center. The upper cleaning nozzle 12 is connected in communication with the pipe 13. The pipe 13 is branched at the base end, and a chemical liquid supply source 31 is connected to one branch pipe 13a, and a rinse liquid supply source 33 is connected to the other branch pipe 13b. On / off valves 15 and 17 are interposed in the branch pipes 13a and 13b, respectively, and the chemical solution is supplied from the upper cleaning nozzle 12 to the upper surface of the substrate W by the on / off control of the on / off valves 15 and 17 by the control unit 20 that controls the entire apparatus. The rinsing liquid can be selectively switched and supplied.

また、支持軸１１の中空部の内壁面と、上部洗浄ノズル１２の外壁面との間の隙間は、気体供給路１８となっている。この気体供給路１８は、開閉弁１９を介装した配管２，７を介して気体供給源３５に連続接続されている。そして、上部洗浄ノズル１２による薬液処理およびリンス処理を行った後、制御部２０による開閉弁１９の開閉制御によって気体供給路１８を介して基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間の空間ＳＰに清浄な空気や不活性ガス等の気体を供給することによって、基板Ｗの乾燥処理を行うことが可能となっている。   Further, a gap between the inner wall surface of the hollow portion of the support shaft 11 and the outer wall surface of the upper cleaning nozzle 12 serves as a gas supply path 18. The gas supply path 18 is continuously connected to a gas supply source 35 via pipes 2 and 7 with an on-off valve 19 interposed. And after performing the chemical | medical solution process and the rinse process by the upper washing nozzle 12, the upper surface of the board | substrate W and the opposing surface 9a of the atmosphere interruption | blocking board 9 are controlled via the gas supply path 18 by the opening / closing control of the on-off valve 19 by the control part 20. The substrate W can be dried by supplying clean air or inert gas to the space SP.

回転軸１の中空部には、下部洗浄ノズル４１が同軸に設けられ、その上端部のノズル口４１ａから基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液を供給できるように構成されている。この下部洗浄ノズル４１は、配管４３に連通接続されている。この配管４３は、基端部において分岐しており、一方の分岐配管４３ａには薬液供給源３１が接続され、他方の分岐配管４３ｂにはリンス液供給源３３が接続されている。各分岐配管４３ａ，４３ｂには開閉弁４５，４７が介装されており、装置全体を制御する制御部２０による開閉弁４５，４７の開閉制御によって下部洗浄ノズル４１から基板Ｗの下面に薬液とリンス液とを選択的に切り換えて供給することができる。   A lower cleaning nozzle 41 is coaxially provided in the hollow portion of the rotating shaft 1 and is configured so that the processing liquid can be supplied from the nozzle port 41a at the upper end portion to the vicinity of the rotation center on the lower surface of the substrate W. The lower cleaning nozzle 41 is connected in communication with the pipe 43. The pipe 43 is branched at the base end, the chemical liquid supply source 31 is connected to one branch pipe 43a, and the rinse liquid supply source 33 is connected to the other branch pipe 43b. On / off valves 45 and 47 are interposed in the branch pipes 43a and 43b, respectively, and the chemical solution is transferred from the lower cleaning nozzle 41 to the lower surface of the substrate W by the opening and closing control of the on-off valves 45 and 47 by the control unit 20 that controls the entire apparatus. The rinsing liquid can be selectively switched and supplied.

また、回転軸１の内壁面と下部洗浄ノズル４１の外壁面との間の隙間は、円筒状の気体供給路４８を形成している。この気体供給路４８は、開閉弁４９を介装した配管５０を介して気体供給源３５に連続接続されていて、制御部２０による開閉弁４９の開閉制御によって気体供給路４８を介して基板Ｗの下面とスピンベース５の対向面との間の空間に清浄な空気や不活性ガス等の気体を供給することができる。   Further, a gap between the inner wall surface of the rotating shaft 1 and the outer wall surface of the lower cleaning nozzle 41 forms a cylindrical gas supply path 48. The gas supply path 48 is continuously connected to the gas supply source 35 via a pipe 50 having an opening / closing valve 49 interposed therebetween, and the substrate W is connected via the gas supply path 48 by the opening / closing control of the opening / closing valve 49 by the control unit 20. A gas such as clean air or an inert gas can be supplied to the space between the lower surface of the substrate and the opposite surface of the spin base 5.

図５は支持部７の構成を示す部分断面図である。前記複数の支持部７はいずれも同一構成を有しているため、ここでは一つの支持部７の構成についてのみ図面を参照しつつ説明する。
支持部７は、スピンベース５の一部が上方に向けて凸状に延出した延出部５ａの内部に設けられている。この支持部７は、基板Ｗの下面周縁部に当接／離間可能にスピンベース５の延出部５ａの上面に埋設されたフィルム２８と、上下方向に移動可能に支持されてフィルム２８の下面側に当接／離間してフィルム２８の上面中央部を押上可能となっている可動ロッド２９と、この可動ロッド２９を上下動させるモータ等の駆動部３０とを備えている。なお、駆動部３０にはモータに限らず、エアシリンダ等のアクチュエータ全般を用いてもよい。 FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the support portion 7. Since the plurality of support portions 7 all have the same configuration, only the configuration of one support portion 7 will be described with reference to the drawings.
The support part 7 is provided inside an extension part 5a in which a part of the spin base 5 extends in a convex shape upward. The support portion 7 includes a film 28 embedded in the upper surface of the extension portion 5a of the spin base 5 so as to be able to contact / separate from the lower surface peripheral portion of the substrate W, and a lower surface of the film 28 supported so as to be movable in the vertical direction. A movable rod 29 that is capable of abutting / separating to the side to push up the center of the upper surface of the film 28 and a drive unit 30 such as a motor that moves the movable rod 29 up and down are provided. The drive unit 30 is not limited to a motor, and may be an actuator such as an air cylinder.

駆動部３０が制御部２０からの駆動信号によって図示省略する駆動連結部を介して可動ロッド２９を上昇駆動させると、可動ロッド２９の先端部がフィルム２８の円筒状凹部の上底面に当接してそのままフィルム２８の上面中央部を押し上げる。これにより、スピンベース５の上面側に埋設されているフィルム２８の上面がスピンベース５の延出部５ａの上面から突出する。このため、複数の支持部７のフィルム２８（少なくとも３個以上）を突出させることで、フィルム２８を基板Ｗの下面と当接させつつ基板Ｗをスピンベース５の延出部５ａの上面から離間（例えば、１ｍｍ程度）させて水平支持することが可能となる。   When the drive unit 30 raises the movable rod 29 via a drive connection unit (not shown) by a drive signal from the control unit 20, the tip of the movable rod 29 comes into contact with the upper bottom surface of the cylindrical recess of the film 28. The upper center of the film 28 is pushed up as it is. Thereby, the upper surface of the film 28 embedded on the upper surface side of the spin base 5 protrudes from the upper surface of the extending portion 5 a of the spin base 5. Therefore, by projecting the films 28 (at least three or more) of the plurality of support portions 7, the substrate W is separated from the upper surface of the extension portion 5 a of the spin base 5 while the film 28 is in contact with the lower surface of the substrate W. It is possible to support horizontally (for example, about 1 mm).

一方、駆動部３０が可動ロッド２９を下降駆動させると、可動ロッド２９の先端部はフィルム２８の円筒状凹部の上底面から離間されて、フィルム２８の上面をスピンベース５の延出部５ａの上面と同一平面内に収容する。このため、突出させた複数の支持部７のフィルム２８のうち少なくとも３個を残して、その一部を下降させることで、下降させたフィルム２８を基板Ｗの下面から離間させることが可能となる。フィルム２８は、可撓性を有するとともに処理液に対する耐腐食性を有する樹脂により成形される。好ましくは、PTFE（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂が用いられる。   On the other hand, when the drive unit 30 drives the movable rod 29 to move downward, the tip of the movable rod 29 is separated from the upper bottom surface of the cylindrical recess of the film 28, and the upper surface of the film 28 is moved to the extension portion 5 a of the spin base 5. Store in the same plane as the top surface. For this reason, it is possible to separate the lowered film 28 from the lower surface of the substrate W by leaving at least three of the projected films 28 of the plurality of support portions 7 and lowering a part thereof. . The film 28 is formed of a resin having flexibility and corrosion resistance to the processing liquid. Preferably, a fluororesin such as PTFE (polytetrafluoroethylene) is used.

ここで、基板Ｗの下面に処理液を供給して基板Ｗの端面を伝ってその上面に処理液を回り込ませて基板Ｗの上面周縁部を処理（ベベル処理）する場合について説明する。ガス噴出口９ｂから基板Ｗの上面に向けて略鉛直方向に噴出される不活性ガスは、処理液が上面周縁部に回り込んで処理される上面処理領域ＴＲより内側の非処理領域ＮＴＲに供給される。一方で、支持部７は不活性ガスが供給される非処理領域ＮＴＲに対応する基板Ｗの下面側に当接して支持するようにスピンベース５の周縁部に設けられている。このように構成することで、処理液の非処理領域ＮＴＲへの侵入を防止することができる。ここで、雰囲気遮断板９の対向面９ａの周縁は、処理液の回り込みを阻害させることのないよう上面処理領域ＴＲに対応して対向面が段差状に上方に後退している。   Here, a case where the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate W, is transmitted along the end surface of the substrate W, and the processing liquid is introduced into the upper surface of the substrate W, so that the peripheral edge of the upper surface of the substrate W is processed (bevel processing) will be described. The inert gas ejected in a substantially vertical direction from the gas ejection port 9b toward the upper surface of the substrate W is supplied to the non-processing region NTR inside the upper surface processing region TR where the processing liquid wraps around the upper surface peripheral edge and is processed. Is done. On the other hand, the support portion 7 is provided on the peripheral portion of the spin base 5 so as to contact and support the lower surface side of the substrate W corresponding to the non-processing region NTR to which the inert gas is supplied. With this configuration, it is possible to prevent the processing liquid from entering the non-processing region NTR. Here, the peripheral surface of the opposing surface 9a of the atmosphere blocking plate 9 is retreated upward in a stepped manner corresponding to the upper surface processing region TR so as not to hinder the flow of the processing liquid.

基板Ｗをその下面に当接する支持部７に押圧支持させる方式では、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間ＳＰに不活性ガスを供給することで空間ＳＰの内部圧力を高めて基板Ｗを支持部７に押圧させている。つまり、基板Ｗの外周端部に当接して保持するチャックピン等の保持部材がなく、基板Ｗに働く遠心力が基板Ｗと支持部７との間の摩擦力を上回れば、基板Ｗが径方向外側に飛び出してしまうおそれがある。これを防ぐためには、事前に、スピンチャック４に対して、基板Ｗを高精度に芯合わせしておく必要がある。   In the system in which the substrate W is pressed and supported by the support portion 7 that is in contact with the lower surface of the substrate W, an inert gas is supplied to the space SP formed between the upper surface of the substrate W and the facing surface 9a of the atmosphere blocking plate 9 to provide a space. The substrate W is pressed against the support portion 7 by increasing the internal pressure of the SP. That is, if there is no holding member such as a chuck pin that holds and holds the outer peripheral end of the substrate W, and the centrifugal force acting on the substrate W exceeds the frictional force between the substrate W and the support portion 7, the substrate W has a diameter. There is a risk of jumping outward in the direction. In order to prevent this, it is necessary to align the substrate W with the spin chuck 4 with high accuracy in advance.

また、基板Ｗがスピンチャック４に対して高精度に芯合わせされていないと、基板Ｗの回り込み幅を均一にすることができず、基板Ｗの上面周縁部における洗浄幅を高い精度に規定できないという問題もある。
そして、スピンチャック４に対して基板Ｗを芯合わせするために、図４に示すように、スピンベース５の上面には、基板Ｗを初期位置に位置決めするための位置決め部材としての一対の位置決めガイド５５が備えられている。また、同じくスピンチャック４に対して基板Ｗを芯合わせするために、スピンチャック４の側方には、初期位置に位置決めされた基板Ｗを移動させるための一対の押し出し機構７２，７３が配置されている。 Further, if the substrate W is not aligned with the spin chuck 4 with high accuracy, the wraparound width of the substrate W cannot be made uniform, and the cleaning width at the peripheral edge of the upper surface of the substrate W cannot be defined with high accuracy. There is also a problem.
Then, in order to align the substrate W with the spin chuck 4, a pair of positioning guides as positioning members for positioning the substrate W at the initial position is provided on the upper surface of the spin base 5 as shown in FIG. 55 is provided. Similarly, in order to align the substrate W with the spin chuck 4, a pair of push-out mechanisms 72 and 73 for moving the substrate W positioned at the initial position are arranged on the side of the spin chuck 4. ing.

一対の位置決めガイド５５は、後述する搬入基準軸線Ｑを対称軸とする線対称な関係に配置されている。また、この一対の位置決めガイド５５は、スピンベース５の上面の回転軸線Ｊよりも基板搬入方向Ｘ１側に配置されている。各位置決めガイド５５は、図６に拡大斜視図を示すように、基板Ｗの周縁部の下面を点接触で支持する円錐台状の基板支持部５６と、この基板支持部５６よりも基板Ｗの半径方向外方側に位置し、基板Ｗの端面に対向する位置決め面５７とを備えている。位置決め面５７は、基板Ｗに搬入される基板Ｗの端面に対向している。一対の位置決めガイド５５は、スピンベース５の上面に、それらの位置決め面５７に基板Ｗの端面が当接したときに基板Ｗを予め定める初期位置に位置決めできる位置に立設されている。具体的には、基板Ｗの初期位置は、基板Ｗの中心（重心）が、スピンベース５の回転軸線Ｊよりも微小距離（たとえば、０．３ｍｍ。この距離は、基板Ｗの径の寸法公差よりも大きく定めておくことが好ましい。）だけ基板搬入方向Ｘ１下流側に寄った位置である。   The pair of positioning guides 55 are arranged in a line-symmetrical relationship with a carry-in reference axis Q (described later) as an axis of symmetry. Further, the pair of positioning guides 55 are arranged on the substrate loading direction X1 side with respect to the rotation axis J on the upper surface of the spin base 5. As shown in an enlarged perspective view in FIG. 6, each positioning guide 55 includes a truncated cone-shaped substrate support portion 56 that supports the lower surface of the peripheral portion of the substrate W by point contact, and the substrate W more than the substrate support portion 56. A positioning surface 57 that is located on the radially outer side and faces the end surface of the substrate W is provided. The positioning surface 57 faces the end surface of the substrate W carried into the substrate W. The pair of positioning guides 55 is erected on the upper surface of the spin base 5 at a position where the substrate W can be positioned at a predetermined initial position when the end surface of the substrate W comes into contact with the positioning surface 57. Specifically, the initial position of the substrate W is such that the center (center of gravity) of the substrate W is a minute distance (for example, 0.3 mm from the rotation axis J of the spin base 5. This distance is a dimensional tolerance of the diameter of the substrate W. It is preferable that it is a position closer to the downstream side in the substrate loading direction X1.

また、位置決め面５７は、基板Ｗの上昇および下降時の擦れを軽減するため、鉛直から５度程度傾斜した傾斜面となっている。ただし、擦れが特に問題とならない場合は鉛直面であってもよい。
さらに、この実施形態では、スピンベース５の回転軸線Ｊに関して、一対の位置決めガイド５５と対称な位置に、一対の位置決め時用基板支持ピン５８がそれぞれ立設されている。これらの位置決め時用基板支持ピン５８は、基板Ｗの下面周縁部を点接触で支持する半球状の基板支持部５９をそれぞれ有している。 Further, the positioning surface 57 is an inclined surface inclined about 5 degrees from the vertical in order to reduce rubbing when the substrate W is raised and lowered. However, when rubbing is not particularly problematic, a vertical surface may be used.
Further, in this embodiment, a pair of positioning substrate support pins 58 are erected at positions symmetrical to the pair of positioning guides 55 with respect to the rotation axis J of the spin base 5. Each of the positioning substrate support pins 58 has a hemispherical substrate support portion 59 that supports the peripheral edge of the lower surface of the substrate W by point contact.

位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９は、基板Ｗの位置決め時に基板Ｗの下面周縁部に接触して当該基板Ｗを支持する位置決め用基板支持部であり、スピンベース５の上面に対して一定の基板支持高さで基板Ｗの下面に当接するようになっている。基板Ｗの処理時に当該基板Ｗを支持する前述の支持部７は、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８による基板支持高さよりも高い処理位置と、当該基板支持高さよりも低い退避位置との間で、基板支持高さ（フィルム２８の上面の高さ）を変更することができるようになっている。支持部７の基板支持高さは、基板Ｗを処理するときには処理位置に制御され、基板Ｗの位置合わせ時には退避位置に制御されるようになっている。   The substrate support portions 56 and 59 of the positioning guide 55 and the positioning substrate support pin 58 are positioning substrate support portions that support the substrate W by contacting the lower surface peripheral edge of the substrate W when the substrate W is positioned. The upper surface of the base 5 is in contact with the lower surface of the substrate W at a constant substrate support height. The aforementioned support unit 7 that supports the substrate W during processing of the substrate W includes a processing position higher than the substrate support height by the positioning guide 55 and the positioning substrate support pins 58, and a retracted position lower than the substrate support height. The height of the substrate support (the height of the upper surface of the film 28) can be changed. The substrate support height of the support portion 7 is controlled to the processing position when processing the substrate W, and is controlled to the retracted position when aligning the substrate W.

基板搬送ハンド６０は、基板Ｗを位置決めガイド５５の位置決め面５７に押し付ける役割を担う。基板搬送ハンド６０は、互いにほぼ平行な水平方向に延びた一対の片持ち梁６１と、この一対の片持ち梁６１の基端部間に掛け渡された横断梁６２とを備えている。
片持ち梁６１の先端部には、基板Ｗを落とし込んで保持するための落とし込みガイド６４が設けられている。落とし込みガイド６４は、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平移動を規制する規制面６４ｂと、この規制面６４ｂの下縁付近から基板Ｗの中心に向かって突出した支持爪６５とを備えている。規制面６４ｂは、たとえば、基板Ｗの端面の接線方向に沿う鉛直面とされている。支持爪６５の上面は、基板Ｗの下縁を点接触で支持できるようになっている。 The substrate transport hand 60 plays a role of pressing the substrate W against the positioning surface 57 of the positioning guide 55. The substrate transport hand 60 includes a pair of cantilever beams 61 extending in a horizontal direction substantially parallel to each other, and a transverse beam 62 spanned between the base end portions of the pair of cantilever beams 61.
A drop guide 64 for dropping and holding the substrate W is provided at the tip of the cantilever 61. The drop guide 64 includes a regulation surface 64b that abuts the end surface of the substrate W and regulates the horizontal movement of the substrate W, and a support claw 65 that protrudes from the vicinity of the lower edge of the regulation surface 64b toward the center of the substrate W. ing. The regulation surface 64b is, for example, a vertical surface along the tangential direction of the end surface of the substrate W. The upper surface of the support claw 65 can support the lower edge of the substrate W by point contact.

また、片持ち梁６１の根元部には、基板Ｗを落とし込んで保持するための落とし込みガイド６６が設けられている。落とし込みガイド６６は、基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平移動を規制する規制面６６ｂを有している。この規制面６６ｂは、たとえば、基板Ｗの端面の接線方向に沿う鉛直面とされている。さらに図示されていない支持爪が当接部材５１の両脇に配置され基板Ｗの下縁を点接触で支持できるようになっている。   A dropping guide 66 for dropping and holding the substrate W is provided at the base of the cantilever 61. The drop guide 66 has a regulating surface 66b that abuts the end surface of the substrate W and regulates the horizontal movement of the substrate W. The regulation surface 66b is, for example, a vertical surface along the tangential direction of the end surface of the substrate W. Further, support claws (not shown) are arranged on both sides of the contact member 51 so that the lower edge of the substrate W can be supported by point contact.

横断梁６２には、基板Ｗをスピンチャック４上の位置決めガイド５５に向けて押し付けるための押圧部材５１が設けられている。押圧部材５１は、基板Ｗの端面と当接可能な当接部材５２を備えている。当接部材５２は、有底筒状の保持部材５３によって、基板搬入方向Ｘ１に沿うスライド移動が許容されつつ保持されている。当接部材５２と保持部材５３の底部との間には、コイルばね５４が介装されている。   The transverse beam 62 is provided with a pressing member 51 for pressing the substrate W toward the positioning guide 55 on the spin chuck 4. The pressing member 51 includes a contact member 52 that can contact the end surface of the substrate W. The contact member 52 is held by a bottomed cylindrical holding member 53 while being allowed to slide along the substrate loading direction X1. A coil spring 54 is interposed between the contact member 52 and the bottom of the holding member 53.

基板Ｗが落とし込みガイド６４，６６により保持されている状態では、コイルばね５４は伸び切った状態であり、当接部材５２は基板Ｗを弾性的に押圧することはない。一方、基板Ｗが落とし込みガイド６４、６６から離脱して、押圧部材５１に向けて相対変位すると、コイルばね５４が圧縮され、当接部材５２を基板搬入方向Ｘ１に沿って基板Ｗの端面に向けて弾性的に付勢するようになる。このとき、コイルばね５４の弾性変形により、基板Ｗの端面の変形や潰れを防止することができる。   In a state where the substrate W is held by the drop guides 64 and 66, the coil spring 54 is fully extended, and the contact member 52 does not elastically press the substrate W. On the other hand, when the substrate W is detached from the drop guides 64 and 66 and is relatively displaced toward the pressing member 51, the coil spring 54 is compressed, and the contact member 52 is directed toward the end surface of the substrate W along the substrate carrying-in direction X1. And elastically biased. At this time, the elastic deformation of the coil spring 54 can prevent the end face of the substrate W from being deformed or crushed.

一対の押し出し機構７２，７３は、基板搬入方向Ｘ１に沿って延び、回転軸線Ｊを通る搬入基準軸線Ｑを対称軸とする線対称な位置関係となるように配置されている。
各押し出し機構７２，７３は、本体部７４と、この本体部７４に対して進退可能に設けられて、基板Ｗの端面に当接する円柱状のロッド（規制部材）７５とを有している。図７に拡大して示すように、このロッド７５の先端部には、テーパ部７６を介して、ロッド７５よりも一回り小径の小径部７７が形成されている。この小径部７７の先端面７７ａは、鉛直面によって形成されている。 The pair of push-out mechanisms 72 and 73 extend along the substrate loading direction X1 and are arranged so as to have a line-symmetric positional relationship with a loading reference axis Q passing through the rotation axis J as an axis of symmetry.
Each of the push-out mechanisms 72 and 73 includes a main body 74 and a columnar rod (regulating member) 75 that is provided so as to be able to advance and retreat relative to the main body 74 and abuts against the end surface of the substrate W. As shown in an enlarged view in FIG. 7, a small-diameter portion 77 that is slightly smaller in diameter than the rod 75 is formed at the distal end portion of the rod 75 via a taper portion 76. The tip surface 77a of the small diameter portion 77 is formed by a vertical surface.

各押し出し機構７２，７３は、本体部７４内を通過する鉛直軸線Ｋまわりに回転可能に設けられており、その姿勢を、ロッド７５が基板Ｗの端面に当接することのできる規制処理姿勢（図４で実線にて図示）と、この規制処理姿勢から鉛直軸線Ｋまわりに約９０°回転されて、ロッド７５がスピンチャック４上から退避する退避姿勢（図４で二点鎖線にて図示）との間で切り換えることができるようになっている。基板Ｗの搬入時（基板Ｗの端面を規制する際）には、押し出し機構７２，７３が規制処理姿勢にされる。そして、それ以外のとき（たとえば基板Ｗの処理時）には、押し出し機構７２，７３は退避姿勢にされる。このため、基板Ｗに処理が施される際に、基板Ｗがスピンチャック４の周囲の部材に干渉することを防止することができる。   Each of the push-out mechanisms 72 and 73 is provided so as to be rotatable around a vertical axis K passing through the main body 74, and the posture of the push-out mechanisms 72 and 73 is restricted so that the rod 75 can come into contact with the end surface of the substrate W (see FIG. 4, and a retracted posture (shown by a two-dot chain line in FIG. 4) in which the rod 75 is rotated about 90 ° around the vertical axis K from the regulation processing posture and the rod 75 is retracted from the spin chuck 4. Can be switched between. When the substrate W is loaded (when the end surface of the substrate W is regulated), the push-out mechanisms 72 and 73 are set to the regulation processing posture. At other times (for example, during processing of the substrate W), the push-out mechanisms 72 and 73 are in the retracted posture. Therefore, it is possible to prevent the substrate W from interfering with members around the spin chuck 4 when the substrate W is processed.

スピンチャック４の周囲には、スピンチャック４の周囲を取り囲み、スピンチャック４から飛散する処理液を受け止めるためのガード９８が配置されている。ガード９８は、たとえば、スピンチャック４の回転軸線Ｊを中心軸線とする円筒状の側壁（図示を省略）を有している。このガード９８は、昇降可能に設けられていて、基板Ｗに処理液を供給する基板処理時にはスピンチャック４の側方に対向する処理位置に配置されるようになっている。そして、スピンチャック４に対する基板Ｗの搬入／搬出の際には、スピンチャック４は下降されて、スピンチャック４の側方から下方に退避した退避位置に配置されるようになっている。   A guard 98 is disposed around the spin chuck 4 to receive the processing liquid that surrounds the spin chuck 4 and scatters from the spin chuck 4. The guard 98 has, for example, a cylindrical side wall (not shown) whose central axis is the rotation axis J of the spin chuck 4. The guard 98 is provided so as to be movable up and down, and is arranged at a processing position facing the side of the spin chuck 4 during substrate processing for supplying a processing liquid to the substrate W. When the substrate W is loaded into or unloaded from the spin chuck 4, the spin chuck 4 is lowered and disposed at a retreat position where the spin chuck 4 is retreated downward from the side of the spin chuck 4.

各押し出し機構７２，７３には、パルスモータからなるモータ７８が内蔵されている。モータ７８は制御部２０に接続されている。制御部２０がモータ７８をパルス制御することにより、モータ７８が駆動されて、ロッド７５が進退させられる。制御部２０からモータ７８に与えられるパルス数を等しくすることにより、ロッド７５の進退量を一対の押し出し機構７２，７３間で等しくすることができる。   Each push-out mechanism 72, 73 has a built-in motor 78 composed of a pulse motor. The motor 78 is connected to the control unit 20. When the control unit 20 performs pulse control of the motor 78, the motor 78 is driven and the rod 75 is moved forward and backward. By making the number of pulses given from the control unit 20 to the motor 78 equal, the forward / backward movement amount of the rod 75 can be made equal between the pair of push-out mechanisms 72 and 73.

押し出し機構７２のロッド７５は、その先端面７７ａがスピンチャック４に保持される基板Ｗの端面に対向しており、スピンチャック４の回転軸線Ｊに向けて、搬入基準軸線Ｑと角度θ（たとえば、４５度）で交差する方向に進退することができるようになっている。モータ７８の駆動によりロッド７５が進出されると、ロッド７５の先端面７７ａが基板Ｗの端面に当接し、基板Ｗの位置を規制するようになる。そして、モータ７８の駆動によりロッド７５がさらに進出されると、基板Ｗはロッド７５の進出に伴って移動する。   The rod 75 of the push-out mechanism 72 has its tip end surface 77a facing the end surface of the substrate W held by the spin chuck 4, and is directed toward the rotation axis J of the spin chuck 4 and the angle θ (for example, the carry-in reference axis Q). , 45 degrees), it is possible to advance and retreat in the intersecting direction. When the rod 75 is advanced by driving the motor 78, the tip surface 77a of the rod 75 comes into contact with the end surface of the substrate W, and the position of the substrate W is regulated. When the rod 75 is further advanced by driving the motor 78, the substrate W moves as the rod 75 advances.

押し出し機構７３のロッド７５は、その先端面７７ａがスピンチャック４に保持される基板Ｗの端面に対向しており、スピンチャック４の回転軸線Ｊに向けて、搬入基準軸線Ｑと角度θ（たとえば、４５度）で交差する方向に進退することができるようになっている。モータ７８の駆動によりロッド７５が進出されると、ロッド７５の先端面７７ａが基板Ｗの端面に当接し、基板Ｗの位置を規制するようになる。そして、モータ７８の駆動によりロッド７５がさらに進出されると、基板Ｗはロッド７５の進出に伴って移動する。   The rod 75 of the push-out mechanism 73 has a tip end surface 77a facing the end surface of the substrate W held by the spin chuck 4, and is directed toward the rotation axis J of the spin chuck 4 and an angle θ (for example, the carry-in reference axis Q). , 45 degrees), it is possible to advance and retreat in the intersecting direction. When the rod 75 is advanced by driving the motor 78, the tip surface 77a of the rod 75 comes into contact with the end surface of the substrate W, and the position of the substrate W is regulated. When the rod 75 is further advanced by driving the motor 78, the substrate W moves as the rod 75 advances.

一対の押し出し機構７２，７３が、搬入基準軸線Ｑを対称軸とする線対称な位置関係にあり、しかも、一対の押し出し機構７２，７３のロッド７５の進退方向が、搬入基準軸線Ｑを対称軸として線対称であるので、一対の押し出し機構７２，７３のロッド７５により押し出された基板Ｗは、搬入基準軸線Ｑ上を、基板搬入方向Ｘ１と反対方向に向けて移動する。   The pair of push-out mechanisms 72 and 73 are in a line-symmetrical positional relationship with the carry-in reference axis Q as the axis of symmetry, and the advancing and retreating direction of the rod 75 of the pair of push-out mechanisms 72 and 73 has the carry-in reference axis Q as the symmetrical axis. Therefore, the substrate W pushed out by the rod 75 of the pair of push-out mechanisms 72 and 73 moves on the carry-in reference axis Q in the direction opposite to the substrate carry-in direction X1.

このように、一対の押し出し機構７２，７３のロッド７５が基板Ｗの端面に２点で当接して、基板Ｗの位置が規制される。そのため、基板Ｗとロッド７５とが当接する際に基板Ｗが予期しない方向に変位することを防止することができる。このため、基板Ｗの中心をスピンチャック４の回転軸線Ｊ上に向けて精度良く移動させることができる。
なお、初期位置に位置合わせされた基板Ｗの端面にロッド７５の先端面７７ａが当接するときのロッド７５原点位置は、予め行うティーチングによって、補正されることが望ましい。ロッド７５の原点位置は、初期位置に位置合わせされた基板Ｗの端面から所定距離だけ後退した位置であってもよい。 In this way, the rods 75 of the pair of push-out mechanisms 72 and 73 abut against the end surface of the substrate W at two points, and the position of the substrate W is regulated. Therefore, it is possible to prevent the substrate W from being displaced in an unexpected direction when the substrate W and the rod 75 come into contact with each other. For this reason, the center of the substrate W can be accurately moved toward the rotation axis J of the spin chuck 4.
Note that the origin position of the rod 75 when the end surface 77a of the rod 75 comes into contact with the end surface of the substrate W aligned with the initial position is desirably corrected by teaching performed in advance. The origin position of the rod 75 may be a position retracted by a predetermined distance from the end face of the substrate W aligned with the initial position.

図８（ａ）〜図８（ｈ）は、基板Ｗのスピンチャック４への芯合わせの際の動作を順に示す図解図である。
スピンチャック４に基板Ｗが搬入される際には、ガード９８は、退避位置に位置している。そして、押し出し機構７２，７３が規制処理姿勢にされている。
基板搬送ハンド６０が基板Ｗを搬送しているとき、基板Ｗは、基板搬送ハンド６０上で、落とし込みガイド６４，６６によって保持されている。このとき、コイルばね５４は非圧縮状態であり、当接部材５２が基板Ｗの端面に対向している。 FIG. 8A to FIG. 8H are illustrative views sequentially showing operations when the substrate W is aligned with the spin chuck 4.
When the substrate W is loaded into the spin chuck 4, the guard 98 is located at the retracted position. The push-out mechanisms 72 and 73 are in the restriction processing posture.
When the substrate transport hand 60 is transporting the substrate W, the substrate W is held by the drop guides 64 and 66 on the substrate transport hand 60. At this time, the coil spring 54 is in an uncompressed state, and the contact member 52 faces the end surface of the substrate W.

制御部２０は、ハンド駆動機構６７を制御して、基板搬送ハンド６０を基板搬入方向Ｘ１に移動して、スピンチャック４上の受け渡し位置に導く。この状態が図８（ａ）に示されている。このとき、基板搬送ハンド６０は、基板Ｗを位置決めガイド５５の上端よりも高い位置に保持している。また、制御部２０は、支持部７の高さを、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９の基板支持高さよりも低い退避位置に制御している。   The control unit 20 controls the hand driving mechanism 67 to move the substrate transport hand 60 in the substrate loading direction X1 and guide it to the delivery position on the spin chuck 4. This state is shown in FIG. At this time, the substrate transport hand 60 holds the substrate W at a position higher than the upper end of the positioning guide 55. In addition, the control unit 20 controls the height of the support unit 7 to a retracted position lower than the substrate support heights of the substrate support units 56 and 59 of the positioning guide 55 and the positioning substrate support pins 58.

続いて、制御部２０は、ハンド駆動機構６７を制御して、図８（ｂ）に示すように、基板搬送ハンド６０を下降させる。これにより、基板Ｗは、落とし込みガイド６４，６６から離脱し、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９に受け渡される。基板搬送ハンド６０は、前方の位置決めガイド５５の上面が基板Ｗの下面よりも下方に位置するとともに、基板Ｗの端面と当接部材５２との対向状態が保たれる高さに制御される。   Subsequently, the control unit 20 controls the hand drive mechanism 67 to lower the substrate transport hand 60 as shown in FIG. As a result, the substrate W is detached from the drop guides 64 and 66 and transferred to the positioning guide 55 and the substrate support portions 56 and 59 of the positioning substrate support pins 58. The substrate transport hand 60 is controlled to a height at which the upper surface of the front positioning guide 55 is positioned below the lower surface of the substrate W and the end surface of the substrate W and the abutting member 52 are kept facing each other.

その後、制御部２０は、ハンド駆動機構６７を制御して、図８（ｃ）に示すように、基板搬送ハンド６０を基板搬入方向Ｘ１方向に向けて移動させる。基板Ｗは、基板搬送ハンド６０の移動に伴い、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９上でスライドし、位置決めガイド５５の位置決め面５７に向けて移動する。そして、基板搬送ハンド６０の移動に伴ってコイルばね５４が圧縮されて、当接部材５２が基板Ｗを位置決めガイド５５に向けて押圧する。こうして、基板Ｗが初期位置に位置決めされる。   Thereafter, the control unit 20 controls the hand driving mechanism 67 to move the substrate transport hand 60 in the substrate loading direction X1 as shown in FIG. 8C. As the substrate transport hand 60 moves, the substrate W slides on the positioning guide 55 and the substrate support portions 56 and 59 of the positioning substrate support pins 58 and moves toward the positioning surface 57 of the positioning guide 55. As the substrate transport hand 60 moves, the coil spring 54 is compressed, and the contact member 52 presses the substrate W toward the positioning guide 55. Thus, the substrate W is positioned at the initial position.

その後、制御部２０は、ハンド駆動機構６７を制御して、図８（ｄ）に示すように、基板搬送ハンド６０を基板搬入方向Ｘ１方向と反対方向に向けて移動させて、スピンチャック４から退避させる。この状態で、押し出し機構７２，７３のロッド７５の先端面７７ａが、図８（ｅ）に示すように、基板Ｗの端面に対向している。なお、押し出し機構７２，７３は、スピンチャック４に基板Ｗが搬入される前に規制処理姿勢にされているとしたが、基板Ｗが搬入される時点では退避姿勢であってもよい。しかし、遅くとも基板搬送ハンド６０がスピンチャック４から退避される時点では規制処理姿勢にされている必要がある。   Thereafter, the control unit 20 controls the hand drive mechanism 67 to move the substrate transport hand 60 in the direction opposite to the substrate loading direction X1 as shown in FIG. Evacuate. In this state, the distal end surface 77a of the rod 75 of the extrusion mechanisms 72 and 73 faces the end surface of the substrate W as shown in FIG. The push-out mechanisms 72 and 73 are in the restriction processing posture before the substrate W is loaded into the spin chuck 4, but may be in the retracted posture when the substrate W is loaded. However, at the latest, when the substrate transport hand 60 is retracted from the spin chuck 4, it is necessary to be in the regulation processing posture.

その後、制御部２０は、モータ７８を駆動して、図８（ｆ）に示すように、ロッド７５をスピンチャック４の回転軸線Ｊに向けて進出させる。これにより、ロッド７５の先端面７７ａが基板Ｗの端面と当接する。
図９は、押し出し機構７２，７３のロッド７５の進出動作の流れを示すフロートチャートである。 Thereafter, the controller 20 drives the motor 78 to advance the rod 75 toward the rotation axis J of the spin chuck 4 as shown in FIG. As a result, the tip surface 77 a of the rod 75 comes into contact with the end surface of the substrate W.
FIG. 9 is a float chart showing the flow of the advancing operation of the rod 75 of the extrusion mechanisms 72 and 73.

制御部２０は、メインスケール９１から入力された被検出部８８ａの位置情報に基づいて、このスピンチャック４に搬入されている基板Ｗの径を算出する（ステップＳ１）。規制部材８３，８４の規制面の８３ｂ，８４ｂに対するメインスケール９１の相対位置を予め計測しておけば、その計測結果とメインスケール９１による検出結果とに基づいて基板Ｗの径を算出できる。そして、制御部２０は、基板Ｗの算出径に基づいて、初期位置にある基板Ｗの中心とスピンチャック４の回転軸線Ｊとの間の距離を算出し、この算出距離に基づいてロッド７５の進出量ｄを算出する（ステップＳ２）。   The control unit 20 calculates the diameter of the substrate W carried into the spin chuck 4 based on the position information of the detected portion 88a input from the main scale 91 (step S1). If the relative position of the main scale 91 with respect to the regulating surfaces 83 b and 84 b of the regulating members 83 and 84 is measured in advance, the diameter of the substrate W can be calculated based on the measurement result and the detection result by the main scale 91. Then, the control unit 20 calculates the distance between the center of the substrate W at the initial position and the rotation axis J of the spin chuck 4 based on the calculated diameter of the substrate W, and based on this calculated distance, the rod 75 The advance amount d is calculated (step S2).

進出量ｄは、初期位置にある基板Ｗの端面に当接した状態からロッド７５を進出させるべき距離である。ロッド７５の原点を初期位置にある基板Ｗの端面に当接する位置に定めておけば、進出量ｄだけロッドを進出させることにより、基板Ｗの中心をスピチャック４の回転軸線Ｊに一致させることができる。
具体的には、初期位置にある基板Ｗの中心とスピンチャック４の回転軸線Ｊとの間の距離Δは、位置決めガイド５５（位置決め面５７）から回転軸線Ｊまでの距離Ｇｒと、算出された基板Ｗの直径φとを用いて、以下の式（１）で算出される。
Δ＝Ｇｒ−φ／２ ・・・（１）
そして、各ロッド７５の進出量ｄは、以下の式（２）を用いて算出される。
ｄ＝Δ／ｃｏｓθ ・・・（２）
制御部２０は、ロッド７５の進出量ｄが式（２）により求められる値となるように一対のモータ７８を駆動する（ステップＳ３）。こうして、基板Ｗは、基板搬入方向Ｘ１と反対方向に向けて移動し、基板Ｗの中心が回転軸線Ｊ上に位置するようになる。これにより、基板Ｗのスピンチャック４への芯合わせが完了する。 The advance amount d is a distance to which the rod 75 should be advanced from a state where it abuts on the end surface of the substrate W at the initial position. If the origin of the rod 75 is determined to be a position that contacts the end face of the substrate W at the initial position, the center of the substrate W is made to coincide with the rotation axis J of the spin chuck 4 by advancing the rod by the advancing amount d. Can do.
Specifically, the distance Δ between the center of the substrate W at the initial position and the rotation axis J of the spin chuck 4 is calculated as a distance Gr from the positioning guide 55 (positioning surface 57) to the rotation axis J. Using the diameter φ of the substrate W, the following formula (1) is used.
Δ = Gr−φ / 2 (1)
The advance amount d of each rod 75 is calculated using the following equation (2).
d = Δ / cos θ (2)
The control unit 20 drives the pair of motors 78 so that the advance amount d of the rod 75 becomes a value obtained by the equation (2) (step S3). Thus, the substrate W moves in the direction opposite to the substrate loading direction X1, and the center of the substrate W is positioned on the rotation axis J. Thereby, the alignment of the substrate W to the spin chuck 4 is completed.

そして、制御部２０は、駆動部３０（図５参照）を制御して、図８（ｈ）に示すように、支持部７の基板支持高さを上昇させる。これにより、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８から支持部７へと基板Ｗが受け渡される。
こうして、基板Ｗのスピンチャック４への芯合わせが行われてから、基板Ｗが支持部７に渡されることにより、スピンベース５の回転軸線Ｊに中心が整合した状態で基板Ｗが支持されることになる。この基板Ｗの芯合わせの終了に伴い、押し出し機構７２，７３の姿勢が規制処理姿勢から退避姿勢に切り換えられる。 And the control part 20 controls the drive part 30 (refer FIG. 5), and raises the board | substrate support height of the support part 7, as shown in FIG.8 (h). As a result, the substrate W is delivered from the positioning guide 55 and the positioning substrate support pins 58 to the support portion 7.
Thus, after the substrate W is aligned with the spin chuck 4, the substrate W is transferred to the support portion 7, whereby the substrate W is supported in a state where the center is aligned with the rotation axis J of the spin base 5. It will be. As the alignment of the substrate W is completed, the postures of the push-out mechanisms 72 and 73 are switched from the restriction processing posture to the retracted posture.

そして、ガード９８が処理位置まで上昇された後、スピンベース５を回転しながら、処理液による処理が行われ、さらに、高速回転による振り切り乾燥処理が行われる。
以上により、この実施形態によれば、基板Ｗは、その端面に当接する位置決めガイド５５に押し付けられることにより、初期位置に位置決めされる。初期位置にある基板Ｗの端面にロッド７５が当接し、かつ、そのロッド７５が移動されることにより、基板Ｗが回転軸線Ｊに向けて移動される。このときの基板Ｗの移動距離は、初期位置にある基板Ｗの中心と回転軸線Ｊとの間の距離であり、この移動距離は、リニアスケール９０により計測された基板Ｗの径に対応する。そのため、基板Ｗの径によらずに、基板Ｗの中心をスピンチャック４の回転軸線Ｊ上に正確に位置合わせすることができる。これにより、スピンチャック４に精密に芯合わせされた状態で基板Ｗを保持させることができる。したがって、基板Ｗの上面周縁部を処理（ベベル処理）する際に、基板Ｗの上面周縁部における洗浄幅を高い精度に規定することができる。 Then, after the guard 98 is raised to the processing position, the processing with the processing liquid is performed while rotating the spin base 5, and the shake-off drying processing by high-speed rotation is further performed.
As described above, according to this embodiment, the substrate W is positioned at the initial position by being pressed against the positioning guide 55 in contact with the end surface thereof. The rod 75 comes into contact with the end face of the substrate W at the initial position, and the rod 75 is moved, whereby the substrate W is moved toward the rotation axis J. The movement distance of the substrate W at this time is a distance between the center of the substrate W at the initial position and the rotation axis J, and this movement distance corresponds to the diameter of the substrate W measured by the linear scale 90. Therefore, the center of the substrate W can be accurately aligned on the rotation axis J of the spin chuck 4 regardless of the diameter of the substrate W. Thereby, the substrate W can be held in a state in which the spin chuck 4 is precisely aligned. Therefore, when the upper surface periphery of the substrate W is processed (beveled), the cleaning width at the upper surface periphery of the substrate W can be defined with high accuracy.

また、インデクサロボットＩＲの基板保持ハンド７０に保持された基板Ｗの径がリニアスケール９０により計測される。そのため、基板Ｗの搬送動作の途中で基板Ｗの径を計測することができる。したがって、基板Ｗの径を計測するために、基板Ｗの搬送動作を中断する必要がない。したがって、スループットを良好に保ちつつ、基板Ｗの径を計測することができる。   In addition, the diameter of the substrate W held by the substrate holding hand 70 of the indexer robot IR is measured by the linear scale 90. Therefore, the diameter of the substrate W can be measured during the transfer operation of the substrate W. Therefore, it is not necessary to interrupt the transfer operation of the substrate W in order to measure the diameter of the substrate W. Therefore, the diameter of the substrate W can be measured while maintaining a good throughput.

さらに、基板保持ハンド７０に保持された基板Ｗの端面に当接する当接部材８８の位置の検出に基づいて、基板Ｗの径が計測される。このため、基板Ｗの径を、簡単な構成で計測することができる。
図１０は、この発明の他の実施形態（第２の実施形態）に係る基板処理装置２００における基板保持ハンド７０の平面図である。この実施形態において、前述の図１〜図９の実施形態（第１の実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図９の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。 Further, the diameter of the substrate W is measured based on the detection of the position of the contact member 88 that contacts the end surface of the substrate W held by the substrate holding hand 70. For this reason, the diameter of the substrate W can be measured with a simple configuration.
FIG. 10 is a plan view of a substrate holding hand 70 in a substrate processing apparatus 200 according to another embodiment (second embodiment) of the present invention. In this embodiment, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 9 are assigned to the portions corresponding to the respective portions shown in the embodiment (first embodiment) of FIGS. The description is omitted.

インデクサ部ＩＮＤの搬送路ＩＰには、基板保持ハンド７０に保持された基板Ｗの径を計測するための保持基板径計測手段としての一対のラインセンサ９３が設けられている。一対のラインセンサ９３は、基板保持ハンド７０によって搬送される基板Ｗの両端部（基板搬送方向Ｘ２と直交する方向の両端部）に対向して配置されている。
ラインセンサ９３は、たとえば、鉛直な光路に沿う光ビームを発生する発光素子と、この発光素子からの光ビームを受光する受光素子との対で構成された透過型のセンサである。各発光素子からは、基板搬送方向Ｘ２と直交する方向に長手を有する帯状の光ビームが発光される。このときのラインセンサ９３の出力信号は、制御部２０に与えられる。制御部２０は、受光素子の出力信号（受光範囲または遮光範囲）に基づいて、一対のラインセンサ９３を結ぶ直線上を通過する基板Ｗの長さを算出する。そして、制御部２０は、基板Ｗがラインセンサ９３上を通過する間に算出した基板Ｗの長さのうち最も大きい値を、基板Ｗの径として得る。これにより、基板Ｗの径を計測することができる。 A pair of line sensors 93 as a holding substrate diameter measuring means for measuring the diameter of the substrate W held by the substrate holding hand 70 is provided in the transport path IP of the indexer unit IND. The pair of line sensors 93 are disposed so as to face both end portions (both end portions in the direction orthogonal to the substrate transport direction X2) of the substrate W transported by the substrate holding hand 70.
The line sensor 93 is, for example, a transmission type sensor configured by a pair of a light emitting element that generates a light beam along a vertical optical path and a light receiving element that receives the light beam from the light emitting element. Each light emitting element emits a strip-shaped light beam having a length in a direction orthogonal to the substrate transport direction X2. The output signal of the line sensor 93 at this time is given to the control unit 20. The control unit 20 calculates the length of the substrate W passing on a straight line connecting the pair of line sensors 93 based on the output signal (light receiving range or light shielding range) of the light receiving element. Then, the control unit 20 obtains the largest value among the lengths of the substrates W calculated while the substrate W passes over the line sensor 93 as the diameter of the substrate W. Thereby, the diameter of the substrate W can be measured.

図１１は、この発明のさらに他の実施形態（第３の実施形態）に係る基板処理装置３００のレイアウトを示す図解的な平面図である。この実施形態において、前述の図１〜図９の実施形態（第１の実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図９の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この基板処理装置３００は、第１の実施形態と異なり、搬送路ＴＰからシャトル搬送機構Ｓが省略されている。そして、搬送路ＴＰには、基板の径を計測するための測長ステージＭＤが配置されている。 FIG. 11 is a schematic plan view showing a layout of a substrate processing apparatus 300 according to still another embodiment (third embodiment) of the present invention. In this embodiment, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 9 are assigned to the portions corresponding to the respective portions shown in the embodiment (first embodiment) of FIGS. The description is omitted.
In the substrate processing apparatus 300, unlike the first embodiment, the shuttle transport mechanism S is omitted from the transport path TP. A length measuring stage MD for measuring the diameter of the substrate is arranged in the transport path TP.

インデクサロボットＩＲは、搬送路ＩＰの中央部に位置した状態で、処理部ＰＣに対して基板保持ハンド７０をアクセスさせて、後述する主搬送ロボットＭＲに未処理の基板Ｗを受け渡したり、主搬送ロボットＭＲから処理済みの基板Ｗを受け取ったりすることができる。また、主搬送ロボットＭＲは、基板搬送ハンド６０を、シャトルＳに基板搬送ハンド６０をアクセスさせて、測長ステージＭＤから未処理の基板Ｗを受け取ったり、処理済みの基板Ｗを測長ステージＭＤに受け渡したりすることができる。   The indexer robot IR accesses the substrate holding hand 70 to the processing unit PC in a state where the indexer robot IR is located at the center of the transfer path IP, and delivers an unprocessed substrate W to the main transfer robot MR, which will be described later, The processed substrate W can be received from the robot MR. Further, the main transport robot MR makes the substrate transport hand 60 access the shuttle S to the substrate transport hand 60 to receive an unprocessed substrate W from the length measurement stage MD, or receives a processed substrate W from the length measurement stage MD. Can be handed over.

図１２は、測長ステージＭＤの構成を説明するための模式的な平面図である。
測長ステージＭＤには、基板Ｗを保持して回転させるための基板回転部９４が設けられている。基板回転部９４は、基板Ｗをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する吸着ベース９５を備えており、基板Ｗを吸着ベース９５ごと回転軸線Ｐまわりに回転させることができるようになっている。 FIG. 12 is a schematic plan view for explaining the configuration of the length measurement stage MD.
The length measuring stage MD is provided with a substrate rotating unit 94 for holding and rotating the substrate W. The substrate rotating unit 94 includes an adsorption base 95 that adsorbs and holds the back surface (lower surface) of the substrate W in a substantially horizontal posture, and can rotate the substrate W around the rotation axis P together with the adsorption base 95. It is like that.

基板回転部９４には、吸着ベース９５に保持された基板Ｗの端部と対向する位置に、基板Ｗの端部位置を検出するためのラインセンサ（基板径計測手段）９６が配置されている。ラインセンサ９６は、たとえば、鉛直な光路に沿う光ビームを発生する発光素子と、この発光素子からの光ビームを受光する受光素子との対で構成された透過型のセンサである。各発光素子からは、基板Ｗの半径方向に長手を有する帯状の光ビームが発光される。ラインセンサ９６の受光素子の出力信号は、制御部２０に与えられる。制御部２０は、受光素子の出力信号に基づいて、回転軸線Ｐから基板Ｗの端面までの距離を検出することができる。そして、制御部２０は、基板Ｗが一回転される間の当該距離の平均値を算出することにより、基板Ｗの径（半径）を得ることができる。   The substrate rotating unit 94 is provided with a line sensor (substrate diameter measuring means) 96 for detecting the end position of the substrate W at a position facing the end of the substrate W held on the suction base 95. . The line sensor 96 is, for example, a transmission type sensor configured by a pair of a light emitting element that generates a light beam along a vertical optical path and a light receiving element that receives the light beam from the light emitting element. Each light emitting element emits a strip-shaped light beam having a length in the radial direction of the substrate W. The output signal of the light receiving element of the line sensor 96 is given to the control unit 20. The controller 20 can detect the distance from the rotation axis P to the end surface of the substrate W based on the output signal of the light receiving element. Then, the control unit 20 can obtain the diameter (radius) of the substrate W by calculating the average value of the distances during one rotation of the substrate W.

図１３は、測長ステージＭＤの変形例を説明するための模式的な平面図である。この図１３において、前述の図１２に示された各部に対応する部分には、図１２の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
基板回転部９４には、吸着ベース９５に保持された基板Ｗの端面と対向して、基板Ｗの端面までの距離を検出するための測長器（基板径計測手段）９７が配置されている。この測長器９７は、光ビームを発生する発光素子と、基板Ｗの端面で反射された発光素子からの光ビームを受光する受光素子との対で構成された反射型のセンサである。測長器９７の受光素子の出力信号は、制御部２０に与えられる。制御部２０は、受光素子の出力信号に基づいて、回転軸線Ｐから基板Ｗの端面までの距離を検出することができる。そして、制御部２０は、基板Ｗが一回転される間の当該距離の平均値を算出することにより、基板Ｗの径（半径）を得ることができる。 FIG. 13 is a schematic plan view for explaining a modification of the length measuring stage MD. In FIG. 13, portions corresponding to the respective portions shown in FIG. 12 are given the same reference numerals as those in FIG. 12, and description thereof is omitted.
A length measuring device (substrate diameter measuring means) 97 for detecting the distance to the end surface of the substrate W is disposed on the substrate rotating portion 94 so as to face the end surface of the substrate W held on the suction base 95. . The length measuring device 97 is a reflective sensor configured by a pair of a light emitting element that generates a light beam and a light receiving element that receives a light beam from the light emitting element reflected by the end face of the substrate W. The output signal of the light receiving element of the length measuring device 97 is given to the control unit 20. The controller 20 can detect the distance from the rotation axis P to the end surface of the substrate W based on the output signal of the light receiving element. Then, the control unit 20 can obtain the diameter (radius) of the substrate W by calculating the average value of the distances during one rotation of the substrate W.

以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、第２の実施形態では、一対のラインセンサ９３を、インデクサ部ＩＮＤの搬送路ＩＰに配置する構成を例にとって説明したが、この一対のラインセンサ９３は、処理部ＰＣの搬送路ＴＰに配置されていてもよい。この場合、ラインセンサ９３は、シャトル搬送機構Ｓのシャトル本体ト６９に保持された基板Ｗの端部位置を検出するものであってもよいし、主搬送ロボットＭＲの基板搬送ハンド６０に保持された基板のＷの端部位置を検出するものであってもよい。 Although three embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be implemented in other forms.
For example, in the second embodiment, the configuration in which the pair of line sensors 93 is disposed in the transport path IP of the indexer unit IND is described as an example. However, the pair of line sensors 93 is disposed in the transport path TP of the processing unit PC. It may be arranged. In this case, the line sensor 93 may detect the end position of the substrate W held by the shuttle main body 69 of the shuttle transfer mechanism S, or may be held by the substrate transfer hand 60 of the main transfer robot MR. Alternatively, the end position of the substrate W may be detected.

また、第２の実施形態では、測長ステージＭＤを処理部ＰＣの搬送路ＴＲに配置する構成を示したが、測長ステージＭＤは、インデクサ部ＩＮＤの搬送路ＩＰに配置されていてもよいし、それ以外の場所に配置されていてもよい。
また、前述の各実施形態では、位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピン５８の基板支持部５６，５９上で基板Ｗをスライドさせて当該基板Ｗの位置決めを行うようにしているが、位置決め時の基板Ｗのスライドを支持部７に支持させた状態で行ってもよい。この場合、位置決め時用基板支持ピン５８は不要であり、位置決めガイド５５は基板支持部５６を有している必要がない。 Further, in the second embodiment, the configuration in which the length measurement stage MD is disposed in the transport path TR of the processing unit PC is shown, but the length measurement stage MD may be disposed in the transport path IP of the indexer unit IND. However, it may be arranged at other locations.
Further, in each of the above-described embodiments, the substrate W is slid on the substrate support portions 56 and 59 of the positioning guide 55 and the positioning substrate support pins 58 to position the substrate W. Alternatively, the slide of the substrate W may be performed in a state where the slide is supported by the support portion 7. In this case, the positioning substrate support pins 58 are unnecessary, and the positioning guide 55 does not need to have the substrate support portion 56.

また、１つのモータ７８で、一対の押し出し機構７２，７３のロッド７５の進退を駆動させてもよい。
また、前述の各実施形態では、一対の押し出し機構７２，７３を用いて、基板Ｗを移動させる構成が採用されているが、一つの押し出し機構で基板Ｗの端部を移動させることもできる。この場合、押し出し機構は搬入基準軸線Ｑ上に配置され、そのロッド７５は、基板Ｗを移動させる際に基板搬入方向Ｘ１と反対方向に進出するものであることが望ましい。 Further, one motor 78 may drive the forward and backward movement of the rod 75 of the pair of push-out mechanisms 72 and 73.
Further, in each of the above-described embodiments, the configuration in which the substrate W is moved using the pair of extrusion mechanisms 72 and 73 is adopted. However, the end portion of the substrate W can be moved by one extrusion mechanism. In this case, it is desirable that the push-out mechanism is arranged on the carry-in reference axis Q, and the rod 75 is advanced in the direction opposite to the substrate carry-in direction X1 when the substrate W is moved.

また、一対の押し出し機構７２，７３はスピンチャック４に設けられるものであってもよい。
また、前述の各実施形態では、基板Ｗの初期位置が、スピンチャック４の回転軸線Ｊよりも基板搬入方向Ｘ１側に基板Ｗの中心が位置するように定められているとして説明した。しかし、この初期位置はこの位置に限られず、スピンチャック４の回転軸線Ｊよりも基板搬入方向Ｘ１側に基板Ｗの中心が位置するように定められていてもよいし、搬入基準軸線Ｑ上にない位置に基板Ｗの中心が位置するように定められていてもよい。 The pair of push-out mechanisms 72 and 73 may be provided on the spin chuck 4.
In each of the above-described embodiments, the initial position of the substrate W has been described as being determined so that the center of the substrate W is positioned on the substrate loading direction X1 side with respect to the rotation axis J of the spin chuck 4. However, this initial position is not limited to this position, and it may be determined so that the center of the substrate W is positioned on the substrate loading direction X1 side with respect to the rotation axis J of the spin chuck 4 or on the loading reference axis Q. It may be determined so that the center of the substrate W is located at a non-existing position.

また、前述の各実施形態では、基板搬入方向Ｘ１に移動される基板搬送ハンド６０で、基板Ｗを位置決めガイド５５に向けて押し付けることにより基板Ｗを初期位置に位置決めするとしたが、基板搬送ハンド６０以外の部材を用いて、基板Ｗを位置決めガイド５５に向けて押し付けるものであってもよい。
また、たとえば、前述の各実施形態では、位置決めガイド５５により初期位置に位置決めされた基板Ｗを、計測された基板Ｗの径に基づいて算出された進出量（移動距離）だけ移動させる構成を例にとったが、基板搬送ハンド６０による基板Ｗの搬入前にロッド７５が基板Ｗの計測径に対応する位置まで進出されており、基板搬送ハンド６０によって搬入された基板Ｗを、ロッド７５の先端面７７ａに押し当てる構成であってもよい。この場合、ロッド７５に押し付けられた基板Ｗは、基板Ｗの径の寸法公差によらずに、その中心がスピンチャック４の回転軸線Ｊ上に位置するようになる。これにより、基板搬送ハンド６０による基板Ｗの搬入動作により、スピンチャック４に基板Ｗを精密に芯合わせすることができる。 Further, in each of the above-described embodiments, the substrate transport hand 60 moved in the substrate carry-in direction X1 is used to position the substrate W at the initial position by pressing the substrate W toward the positioning guide 55. A member other than that may be used to press the substrate W toward the positioning guide 55.
Further, for example, in each of the above-described embodiments, the configuration in which the substrate W positioned at the initial position by the positioning guide 55 is moved by the advance amount (movement distance) calculated based on the measured diameter of the substrate W is an example. However, the rod 75 has advanced to a position corresponding to the measured diameter of the substrate W before the substrate W is carried in by the substrate carrying hand 60, and the substrate W carried by the substrate carrying hand 60 is moved to the tip of the rod 75. The structure pressed against the surface 77a may be sufficient. In this case, the center of the substrate W pressed against the rod 75 is positioned on the rotation axis J of the spin chuck 4 regardless of the dimensional tolerance of the diameter of the substrate W. Thereby, the substrate W can be accurately aligned with the spin chuck 4 by the operation of loading the substrate W by the substrate transport hand 60.

また、前述の実施形態では、基板保持回転機構として、基板Ｗの下面の周縁部のみに当接して基板Ｗを支持する構成のスピンチャック４を例にとったが、この発明は、基板Ｗの端面を複数本の挟持部材で挟持するメカニカルチャックや、基板Ｗの下面を真空吸着するバキュームチャック等の他の形態のスピンチャックを備えた基板処理装置にも適用できる。   In the above-described embodiment, the spin chuck 4 configured to support the substrate W by contacting only the peripheral edge of the lower surface of the substrate W is taken as an example of the substrate holding and rotating mechanism. The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus provided with another form of spin chuck such as a mechanical chuck that clamps the end surface with a plurality of clamping members and a vacuum chuck that vacuum-sucks the lower surface of the substrate W.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。   In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。1 is an illustrative plan view showing a layout of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. インデクサロボットの構成の一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of structure of an indexer robot. 図１に示す基板処理ユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the substrate processing unit shown in FIG. 1. スピンチャックの平面図である。It is a top view of a spin chuck. 支持部の構成を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the structure of a support part. 位置決めガイドの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of a positioning guide. 押し出し機構のロッドの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the rod of an extrusion mechanism. 基板のスピンチャックへの芯合わせの際の動作を順に示す図解図である。It is an illustration figure which shows the operation | movement at the time of the center alignment to the spin chuck of a board | substrate in order. 押し出し機構のロッドの進出動作の流れを示すフロートチャートである。It is a float chart which shows the flow of the advance operation | movement of the rod of an extrusion mechanism. この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置における基板保持ハンドの平面図である。It is a top view of the substrate holding hand in the substrate processing apparatus concerning a 2nd embodiment of this invention. この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。It is an illustrative top view which shows the layout of the substrate processing apparatus which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 測長ステージの構成を説明するための模式的な平面図である。It is a typical top view for demonstrating the structure of a length measurement stage. 測長ステージの変形例を説明するための模式的な平面図である。It is a typical top view for demonstrating the modification of a length measurement stage.

符号の説明Explanation of symbols

１００，２００，３００ 基板処理装置
４ スピンチャック（基板保持回転機構）
２０ 制御部（規制部材移動手段）
５１ 押圧部材（押し付け手段）
５５ 位置決めガイド（位置決め部材）
６０ 基板搬送ハンド
６７ ハンド駆動機構
７０ 基板保持ハンド
７２，７３ 押し出し機構
７５ ロッド（規制部材）
８８ 当接部材
９０ リニアスケール（位置検出手段）
９３ ラインセンサ（保持基板径計測手段）
９６ ラインセンサ（基板径計測手段）
９７ 測長器（基板径計測手段）
Ｊ 回転軸線
Ｑ 搬入基準軸線
Ｗ 基板
Ｘ１ 基板搬入方向 100, 200, 300 Substrate processing equipment 4 Spin chuck (substrate holding and rotating mechanism)
20 Control unit (regulating member moving means)
51 Pressing member (pressing means)
55 Positioning guide (positioning member)
60 Substrate transport hand 67 Hand drive mechanism 70 Substrate holding hand 72, 73 Extrusion mechanism 75 Rod (regulating member)
88 Contact member 90 Linear scale (position detection means)
93 Line sensor (holding board diameter measuring means)
96 Line sensor (Substrate diameter measuring means)
97 Length measuring device (Substrate diameter measuring means)
J Rotation axis Q Loading reference axis W Substrate X1 Substrate loading direction

Claims (10)

円形の基板を保持して所定の回転軸線まわりに回転させる基板保持回転機構と、
この基板保持回転機構に保持される基板の径を計測する基板径計測手段と、
前記基板保持回転機構に設けられ、基板の端面に当接することにより、当該基板の中心が前記回転軸線と微小距離だけ隔てられるような予め定める初期位置に基板を位置決めするための位置決め部材と、
基板の端面に当接して基板の位置を規制するための規制部材とを含み、
前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線に対して反対側に、基板の端面と当接するための部材が設けられておらず、
前記基板径計測手段の計測結果に基づいて、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の距離だけ前記回転軸線に向かって基板が移動するように、前記規制部材を移動させる規制部材移動手段をさらに含む、基板処理装置。 A substrate holding and rotating mechanism for holding a circular substrate and rotating it around a predetermined rotation axis;
A substrate diameter measuring means for measuring the diameter of the substrate held by the substrate holding rotation mechanism;
A positioning member for positioning the substrate at a predetermined initial position provided in the substrate holding and rotating mechanism and contacting the end face of the substrate so that the center of the substrate is separated from the rotation axis by a minute distance;
A regulating member for regulating the position of the substrate in contact with the end surface of the substrate ,
On the opposite side of the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis, there is no member for contacting the end surface of the substrate,
Based on the measurement result of the previous SL substrate diameter measuring means, such that the substrate toward said rotational axis by a distance between the center and the rotation axis of the substrate that is positioned in the initial position is moved, the regulating member A substrate processing apparatus further comprising a restricting member moving means for moving. 基板を前記初期位置に位置決めするために、前記位置決め部材に向けて基板を押し付ける押し付け手段をさらに含む、請求項１記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a pressing unit that presses the substrate toward the positioning member in order to position the substrate at the initial position. 円形の基板を保持して所定の回転軸線まわりに回転させる基板保持回転機構と、  A substrate holding and rotating mechanism for holding a circular substrate and rotating it around a predetermined rotation axis;
この基板保持回転機構に保持される基板の径を計測する基板径計測手段と、  A substrate diameter measuring means for measuring the diameter of the substrate held by the substrate holding rotation mechanism;
前記基板保持回転機構に設けられ、基板の端面に当接することにより、予め定める初期位置に基板を位置決めするための位置決め部材と、  A positioning member provided in the substrate holding and rotating mechanism, for positioning the substrate at a predetermined initial position by contacting the end surface of the substrate;
基板を前記初期位置に位置決めするために、前記位置決め部材に向けて基板を押し付ける押し付け手段と、  A pressing means for pressing the substrate toward the positioning member to position the substrate at the initial position;
基板の端面に当接して基板の位置を規制するための規制部材と、  A regulating member for abutting the end face of the substrate to regulate the position of the substrate;
前記基板径計測手段の計測結果に基づいて、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の距離だけ前記回転軸線に向かって基板が移動するように、前記規制部材を移動させる規制部材移動手段とを含み、  Based on the measurement result of the substrate diameter measuring means, the restriction member is moved so that the substrate moves toward the rotation axis by a distance between the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis. Restricting member moving means for causing
前記規制部材が、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線とを通る直線を対称軸とする線対称な位置関係で一対設けられており、  A pair of the regulating members are provided in a line-symmetrical positional relationship with a straight line passing through the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis as a symmetry axis,
前記規制部材移動手段は、前記対称軸に対して対称な進退方向にそれぞれ沿うように前記一対の規制部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して進退させるものである、基板処理装置。  The substrate processing apparatus, wherein the restricting member moving means moves the pair of restricting members forward and backward with respect to the substrate held by the substrate holding and rotating mechanism so as to follow the advancing and retreating directions symmetric with respect to the symmetry axis. . 基板を保持して所定の基板搬入方向に移動することによって、前記基板保持回転機構に基板を受け渡す基板搬送ハンドをさらに含み、
前記位置決め部材が、前記回転軸線よりも前記基板搬入方向下流側に中心が位置するように定められた前記初期位置に基板を位置決めするものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A substrate transfer hand for transferring the substrate to the substrate holding and rotating mechanism by holding the substrate and moving in a predetermined substrate carry-in direction;
The positioning member, the but also from the rotation axis to position the substrate in the initial position where the center is defined so as to be located in the substrate carry-direction downstream side, according to any one of claims 1 to 3 Substrate processing equipment. 前記押し付け手段が、前記基板搬送ハンドを前記基板搬入方向に移動させるハンド駆動機構を含む、請求項４記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the pressing unit includes a hand drive mechanism that moves the substrate transport hand in the substrate carry-in direction. 前記基板径計測手段が、基板搬送のための基板保持ハンドに保持されている基板の径を計測する保持基板径計測手段を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate diameter measuring unit includes a holding substrate diameter measuring unit that measures a diameter of a substrate held by a substrate holding hand for transferring a substrate. . 前記保持基板径計測手段が、前記基板保持ハンドに保持された基板の端面に向けて進退可能に前記基板保持ハンドに設けられた当接部材と、この当接部材の位置を検出する位置検出手段とを含む、請求項６記載の基板処理装置。   The holding substrate diameter measuring means is a contact member provided in the substrate holding hand so as to be able to advance and retreat toward the end surface of the substrate held by the substrate holding hand, and a position detection means for detecting the position of the contact member. The substrate processing apparatus of Claim 6 containing these. 前記規制部材が、前記基板保持回転機構に保持される基板の位置を規制するための規制処理位置と、この規制処理位置から退避した退避位置との間で移動可能に設けられている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The restriction member is provided to be movable between a restriction processing position for restricting a position of the substrate held by the substrate holding rotation mechanism and a retreat position retracted from the restriction processing position. The substrate processing apparatus as described in any one of 1-7. 前記初期位置は、当該初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の前記微小距離が基板の径の寸法公差よりも大きくなる位置に設定されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。  The initial position is set to a position where the minute distance between the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis is larger than a dimensional tolerance of the diameter of the substrate. The substrate processing apparatus as described in any one of Claims. 円形の基板を保持して所定の回転軸線まわりに回転させるための基板保持回転機構に対して基板を芯合わせするための方法であって、
前記基板保持回転機構に保持される基板の径を計測する基板径計測ステップと、
前記基板保持回転機構に設けられた位置決め部材に基板の端面に当接させることにより、当該基板を予め定める初期位置に位置決めするステップと、
前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線とを通る直線を対称軸とする線対称な位置関係で一対設けられて、基板の端面に当接して基板の位置を規制するための規制部材を、前記基板径の計測結果に基づいて、前記初期位置に位置決めされた基板の中心と前記回転軸線との間の距離だけ前記回転軸線に向かって基板が移動するように移動させる規制部材移動ステップとを含み、
前記規制部材移動ステップは、前記対称軸に対して対称な進退方向にそれぞれ沿うように前記一対の規制部材を前記基板保持回転機構に保持された基板に対して進退させる規制部材進退ステップを含む、基板の芯合わせ方法。 A method for centering a substrate with respect to a substrate holding rotation mechanism for holding a circular substrate and rotating it around a predetermined rotation axis,
A substrate diameter measuring step for measuring the diameter of the substrate held by the substrate holding rotation mechanism;
Positioning the substrate at a predetermined initial position by contacting the end surface of the substrate with a positioning member provided in the substrate holding and rotating mechanism;
A restriction is provided for restricting the position of the substrate by being in contact with the end face of the substrate, provided in a pair of axisymmetric positional relations with a straight line passing through the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis as an axis of symmetry. A restricting member movement that moves the member so that the substrate moves toward the rotation axis by a distance between the center of the substrate positioned at the initial position and the rotation axis based on the measurement result of the substrate diameter. and a step seen including,
The restricting member moving step includes a restricting member advancing / retreating step for advancing / retreating the pair of restricting members with respect to the substrate held by the substrate holding / rotating mechanism so as to follow the advancing / retreating directions symmetrical to the symmetry axis, respectively . Substrate alignment method.
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