JP4919624B2 - 透明性導電層を含む全方向性リフレクタを有する発光ダイオード - Google Patents

Description

本発明は、全方向性リフレクタ（ＯＤＲ）を有する発光ダイオードに関し、より詳細には、透明性導電層を含む全方向性リフレクタを有する発光ダイオードに関する。

ＬＥＤは幅広い応用を有する。例えば、ＬＥＤは、光学装置、信号機、データ記憶装置、通信装置、発光装置及び医療装置で活用できる。したがって、ＬＥＤの輝度及び発光効率は、ＬＥＤの作製における重要な要因である。

全方向性リフレクタを有するＬＥＤ及びその作製方法が開示されている（例えば、非特許文献１参照。）。ＧａＮのＬＥＤスタックがサファイア基板上に形成され、ＩＴＯの透明性導電層がＧａＮのＬＥＤスタック上に形成されて、Ａｇ層がＩＴＯの透明性導電層上に形成される。したがって、ＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤ構造が形成される。ＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤ構造は、ＮｉとＡｕの現行の分配層を有する従来のＧａＮのＬＥＤ構造の光伝導度よりも良好な光伝導度を有することができ、それによって、良好な輝度を達成する。しかしながら、密着によってＡｇ層がＩＴＯ層に対して良好に結合できないので、ＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤ構造は、剥脱する問題点がある。加えて、青色光の短波長に関するＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率が低いので、ＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの輝度は効率的に高めることはできない。

従来のＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤにおいて、ＩＴＯ層とＡｇ層との間の結合を増大するために、Ｃｒ層がＩＴＯ層とＡｇ層との間に形成される。しかしながら、Ｃｒが吸光性及び低反射率を有するので、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの輝度は高くできない。
Ｇｅｓｓｍａｎｎ、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．４９９６ １３９（２００３）

上述したように、従来技術では、ＩＴＯ層及びＡｇ層は、全方向性リフレクタを有するＬＥＤでの密着によって良好に結合しない。反射率は、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの青色光の短波長で低く、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの青色光の短波長の輝度は、従来では効果的に高めることができない。さらに、ＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｇ又はＩＴＯ／Ｃｒ／ＡｌのＬＥＤは、吸光、低反射率及び低輝度の問題点を有する。

したがって、本発明の一つの態様は、従来のＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｇ又はＩＴＯ／Ｃｒ／ＡｌのＬＥＤの低い輝度の問題を解決することである。本発明の別の態様は、全方向性リフレクタを有するＬＥＤのＩＴＯ層とＡｇ層との間の密着特性を改善することである。本発明の第三の態様は、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの青色光の短波長での反射率を改善することである。したがって、本発明はＬＥＤの輝度を改善するための概念を提供する。

上述の問題を解決するために、本発明者は本発明の概念を開示する。つまり、密着層は、ＧａＮ／ＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤのＩＴＯ層とＡｇ層との間に形成され、密着層と透明性導電層との間の密着力及び密着層と金属層との間の密着力はそれぞれ両者とも、ＩＴＯ層とＡｇ層との間の密着力よりも良好で、低い密着特性の問題点は改善される。これは、ＮｉとＡｕの現行の分配層を有する従来の全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率よりも良好な反射率を有する全方向性リフレクタを有するＬＥＤを成すことができる。したがって、これは、効果的にＬＥＤの輝度を高めることができる。

上述の目的を達成するために、本発明は、透明性導電層を含む全方向性リフレクタを有するＬＥＤを開示する。ＬＥＤは、基板と、基板上に形成された粘着層と、粘着層上に形成された金属製の反射層と、金属製の反射層上に形成された密着層と、密着層上に形成された透明性導電層と、を含み、透明層の上層は第一表面領域及び第二表面領域を含む。ＬＥＤはさらに、第一表面領域上に形成された第一接触層と、第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、第一クラッディング層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第二クラッディング層と、第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、第二接触層上に形成された第一ワイヤー電極と、透明性導電層の第二表面領域上に形成された第二ワイヤー電極と、を含む。さらに、反応層は、基板と粘着層との間に形成できるか、又は粘着層と金属製の反射層との間に形成できる。代替として、２つの反応層は、基板と粘着層との間、及び粘着層と金属製の反射層との間にそれぞれ形成できる。これは、密着力を高めることができる。

上述の基板は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、金属、サファイア、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ガラス及び代替となる置き換え可能な物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び代替となる置き換え可能な物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の金属製の反射層は、Ａｌ及びＡｇで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の密着層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、及び代替となる置き換え可能な物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ及びＣｒで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

図１は、ＩＴＯ／Ａｌ又はＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率と波長との関係を例示する図である。図1に示されるように、ＬＥＤは青色光の短波長の低い反射率を有する。４４５ｎｍの波長において、反射率は０．５３と０．６５との間である。したがって、従来のＩＴＯ／Ａｌ又はＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤは、青色光の短波長での不良な輝度の問題を有する。

図２は、ＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｌ又はＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率と波長との関係を例示する図である。図２に示されるように、反射率は、上述のＩＴＯ／Ａｌ又はＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率よりも低い。４４５ｎｍの波長において、反射率は０．２７と０．５８との間である。発光効率はさらに悪い。

図３は、透明性導電層を設けたＩＴＯ／密着層／Ａｌ又はＩＴＯ／密着層／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率と波長との関係を例示する図である。図３に示されるように、４４５ｎｍの波長において、反射率は０．７９と０．９４との間である。４３０ｎｍの波長の波長であっても、最も低い反射率は、０．７５と０．９０との間である。反射率が、ＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｇ若しくはＩＴＯ／Ｃｒ／ＡｌのＬＥＤ又はＩＴＯ／Ａｌ若しくはＩＴＯ／ＡＧで、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率よりも高いことが分かる。さらに、青色光の短波長においても、反射率は明白には減じない。したがって、不良な反射率及び不良な輝度の従来の問題は、青色光の短波長で改善される。

本発明の上述及び他の目的は、添付図で例示される好ましい実施態様の下記の詳細な記載から、当業者に明白となる。

第一の実施態様
本発明による透明性導電層を設けた全方向性リフレクタのＬＥＤの実施態様の図である図４を参照する。ＬＥＤは、基板１０と、基板１０上に形成された粘着層１１と、粘着層１１上に形成された金属製の反射層１２と、金属製の反射層１２上に形成された密着層１３と、密着層１３上に形成された透明性導電層１４と、を含み、透明層１４の上層は第一表面領域及び第二表面領域を含む。ＬＥＤはさらに、第一表面領域上に形成された第一接触層１５と、第一接触層１５上に形成された第一クラッディング層１６と、第一クラッディング層１６上に形成された発光層１７と、発光層１７上に形成された第二クラッディング層１８と、第二クラッディング層１８上に形成された第二接触層１９と、第二接触層１９上に形成された第一ワイヤー電極８と、透明性導電層１４の第二表面領域上に形成された第二ワイヤー電極９と、を含む。

第二の実施態様
本発明による透明性導電層を設けた全方向性リフレクタのフリップチップＬＥＤの別の実施態様の図である図５を参照する。フリップチップＬＥＤは、透明性基板１１０と、透明性基板１１０の下に形成された第一接触層１１１と、を含み、第一接触層１１１の底面は第一表面領域及び第二表面領域を含む。フリップチップＬＥＤはさらに、第一接触層１１１の第一表面領域の下に形成された第一クラッディング層１１２と、第一クラッディング層１１２の下に形成された発光層１１３と、発光層１１３の下に形成された第二クラッディング層１１４と、第二クラッディング層１１４の下に形成された第二接触層１１５と、第二接触層１１５の下に形成された透明性導電層１４と、透明性導電層１４の下に形成された分配パターンを有する密着層１１６と、密着層１１６の下に形成された金属製の反射層１２と、金属製の反射層１２の下に形成された第一ワイヤー電極８と、第一接触層１１１の第二表面の下に形成された第二ワイヤー電極９と、を含む。

第三の実施態様
本発明による全方向性リフレクタ及び透明性導電層を有するフリップチップＬＥＤの別の実施態様の図である図６を参照する。この実施態様において、フリップチップＬＥＤは、前述の実施態様のフリップチップＬＥＤと同様である。それらの違いは、前述の透明性基板が透明な基板と粘着層との組み合わせであることである。この実施態様において、フリップチップＬＥＤは、透明性基板１１０と、透明性基板１１０の下に形成された粘着層１１と、粘着層１１の下に形成された透明性導電層１４と、を含み、透明性導電層１４の底面は、第一表面領域及び第二表面領域を含む。フリップチップＬＥＤはさらに、透明性導電層１４の第一表面領域の下に形成された第一接触層１１１と、第一接触層１１１の下に形成された第一クラッディング層１１２と、第一クラッディング層１１２の下に形成された発光層１１３と、発光層１１３の下に形成された第二クラッディング層１１４と、第二クラッディング層１１４の下に形成された第二接触層１１５と、第二接触層１１５の下に形成された透明性導電層１４と、透明性導電層１４の下に形成された分配パターンを有する密着層１１６と、密着層１１６の下に形成された金属製の反射層１２と、金属製の反射層１２の下に形成された第一ワイヤー電極８と、透明性導電層１４の第二表面領域の下に形成された第二ワイヤー電極９と、を含む。

上述の基板は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、金属、サファイア、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ガラス及び他の代替となる置き換え可能な物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の透明性基板は、ＧａＰ、ＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及び他の代替となる置き換え可能な物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び他の代替となる置き換え可能な物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の金属製の反射層は、Ａｌ及びＡｇで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の密着層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、及び代替物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第一クラッディング層は、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の発光層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第二クラッディング層は、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

上述の第二接触層は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成る。

本発明の開示において、装置及び方法の多数の修正及び変形がなされてもよいことを当業者は容易に認識するであろう。したがって、上述の開示は、単に、請求項の範囲によってのみ限定されるように解釈されるべきである。

ＩＴＯ／Ａｌ又はＩＴＯ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率と波長との関係を例示する図である。 ＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｌ又はＩＴＯ／Ｃｒ／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率と波長との関係を例示する図である。 透明性導電層を設けたＩＴＯ／密着層／Ａｌ又はＩＴＯ／密着層／Ａｇを形成し、全方向性リフレクタを有するＬＥＤの反射率と波長との関係を例示する図である。 本発明による透明性導電層を設けた全方向性リフレクタのＬＥＤの実施態様の図である。 本発明による透明性導電層を設けた全方向性リフレクタのフリップチップＬＥＤの別の実施態様の図である。 本発明による透明性導電層を設けた全方向性リフレクタのフリップチップＬＥＤのまた別の実施態様の図である。

符号の説明

８ 第一ワイヤー電極
９ 第二ワイヤー電極
１０ 基板
１１ 粘着層
１２ 金属製の反射層
１３ 密着層
１４ 透明性導電層
１５ 第一接触層
１６ 第一クラッディング層
１７ 発光層
１８ 第二クラッディング層
１９ 第二接触層
１１０ 透明性基板
１１１ 第一接触層
１１２ 第一クラッディング層
１１３ 発光層
１１４ 第二クラッディング層
１１５ 第二接触層
１１６ 密着層

Claims (28)

1. 基板と、
   金属製の反射層と、
   前記金属製の反射層上に直接形成された密着層と、
   前記密着層上に形成された透明性導電層と、
   前記透明性導電層上に形成されたＬＥＤスタックと、
   前記基板と前記金属製の反射層との間に形成された粘着層と、
   を含む全方向性リフレクタを有し、
   前記密着層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２ 及びＡｌ_２Ｏ _３ で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする発光ダイオード。
2. 前記基板と前記粘着層との間又は前記粘着層と前記金属製の反射層との間に形成された密着力を高める反応層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
3. 前記反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ及びＣｒで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
4. 前記基板と前記粘着層との間に形成された第一反応層と、
   前記粘着層と前記金属製の反射層との間に形成された第二反応層と、
   をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
5. 前記第一又は第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ及びＣｒで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
6. 前記ＬＥＤスタック上に形成された透明性導電層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
7. 前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード。
8. 前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
9. 前記金属製の反射層は、Ａｌ及びＡｇで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
10. 前記基板は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、金属、サファイア、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ及びガラスで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
11. 前記粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ及びＰＦＣＢで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
12. 前記ＬＥＤスタックは、
    第一接触層と、
    前記第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、
    前記第一クラッディング層上に形成された発光層と、
    前記発光層上に形成された第二クラッディング層と、
    前記第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、
    を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
13. 前記第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
14. 前記第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
15. 前記発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
16. 前記第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
17. 前記第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
18. 透明性基板と、
    前記透明性基板の下に形成されたＬＥＤスタックと、
    前記ＬＥＤスタックの下に形成された透明性導電層と、
    分配したパターンを有し、前記透明性導電層の下に形成された密着層と、
    前記密着層の下に形成された金属製の反射層と、
    を含み、
    前記密着層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ、ＴｉＯ_２ 及びＡｌ_２Ｏ _３ で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする全方向性リフレクタを有するフリップチップ発光ダイオード。
19. 前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
20. 前記金属製の反射層は、Ａｌ及びＡｇで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
21. 前記透明性基板は、ＧａＰ、ＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ、ＺｎＯ及びＭｇＯで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
22. 前記透明基板と前記透明性導電層との間に粘着層が更に形成され、
    前記粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ及びＰＦＣＢで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
23. 前記ＬＥＤスタックは、
    第一接触層と、
    前記第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、
    前記第一クラッディング層上に形成された発光層と、
    前記発光層上に形成された第二クラッディング層と、
    前記第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、
    を含むことを特徴とする請求項１８に記載の発光ダイオード。
24. 前記第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
25. 前記第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
26. 前記発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
27. 前記第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。
28. 前記第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２３に記載の発光ダイオード。

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