JP4899929B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置およびこれを有する電子機器に関する。
従来、光の共振作用を利用して、単層の発光層から複数色の発光を取り出す工夫がなされている(例えば、特許文献1)。特許文献1の技術では、簡単な構造でカラー表示装置を実現可能である。しかし、異なる発光色の画素毎に透明電極の膜厚を変える必要があり、例えばエッチングのような製造工程が増え、製造コストの上昇が避けられない。
特許文献2は、共振器構造を用いた上で、共振光路長を発光素子の各色の中心波長の最小公倍数に合わせる技術を開示する。この技術では、共振器構造の効果である光の色純度および取出効率の向上を達成しようとする。また、この技術では、共振器構造を構成する複数の層を、どの色の発光素子でも共通にすることができるので、製造工程を簡易化できる。
特許2797883号公報 特開2004−111398号公報
しかし、特許文献2に開示された構造は、ボトムエミッション方式が前提である。ボトムエミッション方式では、基板を通じて光を放出するので、放出される光の輝度が低下しがちである。また、基板と発光素子の間には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタまたは配線が配置されるので、トップエミッション方式よりもボトムエミッション方式では、大きな開口率を確保することが難しい。
また、この構造は、発光層と基板の間に金属薄膜からなる半透明半反射膜が配置され、負極層と半透明半反射膜の間の光の往復によって、光の色純度が高められている。しかし、所望の透明特性および所望の反射特性を一様に得ることができるように、半透明半反射膜を製造することは困難であり、光の色純度の向上特性を半透明半反射膜にのみ依存するのでは、実際の製品では特性の不安定化を招く。
そこで、本発明は、色純度を向上させることができながらも、製造が容易であり、トップエミッション方式の構造を持つ発光素子を用いた表示装置およびこれを有する電子機器を提供する。
本発明に係る表示装置は、基板と、前記基板に形成された複数の発光素子と、前記基板と前記発光素子の間に配置されて前記発光素子で発した光を反射する反射層とを備え、前記発光素子の各々は、前記反射層に接する透明層と、その上面に配置された発光層と、前記発光層を挟んで前記反射層の反対側にある透明性を有する電極層とを有し、前記発光素子の各々について、前記発光層で発した光のうち特定の色の光が干渉により強められて前記透明性を有する電極層から出射するように、前記反射層と前記透明性を有する電極層の距離が設定されており、前記発光素子は、前記発光層で発した光のうち青色と赤色の光が同時に強められて前記透明性を有する電極層から出射する第1と第2の発光素子を少なくとも有していることを特徴とする。
上記において、「透明性を有する電極層」は、入射する光を透過させる透明電極層、または、入射する光の少なくとも一部を透過させ、入射する光の少なくとも一部を反射させる半透明半反射電極層を意味するものである。例えば、透過率が60%以上の透明なものと、透過率が60%未満の半透明半反射性を有するものの両方を含む。本発明に係る表示装置は、トップエミッション方式の構造を持つので、大きな開口率を確保することが容易である。発光素子の各々について、前記発光層で発した光のうち特定の色の光が干渉により強められて前記透明性を有する電極層から出射する。このうち、第1と第2の発光素子については、発光層で発した光のうち、青色と赤色に相当する波長の光が同時に強められて、青色と赤色の純度が向上する。従って、第1と第2の発光素子では透明層を共通にすることができ、これらの発光素子について透明層の製造が容易である。
前記第1の発光素子に形成された透明性を有する電極層の光取り出し側には青い光のみ透過するカラーフィルターを配置し、前記第2の発光素子に形成された透明性を有する電極層の光取り出し側には赤い光のみ透過するカラーフィルターを配置すると好ましい。上記の通り、第1と第2の発光素子については、青色と赤色に相当する波長の光が同時に強められるが、カラーフィルターを配置することにより、青色と赤色のいずれか一方の光を透過させて、色純度を向上させることができる。
また好ましくは、前記発光素子は、前記発光層で発した光のうち緑の色の光が強められて前記透明性を有する電極層から出射する第3の発光素子をさらに有しており、前記第3の発光素子に形成された反射層と透明性を有する電極層の距離が、緑色の光を強めあうように設定されている。この場合には、第3の発光素子については、発光層で発した光のうち、緑色に相当する波長の光が強められて、緑色の純度が向上する。
そして、前記第3の発光素子に形成される前記透明層の厚みが、前記第1および第2の発光層に形成される前記透明層の厚みと同じであると好ましい。第1の発光素子と第2の発光素子と第3の発光素子で透明層の厚さを同じにすることによって、透明層の製造が容易である。
前記第3の発光素子に形成された透明性を有する電極層の光取り出し側には緑の光のみ透過するカラーフィルターを配置すると好ましい。このようなカラーフィルターを配置することにより、緑色の光を透過させて、色純度を向上させることができる。
前記透明層が透明電極と絶縁性透明層からなり、光共振長が透明電極の厚みで調整されると好ましい。つまり、第1の発光素子と第2の発光素子と第3の発光素子で絶縁性透明層の厚さを共通にし、第1および第2の発光素子の透明電極の厚さと、第3の発光素子の透明電極の厚さを異ならせれば、第1および第2の発光素子の光共振長を第3の発光素子の光共振長と異ならせることができる。この場合には、絶縁性透明層の厚さをいずれの発光素子でも共通にできるので、この層の製造が容易である。
前記透明層が透明電極と絶縁性透明層からなり、光共振長が絶縁性透明層の厚みで調整されても好ましい。つまり、第1の発光素子と第2の発光素子と第3の発光素子で透明電極の厚さを共通にし、第1および第2の発光素子の絶縁性透明層の厚さと、第3の発光素子の絶縁性透明層の厚さを異ならせれば、第1および第2の発光素子の光共振長を第3の発光素子の光共振長と異ならせることができる。この場合には、透明電極の厚さをいずれの発光素子でも共通にできるので、透明電極の製造が容易である。
第1の発光素子と第2の発光素子に形成される透明電極の厚みが同一であると好ましい。この場合には、第1の発光素子と第2の発光素子について透明電極を同じ工程で製造することができる。
また、第1、第2および第3の発光素子に形成される透明層の内、絶縁性透明層が共通で形成されると好ましい。この場合には、絶縁性透明層の厚さをいずれの発光素子でも共通にできるので、この層の製造が容易である。
前記反射層および前記透明性を有する電極層の間に形成される有機層が、第1、第2および第3発光素子に渡り共通であってもよい。本発明では第1、第2および第3発光素子の各々について、特定の色の光が干渉により強められるので、このような共通の有機層の発光を利用する場合でも、青色、赤色、緑色の画素を持つ表示装置として、本発明の表示装置を使用することができる。
前記反射層および前記透明性を有する電極層の間に形成される有機層が、第1発光素子では青い発光材料を含み、第2発光素子では赤い発光材料を含み、第3発光素子では緑色の発光材料を含むのであってもよい。本発明では第1、第2および第3発光素子の各々について、特定の色の光が干渉により強められるので、各発光素子について青色、赤色、緑色のいずれかの純度を向上させることができる。
本発明に係る電子機器は、例えば、画像表示装置として、前記のいずれかの表示装置を備える。
以下、添付の図面を参照し、本発明に係る様々な実施の形態を説明する。ただし、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異なる。
<第1の実施の形態>
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。
この表示装置は、例えばガラスまたは樹脂などから形成された平板である基板10と、この基板10上にマトリックス状に配置された多数の発光素子12R,12G,12Bを具備する(図では、発光素子12R,12G,12Bを一つずつのみ示す)。添え字R,G,Bは、それぞれ赤、緑、青を表し、発光層で発する光のうち発光素子から出射するまでに強められる色の成分に対応する。発光素子12は、有機エレクトロルミネッセント(有機EL)素子つまりOLED(organic light emitting diode)素子である。
基板10と発光素子12の間には、発光素子12で発した光を反射する反射層14が配置されている。反射層14は、反射率の高い金属、例えばアルミニウム、ニッケル、金、白金などから形成されている。図示しないが、基板10には、発光素子を駆動するための薄膜トランジスタまたは配線が配置される。
反射層14と発光素子の間には、絶縁性透明層(透明層)16が配置されている。絶縁性透明層16は、例えば窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、ZnO、またはAlなどの透明な材料から形成されている。これらの材料は、ガス透過率が低い無機材料であるので、絶縁性透明層16は、前記の薄膜トランジスタ、反射層14、または配線を酸化などの劣化から保護する保護層(パシベーション層)として機能する。
発光素子12の各々は、第1の電極層である透明な画素電極層(透明層の一部である透明電極)18、発光機能層20および第2の電極層である透明性を有する対向電極層(透明性を有する電極層)22を有する。図では画素電極層を示す符号18に、この画素電極層に対応する発光素子12R,12G,12Bに応じて添え字R,G,Bを付ける。画素電極層18は、この実施の形態では陽極であり、例えばITO(indium tin oxide)、Indium Zinc Oxide、またはIndium Germanium Oxideのような透明材料から形成されている。これらの透明材料は、例えばイオンプレーティングのような製膜法によって発光機能層20上に形成することができる。
発光機能層20は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層(図示せず)を有する有機材料の層である。但し、発光機能層20がこれらの層をすべて有する必要はなく、少なくとも発光層を有していればよい。その他、正孔または電子が発光層から漏出することを防止する正孔ブロック層または電子ブロック層を発光機能層20が有していてもよい。発光機能層20を構成する層は、例えば蒸着のような製膜法によって形成することができる。
対向電極層22は、この実施の形態では陰極であり、図示しないが二つの層を有する。第1層は仕事関数が低い材料、例えばカルシウムから極めて薄い厚さで形成され、第2層は、先にあげたITOのような透明材料から形成されている。これらは補助陰極として形成するが、画素周辺部にアルミニウムなどの導電性の高い金属で補助陰極を形成する場合には第2層を形成する必要は無い。第1層は発光機能層20に接しており、第2層は第1層を挟んで発光機能層20の反対側に配置される。これらの第1層および第2層は、ともに例えば蒸着のような堆積法によって形成することができる。第1層をカルシウムから形成する場合には、カルシウム薄膜(第1層)に引き続き第2層を形成することにより、第2層の含む酸素により、カルシウムが酸化されて、対向電極層22は、透過率90%以上の透明でかつ電子注入性に優れた陰極となる。第2層として反射率の高い金属、例えば銀、またはマグネシウムと銀の合金などを半透明性を有する範囲で製膜しても良い。
発光素子12は、絶縁性材料から形成されたバンクすなわち隔壁24によって区分されている。隔壁24は、例えば二酸化珪素のような無機材料やポリアクリル樹脂やポリイミド樹脂のような有機高分子材料によって形成されている。隔壁24は、発光素子12の画素電極層18の外縁を覆うように、絶縁性透明層16上に形成されている。
この実施の形態では、画素電極層18は発光素子12毎に形成された個別電極であるが、発光機能層20は複数の発光素子12に共通である。発光機能層20は、隔壁24を覆うとともに、複数の発光素子12の画素電極層18のうち隔壁24で覆われていない中央領域(画素開口)に接している。また、対向電極層22は複数の発光素子12に共通な共通電極である。対向電極層22は、このような発光機能層20を覆う。
対向電極層22を覆うように、透明な保護層(パシベーション層)26が配置されている。保護層26は、例えば窒化珪素または酸窒化珪素などのガス透過率が低い透明な無機材料から、例えば厚さ200nm程度に形成されている。これらの材料は、ガス透過率が低い無機材料であるので、保護層26は、画素電極層18の発光層またはその他の層を酸化などの劣化から保護する。
上記の構造には、透明な接着剤28によってフィルタパネル30が接合されている。フィルタパネル30は、例えばガラスまたは樹脂などの透明材料から形成された平板状の基板と、この基板上に形成されたブラックマトリクス32と、この基板上に形成された複数のカラーフィルタ34を有する。カラーフィルタ34は、それぞれ発光素子12に重ねられており、特定の波長領域の光の多くを透過し、他の波長領域の光の多くを吸収する。図ではカラーフィルタを示す符号34に、このカラーフィルタが透過する波長領域に応じて添え字R,G,Bを付ける。例えば、カラーフィルタ34Rは、赤の波長領域(620nm付近)の光の多くを透過し、他の波長領域の光の多くを吸収する。このように発光素子にカラーフィルタ34を重ねることにより、コントラストおよび色純度を向上させることができる。
複数の発光素子12に共通する発光機能層20の発光層は白色光を発する。発光層で発した光のうち一部は、対向電極層22および保護層26を透過する。他方、発光層で発した光のうち他の一部は、絶縁性透明層16を透過して反射層14で反射する。この実施の形態では、発光素子の各々について、発光層で発した白色光のうち特定の色の光が干渉により強められて対向電極層22から出射するように、反射層14と対向電極層22の距離が設定されている。つまり、発光素子12Bについては、発光層で発した光のうち、青色に相当する波長の光が強められて、青色の純度が向上する。発光素子12Gについては、発光層で発した光のうち、緑色に相当する波長の光が強められ、他の波長の光が弱められて、緑色の純度が向上する。また、発光素子12Rについては、発光層で発した光のうち、赤色に相当する波長の光が強められて、赤色の純度が向上する。
このようにして特定の波長の強められた光成分を有する光が発光素子12に重なったカラーフィルタ34を透過し、さらに色純度が向上してカラーフィルタ34から出射する。
図1に示すように、発光素子12Bに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、発光素子12Gに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、並びに発光素子12Rに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さは互いに同じである。画素電極層18R,18G,18Bは同じ材料から形成されている。但し、画素電極層18R,18Bは同じ厚さを有するが、画素電極層18Gは、画素電極層18R,18Bと異なる厚さを有する。具体的な厚さの数値および材料は、後述する実施例の説明で述べる。
絶縁性透明層16の材料および厚さがいずれの発光素子12R,12G,12Bについても共通であり、画素電極層18R,18Bの材料および厚さが共通であるので、発光素子12Rについての反射層14と対向電極層22の間の光学的距離は、発光素子12Bについての反射層14と対向電極層22の間の光学的距離にほぼ等しい(但し、屈折率には波長依存性があるので、青波長と赤波長については、光学的距離はわずかに異なる)。発光素子12R,12Bでの発光機能層20の発光層で発した白色光はともに、反射層14で反射した赤色および青色の光成分によって増加的な干渉を受けて、対向電極層22から出射するので、発光素子12R,12Bについては、赤色と青色の波長の光が強められる。従って、発光素子12R,12Bの両方から放出される光は、同じスペクトルを呈する。カラーフィルタ34Rまたは34Bを透過することによって、これらの光のうち赤色または青色の光の純度が向上させられて放出される。
この実施の形態では、発光素子12Bと発光素子12Rでは、反射層14側の画素電極層18R,18Bが共通であり、反射層14と発光素子の間の絶縁性透明層16も共通である。従って、これらの発光素子の層の製造が容易である。また、絶縁性透明層16の材料および厚さがいずれの発光素子12R,12G,12Bについても共通であるので、絶縁性透明層16の製造が容易である。
<第1の実施の形態の変形例>
図2は、第1の実施の形態の変形例に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。図2において第1の実施の形態と共通する構成要素を示すために同一の符号が使用されており、それらの詳細な説明は省略する。
この変形例では、いずれの発光素子12R,12G,12Bの画素電極層18R,18B,18Gとも同じ材料で同じ厚さに形成されている。発光素子12R,12G,12Bのいずれについても絶縁性透明層16は、同じ材料から形成されている。但し、発光素子12R,12Bに重なった絶縁性透明層16は同じ厚さを有するが、発光素子12Gに重なった絶縁性透明層16は、発光素子12R,12Bに重なった絶縁性透明層16と異なる厚さを有する。
絶縁性透明層16の材料および厚さが発光素子12R,12Bについて共通であり、画素電極層18R,18G,18Bの材料および厚さが共通であるので、発光素子12Rについての反射層14と対向電極層22の間の光学的距離は、発光素子12Bについての反射層14と対向電極層22の間の光学的距離にほぼ等しい(但し、屈折率には波長依存性があるので、青波長と赤波長については、光学的距離はわずかに異なる)。発光素子12R,12Bでの発光機能層20の発光層で発した白色光は、反射層14で反射した赤色および青色の光成分によって増加的な干渉を受けて、対向電極層22から出射するので、発光素子12R,12Bについては、赤色と青色の波長の光が強められている。従って、発光素子12R,12Bの両方から放出される光は、同じスペクトルを呈する。カラーフィルタ34Rまたは34Bを透過することによって、これらの光のうち赤色または青色の光の純度が向上させられて放出される。
この変形例でも、発光素子12Bと発光素子12Rでは、反射層14側の画素電極層18R,18Bが共通であり、反射層14と発光素子の間の絶縁性透明層16も共通である。従って、これらの発光素子の層の製造が容易である。また、画素電極層18R,18G,18Bの材料および厚さが共通であるので、これらの製造が容易である。
<第1の実施の形態の第1の実施例>
図1に示す第1の実施の形態の構造を有する表示装置について、シミュレーションにより光学特性を調査した。
シミュレーションの条件は以下の通りである。絶縁性透明層16は、窒化珪素により厚さ50nmに均一に形成する。発光素子12Gの画素電極層18Gは、ITOにより厚さ60nmに形成する。発光素子12R,12Bの画素電極層18R,18Bは、ITOにより厚さ130nmに形成する。対向電極層22は透明とする(以下、対向電極層22を透明としたものをハーフミラーを設けない実施例と呼ぶ)。
他の実施例として、対向電極層22の第2層をマグネシウムと銀の合金から形成して半透明半反射膜(ハーフミラー)とし、他の条件を上記と同じにした表示装置を想定する。この場合には、対向電極層22は発光機能層20の発光層で発した光のうち一部を発光層に向けて反射し、他の一部を透過することになる。この実施例では、対向電極層22の透過率は60%未満である(以下、対向電極層22を半透明半反射膜としたものをハーフミラーを設けた実施例と呼ぶ)。
図3は、等エネルギー白色光(可視波長帯内で発光強度の波長依存性がない白色光、つまり可視波長帯内の各波長の強さが同じ仮想的な白色光)を発光層が発すると仮定して、上記の条件のハーフミラーを設けない実施例とハーフミラーを設けた実施例において、保護層26を透過しカラーフィルタ34を透過していない光のスペクトルをシミュレーションで得た結果を示す。図3において、曲線Gaは、対向電極層22を透明にした(ハーフミラーを設けない)実施例で、発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られる光のスペクトルを示す。曲線Gbは、対向電極層22に上述のハーフミラーを設けた実施例で、発光素子12Gの発光、反射層14での反射、対向電極層22での反射で得られる光のスペクトルを示す。曲線BRaは、対向電極層22を透明にした実施例で、発光素子12Bまたは12Rの発光および反射層14での反射で得られる光のスペクトルを示す。曲線BRbは、対向電極層22に上述のハーフミラーを設けた実施例で、発光素子12Bまたは12Rの発光、反射層14での反射、対向電極層22での反射で得られる光のスペクトルを示す。
図3から明らかなように、対向電極層22にハーフミラーを設けた場合も設けない場合も、発光素子12Gについては緑色の波長の光の純度が向上し、発光素子12B,12Rについては青色および赤色の波長の光の純度が向上する。ハーフミラーを設けない場合には、ハーフミラーを設けた場合に比較して、ピークの強度が劣るものの、所望の波長領域の光が十分に他より高くなっている。従って、実際の発光層の材料によっては、ハーフミラーを設けない場合でも、所望の波長領域の光の取り出し効率の向上が期待できる。
上記と同じシミュレーション条件で、図4に発光スペクトルを示す発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した。図4に示すように、この発光層は、青色とオレンジ色の波長において強度のピークを持つ実在の2ピークの白色発光層である。
図5は、第1の実施の形態で、図4に発光スペクトルを示す発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した結果を示す。図5は、対向電極層22を透明にし、ハーフミラーを設けない実施例での結果を示す。
図5において、曲線G1は、発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26を透過しカラーフィルタ34Gを透過していない光のスペクトルを示す。曲線G2は、発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26さらにはカラーフィルタ34Gを透過した光のスペクトルを示す。曲線BR1は、発光素子12Bまたは12Rの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26を透過しカラーフィルタ34Bまたは34Rを透過していない光のスペクトルを示す。曲線B2は、発光素子12Bの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26さらにはカラーフィルタ34Bを透過した光のスペクトルを示す。曲線R2は、発光素子12Rの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26さらにはカラーフィルタ34Rを透過した光のスペクトルを示す。
図5において曲線B2,G2,R2から明らかなように、カラーフィルタ34B,34G,34Rを透過した光については、それぞれ青色、緑色、赤色の波長領域の光が、他の波長領域の光よりも強くなっている。従って、青色、緑色、赤色の画素を持つ画像表示装置として、この実施例の表示装置を使用することができる。
なお、この実施例の2ピークの白色発光層を用いる場合には、図4に示すように、元の発光層での発光のスペクトルでは、550nm付近の波長での強度が弱いので、550nmに近く元の強度が高い500nm付近の波長での強度が強まるように、画素電極層18Gおよび絶縁性透明層16の厚さを設定することが好ましい。画素電極層18GをITOにより厚さ60nmに形成したのは、このためである。
このハーフミラーを設けない実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.152であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.292であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.046であった。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は68%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命(輝度が初期の輝度の80%に減衰するまでの期間)は2000時間であった。
一方、ハーフミラーを設けた実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.146であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.37であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.043であった。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は89%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は2300時間であった。
<第1の実施の形態の第2の実施例>
図6に発光スペクトルを示す発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した。図6に示すように、この発光層は、青色と緑色と赤色の波長において強度のピークを持つ実在の3ピークの白色発光層である。
図7は、第1の実施の形態で、図6に発光スペクトルを示す発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した結果を示す。図7は、対向電極層22を透明にし、ハーフミラーを設けない実施例での結果を示す。
シミュレーションの条件は以下の通りである。絶縁性透明層16は、窒化珪素により厚さ50nmに均一に形成する。発光素子12Gの画素電極層18Gは、ITOにより厚さ70nmに形成する。発光素子12R,12Bの画素電極層18R,18Bは、ITOにより厚さ130nmに形成する。対向電極層22は透明とする。従って、第1の実施例と、この実施例では、画素電極層18Gの厚さだけが異なる。
図7において、曲線G1,G2,BR1,B2,R2の意味は、図5と同じである。図7において曲線B2,G2,R2から明らかなように、カラーフィルタ34B,34G,34Rを透過した光については、それぞれ青色、緑色、赤色の波長領域の光が、他の波長領域の光よりも強くなっている。従って、青色、緑色、赤色の画素を持つ画像表示装置として、この実施例の表示装置を使用することができる。
このハーフミラーを設けない実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.152であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.516であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.052であった。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は85%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は2500時間であった。
一方、ハーフミラーを設けた実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.121であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.69であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.049であった。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は102%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は2000時間であった。
<第2の実施の形態>
図8は、本発明の第2の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。図8において第1の実施の形態と共通する構成要素を示すために同一の符号が使用されており、それらの詳細な説明は省略する。
図8に示すように、発光素子12Bに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、発光素子12Gに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、並びに発光素子12Rに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さは互いに同じである。画素電極層18R,18G,18Bは同じ材料から形成されている。さらに、画素電極層18R,18G,18Bは同じ厚さを有する。具体的な厚さの数値および材料は、後述する実施例の説明で述べる。
絶縁性透明層16の材料および厚さがいずれの発光素子12R,12G,12Bについても共通であり、画素電極層18R,18G,18Bの材料および厚さが共通であるので、反射層14と対向電極層22の間の光学的距離は、いずれの発光素子12R,12G,12Bについても、ほぼ同じである(但し、屈折率には波長依存性があるので、青波長、緑波長、赤波長については、光学的距離はわずかに異なる)。発光素子12R,12G,12Bでの発光機能層20の発光層で発した白色光はいずれも、反射層14で反射した赤色、緑色および青色の光成分によって増加的な干渉を受けて、対向電極層22から出射するので、発光素子12R,12G,12Bのいずれについても、赤色、緑色および青色の波長の光が強められる。従って、発光素子12R,12G,12Bから放出される光は、同じスペクトルを呈する。カラーフィルタ34R,34Gまたは34Bを透過することによって、これらの光のうち赤色、緑色または青色の光の純度が向上させられて放出される。
この実施の形態では、発光素子12Bと発光素子12Gと発光素子12Rでは、反射層14側の画素電極層18R,18G,18Bが共通であり、反射層14と発光素子の間の絶縁性透明層16も共通である。従って、これらの発光素子の層の製造が容易である。
<第2の実施の形態の第1の実施例>
図8に示す第2の実施の形態の構造を有する表示装置について、シミュレーションにより光学特性を調査した。
シミュレーションの条件は以下の通りである。絶縁性透明層16は、窒化珪素により厚さ570nmに均一に形成する。画素電極層18R,18G,18Bは、ITOにより厚さ100nmに形成する。対向電極層22は透明とする(ハーフミラーを設けない実施例)。
他の実施例として、対向電極層22の第2層をマグネシウムと銀の合金から形成して半透明半反射膜(ハーフミラー)とし、他の条件を上記と同じにした表示装置を想定する。この場合には、対向電極層22は発光機能層20の発光層で発した光のうち一部を発光層に向けて反射し、他の一部を透過することになる。この実施例では、対向電極層22の透過率は60%未満である(ハーフミラーを設けた実施例)。
図9は、等エネルギー白色光を発光層が発すると仮定して、上記の条件のハーフミラーを設けない実施例とハーフミラーを設けた実施例において、保護層26を透過しカラーフィルタ34を透過していない光のスペクトルをシミュレーションで得た結果を示す。図9において、曲線RGBaは、対向電極層22を透明にした(ハーフミラーを設けない)実施例で、発光素子12R,12Gまたは12Bの発光および反射層14での反射で得られる光のスペクトルを示す。曲線RGBbは、対向電極層22に上述のハーフミラーを設けた実施例で、発光素子12R,12Gまたは12Bの発光、反射層14での反射、対向電極層22での反射で得られる光のスペクトルを示す。
図9から明らかなように、対向電極層22にハーフミラーを設けた場合も設けない場合も、いずれの発光素子についても、赤色、緑色および青色の波長の光の純度が向上する。ハーフミラーを設けない場合には、ハーフミラーを設けた場合に比較して、ピークの強度が劣るものの、各ピーク波長についての半値幅は広いので、パワーはそれほど変わらないことが予想される。従って、実際の発光層の材料によっては、ハーフミラーを設けない場合でも、所望の波長領域の光の取り出し効率の向上が期待できる。
上記と同じシミュレーション条件で、図4に発光スペクトルを示す2ピークの白色発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した。
図10は、第2の実施の形態で、図4に発光スペクトルを示す2ピークの白色発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した結果を示す。図10は、対向電極層22を透明にし、ハーフミラーを設けない実施例での結果を示す。
図10において、曲線RGB1は、発光素子12R,12Gまたは12Bの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26を透過しカラーフィルタ34を透過していない光のスペクトルを示す。曲線R2は、発光素子12Rの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26さらにはカラーフィルタ34Rを透過した光のスペクトルを示す。曲線G2は、発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26さらにはカラーフィルタ34Gを透過した光のスペクトルを示す。曲線B2は、発光素子12Bの発光および反射層14での反射で得られ、保護層26さらにはカラーフィルタ34Bを透過した光のスペクトルを示す。
図10において曲線B2,G2,R2から明らかなように、カラーフィルタ34B,34G,34Rを透過した光については、それぞれ青色、緑色、赤色の波長領域の光が、他の波長領域の光よりも強くなっている。従って、青色、緑色、赤色の画素を持つ画像表示装置として、この実施例の表示装置を使用することができる。
ただし、今回組み合わせたカラーフィルタが液晶向けの透過特性をもつため、各画素で受け持つ発光色以外の波長の光がカラーフィルタを透過してしまっていることが分かる。それでもこの実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は80%を達成した。
このハーフミラーを設けない実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.134であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.157であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.075であった。緑色光の取り出し効率は、第1の実施の形態の実施例と比べて、かなり低かった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は1040時間であった。
一方、ハーフミラーを設けた実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.123であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.155であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.074であった。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は80%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は1000時間であった。ハーフミラーを設けない実施例の方が寿命は長い。
<第2の実施の形態の第2の実施例>
図6に発光スペクトルを示す3ピークの白色発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した。
図11は、第2の実施の形態で、図6に発光スペクトルを示す3ピークの白色発光層を用いて、保護層26を透過した光のスペクトルおよびカラーフィルタ34を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した結果を示す。図11は、対向電極層22を透明にし、ハーフミラーを設けない実施例での結果を示す。また、シミュレーションの条件は、第2の実施の形態の第1の実施例と同じである。
図11において、曲線RGB1,B2,G2,R2の意味は、図10と同じである。図11において曲線B2,G2,R2から明らかなように、カラーフィルタ34B,34G,34Rを透過した光については、それぞれ青色、緑色、赤色の波長領域の光が、他の波長領域の光よりも強くなっている。従って、青色、緑色、赤色の画素を持つ画像表示装置として、この実施例の表示装置を使用することができる。
このハーフミラーを設けない実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.083であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.361であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.103であった。第2の実施の形態の第2の実施例と比較して、緑と青でかなり効率が良くなっている。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は75%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は1300時間であった。
一方、ハーフミラーを設けた実施例においては、通常のボトムエミッション構造の白色発光素子の発した光の赤色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Rを透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.1であり、その白色発光素子の発した光の緑色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Gを透過した緑色光の輝度の割合は0.389であり、その白色発光素子の発した光の青色成分の輝度に対するカラーフィルタ34Bを透過した青色光の輝度の割合は0.122であった。この実施例のカラーフィルタ透過後の光のNTSC比は80%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命は1600時間であった。
いずれの実施例においても、カラーフィルターを工夫すれば、さらに表色範囲を広げることができると考えられる。
<第3の実施の形態>
図12は、本発明の第3の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。図12において第1の実施の形態と共通する構成要素を示すために同一の符号が使用されており、それらの詳細な説明は省略する。
第1および第2の実施の形態では、複数の発光素子12に共通な白色の光を発する発光機能層20が設けられているのに対し、この実施の形態では、発光素子12毎に独立した発光機能層120が設けられている。各発光機能層120は、隔壁24に設けられた開口内に配置されている。図の発光機能層120の添え字R,G,Bは、それぞれ赤、緑、青を表し、発光機能層120の発光層で発する光の色の成分に対応する。例えば、発光機能層120Rの発光層は、赤色の光を発する。発光機能層120は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層(図示せず)を有する有機材料の層である。但し、発光機能層120がこれらの層をすべて有する必要はなく、少なくとも発光層を有していればよい。その他、正孔または電子が発光層から漏出することを防止する正孔ブロック層または電子ブロック層を発光機能層120が有していてもよい。
発光層で発した光のうち一部は、対向電極層22および保護層26を透過する。他方、発光層で発した光のうち他の一部は、絶縁性透明層16を透過して反射層14で反射する。この実施の形態では、発光素子の各々について、発光層で発した色の光が干渉により強められて対向電極層22から出射するように、反射層14と対向電極層22の距離が設定されている。つまり、発光素子12Bについては、発光層で発した青色に相当する波長の光が強められて、青色の純度が向上する。発光素子12Gについては、発光層で発した緑色に相当する波長の光が強められ、他の波長の光が弱められて、緑色の純度が向上する。また、発光素子12Rについては、発光層で発した赤色に相当する波長の光が強められて、赤色の純度が向上する。
図12に示すように、発光素子12Bに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、発光素子12Gに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、並びに発光素子12Rに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さは互いに同じである。画素電極層18R,18G,18Bは同じ材料から形成されている。但し、画素電極層18R,18Bは同じ厚さを有するが、画素電極層18Gは、画素電極層18R,18Bと異なる厚さを有する。具体的な厚さの数値および材料は、後述する実施例の説明で述べる。
絶縁性透明層16の材料および厚さがいずれの発光素子12R,12G,12Bについても共通であり、画素電極層18R,18Bの材料および厚さが共通であるので、発光素子12Rについての反射層14と対向電極層22の間の光学的距離は、発光素子12Bについての反射層14と対向電極層22の間の光学的距離にほぼ等しい(但し、屈折率には波長依存性があるので、青波長と赤波長については、光学的距離はわずかに異なる)。発光素子12R,12Bでの発光機能層120R,120Bの発光層で発した光はともに、反射層14で反射した赤色および青色の光成分によって増加的な干渉を受けるが、元々発光機能層120Rは赤色の光を発し、発光機能層120Bは青色の光を発するので、発光素子12Rは赤色を呈し、発光素子12Bは青色を呈する。
この実施の形態では、発光素子12Bと発光素子12Rでは、反射層14側の画素電極層18R,18Bが共通であり、反射層14と発光素子の間の絶縁性透明層16も共通である。従って、これらの発光素子の層の製造が容易である。また、絶縁性透明層16の材料および厚さがいずれの発光素子12R,12G,12Bについても共通であるので、絶縁性透明層16の製造が容易である。
変形例として、発光素子12R,12G,12Bの画素電極層18R,18B,18Gとも同じ材料で同じ厚さに形成し、発光素子12R,12Bに重なった絶縁性透明層16は同じ材料で同じ厚さに形成し、発光素子12Gに重なった絶縁性透明層16を発光素子12R,12Bに重なった絶縁性透明層16と異なる厚さに形成してもよい。この変形例でも、発光素子12Bと発光素子12Rでは、反射層14側の画素電極層18R,18Bが共通であり、反射層14と発光素子の間の絶縁性透明層16も共通である。従って、これらの発光素子の層の製造が容易である。また、画素電極層18R,18G,18Bの材料および厚さが共通であるので、これらの製造が容易である。
<第3の実施の形態の実施例>
図12に示す第3の実施の形態の構造を有する表示装置について、シミュレーションにより光学特性を調査した。
シミュレーションの条件は以下の通りである。絶縁性透明層16は、窒化珪素により厚さ50nmに均一に形成する。発光素子12Gの画素電極層18Gは、ITOにより厚さ50nmに形成する。発光素子12R,12Bの画素電極層18R,18Bは、ITOにより厚さ130nmに形成する。対向電極層22は透明とする(ハーフミラーを設けない実施例)。
図13は、第3の実施の形態で、保護層26を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した結果を示す。図13は、対向電極層22を透明にし、ハーフミラーを設けない実施例での結果を示す。
図13において、曲線Rは、発光素子12Rの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した光のスペクトルを示す。曲線Gは、発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した光のスペクトルを示す。曲線Bは、発光素子12Bの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した光のスペクトルを示す。
図13において曲線R,G,Bから明らかなように、カラーフィルタを使用しなくても、すばらしいスペクトルを実現できた。この実施例の光のNTSC比は70.53%であった。
このハーフミラーを設けない実施例においては、通常のボトムエミッション構造の赤色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Rの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.452であり、通常のボトムエミッション構造の緑色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した緑色光の輝度の割合は1.096であり、通常のボトムエミッション構造の青色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Bの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した青色光の輝度の割合は0.32であった。カラーフィルタを用いない分、大変効率が高くなっている。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命の平均は3654時間であった。
一方、対向電極層22の第2層をマグネシウムと銀の合金から形成して半透明半反射膜(ハーフミラー)とし、他の条件を上記と同じにした実施例(ハーフミラーを設けた実施例)においては、通常のボトムエミッション構造の赤色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Rの発光および反射層14と対向電極層22での反射で得られ保護層26を透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.605であり、通常のボトムエミッション構造の緑色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Gの発光および反射層14と対向電極層22での反射で得られ保護層26を透過した緑色光の輝度の割合は0.924であり、通常のボトムエミッション構造の青色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Bの発光および反射層14と対向電極層22での反射で得られ保護層26を透過した青色光の輝度の割合は0.199であった。この実施例での光のNTSC比は95%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命の平均は3386時間であった。
<第4の実施の形態>
図14は、本発明の第4の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。図14において第3の実施の形態と共通する構成要素を示すために同一の符号が使用されており、それらの詳細な説明は省略する。
図14に示すように、発光素子12Bに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、発光素子12Gに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さ、並びに発光素子12Rに重なる絶縁性透明層16の材料および厚さは互いに同じである。画素電極層18R,18G,18Bは同じ材料から形成されている。さらに、画素電極層18R,18G,18Bは同じ厚さを有する。具体的な厚さの数値および材料は、後述する実施例の説明で述べる。
絶縁性透明層16の材料および厚さがいずれの発光素子12R,12G,12Bについても共通であり、画素電極層18R,18G,18Bの材料および厚さが共通であるので、反射層14と対向電極層22の間の光学的距離は、いずれの発光素子12R,12G,12Bについても、ほぼ同じである(但し、屈折率には波長依存性があるので、青波長、緑波長、赤波長については、光学的距離はわずかに異なる)。発光素子12R,12G,12Bでの発光機能層120の発光層で発した光はいずれも、反射層14で反射した赤色、緑色および青色の光成分によって増加的な干渉を受けるが、元々発光機能層120R,120G,120Bが異なる色の光を発するので、発光素子12Rは赤色を呈し、発光素子12Gは緑色を呈し、発光素子12Bは青色を呈する。
この実施の形態では、発光素子12Bと発光素子12Gと発光素子12Rでは、反射層14側の画素電極層18R,18G,18Bが共通であり、反射層14と発光素子の間の絶縁性透明層16も共通である。従って、これらの発光素子の層の製造が容易である。
<第4の実施の形態の実施例>
図14に示す第4の実施の形態の構造を有する表示装置について、シミュレーションにより光学特性を調査した。
シミュレーションの条件は以下の通りである。絶縁性透明層16は、窒化珪素により厚さ580nmに均一に形成する。画素電極層18R,18G,18Bは、ITOにより厚さ100nmに形成する。対向電極層22は透明とする(ハーフミラーを設けない実施例)。
図15は、第4の実施の形態で、保護層26を透過した光のスペクトルをシミュレーションにより調査した結果を示す。図15は、対向電極層22を透明にし、ハーフミラーを設けない実施例での結果を示す。
図15において、曲線R,G,Bの意味は、図13と同じである。図15において曲線R,G,Bから明らかなように、カラーフィルタを使用しなくても、青色、緑色、赤色の画素を持つ画像表示装置として、この実施例の表示装置を使用することができる。この実施例の光のNTSC比は68.9%であった。
このハーフミラーを設けない実施例においては、通常のボトムエミッション構造の赤色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Rの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.353であり、通常のボトムエミッション構造の緑色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Gの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した緑色光の輝度の割合は0.727であり、通常のボトムエミッション構造の青色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Bの発光および反射層14での反射で得られ保護層26を透過した青色光の輝度の割合は0.61であった。カラーフィルタを用いない分、大変効率が高くなっている。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命の平均は2100時間であった。
一方、対向電極層22の第2層をマグネシウムと銀の合金から形成して半透明半反射膜(ハーフミラー)とし、他の条件を上記と同じにした実施例(ハーフミラーを設けた実施例)においては、通常のボトムエミッション構造の赤色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Rの発光および反射層14と対向電極層22での反射で得られ保護層26を透過した赤色光の輝度の割合(取り出し効率)は0.267であり、通常のボトムエミッション構造の緑色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Gの発光および反射層14と対向電極層22での反射で得られ保護層26を透過した緑色光の輝度の割合は0.785であり、通常のボトムエミッション構造の青色を発する発光層を持つ発光素子の発した光の輝度に対する発光素子12Bの発光および反射層14と対向電極層22での反射で得られ保護層26を透過した青色光の輝度の割合は0.634であった。この実施例での光のNTSC比は77.2%であった。また、この実施例での発光素子の20%減衰寿命の平均は2010時間であった。
<まとめ>
図16は、以上の実施例での測定結果のまとめを示す。
<その他>
上記の実施の形態として、有機EL装置を例示して説明してきたが、無機EL装置も本発明の範囲内にある。
<電子機器>
次に、本発明の表示装置を画像表示装置として備えた各種電子機器について、図17を参照して説明する。図17(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図17(a)において、符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記のいずれかの表示装置を用いた表示部を示している。図17(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図17(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号703は情報処理装置本体、符号702は前記のいずれかの表示装置を用いた表示部を示している。図17(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図17(c)において、符号800は時計本体を示し、符号801は前記のいずれかの表示装置を用いた表示部を示している。
図17(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、前記のいずれかの表示装置を表示部として備えたものであるため、色純度の高い表示を実現することができる。
本発明に係る表示装置が適用される電子機器としては、図17に示したもののほか、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistant)、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等の画像表示装置を有する機器が挙げられる。
本発明の第1の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。 第1の実施の形態の変形例に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。 等エネルギー白色光を発光層が発すると仮定して、第1の実施の形態の実施例において、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 実在の2ピークの白色発光層の発光スペクトルを示すグラフである。 第1の実施の形態で、図4に発光スペクトルを示す発光層を用いて、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 実在の3ピークの白色発光層の発光スペクトルを示すグラフである。 第1の実施の形態で、図6に発光スペクトルを示す発光層を用いて、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 本発明の第2の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。 等エネルギー白色光を発光層が発すると仮定して、第2の実施の形態の実施例において、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 第2の実施の形態で、図4に発光スペクトルを示す発光層を用いて、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 第2の実施の形態で、図6に発光スペクトルを示す発光層を用いて、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 本発明の第3の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。 第3の実施の形態で、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 本発明の第4の実施の形態に係るフルカラー型のトップエミッション方式の表示装置を示す断面図である。 第4の実施の形態で、光のスペクトルを調査した結果を示すグラフである。 実施の形態に係る実施例での測定結果のまとめを示す。 本発明の表示装置を画像表示装置として備えた各種電子機器を示す斜視図である。
符号の説明
10…基板、12(12R,12G,12B)…発光素子、14…反射層、16…絶縁性透明層(透明層)、18(18R,18G,18B)…画素電極層(透明層の一部である透明電極)、20…発光機能層、22…対向電極層(透明性を有する電極層)、24…隔壁、26…保護層、28…接着剤、30…フィルタパネル、32…ブラックマトリクス、34(34R,34G,34B)…カラーフィルタ、120(120R,120G,120B)…発光機能層。

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板に形成された複数の発光素子と、
    前記基板と前記発光素子の間に配置されて前記発光素子で発した光を反射する反射層とを備え、
    前記発光素子の各々は、前記反射層に接する透明層と、その上面に配置された発光層と、前記発光層を挟んで前記反射層の反対側にある透明性を有する電極層とを有し、
    前記発光素子の各々について、前記発光層で発した光のうち特定の色の光が干渉により強められて前記透明性を有する電極層から出射するように、前記反射層と前記透明性を有する電極層の距離が設定されており、
    前記発光素子は、前記発光層で発した光のうち青色と赤色の光が同時に強められて前記透明性を有する電極層から出射する第1と第2の発光素子と、前記発光層で発した光のうち緑の色の光が強められて前記透明性を有する電極層から出射する第3の発光素子を有しており、
    前記第1と第2の発光素子の透明層は、同じ厚さを有しており、
    前記第3の発光素子の前記透明層は、前記第1と第2の発光素子の透明層と異なる厚さを有していることを特徴とする表示装置。
  2. 前記第1の発光素子に形成された透明性を有する電極層の光取り出し側には青い光のみ透過するカラーフィルターを配置し、
    前記第2の発光素子に形成された透明性を有する電極層の光取り出し側には赤い光のみ透過するカラーフィルターを配置し、
    前記第3の発光素子に形成された透明性を有する電極層の光取り出し側には緑光のみ透過するカラーフィルターを配置したことを特徴とする請求項1記載の表示装置。
  3. 前記透明層が透明電極と絶縁性透明層からなり、
    前記第1と第2の発光素子の前記透明電極は、同じ厚さを有しており、
    前記第3の発光素子の前記透明電極は、前記第1と第2の発光素子の前記透明電極より厚い厚さを有していることを特徴とする請求項1又は2記載の表示装置。
  4. 前記第1、第2および第3の発光素子の前記絶縁性透明層の厚みが同一であることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
  5. 前記透明層が透明電極と絶縁性透明層からなり、
    前記第1と第2の発光素子の前記絶縁性透明層は、同じ厚さを有しており、
    前記第3の発光素子の前記絶縁性透明層は、前記第1と第2の発光素子の前記絶縁性透明層より厚い厚さを有していることを特徴とする請求項1または2記載の表示装置。
  6. 前記第1、第2および第3の発光素子の前記透明電極の厚みが同一であることを特徴とする請求項5記載の表示装置。
  7. 前記反射層および前記透明性を有する電極層の間に形成される有機層が、第1、第2および第3発光素子に渡り共通であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の表示装置。
  8. 前記反射層および前記透明性を有する電極層の間に形成される有機層が、第1発光素子では青い発光材料を含み、第2発光素子では赤い発光材料を含み、第3発光素子では緑色の発光材料を含むことを特徴とする請求項1乃至6に記載の表示装置。
  9. 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101404546B1 (ko) 2007-11-05 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101499234B1 (ko) 2008-06-27 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크
KR101518740B1 (ko) * 2008-08-04 2015-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101574130B1 (ko) * 2008-09-01 2015-12-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2172990A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-07 Thomson Licensing OLED or group of adjacent OLEDs with a light-extraction enhancement layer efficient over a large range of wavelengths
US8337267B2 (en) * 2008-11-27 2012-12-25 Panasonic Corporation Organic EL device with filter and method of repairing same
JP5382849B2 (ja) * 2008-12-19 2014-01-08 パナソニック株式会社 光源装置
US8269212B2 (en) * 2009-04-29 2012-09-18 Honeywell International Inc. OLED display with a common anode and method for forming the same
KR101094298B1 (ko) 2009-08-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101321878B1 (ko) * 2009-09-25 2013-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
CN102474938B (zh) * 2009-09-29 2015-09-09 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件以及使用该发光元件的显示装置
JP5683094B2 (ja) * 2009-11-17 2015-03-11 キヤノン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた多色表示装置
JP5607654B2 (ja) 2010-01-08 2014-10-15 パナソニック株式会社 有機elパネル、それを用いた表示装置および有機elパネルの製造方法
KR101241131B1 (ko) * 2010-08-03 2013-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
US8916862B2 (en) * 2010-11-24 2014-12-23 Panasonic Corporation Organic EL panel, display device using same, and method for producing organic EL panel
US8476622B2 (en) * 2011-01-05 2013-07-02 Electronics And Telecommunications Research Institute Active matrix organic light emitting diode
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8883531B2 (en) * 2012-08-28 2014-11-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
JP6111643B2 (ja) * 2012-12-17 2017-04-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2014132522A (ja) * 2013-01-04 2014-07-17 Japan Display Inc 有機el表示装置
KR102227480B1 (ko) 2014-09-12 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102490889B1 (ko) * 2016-02-29 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP7034584B2 (ja) * 2016-10-21 2022-03-14 キヤノン株式会社 表示装置及び撮像装置
US10554961B2 (en) * 2016-11-08 2020-02-04 Kevin Vora Three-dimensional volumetric display using photoluminescent materials
JP7112383B2 (ja) * 2017-02-17 2022-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネルの作製方法
US10529780B2 (en) 2017-02-28 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
KR102421576B1 (ko) * 2017-03-10 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN108133673A (zh) * 2017-12-26 2018-06-08 黄星群 一种用于大型电子显示器的led发光体
KR102597673B1 (ko) * 2018-05-16 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102609512B1 (ko) 2018-06-27 2023-12-04 엘지디스플레이 주식회사 패널, 디스플레이 및 차량용 디스플레이
CN108987450B (zh) * 2018-07-27 2021-02-09 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
JP2021072282A (ja) * 2019-10-28 2021-05-06 キヤノン株式会社 有機デバイス、その製造方法、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置および移動体
US11031577B1 (en) 2019-11-26 2021-06-08 OLEDWorks LLC Multimodal microcavity OLED with multiple blue emitting layers
CN115171530B (zh) * 2022-06-30 2024-07-05 上海天马微电子有限公司 一种显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3274527B2 (ja) * 1992-09-22 2002-04-15 株式会社日立製作所 有機発光素子とその基板
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
US6737800B1 (en) * 2003-02-18 2004-05-18 Eastman Kodak Company White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference
KR100527187B1 (ko) * 2003-05-01 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 고효율 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2005197009A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及びその製造方法及び製造装置
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
KR100721554B1 (ko) 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP2006244712A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子
TW200642524A (en) 2005-02-28 2006-12-01 Sanyo Electric Co Organic electro-luminescence device
JP4742639B2 (ja) * 2005-03-25 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置
JP2007011063A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US8102111B2 (en) * 2005-07-15 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus
JP4548253B2 (ja) * 2005-07-15 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US7816677B2 (en) * 2008-02-12 2010-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101257037A (zh) 2008-09-03
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