JP4897019B2 - Heat treatment device - Google Patents
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Description
本発明は、基板を加熱処理する加熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate.
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、半導体基板(以下、半導体基板のことを単に「ウェハ」又は「基板」という。)の表面に塗布された例えばレジスト、BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)、SOG(Spin On Glass)等の各種の薬液に含まれる溶剤を蒸発させるための加熱処理(プリベーキング)、パターンの露光後に、ウェハ上のレジスト膜の化学反応を促進させるための加熱処理(ポストエクスポージャーベーキング)、現像処理後の加熱処理(ポストベーキング)等の種々の加熱処理が行われている。 In the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, resist, BARC (Bottom Anti-Reflective Coating) applied on the surface of a semiconductor substrate (hereinafter, the semiconductor substrate is simply referred to as “wafer” or “substrate”), Heat treatment (pre-baking) to evaporate the solvent contained in various chemicals such as SOG (Spin On Glass), and heat treatment (post-exposure) to promote the chemical reaction of the resist film on the wafer after pattern exposure Various heat treatments such as baking and post-development heat treatment (post-baking) are performed.
上述した加熱処理は、通常、熱板を備えたオーブン等の加熱処理装置において、所望の熱処理温度に維持された熱板上にウェハを載置することによって行われている。 The heat treatment described above is usually performed by placing a wafer on a heat plate maintained at a desired heat treatment temperature in a heat treatment apparatus such as an oven equipped with a heat plate.
このような加熱処理装置においては、蒸発した溶剤を排気するため、排気ダクトを介して工場内の排気系に接続し、処理容器内の雰囲気を排気する場合がある。 In such a heat treatment apparatus, in order to exhaust the evaporated solvent, the atmosphere in the processing container may be exhausted by connecting to an exhaust system in the factory via an exhaust duct.
ところが、ウェハ表面に塗布された上記各種の薬液中には、加熱処理温度でウェハ表面から気化(昇華)し、気体として排気される成分がある。気体として排気される薬液中の成分の中には、排気系に排気される排気ダクト等の排気流路の途中で冷却されて固化(昇華)し、排気流路の配管の内部に付着する場合がある。排気流路の内部に付着する付着物が蓄積すると、排気流路の配管の内部が詰まり、必要な排気流量を確保することができなくなる。そのため、加熱処理装置の処理容器内の雰囲気を排気する排気流量を検知する場合、又は排気流路の配管の内部に付着する付着物を洗浄除去するメンテナンス工程を行う場合がある。 However, in the various chemicals applied to the wafer surface, there are components that are vaporized (sublimated) from the wafer surface at the heat treatment temperature and exhausted as a gas. Some chemical components exhausted as gas are cooled and solidified (sublimated) in the middle of the exhaust flow path such as an exhaust duct exhausted to the exhaust system, and adhere to the inside of the exhaust flow path piping There is. If deposits that accumulate inside the exhaust passage accumulate, the inside of the exhaust passage piping becomes clogged, making it impossible to ensure the required exhaust flow rate. For this reason, there is a case where an exhaust flow rate for exhausting the atmosphere in the processing container of the heat treatment apparatus is detected, or a maintenance process for cleaning and removing deposits adhering to the inside of the exhaust passage pipe.
例えば、加熱処理部を排気する排気流量を検知する薬液塗布装置として、薬液塗布処理部の排気風速をフィードバック制御する排気風速センサと、排気風速センサの感度を補正するための排気配管系統とを有する薬液塗布装置が開示されている(例えば、特許文献1参照)。 For example, as a chemical liquid application device that detects an exhaust flow rate for exhausting the heat treatment unit, an exhaust wind speed sensor that feedback-controls an exhaust air speed of the chemical liquid application processing unit, and an exhaust pipe system for correcting the sensitivity of the exhaust air speed sensor A chemical solution coating apparatus is disclosed (for example, see Patent Document 1).
また、例えば、半導体プロセス用の装置に使用される排気システムにおいて、排気ダクトの半導体プロセス装置と接続されている上流側の部分を加熱して排気ダクト内に薬品の結晶が付着することを防止する加熱手段と、冷却手段によって冷却された排気ダクト内に付着する薬品の結晶を取り除いて排気ダクトを洗浄すべく液体を排気ダクト内に噴出する洗浄手段とを備えたことを特徴とする排気システムが開示されている(例えば、特許文献2参照)。 Further, for example, in an exhaust system used in an apparatus for semiconductor processing, the upstream portion of the exhaust duct connected to the semiconductor process apparatus is heated to prevent chemical crystals from adhering to the exhaust duct. An exhaust system comprising: heating means; and cleaning means for ejecting liquid into the exhaust duct so as to clean the exhaust duct by removing chemical crystals adhering to the exhaust duct cooled by the cooling means. It is disclosed (for example, see Patent Document 2).
ところが、上記した加熱処理装置において処理容器内の雰囲気を排気する排気流量を検知する場合、又は排気流路の配管の内部に付着する付着物を除去し、配管の内部を洗浄するメンテナンス工程を行う場合、次のような問題がある。 However, in the above-described heat treatment apparatus, when the exhaust flow rate for exhausting the atmosphere in the processing container is detected, or a maintenance process is performed to remove the deposits adhering to the inside of the piping of the exhaust flow path and to clean the inside of the piping. If you have the following problems:
加熱処理装置においては、排気流路上に排気流量を検知する流量計を設ける場合がある。流量計として、排気流路の途中に流路を狭くした部分を設け、その部分の前後での差圧を測定し、流量を決定する場合がある。流路を狭くした部分は、他の部分よりも早く流路が詰まりやすく、いわゆる詰まり部分となる場合がある。このとき、排気流路の途中の一部分でも詰まると処理容器内の雰囲気を排気する排気流量を確保することができない場合がある。従って、流路を狭くした部分のみが詰まった場合でも、加熱処理装置の運転を停止し、排気流路の配管の内部に付着した付着物を除去し、配管の内部を洗浄するメンテナンス工程を行わなければならず、メンテナンス周期が短くなる場合がある。 In the heat treatment apparatus, a flow meter for detecting the exhaust flow rate may be provided on the exhaust flow path. As a flow meter, there is a case where a portion having a narrowed flow path is provided in the middle of the exhaust flow path, and a flow rate is determined by measuring a differential pressure before and after that portion. The portion where the flow path is narrowed is likely to be clogged earlier than other portions, and may become a so-called clogged portion. At this time, if even a part of the exhaust flow path is clogged, it may not be possible to secure an exhaust flow rate for exhausting the atmosphere in the processing container. Therefore, even if only the part where the flow path is narrowed is clogged, the operation of the heat treatment device is stopped, the adhering matter adhering to the inside of the pipe of the exhaust flow path is removed, and the maintenance process is performed to clean the inside of the pipe And the maintenance cycle may be shortened.
このような加熱処理装置を運転する場合、使用者が使用の目的に応じてメンテナンス周期を決定する場合がある。しかしながら、メンテナンス周期を長くすることと、実際の詰まり部分の発生に対応して洗浄を行うこととは、トレードオフの関係にある。例えば、排気流量の変動許容範囲を大きくする場合、定期的なメンテナンス工程の周期を予測し、予測した周期毎に詰まり部分の洗浄を実施する場合がある。この場合は、比較的メンテナンス周期を長くすることができるものの、実際の詰まり部分の発生に対応してメンテナンス工程を行うことができない場合がある。一方、排気流量の変動許容範囲を小さくする場合、排気流量の値を監視し、排気ダクトに詰まり部分が発生する度に詰まり部分の洗浄を実施する場合がある。この場合は、実際の詰まり部分の発生に対応してメンテナンス工程を行うことができるものの、メンテナンス周期が短くなる場合がある。 When operating such a heat treatment apparatus, the user may determine a maintenance cycle according to the purpose of use. However, there is a trade-off between increasing the maintenance cycle and performing cleaning in response to the actual occurrence of a clogged portion. For example, when increasing the fluctuation allowable range of the exhaust flow rate, a periodic maintenance process cycle is predicted, and a clogged portion may be cleaned at each predicted cycle. In this case, although the maintenance cycle can be made relatively long, the maintenance process may not be performed in response to the actual occurrence of a clogged portion. On the other hand, when the allowable range of fluctuation of the exhaust flow rate is reduced, the value of the exhaust flow rate may be monitored and the clogged portion may be cleaned every time the clogged portion is generated in the exhaust duct. In this case, although the maintenance process can be performed in response to the actual occurrence of the clogged portion, the maintenance cycle may be shortened.
更に、使用する薬液の種類を変更し、薬液の昇華する成分が変更された場合には、詰まり部分が発生する頻度が変動する場合があるが、薬液に対応してメンテナンス周期を決定することが困難な場合がある。このような場合、本当に必要な周期よりも短めに設定した周期に従ってメンテナンスを行うため、保守管理コストが増大する場合がある。 Furthermore, when the type of chemical solution used is changed and the sublimation component of the chemical solution is changed, the frequency of occurrence of clogged portions may vary, but the maintenance cycle may be determined according to the chemical solution. It can be difficult. In such a case, maintenance is performed in accordance with a cycle set shorter than a really necessary cycle, so that the maintenance management cost may increase.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させるとともに保守管理コストの低減を両立することができる加熱処理装置を提供する。 The present invention has been made in view of the above points, and even when the allowable range of fluctuation of the exhaust flow rate is set small, the maintenance cycle can be lengthened, and the exhaust flow rate is stabilized and the maintenance management cost is reduced. Provided is a heat treatment apparatus capable of performing the above.
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problems, the present invention is characterized by the following measures.
本発明は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を熱板に載置して加熱処理する加熱処理装置において、前記熱板を収納する処理容器と、前記処理容器と、該処理容器内の雰囲気を排気する排気系とを接続する排気流路と、前記排気流路の途中に設けられた導入口を介して、前記排気流路内に大気を導入する大気導入路と、前記大気導入路上に設けられた流量計とを有し、前記大気導入路の排気流量を計測することによって、前記処理容器内からの排気流量を推測することを特徴とする。 The present invention relates to a heat treatment apparatus in which a substrate having a coating film formed on the surface of the substrate is placed on a hot plate and subjected to heat treatment, a treatment container storing the hot plate, the treatment vessel, and the treatment vessel An exhaust passage that connects an exhaust system that exhausts the atmosphere of the atmosphere, an air introduction passage that introduces air into the exhaust passage through an introduction port provided in the middle of the exhaust passage, and the introduction of the atmosphere And a flow meter provided on the road, and the exhaust flow rate from the inside of the processing vessel is estimated by measuring the exhaust flow rate in the atmosphere introduction path.
本発明によれば、加熱処理装置において、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させるとともに保守管理コストの低減を両立することができる。 According to the present invention, in the heat treatment apparatus, the maintenance cycle can be lengthened even when the allowable range of fluctuation of the exhaust flow rate is set small, and the exhaust flow rate can be stabilized and the maintenance management cost can be reduced. .
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
(第1の実施の形態)
始めに、図1から図11を参照し、第1の実施の形態に係る加熱処理装置について説明する。
Next, a mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
First, the heat treatment apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 11.
最初に、本実施の形態に係る加熱処理装置をレジスト塗布現像処理システムにおける加熱処理装置に適用した場合について説明する。 First, the case where the heat treatment apparatus according to the present embodiment is applied to the heat treatment apparatus in the resist coating and developing treatment system will be described.
図1は、本実施の形態に係る加熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図2は、レジスト塗布現像処理システムの概略正面図、図3は、レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。 FIG. 1 is a schematic plan view showing a resist coating and developing treatment system including a heat treatment apparatus according to the present embodiment, FIG. 2 is a schematic front view of the resist coating and developing processing system, and FIG. 3 is a resist coating and developing processing system. FIG.
レジスト塗布現像処理システム1は、図1に示すように、例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部からレジスト塗布・現像処理システム1に対して搬入出すると共に、カセットCに対してウェハWを搬入出するカセットステーション2と、このカセットステーション2に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション3と、この処理ステーション3に隣接して設けられている露光装置(図示せず)との間でウェハWの受け渡しをするインターフェース部4とを一体に接続した構成を有している。
As shown in FIG. 1, the resist coating / developing
カセットステーション2は、カセット載置台5上の所定の位置に、複数のカセットCを水平のX方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション2には、搬送路6上をX方向に沿って移動可能なウェハ搬送アーム7が設けられている。ウェハ搬送アーム7は、カセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)にも移動自在であり、X方向に配列された各カセットC内のウェハWに対して選択的にアクセスできるように構成されている。 The cassette station 2 can mount a plurality of cassettes C at a predetermined position on the cassette mounting table 5 in a row in the horizontal X direction. Further, the cassette station 2 is provided with a wafer transfer arm 7 that can move along the X direction on the transfer path 6. The wafer transfer arm 7 is also movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C, and is selective to the wafers W in each cassette C arranged in the X direction. Is configured to be accessible.
また、ウェハ搬送アーム7は、Z軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション3側の第3の処理ユニット群G3に属するトランジション装置(TRS)31に対してもアクセスできるように構成されている。 Further, the wafer transfer arm 7 is configured to be rotatable in the θ direction about the Z axis, and as described later, with respect to the transition device (TRS) 31 belonging to the third processing unit group G3 on the processing station 3 side. Even it is configured to be accessible.
処理ステーション3は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば5つの処理ユニット群G1〜G5を備えている。図1に示すように、処理ステーション3の正面側には、カセットステーション2側から第1の処理ユニット群G1、第2の処理ユニット群G2が順に配置されている。また、処理ステーション3の背面側には、カセットステーション2側から第3の処理ユニット群G3、第4の処理ユニット群G4及び第5の処理ユニット群G5が順に配置されている。第3の処理ユニット群G3と第4の処理ユニット群G4との間には、第1の搬送機構110が設けられている。第1の搬送機構110は、第1の処理ユニット群G1、第3の処理ユニット群G3及び第4の処理ユニット群G4に選択的にアクセスしてウェハWを搬送するように構成されている。第4の処理ユニット群G4と第5の処理ユニット群G5との間には、第2の搬送機構120が設けられている。第2の搬送機構120は、第2の処理ユニット群G2、第4の処理ユニット群G4及び第5の処理ユニット群G5に選択的にアクセスしてウェハWを搬送するように構成されている。
The processing station 3 includes, for example, five processing unit groups G1 to G5 in which a plurality of processing units are arranged in multiple stages. As shown in FIG. 1, on the front side of the processing station 3, a first processing unit group G1 and a second processing unit group G2 are arranged in this order from the cassette station 2 side. In addition, on the back side of the processing station 3, a third processing unit group G3, a fourth processing unit group G4, and a fifth processing unit group G5 are arranged in order from the cassette station 2 side. A
第1の処理ユニット群G1には、図2に示すように、ウェハWに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット(COT)10、11、12、露光時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット(BARC)13、14が下から順に5段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2には、液処理ユニット、例えばウェハWに現像処理を施す現像処理ユニット(DEV)20〜24が下から順に5段に重ねられている。また、第1の処理ユニット群G1及び第2の処理ユニット群G2の最下段には、各処理ユニット群G1及びG2内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室(CHM)25、26がそれぞれ設けられている。
In the first processing unit group G1, as shown in FIG. 2, a liquid processing unit for supplying a predetermined processing liquid to the wafer W to perform processing, for example, a resist coating unit (COT) for applying a resist liquid to the
一方、第3の処理ユニット群G3には、図3に示すように、下から順に、温調ユニット(TCP)30、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジション装置(TRS)31及び精度の高い温度管理下でウェハWを加熱処理する熱処理ユニット(ULHP)32〜38が9段に重ねられている。 On the other hand, in the third processing unit group G3, as shown in FIG. 3, the temperature adjustment unit (TCP) 30, the transition device (TRS) 31 for transferring the wafer W, and the highly accurate temperature are sequentially arranged from the bottom. Heat treatment units (ULHP) 32 to 38 that heat-treat the wafer W under management are stacked in nine stages.
第4の処理ユニット群G4では、例えば高精度温調ユニット(CPL)40、レジスト塗布処理後のウェハWを加熱処理するプリベーキングユニット(PAB)41〜44及び現像処理後のウェハWを加熱処理するポストベーキングユニット(POST)45〜49が下から順に10段に重ねられている。 In the fourth processing unit group G4, for example, a high-precision temperature control unit (CPL) 40, pre-baking units (PAB) 41 to 44 that heat-treat the resist-coated wafer W, and a wafer W that has been developed are heat-treated. Post baking units (POST) 45 to 49 are stacked in 10 stages in order from the bottom.
第5の処理ユニット群G5では、ウェハWを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニット(CPL)50〜53、露光後のウェハWを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニット(PEB)54〜59が下から順に10段に重ねられている。 In the fifth processing unit group G5, a plurality of heat treatment units that heat-treat the wafer W, for example, high-precision temperature control units (CPL) 50 to 53, post-exposure baking units (PEB) 54 to heat-treat the exposed wafer W, 59 are stacked in 10 steps from the bottom.
また、第1の搬送機構110のX方向正方向側には、図1に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図3に示すように、ウェハWを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット(AD)60、61、ウェハWを加熱する加熱ユニット(HP)62、63が下から順に4段に重ねられている。また、第2の搬送機構120の背面側には、図1に示すように、例えばウェハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット(WEE)64が配置されている。
A plurality of processing units are arranged on the positive side in the X direction of the
インターフェース部4は、図1に示すように、処理ステーション3側から順に第1のインターフェース部100と、第2のインターフェース部101とを備えている。第1のインターフェース部100には、ウェハ搬送アーム102が第5の処理ユニット群G5に対応する位置に配設されている。ウェハ搬送アーム102のX方向の両側には、例えばバッファカセット103(図1の背面側)、104(図1の正面側)が各々設置されている。ウェハ搬送アーム102は、第5の処理ユニット群G5内の熱処理装置とバッファカセット103、104に対してアクセスできる。第2のインターフェース部101には、X方向に向けて設けられた搬送路105上を移動するウェハ搬送アーム106が設けられている。ウェハ搬送アーム106は、Z方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット104と、第2のインターフェース部101に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション3内のウェハWは、ウェハ搬送アーム102、バッファカセット104、ウェハ搬送アーム106を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウェハWは、ウェハ搬送アーム106、バッファカセット104、ウェハ搬送アーム102を介して処理ステーション3内に搬送できる。
As shown in FIG. 1, the
次に、図4を参照し、加熱処理装置の排気システムについて説明する。図4は、本実施の形態に係る加熱処理装置の排気システムを示す概略断面図である。ここでは、例として、第5の処理ユニット群G5に含まれるポストエクスポージャーベーキングユニット(PEB)である熱処理装置54〜59内の加熱処理装置について説明する。
Next, the exhaust system of the heat treatment apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an exhaust system of the heat treatment apparatus according to the present embodiment. Here, as an example, a heat treatment apparatus in the
図4に示すように、熱処理装置54〜59は、閉鎖可能な筐体67をそれぞれ有している。筐体67は、後述する加熱処理装置である熱板70と冷却板71を収容する。また、第5の処理ユニット群G5の背面側の端部付近には、主排気口65がそれぞれ設けられている。熱処理装置54〜59内の加熱処理装置である後述する熱板70を収納する処理容器70bは、後述する排気流路72により主排気口65に接続されている。また、排気流路72とは別に、熱処理装置54〜59の筐体67内も図示しない排気流路により主排気口65に接続されてもよい。更に、主排気口65は、図4に示すように、排気系(例えば工場排気系)に接続された排気ダクト66にそれぞれ連通している。したがって、各熱処理装置54〜59内の加熱処理装置内の雰囲気は、排気流路72、主排気口65、排気ダクト66を介し、工場排気系により排気される。
As shown in FIG. 4, the
次に、図5を参照し、加熱処理装置について説明する。図5は、本実施の形態に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。 Next, the heat treatment apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic front view showing the heat treatment apparatus according to the present embodiment.
加熱処理装置は、熱板70、処理容器70b、排気流路72、大気導入路73、流量計74、監視部75を有する。加熱処理装置は、基板の表面に塗布膜が形成された基板を加熱処理する。
The heat treatment apparatus includes a
熱板70は、レジスト、BARC、SOG等の各薬液が塗布されたウェハWを載置して所定温度例えば130℃に加熱する。熱板70は、図5に示すように、例えば上下動自在な蓋体70aと、蓋体70aの下方に位置し当該蓋体70aと一体となって熱板70と共働して処理容器70bを形成するサポートリング70cが設けられている。
The
サポートリング70cは、例えば上下面が開口した略円筒状の形態を有しており、サポートリング70cの内側に熱板70が収容されている。熱板70は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板70内には、例えばヒータ70dが内蔵されている。このヒータ70dによって熱板70は、所定の加熱温度例えば130℃に昇温できる。
The
熱板70の中央付近には、複数例えば3個の貫通孔70eが設けられている。各貫通孔70eには、昇降駆動機構70fにより昇降する支持ピン70gがそれぞれ貫挿可能に形成されている。この支持ピン70gによって、熱板70上でウェハWを昇降し、熱板70と図4に示す冷却板71との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。
Near the center of the
蓋体70aは、下面が開口した略円筒形状の形態を有している。蓋体70aの上面中央部には、開口部70hが設けられており、処理容器70bと排気系とを接続する排気流路72が、開口部70hと接続する。また、蓋体70aには、図示しない気体供給口が設けられて、不活性ガス例えば窒素(N2)ガスが図示しない気体供給口から導入され、熱板70上にウェハWに向かってN2ガスが放射状に吐出されようにしてもよい。このように放射状にN2ガスを吐出することにより、加熱により発生した触媒等の拡散によるウェハWへの付着を防止することができる。
The
また、蓋体70aは、図示しない昇降可能なアームに支持されており、所定のタイミングで上下動し、サポートリング70cと一体となって処理容器70bを形成したり、その処理容器70bを開放したりできるように構成されている。
The
排気流路72は、処理容器70bと、処理容器70b内の雰囲気を排気する排気系(工場排気系)とを接続する。具体的には、処理容器70bの蓋体70aに形成された開口部70hと、排気系とを接続するように設けられる。開口部70hと接続する排気流路72は、図4を用いて前述したレジスト塗布現像処理システム1に含まれる各装置の排気流路72と同様に、主排気口65において排気ダクト66に接続される。処理容器70bの開口部70hと排気ダクト66とを接続する排気流路72の途中には、導入口76が設けられており、導入口76を介して、排気流路72内に外部から大気を導入する大気導入路73が設けられている。大気導入路73は、一端が大気からの大気取入れ口77となっており、他端が排気流路72の導入口76になっている。
The
前述したように、熱板70で加熱処理されるウェハWには、レジスト、BARC、SOG等の各薬液が塗布されている。ウェハWが加熱処理される際に、上記各薬液に含まれる成分が気化(昇華)し、処理容器70b内から排気流路72を通って排気系により排気される。
As described above, each chemical solution such as resist, BARC, and SOG is applied to the wafer W to be heat-treated by the
なお、本実施の形態に係る排気系は、レジスト塗布現像処理システム1の外部に設けられた工場排気系に相当する。しかし、排気系は、レジスト塗布現像処理システム1の内部に独自に設けられてもよい。また、レジスト塗布現像処理システム1の内部又は外部において、加熱処理装置に対応して単独で設けられてもよい。
The exhaust system according to the present embodiment corresponds to a factory exhaust system provided outside the resist coating and developing
大気導入路73上には、流量計74が設けられている。流量計74は、大気導入路73を大気取入れ口77から排気流路72に設けられた導入口76に向かって排気される排気流量(後述するQ2)を計測する。流量計74は、特に限定されるものではないが、例えば絞り流量計(ベンチュリ計)、又は差圧式流量計(オリフィス流量計)を用いることができる。絞り流量計(ベンチュリ計)を用いる場合には、図5に示すように、大気導入路73の途中の径が細く絞り込まれ、その径の細い部分の大気取入れ口77側と排気流路72の導入口76側との間での圧力差を計測する。また、差圧式流量計(オリフィス流量計)を用いる場合にも、大気導入路73の途中にプレート状のオリフィス(絞り機構)が設けられ、オリフィスの大気取入れ口77側と排気流路72の導入口76側との間での圧力差を計測する。
A
ただし、流量計の方式は、絞り流量計(ベンチュリ計)、又は差圧式流量計(オリフィス流量計)に限られるものではなく、その他、フロート型流量計、層流型流量計、熱線式流量計、カルマン渦流量計、タービン流量計、超音波流量計等の各種の流量計を用いることができる。 However, the method of the flow meter is not limited to the restriction flow meter (Venturi meter) or the differential pressure type flow meter (orifice flow meter). In addition, a float type flow meter, laminar flow type flow meter, hot wire type flow meter Various flow meters such as a Karman vortex flow meter, a turbine flow meter, and an ultrasonic flow meter can be used.
導入口76を介して大気導入路73が接続された排気流路72は、レジスト塗布現像処理システム1内の排気ダクト66に接続される。更に、塗布現像処理システム1の排気ダクト66は、工場排気系に接続され、工場排気系に含まれる図示しない排気装置によって、排気される。なお、点線Iで囲まれた領域を、本発明に係る加熱処理装置と定義する。
The
ここで、工場排気系がレジスト塗布現像処理システム1の排気ダクト66を排気する排気流量をQTとする。また、レジスト塗布現像処理システム1の排気ダクト66の主排気口65と接続する加熱処理装置の排気流路72が、主排気口65付近における排気流路72を排気する排気流量をQ0とする。また、排気流路72が大気導入路73と接続する導入口76と処理容器70bとの間の排気流路72の排気流量、すなわち排気系が処理容器70b内から排気する排気流量をQ1とする。また、排気流路72が大気導入路73と接続する導入口76と大気取入れ口77との間の大気導入路73の排気流量、すなわち排気系が大気導入路73を排気する排気流量をQ2とする。すると、Q0=Q1+Q2であり、Q0<QTである。ここで、工場排気系の排気能力、レジスト塗布現像処理システム1の排気ダクト66のダクト径、レジスト塗布現像処理システム1内の加熱処理装置その他の各種の装置の排気流路72との径、それぞれの排気流路72の途中に設けられた図示しない排気流量調整ダンパの開度を調節することにより、Q0<<QTとすることができる。この場合、レジスト塗布現像システム1内の他の装置の状態にあまり依存せず、Q1とQ2との和Q0を略一定にすることができる。
Here, let QT be an exhaust flow rate at which the factory exhaust system exhausts the
監視部75は、監視部本体75a、警報出力部75bを有する。監視部75は、大気導入路73の排気流量Q2に基づいて処理容器70b内からの排気流量を監視する。また、監視部75は、流量計74が大気導入路73の排気流量Q2を計測することによって、処理容器70b内からの排気流量Q1を推測する機能を有してもよい。この場合、Q0からQ2を差し引くことによって、Q1を推測することができる。
The
次に、図6を参照し、加熱処理装置の運転時における流量計による排気流量の監視方法について説明する。図6は、本実施の形態に係る加熱処理装置における排気流量の監視方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。 Next, with reference to FIG. 6, a method for monitoring the exhaust gas flow rate with a flow meter during operation of the heat treatment apparatus will be described. FIG. 6 is a flowchart for explaining the procedure of each step of the exhaust gas flow rate monitoring method in the heat treatment apparatus according to the present embodiment.
本実施の形態に係る排気流量の監視方法は、Q2を計測する工程(ステップS11)、Q2を監視部75に送る工程(ステップS12)、Q0からQ2を差し引くことによってQ1を推測する工程(ステップS13)、Q2が上限基準値より大きいか判定する工程(ステップS14)、及び警報を出力する工程(ステップS15)を含む。 The exhaust gas flow rate monitoring method according to the present embodiment includes a step of measuring Q2 (step S11), a step of sending Q2 to the monitoring unit 75 (step S12), and a step of estimating Q1 by subtracting Q2 from Q0 (step S12). S13), a step of determining whether Q2 is larger than the upper reference value (step S14), and a step of outputting an alarm (step S15).
加熱処理装置の運転を開始した後、最初に、ステップS11を行う。ステップS11では、流量計74により大気導入路73の排気流量を計測する。
After starting the operation of the heat treatment apparatus, first, step S11 is performed. In step S <b> 11, the exhaust flow rate of the
次に、ステップS12を行う。ステップS12では、計測した大気導入路73の排気流量Q2の計測値を監視部75に送る。
Next, step S12 is performed. In step S <b> 12, the measured value of the measured exhaust flow rate Q <b> 2 of the
次に、ステップS13を行う。ステップS13では、例えば前述した方法により処理容器70b内からの排気流量Q1と、大気導入路73の排気流量Q2との和Q0(=Q1+Q2)が略一定となるようにしておき、Q0からQ2の計測値を差し引くことによって、Q1を算出し、Q1を推測する。
Next, step S13 is performed. In step S13, the sum Q0 (= Q1 + Q2) of the exhaust flow rate Q1 from the inside of the
次に、ステップS14を行う。ステップS14では、予めQ2の上限基準値QALMを決めておき、所定の上限基準値QALMとQ2の計測値との大小関係を判定する。具体的には、Q2がQALMより大きいか判定し、Q2がQALMより小さい場合には、再びステップS11に戻り、ステップS11からステップS14の工程を繰り返す。一方、Q2がQALMより大きい場合には、ステップS15に進む。 Next, step S14 is performed. In step S14, an upper limit reference value QALM for Q2 is determined in advance, and a magnitude relationship between the predetermined upper limit reference value QALM and the measured value of Q2 is determined. Specifically, it is determined whether Q2 is larger than QALM. If Q2 is smaller than QALM, the process returns to step S11, and the processes from step S11 to step S14 are repeated. On the other hand, if Q2 is greater than QALM, the process proceeds to step S15.
また、ステップS14では、予めQ1の下限基準値QALM´を決めておき、所定の下限基準値QALM´とQ1の推測値との大小関係を判定してもよい。この場合、具体的には、Q1がQALM´より小さいか判定し、Q1がQALM´より大きい場合には、再びステップS11に戻る。一方、Q1がQALM´より小さい場合には、ステップS15に進む。 In step S14, the lower limit reference value QALM 'of Q1 may be determined in advance, and the magnitude relationship between the predetermined lower limit reference value QALM' and the estimated value of Q1 may be determined. In this case, specifically, it is determined whether Q1 is smaller than QALM '. If Q1 is larger than QALM', the process returns to step S11 again. On the other hand, if Q1 is smaller than QALM ', the process proceeds to step S15.
ステップ15では、Q2がQALMより大きい場合、又はQ1がQALM´より小さい場合には、処理容器70b内からの排気流量Q1が低下したことになるため、警報を出力する。監視部75の警報出力部75bが、警報を出力し、加熱処理装置の運転を停止し、メンテナンス工程へ進む。メンテナンス工程では、排気流路72に付着した付着物を除去し、排気流路72の洗浄を行う。排気流路72の洗浄が終了した後、加熱処理装置の運転を再開する。
In
次に、図7から図11を参照し、本実施の形態に係る加熱処理装置において、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができ、排気流量を安定させることができることについて説明する。 Next, referring to FIGS. 7 to 11, in the heat treatment apparatus according to the present embodiment, the maintenance cycle can be lengthened even when the allowable range of fluctuation of the exhaust flow rate is set small, and the exhaust flow rate is stabilized. Explain what can be done.
図7から図9は、本実施の形態に係る加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路内に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下する様子を模式的に示す図である。図10及び図11は、比較例として流量計が排気流路上に設けられる加熱処理装置の運転の継続に伴って排気流路に付着物が徐々に付着して処理容器内からの排気流量が低下していく状態を模式的に示す図である。 FIGS. 7 to 9 are schematic views showing that deposits gradually adhere to the exhaust flow path and the exhaust flow rate from the processing container decreases as the operation of the heat treatment apparatus according to the present embodiment continues. FIG. FIG. 10 and FIG. 11 show that, as a comparative example, with the continuation of the operation of the heat treatment apparatus in which a flow meter is provided on the exhaust passage, deposits gradually adhere to the exhaust passage and the exhaust flow rate from the inside of the processing vessel decreases. It is a figure which shows typically the state to do.
図7は、排気流路72のメンテナンス工程を行った後、まだほとんど運転しておらず、排気流路72内にほとんど付着物78が付着していない状態を示す。このときのQ1をQN1とし、Q2をQN2とする。QN1は、Q1の変動許容範囲の中の最大付近の値である。QN2は、Q2の変動許容範囲の中の最小付近の値である。このときは、流量計74から監視部75に送られるQ2の値はQN2であり、QN2<QALM(QN1>QALM´)であるため、監視部75は、警報を出力しない。
FIG. 7 shows a state in which the
図8は、図7と比較して、メンテナンス工程を行った後、少し運転を行って、排気流路72内に少し付着物78が付着している状態を示す。このときのQ1をQS1とし、Q2をQS2とする。QS1は、Q1の変動許容範囲の中の中心付近の値である。QS2は、Q2の変動許容範囲の中の中心付近の値である。処理容器70bと排気流路72に大気導入路73が接続する導入口76との間の排気流路72には、配管の内壁の温度に依存するものの、処理容器70b側ほど多く付着し、排気系側ほどあまり付着しない。このときも、流量計74から監視部75に送られるQ2の値はQS2であり、QS2<QALM(QS1>QALM´)であるため、監視部75は、警報を出力しない。また、大気導入路73及び流量計74には、処理容器70bからの排気が流れ込むことがないため、付着物は付着しない。また、導入口76において、排気流路72には大気取入れ口77からの大気が大気導入路73を通って流れ込む。従って、導入口76付近における排気流路72には、常時大気からのエアーが吹き付けるため、昇華物等を含む付着物は付着しない。更に、導入口76よりも排気系側の排気流路72には、処理容器70bからの排気とともに前述した大気導入路73からの大気が流れ込むため、付着物が付着することはない。
FIG. 8 shows a state in which the
図9は、図8と比較して、更に運転を行って、排気流路72内に多くの付着物78が付着している状態を示す。このときのQ1をQA1とし、Q2をQA2とする。QA1は、Q1の変動許容範囲の中の最小付近の値である。QA2は、Q2の変動許容範囲の中の最大付近の値である。このときは、流量計74から監視部75に送られるQ2の値はQA2であり、QA2>QALM(QA1<QALM´)となるため、監視部75は、処理容器70b内からの排気流量が低下したと判断し、警報を出力する。また、処理容器70bと排気流路72に大気導入路73が接続する導入口76との間の排気流路72内には多くの付着物78が付着しているものの、大気導入路73及び流量計74には、付着物はほとんど付着していない。また、図8と同様に、導入口76付近における排気流路72及び導入口76よりも排気系側の排気流路72には、付着物が付着することはない。
FIG. 9 shows a state in which a large amount of
一方、比較例として、図10及び図11を参照し、排気流路の途中に導入口が設けられず、導入口を介して大気導入路も接続されず、流量計が排気流路上に設けられる場合を考える。図10及び図11において、排気流路を172、流量計を174、監視部を175、監視部本体を175a、警報出力部を175b、付着物を178とする。 On the other hand, as a comparative example, referring to FIG. 10 and FIG. 11, the introduction port is not provided in the middle of the exhaust passage, the air introduction passage is not connected via the introduction port, and the flow meter is provided on the exhaust passage. Think about the case. 10 and 11, the exhaust flow path is 172, the flow meter is 174, the monitoring unit is 175, the monitoring unit body is 175a, the alarm output unit is 175b, and the deposit is 178.
図10は、排気流路172のメンテナンス処理を行った後、まだほとんど運転しておらず、排気流路172内にほとんど付着物が付着していない状態を示す。このときの排気流路172の排気流量をQRNとする。このときは、流量計174から監視部175に送られる値QRNと所定の下限基準値QALMとの大小関係が判定され、QRN>QALMであるため、監視部175は、警報を出力しない。また、流量計174には、付着物は付着していない。
FIG. 10 shows a state in which the
図11は、図10と比較して、メンテナンス工程を行った後、少し運転を行って、排気流路172内に少し付着物178が付着している状態を示す。このときの排気流路172の排気流量をQRAとする。このときは、流量計174から監視部175に送られる値QRAと所定の基準値QALMとの大小関係が判定され、QRA<QALMであるため、監視部175は、警報を出力する。図11に示すように、流量計174の付近における排気流路172の径が細く絞り込まれた部分では、もともと狭い流路がほとんど塞がれているが、処理容器70bと流量計174との間の排気流路172内にはまだあまり付着物178が付着していない。従って、排気流路172に付着物178がまだあまり付着していないにも関わらず、流量計174部分における付着物の除去及び洗浄を行わなければならず、メンテナンス周期を長くすることができない。
FIG. 11 shows a state in which a small amount of
一方、本実施の形態に係る加熱処理装置では、流路が狭く絞り込まれた流量計を処理容器内からの排気が通ることがなく、流量計付近で付着物が付着することがない。また、流量計による流量の監視幅(前述したQ1の変動許容範囲)を決定するメンテナンス周期は、流量計の狭い部分に付着物が付着して配管が塞がれるまでの運転時間ではなく、排気流路72の配管の内部に付着物が付着して配管が塞がれるまでの運転時間によって決定される。また、排気流路72の径は流量計の径よりも太くすることができる。従って、本実施の形態でのメンテナンス周期は、比較例における加熱処理装置におけるメンテナンス周期よりも長くすることができ、排気流量の変動許容範囲を小さく設定した場合にもメンテナンス周期を長くすることができる。また、本実施の形態では、運転時間を等しくした場合における排気流量の変動範囲が小さいため、排気流量を安定させることができる。
On the other hand, in the heat treatment apparatus according to the present embodiment, the exhaust from the inside of the processing container does not pass through the flowmeter whose flow path is narrowed down, and adhering matter does not adhere near the flowmeter. In addition, the maintenance cycle for determining the monitoring range of the flow rate by the flow meter (the above-described allowable variation range of Q1) is not the operation time until the adhered matter adheres to the narrow part of the flow meter and the piping is blocked, but the exhaust time This is determined by the operation time until the deposit adheres to the inside of the pipe of the
ここで、排気流路72の径を大きくするほどメンテナンス周期を長くすることができる。しかし、適量の排気の流速をもって大気導入路73の流量監視を行うため、排気流路72の径は、ある程度まで絞ることが望ましい。
Here, the maintenance cycle can be lengthened as the diameter of the
具体的には、Q0を30L/minとする場合には、排気流路72の径を15〜25mmφとし、流量計74の流路の狭い部分の径を10〜15mmφとすることができる。また、Q0を5L/minとする場合には、排気流路72の径を3/8インチφとし、流量計74の流路の狭い部分の径を2mmφとすることができる。
Specifically, when Q0 is set to 30 L / min, the diameter of the
また、Q0を30L/minとする場合には、QN1=20L/min(QN2=10L/min)、QA1=14L/min(QA2=16L/min)、QALM=15L/min(QALM´=15L/min)とすることができる。
(第2の実施の形態)
次に、図12及び図13を参照し、第2の実施の形態に係る加熱処理装置について説明する。
When Q0 is 30 L / min, QN1 = 20 L / min (QN2 = 10 L / min), QA1 = 14 L / min (QA2 = 16 L / min), QALM = 15 L / min (QALM ′ = 15 L / min) min).
(Second Embodiment)
Next, with reference to FIG.12 and FIG.13, the heat processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment is demonstrated.
初めに、図12を参照し、加熱処理装置について説明する。図12は、本実施の形態に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。また、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある(以下の変形例についても同様)。 First, the heat treatment apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a schematic front view showing the heat treatment apparatus according to the present embodiment. In the following text, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description may be omitted (the same applies to the following modifications).
本実施の形態に係る加熱処理装置は、排気流路内に付着した付着物を除去し、排気流路内を洗浄するための加温部、ブローガス供給部を有し、捕集部が設けられている点で、第1の実施の形態に係る加熱処理装置と相違する。 The heat treatment apparatus according to the present embodiment has a heating unit and a blow gas supply unit for removing deposits adhering to the inside of the exhaust channel and cleaning the inside of the exhaust channel, and a collecting unit is provided. This is different from the heat treatment apparatus according to the first embodiment.
本実施の形態に係る加熱処理装置も、レジスト塗布現像処理システムにおける加熱処理装置に適用できる点において、第1の実施の形態と同様である。また、熱板70、処理容器70b、大気導入路73、流量計74、監視部75については、第1の実施の形態と同様である。
The heat treatment apparatus according to the present embodiment is also the same as the first embodiment in that it can be applied to the heat treatment apparatus in the resist coating and developing treatment system. Further, the
一方、本実施の形態では、排気流路72a上に、加温部81、ブローガス供給部82を有し、加温部81より排気系側に捕集部83が設けられている。
On the other hand, in the present embodiment, a
加温部81は、処理容器70bと導入口76との間に設けられ、排気流路72aの配管の内部に付着物が付着しにくくするために、排気流路72aの配管を加温する。また、加温部81は、排気流路72aの配管の内部に付着物が付着した場合に、その付着物を加温して気化することもできる。
The
加温部81は、処理容器70bと排気流路72aに大気導入路73が接続する導入口76との間の排気流路72a上に設けられる。排気流路72aの配管の内部に付着物が付着しにくくすることができればよく、加温する方式は限定されない。例えば排気流路72aの配管の内部又は外部に設けられたヒータ等の加熱機構を備え、内部または外部から配管を加熱してもよい。又は、処理容器70bから排気流路72aの配管に熱を伝導するための熱アンカー等を設け、熱板70が発生する熱を利用してもよい。
The
熱板70が発生する熱を利用する場合には、その熱を効率よく利用するために、排気流路72aを内管72bと外管72cよりなる二重管構造を有するように構成し、処理容器70b内の雰囲気を内管72bを介して排気し、内管72b又は外管72cに処理容器70bからの熱アンカーを取付け、外管72cで内管72bを保温するようにしてもよい。更に、内管72bと外管72cとの間を真空断熱構造にしてもよく、これにより更に内管72bを加温する加温効果を高めることができる。図12では、外管72cが内管72bを加温及び保温する構成を示すため、外管72cが加温部81を兼ねている。なお、加温部81は、排気流路72a上の導入口76よりも排気系側に設けられてもよい。
When the heat generated by the
加温部81を設けることにより、排気流路72aの配管内に付着物が付着しにくくすることができる。従って、メンテナンス周期を長くすることができる。
By providing the
ブローガス供給部82は、ブローガスを排気流路72a内へ噴出するブローガスノズル82a、ブローノズルにブローガスを供給するブローガス供給源82bを有する。ブローガスノズル82aは、加温部81の設けられた部分における排気流路72aの内部、又は加温部81よりも処理容器70b側の部分における排気流路72aの内部に、ブローガスを供給するように設けられる。ブローガスノズル82aは、ブローガスを排気流路72aの配管の内部へ供給し、加温部81に加温され気化した付着物をブロー洗浄する。
The blow
ブローガスとして、N2ガス等の不活性ガスを用いることができる。また、気化した付着物を排気流路72aの配管の内壁に再度付着させないために、ブローガス供給源82bに加熱機構を設け、ブローガスを加温してから供給してもよい、
ブローガス供給部82を設けることにより、排気流路72aの配管の内部の付着物がブロー洗浄される。また、排気中の付着物の成分がブローガスによって希釈されるため、排気流路72a内へ再付着することを防止できる。従って、メンテナンス周期を長くすることができる。
An inert gas such as N 2 gas can be used as the blow gas. Further, in order to prevent the vaporized deposits from reattaching to the inner wall of the pipe of the
By providing the blow
捕集部83は、加温部81より排気系側に設けられ、排気中の成分を冷却固化して捕集する、いわゆる冷却トラップである。捕集部83は、排気流路72a上の加温部81より排気系側に設けられていてもよく、加熱処理装置の外部、更にはレジスト塗布現像処理システム1の外部であって排気系に含まれるように設けられていてもよい。捕集部83は、図12に示すように、積層等して設けられた捕集板83aを有し、捕集板83a自体あるいは捕集板83aとは別に設けられた冷却ガス供給部84等により、処理容器70b内からの排気を冷却し、冷却された排気中の固化成分を冷却する。冷却された排気中の固化成分は、捕集板83a又は捕集部83の内壁に固化して再付着することによって、捕集される。
The
捕集板83a自体により通過する気体を冷却する場合には、捕集板83aに冷却素子を設け、冷却素子からの伝導冷却により捕集板83aを冷却する。冷却素子として、例えばペルチエ素子等を用いることができる。
When the gas passing through the
冷却ガスにより通過する気体を冷却する場合には、捕集部83に冷却ガス供給部84を設け、冷却した冷却ガスを捕集部83内へ供給する。冷却ガス供給部84は、冷却ガスを捕集部83内へ噴出する冷却ガスノズル84a、冷却ガスノズル84aに冷却ガスを供給する冷却ガス供給源84bを有する。
When cooling the gas passing by the cooling gas, a cooling
捕集部83を設けることにより、加温部81で排気流路72a内の付着物を気化し、ブローガス供給部82によりブロー洗浄された排気流路72a内を排気されていく付着物の成分は、加熱処理装置の外部側、すなわち工場排気系等の排気系側に排出されることがない。従って、加熱処理装置の外部側、すなわち排気系側の排気ダクト等の配管内に付着させないようにすることができる。
By providing the
本実施の形態では、加温部81、ブローガス供給部82、捕集部83を流量計74及び監視部75と組み合わせて用いることにより、メンテナンス工程を自動化して行うことができる。以下、図13を参照し、本実施の形態に係るメンテナンス工程について説明する。図13は、本実施の形態に係る加熱処理装置のメンテナンス工程の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
In the present embodiment, by using the
本実施の形態に係るメンテナンス工程は、ブローガスを供給する工程(ステップS21)、Q2を計測する工程(ステップS22)、Q2を監視部75に送る工程(ステップS23)、Q0からQ2を差し引くことによってQ1を推測する工程(ステップS24)、Q2が下限基準値より小さいか判定する工程(ステップS25)、及び警報の出力を停止する工程(ステップS26)を含む。 The maintenance process according to the present embodiment includes a process for supplying blow gas (step S21), a process for measuring Q2 (step S22), a process for sending Q2 to the monitoring unit 75 (step S23), and subtracting Q2 from Q0. It includes a step of estimating Q1 (step S24), a step of determining whether Q2 is smaller than the lower limit reference value (step S25), and a step of stopping alarm output (step S26).
なお、本実施の形態に係るメンテナンス方法を行う前の通常の排気流量の監視方法は、第1の実施の形態において図6を用いて説明した方法と同様にして行うことができる。 Note that the normal method of monitoring the exhaust flow rate before performing the maintenance method according to the present embodiment can be performed in the same manner as the method described with reference to FIG. 6 in the first embodiment.
警報を出力し、加熱処理装置の運転を停止した後、最初にステップS21を行う。ステップS21では、排気流路72aを加温した状態で、付着物をブロー洗浄するためのブローガスを排気流路72aの配管の内部へ供給する。
After outputting an alarm and stopping the operation of the heat treatment apparatus, step S21 is first performed. In step S21, the blow gas for blow-cleaning the deposits is supplied to the inside of the pipe of the
次に、ステップS22を行う。ステップS22では、流量計74により大気導入路73の排気流量を計測する。
Next, step S22 is performed. In step S <b> 22, the exhaust flow rate of the
次に、ステップS23を行う。ステップS23では、計測した大気導入路73の排気流量Q2の計測値を監視部75に送る。
Next, step S23 is performed. In step S <b> 23, the measured value of the measured exhaust flow rate Q <b> 2 of the
次に、ステップS24を行う。ステップS24では、例えば第1の実施の形態で説明した方法により処理容器70b内からの排気流量Q1と、大気導入路73の排気流量Q2との和Q0(=Q1+Q2)が略一定となるようにしておき、Q0からQ2の計測値を差し引くことによって、Q1を算出し、Q1を推測する。
Next, step S24 is performed. In step S24, the sum Q0 (= Q1 + Q2) of the exhaust flow rate Q1 from the inside of the
次に、ステップS25を行う。ステップS25では、予めQ2の下限基準値QSTDを決めておき、所定の下限基準値QSTDとQ2の計測値との大小関係を判定する。具体的には、Q2がQSTDより小さいか判定し、Q2がQSTDより大きい場合には、再びステップS22に戻り、ステップS22からステップS25の工程を繰り返す。一方、Q2がQSTDより小さい場合には、ステップS26に進む。 Next, step S25 is performed. In step S25, the lower limit reference value QSTD of Q2 is determined in advance, and the magnitude relationship between the predetermined lower limit reference value QSTD and the measured value of Q2 is determined. Specifically, it is determined whether Q2 is smaller than QSTD. If Q2 is larger than QSTD, the process returns to step S22 again, and the processes from step S22 to step S25 are repeated. On the other hand, if Q2 is smaller than QSTD, the process proceeds to step S26.
また、ステップS25では、予めQ1の上限基準値QSTD´を決めておき、所定の上限基準値QSTD´とQ1の推測値との大小関係を判定してもよい。この場合、具体的には、Q1がQSTD´より大きいか判定し、Q1がQSTD´より小さい場合には、再びステップS22に戻る。一方、Q1がQSTD´より大きい場合には、ステップS26に進む。 In step S25, the upper limit reference value QSTD 'of Q1 may be determined in advance, and the magnitude relationship between the predetermined upper limit reference value QSTD' and the estimated value of Q1 may be determined. In this case, specifically, it is determined whether Q1 is larger than QSTD '. If Q1 is smaller than QSTD', the process returns to step S22 again. On the other hand, if Q1 is greater than QSTD ', the process proceeds to step S26.
ステップS26では、Q2がQSTDより小さい場合、又はQ1がQSTD´より大きい場合には、処理容器70b内からの排気流量が正常に戻ったものと判断し、警報の出力を停止する。監視部75の警報出力部75bからの警報の出力を停止し、加熱処理装置の運転を再開し、第1の実施の形態で図6を用いて説明した通常の排気流量の監視方法を行う。
In step S26, when Q2 is smaller than QSTD, or when Q1 is larger than QSTD ', it is determined that the exhaust flow rate from the inside of the
また、上述したメンテナンス工程は、警報を出力し、加熱処理装置を停止した後に行う場合に限定されるものではなく、例えば警報を出力するQ2の上限基準値QALMよりも小さい参照値QREFを予め決めておき、通常の排気流量の監視方法を行いながら、Q2がQREFよりも大きいと判定された場合に、加熱処理装置を運転しながらメンテナンス工程を同時に行ってもよい。また、排気流路72aの洗浄を行うメンテナンス工程と異なる他の洗浄ダミー工程(洗浄ダミーシーケンス)を準備しておき、加熱処理装置の熱板70で基板を処理中の場合には、他の洗浄ダミーシーケンスと同期してメンテナンス工程を行ってもよい。
Further, the above-described maintenance process is not limited to the case where an alarm is output and the heat treatment apparatus is stopped. For example, a reference value QREF smaller than the upper limit reference value QALM of Q2 that outputs an alarm is determined in advance. In addition, while performing a normal exhaust gas flow rate monitoring method, when it is determined that Q2 is larger than QREF, the maintenance process may be performed simultaneously while operating the heat treatment apparatus. In addition, when another cleaning dummy process (cleaning dummy sequence) different from the maintenance process for cleaning the
以上、本実施の形態によれば、通常の排気流量の監視方法を行うのに加え、排気流量の配管内に付着した付着物の洗浄を行うメンテナンス工程を自動で行うことができるため、実質的なメンテナンス周期を増大させることができる。
(第2の実施の形態の第1の変形例)
次に、図14を参照し、第2の実施の形態の第1の変形例に係る加熱処理装置について説明する。図14は、本変形例に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
As described above, according to the present embodiment, in addition to performing a normal exhaust gas flow rate monitoring method, it is possible to automatically perform a maintenance process for cleaning deposits adhering to the exhaust flow rate pipe. The maintenance cycle can be increased.
(First Modification of Second Embodiment)
Next, with reference to FIG. 14, the heat processing apparatus which concerns on the 1st modification of 2nd Embodiment is demonstrated. FIG. 14 is a schematic front view showing a heat treatment apparatus according to this modification.
本変形例に係る加熱処理装置は、捕集部を有しない点で、第2の実施の形態に係る加熱処理装置と相違する。 The heat treatment apparatus according to this modification is different from the heat treatment apparatus according to the second embodiment in that it does not have a collection unit.
本変形例に係る加熱処理装置も、レジスト塗布現像処理システム1における加熱処理装置に適用することができる点において、第2の実施の形態と同様である。また、熱板70、処理容器70b、大気導入路73、流量計74、監視部75、加温部81、ブローガス供給部82については、第2の実施の形態と同様である。
The heat treatment apparatus according to this modification is the same as that of the second embodiment in that it can be applied to the heat treatment apparatus in the resist coating and developing
一方、本変形例では、捕集部が設けられていないため、ブローガス供給部82によりブロー洗浄され、排気流路72a内を排気されていく付着物の成分は、捕集部によっては捕集されない。この場合、レジスト塗布現像処理システム1の外部に設けられたスクラバー等の除外装置によって付着物を除去してもよい。
On the other hand, in this modified example, since the collection part is not provided, the component of the deposit that is blow-cleaned by the blow
また、本変形例では、加温部により、排気流路の配管の内部に付着物が付着しにくくすることができ、ブローガス供給部により、排気流路内の付着物をブロー洗浄した成分は、その付近において再付着することなく、排気される。従って、メンテナンス周期を長くすることができる。
(第2の実施の形態の第2の変形例)
次に、図15を参照し、第2の実施の形態の第2の変形例に係る加熱処理装置について説明する。図15は、本変形例に係る加熱処理装置を示す概略正面図である。
Further, in this modification, the heating part can make it difficult for deposits to adhere to the inside of the exhaust passage pipe, and the blow gas supply part blow-cleans the deposits in the exhaust path. The air is exhausted without reattaching in the vicinity. Therefore, the maintenance cycle can be lengthened.
(Second modification of the second embodiment)
Next, with reference to FIG. 15, the heat processing apparatus which concerns on the 2nd modification of 2nd Embodiment is demonstrated. FIG. 15 is a schematic front view showing a heat treatment apparatus according to this modification.
本変形例に係る加熱処理装置は、ブローガス供給部及び捕集部を有しない点で、第2の実施の形態に係る加熱処理装置と相違する。 The heat treatment apparatus according to this modification is different from the heat treatment apparatus according to the second embodiment in that it does not have a blow gas supply unit and a collection unit.
本変形例に係る加熱処理装置も、レジスト塗布現像処理システム1における加熱処理装置に適用することができる点において、第2の実施の形態と同様である。また熱板70、処理容器70b、大気導入路73、流量計74、監視部75、加温部81については、第2の実施の形態と同様である。
The heat treatment apparatus according to this modification is the same as that of the second embodiment in that it can be applied to the heat treatment apparatus in the resist coating and developing
一方、本変形例では、排気流路72a上に、ブローガス供給部を有しておらず、排気ダクト66の工場排気系側に捕集部が設けられていないため、排気流路72a内の付着物の成分は、ブローガス供給部によりブロー洗浄はされず、その後、排気流路72a内を排気される際に捕集部によっては捕集されない。
On the other hand, in this modified example, the blower gas supply unit is not provided on the
しかしながら、第2の実施の形態の第1の変形例と同様に、レジスト塗布現像処理システム1の外部に設けられたスクラバー等の除外装置によって付着物の成分を除去することができるのであれば、捕集部を設けなくてもよい。また、Q1とQ2との和Q0を大きくすることができるのであれば、ブロー洗浄をしなくても、加温部により気化された付着物の成分は、排気流路内で再付着することなく、排気系に排気され得る。従って、本変形例でも、メンテナンス周期を長くすることができる。
However, as in the first modification of the second embodiment, if the deposit component can be removed by an excluding device such as a scrubber provided outside the resist coating and developing
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Can be modified or changed.
また、本発明は、塗布膜形成装置又はレジスト塗布現像処理装置のみならず、基板洗浄装置、成膜装置、エッチング装置その他の各種装置に適用することが可能である。また、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板を搬送する工程を含む装置に適用することが可能である。 The present invention can be applied not only to a coating film forming apparatus or a resist coating and developing apparatus, but also to a substrate cleaning apparatus, a film forming apparatus, an etching apparatus, and other various apparatuses. In addition, the present invention can be applied to an apparatus including a step of transporting a semiconductor substrate, a glass substrate, and other various substrates.
65 主排気口
66 排気ダクト
70 熱板
70b 処理容器
72、72a、172 排気流路
73 大気導入路
74、174 流量計
75、175 監視部
76 導入口
77 大気取入れ口
81 加温部
82 ブローガス供給部
83 捕集部
84 冷却ガス供給部
65
Claims (9)
前記熱板を収納する処理容器と、
前記処理容器と、該処理容器内の雰囲気を排気する排気系とを接続する排気流路と、
前記排気流路の途中に設けられた導入口を介して、前記排気流路内に大気を導入する大気導入路と、
前記大気導入路上に設けられた流量計と
を有し、
前記大気導入路の排気流量を計測することによって、前記処理容器内からの排気流量を推測することを特徴とする加熱処理装置。 In a heat treatment apparatus that places a substrate having a coating film formed on the surface of the substrate on a hot plate and performs heat treatment,
A processing container for storing the hot plate;
An exhaust passage for connecting the processing container and an exhaust system for exhausting the atmosphere in the processing container;
An air introduction path for introducing air into the exhaust flow path through an inlet provided in the middle of the exhaust flow path;
A flow meter provided on the atmosphere introduction path,
A heat treatment apparatus characterized by estimating an exhaust flow rate from the inside of the processing container by measuring an exhaust flow rate of the atmosphere introduction path.
前記監視部は、前記流量計が計測した流量値と、所定の上限基準値の大小関係を判定し、前記流量値が前記上限基準値より大きい場合に警報を出力することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の加熱処理装置。 A monitoring unit for monitoring the exhaust flow rate from the inside of the processing container based on the exhaust flow rate of the atmosphere introduction path;
The monitoring unit determines a magnitude relationship between a flow rate value measured by the flow meter and a predetermined upper limit reference value, and outputs an alarm when the flow rate value is larger than the upper limit reference value. The heat processing apparatus of Claim 1 or Claim 2.
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