JP2002036255A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホールの内面に均一なデスミア処理を行うこ
とができ、また、装置が大掛かりになることなく、さら
に、効率よくデスミア処理を行うことができるプラズマ
処理方法を提供する。 【解決手段】 樹脂を用いて形成されるシート状物１に
穴あけ加工した後、シート状物１の表面やホール２内に
残存するスミア３を除去するプラズマ処理方法に関す
る。片側が吹き出し口４として開放された反応容器５内
にプラズマ生成用ガスを導入する。大気圧近傍の圧力下
で反応容器５内にプラズマ６を生成する。このプラズマ
６をプラズマジェットとして吹き出し口４から吹き出し
てシート状物１に吹き付ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、穴あけ加工により
生じるスミアを除去する（デスミア）ためのプラズマ処
理方法及びこの方法に適用されるプラズマ処理装置に関
するものであって、特に、電子部品を形成するための材
料の製造や多数の内層回路を有する多層基板の製造の際
に好適に用いられるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置などの電子部品用
の多層基板はガラスクロスなどの基材にエポキシ樹脂な
どの樹脂を含浸させて形成した材料を用いて形成されて
いるが、このような多層基板の層間の導通を確保するに
あたっては、ドリル加工によりスルーホールを形成する
と共にスルーホールの内面にスルーホールめっきを施す
ようにしていた。しかし、最近では回路等の高密度実装
を達成するために、５０〜１００μｍ程度の直径のイン
ナービアホールにより層間の導通を確保することが行わ
れており、このような高密度実装の多層基板を形成する
ために、ガラスクロスを用いないビルドアップ法による
多層基板の製造方法が開発され、しかも、レーザにより
インナービアホールを形成することが行われている。

【０００３】ビルドアップ法による多層基板の製造方法
の一例としては、ポリイミドのフィルムに銅箔などの金
属箔を接着したり銅めっきを施し、これに回路パターン
を形成した後、レーザを照射してインナービアホールと
なるホール（穴）を形成し、これを複数枚積層して多層
基板に形成する方法がある。

【０００４】また、ビルドアップ法による多層基板の製
造方法の他例としては、外層や内層に回路を有するコア
材にエポキシ樹脂などの樹脂を塗工し加熱硬化させて絶
縁層を形成した後、絶縁層にレーザを照射してインナー
ビアホールとなるホールを形成し、ホールの内面への導
体形成及び絶縁層の表面への回路形成を行った後、さら
に上記の絶縁層の形成工程、穴あけ工程、導体形成工
程、回路形成工程を複数回順次繰り返し行うことによっ
て多層基板に形成する方法がある。

【０００５】さらに、ビルドアップ法による多層基板の
製造方法の他例としては、金属箔にエポキシ樹脂などの
樹脂を塗工して樹脂付き金属箔を形成し、これをコア材
の表面に重ねた後樹脂を加熱硬化させて一体化すると共
に樹脂の硬化物からなる絶縁層を形成し、金属箔に回路
形成を施すと共に絶縁層にレーザを照射してインナービ
アホールとなるホールを形成し、ホールの内面への導体
形成を行った後、さらに上記の樹脂付き金属箔の一体化
工程、回路形成工程、穴あけ工程、導体形成工程を複数
回順次繰り返し行うことによって多層基板に形成する方
法がある。

【０００６】このように近年フィルムなどのシート状物
や層状などに形成された樹脂にレーザで加工することが
盛んになっており、特に、その応用分野の代表的なもの
として上記のような電子部品用の多層基板を製造する際
に、樹脂に対してレーザで加工することが盛んになって
いる。

【０００７】上記のようなフィルムや絶縁層にインナー
ビアホールとなるホールをレーザにより穴あけする加工
では、レーザで樹脂を蒸散させて除去するものである
が、その際、ホールの内面（内壁）及びインナービアホ
ールの底部となるホールの下側の導体層（内層回路）に
１μｍ程度の厚みの樹脂の残渣が生じる。また、ホール
の開口周辺においても蒸散された樹脂が再付着する。こ
れら樹脂の残渣や再付着した樹脂は穴あけ加工で副次的
に生成されるいわゆるスミアであるが、このスミアが残
存したままめっきなどで導体形成を行うと、層間の導通
不良が生じて多層基板の回路（電子回路）の信頼性が低
下するものである。そこで、レーザによる穴あけ加工後
にスミアの除去を行うようにしている。

【０００８】スミアの除去（デスミア）としては、過マ
ンガン酸カリウムなどの酸を用いる湿式法が一般的であ
るが、後乾燥による樹脂の収縮やデスミア工程で多層基
板が酸で汚染されるなどの問題点があった。そこで、特
開平１２−６８６５３号公報には真空中で発生させたプ
ラズマを用いてデスミア処理をすることが提案されてい
る。すなわち、真空容器内に穴あけ加工後の被処理物
（上記のシート状物や絶縁層が形成されたコア材）を配
置し、真空容器内でプラズマ（真空プラズマ）を発生さ
せ、このプラズマに含まれるイオンやラジカルのエネル
ギーによりデスミア処理を行うようにしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記の公報に記載され
た発明では、乾式法であるために後乾燥がなくて樹脂の
収縮が発生しないものであり、また、デスミア工程で多
層基板が酸で汚染されることもなく、さらに酸水溶液な
どを用いないために取り扱いが容易となるものである。
しかしながら、真空中で発生させたプラズマでデスミア
処理を行うので、ホール内にプラズマが導入されにく
く、特に、高アスペクト比のホール（ホールの径よりも
ホールの長さが非常に大きいホール）ではプラズマが非
常に導入されにくく、ホールの開口よりも遠い部分では
デスミア処理が不十分となってホールの内面を均一にデ
スミア処理することが難しいという問題があった。ま
た、真空容器内を真空にするための手段が必要となって
装置が大掛かりになるという問題があった。さらに被処
理物を一つずつ真空容器内に入れて処理するバッチ式の
処理であるために、デスミア処理の効率が低いという問
題があった。

【００１０】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、ホールの内面に均一なデスミア処理を行うことが
でき、また、装置が大掛かりになることなく、さらに、
効率よくデスミア処理を行うことができるプラズマ処理
方法及びプラズマ処理装置を提供することを目的とする
ものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
プラズマ処理方法は、樹脂を用いて形成されるシート状
物１に穴あけ加工した後、シート状物１の表面やホール
２内に残存するスミア３を除去するプラズマ処理方法で
あって、片側が吹き出し口４として開放された反応容器
５内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力
下で反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプラズマ
６をプラズマジェットとして吹き出し口４から吹き出し
てシート状物１に吹き付けることを特徴とするものであ
る。

【００１２】また本発明の請求項２に係るプラズマ処理
方法は、請求項１の構成に加えて、シート状物１がポリ
イミドのフィルムであることを特徴とするものである。

【００１３】また本発明の請求項３に係るプラズマ処理
方法は、請求項１の構成に加えて、シート状物１が金属
箔２０と樹脂２１が接合された複合体であることを特徴
とするものである。

【００１４】本発明の請求項４に係るプラズマ処理方法
は、コア材７に設けた絶縁層８にインナービアホール９
となるホール２を穴あけ加工した後、絶縁層８の表面や
ホール２内に残存するスミア３を除去するプラズマ処理
方法であって、片側が吹き出し口４として開放された反
応容器５内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍
の圧力下で反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプ
ラズマ６をプラズマジェットとして吹き出し口４から吹
き出して絶縁層８に吹き付けることを特徴とするもので
ある。

【００１５】また本発明の請求項５に係るプラズマ処理
方法は、請求項４の構成に加えて、絶縁層８をエポキシ
樹脂で形成して成ることを特徴とするものである。

【００１６】また本発明の請求項６に係るプラズマ処理
方法は、請求項１乃至５のいずれかの構成に加えて、上
記穴あけ加工がレーザによる穴あけ加工であって、上記
スミア３がレーザによる穿孔時に生成されるレーザ加工
残渣であることを特徴とするものである。

【００１７】また本発明の請求項７に係るプラズマ処理
方法は、請求項１乃至６のいずれかの構成に加えて、プ
ラズマ生成用ガスとして、希ガスに酸素を０．５〜５ｖ
ｏｌ％添加したものを用いることを特徴とするものであ
る。

【００１８】また本発明の請求項８に係るプラズマ処理
方法は、請求項１乃至７のいずれかの構成に加えて、希
ガスとして、ヘリウムとアルゴンの少なくとも一方を用
いることを特徴とするものである。

【００１９】また本発明の請求項９に係るプラズマ処理
方法は、請求項１乃至８のいずれかの構成に加えて、反
応容器５を絶縁材料で筒状に形成すると共に反応容器５
の外側に複数の電極１１、１２を設け、電極１１、１２
間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で
反応容器５内にプラズマ６を生成することを特徴とする
ものである。

【００２０】また本発明の請求項１０に係るプラズマ処
理方法は、請求項１乃至９のいずれかの構成に加えて、
反応容器５の内面に沿った電気力線ａが形成されるよう
に電極１１、１２を配置し、幅を持ったプラズマジェッ
トが吹き出されるように吹き出し口４をスリット状に形
成することを特徴とするものである。

【００２１】本発明の請求項１１に係るプラズマ処理装
置は、片側が吹き出し口４として開放された反応容器５
と、反応容器５内に導入されるプラズマ生成用ガスと、
大気圧近傍の圧力下で反応容器内５にプラズマ６を生成
するための電極１１、１２と、穴あけ加工が施されてス
ミア３が残存する被処理物１４を吹き出し口４の近傍に
搬送するための搬送手段１５とを備えて成ることを特徴
とするものである。

【００２２】本発明の請求項１２に係るプラズマ処理装
置は、絶縁材料で形成されてガス導入口１６と吹き出し
口４を有して幅広状の筒状に形成される反応容器５と、
電気力線ａがほぼ反応容器５の筒軸方向に沿って形成さ
れるように配設された対をなす電極１１、１２とを具備
して構成され、ガス導入口１６から反応容器５内に供給
されたプラズマ生成用ガスに交流あるいはパルス状の電
界を印加することにより大気圧下近傍の圧力下で反応容
器５内にプラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口４
からプラズマ６を吹き出させることによって、穴あけ加
工が施されてスミア３が残存する被処理物１４にプラズ
マ６を供給し、このプラズマ６により被処理物１４の表
面やホール２内に残存するスミア３を除去するプラズマ
処理装置において、反応容器５内に多数のストリーマを
生じさせるためのストリーマ生成手段と、この多数のス
トリーマを反応容器５の幅広方向の全域に亘ってほぼ均
一に発生させるためのストリーマ均一化手段を備え、反
応容器５の狭い方の内寸を１〜５ｍｍに形成し、ガス導
入口１６の開口面積を吹き出し口４の開口面積よりも小
さく形成して成ることを特徴とするものである。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００２４】図１に本発明のプラズマ処理装置の一例を
示す。このプラズマ処理装置は反応容器５と電圧印加手
段１３と搬送手段１５を備えて形成されている。反応容
器５は真っ直ぐな円筒状で内径を０．１〜１０ｍｍに形
成したものである。また、反応容器５の上面はガス導入
口１６として全面に亘って開放されていると共に反応容
器５の下面は吹き出し口４として全面に亘って開放され
ている。このような反応容器５は石英、アルミナ、イッ
トリア部分安定化ジルコニウムなどのガラス質材料やセ
ラミック材料などの絶縁材料で形成することができる。

【００２５】電圧印加手段１３は複数の対をなす（一対
の）電極１１、１２と電源１７とで構成されている。電
極１１、１２は円環状（リング状）に形成されており、
冷却効率を高くするために熱伝導性の高い金属材料、例
えば、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレ
ス鋼（ＳＵＳ３０４など）などで形成されている。各電
極１１、１２はその内周面を反応容器５の外周面に全周
に亘って接触させるようにして反応容器５の外側に配設
されている。また、吹き出し口４の上方において電極１
１、１２は上下に対向させて配置されており、電極１
１、１２の間に対応する位置において反応容器５内には
放電空間１８が形成されている。電源１７は電極１１、
１２に電気的に接続されており、パルス状又は交流（高
周波）の電圧を発生するものである。そして、電源１７
により電極１１、１２の間にはパルス状又は交流（高周
波）の電圧が印加されることになるが、この時に放電空
間１８に形成される電気力線ａは反応容器５の内周面に
沿って上下方向（電極１１、１２が並ぶ方向）に形成さ
れることになる。尚、電極１１、１２の間隔Ｌ（電極１
１の下端と電極１２の上端の間隔Ｌ）は３〜２０ｍｍに
設定するのが好ましい。また、電極１１、１２は冷媒に
より冷却されるのが好ましい。

【００２６】搬送手段１５は被処理物１４を自動的に搬
送するものであって、送りローラ５５と巻き取りローラ
５６で構成されている。送りローラ５５と巻き取りロー
ラ５６は反応容器５の吹き出し口４よりも下側におい
て、反応容器５を挟んで互いに対向するように略水平に
配置されている。これら送りローラ５５と巻き取りロー
ラ５６はモーター等の駆動機（図示省略）によって同じ
向きに回転駆動自在に形成されている。

【００２７】反応容器５の吹き出し口４の下側にはワー
ク台５１が設けられている。ワーク台５１はステンレス
鋼管などで断面略円形の円管（円筒）で形成されてお
り、その内側は冷媒が流通可能な流路６１として形成さ
れている。このワーク台５１は送りローラ５５と巻き取
りローラ５６よりも上側に配置されており、送りローラ
５５と巻き取りローラ５６とワーク台５１は略平行に配
置されている。

【００２８】本発明ではプラズマ生成用ガスとして希ガ
スと酸素の混合気体を用いる。希ガスとしては、ヘリウ
ム、アルゴン、ネオン、クリプトンなどを単独で用いた
りあるいは複数種併用したりすることができるが、放電
の安定性や経済性を考慮すると、アルゴンとヘリウムの
少なくとも一つを用いるのが好ましい。また、酸素は希
ガスの全量に対して０．５〜５ｖｏｌ％添加するのが好
ましい。酸素の添加量が希ガスの全量に対して対して
０．５ｖｏｌ％未満であればデスミア処理の効果が低く
なる恐れがあり、酸素の添加量が５重量％を超えると放
電が不安定になる恐れがある。

【００２９】このように形成されるプラズマ処理装置
は、レーザによる穴あけ加工を行った後のシート状物１
を被処理物１４としてデスミア処理するものである。シ
ート状物１としては、例えば、電子部品の基板を形成す
るためなどに用いられる長尺のものであって、ポリイミ
ドなどの樹脂のフィルムを例示することができる。この
ようなシート状物１には図２（ａ）に示すように、レー
ザによる穴あけ加工によりスルーホールやインナービア
ホールとなるホール２が形成されているが、レーザによ
る穿孔時に副次的に生成されるレーザ加工残渣がスミア
３としてシート状物１の表面やホール２内に残存してい
るものである。また、シート状物１としては、銅箔など
の金属箔２０の片面に樹脂２１の層が接合された複合体
などを例示することができる。このようなシート状物１
には図２（ｂ）に示すように、レーザによる穴あけ加工
により樹脂２１の層にスルーホールやインナービアホー
ルとなるホール２が形成されるが、レーザによる穿孔時
に副次的に生成されるレーザ加工残渣がスミア３として
シート状物１の樹脂２１の層の表面やホール２内に残存
しているものである。

【００３０】そして、上記のプラズマ処理装置を用いて
長尺の被処理物１４（シート状物１）にプラズマ処理
（デスミア処理）を施すにあたっては、次のようにして
行う。まず、送りローラ５５の外周に巻かれた被処理物
１４の端部を巻き取りローラ５６の外周に巻き付けて送
りローラ５５と巻き取りローラ５６の間に被処理物１４
を掛架する。この時、反応容器５の吹き出し口４とワー
ク台５１の上面の間を被処理物１４が通過し、且つ被処
理物１４の下面がワーク台５１の上面に接触するように
掛架する。従って、被処理物１４はワーク台５１との接
触部分を支点として上下に若干屈曲された状態となって
被処理物１４にテンションが掛かった状態となる。

【００３１】次に、ガス導入口１６から反応容器５内に
プラズマ生成用ガスを導入すると共に反応容器５内でプ
ラズマ生成用ガスを上から下に流して放電空間１８に導
入し、次に、電源１７により電極１１、１２間にパルス
状又は交流の電圧を印加し、この電圧の印加により大気
圧近傍の圧力下（９３．３〜１０６．７ｋＰａ（７００
〜８００Ｔｏｒｒ））で放電空間１８にグロー状の放電
を発生させると共にグロー状の放電でプラズマ生成用ガ
スをプラズマ化してプラズマ活性種を含むプラズマ６を
生成し、この後、プラズマ６を吹き出し口４から下方に
プラズマジェットとして流出させ、吹き出し口４の下側
に配置された被処理物１４の表面にプラズマ６を吹き付
けることによって、被処理物１４（シート状物１）の表
面やホール２内に残存するスミア３をプラズマ６の活性
種で分解したり酸化（灰化）したりすると共にさらに吹
き飛ばしたりして除去することによって、デスミア処理
を行うようにする。また、この時にワーク台５１の流路
６１に水等の冷媒を流通させることによって、被処理物
１４を冷却することができ、被処理物１４の熱的損傷を
少なくすることができる。

【００３２】そして、このようにして反応容器５の吹き
出し口４からプラズマ６を吹き出しながら、送りローラ
５５と巻き取りローラ５６を回転駆動させて被処理物１
４を送りローラ５５から巻き取りローラ５６へと搬送す
ることによって、被処理物１４の全長に亘ってプラズマ
６を吹き付けてプラズマ処理を連続的に施すことができ
るものである。

【００３３】尚、被処理物１４の搬送速度や被処理物１
４と吹き出し口４の間隔は、被処理物１４の種類やプラ
ズマの生成条件等によって異なるが、被処理物１４の搬
送速度は０．１ｍｍ／秒〜２００ｍｍ／秒に、被処理物
１４と吹き出し口４の間隔は２〜１０ｍｍにそれぞれ設
定するのが好ましい。また、電極１１、１２間に印加さ
れる電圧が交流電圧の場合、その周波数は１ｋＨｚ〜２
００ＭＨｚに設定することができる。さらに、放電空間
１８に印加される印加電力の密度は２０〜３５００Ｗ／
ｃｍ³に設定することができる。印加電力の密度（Ｗ／
ｃｍ³）は（放電空間１８に印加される印加電力／放電
空間１８の体積）で定義される。さらに、反応容器５の
吹き出し口４でのガス流速（プラズマ６の吹き出し速
度）は２ｍ／秒以上にすることが好ましく、これによ
り、デスミア処理を効率良く行うことができる。このガ
ス流速は、例えば、反応容器５へのプラズマ生成用ガス
の導入速度を変えたり吹き出し口４の開口面積を変えた
りしてすることにより、所定の速度に調整することがで
きるものである。また、ガス流速は大きいほど好ましい
ので、上限は特に設定されない。

【００３４】上記のようにこの実施の形態では、穴あけ
加工後のシート状物１である被処理物１４の表面にプラ
ズマ６を吹き付けることによって、被処理物１４の表面
やホール２内に残存するスミア３をプラズマ６の活性種
で分解（灰化）して吹き飛ばして除去することができ、
デスミア処理を行うことができるものである。しかも、
プラズマ６をプラズマジェットとして被処理物１４に吹
き付けるので、真空中でのプラズマ処理に比べて、被処
理物１４に高い圧力（流速）でプラズマ６を供給するこ
とができ、高アスペクト比のホール２であってもプラズ
マ６がホール２内に導入されやすくなって、ホール２の
開口よりも遠い部分（ホール２の底部など）にも確実に
デスミア処理を施すことができてホール２の内面を簡単
に均一にデスミア処理することができるものである。

【００３５】また、この実施の形態では大気圧近傍の圧
力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器内
を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、プラズマ処理装置が大掛かりにならないようにする
ことができるものであり、しかも、被処理物１４を一つ
ずつ真空容器内に入れて処理する必要が無く、搬送手段
１５により長尺の被処理物１４を連続的に搬送しながら
被処理物１４の全長に亘ってデスミア処理を施すことが
でき、デスミア処理を効率よく行うことができるもので
ある。

【００３６】また、この実施の形態では反応容器５の内
面に沿った電気力線が形成されるように、反応容器５を
挟んで対向しないように電極１１、１２を配置するの
で、反応容器５の内面に対して垂直方向に電気力線が生
じにくくなって電気力線による反応容器５の劣化を少な
くすることができ、反応容器５の内面からその構成物質
が飛び出しにくくなって被処理物１４が不純物により汚
染されるのを少なくすることができるものである。すな
わち、反応容器５を挟んで対向するように電極１１、１
２を対向させて配置すると、図７（ｂ）に示すように反
応容器５の内面に対して直交方向に電気力線ａが形成さ
れることになって、電気力線ａによる反応容器５の劣化
が大きくなるが、上記実施の形態では反応容器５の内面
に沿った電気力線ａが形成されるように、電極１１、１
２を互いに上下に対向するように配置するので、図７
（ａ）に示すように放電空間１８内において電極１１、
１２の間に反応容器５の内面に沿った上下方向の電気力
線ａが形成されることになって、電気力線による反応容
器５の劣化を少なくすることができるものである。

【００３７】図３（ａ）（ｂ）に他の実施の形態を示
す。この実施の形態において反応容器５はその厚み方向
（厚み方向を矢印Ｂで示す）に並んで対向する一対の側
壁５ａと、反応容器５の幅方向（幅方向を矢印Ａで示
す）に並んで対向する一対の側壁５ｂと、反応容器５の
下面を構成する矩形状（底面視で長方形）の底部５ｃと
で有底の角形筒状に形成されている。また、反応容器５
の上面はガス導入口１６として略全面に亘って開放され
ていると共に底部５ｃの外面である反応容器５の下面は
ほぼ平坦な面で形成されている。そして、図３（ｂ）に
示すように、反応容器５の下面の厚み方向の略中央部に
は反応容器５の長手方向（幅方向）と平行な方向に長く
て幅広の吹き出し口４が形成されている。吹き出し口４
はスリット状であって、反応容器５の底部５ｃを貫通し
て反応容器５内の放電空間１８と連通している。

【００３８】反応容器５は厚み寸法よりも幅寸法が非常
に大きく形成された扁平形状であって、反応容器５の厚
み方向（幅狭方向）における内寸Ｗ、すなわち、反応容
器５の厚み方向（幅狭方向）に並んで対向する一対の側
壁５ａの内面の対向間隔Ｗは、０．１〜５ｍｍに形成す
るのが好ましい。このように反応容器５の厚み方向の内
寸Ｗを０．１〜５ｍｍにすることによって、放電空間１
８の体積が比較的小さくなって、放電空間１８における
単位空間あたりの電力を高くすることができ、つまり、
放電空間１８における放電空間密度を上げることがで
き、低電力化及び小ガス流量化を図ることができるもの
であり、しかも、プラズマの生成効率が高まって、プラ
ズマ処理の能力を向上させることができるものである。

【００３９】電圧印加手段１３は電極１１、１２が角形
環状に形成されていること以外は上記の実施の形態と同
様に構成されており、また、電極１１、１２は上記と同
様にして反応容器５の外側に配設されている。そして、
電極１１、１２の間に対応する位置において反応容器５
内には放電空間１８が形成されている。搬送手段１５は
図４に示すように、反応容器５の吹き出し口４の下側に
おいて、モーター等の駆動機（図示省略）によって一方
向に略水平に進行するベルトで形成されている。

【００４０】このように形成されるプラズマ処理装置は
ビルドアップ法により多層基板を形成する場合に好適に
用いることができるものである。以下に上記プラズマ処
理装置を用いてデスミア処理を行うようにしたビルドア
ップ法による多層基板の製造方法を示す。

【００４１】まず、図５（ａ）に示すようなコア材７を
用意する。このコア材７は外層や内層に回路３０を有す
る多層プリント配線板（図５（ａ）のものは４層板）な
どを用いることができ、各層の電気的な導通はスルーホ
ール２２の内面のスルーホールめっきにより確保されて
いる。次に、コア材７の表面にエポキシ樹脂などの熱硬
化性樹脂を塗工し、これを加熱硬化させることによっ
て、図５（ｂ）に示すようにコア材７の表面に絶縁層８
を形成する。次に、絶縁層８にレーザを照射することに
よって穴あけ加工を行い、図５（ｃ）に示すように、絶
縁層８の所望の箇所にインナービアホール９となる複数
個のホール２を形成する。このレーザによる穿孔時に副
次的に生成されるレーザ加工残渣がスミア３として絶縁
層８の表面やホール２内に残存しているものである。

【００４２】一方、プラズマ処理装置では上記の実施の
形態と同様にしてプラズマ６が生成されて吹き出し口４
から吹き出されている。つまり、ガス導入口１６から反
応容器５内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に反応
容器５内でプラズマ生成用ガスを上から下に流して放電
空間１８に導入し、次に、電源１７により電極１１、１
２間にパルス状又は交流の電圧を印加し、この電圧の印
加により大気圧近傍の圧力下（９３．３〜１０６．７ｋ
Ｐａ（７００〜８００Ｔｏｒｒ））で放電空間１８にグ
ロー状の放電を発生させると共にグロー状の放電でプラ
ズマ生成用ガスをプラズマ化してプラズマ活性種を含む
プラズマ６を生成し、この後、プラズマ６を吹き出し口
４から下方にプラズマジェットとして流出させている。

【００４３】そして、上記のようにしてホール２が形成
された絶縁層８を有するコア材７を被処理物１４として
上記プラズマ処理装置の搬送手段１５の上に載せ、搬送
手段１５の進行により被処理物１４を反応容器５の吹き
出し口４の下側に搬送することによって、穴あけ加工後
の被処理物１４の絶縁層８の表面にプラズマ６を吹き付
け、被処理物１４（絶縁層８）の表面やホール２内に残
存するスミア３をプラズマ６の活性種で分解（灰化）し
て吹き飛ばして除去し、デスミア処理を行うようにす
る。尚、被処理物１４の搬送速度や印加する電圧等の条
件は上記実施の形態と同様に設定することができる。

【００４４】次に、被処理物１４にめっき処理を施すこ
とによって、図５（ｄ）に示すようにホール２に内面に
導体を形成すると共に絶縁層８の表面に回路（導体）３
０を形成する。この後、この被処理物１４に対して上記
と同様の絶縁層８の形成工程、穴あけ工程、デスミア処
理、導体形成工程、回路形成工程を複数回順次繰り返し
行うことによって、図５（ｅ）に示すようなホール２が
インナービアホール９となった多層基板を形成すること
ができる。

【００４５】また、ビルドアップ法による多層基板の製
造方法の他例としては、銅箔等の金属箔２０の片面にエ
ポキシ樹脂などの樹脂２１を塗工して形成される樹脂付
き金属箔を用いる方法がある。この方法では、まず、樹
脂２１をコア材７の表面に接触させるようにして樹脂付
き金属箔を図５（ａ）と同様のコア材７の表面に重ねた
後、樹脂２１を加熱硬化させて一体化すると共に樹脂２
１の硬化物からなる絶縁層８を形成することによって、
図６（ａ）に示すように、樹脂付き金属箔をコア材７の
表面に積層する。次に、金属箔２０に回路形成処理を施
して回路３０を形成すると共に絶縁層８にレーザを照射
することによって穴あけ加工を行い、絶縁層８の所望の
箇所にインナービアホール９となる複数個のホール２を
形成する。次に、ホール２が形成された絶縁層８を有す
るコア材７を被処理物１４として上記プラズマ処理装置
の搬送手段１５の上に載せ、上記と同様にしてデスミア
処理を行うようにする。次に、被処理物１４にめっき処
理を施すことによって、図６（ｂ）に示すように、ホー
ル２に内面に導体を形成する。この後、この被処理物１
４に対して上記と同様の樹脂付き金属箔の一体化工程、
回路形成工程、穴あけ工程、デスミア処理、導体形成工
程を複数回順次繰り返し行うことによって、ホール２が
インナービアホール９となった図５（ｅ）と同様の多層
基板を形成することができる。

【００４６】この実施の形態では、幅を持ったプラズマ
ジェットが吹き出されるように吹き出し口４をスリット
状に形成するので、カーテンのような幅を持ったプラズ
マ６を吹き出し口４から吹き出しながら被処理物１４あ
るいはプラズマ処理装置を吹き出し口４の長手方向と直
交する方向に移動させて被処理物１４の表面全面にプラ
ズマを走査して吹き付けることによって、スポット的な
プラズマ６を吹き出すものに比べて被処理物１４の広い
面積を一度にプラズマ処理することができ、広い表面積
を有する被処理物１４の処理時間を短くすることができ
るものである。

【００４７】尚、図１の実施の形態において搬送手段１
５を図４のものに代えても良いし、また、図４の実施の
形態において搬送手段１５を図１のものに代えても良
い。

【００４８】図８に他の実施の形態を示す。このプラズ
マ処理装置はプラズマ放電中に多数のストリーマを発生
させ、このストリーマを被処理物１４に作用させてデス
ミア処理としてのプラズマ処理の処理速度を速めるもの
である。尚、ストリーマとは比較的電流密度が高く、フ
ィラメント状（線状）で、比較的（グロー状の放電に比
べて）発光輝度の高い放電を指す。ちなみに、グロー状
の放電とは、ミクロ的には非常に微細なマイクロディス
チャージの集合体であり、マクロ的には非常に均質で比
較的電流密度が低く、発光輝度が低い放電を指す。

【００４９】反応容器５は上記と同様の高融点の絶縁材
料（誘電体材料）で形成されるものである。また、反応
容器５は厚み方向（矢印Ｂで示す）に並んで対向する一
対の側壁５ａと、幅方向（矢印Ａで示す）に並んで対向
する一対の側壁５ｂとで四周面が囲まれて角形筒状に形
成されている。また、反応容器５は厚み寸法よりも幅寸
法が非常に大きくなるように扁平形状に形成されてお
り、反応容器５の幅方向が幅広方向として形成されてい
る。

【００５０】反応容器５の上面にはガス導入口１６が、
反応容器５の下面には吹き出し口４がそれぞれ形成され
ている。ガス導入口１６は反応容器５の内側の空間に連
通する開口部であって、ガス導入口１６の開口面積を吹
き出し口４の開口面積よりも小さく形成し、且つガス導
入口１６の中心が反応容器５の筒軸Ｇ上に位置するよう
にしてガス導入口１６を反応容器５の上面に開口して形
成したものである。吹き出し口４は反応容器５の内側の
空間に連通する開口部であって、反応容器５の下面を略
全面に亘って開放することにより形成されている。そし
て、ガス導入口１６と吹き出し口４は後述の放電空間１
８を挟んで反応容器５の筒軸方向（反応容器５の高さ方
向（上下方向）であって、矢印Ｃで示す）で対向するよ
うに形成されている。

【００５１】このようにガス導入口１６の開口面積を吹
き出し口４の開口面積よりも小さく形成し、且つガス導
入口１６の中心が反応容器５の筒軸Ｇ上に位置するよう
にしてガス導入口１６を反応容器５の上面に開口して形
成することによって、非放電時での反応容器５の吹き出
し口４の直下におけるガス流速は、反応容器５の幅広方
向の略中央部において最も速くなり、反応容器５の幅広
方向の端部になるほど徐々に遅くなるような分布とな
る。すなわち、このプラズマ処理装置では放電空間１８
に供給されるプラズマ生成用ガスのガス流速が筒軸Ｇ上
において最高速となるようにプラズマ生成用ガスを供給
することによって、ストリーマを放電空間１８の全域に
亘って均一化することができるものであり、放電中での
反応容器５の吹き出し口４の直下におけるプラズマの流
速分布はほぼ均一になり、従って、ほぼ均一なプラズマ
処理が可能となるものである。

【００５２】放電中の放電空間１８に図９に示すような
流速分布を有するプラズマ生成用ガスを供給しても、図
１０に示すように、吹き出し口４の直下におけるプラズ
マの流速がフラットで均一な分布になるのは、プラズマ
生成用ガスの急激な温度上昇に伴う体積膨張により、放
電空間１８の中央部から端部へとプラズマ生成用ガスが
流れ込むためであると考えられる。そして、この実施の
形態では、ガス導入口１６の開口面積を吹き出し口４の
開口面積よりも小さく形成することによって、供給する
ガス量を増やさずに放電空間１８に高速でプラズマ生成
用ガスを供給することができ、ストリーマの生成を放電
空間１８の全域に亘って均一にしながら、プラズマ処理
に必要なプラズマ生成用ガスの消費量を低減することが
でき、ランニングコストを低減することができるもので
ある。

【００５３】尚、ガス導入口１６の開口面積は狭いほど
放電空間１８の中央部（筒軸Ｇ上）により高速でプラズ
マ生成用ガスを供給することができるが、あまりにも速
すぎると放電空間１８の中央部のプラズマが吹き消され
て均一な処理が行えなくなる。また、反応容器５の長さ
がガス導入口１６側に長くなるほど、すなわちガス導入
口１６と放電空間１８の距離が長くなるほど、放電空間
１８の中央部でのガス流速は徐々に減少していくので、
ガス導入口１６の開口を小さくした効果が減少する恐れ
がある。そこで、放電空間１８にプラズマ生成用ガスが
達する前に高速のガス流速が減衰して飽和状態とならな
いようにするために、ガス導入口１６の開口面積、吹き
出し口４の開口面積、反応容器５の長さ、電極１１、１
２の位置（放電空間１８の位置）、ガス供給量などを設
定するようにする。

【００５４】また、反応容器５の上側にはヘッダー部４
０が設けられている。ヘッダー部４０は反応容器５と同
様の材料で反応容器５と一体的に形成されている。ま
た、ヘッダー部４０の上部は円筒状に形成されていると
共にヘッダー部４０の下部は下側ほど厚み方向の寸法が
小さくなるように絞り込まれた絞り部４２として形成さ
れている。また、ヘッダー部４０の閉塞された上面には
ガス導入管４３が突設されている。さらに、ヘッダー部
４０（絞り部４２）の下端はガス導入口１６の下側にお
いて反応容器５の外周面の全周に亘って隙間なく接合さ
れている。従って、反応容器５のガス導入口１６はヘッ
ダー部４０の絞り部４２の内側において開口しているも
のである。

【００５５】このように形成される反応容器５には電極
１１、１２と電源１７から構成される上記と同様の電圧
印加手段１３が設けられており、上側の電極１１の上端
と下側の電極１２の下端の間に対応する位置において、
反応容器５の内側の空間が放電空間１８として形成され
ている。また、反応容器５の吹き出し口４の下側には図
１あるいは図４に示す搬送手段１５を設けることができ
る。

【００５６】このプラズマ処理装置でプラズマ処理（デ
スミア処理）を行うにあたっては、上記の他の実施の形
態と同様にして行うことができる。つまり、矢印で示
すように、ガス導入管４３を通じてヘッダー部４０内に
プラズマ生成用ガスを供給し、この後、ヘッダー部４０
からガス導入口１６を通じて反応容器５内にプラズマ生
成用ガスを導入し、ガス導入口１６から反応容器５の内
側の空間にプラズマ生成用ガスを上から下に向かって流
して導入すると共に電源１７により電極１１、１２間に
電圧を印加することにより、交流又はパルス状の電界を
放電空間１８に印加する。そして、この電界の印加によ
り大気圧下あるいはその近傍の圧力下で放電空間１８に
プラズマ放電を発生させると共にこのプラズマ放電によ
りプラズマ生成用ガスをプラズマ化してプラズマ活性種
を含むプラズマを放電空間１８で生成し、このプラズマ
を矢印で示すように、吹き出し口４から下方に向かっ
てカーテンのような幅を持ったプラズマジェットとして
連続的に流出させて、図１、４に示すように、吹き出し
口４の下側に配置された穴あけ加工後の被処理物１４に
吹き付けるようにする。このようにして被処理物１４に
上記と同様のデスミア処理を行うことができる。この
時、被処理物１４が上記のような多層基板用のコア材７
のような平板状の基板であって、その表面の全体に多数
個のホール２が形成されている場合には、プラズマ６を
吹き出しながら基板あるいはプラズマ処理装置を吹き出
し口４の長手方向と直交する方向に移動させ、基板の表
面全面にプラズマ６を走査して吹き付けるようにしてデ
スミア処理を行う。さらに、プラズマ処理装置又は被処
理物１４をその移動方向と直交する方向に振動させるこ
とにより、繰り返しプラズマ６が被処理物１４に吹き付
けられることになってデスミア処理の度合いを高めるこ
とも可能である。

【００５７】このプラズマ処理装置では、ガス流速の抵
抗が限りなく小さくなるように、ヘッダー部４０を反応
容器５のガス導入口１６の上側に設け、プラズマ生成用
ガスをヘッダー部４０内に導入した後、ガス導入口１６
から反応容器５内に導入するので、反応容器５のガス導
入口１６の全体から反応容器５内にプラズマ生成用ガス
を偏りなく均一に供給することができ、反応容器５内に
供給されるプラズマ生成用ガスの流速はガス導入口１６
の縁部が抵抗となって律せられることになる。その結
果、反応容器５内には筒軸対称で設計通りの流速分布と
流速を有するプラズマ生成用ガスが供給されやすくな
り、反応容器５の吹き出し口４ではプラズマジェットが
均一で一様な流速分布で吹き出されることになり、被処
理物１４に形成された多数個のホール２に均一にデスミ
ア処理を施すことができるものである。

【００５８】尚、ヘッダー部４０の形状は図８に示した
ものに限定されず、ガス導入口１６に導入される以前に
プラズマ生成用ガスに流速分布が発生せず、且つガス導
入口１６でプラズマ生成用ガスの流速が律せられるよう
な構造であればよい。

【００５９】この実施の形態では上記のように反応容器
５の外側に電極１１、１２を上下に対向させて配置する
ことによって、プラズマ放電中に放電空間１８で多数の
ストリーマを発生させやすくしたものである。電極１
１、１２を介して放電空間１８に交流あるいはパルス状
の電界を印加すると放電空間１８で電気力線ａが生成さ
れるが、一般的に、この電気力線ａの長さで表される放
電パスが短いほど放電空間１８でグロー状の放電になり
やすく、逆に、放電パスが長くなるほどストリーマを多
く含んだ放電形態になりやすいとされている。従って、
この実施の形態のような形状の反応容器５を用いた場
合、図７（ｂ）に示すように、反応容器５の側壁５ａの
外面のみに接触させて電極１１、１２を設けて筒軸方向
に対して垂直な方向に電極１１、１２を対向させて配置
すると、放電パスが非常に短くなってストリーマが発生
しにくくなるものである。そこで、この実施の形態では
図７（ａ）に示すように、電極１１、１２を上下に対向
させて配置したもの、すなわち、電極１１、１２を反応
容器５の筒軸方向に並べて配置したものであり、このこ
とで、プラズマ放電中に放電空間１８で生じる電気力線
ａがほぼ反応容器５の筒軸方向に沿って長く形成される
ことになって放電パスが長くなるものであり、多数のス
トリーマを含んだプラズマ放電が発生しやすくなるもの
である。

【００６０】上記のようにプラズマ放電中に放電空間１
８で生じる電気力線ａがほぼ反応容器５の筒軸方向に沿
って長く形成されるように電極１１、１２を上下に配置
すると、多数のストリーマが発生しやすくなる。しかし
ながら、この構成だけでは多数のストリーマがほぼ同時
に且つ継続的（連続的）に発生する放電形態を得ること
ができず、グロー状の放電が生じる場合がある。そこで
この実施の形態は多数のストリーマをほぼ同時に且つ継
続的に発生させるためにストリーマ生成手段を備えてい
る。すなわち、ストリーマ生成手段はプラズマ放電中の
放電空間１８において、電流密度の疎の部分と密の部分
（この密の部分がストリーマである）を多数の箇所で発
生させるものである。このようなストリーマ生成手段と
しては、例えば、電極１１、１２の隣接間距離Ｌを２ｍ
ｍ以上にし、且つアルゴンを含有するプラズマ生成用ガ
スを用いることによって実現することができる。

【００６１】ストリーマ生成手段である電極１１、１２
の隣接間距離Ｌは上側の電極１１の下面と下側の電極１
２の上面との間の距離であり、この距離が２ｍｍ未満に
なると、放電パスが短くなってストリーマの数が減少す
る恐れがあり、しかも反応容器５の外側において電極１
１、１２の間で火花放電が起こり、放電空間１８にプラ
ズマ放電が起こらなくなる恐れがある。電極１１、１２
の隣接間距離Ｌはより多数のストリーマを発生させるた
めに５ｍｍ以上であることが好ましい。電極１１、１２
の隣接間距離Ｌの上限は特に設定されないが、隣接間距
離Ｌが２０ｍｍ以上となると、放電開始電圧が大きくな
って放電の始動が困難になるために、電極１１、１２の
隣接間距離Ｌは２０ｍｍ未満にするのが好ましい。

【００６２】また、この実施の形態では、多数のストリ
ーマを発生させるためのストリーマ生成手段として、ア
ルゴンを含有するプラズマ生成用ガスを用いるようにす
る。一般的に大気圧あるいはその近傍の圧力下でのプラ
ズマの生成には希ガスを用いることが有効とされてお
り、安定したグロー状のプラズマ放電を発生させるため
には特にヘリウムを用いることが有効であるとされてお
り、従来ではこのヘリウムをプラズマ生成用ガスとして
用いてきた。しかしながらこの実施の形態では多数のス
トリーマを含むプラズマ放電を発生させる必要があるの
で、ヘリウムよりもアルゴンを利用する方が有効であ
る。すなわち、ヘリウムの準安定状態はライフタイムが
長いために均質で安定なグロー状のプラズマ放電を発生
させやすい反面、ストリーマを発生させにくい。従っ
て、ヘリウムを主体としたプラズマ生成ガスを用いたプ
ラズマ放電では被処理物の処理速度が遅くなる。一方、
ヘリウムよりも電離しやすいアルゴンを主体とするプラ
ズマ生成ガスを用いたプラズマ放電ではストリーマを数
多く発生させることができるので、被処理物１４に対す
るデスミア処理の速度を極めて速くすることができるも
のである。

【００６３】そして、この実施の形態ではアルゴンをプ
ラズマ生成用ガスの全量に対して３０体積％以上含有さ
せることが好ましく、より好ましくは５０体積％以上を
含有させるようにする。アルゴンの含有量が３０体積％
未満であれば、多数のストリーマをほぼ同時に確実に発
生させることができなくなる恐れがある。尚、より多く
のストリーマを発生させるためにプラズマ生成用ガスの
全体をアルゴンとしてもよいが、アークが発生しやすく
なるためにアルゴンの含有率は１００体積％に若干満た
ない（１００体積％未満）とし、残りをヘリウムなどの
他のガスにするのが好ましい。また、ヘリウムよりも電
離しやすいガスであればアルゴンの代わりに用いること
ができるが、コスト等を考慮するとアルゴンを用いるの
がよい。

【００６４】但し、被処理物１４が導電性を有する場合
は、被処理物１４へアークが発生するのを抑制するアー
ク抑制手段として、ヘリウムを３体積％以上含有するプ
ラズマ生成用ガスを用いるのが好ましい。ヘリウムの含
有率がプラズマ生成用ガスの全量に対して３体積％未満
であれば、反応容器５と被処理物（特に導電性を有する
被処理物）１４との間にアークが発生して被処理物１４
が損傷する恐れがある。アーク抑制手段としては他に、
反応容器５の吹き出し口４から被処理物を遠ざける、電
極１１、１２を反応容器１の吹き出し口４から大きく離
して配置することによって放電空間１８から被処理物１
４を遠ざける、あるいは放電空間１８に印加する電力を
小さくするなどの手段が挙げられるが、いずれも処理速
度を極端に低下させる原因となるので好ましくなく、こ
の実施の形態のように、プラズマ生成用ガスにヘリウム
を３体積％以上含有させることによって、処理速度の低
下を招くことなく被処理物１４との間でアークの発生を
抑制することができる。尚、ヘリウムの含有率を高くし
すぎると上記のアルゴンの含有率が少なくなってしまい
多くのストリーマを発生させることができなくなる恐れ
があるので、ヘリウムの含有率の上限は５０体積％とす
るのが好ましい。

【００６５】また、プラズマ生成用ガスしては、上記の
アルゴンやヘリウム以外にネオンやクリプトンなどの希
ガスを用いることができる。あるいは希ガスと反応性ガ
スの混合気体を用いることもできる。しかしながら上述
のように、ストリーマの発生のしやすさの観点から希ガ
スとしては主にアルゴンを用いるのが好ましい。また、
反応性ガスは上記と同様に酸素を用いることができる。

【００６６】上記のようにこの実施の形態のプラズマ処
理装置はストリーマ生成手段を備えるので、プラズマ放
電中に放電空間１８に多数のストリーマをほぼ同時且つ
継続的に生成することができる。しかしながら、生成し
たストリーマが放電空間１８の一定の個所で発生し続け
ると、ストリーマの生成箇所に対応する部分のみの処理
速度が速くなって被処理物１４に処理ムラが発生する。
そこでこの実施の形態では放電空間１８の至る所でスト
リーマの生成と消滅を繰り返し発生させることにより、
反応容器５の幅広方向における放電空間１８の全域に亘
って多数のストリーマが略均一に生成されるようにする
ためのストリーマ均一化手段を備えている。すなわち、
ストリーマ均一化手段はプラズマ放電中の放電空間１８
において電流密度の疎密の分布を経時的に変化させるこ
とにより、多数のストリーマを放電空間１８の全域に亘
ってほぼ均一に発生させるようにしたものである。

【００６７】このようなストリーマ均一化手段は、放電
時に放電空間１８のガス導入口１６側の端部におけるプ
ラズマ生成用ガスのガス流速（平均ガス流速であって、
筒軸Ｇ上のガス流速と等しい）を５ｍ／秒以上の高速に
することによって実現することができる。すなわち、放
電空間１８の上側から導入されるプラズマ生成用ガスの
流速を放電空間１８の直上において５ｍ／秒以上にする
ことによりストリーマ均一化手段を構成するものであ
り、これにより放電空間１８内での温度ムラを解消して
多数のストリーマを放電空間１８の全域に亘ってほぼ均
一化して発生させるようにするものである。

【００６８】ストリーマを含んだプラズマ放電の場合、
ストリーマが発生している箇所の温度はストリーマが発
生していない箇所よりも温度が高く、よって、ストリー
マが発生している箇所では気体分子の電離や反応容器５
の内面からの二次電子の放出が起こりやすいが、この二
次電子の放出が頻繁に起こっている箇所ではストリーマ
が発生しやすくなる。つまり、一旦、ストリーマが発生
した箇所ではストリーマの生成が持続される傾向が高
く、このためにストリーマは同一の箇所でのみ発生し続
けることになり、放電空間１８の全域に亘って均一にス
トリーマを発生させることができない。そこで、この実
施の形態では放電空間１８に供給されるガス流速を５ｍ
／秒以上と高速にすることによって、放電空間１８内の
温度ムラ（温度のバラツキ）を解消してストリーマが同
一の箇所でのみ発生し続けることを防止したものであ
り、このことで、至る所でストリーマの生成と消滅を繰
り返し発生させて反応容器５の幅広方向における放電空
間１８の全域に亘って多数のストリーマが略均一に生成
されるようにするものである。すなわち、プラズマ生成
用ガスの供給による冷却効果によって、ストリーマの空
間的均一化が達成されるのである。従って、放電空間１
８に供給されるガス流速が５ｍ／秒未満であれば、プラ
ズマ生成用ガスによる冷却効果が小さくなって上記のよ
うな効果を得ることができなくなる恐れがある。また、
あまりに高速にするとプラズマが吹き消されてしまう恐
れがあるので、放電空間１８に供給されるガス流速は４
０ｍ／秒以下にするのが好ましい。

【００６９】放電空間１８に供給されるプラズマ生成用
ガスの反応容器５内における平均ガス流速ｖは、簡易的
には反応容器５の放電空間１８の断面積Ｓ、放電空間１
８へ供給するガス流量Ｑにより、ｖ＝Ｑ／Ｓの式で与え
られる。従って、放電空間１８へのプラズマ生成用ガス
の供給量が多いほど又は反応容器５の放電空間１８の断
面積が小さいほど平均ガス流速が大きくなり、ストリー
マを空間的に均一に発生させやすいが、プラズマ生成用
ガスの供給量を多くすると、被処理物１４のプラズマ処
理にかかるコストが高くなるために、工業的利用には不
利となる恐れがある。そこで、反応容器５の放電空間１
８の断面積を小さくして放電空間１８に供給されるガス
流速を上記のように高速にするのが好ましい。

【００７０】そこで、この実施の形態では反応容器５の
狭い方（厚み方向）の内寸（特に、放電空間１８におけ
る反応容器５の内寸）を１〜５ｍｍに形成するのが好ま
しく、このことで、プラズマ生成用ガスの供給量を増や
さずに反応容器５内の放電空間１８に供給されるガス流
速を速くすることができるものである。また、反応容器
５の放電空間１８の断面積を小さくすることによって、
放電空間１８の体積を小さくすることができ、低電力化
を容易に図ることができるものであり、この低電力化に
より高周波放射ノイズの減少をも図ることができるもの
である。

【００７１】反応容器５の狭い方の内寸（以下、「スリ
ット幅」と記載することがある）が１ｍｍより小さい
と、反応容器５の吹き出し口４の断面形状の寸法精度
が、被処理物１４の処理領域内でのプラズマ処理の均一
性に大きく影響を与えるようになる。すなわち、反応容
器５の幅広方向でのスリット幅の寸法が、反りやうねり
等により位置によってばらついてくると、反応容器５の
吹き出し口４の直下におけるプラズマガス（プラズマジ
ェット）の流速が幅広方向の位置によってばらつくこと
になり、この結果、プラズマ処理速度も被処理物１４の
処理領域内で不均一になる恐れがある。そして、反りや
うねりによる寸法誤差のスリット幅に対する割合は、ス
リット幅が狭くなるほど大きくなるために、反応容器５
のスリット幅は１ｍｍ以上にするのが好ましい。さら
に、反応容器５のスリット幅を１ｍｍ未満にすると、被
処理物１４を移動させて面状に処理する場合に、同一ポ
イントでのプラズマジェットの照射時間が短くなるの
で、十分なプラズマ処理ができなくなる恐れがある。一
方、スリット幅が５ｍｍより大きくなると、反応容器５
内でのガス流速を上記のように高速にするためには、多
量のプラズマ生成用ガスを供給しなければならず、コス
トパフォーマンスが低下する恐れがあり、好ましくな
い。また、スリット幅が広くなるほど、放電空間１８へ
の印加電力が一定の場合、放電空間１８の単位体積当た
りの電力量（パワー密度）が低下するので、十分な処理
速度が得られない恐れがあり、好ましくない。

【００７２】そしてこの実施の形態では上記のように、
反応容器５内に積極的に多数のストリーマを生じさせる
ためのストリーマ生成手段と、多数のストリーマを反応
容器５の幅広方向における放電空間１８の全域に亘って
ほぼ均一に発生させるためのストリーマ均一化手段を備
えるので、ストリーマが均一に発生している放電形態と
なり、ストリーマの疎密の分布が経時的に異なるように
なるものであり、この結果、高速でしかも処理域内で均
一なプラズマ処理が可能となるものである。

【００７３】一般的にストリーマが形成される放電では
電流密度が相対的に高く、活性種の密度も高くなるため
に処理速度を速くすることができるが、ライン状にプラ
ズマ処理を行う場合には、被処理物１４の部位によって
処理速度が大きく異なり、処理ムラが発生する恐れがあ
る。すなわち、放電空間１８におけるストリーマの発生
箇所の下流域では処理速度が速くなり、ストリーマの存
在しない箇所の下流域では処理速度が遅くなり、その結
果、被処理物１４のプラズマによる処理領域内でプラズ
マ処理（デスミア処理）の度合いにバラツキが生じるこ
とになる。そして、従来より、このような処理ムラが発
生しないように、プラズマ処理領域内での処理速度の均
一化が望まれていた。

【００７４】そこで、この実施の形態では反応容器５内
に積極的に多数のストリーマを生じさせるためのストリ
ーマ生成手段と、多数のストリーマを反応容器５の幅広
方向における放電空間１８の全域に亘ってほぼ均一に発
生させるためのストリーマ均一化手段を備えることによ
って、高速でしかも処理域内で均一なデスミア処理を可
能にしたのである。

【００７５】尚、電極１１、１２は吹き出し口４のより
近傍に配設するのが好ましく、このことで、放電空間１
８と被処理物１４の距離が縮まって処理速度を向上させ
ることができる。但し、電極１１、１２をあまりにも吹
き出し口４に近づけすぎると、放電空間１８と被処理物
１４の距離が近くなりすぎて被処理物１４との間でアー
クが発生する恐れがあるので、アークが発生しない程度
に電極１１、１２を吹き出し口４に近接させるのがよ
い。また、被処理物１４への熱的なダメージを抑えるた
めに、電極１１、１２の内部に冷却水を流すなどして放
電空間１８の温度を低下させるのが好ましい。

【００７６】

【実施例】以下本発明を実施例によって具体的に説明す
る。

【００７７】（実施例１）ポリイミド（カプトン）で構
成される厚さ５０μｍのフィルム（シート状物１）に、
出力４２Ｗの炭酸ガスレーザを照射することによって、
孔径が５０μｍの貫通孔（ホール２）を形成した。これ
を図１に示すプラズマ処理装置を用いてデスミア処理を
行った。反応容器５は石英製で外径が５ｍｍ、内径が３
ｍｍの円筒管で形成した。プラズマ生成用ガスとしては
ヘリウムを０．５リットル／分、アルゴンを１リットル
／分、酸素を０．０５リットル／分の流量で反応容器５
に導入した。また、電極１１、１２の間には周波数が１
３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、印加電力を１０
０Ｗとした。また、吹き出し口４から吹き出されるプラ
ズマ６の速度（ガス速度）は３．６ｍ／秒とした。ま
た、搬送手段１５によるシート状物１の搬送速度は２０
ｍｍ／秒とした。

【００７８】そして、デスミア処理の前後で貫通孔を電
子顕微鏡で観察した結果、処理前では多量のスミア３が
貫通孔内及び貫通孔の開口周辺に観察されたが、処理後
では完全にスミアが除去されていることが確認された。

【００７９】（実施例２）銅箔（金属箔２０）にエポキ
シ樹脂（樹脂２４）を塗工して厚さ５０μｍの樹脂付き
金属箔（シート状物１）を形成し、これを加熱してエポ
キシ樹脂を硬化させることによって絶縁層８を形成し、
絶縁層８に出力４２Ｗの炭酸ガスレーザを照射すること
によって、孔径が５０μｍのビアホール（ホール２）を
形成した。これを図３に示すプラズマ処理装置を用いて
デスミア処理を行った。反応容器５は石英製で扁平形状
の角筒管であって、吹き出し口４の大きさを２．５ｍｍ
×３５ｍｍに形成した。プラズマ生成用ガスとしてはヘ
リウムを２リットル／分、アルゴンを８リットル／分、
酸素を０．３リットル／分の流量で反応容器５に導入し
た。また、電極１１、１２の間には周波数が６０ＭＨｚ
の高周波電圧を印加し、印加電力を６００Ｗとした。ま
た、吹き出し口４から吹き出されるプラズマ６の速度
（ガス速度）は２．５ｍ／秒とした。また、搬送手段１
５によるシート状物１の搬送速度は１０ｍｍ／秒とし
た。

【００８０】そして、デスミア処理の前後でビアホール
を電子顕微鏡で観察した結果、処理前では多量のスミア
３がビアホール内及びビアホールの底部の銅箔上及びビ
アホールの開口周辺に観察されたが、処理後では完全に
スミアが除去されていることが確認された。そして、デ
スミア処理前においてビアホールの内面にめっき処理を
施して導体を形成すると導通不良が生じたが、デスミア
処理後においてビアホールの内面にめっき処理を施して
導体を形成すると導通性が良好であった。

【００８１】（実施例３）ポリイミド（カプトン）で構
成される厚さ７０μｍのフィルム（シート状物１）に、
出力５０Ｗの炭酸ガスレーザを照射することによって、
孔径が５０μｍの貫通孔（ホール２）を形成した。これ
を被処理物１４として図８に示すプラズマ処理装置を用
いてデスミア処理を行った。反応容器５は板厚１ｍｍの
石英ガラスを用い、内寸においてスリット幅（反応容器
５の狭い方の内寸）１．５ｍｍ、幅寸法５６ｍｍ、高さ
８０ｍｍの幅広状の角筒状に形成した。また、ガス導入
口１６の大きさを１．５ｍｍ×１６ｍｍ、吹き出し口４
の大きさを１．２ｍｍ×５０ｍｍに形成した。対をなす
一対の電極１１、１２は銅で作製し、その表面に金メッ
キ処理を施した。また、電極１１、１２の内部には冷却
水の流路を設け、この流路に冷却水を循環させて電極１
１、１２及び放電空間１８を冷却できるように形成し
た。また、電極１１、１２の隣接間距離Ｌは５ｍｍに設
定して電源１７と接続した。

【００８２】このような構成のプラズマ処理装置に大気
圧下において、ヘリウムを４リットル／分、アルゴンを
１４リットル／分、酸素を０．６リットル／分の流量で
混合したプラズマ生成用ガスを供給した。このプラズマ
処理装置において、非放電時における吹き出し口４から
のガスの吹き出し速度は５．２ｍ／秒であって、この値
は放電時において放電空間１８のガス導入口１６側の端
部におけるプラズマ生成用ガスの流速を示す。また、放
電時に吹き出し口４から吹き出されるプラズマ６の速度
（ガス速度）は２．３ｍ／秒とした。

【００８３】そして、１３．５６ＭＨｚの周波数で６０
０Ｗの印加電力で高周波電界を放電空間１８に印加して
プラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口４からプラ
ズマ６を吹き出させて被処理物１４の表面に供給し、プ
ラズマ処理を行った。プラズマ処理は、反応容器５の吹
き出し口４の下側（下流）において、被処理物１４を反
応容器５（吹き出し口４）の幅方向と直交する方向に１
０ｍｍ／秒で移動させるようにして行った。

【００８４】そして、デスミア処理の前後で貫通孔を電
子顕微鏡で観察した結果、処理前では多量のスミア３が
貫通孔内及び貫通孔の開口周辺に観察されたが、処理後
では完全にスミア３が除去されていることが確認され
た。

【００８５】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１の発明
は、樹脂を用いて形成されるシート状物に穴あけ加工し
た後、シート状物の表面やホール内に残存するスミアを
除去するプラズマ処理方法であって、片側が吹き出し口
として開放された反応容器内にプラズマ生成用ガスを導
入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生
成し、このプラズマをプラズマジェットとして吹き出し
口から吹き出してシート状物に吹き付けるので、真空中
でのプラズマ処理に比べてシート状物に高い圧力でプラ
ズマを供給することができ、高アスペクト比のホールで
あってもプラズマがホール内に導入されやすくなって、
ホールの開口よりも遠い部分にも確実にデスミア処理を
施すことができてホールの内面を簡単に均一にデスミア
処理することができるものである。また、大気圧近傍の
圧力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器
内を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、装置が大掛かりにならないようにすることができる
ものであり、しかも、シート状物を一つずつ真空容器内
に入れて処理する必要が無く、例えば、長尺のシート状
物を連続的に搬送しながらシート状物の全長に亘ってデ
スミア処理を施すことができ、デスミア処理を効率よく
行うことができるものである。

【００８６】また、本発明の請求項４の発明は、コア材
に設けた絶縁層にインナービアホールとなるホールを穴
あけ加工した後、絶縁層の表面やホール内に残存するス
ミアを除去するプラズマ処理方法であって、片側が吹き
出し口として開放された反応容器内にプラズマ生成用ガ
スを導入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズ
マを生成し、このプラズマをプラズマジェットとして吹
き出し口から吹き出して絶縁層に吹き付けるので、真空
中でのプラズマ処理に比べて絶縁層に高い圧力でプラズ
マを供給することができ、高アスペクト比のホールであ
ってもプラズマがホール内に導入されやすくなって、ホ
ールの開口よりも遠い部分にも確実にデスミア処理を施
すことができてホールの内面を簡単に均一にデスミア処
理することができるものである。また、大気圧近傍の圧
力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器内
を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、装置が大掛かりにならないようにすることができる
ものであり、しかも、絶縁層を形成したコア材を一つず
つ真空容器内に入れて処理する必要が無く、例えば、多
数個のコア材を連続的に搬送しながら各コア材にデスミ
ア処理を施すことができ、デスミア処理を効率よく行う
ことができるものである。

【００８７】また、本発明の請求項７の発明は、プラズ
マ生成用ガスとして、希ガスに酸素を０．５〜５ｖｏｌ
％添加したものを用いるので、プラズマ中に酸素のラジ
カルを生成することができ、デスミア処理の効果を高く
することができると共に反応容器内に安定した放電を発
生させてプラズマを効率よく生成することができるもの
である。

【００８８】また、本発明の請求項８の発明は、希ガス
として、ヘリウムとアルゴンの少なくとも一方を用いる
ので、安価なヘリウムやアルゴンを用いることによっ
て、ランニングコストを低く抑えることができるもので
ある。

【００８９】また、本発明の請求項９の発明は、反応容
器を絶縁材料で筒状に形成すると共に反応容器の外側に
複数の電極を設け、電極間に電圧を印加することによっ
て反応容器内にプラズマを生成するので、電極がプラズ
マに直接曝されることが無くなってプラズマによりスパ
ッタリングを受けないようにすることができると共に電
極がプラズマ生成用ガスにより腐食されないようにする
ことができ、電極へのダメージが少なくなって寿命を長
くすることができるものである。しかも、スパッタリン
グや腐食により不純物が生じないので、長期間の使用で
あっても被処理物が不純物より汚染されないようにする
ことができるものである。

【００９０】また、本発明の請求項１０の発明は、反応
容器の内面に沿った電気力線が形成されるように電極を
配置し、幅を持ったプラズマジェットが吹き出されるよ
うに吹き出し口をスリット状に形成するので、電気力線
による反応容器の劣化を少なくすることができ、反応容
器の内面からその構成物質が飛び出しにくくなって被処
理物が不純物により汚染されるのを少なくすることがで
きるものであり、しかも、幅を持ったプラズマジェット
を吹き出すことによって、スポット的なプラズマを吹き
出すものに比べて被処理物の広い面積を一度にプラズマ
を供給することができ、被処理物に設けた多数個のホー
ルを一度にデスミア処理することができて処理時間を短
くすることができるものである。

【００９１】また、本発明の請求項１１の発明は、片側
が吹き出し口として開放された反応容器と、反応容器内
に導入されるプラズマ生成用ガスと、大気圧近傍の圧力
下で反応容器内にプラズマを生成するための電極と、穴
あけ加工が施されてスミアが残存する被処理物を吹き出
し口の近傍に搬送するための搬送手段とを備えるので、
反応容器内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に電極
間に電圧を印加することによって、大気圧近傍の圧力下
で反応容器内にプラズマを生成し、このプラズマをプラ
ズマジェットとして吹き出し口から吹き出して被処理物
に吹き付けることによって、真空中でのプラズマ処理に
比べて被処理物に高い圧力でプラズマを供給することが
でき、高アスペクト比のホールであってもプラズマがホ
ール内に導入されやすくなって、ホールの開口よりも遠
い部分にも確実にデスミア処理を施すことができてホー
ルの内面を簡単に均一にデスミア処理することができる
ものである。また、大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理
を行うので、真空容器や真空容器内を真空にするための
真空ポンプなどの手段が必要でなく、装置が大掛かりに
ならないようにすることができるものであり、しかも、
被処理物を一つずつ真空容器内に入れて処理する必要が
無く、搬送手段で長尺の被処理物を連続的に搬送しなが
ら被処理物の全長に亘ってデスミア処理を施すことがで
き、デスミア処理を効率よく行うことができるものであ
る。

【００９２】また、本発明の請求項１２の発明は、絶縁
材料で形成されてガス導入口と吹き出し口を有して幅広
状の筒状に形成される反応容器と、電気力線がほぼ反応
容器の筒軸方向に沿って形成されるように配設された対
をなす電極とを具備して構成され、ガス導入口から反応
容器内に供給されたプラズマ生成用ガスに交流あるいは
パルス状の電界を印加することにより大気圧下あるいは
その近傍の圧力下で反応容器内にプラズマ放電を生じさ
せると共に吹き出し口からプラズマを吹き出させること
によって、穴あけ加工が施されてスミアが残存する被処
理物にプラズマを供給し、このプラズマにより被処理物
の表面やホール内に残存するスミアを除去するプラズマ
処理装置において、反応容器内に多数のストリーマを生
じさせるためのストリーマ生成手段と、この多数のスト
リーマを反応容器の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一に
発生させるためのストリーマ均一化手段を備え、反応容
器の狭い方の内寸を１〜５ｍｍに形成し、ガス導入口の
開口面積を吹き出し口の開口面積よりも小さく形成する
ので、ストリーマ生成手段により発生させた多数のスト
リーマを、ストリーマ均一化手段により反応容器の幅広
方向の全域に亘ってほぼ均一化することができ、ストリ
ーマを積極的に発生させると共にストリーマを放電空間
内に一様にムラなく発生させることによって、処理速度
を速くすることができると共に均一なデスミア処理を行
うことができるものである。また、反応容器の狭い方の
内寸を１〜５ｍｍに形成することによって、吹き出し口
から吹き出されるプラズマの流速を反応容器の幅広方向
の位置によってばらつかないようにすることができ、ま
た、プラズマ生成用ガスの供給量や電力量を少なくして
もデスミア処理を行うことができ、コストをかけずに均
一なデスミア処理を行うことができるものである。さら
に、ガス導入口の開口面積を吹き出し口の開口面積より
も小さく形成することによって、ストリーマの生成を反
応容器の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一化することが
でき、均一なデスミア処理を行うことができるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。

【図２】（ａ）（ｂ）は同上のスミアの付着した状態を
示す断面図である。

【図３】同上の他の実施の形態の一例を示し、（ａ）は
斜視図、（ｂ）は底面図である。

【図４】同上の断面図である。

【図５】同上の多層基板の製造工程の一例を示し、
（ａ）〜（ｅ）は断面図である。

【図６】同上の多層基板の製造工程の他例を示し、
（ａ）（ｂ）は断面図である。

【図７】同上の電気力線を示し、（ａ）（ｂ）は断面図
である。

【図８】同上の他の実施の形態の一例を示す斜視図であ
る。

【図９】同上の非放電時における吹き出し口直下でのガ
ス流速分布を示すグラフである。

【図１０】同上の放電時における吹き出し口直下でのガ
ス流速分布を示すグラフである。

【符号の説明】

１ シート状物 ２ ホール ３ スミア ４ 吹き出し口 ５ 反応容器 ６ プラズマ ７ コア材 ８ 絶縁層 ９ インナービアホール １１ 電極 １２ 電極 １４ 被処理物 １５ 搬送手段 ａ 電気力線

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年８月１０日（２００１．８．１
０）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
プラズマ処理方法は、プリント配線板にめっき処理を施
す前処理としてプリント配線板の銅箔にプラズマを吹き
付けるプラズマ処理方法であって、大気圧近傍の圧力下
で反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプラズマ６
を反応容器５から吹き出してプリント配線板に吹き付け
ることによってプリント配線板の銅箔に付着する有機物
を除去することを特徴とするものである。本発明の請求
項２に係るプラズマ処理方法は、プリント配線板にめっ
き処理を施す前処理として行うプラズマ処理方法であっ
て、片側が吹き出し口４として開放された反応容器５内
にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で
反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプラズマ６を
プラズマジェットとして吹き出し口４から吹き出してプ
リント配線板に吹き付けることによって、プリント配線
板の銅箔に付着するスミア３のような有機物を除去し、
この後、プリント配線板の銅箔にめっき処理を施すこと
を特徴とするものである。本発明の請求項３に係るプラ
ズマ処理方法は、樹脂を用いて形成されるシート状物１
に穴あけ加工した後、シート状物１の表面やホール２内
に残存するスミア３を除去するプラズマ処理方法であっ
て、片側が吹き出し口４として開放された反応容器５内
にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で
反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプラズマ６を
プラズマジェットとして吹き出し口４から吹き出してシ
ート状物１に吹き付けることを特徴とするものである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】また本発明の請求項４に係るプラズマ処理
方法は、請求項３の構成に加えて、シート状物１がポリ
イミドのフィルムであることを特徴とするものである。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】また本発明の請求項５に係るプラズマ処理
方法は、請求項３の構成に加えて、シート状物１が金属
箔２０と樹脂２１が接合された複合体であることを特徴
とするものである。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】本発明の請求項６に係るプラズマ処理方法
は、コア材７に設けた絶縁層８にインナービアホール９
となるホール２を穴あけ加工した後、絶縁層８の表面や
ホール２内に残存するスミア３を除去するプラズマ処理
方法であって、片側が吹き出し口４として開放された反
応容器５内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍
の圧力下で反応容器５内にプラズマ６を生成し、このプ
ラズマ６をプラズマジェットとして吹き出し口４から吹
き出して絶縁層８に吹き付けることを特徴とするもので
ある。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１５】また本発明の請求項７に係るプラズマ処理
方法は、請求項６の構成に加えて、絶縁層８をエポキシ
樹脂で形成して成ることを特徴とするものである。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】また本発明の請求項８に係るプラズマ処理
方法は、請求項３乃至７のいずれかの構成に加えて、上
記穴あけ加工がレーザによる穴あけ加工であって、上記
スミア３がレーザによる穿孔時に生成されるレーザ加工
残渣であることを特徴とするものである。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１７】また本発明の請求項９に係るプラズマ処理
方法は、請求項２乃至８のいずれかの構成に加えて、プ
ラズマ生成用ガスとして、希ガスに酸素を０．５〜５ｖ
ｏｌ％添加したものを用いることを特徴とするものであ
る。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】また本発明の請求項１０に係るプラズマ処
理方法は、請求項９の構成に加えて、希ガスとして、ヘ
リウムとアルゴンの少なくとも一方を用いることを特徴
とするものである。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】また本発明の請求項１１に係るプラズマ処
理方法は、請求項１乃至１０のいずれかの構成に加え
て、反応容器５を絶縁材料で筒状に形成すると共に反応
容器５の外側に複数の電極１１、１２を設け、電極１
１、１２間に電圧を印加することによって大気圧近傍の
圧力下で反応容器５内にプラズマ６を生成することを特
徴とするものである。

【手続補正１１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２０】また本発明の請求項１２に係るプラズマ処
理方法は、請求項１乃至１１のいずれかの構成に加え
て、反応容器５の内面に沿った電気力線ａが形成される
ように電極１１、１２を配置し、幅を持ったプラズマジ
ェットが吹き出されるように吹き出し口４をスリット状
に形成することを特徴とするものである。

【手続補正１２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】本発明の請求項１３に係るプラズマ処理装
置は、片側が吹き出し口４として開放された反応容器５
と、反応容器５内に導入されるプラズマ生成用ガスと、
大気圧近傍の圧力下で反応容器内５にプラズマ６を生成
するための電極１１、１２と、穴あけ加工が施されてス
ミア３が残存する被処理物１４を吹き出し口４の近傍に
搬送するための搬送手段１５とを備えて成ることを特徴
とするものである。

【手続補正１３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２２】本発明の請求項１４に係るプラズマ処理装
置は、絶縁材料で形成されてガス導入口１６と吹き出し
口４を有して幅広状の筒状に形成される反応容器５と、
電気力線ａがほぼ反応容器５の筒軸方向に沿って形成さ
れるように配設された対をなす電極１１、１２とを具備
して構成され、ガス導入口１６から反応容器５内に供給
されたプラズマ生成用ガスに交流あるいはパルス状の電
界を印加することにより大気圧下近傍の圧力下で反応容
器５内にプラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口４
からプラズマ６を吹き出させることによって、穴あけ加
工が施されてスミア３が残存する被処理物１４にプラズ
マ６を供給し、このプラズマ６により被処理物１４の表
面やホール２内に残存するスミア３を除去するプラズマ
処理装置において、反応容器５内に多数のストリーマを
生じさせるためのストリーマ生成手段と、この多数のス
トリーマを反応容器５の幅広方向の全域に亘ってほぼ均
一に発生させるためのストリーマ均一化手段を備え、反
応容器５の狭い方の内寸を１〜５ｍｍに形成し、ガス導
入口１６の開口面積を吹き出し口４の開口面積よりも小
さく形成して成ることを特徴とするものである。

【手続補正１４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４４】次に、被処理物１４にめっき処理を施すこ
とによって、図５（ｄ）に示すようにホール２の内面に
導体を形成すると共に絶縁層８の表面に回路（導体）３
０を形成する。この後、この被処理物１４に対して上記
と同様の絶縁層８の形成工程、穴あけ工程、デスミア処
理、導体形成工程、回路形成工程を複数回順次繰り返し
行うことによって、図５（ｅ）に示すようなホール２が
インナービアホール９となった多層基板を形成すること
ができる。

【手続補正１５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４５】また、ビルドアップ法による多層基板の製
造方法の他例としては、銅箔等の金属箔２０の片面にエ
ポキシ樹脂などの樹脂２１を塗工して形成される樹脂付
き金属箔を用いる方法がある。この方法では、まず、樹
脂２１をコア材７の表面に接触させるようにして樹脂付
き金属箔を図５（ａ）と同様のコア材７の表面に重ねた
後、樹脂２１を加熱硬化させて一体化すると共に樹脂２
１の硬化物からなる絶縁層８を形成することによって、
図６（ａ）に示すように、樹脂付き金属箔をコア材７の
表面に積層する。次に、金属箔２０に回路形成処理を施
して回路３０を形成すると共に絶縁層８にレーザを照射
することによって穴あけ加工を行い、絶縁層８の所望の
箇所にインナービアホール９となる複数個のホール２を
形成する。次に、ホール２が形成された絶縁層８を有す
るコア材７を被処理物１４として上記プラズマ処理装置
の搬送手段１５の上に載せ、上記と同様にしてデスミア
処理を行うようにする。次に、被処理物１４にめっき処
理を施すことによって、図６（ｂ）に示すように、ホー
ル２の内面に導体を形成する。この後、この被処理物１
４に対して上記と同様の樹脂付き金属箔の一体化工程、
回路形成工程、穴あけ工程、デスミア処理、導体形成工
程を複数回順次繰り返し行うことによって、ホール２が
インナービアホール９となった図５（ｅ）と同様の多層
基板を形成することができる。

【手続補正１６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８５】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項３の発明
は、樹脂を用いて形成されるシート状物に穴あけ加工し
た後、シート状物の表面やホール内に残存するスミアを
除去するプラズマ処理方法であって、片側が吹き出し口
として開放された反応容器内にプラズマ生成用ガスを導
入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生
成し、このプラズマをプラズマジェットとして吹き出し
口から吹き出してシート状物に吹き付けるので、真空中
でのプラズマ処理に比べてシート状物に高い圧力でプラ
ズマを供給することができ、高アスペクト比のホールで
あってもプラズマがホール内に導入されやすくなって、
ホールの開口よりも遠い部分にも確実にデスミア処理を
施すことができてホールの内面を簡単に均一にデスミア
処理することができるものである。また、大気圧近傍の
圧力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器
内を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、装置が大掛かりにならないようにすることができる
ものであり、しかも、シート状物を一つずつ真空容器内
に入れて処理する必要が無く、例えば、長尺のシート状
物を連続的に搬送しながらシート状物の全長に亘ってデ
スミア処理を施すことができ、デスミア処理を効率よく
行うことができるものである。

【手続補正１７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８６】また、本発明の請求項６の発明は、コア材
に設けた絶縁層にインナービアホールとなるホールを穴
あけ加工した後、絶縁層の表面やホール内に残存するス
ミアを除去するプラズマ処理方法であって、片側が吹き
出し口として開放された反応容器内にプラズマ生成用ガ
スを導入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズ
マを生成し、このプラズマをプラズマジェットとして吹
き出し口から吹き出して絶縁層に吹き付けるので、真空
中でのプラズマ処理に比べて絶縁層に高い圧力でプラズ
マを供給することができ、高アスペクト比のホールであ
ってもプラズマがホール内に導入されやすくなって、ホ
ールの開口よりも遠い部分にも確実にデスミア処理を施
すことができてホールの内面を簡単に均一にデスミア処
理することができるものである。また、大気圧近傍の圧
力下でプラズマ処理を行うので、真空容器や真空容器内
を真空にするための真空ポンプなどの手段が必要でな
く、装置が大掛かりにならないようにすることができる
ものであり、しかも、絶縁層を形成したコア材を一つず
つ真空容器内に入れて処理する必要が無く、例えば、多
数個のコア材を連続的に搬送しながら各コア材にデスミ
ア処理を施すことができ、デスミア処理を効率よく行う
ことができるものである。

【手続補正１８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８７】また、本発明の請求項９の発明は、プラズ
マ生成用ガスとして、希ガスに酸素を０．５〜５ｖｏｌ
％添加したものを用いるので、プラズマ中に酸素のラジ
カルを生成することができ、デスミア処理の効果を高く
することができると共に反応容器内に安定した放電を発
生させてプラズマを効率よく生成することができるもの
である。

【手続補正１９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８８】また、本発明の請求項１０の発明は、希ガ
スとして、ヘリウムとアルゴンの少なくとも一方を用い
るので、安価なヘリウムやアルゴンを用いることによっ
て、ランニングコストを低く抑えることができるもので
ある。

【手続補正２０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００８９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００８９】また、本発明の請求項１１の発明は、反応
容器を絶縁材料で筒状に形成すると共に反応容器の外側
に複数の電極を設け、電極間に電圧を印加することによ
って反応容器内にプラズマを生成するので、電極がプラ
ズマに直接曝されることが無くなってプラズマによりス
パッタリングを受けないようにすることができると共に
電極がプラズマ生成用ガスにより腐食されないようにす
ることができ、電極へのダメージが少なくなって寿命を
長くすることができるものである。しかも、スパッタリ
ングや腐食により不純物が生じないので、長期間の使用
であっても被処理物が不純物より汚染されないようにす
ることができるものである。

【手続補正２１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９０】また、本発明の請求項１２の発明は、反応
容器の内面に沿った電気力線が形成されるように電極を
配置し、幅を持ったプラズマジェットが吹き出されるよ
うに吹き出し口をスリット状に形成するので、電気力線
による反応容器の劣化を少なくすることができ、反応容
器の内面からその構成物質が飛び出しにくくなって被処
理物が不純物により汚染されるのを少なくすることがで
きるものであり、しかも、幅を持ったプラズマジェット
を吹き出すことによって、スポット的なプラズマを吹き
出すものに比べて被処理物の広い面積を一度にプラズマ
を供給することができ、被処理物に設けた多数個のホー
ルを一度にデスミア処理することができて処理時間を短
くすることができるものである。

【手続補正２２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９１】また、本発明の請求項１３の発明は、片側
が吹き出し口として開放された反応容器と、反応容器内
に導入されるプラズマ生成用ガスと、大気圧近傍の圧力
下で反応容器内にプラズマを生成するための電極と、穴
あけ加工が施されてスミアが残存する被処理物を吹き出
し口の近傍に搬送するための搬送手段とを備えるので、
反応容器内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に電極
間に電圧を印加することによって、大気圧近傍の圧力下
で反応容器内にプラズマを生成し、このプラズマをプラ
ズマジェットとして吹き出し口から吹き出して被処理物
に吹き付けることによって、真空中でのプラズマ処理に
比べて被処理物に高い圧力でプラズマを供給することが
でき、高アスペクト比のホールであってもプラズマがホ
ール内に導入されやすくなって、ホールの開口よりも遠
い部分にも確実にデスミア処理を施すことができてホー
ルの内面を簡単に均一にデスミア処理することができる
ものである。また、大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理
を行うので、真空容器や真空容器内を真空にするための
真空ポンプなどの手段が必要でなく、装置が大掛かりに
ならないようにすることができるものであり、しかも、
被処理物を一つずつ真空容器内に入れて処理する必要が
無く、搬送手段で長尺の被処理物を連続的に搬送しなが
ら被処理物の全長に亘ってデスミア処理を施すことがで
き、デスミア処理を効率よく行うことができるものであ
る。

【手続補正２３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００９２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００９２】また、本発明の請求項１４の発明は、絶縁
材料で形成されてガス導入口と吹き出し口を有して幅広
状の筒状に形成される反応容器と、電気力線がほぼ反応
容器の筒軸方向に沿って形成されるように配設された対
をなす電極とを具備して構成され、ガス導入口から反応
容器内に供給されたプラズマ生成用ガスに交流あるいは
パルス状の電界を印加することにより大気圧下あるいは
その近傍の圧力下で反応容器内にプラズマ放電を生じさ
せると共に吹き出し口からプラズマを吹き出させること
によって、穴あけ加工が施されてスミアが残存する被処
理物にプラズマを供給し、このプラズマにより被処理物
の表面やホール内に残存するスミアを除去するプラズマ
処理装置において、反応容器内に多数のストリーマを生
じさせるためのストリーマ生成手段と、この多数のスト
リーマを反応容器の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一に
発生させるためのストリーマ均一化手段を備え、反応容
器の狭い方の内寸を１〜５ｍｍに形成し、ガス導入口の
開口面積を吹き出し口の開口面積よりも小さく形成する
ので、ストリーマ生成手段により発生させた多数のスト
リーマを、ストリーマ均一化手段により反応容器の幅広
方向の全域に亘ってほぼ均一化することができ、ストリ
ーマを積極的に発生させると共にストリーマを放電空間
内に一様にムラなく発生させることによって、処理速度
を速くすることができると共に均一なデスミア処理を行
うことができるものである。また、反応容器の狭い方の
内寸を１〜５ｍｍに形成することによって、吹き出し口
から吹き出されるプラズマの流速を反応容器の幅広方向
の位置によってばらつかないようにすることができ、ま
た、プラズマ生成用ガスの供給量や電力量を少なくして
もデスミア処理を行うことができ、コストをかけずに均
一なデスミア処理を行うことができるものである。さら
に、ガス導入口の開口面積を吹き出し口の開口面積より
も小さく形成することによって、ストリーマの生成を反
応容器の幅広方向の全域に亘ってほぼ均一化することが
でき、均一なデスミア処理を行うことができるものであ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｈ０５Ｋ 3/26 Ｂ 3/42 ６１０ 3/42 ６１０Ａ // Ｂ２９Ｋ 79:00 Ｂ２９Ｋ 79:00 Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｃ０８Ｌ 79:08 (72)発明者 中園 佳幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4F073 AA32 BA31 BB01 CA08 4F201 AA40 AC03 AD20 AG03 BA08 BC02 BC13 BS02 5E317 AA24 BB03 CD01 CD27 CD32 GG16 5E343 AA01 AA07 AA11 EE08 EE13 EE36 ER60 FF23 GG20

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂を用いて形成されるシート状物に穴
   あけ加工した後、シート状物の表面やホール内に残存す
   るスミアを除去するプラズマ処理方法であって、片側が
   吹き出し口として開放された反応容器内にプラズマ生成
   用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプ
   ラズマを生成し、このプラズマをプラズマジェットとし
   て吹き出し口から吹き出してシート状物に吹き付けるこ
   とを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】 シート状物がポリイミドのフィルムであ
   ることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方
   法。
3. 【請求項３】 シート状物が金属箔と樹脂が接合された
   複合体であることを特徴とする請求項１に記載のプラズ
   マ処理方法。
4. 【請求項４】 コア材に設けた絶縁層にインナービアホ
   ールとなるホールを穴あけ加工した後、絶縁層の表面や
   ホール内に残存するスミアを除去するプラズマ処理方法
   であって、片側が吹き出し口として開放された反応容器
   内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下
   で反応容器内にプラズマを生成し、このプラズマをプラ
   ズマジェットとして吹き出し口から吹き出して絶縁層に
   吹き付けることを特徴とするプラズマ処理方法。
5. 【請求項５】 絶縁層をエポキシ樹脂で形成して成るこ
   とを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理方法。
6. 【請求項６】 上記穴あけ加工がレーザによる穴あけ加
   工であって、上記スミアがレーザによる穿孔時に生成さ
   れるレーザ加工残渣であることを特徴とする請求項１乃
   至５のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
7. 【請求項７】 プラズマ生成用ガスとして、希ガスに酸
   素を０．５〜５ｖｏｌ％添加したものを用いることを特
   徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のプラズマ処
   理方法。
8. 【請求項８】 希ガスとして、ヘリウムとアルゴンの少
   なくとも一方を用いることを特徴とする請求項７に記載
   のプラズマ処理方法。
9. 【請求項９】 反応容器を絶縁材料で筒状に形成すると
   共に反応容器の外側に複数の電極を設け、電極間に電圧
   を印加することによって反応容器内にプラズマを生成す
   ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の
   プラズマ処理方法。
10. 【請求項１０】 反応容器の内面に沿った電気力線が形
    成されるように電極を配置し、幅を持ったプラズマジェ
    ットが吹き出されるように吹き出し口をスリット状に形
    成することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記
    載のプラズマ処理方法。
11. 【請求項１１】 片側が吹き出し口として開放された反
    応容器と、反応容器内に導入されるプラズマ生成用ガス
    と、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生成
    するための電極と、穴あけ加工が施されてスミアが残存
    する被処理物を吹き出し口の近傍に搬送するための搬送
    手段とを備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装
    置。
12. 【請求項１２】 絶縁材料で形成されてガス導入口と吹
    き出し口を有して幅広状の筒状に形成される反応容器
    と、電気力線がほぼ反応容器の筒軸方向に沿って形成さ
    れるように配設された対をなす電極とを具備して構成さ
    れ、ガス導入口から反応容器内に供給されたプラズマ生
    成用ガスに交流あるいはパルス状の電界を印加すること
    により大気圧下あるいはその近傍の圧力下で反応容器内
    にプラズマ放電を生じさせると共に吹き出し口からプラ
    ズマを吹き出させることによって、穴あけ加工が施され
    てスミアが残存する被処理物にプラズマを供給し、この
    プラズマにより被処理物の表面やホール内に残存するス
    ミアを除去するプラズマ処理装置において、反応容器内
    に多数のストリーマを生じさせるためのストリーマ生成
    手段と、この多数のストリーマを反応容器の幅広方向の
    全域に亘ってほぼ均一に発生させるためのストリーマ均
    一化手段を備え、反応容器の狭い方の内寸を１〜５ｍｍ
    に形成し、ガス導入口の開口面積を吹き出し口の開口面
    積よりも小さく形成して成ることを特徴とするプラズマ
    処理装置。