JP4895815B2 - 半導体装置及びワード線昇圧方法 - Google Patents
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- 選択された線を電源電圧よりも高い第1の所定電圧に昇圧するブースタ回路と、
昇圧された前記線の電圧を前記第1の所定電圧に保持するチャージポンプ回路とを有し、
前記チャージポンプ回路は、前記ブースタ回路の昇圧するノードに第1のダイオードを介して接続しており、
前記チャージポンプ回路と前記第1のダイオードとの間のチャージポンプ出力ノードに接続し、前記チャージポンプ出力ノードを第2の所定電圧に保持するレギュレーション回路を有し、
前記レギュレーション回路は第2のダイオードを介して前記チャージポンプ出力ノードに接続し、
前記第2のダイオードと前記第1のダイオードとの構造、寸法は同じである、半導体装置。 - アドレス情報が変化すると、前記ブースタ回路と前記チャージポンプ回路とに動作の開始を指示する信号を出力するアドレストランジション検出回路を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チャージポンプ回路は、前記電源電圧を昇圧する複数のブースト段を有し、
前記ブースト段間のノードは順次チャージされる、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ブースタ回路は、複数の昇圧回路を多段接続した多段ブースタ回路を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チャージポンプ回路は、前記選択された線に接続された複数のメモリセルを連続的に選択するデータの連続読み出し期間中、前記選択された線を前記第1の所定電圧に保持する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ブースタ回路は、前記アドレストランジション検出回路が出力する1つのパルス信号によって前記第1の所定電圧を生成する、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記チャージポンプ回路はクロック信号によって駆動され、前記選択された線を前記第1の所定電圧を保持する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ブースタ回路及び前記チャージポンプ回路はそれぞれキャパシタを含み、前記ブースタ回路のキャパシタは前記チャージポンプ回路のキャパシタよりも大きい、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記線はワード線である、請求項1に記載の半導体装置。
- 選択された線をブースタ回路によって電源電圧よりも高い第1の所定電圧に昇圧するステップと、
昇圧された前記線の電圧をチャージポンプ回路により第1のダイオードを介して前記第1の所定電圧に保持するステップとを有し、
前記チャージポンプ回路と前記第1のダイオードとの間のチャージポンプ出力ノードに接続し、前記チャージポンプ出力ノードを第2の所定電圧に保持するレギュレーション回路を有し、
前記レギュレーション回路は第2のダイオードを介して前記チャージポンプ出力ノードに接続し、
前記第2のダイオードと前記第1のダイオードとの構造、寸法は同じである、昇圧方法。 - 前記第2のダイオードの順方向しきい値電圧は前記第1のダイオードと実質的に同じである、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記レギュレーション回路は前記第2のダイオードと前記レギュレーション回路との間のノードを、前記第1の所定電圧に保持する、請求項11に記載の半導体装置。
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