JP4895716B2 - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

カーエレクトロニクス製品や携帯型電子機器などに用いられる小型の圧電デバイスの製造方法に関し、特に信頼性が高く生産性に優れた小型の圧電デバイスの製造方法に関する。

近年、携帯電話やウェアラブル機器に代表される携帯型電子機器の需要が高まりつつある。こうした携帯型電子機器には水晶振動子が必要不可欠であり、特に高精度で発振する水晶振動子の要求が高まってきている。

さらに、自動車分野においては、ＩＴＳ（高度道路交通システム）の進展により、自動車の電子化、ＩＴ（情報通信技術）化の取り組みが活発化している。こうした取り組みの中では、加速度センサーや角速度センサー等の重要性がさらに高まっており、これらに使われる圧電デバイス、特に高精度で発振する振動型の圧電デバイスの要求が高まってきている。

以下に、振動型の圧電デバイスの中でも最も需要の多い水晶振動子について、従来から用いられてきた構成とその製造方法を示す（例えば特許文献１参照）。

図６は従来の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。従来の水晶振動子１２は、基部１２０とこの基部１２０から突出して形成されている２本の振動脚１１０を有した水晶片１００と、その水晶片１００に電圧を加え、振動脚１１０を振動させるための電極２００とで構成されている。なお電極２００は振動脚１１０の平面ｘと側面ｙに配置されており、それら電極２００は基部１２０に配置されたパッド部５００につながっている。パッド部５００からはワイヤーや導電性接合剤等によって外部の回路基板等（図示せず。）と電気的に接続される。

このような構成からなる従来の水晶振動子１２は以下に示すような製造方法によって製造されていた。図７は従来の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。図８は従来の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。ともに、図６のＢ−Ｂ部の断面図を示している。

まず、図７（ａ）に示すように水晶ウェハー１０００に研磨加工、洗浄を行った後、下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）からなるマスク層２０００をスパッタリング法により形成する。なお図７のマスク層２０００ではＣｒとＡｕの境界は描かれていない。

次に、図７（ｂ）に示すように、フォトレジスト３０００をマスク層２０００の表面に塗布した後、フォトレジスト３０００を音叉形状のパターンに露光、現像し、図７（ｃ）に示すように、音叉形状のレジストパターン３１００を形成する。次に、レジストパターン３１００を介してマスク層２０００にエッチング処理を行い、図７（ｄ）に示すような、ＡｕとＣｒからなる音叉形状のマスクパターン２１００を形成する。次に、レジストパターン３１００を剥離液で除去し（図７（ｅ））、ＡｕとＣｒからなるマスクパターン２１００をマスクとして水晶ウェハー１０００をウェットエッチングし、図７（ｆ）に示すように、水晶ウェハー１０００を音叉形状の水晶片１００に成形する。

次に、図８（ｇ）に示すように、水晶片１００上のマスクパターン２１００を除去し、改めて、水晶片１００の表面に下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）からなる導電性
膜２０５をスパッタリング法で成膜する（図８（ｈ））。

その後、図８（ｉ）に示すように、電着法、スプレーコート法、インクジェット法等により、導電性膜２０５の表面にフォトレジストジスト３０５を塗布した後、フォトレジスト３０５を図６に示す電極２００のパターン形状に露光、現像し、電極２００と同形状のレジストパターン３００を形成する（図８（ｊ））。

しかる後に、図８（ｋ）に示すように、レジストパターン３００を介してＡｕ及びＣｒのエッチングを行い、ＡｕとＣｒからなる電極２００にパターン化して形成する。最後に、レジストパターン３００を剥離液で除去して（図８（ｌ））、図６に示すような振動脚１１０の平面ｘおよび側面ｙに電極２００が形成された水晶振動子１２が完成する。

以上のような従来の水晶振動子１２において、その構造上、振動脚１１０の付け根付近（基部１２０の近傍）の狭い領域Ｄ（図６に図示）に複数の電極２００が高密度に配線されることになり、そのため電極２００を微細に且つ狭間隔に形成する必要があった。

その一方で、電極２００を微細化するのではなく、水晶片１００の基部１２０の近傍の形状を変える方法も提案されている（例えば特許文献２参照）。この方法によれば、水晶片１００の領域Ｄ付近の外形形状を変えることによって、ある程度の広さを有する電極配置部を設けている。このように電極配線部を広くすることで、電極２００の間隔を広くして配置することが可能となり、電極２００間の短絡を防止していた。

特開平１１−１７７３６４号公報（第７頁、図３） 特開２００２−７６８２７号公報（第７頁、図５）

圧電デバイスの一応用例である従来の水晶振動子１２において、その構造上、振動脚１１０の付け根付近（基部１２０の近傍）の狭い領域に複数の電極２００が高密度に配線されることになり、電極２００は微細に且つ狭間隔に形成されていた。そのため、電極２００のパターニング精度が少しでも悪化すると、電極２００の短絡や断線といった電気的不良が多発していた。

また、従来の水晶振動子１２の製造方法によれば、水晶片１００を形成した後に、フォトリソグラフィー法（一般に露光・現像によるパターニング方法のことをフォトリソグラフィー法と称する。）によって電極２００を形成するが、フォトリソグラフィー法は本来、二次元平面における微細なパターンを形成するのに適したパターニング方法であり、三次元形状になっている水晶片１００の全面にフォトリソグラフィー法を使ってパターニングしようとしても、それほど微細なパターンを形成することはできない。

なぜなら、図８（ｉ）において、フォトレジスト３０５を水晶片１００の全面に薄く均等に塗布することは難しく、フォトレジスト３０５を１μｍ以下の厚みで薄く塗布しようとすると必ず塗布しきれずに導電性膜２０５が露出してしまう部分が生じてしまうからである。そこで通常は、導電性膜２０５の全面が完全に覆われるように塗布するために、３〜１０μｍ程度の厚さで厚くフォトレジスト３０５を塗布していた。

しかしながらフォトレジスト３０５が厚く塗布されていると、図８（ｊ）において、フォトレジスト３０５の厚み以下の精度ではパターニングできないという欠点が逆に現れる
ことになる。従来の製造方法で用いられている電着法、スプレーコート法、インクジェット法といった塗布方法では、薄くても３〜１０μｍ程度の厚みで塗布されるため、数μｍ以下の幅の電極２００は形成できない。その結果、それぞれの電極２００の幅が太く形成され、それぞれの間隔が狭くなり、電極２００間の短絡が発生しやすかった。

電極２００間の短絡による不良を改善するために、特許文献２では、電極２００が高密度に配置される領域Ｄの部分を水晶片１００の形状を変えることによって広くし、電極２００の配置に余裕を持たせている。

しかしながら、この場合、水晶片１００の外形を部分的ではあるが大きくすることを意味し、あまり小型化には適していない。また、本来理想的な形状で設計されているはずの水晶片１００の形状を、電極２００の配線のために変えてしまうので、設計的に理想とされる形状とは異なってしまい、水晶振動子１２の性能を十分に発揮させることができない。

本発明の目的は、小型で生産性に優れた圧電デバイスを提供することにあり、さらには、高い性能信頼性を有する圧電デバイスを提供することにある。また、生産性に優れた小型で信頼性の高い圧電デバイスの製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の圧電デバイスの製造方法は、圧電振動子片の上面
又は下面と側面とに跨った電極を有する圧電デバイスの製造方法において、圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストが形成された面に対して垂直方向から該レジストを露光し、該レジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、第１のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、第１の電極を形成した面と側面とに跨り、かつ、第１の電極と重なった導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストを露光し、該レジストを現像して第２のレジストパターンを形成し、第２のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより、第１の電極を形成した面と側面とに跨り、かつ、第１の電極と接続した第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備え、第１の電極を構成する材料は、第２の電極形成工程で導電性膜をエッチングする溶液に対して不溶性であることを特徴とする。

また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、上述した事項に加えて、第２の電極形成工程において、導電性膜及びレジストが形成されたそれぞれの面に対して斜め方向からレジストを露光することを特徴とする。

さらに、本発明の圧電デバイスの製造方法は、上述した事項に加えて、第２の電極形成工程において、レジストを電着法で形成することを特徴とする。

（作用）
本発明の上記手段では、まずウェハー上に圧電素子片の外形形状をかたどったマスクパターンを形成する。このマスクパターンはウェハーをエッチング法で加工する時のマスクの役目をするとともに、その後の工程で圧電素子上に形成される平面電極として加工し直されるものである。よって、このマスクパターンはウェハーをエッチングする時に用いられるエッチング液に対して不溶性を示し、且つ電気抵抗の低い材料を選ぶのが望ましい。

本発明の圧電デバイスの製造方法では、このマスクパターンを形成した後、マスクパターン上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは平面電極の形状をしており、この後に行われるマスクパターンをエッチングして平面電極を形成する工程におけるマスクの役目をするものである。よって、このレジストパターンのパターニング精度は平面電極のパターニング精度に大きく影響するため、このレジストパターンを高い精度でパターニングすることができれば、平面電極の短絡や断線といった不良をほとんど無くすことができるのである。

本発明では、レジストパターンの形成の時点でウェハーはまだ圧電素子片に加工されておらず、段差のない平坦な面を有した状態にある。平坦な面上でのレジストパターンの形成は、一般にＬＳＩ分野で行われているパターニング工程と何ら変わることはなく、ＬＳＩ分野で行われているようなフォトリソグラフィー法によるパターニング方法を用いればミクロン以下の寸法精度でレジストパターンを形成することは非常に容易である。

レジストパターンを精度良く形成した後、ウェハーをエッチング法によって加工するとマスクパターンの形状どおりに加工され、所定の形状の圧電素子片が形成される。一般にエッチング法は機械加工法に比べて微細で精度良く加工できるため、本発明で目的としているような小型の圧電デバイス（圧電素子片）を形成するのに適している。

その後、レジストパターンをマスクとしてマスクパターンをエッチングすると、小型の圧電素子片の一平面上に、微細で寸法精度に優れた平面電極を形成することができる。その結果、小型の圧電素子片を用いた小型の圧電デバイスであっても、平面電極において短絡や断線といった不良の発生はほとんど無くすことができる。

圧電素子片に平面電極を形成した後、導電性膜を圧電素子片及び平面電極上に成膜し、その導電性膜を、従来から用いられている方法でパターニングして多面電極を形成する。この多面電極は圧電素子片の平面とこの平面とは異なる他の面（側面）にわたって連続して形成される。

なお、従来から用いられている方法とは、電着法、スプレーコート法、インクジェット法等により圧電素子片の全面に塗布されたフォトレジストジストを露光、現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして導電性膜をエッチングする方法である。この方法の場合、圧電素子片の平面であろうが側面であろうがいかなる面であってもパターニングが可能で、平面と側面の境界である角部であっても断線無く確実にパターニングできるのが特徴である。

なお、本発明の圧電デバイスでは、平面電極を構成する材料と多面電極を形成する材料とが異なった材料であることを特徴としている。詳しくは平面電極を構成する材料は、多面電極を構成する材料を溶解する物質に対して、不溶性であるのが本発明の特徴である。これは、多面電極を形成する工程で用いられるエッチング液によって、せっかく微細に精度良く形成した平面電極が侵されないようにするためである。こうすることによって、工程の初期の段階で形成した平面電極は完成に至るまで、微細で精度の高い状態のまま保たれることとなる。

以上のようにして、本発明では微細で高密度の配置が要求される平面電極と、形成が難しい側面にも断線無く配線することが要求される多面電極とを、それぞれに適した方法で別々に形成することで、小型で信頼性の高い圧電デバイスを達成することができた。

本発明によれば、小型で生産性に優れた圧電デバイスを提供することができ、さらには、高い性能信頼性を有する圧電デバイスを提供することができる。また、生産性に優れた小型で信頼性の高い圧電デバイスの製造方法を提供することができる。

図１は本発明の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。本発明の圧電デバイスの一例である水晶振動子１０は、基部１２０とこの基部１２０から突出して形成されている２本の振動脚１１０を有した音叉形状をした水晶片１００と、その水晶片１００に電圧を加え、振動脚１１０を振動させるための平面電極２１０、多面電極２２０とで構成されている。

なお平面電極２１０は下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）の積層膜構造になっており水晶片１００の平面ｘのみに形成されている。一方、多面電極２２０は銅（Ｃｕ）の単層膜からなっており、水晶片１００の平面ｘ及びそれに連なる側面ｙに連続して形成されている。そして、この多面電極２２０の平面部２２０ａと平面電極２１０は同一面にあり、お互い重なり合うことによって電気的につながっている。

さらにその先では基部１２０に配置されたパッド部５００とも電気的につながっている。なおパッド部５００はワイヤーや導電性接合剤等によって外部の回路基板等（図示せず。）と電気的に接続され、外部から電圧を加えることによって水晶振動子１０を駆動させることができる。

このような構成からなる本発明の水晶振動子１０は以下に示すような製造方法によって製造される。図２は本発明の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。図３は本発明の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。ともに、図１のＡ−Ａ部の断面図を示している。

本実施形態の水晶振動子１０の製造方法において、水晶ウェハー１０００上にマスクパターン２１００を形成するまでの工程は、従来の製造方法の工程である図７（ａ）〜図７（ｅ）の工程とまったく同じである。すなわち、まず始めに図７（ａ）に示すように水晶ウェハー１０００に研磨加工、洗浄を行った後、下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）からなるマスク層２０００をスパッタリング法により形成する。

次に、図７（ｂ）に示すように、フォトレジスト３０００をマスク層２０００の表面に塗布した後、フォトレジスト３０００を音叉形状のパターンに露光、現像し、図７（ｃ）に示すように、音叉形状のレジストパターン３１００を形成する。その後、レジストパターン３１００を介してマスク層２０００にエッチング処理を行い、図７（ｄ）に示すようなＡｕとＣｒからなる音叉形状のマスクパターン２１００を形成し、図７（ｅ）に示すように、レジストパターン３１００を剥離液で除去する工程によって作られる。

本発明の圧電デバイスの製造方法が従来の製造方法と異なる点はこれ以降の工程である。本発明では図７（ｅ）のように水晶ウェハー１０００上にマスクパターン２１００を形成した後、図２（ａ）に示すように、水晶ウェハー１０００及びＣｒとＡｕの積層膜からなるマスクパターン２１００（ＣｒとＡｕの境界は描かれていない。）の平面上にフォトレジスト３１５を塗布する。

なお、この時に用いられるフォトレジスト３１５は微細パターンの形成に適したレジスト材料を選ぶのが望ましい。例えば高解像度、高コントラスト性を有し、塗布厚を薄くできるレジスト材料が望ましい。また、このフォトレジスト３１５は、後に行われる水晶ウェハー１０００をエッチングする工程において、侵されない材料でなくてはならない。

次にフォトレジスト３１５を平面電極２１０の形状で露光、現像し、図２（ｂ）に示すように、マスクパターン２１００上に平面電極２１０の形状でパターン化されたレジストパターン３１０を形成する。なお、本発明の圧電デバイスの製造方法において、レジストパターン３１０のパターニングは非常に重要であり、微細で高精度にパターニングできる方法を選択するのが望ましい。

図４は本発明の圧電デバイスにおける平面電極のパターニング方法の一例を示した図である。本実施形態では図４に示すような縮小露光方式によってフォトレジスト３１５を紫外線ＵＶにて露光し、その後、現像して図２（ｂ）に示すようにパターン化した。露光マスク４１０、４２０を１／５に縮小して露光したので、露光マスク４１０、４２０の寸法精度の５倍の精度でパターニングすることができ、ミクロン以下の精度でレジストパターン３１０を形成することができた。

なお、本実施形態で用いた縮小露光方式によるパターニングは、本発明に適したパターニング方法の中の一例を示しただけにすぎない。この他にナノメートルオーダーでのパターニングが可能なＸ線リソグラフィー法、液浸リソグラフィー法、ナノインプリント法等の非常に微細なパターニングを行うことができる方法も本発明の製造方法に利用可能である。

このようにしてマスクパターン２１００上にレジストパターン３１０を形成した後に、マスクパターン２１００をマスクとして水晶ウェハー１０００をウェットエッチングし、図２（ｃ）に示すように、水晶ウェハー１０００を音叉形状の水晶片１００に成形する。一般的に水晶ウェハー１０００を化学的に加工するウェットエッチング法は、機械的に加工する切削加工法に比べ微細な加工が可能であり、水晶振動子１０を小型化するのに適した加工法である。

なお、当然のことながら、レジストパターン３１０は水晶ウェハー１０００をウェットエッチングする際に使われるエッチング液に対して不溶性であることが重要である。エッチング液に侵されてしまうような材料でレジストパターン３１０が形成されていると、折角、上記のような方法で微細に且つ高精度に形成した形状が崩れてしまうからである。

次に、図２（ｄ）に示すように、水晶片１００上のマスクパターン２１００を、レジストパターン３１０をマスクとして利用し、エッチングする。するとレジストパターン３１０の形状を転写して、微細で高い寸法精度を有する平面電極２１０が形成される。

その後、レジストパターン３１０を剥離液で除去し、水晶片１００の平面だけに、上層がＡｕで下層がＣｒからなる平面電極２１０が形成された状態になる（図２（ｅ））。

次に、図３（ｆ）に示すように、水晶片１００と平面電極２１０を覆うようにして、Ｃｕからなる導電性膜２２５をスパッタリング法によって成膜する。スパッタリング法は付き回り性が良いので、平面ｘにも側面ｙにもほぼ均等に成膜することができる。

その後、図３（ｇ）に示すように、導電性膜２２５の表面にフォトレジストジスト３２５を塗布する。この時、フォトレジスト３２５は平面ｘにも側面ｙにも塗布されなくては
ならない。そのためには三次元的にレジスト材料を塗布することができる塗布方法を選択する必要がある。三次元的にレジスト材料を塗布することのできる方法としては、一般的に電着法、スプレーコート法、インクジェット法などが挙げられる。

これらの方法は、いずれも数μｍ以上の厚みでレジスト材料が塗布される方法であり、そのため平面ｘであっても、側面ｙであっても、さらには平面ｘと側面ｙの境界部（角部）であっても確実にその表面を覆って塗布することができる。なお、本実施形態では上記の塗布方法の中で、最も一般的に使われている電着法を用いてフォトレジスト３２５を塗布した。

その後、フォトレジスト３２５を図１に示す多面電極２２０の形状に露光、現像し、多面電極２２０と同形状のレジストパターン３２０を形成する（図３（ｈ））。この時に行われるパターニング工程では、水晶片１００の平面ｘと側面ｙのどちらの面にもレジストパターン３２０を形成しなくてはならないので、平面的（二次元的）にしかパターニングできない縮小露光法、Ｘ線リソグラフィー法、液浸リソグラフィー法、ナノインプリント法等は利用することができない。ゆえに本工程では三次元的にパターニングすることができる方法を選択して使用する必要がある。

図５は本発明の圧電デバイスにおける多面電極のパターニング方法の一例を示した図である。本実施形態では図５に示すような斜め露光方式によってフォトレジスト３２５を紫外線ＵＶにて露光し、その後、現像して図３（ｈ）に示すようにパターン化した。斜め露光方式は、図５に示すように、水晶片１００の平面ｘに対して約４５度の斜め方向から、露光マスク４３０、４４０を介して紫外線ＵＶを照射する露光方法である。このようにすることでフォトレジスト３２５の平面ｘと側面ｙを同時に露光することができるため、生産性に優れた露光法である。

しかる後に、図３（ｉ）に示すように、レジストパターン３２０を介して導電性膜２２５をエッチングして、Ｃｕからなる多面電極２２０を形成する。なお、このエッチング工程で、導電成膜２２５の下部に形成されている平面電極２１０が一緒にエッチングされてしまうことはあってはならない。本実施形態では導電性膜にＣｕを使用しており、一方、平面電極２１０にＡｕを使用している。Ａｕは非常に安定な材料であるので、Ｃｕのエッチング液で平面電極２１０が侵されることはまったく無かった。

なお、平面電極２１０にはＣｒも使用されているが、下層のＣｒは上層のＡｕに覆われているので、Ｃｕのエッチング液にさらされる心配はない。このように、本発明では、平面電極２１０が形成された後に多面電極２２０をエッチング法によって形成するため、平面電極２１０に使用する材料は多面電極２２０に使用する材料とは異なったものが選ばれ、且つ多面電極２２０を形成するためのエッチング工程で不溶性である必要がある。

最後に、レジストパターン３２０を剥離液で除去して（図３（ｊ））、図１に示すような振動脚１１０の平面ｘに微細で短絡のない平面電極２１０が形成され、さらに平面ｘと側面ｙに断線のなく連続した多面電極２２０が形成された水晶振動子１０が完成する。

このように本発明の製造方法では、従来は一つの工程で形成されていた電極２００を、平面電極２１０と多面電極２２０とに分離し、それぞれの要求にあった電極の形成方法を使用することで、小型で信頼性の高い水晶振動子１０を提供できるようになる。

詳しく言えば、平面電極２１０を微細で狭い間隔で精度良く形成できるようになり、その結果、図１に示す振動脚１１０の付け根付近（領域Ｃ）のような非常に狭い領域に平面電極２１０を高密度に配線しなくてはならない場所であっても短絡せずに配線することが
でき、さらなる小型化にも対応できるようになった。また、多面電極２２０においては、平面ｘから側面ｙにかけて断線することなく多面電極２２０を配線することができ、信頼性を高めることができた。

また、本発明は電極（平面電極２１０、多面電極２２０）の構造と製造方法によって、水晶振動子１０の小型化と信頼性向上を達成している。よって従来行われていたような電極配線のために水晶片１００の形状を設計からはずれた形状に変更する必要がなく、水晶片１００の形状を設計によって得られた最適形状で形成すればよい。その結果、本発明では設計通りの最高の性能を有する水晶振動子１０を得ることができる。

なお、本実施形態では圧電デバイスの一例として、水晶からなる圧電素子片、すなわち水晶片１００上に、平面電極２１０と多面電極２２０を形成した水晶振動子１０を例に挙げて説明したが、本発明は水晶振動子１０に限られるものではない。例えば水晶以外の圧電材料を利用した圧電振動子であっても本発明の効果は十分に得られる。また、用途としても、本発明は振動子に限られているわけではなく、例えば加速度センサーやジャイロスコープ等のセンサーにも利用可能である。

本発明の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。 本発明の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。 本発明の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。 本発明の圧電デバイスにおける平面電極のパターニング方法の一例を示した図である。 本発明の圧電デバイスにおける多面電極のパターニング方法の一例を示した図である。 従来の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。 従来の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。 従来の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。

符号の説明

１０、１２ 水晶振動子
１００ 水晶片
１１０ 振動脚
１２０ 基部
２００ 電極
２０５、２２５ 導電性膜
２１０ 平面電極
２２０ 多面電極
２２０ａ 平面部
３００、３１０、３２０ レジストパターン
３０５、３１５、３２５ フォトレジスト
４１０、４２０、４３０、４４０ 露光マスク
５００ パッド部
１０００ 水晶ウェハー
２０００ マスク層
２１００ マスクパターン
３０００ フォトレジスト
３１００ レジストパターン

Claims (3)

1. 圧電振動子片の上面又は下面と側面とに跨った電極を有する圧電デバイスの製造方法において、
   前記圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストが形成された面に対して垂直方向から該レジストを露光し、該レジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより前記圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
   前記第１の電極を形成した面と前記側面とに跨り、かつ、前記第１の電極と重なった導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストを露光し、該レジストを現像して第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより、前記第１の電極を形成した面と前記側面とに跨り、かつ、前記第１の電極と接続した第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備え、
   前記第１の電極を構成する材料は、前記第２の電極形成工程で前記導電性膜をエッチングする溶液に対して不溶性であることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
2. 前記第２の電極形成工程において、前記導電性膜及び前記レジストが形成されたそれぞれの面に対して斜め方向から前記レジストを露光することを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
3. 前記第２の電極形成工程において、前記レジストを電着法で形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電デバイスの製造方法。

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