JP4895716B2 - Method for manufacturing piezoelectric device - Google Patents

Description

カーエレクトロニクス製品や携帯型電子機器などに用いられる小型の圧電デバイスの製造方法に関し、特に信頼性が高く生産性に優れた小型の圧電デバイスの製造方法に関する。 It relates to a method of manufacturing a small-sized piezoelectric devices used such as car electronics products and portable electronic devices, compact method for manufacturing a piezoelectric device, particularly excellent in high productivity reliability.

近年、携帯電話やウェアラブル機器に代表される携帯型電子機器の需要が高まりつつある。こうした携帯型電子機器には水晶振動子が必要不可欠であり、特に高精度で発振する水晶振動子の要求が高まってきている。   In recent years, demand for portable electronic devices typified by mobile phones and wearable devices is increasing. A crystal resonator is indispensable for such portable electronic devices, and the demand for a crystal resonator that oscillates with high accuracy is increasing.

さらに、自動車分野においては、ＩＴＳ（高度道路交通システム）の進展により、自動車の電子化、ＩＴ（情報通信技術）化の取り組みが活発化している。こうした取り組みの中では、加速度センサーや角速度センサー等の重要性がさらに高まっており、これらに使われる圧電デバイス、特に高精度で発振する振動型の圧電デバイスの要求が高まってきている。   Furthermore, in the automobile field, with the advancement of ITS (Intelligent Transport System), efforts to digitize automobiles and IT (information and communication technology) are becoming active. In such efforts, the importance of acceleration sensors, angular velocity sensors, and the like has further increased, and the demand for piezoelectric devices used for these, particularly vibration-type piezoelectric devices that oscillate with high accuracy, has increased.

以下に、振動型の圧電デバイスの中でも最も需要の多い水晶振動子について、従来から用いられてきた構成とその製造方法を示す（例えば特許文献１参照）。   Below, the structure and the manufacturing method which were conventionally used about the quartz vibrator with the most demand among vibration type piezoelectric devices are shown (for example, refer patent document 1).

図６は従来の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。従来の水晶振動子１２は、基部１２０とこの基部１２０から突出して形成されている２本の振動脚１１０を有した水晶片１００と、その水晶片１００に電圧を加え、振動脚１１０を振動させるための電極２００とで構成されている。なお電極２００は振動脚１１０の平面ｘと側面ｙに配置されており、それら電極２００は基部１２０に配置されたパッド部５００につながっている。パッド部５００からはワイヤーや導電性接合剤等によって外部の回路基板等（図示せず。）と電気的に接続される。   FIG. 6 is a perspective view of a crystal resonator as an example of a conventional piezoelectric device. The conventional crystal unit 12 includes a base piece 120 and a crystal piece 100 having two vibrating legs 110 formed so as to protrude from the base part 120, and a voltage is applied to the crystal piece 100 to vibrate the vibrating leg 110. The electrode 200 for this is comprised. The electrodes 200 are disposed on the plane x and the side surface y of the vibration leg 110, and the electrodes 200 are connected to the pad portion 500 disposed on the base 120. The pad portion 500 is electrically connected to an external circuit board or the like (not shown) by a wire, a conductive bonding agent, or the like.

このような構成からなる従来の水晶振動子１２は以下に示すような製造方法によって製造されていた。図７は従来の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。図８は従来の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。ともに、図６のＢ−Ｂ部の断面図を示している。   The conventional crystal unit 12 having such a configuration has been manufactured by the following manufacturing method. FIG. 7 is a diagram showing the first half of the conventional method for manufacturing a piezoelectric device. FIG. 8 is a diagram illustrating the latter half of the conventional method for manufacturing a piezoelectric device. Both show a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.

まず、図７（ａ）に示すように水晶ウェハー１０００に研磨加工、洗浄を行った後、下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）からなるマスク層２０００をスパッタリング法により形成する。なお図７のマスク層２０００ではＣｒとＡｕの境界は描かれていない。   First, as shown in FIG. 7A, the quartz wafer 1000 is polished and washed, and then a mask layer 2000 having a lower layer made of chromium (Cr) and an upper layer made of gold (Au) is formed by a sputtering method. In the mask layer 2000 of FIG. 7, the boundary between Cr and Au is not drawn.

次に、図７（ｂ）に示すように、フォトレジスト３０００をマスク層２０００の表面に塗布した後、フォトレジスト３０００を音叉形状のパターンに露光、現像し、図７（ｃ）に示すように、音叉形状のレジストパターン３１００を形成する。次に、レジストパターン３１００を介してマスク層２０００にエッチング処理を行い、図７（ｄ）に示すような、ＡｕとＣｒからなる音叉形状のマスクパターン２１００を形成する。次に、レジストパターン３１００を剥離液で除去し（図７（ｅ））、ＡｕとＣｒからなるマスクパターン２１００をマスクとして水晶ウェハー１０００をウェットエッチングし、図７（ｆ）に示すように、水晶ウェハー１０００を音叉形状の水晶片１００に成形する。   Next, as shown in FIG. 7B, after applying a photoresist 3000 to the surface of the mask layer 2000, the photoresist 3000 is exposed and developed into a tuning fork-shaped pattern, as shown in FIG. 7C. Then, a tuning fork-shaped resist pattern 3100 is formed. Next, the mask layer 2000 is etched through the resist pattern 3100 to form a tuning fork-shaped mask pattern 2100 made of Au and Cr as shown in FIG. Next, the resist pattern 3100 is removed with a stripping solution (FIG. 7E), the crystal wafer 1000 is wet-etched using the mask pattern 2100 made of Au and Cr as a mask, and as shown in FIG. The wafer 1000 is formed into a tuning-fork-shaped crystal piece 100.

次に、図８（ｇ）に示すように、水晶片１００上のマスクパターン２１００を除去し、改めて、水晶片１００の表面に下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）からなる導電性
膜２０５をスパッタリング法で成膜する（図８（ｈ））。 Next, as shown in FIG. 8 (g), the mask pattern 2100 on the crystal piece 100 is removed, and the conductive material in which the lower layer is made of chromium (Cr) and the upper layer is made of gold (Au) on the surface of the crystal piece 100 again. A film 205 is formed by a sputtering method (FIG. 8H).

その後、図８（ｉ）に示すように、電着法、スプレーコート法、インクジェット法等により、導電性膜２０５の表面にフォトレジストジスト３０５を塗布した後、フォトレジスト３０５を図６に示す電極２００のパターン形状に露光、現像し、電極２００と同形状のレジストパターン３００を形成する（図８（ｊ））。   Thereafter, as shown in FIG. 8 (i), a photoresist resist 305 is applied to the surface of the conductive film 205 by an electrodeposition method, a spray coating method, an ink jet method or the like, and then the photoresist 305 is applied to the electrode shown in FIG. The resist pattern 300 having the same shape as the electrode 200 is formed by exposing and developing the pattern shape 200 (FIG. 8J).

しかる後に、図８（ｋ）に示すように、レジストパターン３００を介してＡｕ及びＣｒのエッチングを行い、ＡｕとＣｒからなる電極２００にパターン化して形成する。最後に、レジストパターン３００を剥離液で除去して（図８（ｌ））、図６に示すような振動脚１１０の平面ｘおよび側面ｙに電極２００が形成された水晶振動子１２が完成する。   Thereafter, as shown in FIG. 8 (k), Au and Cr are etched through the resist pattern 300 to form an electrode 200 made of Au and Cr. Finally, the resist pattern 300 is removed with a stripping solution (FIG. 8L), and the crystal resonator 12 in which the electrode 200 is formed on the plane x and the side surface y of the vibrating leg 110 as shown in FIG. 6 is completed. .

以上のような従来の水晶振動子１２において、その構造上、振動脚１１０の付け根付近（基部１２０の近傍）の狭い領域Ｄ（図６に図示）に複数の電極２００が高密度に配線されることになり、そのため電極２００を微細に且つ狭間隔に形成する必要があった。   In the conventional crystal resonator 12 as described above, a plurality of electrodes 200 are densely wired in a narrow region D (shown in FIG. 6) near the base of the vibration leg 110 (near the base 120) due to its structure. Therefore, it is necessary to form the electrodes 200 finely and at a narrow interval.

その一方で、電極２００を微細化するのではなく、水晶片１００の基部１２０の近傍の形状を変える方法も提案されている（例えば特許文献２参照）。この方法によれば、水晶片１００の領域Ｄ付近の外形形状を変えることによって、ある程度の広さを有する電極配置部を設けている。このように電極配線部を広くすることで、電極２００の間隔を広くして配置することが可能となり、電極２００間の短絡を防止していた。   On the other hand, a method of changing the shape of the vicinity of the base 120 of the crystal piece 100 instead of miniaturizing the electrode 200 has been proposed (see, for example, Patent Document 2). According to this method, the electrode arrangement portion having a certain size is provided by changing the outer shape of the crystal piece 100 near the region D. By widening the electrode wiring portion in this manner, it is possible to arrange the electrodes 200 with a wide interval, thereby preventing a short circuit between the electrodes 200.

特開平１１−１７７３６４号公報（第７頁、図３）Japanese Patent Laid-Open No. 11-177364 (page 7, FIG. 3) 特開２００２−７６８２７号公報（第７頁、図５）JP 2002-76827 A (page 7, FIG. 5)

圧電デバイスの一応用例である従来の水晶振動子１２において、その構造上、振動脚１１０の付け根付近（基部１２０の近傍）の狭い領域に複数の電極２００が高密度に配線されることになり、電極２００は微細に且つ狭間隔に形成されていた。そのため、電極２００のパターニング精度が少しでも悪化すると、電極２００の短絡や断線といった電気的不良が多発していた。   In the conventional crystal resonator 12 which is an application example of the piezoelectric device, due to its structure, a plurality of electrodes 200 are wired with high density in a narrow region near the base of the vibration leg 110 (near the base 120). The electrode 200 was formed finely and at a narrow interval. Therefore, when the patterning accuracy of the electrode 200 is deteriorated even a little, electrical defects such as a short circuit and disconnection of the electrode 200 occur frequently.

また、従来の水晶振動子１２の製造方法によれば、水晶片１００を形成した後に、フォトリソグラフィー法（一般に露光・現像によるパターニング方法のことをフォトリソグラフィー法と称する。）によって電極２００を形成するが、フォトリソグラフィー法は本来、二次元平面における微細なパターンを形成するのに適したパターニング方法であり、三次元形状になっている水晶片１００の全面にフォトリソグラフィー法を使ってパターニングしようとしても、それほど微細なパターンを形成することはできない。   Further, according to the conventional method of manufacturing the quartz crystal resonator 12, after the crystal piece 100 is formed, the electrode 200 is formed by a photolithography method (a patterning method by exposure / development is generally referred to as a photolithography method). However, the photolithography method is originally a patterning method suitable for forming a fine pattern in a two-dimensional plane. Even if an attempt is made to pattern the entire surface of the crystal piece 100 having a three-dimensional shape by using the photolithography method. It is not possible to form such a fine pattern.

なぜなら、図８（ｉ）において、フォトレジスト３０５を水晶片１００の全面に薄く均等に塗布することは難しく、フォトレジスト３０５を１μｍ以下の厚みで薄く塗布しようとすると必ず塗布しきれずに導電性膜２０５が露出してしまう部分が生じてしまうからである。そこで通常は、導電性膜２０５の全面が完全に覆われるように塗布するために、３〜１０μｍ程度の厚さで厚くフォトレジスト３０５を塗布していた。   8 (i), it is difficult to apply the photoresist 305 thinly and evenly on the entire surface of the crystal piece 100. When the photoresist 305 is applied with a thickness of 1 μm or less, the photoresist 305 cannot be completely applied. This is because a portion where 205 is exposed is generated. Therefore, normally, in order to apply the conductive film 205 so that the entire surface of the conductive film 205 is completely covered, the photoresist 305 is applied with a thickness of about 3 to 10 μm.

しかしながらフォトレジスト３０５が厚く塗布されていると、図８（ｊ）において、フォトレジスト３０５の厚み以下の精度ではパターニングできないという欠点が逆に現れる
ことになる。従来の製造方法で用いられている電着法、スプレーコート法、インクジェット法といった塗布方法では、薄くても３〜１０μｍ程度の厚みで塗布されるため、数μｍ以下の幅の電極２００は形成できない。その結果、それぞれの電極２００の幅が太く形成され、それぞれの間隔が狭くなり、電極２００間の短絡が発生しやすかった。 However, when the photoresist 305 is applied thickly, in FIG. 8J, the disadvantage that patterning cannot be performed with an accuracy equal to or less than the thickness of the photoresist 305 appears on the contrary. In coating methods such as electrodeposition, spray coating, and ink jet methods used in conventional manufacturing methods, the electrode 200 having a width of several μm or less cannot be formed because it is applied with a thickness of about 3 to 10 μm even if it is thin. . As a result, the width of each electrode 200 was formed thick, the interval between each electrode was narrowed, and a short circuit between the electrodes 200 was likely to occur.

電極２００間の短絡による不良を改善するために、特許文献２では、電極２００が高密度に配置される領域Ｄの部分を水晶片１００の形状を変えることによって広くし、電極２００の配置に余裕を持たせている。   In order to improve the defect due to the short circuit between the electrodes 200, in Patent Document 2, the portion of the region D in which the electrodes 200 are arranged at a high density is widened by changing the shape of the crystal piece 100, and there is a margin in the arrangement of the electrodes 200. Is given.

しかしながら、この場合、水晶片１００の外形を部分的ではあるが大きくすることを意味し、あまり小型化には適していない。また、本来理想的な形状で設計されているはずの水晶片１００の形状を、電極２００の配線のために変えてしまうので、設計的に理想とされる形状とは異なってしまい、水晶振動子１２の性能を十分に発揮させることができない。   However, in this case, this means that the external shape of the crystal piece 100 is partially but enlarged, and is not suitable for miniaturization. Further, since the shape of the crystal piece 100 that should have been designed in an ideal shape is changed for the wiring of the electrode 200, the shape is different from the ideal shape in terms of design. The performance of 12 cannot be fully exhibited.

本発明の目的は、小型で生産性に優れた圧電デバイスを提供することにあり、さらには、高い性能信頼性を有する圧電デバイスを提供することにある。また、生産性に優れた小型で信頼性の高い圧電デバイスの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a piezoelectric device having a small size and excellent productivity, and further to providing a piezoelectric device having high performance reliability. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a small and highly reliable piezoelectric device with excellent productivity.

上記課題を解決するために、本発明の圧電デバイスの製造方法は、圧電振動子片の上面
又は下面と側面とに跨った電極を有する圧電デバイスの製造方法において、圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストが形成された面に対して垂直方向から該レジストを露光し、該レジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、第１のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、第１の電極を形成した面と側面とに跨り、かつ、第１の電極と重なった導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストを露光し、該レジストを現像して第２のレジストパターンを形成し、第２のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより、第１の電極を形成した面と側面とに跨り、かつ、第１の電極と接続した第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備え、第１の電極を構成する材料は、第２の電極形成工程で導電性膜をエッチングする溶液に対して不溶性であることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the piezoelectric device manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a piezoelectric device having electrodes straddling the upper surface or lower surface and side surfaces of the piezoelectric vibrator piece. A conductive film is formed at a corresponding location, a resist is formed on the conductive film, the resist is exposed from a direction perpendicular to the surface on which the resist is formed, the resist is developed, and the first A first electrode forming step of forming a resist pattern and etching the conductive film through the first resist pattern to form a first electrode at a location corresponding to the upper surface or the lower surface of the piezoelectric element piece; Forming a conductive film straddling the first electrode and the side surface and overlapping the first electrode; forming a resist on the conductive film; exposing the resist; Develop second resist pattern The second film connected to the first electrode is formed across the surface and the side surface on which the first electrode is formed by etching the conductive film through the second resist pattern. And a second electrode forming step for forming an electrode, wherein the material constituting the first electrode is insoluble in a solution for etching the conductive film in the second electrode forming step. .

また、本発明の圧電デバイスの製造方法は、上述した事項に加えて、第２の電極形成工程において、導電性膜及びレジストが形成されたそれぞれの面に対して斜め方向からレジストを露光することを特徴とする。  In addition to the matters described above, the piezoelectric device manufacturing method of the present invention exposes the resist from an oblique direction to the respective surfaces on which the conductive film and the resist are formed in the second electrode forming step. It is characterized by.

さらに、本発明の圧電デバイスの製造方法は、上述した事項に加えて、第２の電極形成工程において、レジストを電着法で形成することを特徴とする。  Furthermore, the method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention is characterized in that, in addition to the above-described matters, a resist is formed by an electrodeposition method in the second electrode forming step.

（作用）
本発明の上記手段では、まずウェハー上に圧電素子片の外形形状をかたどったマスクパターンを形成する。このマスクパターンはウェハーをエッチング法で加工する時のマスクの役目をするとともに、その後の工程で圧電素子上に形成される平面電極として加工し直されるものである。よって、このマスクパターンはウェハーをエッチングする時に用いられるエッチング液に対して不溶性を示し、且つ電気抵抗の低い材料を選ぶのが望ましい。 (Function)
In the above means of the present invention, first, a mask pattern is formed on the wafer in the shape of the outer shape of the piezoelectric element piece. The mask pattern serves as a mask when the wafer is processed by an etching method, and is processed again as a planar electrode formed on the piezoelectric element in a subsequent process. Therefore, it is desirable to select a material that is insoluble in the etching solution used when etching the wafer and has a low electric resistance.

本発明の圧電デバイスの製造方法では、このマスクパターンを形成した後、マスクパターン上にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは平面電極の形状をしており、この後に行われるマスクパターンをエッチングして平面電極を形成する工程におけるマスクの役目をするものである。よって、このレジストパターンのパターニング精度は平面電極のパターニング精度に大きく影響するため、このレジストパターンを高い精度でパターニングすることができれば、平面電極の短絡や断線といった不良をほとんど無くすことができるのである。   In the piezoelectric device manufacturing method of the present invention, after forming this mask pattern, a resist pattern is formed on the mask pattern. This resist pattern has the shape of a planar electrode, and serves as a mask in the process of forming the planar electrode by etching the mask pattern performed thereafter. Therefore, since the patterning accuracy of the resist pattern greatly affects the patterning accuracy of the planar electrode, if the resist pattern can be patterned with high accuracy, defects such as short-circuiting and disconnection of the planar electrode can be almost eliminated.

本発明では、レジストパターンの形成の時点でウェハーはまだ圧電素子片に加工されておらず、段差のない平坦な面を有した状態にある。平坦な面上でのレジストパターンの形成は、一般にＬＳＩ分野で行われているパターニング工程と何ら変わることはなく、ＬＳＩ分野で行われているようなフォトリソグラフィー法によるパターニング方法を用いればミクロン以下の寸法精度でレジストパターンを形成することは非常に容易である。   In the present invention, at the time of forming the resist pattern, the wafer has not yet been processed into a piezoelectric element piece and has a flat surface without a step. The formation of a resist pattern on a flat surface is not different from the patterning process generally performed in the LSI field, and if a patterning method by a photolithography method as performed in the LSI field is used, it is less than a micron. It is very easy to form a resist pattern with dimensional accuracy.

レジストパターンを精度良く形成した後、ウェハーをエッチング法によって加工するとマスクパターンの形状どおりに加工され、所定の形状の圧電素子片が形成される。一般にエッチング法は機械加工法に比べて微細で精度良く加工できるため、本発明で目的としているような小型の圧電デバイス（圧電素子片）を形成するのに適している。   After the resist pattern is formed with high accuracy, when the wafer is processed by an etching method, it is processed according to the shape of the mask pattern, and a piezoelectric element piece having a predetermined shape is formed. In general, the etching method is finer and more accurate than the machining method, and is suitable for forming a small piezoelectric device (piezoelectric element piece) as intended in the present invention.

その後、レジストパターンをマスクとしてマスクパターンをエッチングすると、小型の圧電素子片の一平面上に、微細で寸法精度に優れた平面電極を形成することができる。その結果、小型の圧電素子片を用いた小型の圧電デバイスであっても、平面電極において短絡や断線といった不良の発生はほとんど無くすことができる。   Thereafter, when the mask pattern is etched using the resist pattern as a mask, a fine planar electrode having excellent dimensional accuracy can be formed on one plane of a small piezoelectric element piece. As a result, even in a small piezoelectric device using a small piezoelectric element piece, the occurrence of defects such as a short circuit or disconnection in the planar electrode can be almost eliminated.

圧電素子片に平面電極を形成した後、導電性膜を圧電素子片及び平面電極上に成膜し、その導電性膜を、従来から用いられている方法でパターニングして多面電極を形成する。この多面電極は圧電素子片の平面とこの平面とは異なる他の面（側面）にわたって連続して形成される。   After the planar electrode is formed on the piezoelectric element piece, a conductive film is formed on the piezoelectric element piece and the planar electrode, and the conductive film is patterned by a conventionally used method to form a polyhedral electrode. The multi-sided electrode is continuously formed over the plane of the piezoelectric element piece and another surface (side surface) different from the plane.

なお、従来から用いられている方法とは、電着法、スプレーコート法、インクジェット法等により圧電素子片の全面に塗布されたフォトレジストジストを露光、現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして導電性膜をエッチングする方法である。この方法の場合、圧電素子片の平面であろうが側面であろうがいかなる面であってもパターニングが可能で、平面と側面の境界である角部であっても断線無く確実にパターニングできるのが特徴である。   The conventionally used method is to form a resist pattern by exposing and developing a photoresist resist applied to the entire surface of the piezoelectric element piece by an electrodeposition method, a spray coating method, an ink jet method or the like. In this method, the conductive film is etched using the pattern as a mask. In the case of this method, patterning is possible on any surface, whether it is a plane or a side surface of a piezoelectric element piece, and patterning can be reliably performed without disconnection even at a corner portion that is a boundary between the plane and the side surface. Is a feature.

なお、本発明の圧電デバイスでは、平面電極を構成する材料と多面電極を形成する材料とが異なった材料であることを特徴としている。詳しくは平面電極を構成する材料は、多面電極を構成する材料を溶解する物質に対して、不溶性であるのが本発明の特徴である。これは、多面電極を形成する工程で用いられるエッチング液によって、せっかく微細に精度良く形成した平面電極が侵されないようにするためである。こうすることによって、工程の初期の段階で形成した平面電極は完成に至るまで、微細で精度の高い状態のまま保たれることとなる。   The piezoelectric device of the present invention is characterized in that the material constituting the planar electrode is different from the material forming the polyhedral electrode. Specifically, it is a feature of the present invention that the material constituting the planar electrode is insoluble in the substance that dissolves the material constituting the polyhedral electrode. This is to prevent the planar electrode formed minutely and accurately from being attacked by the etching solution used in the step of forming the multi-faced electrode. By doing so, the planar electrode formed in the initial stage of the process is kept in a fine and highly accurate state until completion.

以上のようにして、本発明では微細で高密度の配置が要求される平面電極と、形成が難しい側面にも断線無く配線することが要求される多面電極とを、それぞれに適した方法で別々に形成することで、小型で信頼性の高い圧電デバイスを達成することができた。   As described above, according to the present invention, the planar electrode that requires a fine and high-density arrangement and the multi-faced electrode that is required to be wired without disconnection on a difficult-to-form side are separated by a method suitable for each. Thus, a small and highly reliable piezoelectric device could be achieved.

本発明によれば、小型で生産性に優れた圧電デバイスを提供することができ、さらには、高い性能信頼性を有する圧電デバイスを提供することができる。また、生産性に優れた小型で信頼性の高い圧電デバイスの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a piezoelectric device that is small and excellent in productivity, and further, it is possible to provide a piezoelectric device having high performance reliability. In addition, it is possible to provide a method for manufacturing a small and highly reliable piezoelectric device with excellent productivity.

図１は本発明の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。本発明の圧電デバイスの一例である水晶振動子１０は、基部１２０とこの基部１２０から突出して形成されている２本の振動脚１１０を有した音叉形状をした水晶片１００と、その水晶片１００に電圧を加え、振動脚１１０を振動させるための平面電極２１０、多面電極２２０とで構成されている。   FIG. 1 is a perspective view of a crystal resonator as an example of the piezoelectric device of the present invention. A crystal resonator 10, which is an example of a piezoelectric device of the present invention, includes a tuning fork-shaped crystal piece 100 having a base 120 and two vibrating legs 110 protruding from the base 120, and the crystal piece 100. The planar electrode 210 and the multi-surface electrode 220 are used to apply a voltage to the vibrating leg 110 and vibrate the vibrating leg 110.

なお平面電極２１０は下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）の積層膜構造になっており水晶片１００の平面ｘのみに形成されている。一方、多面電極２２０は銅（Ｃｕ）の単層膜からなっており、水晶片１００の平面ｘ及びそれに連なる側面ｙに連続して形成されている。そして、この多面電極２２０の平面部２２０ａと平面電極２１０は同一面にあり、お互い重なり合うことによって電気的につながっている。   The planar electrode 210 has a laminated film structure in which the lower layer is chromium (Cr) and the upper layer is gold (Au), and is formed only on the plane x of the crystal piece 100. On the other hand, the multi-sided electrode 220 is made of a single layer film of copper (Cu), and is continuously formed on the plane x of the crystal piece 100 and the side surface y continuous therewith. The planar portion 220a and the planar electrode 210 of the multi-surface electrode 220 are on the same plane and are electrically connected by overlapping each other.

さらにその先では基部１２０に配置されたパッド部５００とも電気的につながっている。なおパッド部５００はワイヤーや導電性接合剤等によって外部の回路基板等（図示せず。）と電気的に接続され、外部から電圧を加えることによって水晶振動子１０を駆動させることができる。   Further, it is electrically connected to the pad portion 500 disposed on the base portion 120 beyond that. Note that the pad unit 500 is electrically connected to an external circuit board or the like (not shown) by a wire, a conductive bonding agent, or the like, and the crystal unit 10 can be driven by applying a voltage from the outside.

このような構成からなる本発明の水晶振動子１０は以下に示すような製造方法によって製造される。図２は本発明の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。図３は本発明の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。ともに、図１のＡ−Ａ部の断面図を示している。   The crystal resonator 10 of the present invention having such a configuration is manufactured by the following manufacturing method. FIG. 2 is a diagram showing the first half of the method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention. FIG. 3 is a view showing the latter half of the method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention. Both show a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

本実施形態の水晶振動子１０の製造方法において、水晶ウェハー１０００上にマスクパターン２１００を形成するまでの工程は、従来の製造方法の工程である図７（ａ）〜図７（ｅ）の工程とまったく同じである。すなわち、まず始めに図７（ａ）に示すように水晶ウェハー１０００に研磨加工、洗浄を行った後、下層がクロム（Ｃｒ）、上層が金（Ａｕ）からなるマスク層２０００をスパッタリング法により形成する。   In the manufacturing method of the crystal unit 10 of the present embodiment, the steps until the mask pattern 2100 is formed on the crystal wafer 1000 are the steps of the conventional manufacturing method shown in FIGS. Is exactly the same. That is, first, as shown in FIG. 7A, the quartz wafer 1000 is polished and cleaned, and then a mask layer 2000 is formed by sputtering, with the lower layer made of chromium (Cr) and the upper layer made of gold (Au). To do.

次に、図７（ｂ）に示すように、フォトレジスト３０００をマスク層２０００の表面に塗布した後、フォトレジスト３０００を音叉形状のパターンに露光、現像し、図７（ｃ）に示すように、音叉形状のレジストパターン３１００を形成する。その後、レジストパターン３１００を介してマスク層２０００にエッチング処理を行い、図７（ｄ）に示すようなＡｕとＣｒからなる音叉形状のマスクパターン２１００を形成し、図７（ｅ）に示すように、レジストパターン３１００を剥離液で除去する工程によって作られる。   Next, as shown in FIG. 7B, after applying a photoresist 3000 to the surface of the mask layer 2000, the photoresist 3000 is exposed and developed into a tuning fork-shaped pattern, as shown in FIG. 7C. Then, a tuning fork-shaped resist pattern 3100 is formed. Thereafter, the mask layer 2000 is etched through the resist pattern 3100 to form a tuning fork-shaped mask pattern 2100 made of Au and Cr as shown in FIG. 7D, as shown in FIG. 7E. The resist pattern 3100 is made by a process of removing with a stripping solution.

本発明の圧電デバイスの製造方法が従来の製造方法と異なる点はこれ以降の工程である。本発明では図７（ｅ）のように水晶ウェハー１０００上にマスクパターン２１００を形成した後、図２（ａ）に示すように、水晶ウェハー１０００及びＣｒとＡｕの積層膜からなるマスクパターン２１００（ＣｒとＡｕの境界は描かれていない。）の平面上にフォトレジスト３１５を塗布する。   The manufacturing method of the piezoelectric device of the present invention is different from the conventional manufacturing method in the subsequent steps. In the present invention, after forming a mask pattern 2100 on a quartz wafer 1000 as shown in FIG. 7E, as shown in FIG. 2A, as shown in FIG. 2A, a mask pattern 2100 (consisting of a laminated film of Cr and Au). The boundary between Cr and Au is not drawn.) Photoresist 315 is applied on the plane.

なお、この時に用いられるフォトレジスト３１５は微細パターンの形成に適したレジスト材料を選ぶのが望ましい。例えば高解像度、高コントラスト性を有し、塗布厚を薄くできるレジスト材料が望ましい。また、このフォトレジスト３１５は、後に行われる水晶ウェハー１０００をエッチングする工程において、侵されない材料でなくてはならない。   Note that it is desirable to select a resist material suitable for forming a fine pattern as the photoresist 315 used at this time. For example, a resist material having a high resolution and a high contrast property and capable of reducing the coating thickness is desirable. In addition, the photoresist 315 must be a material that will not be damaged in the subsequent step of etching the quartz wafer 1000.

次にフォトレジスト３１５を平面電極２１０の形状で露光、現像し、図２（ｂ）に示すように、マスクパターン２１００上に平面電極２１０の形状でパターン化されたレジストパターン３１０を形成する。なお、本発明の圧電デバイスの製造方法において、レジストパターン３１０のパターニングは非常に重要であり、微細で高精度にパターニングできる方法を選択するのが望ましい。   Next, the photoresist 315 is exposed and developed in the shape of the planar electrode 210, and a resist pattern 310 patterned in the shape of the planar electrode 210 is formed on the mask pattern 2100 as shown in FIG. In the method for manufacturing a piezoelectric device of the present invention, the patterning of the resist pattern 310 is very important, and it is desirable to select a method that can be patterned finely and with high accuracy.

図４は本発明の圧電デバイスにおける平面電極のパターニング方法の一例を示した図である。本実施形態では図４に示すような縮小露光方式によってフォトレジスト３１５を紫外線ＵＶにて露光し、その後、現像して図２（ｂ）に示すようにパターン化した。露光マスク４１０、４２０を１／５に縮小して露光したので、露光マスク４１０、４２０の寸法精度の５倍の精度でパターニングすることができ、ミクロン以下の精度でレジストパターン３１０を形成することができた。   FIG. 4 is a diagram showing an example of a method for patterning a planar electrode in the piezoelectric device of the present invention. In the present embodiment, the photoresist 315 is exposed to ultraviolet rays UV by a reduction exposure method as shown in FIG. 4, and then developed and patterned as shown in FIG. Since the exposure masks 410 and 420 are exposed after being reduced to 1/5, patterning can be performed with an accuracy five times as large as the dimensional accuracy of the exposure masks 410 and 420, and the resist pattern 310 can be formed with an accuracy of less than a micron. did it.

なお、本実施形態で用いた縮小露光方式によるパターニングは、本発明に適したパターニング方法の中の一例を示しただけにすぎない。この他にナノメートルオーダーでのパターニングが可能なＸ線リソグラフィー法、液浸リソグラフィー法、ナノインプリント法等の非常に微細なパターニングを行うことができる方法も本発明の製造方法に利用可能である。   The patterning by the reduction exposure method used in this embodiment is merely an example of the patterning method suitable for the present invention. In addition to this, a method capable of performing very fine patterning, such as an X-ray lithography method, an immersion lithography method, and a nanoimprint method capable of patterning in the nanometer order can be used for the manufacturing method of the present invention.

このようにしてマスクパターン２１００上にレジストパターン３１０を形成した後に、マスクパターン２１００をマスクとして水晶ウェハー１０００をウェットエッチングし、図２（ｃ）に示すように、水晶ウェハー１０００を音叉形状の水晶片１００に成形する。一般的に水晶ウェハー１０００を化学的に加工するウェットエッチング法は、機械的に加工する切削加工法に比べ微細な加工が可能であり、水晶振動子１０を小型化するのに適した加工法である。   After the resist pattern 310 is formed on the mask pattern 2100 in this way, the quartz wafer 1000 is wet-etched using the mask pattern 2100 as a mask, and the quartz wafer 1000 is turned into a tuning-fork-shaped quartz piece as shown in FIG. 100. In general, the wet etching method for chemically processing the crystal wafer 1000 can be processed finer than the cutting method for mechanically processing, and is a processing method suitable for downsizing the crystal unit 10. is there.

なお、当然のことながら、レジストパターン３１０は水晶ウェハー１０００をウェットエッチングする際に使われるエッチング液に対して不溶性であることが重要である。エッチング液に侵されてしまうような材料でレジストパターン３１０が形成されていると、折角、上記のような方法で微細に且つ高精度に形成した形状が崩れてしまうからである。   As a matter of course, it is important that the resist pattern 310 is insoluble in an etching solution used when the crystal wafer 1000 is wet-etched. This is because if the resist pattern 310 is formed of a material that will be attacked by the etching solution, the shape that is finely and precisely formed by the above-described method will be broken.

次に、図２（ｄ）に示すように、水晶片１００上のマスクパターン２１００を、レジストパターン３１０をマスクとして利用し、エッチングする。するとレジストパターン３１０の形状を転写して、微細で高い寸法精度を有する平面電極２１０が形成される。   Next, as shown in FIG. 2D, the mask pattern 2100 on the crystal piece 100 is etched using the resist pattern 310 as a mask. Then, the shape of the resist pattern 310 is transferred, and the planar electrode 210 having a fine and high dimensional accuracy is formed.

その後、レジストパターン３１０を剥離液で除去し、水晶片１００の平面だけに、上層がＡｕで下層がＣｒからなる平面電極２１０が形成された状態になる（図２（ｅ））。   Thereafter, the resist pattern 310 is removed with a stripping solution, and a planar electrode 210 having an upper layer made of Au and a lower layer made of Cr is formed only on the plane of the crystal piece 100 (FIG. 2E).

次に、図３（ｆ）に示すように、水晶片１００と平面電極２１０を覆うようにして、Ｃｕからなる導電性膜２２５をスパッタリング法によって成膜する。スパッタリング法は付き回り性が良いので、平面ｘにも側面ｙにもほぼ均等に成膜することができる。   Next, as shown in FIG. 3F, a conductive film 225 made of Cu is formed by sputtering so as to cover the crystal piece 100 and the planar electrode 210. Since the sputtering method has good throwing power, the film can be formed almost uniformly on the plane x and the side surface y.

その後、図３（ｇ）に示すように、導電性膜２２５の表面にフォトレジストジスト３２５を塗布する。この時、フォトレジスト３２５は平面ｘにも側面ｙにも塗布されなくては
ならない。そのためには三次元的にレジスト材料を塗布することができる塗布方法を選択する必要がある。三次元的にレジスト材料を塗布することのできる方法としては、一般的に電着法、スプレーコート法、インクジェット法などが挙げられる。 Thereafter, as shown in FIG. 3G, a photoresist resist 325 is applied to the surface of the conductive film 225. At this time, the photoresist 325 must be applied to both the plane x and the side surface y. For this purpose, it is necessary to select an application method capable of applying the resist material three-dimensionally. Examples of methods that can apply the resist material three-dimensionally include electrodeposition, spray coating, and ink jet methods.

これらの方法は、いずれも数μｍ以上の厚みでレジスト材料が塗布される方法であり、そのため平面ｘであっても、側面ｙであっても、さらには平面ｘと側面ｙの境界部（角部）であっても確実にその表面を覆って塗布することができる。なお、本実施形態では上記の塗布方法の中で、最も一般的に使われている電着法を用いてフォトレジスト３２５を塗布した。   Each of these methods is a method in which a resist material is applied with a thickness of several μm or more. Therefore, even on the plane x, the side surface y, and the boundary portion (corner) Part) can be reliably coated over the surface. In the present embodiment, the photoresist 325 is applied using the most commonly used electrodeposition method among the above-described application methods.

その後、フォトレジスト３２５を図１に示す多面電極２２０の形状に露光、現像し、多面電極２２０と同形状のレジストパターン３２０を形成する（図３（ｈ））。この時に行われるパターニング工程では、水晶片１００の平面ｘと側面ｙのどちらの面にもレジストパターン３２０を形成しなくてはならないので、平面的（二次元的）にしかパターニングできない縮小露光法、Ｘ線リソグラフィー法、液浸リソグラフィー法、ナノインプリント法等は利用することができない。ゆえに本工程では三次元的にパターニングすることができる方法を選択して使用する必要がある。   Thereafter, the photoresist 325 is exposed to the shape of the multi-surface electrode 220 shown in FIG. 1 and developed to form a resist pattern 320 having the same shape as the multi-surface electrode 220 (FIG. 3H). In the patterning step performed at this time, since the resist pattern 320 must be formed on both the plane x and the side surface y of the crystal piece 100, a reduction exposure method that can be patterned only in a two-dimensional manner, The X-ray lithography method, the immersion lithography method, the nanoimprint method and the like cannot be used. Therefore, in this step, it is necessary to select and use a method capable of three-dimensional patterning.

図５は本発明の圧電デバイスにおける多面電極のパターニング方法の一例を示した図である。本実施形態では図５に示すような斜め露光方式によってフォトレジスト３２５を紫外線ＵＶにて露光し、その後、現像して図３（ｈ）に示すようにパターン化した。斜め露光方式は、図５に示すように、水晶片１００の平面ｘに対して約４５度の斜め方向から、露光マスク４３０、４４０を介して紫外線ＵＶを照射する露光方法である。このようにすることでフォトレジスト３２５の平面ｘと側面ｙを同時に露光することができるため、生産性に優れた露光法である。   FIG. 5 is a diagram showing an example of a patterning method for polyhedral electrodes in the piezoelectric device of the present invention. In this embodiment, the photoresist 325 is exposed to ultraviolet rays UV by an oblique exposure method as shown in FIG. 5, and then developed and patterned as shown in FIG. 3 (h). As shown in FIG. 5, the oblique exposure method is an exposure method in which ultraviolet rays UV are irradiated through exposure masks 430 and 440 from an oblique direction of about 45 degrees with respect to the plane x of the crystal piece 100. By doing in this way, since the plane x and the side surface y of the photoresist 325 can be exposed at the same time, the exposure method is excellent in productivity.

しかる後に、図３（ｉ）に示すように、レジストパターン３２０を介して導電性膜２２５をエッチングして、Ｃｕからなる多面電極２２０を形成する。なお、このエッチング工程で、導電成膜２２５の下部に形成されている平面電極２１０が一緒にエッチングされてしまうことはあってはならない。本実施形態では導電性膜にＣｕを使用しており、一方、平面電極２１０にＡｕを使用している。Ａｕは非常に安定な材料であるので、Ｃｕのエッチング液で平面電極２１０が侵されることはまったく無かった。   Thereafter, as shown in FIG. 3I, the conductive film 225 is etched through the resist pattern 320 to form a multi-sided electrode 220 made of Cu. In this etching process, the planar electrode 210 formed under the conductive film 225 should not be etched together. In this embodiment, Cu is used for the conductive film, while Au is used for the planar electrode 210. Since Au is a very stable material, the planar electrode 210 was never attacked by the Cu etchant.

なお、平面電極２１０にはＣｒも使用されているが、下層のＣｒは上層のＡｕに覆われているので、Ｃｕのエッチング液にさらされる心配はない。このように、本発明では、平面電極２１０が形成された後に多面電極２２０をエッチング法によって形成するため、平面電極２１０に使用する材料は多面電極２２０に使用する材料とは異なったものが選ばれ、且つ多面電極２２０を形成するためのエッチング工程で不溶性である必要がある。   Although Cr is also used for the planar electrode 210, since the lower layer Cr is covered with the upper layer Au, there is no fear of being exposed to the Cu etching solution. As described above, in the present invention, since the multi-sided electrode 220 is formed by the etching method after the planar electrode 210 is formed, the material used for the planar electrode 210 is different from the material used for the multi-sided electrode 220. In addition, it is necessary to be insoluble in the etching process for forming the multi-sided electrode 220.

最後に、レジストパターン３２０を剥離液で除去して（図３（ｊ））、図１に示すような振動脚１１０の平面ｘに微細で短絡のない平面電極２１０が形成され、さらに平面ｘと側面ｙに断線のなく連続した多面電極２２０が形成された水晶振動子１０が完成する。   Finally, the resist pattern 320 is removed with a stripping solution (FIG. 3 (j)) to form a fine and short-circuited planar electrode 210 on the plane x of the vibrating leg 110 as shown in FIG. The crystal unit 10 in which the multi-sided electrode 220 is formed on the side surface y without disconnection is completed.

このように本発明の製造方法では、従来は一つの工程で形成されていた電極２００を、平面電極２１０と多面電極２２０とに分離し、それぞれの要求にあった電極の形成方法を使用することで、小型で信頼性の高い水晶振動子１０を提供できるようになる。   As described above, in the manufacturing method of the present invention, the electrode 200 that has been conventionally formed in one process is separated into the planar electrode 210 and the multi-surface electrode 220, and the electrode forming method that meets each requirement is used. Thus, it is possible to provide a crystal resonator 10 that is small and highly reliable.

詳しく言えば、平面電極２１０を微細で狭い間隔で精度良く形成できるようになり、その結果、図１に示す振動脚１１０の付け根付近（領域Ｃ）のような非常に狭い領域に平面電極２１０を高密度に配線しなくてはならない場所であっても短絡せずに配線することが
でき、さらなる小型化にも対応できるようになった。また、多面電極２２０においては、平面ｘから側面ｙにかけて断線することなく多面電極２２０を配線することができ、信頼性を高めることができた。 More specifically, the planar electrode 210 can be accurately formed at fine and narrow intervals. As a result, the planar electrode 210 is formed in a very narrow region such as the vicinity of the base of the vibrating leg 110 (region C) shown in FIG. Even in places where high-density wiring is required, wiring can be performed without short-circuiting, and it has become possible to cope with further miniaturization. Further, in the multi-surface electrode 220, the multi-surface electrode 220 can be wired without disconnection from the plane x to the side surface y, and the reliability can be improved.

また、本発明は電極（平面電極２１０、多面電極２２０）の構造と製造方法によって、水晶振動子１０の小型化と信頼性向上を達成している。よって従来行われていたような電極配線のために水晶片１００の形状を設計からはずれた形状に変更する必要がなく、水晶片１００の形状を設計によって得られた最適形状で形成すればよい。その結果、本発明では設計通りの最高の性能を有する水晶振動子１０を得ることができる。   Further, the present invention achieves miniaturization and improved reliability of the crystal unit 10 by the structure and manufacturing method of the electrodes (planar electrode 210, polyhedral electrode 220). Therefore, it is not necessary to change the shape of the crystal piece 100 to a shape deviating from the design for electrode wiring as conventionally performed, and the shape of the crystal piece 100 may be formed in the optimum shape obtained by the design. As a result, in the present invention, the crystal resonator 10 having the highest performance as designed can be obtained.

なお、本実施形態では圧電デバイスの一例として、水晶からなる圧電素子片、すなわち水晶片１００上に、平面電極２１０と多面電極２２０を形成した水晶振動子１０を例に挙げて説明したが、本発明は水晶振動子１０に限られるものではない。例えば水晶以外の圧電材料を利用した圧電振動子であっても本発明の効果は十分に得られる。また、用途としても、本発明は振動子に限られているわけではなく、例えば加速度センサーやジャイロスコープ等のセンサーにも利用可能である。   In the present embodiment, as an example of the piezoelectric device, the piezoelectric element piece made of crystal, that is, the crystal resonator 10 in which the planar electrode 210 and the multi-sided electrode 220 are formed on the crystal piece 100 has been described as an example. The invention is not limited to the crystal unit 10. For example, the effects of the present invention can be sufficiently obtained even with a piezoelectric vibrator using a piezoelectric material other than quartz. Further, the present invention is not limited to the vibrator, and can be used for sensors such as an acceleration sensor and a gyroscope.

本発明の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。1 is a perspective view of a crystal resonator that is an example of a piezoelectric device of the present invention. 本発明の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。It is the figure which showed the process of the first half of the manufacturing method of the piezoelectric device of this invention. 本発明の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。It is the figure which showed the latter process of the manufacturing method of the piezoelectric device of this invention. 本発明の圧電デバイスにおける平面電極のパターニング方法の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the patterning method of the plane electrode in the piezoelectric device of this invention. 本発明の圧電デバイスにおける多面電極のパターニング方法の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the patterning method of the polyhedral electrode in the piezoelectric device of this invention. 従来の圧電デバイスの一例である水晶振動子の斜視図である。It is a perspective view of the crystal oscillator which is an example of the conventional piezoelectric device. 従来の圧電デバイスの製造方法の前半の工程を示した図である。It is the figure which showed the process of the first half of the manufacturing method of the conventional piezoelectric device. 従来の圧電デバイスの製造方法の後半の工程を示した図である。It is the figure which showed the process of the latter half of the manufacturing method of the conventional piezoelectric device.

符号の説明Explanation of symbols

１０、１２ 水晶振動子
１００ 水晶片
１１０ 振動脚
１２０ 基部
２００ 電極
２０５、２２５ 導電性膜
２１０ 平面電極
２２０ 多面電極
２２０ａ 平面部
３００、３１０、３２０ レジストパターン
３０５、３１５、３２５ フォトレジスト
４１０、４２０、４３０、４４０ 露光マスク
５００ パッド部
１０００ 水晶ウェハー
２０００ マスク層
２１００ マスクパターン
３０００ フォトレジスト
３１００ レジストパターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 12 Crystal oscillator 100 Crystal piece 110 Vibrating leg 120 Base part 200 Electrode 205, 225 Conductive film 210 Planar electrode 220 Multi-faced electrode 220a Plane part 300, 310, 320 Resist pattern 305, 315, 325 Photoresist 410, 420, 430 440 Exposure mask 500 Pad part 1000 Crystal wafer 2000 Mask layer 2100 Mask pattern 3000 Photoresist 3100 Resist pattern

Claims (3)

圧電振動子片の上面又は下面と側面とに跨った電極を有する圧電デバイスの製造方法において、
前記圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストが形成された面に対して垂直方向から該レジストを露光し、該レジストを現像して第１のレジストパターンを形成し、前記第１のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより前記圧電素子片の上面又は下面に応じた箇所に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極を形成した面と前記側面とに跨り、かつ、前記第１の電極と重なった導電性膜を形成し、該導電性膜上にレジストを形成し、該レジストを露光し、該レジストを現像して第２のレジストパターンを形成し、前記第２のレジストパターンを介して該導電性膜をエッチングすることにより、前記第１の電極を形成した面と前記側面とに跨り、かつ、前記第１の電極と接続した第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を備え、
前記第１の電極を構成する材料は、前記第２の電極形成工程で前記導電性膜をエッチングする溶液に対して不溶性であることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 In the method of manufacturing a piezoelectric device having an electrode straddling the upper surface or the lower surface and the side surface of the piezoelectric vibrator piece,
Forming a conductive film at a location corresponding to the upper surface or lower surface of the piezoelectric element piece, forming a resist on the conductive film, exposing the resist from a direction perpendicular to the surface on which the resist is formed; The resist is developed to form a first resist pattern, and the conductive film is etched through the first resist pattern, whereby a first electrode is formed at a position corresponding to the upper surface or the lower surface of the piezoelectric element piece. A first electrode forming step of forming
Forming a conductive film straddling the first electrode and the side surface and overlapping the first electrode, forming a resist on the conductive film, exposing the resist, The resist is developed to form a second resist pattern, and the conductive film is etched through the second resist pattern, thereby straddling the surface on which the first electrode is formed and the side surface, And a second electrode forming step of forming a second electrode connected to the first electrode ,
The method for manufacturing a piezoelectric device , wherein the material constituting the first electrode is insoluble in a solution for etching the conductive film in the second electrode forming step . 前記第２の電極形成工程において、前記導電性膜及び前記レジストが形成されたそれぞれの面に対して斜め方向から前記レジストを露光することを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。   2. The method of manufacturing a piezoelectric device according to claim 1, wherein, in the second electrode forming step, the resist is exposed from an oblique direction with respect to the respective surfaces on which the conductive film and the resist are formed. . 前記第２の電極形成工程において、前記レジストを電着法で形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電デバイスの製造方法。 Wherein the second electrode forming step, the manufacturing method of the piezoelectric device according to claim 1 or 2, characterized by forming the resist electrodeposition method.

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