JP4894411B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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図4に示した構造を有する発光波長630nm付近の赤色LED用エピタキシャルウエハを作製し、これをもとに図1の本発明に係る半導体発光素子1をLED素子として作製した。その間のエピタキシャル成長方法、エピタキシャル層構造、各層の厚さ、反射金属層及びオーミックコンタクト接合部の形成方法、支持基板への張り替え方法、電極形成方法、空隙の形成方法、LED素子作製方法は、以下の通りである。
(実施例2)
図4に示した構造を有する発光波長630nm付近の赤色LED用エピタキシャルウエハ40を作製し、これをもとに図2の本発明に係る半導体発光素子21をLED素子として作製した。その間のエピタキシャル成長方法、エピタキシャル層構造、各層の厚さ、反射金属層の形成方法、支持基板への張り替え方法、電極形成方法、空隙の形成方法、LED素子作製方法は実施例1と同じであるが、反応抑制層を形成してそこへオーミックコンタクト接合部を埋め込む点が異なるので、その方法を詳細に説明する。
(実施例3)
図4に示した構造を有する発光波長630nm付近の赤色LED用エピタキシャルウエハ40を作製し、これをもとに図3の本発明に係る半導体発光素子31をLED素子として作製した。その間のエピタキシャル成長方法、エピタキシャル層構造、各層の厚さ、反射金属層、反応抑制層、オーミックコンタクト接合部の形成方法、支持基板への張り替え方法、電極形成方法、空隙の形成方法、LED素子作製方法は実施例2と同じであるが、オーミックコンタクト接合部5を表面電極9に重なる箇所に形成しないようにした点が異なる。
(従来例)
図4に示した構造を有する発光波長630nm付近の赤色LED用エピタキシャルウエハを作製し、これをもとに図11の従来の半導体発光素子111をLED素子として作製した。その間のエピタキシャル成長方法、エピタキシャル層構造、各層の厚さ、反射金属層及びオーミックコンタクト接合部の形成方法、支持基板への張り替え方法、電極形成方法、LED素子作製方法は、実施例1と同じであり、空隙を形成しない点だけが異なる。
2 発光層
3 半導体
4 反射金属層
5 オーミックコンタクト接合部
6 空隙
8 裏面電極
9 表面電極
Claims (6)
- 発光層を含む複数の層を積層形成してなる半導体と、該半導体の一方の主表面側を覆う反射金属層と、この反射金属層と上記半導体との界面に形成され上記反射金属層の面に離散させて配置されたオーミックコンタクト接合部と、上記発光層中の上記オーミックコンタクト接合部に重なる箇所に形成された空隙とを備えたことを特徴とする半導体発光素子。
- 上記反射金属層と上記半導体とに挟み込まれた反応抑制層を有し、上記オーミックコンタクト接合部が上記反応抑制層を貫通して上記反射金属層から上記半導体に至るまで形成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上記空隙が上記半導体に他方の主表面側から穴を開けて形成されたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体発光素子。
- 上記半導体が上記オーミックコンタクト接合部に接する導電層とこの導電層に上記オーミックコンタクト接合部の反対側から接する別の半導体層とを有することを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の半導体発光素子。
- 上記半導体に上記発光層を挟む第1の導電層と第2の導電層が含まれ、これら第1の導電層と第2の導電層のうち、反射金属層とは反対側の主表面側に位置する導電層のほうが抵抗が低いことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載の半導体発光素子。
- 上記半導体の他方の主表面にこの主表面を部分的に覆う電極が配置され、この電極に重ならない箇所に上記オーミックコンタクト接合部が配置されたことを特徴とする請求項1〜5いずれか記載の半導体発光素子。
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