JP4890546B2 - 粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔及び圧延銅又は銅合金箔の粗化方法 - Google Patents
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Description
高純度銅箔は、銅合金に比べて軟質なので、圧延が容易であり、極薄の圧延銅箔を製造できる利点がある。この意味から、ファインパターン化が要求されるフレキシブルプリント基板に好適である。一方、銅合金圧延銅箔は、微量の合金元素を添加することにより、耐腐食性を向上させ、特に銅箔の強度を高めることができるので、銅箔の腰が強くなり、傷の発生や腰折れが少なくなるという特徴を備えている。したがって、同様に銅箔の厚さをより薄くすることが可能となり、ファインパターン化が容易となるので、フレキシブルプリント基板に有用である。
本願発明は、クレーターの発生を解決できるフレキシブルプリント基板の製造に好適な、圧延銅又は銅合金箔及びその粗化処理方法に関する。
従来、粗化処理し樹脂との接着性を向上させた電解銅箔が使用されていたが、この粗化処理のために銅箔のエッチング性が著しく損なわれ、高アスペクト比でのエッチングが困難となり、エッチング時にアンダーカットが発生し、十分なファインパターン化ができないという問題が生じた。
しかしながら、電解銅箔のロープロファイル化は電解銅箔と絶縁性のポリイミド層との間の密着強度を低下させるという問題がある。このためハイレベルなファインパターン化の要求はあるが、一方では所期の接着強度を維持することができず、配線がポリイミド層から加工段階で剥離してしまうなどの問題が発生した。
また、アンダーカットを防止する目的で、電解銅箔上にリン含有ニッケルめっき層を形成する技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。しかし、この場合の電解銅箔の面は、粗面であることを要件としており、少なくともそれを許容している技術である。また、特許文献2の実施例は全て、電解銅箔の粗面にリン含有ニッケルめっき層を形成するものである。
しかし、銅箔の高度なファインパターン化のために要求される特性としては、このようなエッチングによるアンダーカットや樹脂との接着性だけの問題ではない。例えば、強度、耐酸性、耐錫めっき液性、光沢度などにも優れていることが要求される。
しかし、従来はこのような総合的な問題が検討されているとは言えず、上記の問題を解決できる好適な銅箔が見出されていないのが現状である。
一般に、通常の純銅系の圧延銅箔に、さらに微細な銅めっき(通称「赤処理」)を施し、樹脂等との密着強度を向上させた銅箔は公知である。
通常、この粗化処理面の上にさらに、銅とコバルトの合金めっき又は銅、コバルト、ニッケルの3元合金をめっきして印刷回路用の銅箔に供せられている(特許文献3及び特許文献4参照)。
ところが、このような銅合金圧延銅箔に銅をめっきし、微細な銅粒子を形成した場合、クレーターと呼ばれる欠陥が発生した。このクレーターは粗化処理不均一によるスポット状の微小ムラであり、処理の抜け穴(スポット)となったもので、換言すれば銅粒子が形成されていない又は希薄となった欠陥である。このクレーターの面積は、約10〜50μm2、平均直径3〜10μm程度である。本願明細書で用いるクレーターは、この意味で使用する。
このようなクレーターの発生は、樹脂層との接着強度、耐酸性又は耐錫めっき液性、ピール強度、エッチングむら、光沢度の全てに影響を与えるものであり、配線のファインパターン化の障害となるものである。特に、エッチングむらは、外観異常が問題となるので好ましくない。
1)圧延銅又は銅合金箔に、硫酸銅(Cu換算:1〜50g/L)、硫酸:1〜150g/L、添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を添加しためっき浴を用いて、温度:20〜50°C、電流密度:10〜100A/dm2の条件で粗化めっきすることを特徴とする銅微細粒子からなる粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。硫酸銅、硫酸、温度、電流密度は、いずれもめっきを実施する際に使用する好適な条件を示すものである。
添加の下限値5ppm未満は、添加の効果が低くなるからであり、上限値は100ppmを超える場合には、発泡性や排水処理があるためであり、実用的でないためである。好ましくは、10〜50ppmである。しかし、上記の上限値を超える場合でも、クレーターの低減効果が認められるので、上記の上限値を超える場合であっても、条件に応じた解決方法があれば使用可能であり、特に否定されるものでない。したがって、上記数値範囲は好適な条件を示したものである。
3)硫酸ニッケル(Ni換算:1〜50g/L)又は亜燐酸(P換算:0.75〜1000g/L)を、さらに含有するめっき浴を用いて粗化めっきすることを特徴とする上記1)又は2)記載の粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
本願発明は、銅の粗化処理が基本であるが、このように他の金属、非金属を添加し、副次的な効果を保有させることは特に問題となるものではない。したがって、本願発明は、他の添加元素を副成分として含む条件及びそれに基づく付随的な作用・効果は、全て本願発明に含まれるものである。
下地めっきを形成することは、粗化めっきを行う場合の好適な態様である。しかし、下地めっきを必須要件とする必要はない。また、本願発明の粗化めっきが適切に行われるならば、上記に示す下地めっき層以外でも使用可能であり、本願発明はこれらを全て包含するものである。
5)Ag,Sn,Cr,Zr,Zn,Ni,Si,Mg,Tiの少なくとも一種以上を、総量で0.03〜5wt%含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に、銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする上記1)〜4)のいずれかに記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
6)0.03〜1wt%Zrと、0.05〜1wt%Cr及び/又は0〜1wt%Znとを含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に、銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする上記1)〜4)のいずれかに記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
ここで示す圧延銅箔は、本願発明において使用する代表的な圧延銅箔を示すものである。本願発明は、これらの以外の圧延銅合金箔に適用できることは云うまでもない。本願発明はこれらを全て包含する。
7)粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔であって、クレーター個数が1.3個/mm2以下であることを特徴とする粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
8)粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔であって、クレーター個数が1.3個/mm2以下であることを特徴とする上記1)〜6)のいずれかに記載の粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
上記7)及び8)に示す通り、本願発明は、クレーターの個数によって銅箔を特定することが可能であり、かつその良否を判別することができることが大きな特徴の一つである。
このように、圧延銅又は銅合金箔の粗化方法は、クレーターの形成を抑制することが中心的な課題であり、本願発明はこれを達成することができる。粗化処理を施した本願発明の銅箔は、樹脂層との接着強度を向上させ、耐酸性又は耐錫めっき液性を上げ、ピール強度を向上させ、エッチングむらを無くし、光沢度を上昇させる等、特性向上に大きく影響を与えるものである。そして、配線のファインパターン化に極めて有用である。
10)添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を合計で5〜100wtppm添加することを特徴とする上記9)記載の圧延銅又は銅合金箔の粗化方法。
12)圧延銅又は銅合金箔に、予めCu、Co、Ni又はこれらのいずれかの元素を主成分とする合金から選択した1成分以上の下地めっき層を形成し、その上に銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする上記9)〜11)のいずれかに記載の圧延銅又は銅合金箔の粗化方法。
13)Ag,Sn,Cr,Zr,Zn,Ni,Si,Mg,Tiの少なくとも一種以上を、総量で0.03〜5wt%含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅又は銅合金箔に、銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする上記9)〜12)のいずれかに記載の粗化処理面を備えた銅合金箔の粗化方法。
14)0.03〜1wt%Zrと、0.05〜1wt%Cr及び/又は0〜1wt%Znとを含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする上記9)〜12)のいずれかに記載の圧延銅合金箔の粗化方法。
一方、銅合金箔を用いた場合には、これが顕著に現れ、粗化処理不均一によるスポット状の微小ムラである欠陥(本明細書中で「クレーター」と称す。)が発生した。この粗化処理圧延銅又は銅合金箔クレーター(欠陥)は、後述する比較例1の図6に示すように光学顕微鏡でも観察されるものである。図6における粗化処理面のやや影の部分が、クレーター部である。クレーター部は約1.88個/mm2存在する。
このクレーターの原因を調べてみると、粗化処理面のクレーター部直下の圧延銅箔に、非金属介在物の存在が確認された。後述するZrを含有する圧延銅箔の場合には、硫化物(ZrS)が存在していた。これは、圧延銅箔に含有される微量のSが、添加元素であるZrと選択的に結合して硫化物が形成されたものと考えられる。
このような非金属介在物が、存在する場合には、非金属介在物の部分が周囲よりも電気化学的に「貴」となって、めっきされ難くなる、すなわち粗化処理を行う電解条件では、銅粒子が形成されていないか又は希薄となったものと推察される。
このような観点から、本発明は、従来の非金属介在物を極力低減化した圧延銅又は銅合金箔に対して、粗化めっきの条件を検討した結果、著しい改善が見られた。すなわち、本願発明は、圧延銅又は銅合金箔に、硫酸銅(Cu換算:1〜50g/L)、硫酸:1〜150g/L、添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を添加しためっき浴を用いて、温度:20〜50°C、電流密度:10〜100A/dm2の条件で粗化めっきする銅微細粒子からなる粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔、を提供するものである。
参考までに、ヘキシル硫酸ナトリウム(C6H13SO4Na)、オクチル硫酸ナトリウム(C8H17SO4Na)、デシル硫酸ナトリウム(C10H21SO4Na)、ドデシル硫酸ナトリウム(C12H25SO4Na)に関して、ニッケルめっきへの湿潤剤に関する研究報告がある(「表面技術」vol.56,No.1,2005)。
しかし、この結果では、ニッケル電極に形成されるめっきピット形成に対する水素気泡の抑制効果は、それぞれの浴に添加する場合において一様ではない。また、これが圧延銅又は銅合金の不純物に起因する銅の粗化めっきで、同等の効果を得ることを期待することは不可能に近いと言える。
また、本願発明を適用することにより、クレーターの数だけでなく、1個のクレーターのサイズも小さくすることが可能である。後述する比較例に示すように、本願発明を適用しない場合においては、50μm〜60μmに達する。これに対して、本願発明を適用することにより、1個クレーターのサイズを20μm以下、特に10μm以下にすることが可能となる。本願発明は、これらを全て包含するものである。
粗化粒子は通常0.1〜2.0μmの範囲に形成する。本発明によって、銅又は銅合金微細粒子により粗化処理された圧延銅又は銅合金箔の粗化処理面に存在するクレーター数を1.3個/mm2以下、特に1.0個/mm2以下、さらには0.5個/mm2以下とすることが可能となった。
下記実施例に示すように、常態ピール強度、表面粗さ、光沢度はいずれも良好であり、また圧延銅箔固有の性質である高強度を備え、さらに従来の銅微粒子層による粗化処理圧延銅箔と同等の耐酸性、耐錫めっき液性及び樹脂との接着強度を有するという優れた特性を有する。
銅合金圧延銅箔は、微量の合金元素を添加することにより、耐腐食性を向上させ、特に銅箔の強度を高めることができるので、銅箔の腰が強くなり、傷の発生や腰折れが少なくなるという優れた特性を備える。したがって、銅箔の厚さを薄く、ファインパターン化が可能であり、フレキシブルプリント基板に有用である。
このような、銅合金圧延銅箔の特性を活かすためには、添加元素の量を総量で0.03〜5wt%とするのが望ましい。この合金元素の総量の下限量(0.03wt%)未満では、合金元素添加の効果は少ない。また合金元素の上限値を超える多量の添加は、銅箔の導電性を低下させるので、好ましくないからである。
また、後述する説明からも明らかなように、合金元素の存在はクレーターの発生を促すことにもなる。したがって、これを抑制するための本願発明の粗化めっきは、銅合金圧延銅箔に有用である。以上から明らかなように、合金元素の添加量は、クレーター数の増加ということも勘案して決めることが必要である。
本願明細書で記載する銅合金圧延銅箔の合金元素の添加量は、主としてクレーターの抑制と強度の向上という目的を達成するための、最適な添加量を示すものである。
一方、タフピッチ銅のような高純度銅箔においても、クレーターが発生する。銅合金圧延銅箔の添加元素が無いにもかかわらず、クレーターが発生する原因は、銅合金圧延銅箔とは、別な理由によるものである。この原因を究明したところ、材料内に存在する銅酸化物によるものと考えられた。したがって、この場合においても、本願発明の粗化めっきは有効である。
タフピッチ銅のような高純度銅箔は、銅合金に比べて軟質なので、圧延が容易であり、極薄の圧延銅箔を製造できる利点がある。この意味から、ファインパターン化が要求されるフレキシブルプリント基板に有用である。しかし、上記圧延銅合金箔と同様に、クレーターの発生があるので、これを抑制することが強く要求される。
以上から明らかなように、本願発明は、純度の高い圧延銅箔及び銅合金箔のクレーターの発生を解決するものであり、フレキシブルプリント基板の材料に好適な材料を提供するものである。
製造された圧延銅箔は連続的にコイルに巻かれるが、上記のようにして得た銅箔は、その後さらに電気化学的若しくは化学的又は樹脂等の表面処理又は被覆処理(コーティング)を施してプリント配線板等に使用することができる。
圧延銅又は銅合金箔としては、表面粗さRzが2.5μm以下であり、かつ粗化処理されていない前記圧延銅箔を使用することが望ましい。これらの圧延銅又は銅合金箔に形成する本発明の銅粗化めっき液、ニッケル金属又はリンを含有する銅粗化めっき処理液の具体例を示すと、次の通りである。なお、このめっき浴には、添加剤は示していない。
Cuイオン濃度:1〜50g/L
硫酸:1〜150g/L
電解液温度:20〜50°C、
電流密度:10〜100A/dm2、
(銅−ニッケル合金めっき処理)
Cuイオン濃度:1〜50g/L
Niイオン濃度:1〜50g/L
硫酸:1〜150g/L
電解液温度:20〜50°C、
電流密度:10〜100A/dm2、
(銅−ニッケル−リン合金めっき処理)
Cuイオン濃度:1〜50g/L
Niイオン濃度:1〜50g/L
Pイオン濃度:0.75〜1000g/L
硫酸:1〜150g/L
電解液温度:20〜50°C、
電流密度:10〜100A/dm2、
銅合金箔としてCr:0.2wt%、Zr:0.1wt%、Zn:0.2wt%残部Cu及び不可避的不純物からなる銅合金であり、表面粗さRz0.7μmである18μmの圧延銅箔を使用した。この圧延銅箔を、脱脂及び水洗処理、続いて酸洗・水洗処理した後、下記の条件で下地めっきであるCuの電気めっきを施した。
次に、このように下地めっきを施した圧延銅箔に、実施例1(オクチル硫酸ナトリウム)、実施例2(デシル硫酸ナトリウム)、実施例3(ドデシル硫酸ナトリウム)を添加しためっき浴を用いて、銅めっき処理による粗化処理を行った。
銅粗化めっき浴及び粗化銅めっき条件は、上記に示す条件、すなわちCuイオン濃度:10g/L、硫酸:50g/L、電解液温度:25°C、電流密度:20A/dm2で実施した。
比較例1として、無添加の場合、比較例2としてヘキシル硫酸ナトリウムを20wtppmを添加した場合を示した。その他の電気めっき浴及びめっき条件は、上記実施例と同様とした。
めっき浴の添加剤を変えた場合の、銅粗化面のクレーター数を光学顕微鏡によりカウントし、クレーターの個数を調べた。その結果、次の通りであった。
実施例1:オクチル硫酸ナトリウム20wtppm添加:0.14個/mm2(図1)
実施例2:デシル硫酸ナトリウム20wtppm添加:0.14個/mm2(図2)
実施例3:ドデシル硫酸ナトリウム20wtppm添加:0.14個/mm2(図3)
比較例1:添加剤なし:1.88個/mm2(図6)
比較例2:ヘキシル硫酸ナトリウムを20wtppm添加:1.38個/mm2(図7)
比較例1の無添加の場合には、1.88個/mm2のクレーターが観察される。図4に示すように、粗化処理面の影の部分が、クレーター部である。クレーター部の大きさが明瞭に観察される。
比較例2は、ヘキシル硫酸ナトリウムを20wtppm添加したものであるが、1.38個/mm2のクレーターが観察される。比較例2の粗化面の光学顕微鏡写真を、図5に示す。この場合も、粗化処理面の影の部分が、クレーター部である。クレーター部の大きさが明瞭に観察される。
以上に対して、実施例1〜3の場合には、それぞれ図1〜図3に示すように、粗化処理面の影の部分が見当たらず、クレーターは殆んど観察されない。以上から明らかなように、本願発明のクレーター抑制効果は明瞭である。
比較例1の無添加の場合におけるクレーター部のSEM画像を図6に示す、この図6に示すように、クレーター部は大きく50μmに達する。一方、実施例1のオクチル硫酸ナトリウム20wtppm添加した場合を図7に示すが、この図7に示すようにクレーター部は10μm以下程度で、クレーターサイズが減少しているのが分かる。
ドデシル硫酸ナトリウム3wtppm、5wtppm、10wtppm、15wtppm、20wtppm添加、40wtppm添加、80wtppm添加、100wtppm添加、120wtppm添加を行った。
この調査では、以下の結果となった。
3wtppm添加では、クレーター数が1.8個/mm2、
5wtppm添加では、クレーター数が1.3個/mm2、
10wtppm添加では、クレーター数が1.0個/mm2、
15wtppm添加では、クレーター数が0.5個/mm2、
20wtppm添加では、クレーター数が0.14個/mm2、
40wtppm添加では、クレーター数が0.14個/mm2、
80wtppm添加では、クレーター数が0.13個/mm2、
100wtppm添加では、クレーター数が0.13個/mm2、
120wtppm添加では、クレーター数が0.12個/mm2、
しかし、この120wtppm添加では、クレーター数の減少効果はあるが、発泡し、また排水処理の問題が出てくるので、好ましくない。
上記の通り、3wtppm添加では、クレーター数が1.8個/mm2であったが、添加量の増加とともにクレーターの個数は減少し、5wtppm添加では1.3個/mm2に、10wtppm添加では1.0個/mm2になり、さらに、上記に示すように、20wtppm添加では、クレーター数が0.14個/mm2にまで減少した。それ以上添加量を増やしても、ほぼ同じ効果であった。
以上から、3wtppm添加では、十分なクレーターの抑制効果があるとは言えないので、添加量を5wtppm以上とするのが良いと言える。また、また100wtppmを超えると、発泡があり、排水処理の問題が出てくるので、添加量は極力抑えるのが得策と言える。しかし、クレーターを抑制するという意味では特に制限がないと言える。
次に、上記実施例1〜3と同様に下地めっきを施した圧延銅箔に、硫酸ニッケル(実施例4)及び亜燐酸(実施例5)を、さらに含有するめっき浴を用いて粗化めっき処理による粗化処理を行った。
銅粗化めっき浴及び粗化銅めっき条件は、上記に示す条件、すなわち銅−ニッケル合金めっき処理においては、Cuイオン濃度:15g/L、Niイオン濃度:2g/L、硫酸:50g/L、電解液温度:25°C、電流密度:50A/dm2、で実施した。めっき厚はおよそ50000μg/dm2とした。
添加剤は、ドデシル硫酸ナトリウムを用い、20wtppm添加した。この結果、クレーター数は、実施例1と同様に0.14個/mm2であった。以上から明らかなように、実施例4の粗化めっきにおいても、実施例1〜3と同様にクレーターが減少する結果が得られた。
(銅−ニッケル−リン合金めっき処理)
Cuイオン濃度:15g/L、Niイオン濃度:2g/L、Pイオン濃度:1g/L、硫酸:50g/L、電解液温度:25°C、電流密度:50A/dm2、の条件で実施した。めっき厚はおよそ50000μg/dm2とした。添加剤は、ドデシル硫酸ナトリウムを用い、20wtppm添加した。
この結果、クレーター数は、実施例1と同様に0.14個/mm2であった。以上から明らかなように、実施例5の粗化めっきにおいても、実施例1〜3と同様にクレーターが減少する結果が得られた。
次に、圧延タフピッチ銅箔について、表面粗さRz0.7μmである18μmの銅箔を、脱脂及び水洗処理、続いて酸洗・水洗処理した後、実施例3で用いた粗化銅電気めっきを実施した。この場合、比較例3では添加剤なしで行った。
一方、同圧延銅箔で、実施例3で用いたドデシル硫酸ナトリウムを添加した銅電気めき浴を用いて実施した。条件は実施例3と同様である。
この結果、比較例3では15個/mm2のクレーターが観察された。しかし、実施例6では、クレーターの個数が0.15個/mm2と著しく減少した。これは、ドデシル硫酸ナトリウムを添加した結果によるものであることが明らかとなった。
通常、クレーターの発生は、銅合金箔で多く観察されるものであるが、純度の高いタフピッチ銅である比較例3で発生した原因は、銅の酸化物の存在に原因があると考えられる。いずれにしても、添加剤は有効であることが分かる。
次に、下記の銅合金箔の成分組成を替えた以外は、実施例1と同一の条件で、オクチル硫酸ナトリウムを添加しためっき浴を用いて、銅めっき処理による粗化処理を行った。
(実施例7)Ag:0.5wt%含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔
(実施例8)Sn:1wt%、Mg:0.3wt%含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔
(実施例9)Cr0.02wt%、Zr0.01wt%を含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔
(実施例10)Zn:5wt%を含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔
(実施例11)Ni:2wt%、Si:0.5wt%を含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔
(実施例12)Ti:0.03wt%、Mg:0.3wt%を含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔
上記の結果、次のクレーター個数となった。この場合も、銅めっき処理による粗化処理によるクレーター抑制効果が確認できた。
実施例7:0.13個/mm2
実施例8:0.14個/mm2
実施例9:0.13個/mm2
実施例10:0.15個/mm2
実施例11:0.14個/mm2
実施例12:0.13個/mm2
上記の実施例7〜実施例12で、さらにオクチル硫酸ナトリウムの添加量を、5〜100wtppmで替えた試験を行ったが、前記段落[0032]と同様の結果となった。
Claims (21)
- 圧延銅又は銅合金箔に、硫酸銅(Cu換算:1〜50g/L)、硫酸:1〜150g/L、添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を添加しためっき浴を用いて、温度:20〜50°C、電流密度:10〜100A/dm2の条件で粗化めっきし、圧延銅又は銅合金箔の非金属介在物に起因する粗化処理面上のクレーターの形成を抑制することを特徴とする銅微細粒子からなる粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
- 添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を合計で5〜100wtppm添加することを特徴とする請求項1記載の粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
- 硫酸ニッケル(Ni換算:1〜50g/L)又は亜燐酸(P換算:0.75〜1000g/L)を、さらに含有するめっき浴を用いて粗化めっきすることを特徴とする請求項1又は2記載の粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
- 圧延銅又は銅合金箔に、予めCu、Co、Ni又はこれらのいずれかの元素を主成分とする合金から選択した1成分以上の下地めっき層を形成し、その上に銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔。
- 粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔であって、クレーター個数が1.3個/mm2以下であることを特徴とする粗化処理面を備えた圧延銅又は圧延銅合金箔。
- Ag,Sn,Cr,Zr,Zn,Ni,Si,Mg,Tiの少なくとも一種以上を、総量で0.03〜5wt%含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に、硫酸銅(Cu換算:1〜50g/L)、硫酸:1〜150g/L、添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を添加しためっき浴を用いて、温度:20〜50°C、電流密度:10〜100A/dm2の条件で粗化めっきし、銅合金箔の非金属介在物に起因する粗化処理面上のクレーターの形成を抑制することを特徴とする銅微細粒子からなる粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
- 添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を合計で5〜100wtppm添加することを特徴とする請求項6記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
- 硫酸ニッケル(Ni換算:1〜50g/L)又は亜燐酸(P換算:0.75〜1000g/L)を、さらに含有するめっき浴を用いて粗化めっきすることを特徴とする請求項6又は7記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
- 圧延銅合金箔に、予めCu、Co、Ni又はこれらのいずれかの元素を主成分とする合金から選択した1成分以上の下地めっき層を形成し、その上に銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする請求項6又は7記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
- 0.03〜1wt%Zrと、0.05〜1wt%Cr及び/又は0〜1wt%Znを含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に、銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする請求項6又は7記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
- 粗化処理面を備えた圧延銅合金箔であって、クレーター個数が1.3個/mm2以下であることを特徴とする請求項6又は7記載の粗化処理面を備えた圧延銅合金箔。
- 圧延銅又は銅合金箔に、硫酸銅(Cu換算:1〜50g/L)、硫酸:1〜150g/L、添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を添加しためっき浴を用いて、温度:20〜50°C、電流密度:10〜100A/dm2の条件で粗化めっきすることにより、圧延銅又は銅合金箔の非金属介在物に起因する粗化処理面上のクレーターの形成を抑制することを特徴とする圧延銅又は銅合金箔の粗化方法。
- 添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を合計で5〜100wtppm添加することを特徴とする請求項12記載の圧延銅又は銅合金箔の粗化方法。
- 硫酸ニッケル(Ni換算:1〜50g/L)又は亜燐酸(P換算:0.75〜1000g/L)を、さらに含有するめっき浴を用いて粗化めっきすることを特徴とする請求項12又は13記載の圧延銅又は銅合金箔の粗化方法。
- 圧延銅又は銅合金箔に、予めCu、Co、Ni又はこれらのいずれかの元素を主成分とする合金から選択した1成分以上の下地めっき層を形成し、その上に銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする請求項12又は13記載の圧延銅又は銅合金箔の粗化方法。
- Ag,Sn,Cr,Zr,Zn,Ni,Si,Mg,Tiの少なくとも一種以上を、総量で0.03〜5wt%含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に、硫酸銅(Cu換算:1〜50g/L)、硫酸:1〜150g/L、添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を添加しためっき浴を用いて、温度:20〜50°C、電流密度:10〜100A/dm2の条件で粗化めっきすることにより、銅合金箔の非金属介在物に起因する粗化処理面上のクレーターの形成を抑制することを特徴とする銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする圧延銅合金箔の粗化方法。
- 添加剤として、オクチル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムから選択した一種又は二種以上を合計で5〜100wtppm添加することを特徴とする請求項16記載の圧延銅合金箔の粗化方法。
- 硫酸ニッケル(Ni換算:1〜50g/L)又は亜燐酸(P換算:0.75〜1000g/L)を、さらに含有するめっき浴を用いて粗化めっきすることを特徴とする請求項16又は17記載の圧延銅合金箔の粗化方法。
- 圧延銅又は銅合金箔に、予めCu、Co、Ni又はこれらのいずれかの元素を主成分とする合金から選択した1成分以上の下地めっき層を形成し、その上に銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする請求項16又は17記載の圧延銅合金箔の粗化方法。
- 0.03〜1wt%Zrと、0.05〜1wt%Cr及び/又は0〜1wt%Znとを含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔に、銅微細粒子からなる粗化処理面を形成することを特徴とする請求項16又は17記載の圧延銅合金箔の粗化方法。
- 粗化処理面を備えた圧延銅又は銅合金箔であって、クレーター個数が1.3個/mm2以下であることを特徴とする請求項16又は17記載の圧延銅合金箔の粗化方法。
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