JP4887861B2 - Mask, mask manufacturing method and wiring board manufacturing method - Google Patents

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本発明は、微細な金属配線を蒸着等によって基板上に形成するために、基板上の非配線領域をマスキングするためのマスク及びこのマスクの製造方法に関し、また、マスクを用いて基板上に配線を形成する配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a mask for masking a non-wiring region on a substrate in order to form a fine metal wiring on a substrate by vapor deposition or the like, and a method for manufacturing the mask, and also uses the mask to wire on the substrate. The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board for forming a substrate.

基板上に金属配線を形成するために、基板の表面に金属を成膜及び加工することが行われており、金属を加工する方法にサブトラクティブ法、アディティブ法及びリフトオフ法等がある。サブトラクティブ法は、予め基板表面の全面にスパッタ法などで金属の成膜を行い、配線とする部分にレジストパターンを形成し、不要部分をエッチングなどで除去する方法である。この方法では、形成される配線の精度がエッチングの精度に影響されるため、微細な配線の形成には適用が難しいという欠点がある。アディティブ法は、基板表面の配線の不要部分にレジストパターンを形成し、レジストのない部分にのみ金属の成膜を行う方法である。この方法では、形成される配線の精度はレジストパターンの精度で決まるため、微細な配線を形成することができるが、めっき膜等を成膜する場合は、膜の耐熱性が弱く、信頼性が低いという問題がある。   In order to form a metal wiring on a substrate, a metal is formed and processed on the surface of the substrate, and methods for processing the metal include a subtractive method, an additive method, a lift-off method, and the like. The subtractive method is a method in which a metal film is formed in advance on the entire surface of a substrate by a sputtering method, a resist pattern is formed on a portion to be a wiring, and an unnecessary portion is removed by etching or the like. This method has a drawback that it is difficult to apply to the formation of fine wiring because the accuracy of the formed wiring is affected by the etching accuracy. The additive method is a method in which a resist pattern is formed on an unnecessary portion of the wiring on the substrate surface, and a metal film is formed only on a portion without the resist. In this method, since the accuracy of the wiring to be formed is determined by the accuracy of the resist pattern, fine wiring can be formed. However, when a plating film or the like is formed, the heat resistance of the film is weak and the reliability is high. There is a problem that it is low.

リフトオフ法は、配線の不要部分にレジストパターンを形成し、基板及びレジストの表面の全面にスパッタ法などで金属の成膜を行い、成膜後にレジスト及びレジスト表面の金属膜を剥離して配線を形成する方法である。この方法では、微細な配線を形成することができるだけでなく、耐熱性が高い金属膜をスパッタ法で容易に成膜することができ、サブトラクティブ法の精度及びアディティブ法の膜の耐熱性の問題を共に解決できるが、レジスト及びレジスト表面の金属膜を確実に剥離できるように、断面形状が複雑なレジストパターンを形成する必要があり、製造工程数の増加及び製造コストの増加を招来するという問題がある。   In the lift-off method, a resist pattern is formed on an unnecessary portion of the wiring, a metal film is formed on the entire surface of the substrate and the resist by a sputtering method, etc., and the metal film on the resist and the resist surface is peeled off after forming the wiring. It is a method of forming. In this method, not only fine wiring can be formed, but also a metal film having high heat resistance can be easily formed by sputtering, and there is a problem of the accuracy of the subtractive method and the heat resistance of the film of the additive method. However, it is necessary to form a resist pattern with a complicated cross-sectional shape so that the resist and the metal film on the resist surface can be reliably peeled off, resulting in an increase in the number of manufacturing steps and an increase in manufacturing cost. There is.

一方、配線の形成にレジストを用いず、配線パターンに対応する開口が形成されたマスクを用いるマスク成膜法がある。この方法では、配線部分を開口としたマスクを基板の表面に密着させ、マスク及び基板の表面の全面に金属の成膜を行い、成膜後にマスクを取り外して配線を形成する。形成される配線の精度はマスク精度で決まるため、リフトオフ法と同様に微細な配線を形成でき、スパッタ法等を用いれば耐熱性が高い金属膜を形成することができる。また、マスクの強度が高いものであれば、マスクを再利用することができるため、製造コストを減少させることができるという利点がある。   On the other hand, there is a mask film forming method using a mask in which an opening corresponding to a wiring pattern is formed without using a resist for forming a wiring. In this method, a mask having an opening in the wiring portion is brought into close contact with the surface of the substrate, a metal film is formed on the entire surface of the mask and the substrate, and the wiring is formed by removing the mask after the film formation. Since the accuracy of the wiring to be formed is determined by the mask accuracy, a fine wiring can be formed as in the lift-off method, and a metal film having high heat resistance can be formed by using a sputtering method or the like. Further, if the strength of the mask is high, the mask can be reused, which has an advantage that the manufacturing cost can be reduced.

しかし、マスク成膜法では、例えば配線の幅が２μｍ程度で長さが２ｍｍ程度の長い直線状の配線を、複数平行に並べたような配線を形成する場合に、マスクの基板への密着が不安定な状態、例えば平行線の部分に歪みが生じる又はマスクが基板に密着せずに浮き上がった状態となる等の状態となり、形成する配線の幅に誤差が生じる虞があり、誤差の程度によっては配線が断線する又は隣の配線と接触する等の虞があるという問題があった。   However, in the mask film forming method, for example, when forming a wiring in which a plurality of long linear wirings having a wiring width of about 2 μm and a length of about 2 mm are arranged in parallel, the mask adheres to the substrate. There is a possibility that an unstable state, for example, a distortion occurs in the parallel line portion or a state where the mask is lifted without being in close contact with the substrate, and there is a possibility that an error occurs in the width of the wiring to be formed. However, there is a problem that the wiring may break or may come into contact with the adjacent wiring.

特許文献１（特開２００１−２５４１６９号公報）においては、長い直線状の配線を平行に並べた配線パターンを有するマスクにおいて、基板に貼り付ける側の反対側の表面に、複数の配線パターンを跨ぐ微細なリブを設けてマスクを補強することで、平行線の部分に歪みが生じないようにしている。   In Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-254169), in a mask having a wiring pattern in which long linear wirings are arranged in parallel, a plurality of wiring patterns are straddled on the surface opposite to the side to be attached to a substrate. By providing fine ribs to reinforce the mask, the parallel lines are not distorted.

特開２００１−２５４１６９号公報JP 2001-254169 A

しかしながら、特許文献１に記載のマスクのように、複数の配線パターンを跨ぐリブを設けた場合には、リブを回り込んで基板の表面に成膜を行わなければならないため、基板の表面とリブとの間の距離が離れていることが望ましい。しかし、基板の表面とリブとの間の距離を離すためには、マスク本体を厚くする必要があり、マスク本体を厚くした場合には成膜が行われにくいため、微細な配線を形成することが難しいという問題がある。   However, when the ribs straddling a plurality of wiring patterns are provided as in the mask described in Patent Document 1, it is necessary to wrap around the ribs to form a film on the surface of the substrate. It is desirable that the distance between the However, in order to increase the distance between the surface of the substrate and the rib, it is necessary to increase the thickness of the mask body, and if the mask body is increased in thickness, it is difficult to form a film. There is a problem that is difficult.

また、特許文献１に記載のマスクは、電鋳により金属を析出させてマスクを作成するため、マスク本体が金属製であり、金属配線の形成に用いる場合には、再利用が難しいという問題がある。これは、マスクの表面に成膜された金属膜を剥離する場合に、王水又は硝酸等の強酸溶液により金属膜を剥離するため、マスク本体が溶解する虞があるためであり、マスクの表面に成膜された金属膜を剥離せずに再利用を行う場合には、配線パターンを形成するマスクの開口部分が金属膜により埋まる虞があるためである。   Moreover, since the mask of patent document 1 deposits a metal by electroforming and produces a mask, when a mask main body is metal and uses it for formation of metal wiring, there exists a problem that reuse is difficult. is there. This is because when the metal film formed on the surface of the mask is peeled off, the metal film is peeled off with a strong acid solution such as aqua regia or nitric acid, so that the mask body may be dissolved. This is because when the metal film formed on the substrate is reused without being peeled off, the opening of the mask for forming the wiring pattern may be filled with the metal film.

本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、微細な配線を精度よく形成できるマスク、そのようなマスクの製造方法、及びマスクを用いて基板上に配線を形成する配線基板の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a mask capable of accurately forming fine wiring, a method for manufacturing such a mask, and wiring on a substrate using the mask. It is an object to provide a method of manufacturing a wiring board for forming a substrate.

本発明の第１の態様に従えば、直線状の貫通孔が形成された平板状のマスク本体と、該マスク本体の一面に前記貫通孔を跨いで配設され、前記マスク本体を補強する補強部とを備えるマスクにおいて、前記マスク本体の前記一面と反対側の面と、前記補強部の前記貫通孔に面している面との間の長さが、前記マスク本体の厚さよりも長く、前記補強部は、前記貫通孔を跨いで配設された第１の補強体と、平面視で前記貫通孔と重なる領域で前記第１の補強体と交差し、平面視で前記貫通孔の一部と重なる領域に配設された第２の補強体とを有し、前記第１の補強体と第２の補強体とが交差する部分は、前記第１の補強体及び第２の補強体の他の部分よりも厚いマスクが提供される。
また、前記第２の補強体は、前記貫通孔と平行に形成されており、平面視で前記貫通孔の幅よりも細い幅に形成されていてもよい。
そして、前記第１の補強体は、前記貫通孔の開口を覆う部分に凹部が形成され、前記凹部によって画定される領域は前記貫通孔と連通していてもよい。 According to the first aspect of the present invention, a flat mask main body in which straight through holes are formed, and a reinforcement that reinforces the mask main body is disposed across the through holes on one surface of the mask main body. in the mask and a part, the said one face of the mask body and the opposite surface, a length between said that surface facing the through hole of the reinforcing section is rather long than the thickness of the mask body The reinforcing portion intersects the first reinforcing body disposed across the through hole and the first reinforcing body in a region overlapping with the through hole in plan view, and the plan view of the through hole. A second reinforcing body disposed in a region overlapping with a part, and a portion where the first reinforcing body and the second reinforcing body cross each other includes the first reinforcing body and the second reinforcing body. It has thick mask is provided than other parts of the body.
Further, the second reinforcing body may be formed in parallel with the through hole, and may be formed with a width narrower than the width of the through hole in plan view.
In the first reinforcing body, a recess may be formed in a portion covering the opening of the through hole, and a region defined by the recess may be communicated with the through hole.

本発明の第１の態様によれば、マスク本体に形成された配線パターンをなす貫通孔を跨いで配される補強部を備え、例えば、補強部の貫通孔を覆う部分に凹部を設けることで、凹部によって画定される領域は貫通孔と連通するので、マスク本体を厚くすることなく基板と補強部との間の距離を広げることができる。例えばスパッタ法により基板上に配線を形成する場合、スパッタされる金属は補強部の凹部を回り込んで、基板上の補強部の影となる部分にも堆積できる。このとき、配線が形成される基板と補強部との間の距離は、マスク本体の厚さに関係なく、補強部に形成される凹部の深さによって決定されるので、基板と補強部との間の距離を十分に広げることができる。また、補強部と関係なくマスク本体の厚さを決定することができるため、マスク本体の厚さを薄くすることができ、より微細な配線パターンをマスク本体に形成することができる。よって、マスクの設計の自由度が高くなり、マスクの適用分野を広範囲なものにすることができる。なお、補強部の貫通孔に面している面（補強部の上内面）と、マスク本体の補強部が配置されていない側の面（裏面）との間の長さは、最長になるように定義する。つまり、例えば補強部の上内面が平坦な面ではなく、凹面形状であるような場合には、補強部の上内面の、マスクの裏面から最も遠い地点とマスクの裏面との間の距離を指すものとする。
本態様によれば、マスク本体に直線状の貫通孔を複数並設して配線パターンを形成する場合に、複数の貫通孔を跨いで第１の補強体を配設し、第１の補強体と交差するように第２の補強体を配設することで、より配線パターンを強固に補強することができるため、形成する直線状の配線に歪みなどが生じて断線又はショート等がより起こらないようにすることができ、配線の形成工程で発生する不良をより低減することができる。
そして、第１の補強体と第２の補強体とが交差する部分は、第１の補強体及び第２の補強体の他の部分よりも厚くしてあるので、第２の補強体を貫通孔とほぼ重なる領域に配設することができ、第２の補強体を形成する位置の自由度が大きくなる。 According to the first aspect of the present invention, the reinforcing portion is provided across the through hole forming the wiring pattern formed in the mask main body, and, for example, the concave portion is provided in the portion covering the through hole of the reinforcing portion. Since the region defined by the recess communicates with the through hole, the distance between the substrate and the reinforcing portion can be increased without increasing the thickness of the mask body. For example, when a wiring is formed on a substrate by a sputtering method, the sputtered metal goes around the concave portion of the reinforcing portion and can also be deposited on the shadow portion of the reinforcing portion on the substrate. At this time, the distance between the substrate on which the wiring is formed and the reinforcing portion is determined by the depth of the concave portion formed in the reinforcing portion regardless of the thickness of the mask body. The distance between them can be expanded sufficiently. In addition, since the thickness of the mask body can be determined regardless of the reinforcing portion, the thickness of the mask body can be reduced, and a finer wiring pattern can be formed on the mask body. Accordingly, the degree of freedom in mask design is increased, and the field of application of the mask can be widened. It should be noted that the length between the surface facing the through hole of the reinforcing portion (upper inner surface of the reinforcing portion) and the surface on the side where the reinforcing portion of the mask body is not disposed (back surface) is the longest. Defined in In other words, for example, when the upper inner surface of the reinforcing portion is not a flat surface but a concave shape, the distance between the point farthest from the back surface of the mask and the back surface of the mask on the upper inner surface of the reinforcing portion is indicated. Shall.
According to this aspect, when forming a wiring pattern by arranging a plurality of linear through holes in the mask main body, the first reinforcing body is disposed across the plurality of through holes, and the first reinforcing body By arranging the second reinforcing body so as to intersect with the wiring pattern, the wiring pattern can be reinforced more strongly, so that the straight line to be formed is distorted and the disconnection or short circuit does not occur more. Thus, defects occurring in the wiring formation process can be further reduced.
The portion where the first reinforcement body and the second reinforcement body intersect is thicker than the other portions of the first reinforcement body and the second reinforcement body, and thus penetrates the second reinforcement body. It can arrange | position in the area | region which overlaps with a hole substantially, and the freedom degree of the position which forms a 2nd reinforcement body becomes large.

本発明のマスクにおいて、前記凹部は前記貫通孔と重なる領域に渡って形成され、前記凹部の内面及び前記貫通孔によって画定される前記マスク本体の面が連続した面であってもよい。   The mask of this invention WHEREIN: The said recessed part is formed over the area | region which overlaps with the said through-hole, The surface of the said mask main body defined by the inner surface of the said recessed part and the said through-hole may be a continuous surface.

補強部の凹部を、マスク本体の貫通孔と重なる領域の全体に渡って形成し、凹部の内面及び貫通孔の内面が連続した面をなすようにすることで、凹部及び貫通孔を同じ工程で形成することができるため、補強部の凹部を簡単に形成することができる。   The concave portion of the reinforcing portion is formed over the entire area overlapping with the through hole of the mask body, and the inner surface of the concave portion and the inner surface of the through hole form a continuous surface. Since it can form, the recessed part of a reinforcement part can be formed easily.

本発明のマスクにおいて、前記マスク本体及び前記補強部が、シリコン又はシリコンを含む化合物を用いてもよい。   In the mask of the present invention, the mask body and the reinforcing portion may use silicon or a compound containing silicon.

マスクをシリコン又はシリコンを含む化合物で製造することで、マスクを用いて基板上に配線の金属膜の形成を行った後、マスク表面に付着した金属膜を王水又は硝酸等で剥離することができ、マスクの再利用が可能となる。従って、レジストパターンによりマスキングを行う場合と比較して、コストを低減することができる。   By manufacturing the mask with silicon or a compound containing silicon, after forming a metal film of wiring on the substrate using the mask, the metal film attached to the mask surface may be peeled off with aqua regia or nitric acid. The mask can be reused. Therefore, the cost can be reduced as compared with the case where masking is performed with a resist pattern.

また、本発明に係るマスクは、前記マスク本体及び前記補強部が、一体形成されていてもよい。   In the mask according to the present invention, the mask main body and the reinforcing portion may be integrally formed.

マスク本体及び補強部を一体的に形成することで、補強部を別体で製作して着接する場合のマスク本体と補強部との位置ずれなどが生じることがないため、より微細で複雑な配線パターンを有するマスクを実現することができる。また、補強部を別体で製作してマスク本体に着接する場合に形成することが難しい補強部の凹部を設けることができる。   By forming the mask body and the reinforcement part integrally, there is no positional deviation between the mask body and the reinforcement part when the reinforcement part is manufactured and attached separately. A mask having a pattern can be realized. Moreover, the recessed part of the reinforcement part difficult to form when manufacturing a reinforcement part separately and attaching to a mask main body can be provided.

また、本発明に係るマスクは、前記マスク本体に直線状の貫通孔が複数並設してあり、前記補強部が、複数の前記貫通孔を跨いで配設されていてもよい。   In the mask according to the present invention, a plurality of linear through holes may be provided in parallel in the mask body, and the reinforcing portion may be disposed across the plurality of through holes.

マスク本体に直線状の細長い貫通孔を複数並設して配線パターンを形成する場合に、複数の貫通孔を跨いで補強部を配設することで、歪みなどが起こりやすい配線パターンを補強することができるため、形成する配線に断線又はショート等が起こらないようにすることができ、配線の形成工程で発生する不良を低減することができる。   When a wiring pattern is formed by arranging a plurality of linear elongated through holes in the mask body, the wiring pattern that is likely to be distorted is reinforced by arranging reinforcing parts across the plurality of through holes. Therefore, disconnection or short-circuiting can be prevented from occurring in the wiring to be formed, and defects generated in the wiring formation process can be reduced.

本発明のマスクは、前記補強部が細長い形状を有し、前記補強部の前記貫通孔と重なる部分の幅が、前記補強部の前記貫通孔と重ならない部分の幅よりも短くてもよい。この場合には、補強部と貫通孔とが重なる部分が小さくなるので、このマスクを用いて配線を形成する際に、配線の断線などの発生率が低下する。   In the mask of the present invention, the reinforcing portion may have an elongated shape, and the width of the portion of the reinforcing portion that overlaps the through hole may be shorter than the width of the portion of the reinforcing portion that does not overlap the through hole. In this case, since the portion where the reinforcing portion and the through hole overlap is reduced, the occurrence rate of the wire breakage or the like is reduced when the wire is formed using this mask.

本発明のマスクは、前記マスク本体に屈曲部分を有する折れ線状の貫通孔が複数並設してあり、前記補強部が、複数の前記貫通孔の屈曲部分を跨いで配設されていてもよい。   In the mask of the present invention, a plurality of broken line-shaped through holes having a bent portion may be provided in parallel in the mask body, and the reinforcing portion may be disposed across the bent portions of the plurality of through holes. .

マスク本体に屈曲部分を有する折れ線状の貫通孔を複数並設して配線パターンを形成する場合に、屈曲部分を跨いで補強部を配設することで、折れ線状の配線パターンを効果的に補強することができるため、形成する配線に断線又はショート等がより起こらないようにすることができ、配線の形成工程で発生する不良をより低減することができる。   When a wiring pattern is formed by arranging a plurality of broken line-shaped through-holes having bent portions in the mask body, the reinforcing portion is disposed across the bent portions to effectively reinforce the broken line-shaped wiring pattern. Therefore, disconnection or short circuit or the like can be prevented from occurring in the wiring to be formed, and defects generated in the wiring formation process can be further reduced.

本発明のマスクは、前記マスク本体に形成された貫通孔内に島状部分が設けてあり、前記補強部が、前記貫通孔を跨ぎ、前記マスク本体及び前記島状部分を結んで配設されていてもよい。   In the mask of the present invention, an island-shaped portion is provided in a through-hole formed in the mask main body, and the reinforcing portion is disposed across the through-hole and connecting the mask main body and the island-shaped portion. It may be.

島状部分を有する貫通孔を配設して配線パターンを形成する場合に、島状部分及びマスク本体を結び、貫通孔を跨いで補強部を配設することで、補強部がない場合には形成不可能な配線パターンをマスクに形成することができるため、基板上に同心円状などの配線を形成できるようになり、配線のレイアウトの自由度が上がり、マスクの適用範囲又は適用分野を広げることができる。   When a through-hole having an island-shaped part is provided to form a wiring pattern, the island-like part and the mask main body are connected, and a reinforcing part is provided across the through-hole. Since a wiring pattern that cannot be formed can be formed on a mask, concentric wirings can be formed on a substrate, the degree of freedom of wiring layout is increased, and the mask application range or field of application is expanded. Can do.

本発明の第２の態様に従えば、複数の貫通孔が形成された平板状のマスク本体と、前記貫通孔を跨いで配設され、前記マスク本体を補強する補強部とを備えるマスクの製造方法において、平板状のマスク基材を設ける工程と、前記マスク基材の一面に前記貫通孔を形成するための第１のガイドパターンを形成する第１ガイドパターン形成工程と、前記第１のガイドパターンが形成された面に、前記第１のガイドパターンに従って、前記マスク基材を貫通しないようにエッチングを行う第１エッチング工程と、前記マスク基材の他面に、前記補強部を形成するための第２のガイドパターンを形成する第２ガイドパターン形成工程と、前記他面に、前記第２のガイドパターンに従って前記補強部の形成領域以外にエッチングを行い、前記第１エッチング工程でエッチングを行った部分を貫通させる第２エッチング工程とを備え、第２ガイドパターン形成工程は、前記補強部の第１の補強体を形成するための第１補強体パターンを形成する工程と、前記マスク基材の、前記第１の補強体パターンが形成された面に、前記第１の補強体パターンに従って、前記マスク基材を貫通しないようにエッチングを行うエッチング工程と、前記補強部の前記第１の補強体に交差する第２の補強体を形成するための第２補強体パターンを形成する工程と、前記マスク基材の、前記第２の補強体パターンが形成された面に、前記第２の補強体パターンに従って、前記マスク基材を貫通しないようにエッチングを行うエッチング工程と、前記補強部の前記第１の補強体及び第２の補強体の交差部分の上側に第３の補強体を形成するための第３補強体パターンを形成する工程とを備えるマスク製造方法が提供される。 According to the second aspect of the present invention, a mask is manufactured comprising a flat mask main body in which a plurality of through holes are formed, and a reinforcing portion that is disposed across the through holes and reinforces the mask main body. In the method, a step of providing a flat mask base material, a first guide pattern forming step of forming a first guide pattern for forming the through hole on one surface of the mask base material, and the first guide In order to form the reinforcing portion on the other surface of the mask base, and a first etching step of performing etching so as not to penetrate the mask base on the surface on which the pattern is formed according to the first guide pattern A second guide pattern forming step for forming the second guide pattern, and etching is performed on the other surface according to the second guide pattern except for the region where the reinforcing portion is formed. And a second etching step of penetrating a portion was etched by ring step, a second guide pattern-forming step comprises the steps of forming a first reinforcing member pattern for forming the first reinforcing member of said reinforcing portion And an etching step of performing etching so as not to penetrate the mask base material according to the first reinforcing body pattern on the surface of the mask base material on which the first reinforcing body pattern is formed, and the reinforcing portion Forming a second reinforcing body pattern for forming a second reinforcing body that intersects the first reinforcing body, and a surface of the mask base material on which the second reinforcing body pattern is formed. An etching process for performing etching so as not to penetrate the mask base material according to the second reinforcing body pattern, and an upper side of the intersection of the first reinforcing body and the second reinforcing body of the reinforcing portion. Third mask fabrication method Ru and forming a reinforcement pattern for forming the reinforcing member is provided.

本発明の第２の態様によれば、マスク基材の一面に貫通孔を形成するための第１のガイドパターンを形成し、第１のガイドパターンに従ってエッチングを行い、配線パターンを形成する。更に、マスク基材の他面に補強部を形成するための第２のガイドパターンを形成し、第２のガイドパターンに従ってエッチングを行い、補強部を形成する。マスク基材の両面からエッチングを行うことで、マスク本体に貫通孔を形成し、また、補強部に凹部を形成し、マスク本体及び補強部を一体的に形成する。このように、マスク基材の一面にエッチングを行って配線パターンを形成する第１エッチング工程と、他面にエッチングを行って補強部を形成する第２エッチング工程とを備えることで、補強部に凹部を形成することができるため、マスク本体の厚さに関係なく配線を形成する基板と補強部との距離を広くすることができ、確実に補強部の凹部を回り込んで配線の金属膜が形成できる。また、補強部と関係なくマスク本体の厚さを薄くすることができるため、より微細な配線パターンを形成することができる。
そして、第１補強体パターンと第２補強体パターンとが交差しており、また、第１補強体と第２補強体との接続部を補強する第３補強体を形成することができるので、強度の高い補強部を形成することができる。 According to the 2nd aspect of this invention, the 1st guide pattern for forming a through-hole is formed in one surface of a mask base material, and it etches according to a 1st guide pattern, and forms a wiring pattern. Furthermore, a second guide pattern for forming a reinforcing portion is formed on the other surface of the mask base material, and etching is performed according to the second guide pattern to form the reinforcing portion. By etching from both sides of the mask base material, a through hole is formed in the mask main body, and a concave portion is formed in the reinforcing portion, so that the mask main body and the reinforcing portion are integrally formed. As described above, the reinforcing portion is provided with the first etching step of forming the wiring pattern by etching on one surface of the mask base material and the second etching step of forming the reinforcing portion by etching on the other surface. Since the concave portion can be formed, the distance between the substrate on which the wiring is formed and the reinforcing portion can be increased regardless of the thickness of the mask main body, and the metal film of the wiring is surely moved around the concave portion of the reinforcing portion. Can be formed. In addition, since the thickness of the mask body can be reduced regardless of the reinforcing portion, a finer wiring pattern can be formed.
And since the 1st reinforcement body pattern and the 2nd reinforcement body pattern cross | intersect, and the 3rd reinforcement body which reinforces the connection part of the 1st reinforcement body and the 2nd reinforcement body can be formed, A strong reinforcing part can be formed.

本発明のマスク製造方法は、前記第１エッチング工程及び前記第２エッチング工程で行うエッチングの深さの合計が、前記マスク基材の厚さより大きくてもよい。   In the mask manufacturing method of the present invention, the total depth of etching performed in the first etching step and the second etching step may be larger than the thickness of the mask base material.

第１エッチング工程で行うエッチングの深さ及び第２エッチング工程で行うエッチングの深さの合計を、マスク基材の厚さより大きくすることで、補強部の凹部の深さは、エッチングの深さの合計とマスク基材の厚さとの差分で簡単に決定することができ、凹部を簡単に形成することができる。   By making the sum of the depth of etching performed in the first etching step and the depth of etching performed in the second etching step larger than the thickness of the mask base material, the depth of the concave portion of the reinforcing portion becomes the etching depth. It can be easily determined by the difference between the total and the thickness of the mask substrate, and the recess can be easily formed.

本発明のマスク製造方法は、前記第１エッチング工程及び前記第２エッチング工程で行うエッチングが、異方性エッチングであってもよい。   In the mask manufacturing method of the present invention, the etching performed in the first etching step and the second etching step may be anisotropic etching.

第１エッチング工程及び第２エッチング工程で行うエッチングを、異方性エッチングで行うことで、マスクに配線パターンを形成する貫通孔の断面形状を鋭角なものにすることができるため、断面形状が半円状になりやすい等方性エッチングで行う場合に比較して、より高精度に配線パターンを形成することができ、より微細な配線パターンを形成することができる。   Since the etching performed in the first etching step and the second etching step is performed by anisotropic etching, the cross-sectional shape of the through hole for forming the wiring pattern in the mask can be made acute, so that the cross-sectional shape is half Compared with the case of isotropic etching that tends to be circular, the wiring pattern can be formed with higher accuracy and a finer wiring pattern can be formed.

本発明のマスク製造方法は、少なくとも前記第２ガイドパターン形成工程を行う以前に、複数の前記貫通孔を形成するためのマスク領域を、マスク基材にエッチングを行うことで形成するマスク領域形成工程を行ってもよい。   In the mask manufacturing method of the present invention, at least before performing the second guide pattern forming step, a mask region forming step for forming a mask region for forming the plurality of through holes by etching the mask base material May be performed.

マスク基材に予めエッチングを行って、配線パターンを形成するためのマスク領域を形成しておくマスク領域形成工程を備えることで、マスク基材の厚さを予め調節することができる。そのため、両面に行うエッチングが行いやすくなり、貫通孔及び補強部の凹部を精度よく形成することができる。   The thickness of the mask base material can be adjusted in advance by providing a mask region forming step in which a mask region for forming a wiring pattern is formed by etching the mask base material in advance. Therefore, it is easy to perform etching on both surfaces, and the through hole and the concave portion of the reinforcing portion can be formed with high accuracy.

本発明の第３の態様に従えば、複数の貫通孔が形成された平板状のマスク本体と、該マスク本体の一面に前記貫通孔を跨いで配設され、前記マスク本体を補強する補強部とを備え、前記マスク本体の前記一面と反対側の面と、前記補強部の前記貫通孔に面している面との間の長さが、前記マスク本体の厚さよりも長いマスクを用いて、基板上に配線を形成する配線基板の製造方法において、前記マスクの他面が前記基板と対向するように前記マスクを位置決めする位置決め工程と、前記一面側から前記基板へ向けて、配線を形成するための材料粒子を飛翔させ、前記基板に配線を形成する配線形成工程とを備える配線基板の製造方法が提供される。   According to the third aspect of the present invention, a flat mask main body in which a plurality of through holes are formed, and a reinforcing portion that is disposed across the through hole on one surface of the mask main body and reinforces the mask main body. And using a mask having a length between a surface opposite to the one surface of the mask body and a surface facing the through hole of the reinforcing portion longer than the thickness of the mask body. In the method of manufacturing a wiring board for forming wiring on the substrate, a positioning step for positioning the mask so that the other surface of the mask faces the substrate, and wiring is formed from the one surface side toward the substrate There is provided a method for manufacturing a wiring board, comprising: a wiring forming step of flying material particles to form a wiring on the substrate.

貫通孔を覆う部分に例えば、貫通孔と連通する領域を画成する凹部を有する補強部が設けられたマスクを使用して、補強部が設けられた面の反対面が基板と対向するようにマスクの位置を決め、補強部が設けられた面の側から配線を形成するための材料粒子を、例えばスパッタ法により飛翔させて基板上に堆積させる。この場合、マスクの補強部には凹部が形成されており、基板の、補強部の影になった部分にも材料粒子が回り込むため、基板上に配線を精度よく形成できる。   For example, by using a mask provided with a reinforcing portion having a recess that defines a region communicating with the through hole in a portion covering the through hole, the surface opposite to the surface provided with the reinforcing portion is opposed to the substrate. The position of the mask is determined, and the material particles for forming the wiring are deposited on the substrate by, for example, sputtering using a sputtering method. In this case, the concave portion is formed in the reinforcing portion of the mask, and the material particles go around the portion of the substrate that is shaded by the reinforcing portion, so that the wiring can be accurately formed on the substrate.

本発明の配線基板の製造方法は、前記マスクの表面に堆積した材料粒子を除去する除去工程を備えてもよい。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention may include a removing step of removing material particles deposited on the surface of the mask.

この場合は、基板上に配線を形成した後、マスクの表面に堆積した材料粒子を除去することで、マスクの貫通孔が材料粒子により閉塞されることがなく、マスクを再利用することが可能であるため、配線基板の製造コストを削減することができる。   In this case, after the wiring is formed on the substrate, the material particles deposited on the surface of the mask are removed, so that the mask's through-holes are not blocked by the material particles, and the mask can be reused. Therefore, the manufacturing cost of the wiring board can be reduced.

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings showing embodiments thereof.

〈第１実施形態〉
図１は、本発明に係るマスクの模式的斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。図において１は平板状のマスク本体であり、マスク本体１には基板１０１に形成すべき金属配線１０２の配線パターンに対応した複数の細長い貫通孔２が形成されている。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic perspective view of a mask according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes a flat mask body, and a plurality of elongated through holes 2 corresponding to the wiring pattern of the metal wiring 102 to be formed on the substrate 101 are formed in the mask body 1.

複数の細長い貫通孔２の一部分は、直線状をなして互いに略平行に配設してある。マスク本体１の上面１Ｕには、複数の角棒状の補強部３が、貫通孔２の略平行に配された部分と交差し、且つ、それぞれの部分を跨ぐように、一定の間隔で設けられている。補強部３を設けることにより、貫通孔２の幅などに歪みが生じることを防止している。補強部３の貫通孔２を跨ぐ部分、つまり、マスク本体１の、貫通孔２が形成されている領域と対向する部分には、略矩形状の凹部４が形成されており、補強部３の形状はアーチ状となっている。即ち、凹部４は、その内部空間が貫通孔２の内部空間と連通するように形成されている。また、凹部４の内面及び貫通孔２の内面は連続した面をなすように形成されている。凹部４を設けることで、マスク本体１の下面１Ｌの貫通孔２の開口部分と補強部３との間隔を広げることができ、スパッタ法などによって金属配線の形成を行う場合に、スパッタされた金属粒子は補強部３を回り込みやすくなる。   A part of the plurality of elongated through holes 2 is arranged in a straight line and substantially parallel to each other. On the upper surface 1U of the mask main body 1, a plurality of square bar-shaped reinforcing portions 3 are provided at regular intervals so as to intersect with the portions of the through-holes 2 that are arranged substantially parallel to each other. ing. Providing the reinforcing portion 3 prevents distortion of the width of the through hole 2 and the like. A substantially rectangular recess 4 is formed in a portion of the reinforcing portion 3 that straddles the through-hole 2, that is, a portion of the mask body 1 that faces the region where the through-hole 2 is formed. The shape is arched. That is, the recess 4 is formed so that its internal space communicates with the internal space of the through hole 2. Further, the inner surface of the recess 4 and the inner surface of the through hole 2 are formed so as to form a continuous surface. By providing the concave portion 4, the gap between the opening portion of the through hole 2 on the lower surface 1L of the mask body 1 and the reinforcing portion 3 can be widened, and when the metal wiring is formed by sputtering or the like, the sputtered metal The particles easily go around the reinforcing portion 3.

マスク本体１の厚さは約２５μｍである。このようにマスク本体１が薄い場合には、マスク本体１に歪みが生じ易く、又はマスク本体１が基板１０１に密着せずに浮き上がった状態となり易い。そのため、基板１０１に形成される金属配線１０２に断線又はショート等が発生する虞がある。この現象は、貫通孔２の幅及び隣り合う貫通孔２の間隔に対して貫通孔の長さが長くなるほど発生しやすい。例えば、貫通孔２の幅及び隣り合う貫通孔２の間隔が約１０μｍの場合、貫通孔２の長さが約２ｍｍ以上で上記不具合が発生することが経験的に認められる。このため、並設された直線状の貫通孔２には、約２ｍｍ以内の間隔で補強部３を設けて、貫通孔２の補強を行うこととした。   The thickness of the mask body 1 is about 25 μm. Thus, when the mask main body 1 is thin, the mask main body 1 is likely to be distorted, or the mask main body 1 is likely to be lifted without being in close contact with the substrate 101. Therefore, the metal wiring 102 formed on the substrate 101 may be broken or short-circuited. This phenomenon is more likely to occur as the length of the through hole becomes longer than the width of the through hole 2 and the interval between the adjacent through holes 2. For example, when the width of the through-hole 2 and the interval between adjacent through-holes 2 are about 10 μm, it is empirically recognized that the above-described problem occurs when the length of the through-hole 2 is about 2 mm or more. For this reason, it was decided to reinforce the through holes 2 by providing the reinforcing portions 3 at intervals of about 2 mm in the linear through holes 2 arranged in parallel.

補強部３の厚さは約２５μｍであり、凹部４の深さは約１５μｍである、また、マスク本体１の厚さは約２５μｍであるので、マスク本体１の下面と補強部３の貫通孔２を覆う部分との間の距離は約４０μｍである。補強部３に凹部４が形成されていない場合は、マスク本体１の下面と補強部３との距離は約２５μｍであるので、凹部４を形成することで距離を約６０％広げることができる。なお、貫通孔２の幅がより狭い場合には、補強部３の厚さを増して、凹部４をより深く形成することで、マスク本体１の下面１Ｌと補強部３の凹部表面４ａとの距離を広げることが望ましい。このマスクを用いて基板上にスパッタ法などで金属配線を形成する場合には、マスク本体１の下面１Ｌと補強部３の凹部表面４ａとの距離を広げることによって、スパッタされた金属粒子が、基板１０１上の、平面視で補強部３の貫通孔２を覆う部分と重なる領域、すなわち、基板１０１上の補強部３の影となる領域に、より回り込みやすくなる。   Since the thickness of the reinforcing portion 3 is about 25 μm, the depth of the concave portion 4 is about 15 μm, and the thickness of the mask body 1 is about 25 μm, the bottom surface of the mask body 1 and the through hole of the reinforcing portion 3 2 is about 40 μm. When the concave portion 4 is not formed in the reinforcing portion 3, the distance between the lower surface of the mask body 1 and the reinforcing portion 3 is about 25 μm. Therefore, by forming the concave portion 4, the distance can be increased by about 60%. In addition, when the width of the through hole 2 is narrower, the thickness of the reinforcing portion 3 is increased and the concave portion 4 is formed deeper, so that the lower surface 1L of the mask body 1 and the concave portion surface 4a of the reinforcing portion 3 are formed. It is desirable to increase the distance. When metal wiring is formed on the substrate by sputtering or the like using this mask, the sputtered metal particles are formed by increasing the distance between the lower surface 1L of the mask body 1 and the concave surface 4a of the reinforcing portion 3. It becomes easier to wrap around a region on the substrate 101 that overlaps the portion covering the through hole 2 of the reinforcing portion 3 in plan view, that is, a region that is a shadow of the reinforcing portion 3 on the substrate 101.

また、マスク本体１及び補強部３はマスク基材から一体的に形成されており、マスク基材にはシリコン又はシリコンを含む化合物等が用いられる。シリコンを含む化合物には、例えばＳｉＣ又はＳｉＮ等がある。シリコン又はシリコンを含む化合物等を用いることで、マスク本体１及び補強部３は、王水又は硝酸等の強酸溶液により溶解する虞がない。   Moreover, the mask main body 1 and the reinforcement part 3 are integrally formed from the mask base material, and silicon or a compound containing silicon is used for the mask base material. Examples of the compound containing silicon include SiC and SiN. By using silicon or a compound containing silicon, the mask main body 1 and the reinforcing portion 3 are not likely to be dissolved by a strong acid solution such as aqua regia or nitric acid.

以上の構成のマスク本体１を用いて、スパッタ法により基板１０１の表面に金属配線１０２を形成する場合には、基板１０１の表面の金属配線１０２が形成される箇所に貫通孔２を位置決めした状態で、マスク本体１の下面を基板１０１の表面に密着させる。マスク本体１には、直線状の貫通孔２と交差するように補強部３が設けられているため、基板１０１にマスクを密着させる場合に生じるマスクの歪みをなくすことができ、また、マスクを基板１０１により密着させることができる。また、補強部３に凹部４を形成することにより、基板１０１の、補強部３の影となる領域にも金属粒子が回り込むため、形成される配線１０２が補強部３によって破断することは極力回避される。   When the metal wiring 102 is formed on the surface of the substrate 101 by the sputtering method using the mask body 1 having the above configuration, the through hole 2 is positioned at the location where the metal wiring 102 is formed on the surface of the substrate 101. Thus, the lower surface of the mask body 1 is brought into close contact with the surface of the substrate 101. Since the mask body 1 is provided with the reinforcing portion 3 so as to intersect with the linear through-hole 2, the mask distortion that occurs when the mask is brought into close contact with the substrate 101 can be eliminated. The substrate 101 can be closely attached. Further, by forming the concave portion 4 in the reinforcing portion 3, the metal particles go around the shadow area of the reinforcing portion 3 of the substrate 101, so that the formed wiring 102 is prevented from being broken by the reinforcing portion 3 as much as possible. Is done.

一般に、金属配線１０２は、マスク本体１の厚さが薄いほど精度よく形成することができる。また、金属粒子の補強部３における回り込みは、補強部３の凹部表面４ａとマスク本体１の下面１Ｌとの距離が離れているほど効率よく行われる。このため、マスク強度の許容範囲内で、できるだけマスク本体１の厚さを薄くし、且つ、補強部３の凹部表面４ａとマスク本体１の下面１Ｌとの距離を離すように、凹部４の深さを設定することが望ましい。   In general, the metal wiring 102 can be formed more accurately as the mask body 1 is thinner. Further, the wraparound of the metal particles in the reinforcing portion 3 is performed more efficiently as the distance between the concave surface 4a of the reinforcing portion 3 and the lower surface 1L of the mask main body 1 increases. For this reason, the depth of the recess 4 is reduced so that the thickness of the mask body 1 is made as thin as possible and the distance between the recess surface 4a of the reinforcing part 3 and the lower surface 1L of the mask body 1 is kept within the allowable range of the mask strength. It is desirable to set the length.

また、マスクはシリコン又はシリコンを含む化合物によって形成されるため、基板１０１に金属配線１０２を形成した後、マスク表面に付着した金属粒子による膜をウエットエッチング処理により除去することが可能である。例えば金属粒子が白金である場合には王水を用い、金属粒子が金である場合には王水又はヨウ化アンモン系の溶液を用い、金属粒子が銀である場合には硝酸系の溶液を用いて、これらの金属粒子を除去することができる。   Further, since the mask is formed of silicon or a compound containing silicon, after the metal wiring 102 is formed on the substrate 101, the film of metal particles attached to the mask surface can be removed by wet etching. For example, when the metal particles are platinum, aqua regia is used, when the metal particles are gold, aqua regia or an ammonium iodide solution is used, and when the metal particles are silver, a nitric acid solution is used. In use, these metal particles can be removed.

補強部３は、複数並設された直線状の貫通孔２に交差するように設けるだけでなく、他の構成とすることもできる。図３乃至図１０は、本発明に係るマスクの補強部３の配設例を示す正面図である。   The reinforcing part 3 is not only provided so as to intersect with a plurality of linear through holes 2 arranged side by side, but may have other configurations. 3 to 10 are front views showing examples of arrangement of the reinforcing portion 3 of the mask according to the present invention.

図３に示す配設例では、８つの直線状の細長の貫通孔２が並設されている場合に、一定の間隔を隔てて配置されている複数の直線状の補強部３は、８つの貫通孔２のそれぞれに跨って、貫通孔２が延在する方向と直交するように並設されている。   In the example of arrangement shown in FIG. 3, when eight straight elongated through holes 2 are arranged in parallel, a plurality of linear reinforcing portions 3 arranged at a predetermined interval are provided as eight through holes. The two holes 2 are arranged in parallel so as to be orthogonal to the direction in which the through holes 2 extend.

図４に示す配設例では、８つの直線状の細長の貫通孔２ａ〜２ｈは、各貫通孔が延在する方向（長手方向）と直交する短手方向に、間隔を隔ててほぼ平行に配設されている。さらに、複数の補強部３ａが、各貫通孔の短手方向の一方側（図４の上側）の４つの貫通孔２ａ〜２ｄのそれぞれに跨って、各貫通孔の短手方向にほぼ平行に設けられている。同様に、複数の補強部３ｂが、各貫通孔の短手方向の他方側（図４の下側）の４つの貫通孔２ｅ〜２ｈのそれぞれに跨って、各貫通孔の短手方向にほぼ平行に設けられている。複数の補強部３ａ，３ｂは、各貫通孔の長手方向に一定の間隔で交互に配置されている。この場合、図３に示すものと比較して、補強部３ａ，３ｂが各貫通孔を跨ぐ部分が少なくなるため、金属配線を形成する際に破断が生じやすい箇所が減り、配線形成の信頼性が向上するという利点がある。   In the arrangement example shown in FIG. 4, the eight straight elongated through holes 2a to 2h are arranged substantially parallel to each other in the short direction perpendicular to the direction (longitudinal direction) in which each through hole extends. It is installed. Further, the plurality of reinforcing portions 3a are substantially parallel to the short direction of each through hole across each of the four through holes 2a to 2d on one side (upper side in FIG. 4) of each through hole. Is provided. Similarly, the plurality of reinforcing portions 3b extend substantially in the short direction of each through hole across each of the four through holes 2e to 2h on the other side (the lower side in FIG. 4) of each through hole. It is provided in parallel. The plurality of reinforcing portions 3a and 3b are alternately arranged at regular intervals in the longitudinal direction of each through hole. In this case, as compared with the one shown in FIG. 3, the portion where the reinforcing portions 3a and 3b straddle each through-hole is reduced, so that the number of places where breakage is likely to occur when forming metal wiring is reduced, and the reliability of wiring formation is reduced. Has the advantage of improving.

図５に示す配設例は、図４に示す配設例の補強部３ａ，３ｂの補強強度を高めたものである。貫通孔２ａ〜２ｈの配置は図４と同様である。図５に示す補強部は、第１の補強体３ｃと第２の補強体３ｄとを備える。第１の補強体３ｃは、貫通孔２ａ〜２ｄ又は貫通孔２ｅ〜２ｈに跨って、各貫通孔が延在する方向と直交する方向に配設される。第２の補強体３ｄは、マスク本体１の、２つの貫通孔２ｂと２ｃ（又は貫通孔２ｆと２ｇ）によって画成される領域１Ｄに、各貫通孔の延在する方向に沿って形成された壁部であり、各貫通孔の延在する方向に隣接する２つの第１の補強体３ｃを互いに連結している。このように、二方向から補強を行うことによって、補強部の補強強度を高めている。   In the example of arrangement shown in FIG. 5, the reinforcing strength of the reinforcing portions 3a and 3b in the example of arrangement shown in FIG. 4 is increased. The arrangement of the through holes 2a to 2h is the same as that in FIG. The reinforcement part shown in FIG. 5 is provided with the 1st reinforcement body 3c and the 2nd reinforcement body 3d. The first reinforcing body 3c is disposed in a direction orthogonal to the direction in which each through hole extends across the through holes 2a to 2d or the through holes 2e to 2h. The second reinforcing body 3d is formed in the region 1D defined by the two through holes 2b and 2c (or the through holes 2f and 2g) of the mask body 1 along the direction in which each through hole extends. Two first reinforcing bodies 3c that are adjacent to each other in the extending direction of each through hole. Thus, the reinforcement strength of the reinforcement part is raised by reinforcing from two directions.

図６に示す配設例では、図４、５と同じく８つの直線状の貫通孔２ａ〜２ｈが並設されている。補強部３は、８つの貫通孔２ａ〜２ｈをそれぞれを跨いで、各貫通孔が延在する方向と約４５度の角度をもって延在する第１の補強体３ｅと、同じく８つの貫通孔２ａ〜２ｈをそれぞれを跨いで延在し、且つ、第１の補強体３ｅと同一平面上で直交する第２の補強体３ｆとを備え、二方向から補強を行っている。   In the arrangement example shown in FIG. 6, eight linear through holes 2 a to 2 h are arranged in parallel as in FIGS. The reinforcing portion 3 includes the first reinforcing body 3e extending across the eight through holes 2a to 2h and extending at an angle of about 45 degrees with the direction in which each through hole extends, and the eight through holes 2a. The second reinforcing body 3f that extends through 2h and is orthogonal to each other on the same plane as the first reinforcing body 3e is reinforced from two directions.

図７に示す配設例では、屈曲部分を有する折れ線状の９つの貫通孔２が並設されている。すなわち、各貫通孔は、水平方向に延在する部分と垂直方向に延在する部分とが屈曲部分において交差している。各貫通孔の屈曲部分は、水平方向に対して約４５度の角度をなす方向沿って一列に並んでおり、補強部３ｇは、この方向に沿って各貫通孔の屈曲部分をそれぞれ跨ぐように設けられている。これにより、歪みが最も生じやすい、配線パターンの屈曲部分を確実に補強することができる。   In the arrangement example shown in FIG. 7, nine broken line-shaped through holes 2 having bent portions are arranged in parallel. That is, in each through hole, a portion extending in the horizontal direction and a portion extending in the vertical direction intersect at a bent portion. The bent portions of each through hole are arranged in a line along a direction that forms an angle of about 45 degrees with respect to the horizontal direction, and the reinforcing portion 3g straddles the bent portion of each through hole along this direction. Is provided. As a result, the bent portion of the wiring pattern where distortion is most likely to occur can be reliably reinforced.

図８及び図９には、貫通孔２内に島状部分を有する場合の補強部３の配設例が示されている。ここで、島状部分とは、補強部を除いた場合に、全周囲が貫通孔により画成されている部分のことである。図８には、２つの大きさの異なる矩形状の配線を同心で形成するためのマスクの例が示されている。図８では、マスク本体１は、略矩形の形状の第１の島状部分８４ａと、第２の島状部分８４ｂと、マスク外周部分８４ｃと、補強部３とを備える。第２の島状部分８４ｂは、第１の島状部分８４ａの周囲に一定の幅で形成された、平面視で略矩形枠の形状の貫通孔８２ａと、貫通孔８２ａと同心であって且つ一回り大きな略矩形枠の形状に形成された貫通孔８２ｂとによって画成される。マスク外周部分８４ｃは、第２の島状部分８４ｂの外側に貫通孔８２ｂを隔てて配置されている。補強部３は、第１の島状部分８４ａ及び第２の島状部分８４ｂの対角線方向に沿って四隅に１つづつ配置されている。各補強部３は、第１の島状部分８４ａの角部、第２の島状部分８４ｂの角部及びマスク外周部分８４ｃを結んで固定しており、貫通孔８４ａ、８４ｂをそれぞれを跨いで配設されている。このように、補強部３のないマスクでは実現不可能である島状部分を有するマスクを用いて配線パターンを形成できる。   8 and 9 show an example of the arrangement of the reinforcing portion 3 when the through-hole 2 has an island-like portion. Here, the island-shaped portion is a portion in which the entire periphery is defined by the through hole when the reinforcing portion is removed. FIG. 8 shows an example of a mask for forming two rectangular wirings having different sizes concentrically. In FIG. 8, the mask body 1 includes a first island-shaped portion 84 a having a substantially rectangular shape, a second island-shaped portion 84 b, a mask outer peripheral portion 84 c, and the reinforcing portion 3. The second island-shaped portion 84b is formed with a constant width around the first island-shaped portion 84a, and is substantially concentric with the through-hole 82a and a through-hole 82a having a substantially rectangular frame shape in plan view. It is defined by a through hole 82b formed in a substantially rectangular frame shape. The mask outer peripheral portion 84c is disposed outside the second island-shaped portion 84b with a through hole 82b therebetween. The reinforcing portions 3 are arranged one by one at the four corners along the diagonal direction of the first island-shaped portion 84a and the second island-shaped portion 84b. Each reinforcing portion 3 connects and fixes the corner portion of the first island-shaped portion 84a, the corner portion of the second island-shaped portion 84b, and the mask outer peripheral portion 84c, and straddles the through holes 84a and 84b. It is arranged. In this way, the wiring pattern can be formed using a mask having island-like portions that cannot be realized with a mask without the reinforcing portion 3.

図９に示すマスクでは、マスク外周部分９４ａに形成された大きな矩形状の貫通孔２の内部に、２５個の円形の島状部分９４ｂが並設されている。島状部分９４ｂは、５行５列のマトリクス状に配置されており、マトリクスの行方向及び列方向は、貫通孔２の外周の形状である矩形の横方向及び縦方向にそれぞれ平行である。島状部分９４ｂは、各行及び各列において、直線状の補強部３によって連結されてマスク外周部分９４ａに固定されている。   In the mask shown in FIG. 9, 25 circular island portions 94b are juxtaposed inside the large rectangular through hole 2 formed in the mask outer peripheral portion 94a. The island portions 94b are arranged in a matrix of 5 rows and 5 columns, and the row direction and the column direction of the matrix are parallel to the horizontal direction and the vertical direction of the rectangle that is the shape of the outer periphery of the through hole 2, respectively. The island portions 94b are fixed to the mask outer peripheral portion 94a by being connected by the linear reinforcing portion 3 in each row and each column.

図１０には、実際の配線に近い形状の配線パターンを形成するためのマスクの配設例が示されている。図３及び図７に示したマスクの配設例を組み合わせたものである。マスク本体１には、３つの平面視略矩形状の貫通孔２０ｃが形成され、それぞれの貫通孔２０ｃの一辺の略中央から貫通孔の外側に向かって直線状に延びる細長の貫通孔２０ａが形成されている。ここで、３つの貫通孔２０ａは、ほぼ平行に形成されている。３つの貫通孔２０ｃは、貫通孔２０ａが延在する長手方向と直交する短手方向には一定の間隔を隔てて形成されており、長手方向には、中央の貫通孔２０ｃが両端の２つの貫通孔２０ｃよりも貫通孔２０ａが延びる向きにずれて配置されている。両端の貫通孔２０ｃの間には、貫通孔２０ａの長手方向に延在する６本の細長い貫通孔２０ｂが形成されている。貫通孔２０ｂは、中央の貫通孔２０ｃと交差することを回避するために、貫通孔２０ａの短手方向両側の３本ずつが、それぞれ貫通孔２０ａの短手方向両側に向かって屈曲し、さらに中央の貫通孔２０ｃの外側で貫通孔２０ａの長手方向に向かって屈曲するように形成されている。つまり、６つの細長い貫通孔２０ｂは、３本づつの２つのグループに分かれて中央の貫通孔２０ｃを避けつつ、貫通孔２０ａの長手方向に延在している。平行に延びる複数の細長い貫通孔２０ｂが形成されている部分には、図３で示した例と同様に、貫通孔２０ｂの延在方向と直交する補強部３０ａが、複数の貫通孔２０ｂそれぞれを跨いで配設されている。また、複数の貫通孔２０ｂの屈曲部分が並設されている部分には、図７で示した例と同様に、屈曲部分それぞれを跨ぐ補強部３０ｂが配設されている。   FIG. 10 shows an arrangement example of a mask for forming a wiring pattern having a shape close to an actual wiring. This is a combination of the arrangement examples of the masks shown in FIGS. The mask main body 1 is formed with three through-holes 20c having a substantially rectangular shape in plan view, and an elongated through-hole 20a extending linearly from the approximate center of one side of each through-hole 20c toward the outside of the through-hole. Has been. Here, the three through holes 20a are formed substantially in parallel. The three through-holes 20c are formed at regular intervals in the short direction perpendicular to the longitudinal direction in which the through-hole 20a extends. The through hole 20a is displaced from the through hole 20c in the extending direction. Between the through holes 20c at both ends, six elongated through holes 20b extending in the longitudinal direction of the through hole 20a are formed. Three through holes 20b on both sides in the short direction of the through hole 20a are bent toward both sides in the short direction of the through hole 20a in order to avoid crossing the central through hole 20c. It is formed to bend toward the longitudinal direction of the through hole 20a outside the central through hole 20c. That is, the six elongated through holes 20b are divided into two groups of three, and extend in the longitudinal direction of the through hole 20a while avoiding the central through hole 20c. In a portion where a plurality of elongated through holes 20b extending in parallel are formed, a reinforcing portion 30a orthogonal to the extending direction of the through holes 20b is provided to each of the plurality of through holes 20b, as in the example shown in FIG. It is arranged straddling. Further, similarly to the example shown in FIG. 7, a reinforcing portion 30 b straddling each of the bent portions is disposed at a portion where the bent portions of the plurality of through holes 20 b are arranged side by side.

次に、上述のマスクを製造するための製造方法について説明する。図１１は、本発明に係るマスクの製造方法のマスク領域形成工程を示す模式図であり、図１１においては、上から下へ順番に製造工程でのマスクの状態を時系列で示しており、また、図の左側にマスクの断面図を、右側に断面図に対応する平面図を示してある。   Next, a manufacturing method for manufacturing the above-described mask will be described. FIG. 11 is a schematic diagram showing a mask region forming step of the method for manufacturing a mask according to the present invention. In FIG. 11, the state of the mask in the manufacturing step is shown in time series from top to bottom, Further, a cross-sectional view of the mask is shown on the left side of the figure, and a plan view corresponding to the cross-sectional view is shown on the right side.

図１１（ａ）に加工前のウエハ１０を示す。本実施形態では、本発明に係るマスクは円板状の４インチのシリコン製ウエハ１０から製造される。ウエハ１０の厚さＤ０は約５００μｍである。本発明のマスクは、ウエハ１０に一辺が略１０ｍｍの略正方形状で、厚さが略５０μｍの領域（マスク領域）を４４個形成し、該領域に複数の貫通孔を穿設することで形成される。以下、マスクの製造方法について詳述する。 FIG. 11A shows the wafer 10 before processing. In this embodiment, the mask according to the present invention is manufactured from a disk-shaped 4 inch silicon wafer 10. The thickness D 0 of the wafer 10 is about 500 μm. The mask of the present invention is formed by forming 44 regions (mask regions) having a substantially square shape with a side of approximately 10 mm and a thickness of approximately 50 μm on the wafer 10 and drilling a plurality of through holes in the region. Is done. Hereinafter, the mask manufacturing method will be described in detail.

まず、ウエハ１０の全面にレジストを塗布する。次に４４個のマスク領域に対応した開口を有する露光用のマスクを介してレジストを露光し、その後、現像によりレジストの露光された部分を除去する。これにより、一辺の長さＷR0が約１０ｍｍの略正方形状の開口を４４個有するレジストマスク１１が形成される。レジストマスク１１が形成された後の状態を図１１（ｂ）に示す。具体的には、化薬マイクロケム製のレジストＳＵ−８を、ミカサ製のスピンコータＩＨ−ＤＸ２を用いてウエハ１０の全面に塗布し、ウシオ製の露光機ＳＥ−５７１を用いて露光した後、酢酸２−プロピル系の現像液を用いて現像することで形成する。典型的には、形成されるレジストマスク１１の厚さＤR0は約４０μｍである。 First, a resist is applied to the entire surface of the wafer 10. Next, the resist is exposed through an exposure mask having openings corresponding to 44 mask regions, and then the exposed portion of the resist is removed by development. As a result, a resist mask 11 having 44 substantially square openings having a side length W R0 of about 10 mm is formed. FIG. 11B shows a state after the resist mask 11 is formed. Specifically, a resist SU-8 made by Kayaku Microchem is applied to the entire surface of the wafer 10 using a spin coater IH-DX2 made by Mikasa and exposed using an exposure machine SE-571 made by Ushio, It is formed by developing using a 2-propyl acetate developer. Typically, the thickness D R0 of the resist mask 11 to be formed is about 40 μm.

次いで、レジストマスク１１が塗布されたウエハ１０にエッチングを行う。エッチングは異方性エッチングであり、例えば、ＳＴＳ製のエッチング装置ＭＵＬＴＩＰＬＥＸ−ＡＳＥ−ＨＲＭを用い、ＢｏｓｃｈプロセスにてＳＦ6 ガス及びＣ4 Ｆ8 ガスで交互に処理することで行われる。エッチング後の状態を図１１（ｃ）に示す。このときのエッチングの条件は、速度５μｍ／ｍｉｎ、選択比５０：１、アスペクト比３０：１である。また、エッチングの深さＤE0は約４５０μｍである。 Next, the wafer 10 coated with the resist mask 11 is etched. The etching is anisotropic etching, and is performed, for example, by using an etching apparatus MULTIPLEX-ASE-HRM manufactured by STS and alternately processing with SF 6 gas and C 4 F 8 gas in the Bosch process. The state after the etching is shown in FIG. The etching conditions at this time are a speed of 5 μm / min, a selection ratio of 50: 1, and an aspect ratio of 30: 1. The etching depth D E0 is about 450 μm.

次いで、ウエハ１０の表面に形成されていたレジストマスク１１の剥離を行う。レジストマスク１１の剥離は、例えば、アルキルベンゼン系の剥離液を用いて行う。レジストマスク１１の剥離後の状態を図１１（ｄ）に示す。レジストマスク１１の剥離を行うと、マスク領域の形成工程は終了し、ウエハ１０に４４個のマスク領域１２が形成される。各マスク領域１２は、一辺の長さが約１０ｍｍの正方形状で、厚さＤ1が約５０μｍの平板状である。 Next, the resist mask 11 formed on the surface of the wafer 10 is peeled off. The resist mask 11 is peeled using, for example, an alkylbenzene-based stripping solution. FIG. 11D shows a state after the resist mask 11 is peeled off. When the resist mask 11 is peeled off, the mask region forming process is completed, and 44 mask regions 12 are formed on the wafer 10. Each mask region 12 has a square shape with a side length of about 10 mm and a flat plate shape with a thickness D 1 of about 50 μm.

図１２及び図１３は、本発明に係るマスクの製造方法の貫通孔２、補強部３及び凹部４を形成する工程を示す模式図である。図１２及び図１３では、製造工程でのマスクの状態を上から下へ順に時系列で示しており、また、図の左側にマスクの断面図を、右側に断面図に対応する平面図を示している。また、図１２及び図１３は、図１１のマスク領域１２の１つを拡大して示している。マスク領域１２には、平行に配設された直線状の細長い貫通孔２と、全ての貫通孔２を跨ぎ、且つ、貫通孔２の延在する方向と直交する補強部３が形成される。これは図３に示した貫通孔２及び補強部３の配設例に対応するものである。   12 and 13 are schematic views showing a process of forming the through hole 2, the reinforcing portion 3, and the recess 4 in the mask manufacturing method according to the present invention. In FIGS. 12 and 13, the state of the mask in the manufacturing process is shown in time series from top to bottom, and the cross-sectional view of the mask is shown on the left side of the figure, and the plan view corresponding to the cross-sectional view is shown on the right side. ing. 12 and 13 show an enlarged view of one of the mask regions 12 in FIG. In the mask region 12, a linear elongated through hole 2 arranged in parallel and a reinforcing portion 3 that extends over all the through holes 2 and is orthogonal to the direction in which the through holes 2 extend are formed. This corresponds to the arrangement example of the through hole 2 and the reinforcing portion 3 shown in FIG.

図１２（ａ）は、図１１（ａ）〜（ｄ）を参照して説明したマスク領域形成工程で形成したマスク領域１２の一部を拡大したものである。平板状のマスク基材１０ａの厚さＤ１は約５０μｍである。 FIG. 12A is an enlarged view of a part of the mask region 12 formed in the mask region forming process described with reference to FIGS. 11A to 11D. The thickness D 1 of the flat plate-shaped mask base material 10a is about 50 [mu] m.

まず、第１ガイドパターン形成工程を行う。第１ガイドパターン形成工程では、平板状のマスク基材１０ａの表面に、貫通孔２及び凹部４をエッチングにより形成するための開口を有するレジストパターン（第１ガイドパターン）１５の形成を行う。レジストパターン１５を形成した後の状態を図１２（ｂ）に示す。なお、レジストパターン１５の塗布は図１１（ｂ）に示す工程で用いたものと同様の機器を用いて行う。   First, a first guide pattern forming process is performed. In the first guide pattern forming step, a resist pattern (first guide pattern) 15 having openings for forming the through holes 2 and the recesses 4 by etching is formed on the surface of the flat mask base material 10a. The state after forming the resist pattern 15 is shown in FIG. The resist pattern 15 is applied using the same equipment as that used in the step shown in FIG.

次いで、第１エッチング工程を行う。第１エッチング工程では、第１ガイドパターン形成工程で形成したレジストパターン１５に従って、マスク基材１０ａの一面（表面）に異方性エッチングを行って溝２ａを形成する。これらの溝２ａは、後に貫通孔２及び凹部４となる。エッチング後の状態を図１２（ｃ）に示す。エッチングの深さＤE1は、約４０μｍであるので、マスク基材１０ａを貫通しない。なお、エッチングは図１１（ｃ）に示す工程で用いたものと同様の機器を用いて行う。 Next, a first etching process is performed. In the first etching step, the groove 2a is formed by performing anisotropic etching on one surface (front surface) of the mask base material 10a according to the resist pattern 15 formed in the first guide pattern forming step. These grooves 2 a later become the through holes 2 and the recesses 4. The state after etching is shown in FIG. Since the etching depth D E1 is about 40 μm, it does not penetrate the mask base material 10a. Etching is performed using the same equipment as that used in the step shown in FIG.

次いで、第１剥離工程を行う。第１剥離工程では、第１ガイドパターン形成工程でマスク基材１０ａの表面に形成されたレジストパターン１５の剥離を行う。レジストパターン１５を剥離した後の状態を図１２（ｄ）に示す。なお、レジストパターン１５の剥離は図１１（ｄ）に示す工程と同様の方法で行う。   Next, a first peeling process is performed. In the first peeling step, the resist pattern 15 formed on the surface of the mask base material 10a in the first guide pattern forming step is peeled off. FIG. 12D shows a state after the resist pattern 15 is peeled off. The resist pattern 15 is peeled by the same method as the step shown in FIG.

次いで、レジストパターン１５を剥離した後のマスク基材１０ａを反転させる。マスク基材１０ａを反転させた状態を図１３（ａ）に示す。マスク基材１０ａを反転させるのは、補強部３を形成するために、マスク基材１０ａの反対面（裏面）に対してエッチングを行うためである。   Next, the mask substrate 10a after the resist pattern 15 is peeled is inverted. FIG. 13A shows a state in which the mask base material 10a is inverted. The reason why the mask base material 10a is inverted is that etching is performed on the opposite surface (back surface) of the mask base material 10a in order to form the reinforcing portion 3.

次いで、第２ガイドパターン形成工程を行う。第２ガイドパターン形成工程では、反転させたマスク基材１０ａの表面に、エッチングにより補強部３を形成するためのパターンであるレジストパターン（第２ガイドパターン）１６の形成を行う。レジストパターン１６を形成した後の状態を図１３（ｂ）に示す。なお、レジストパターン１６の形成は図１１（ｂ）に示す工程で用いたものと同様の機器を用いて行う。   Next, a second guide pattern forming process is performed. In the second guide pattern forming step, a resist pattern (second guide pattern) 16 that is a pattern for forming the reinforcing portion 3 by etching is formed on the surface of the inverted mask base material 10a. FIG. 13B shows a state after the resist pattern 16 is formed. The resist pattern 16 is formed using the same equipment as that used in the step shown in FIG.

次いで、第２エッチング工程を行う。第２ガイドパターン形成工程にて形成されたレジストパターン１６に従って、マスク基材１０ａに異方性エッチングを行い、補強部３を形成する。エッチングにより補強部３を形成した後の状態を図１３（ｃ）に示す。このとき行うエッチングの深さＤE2は約２５μｍであり、第２エッチング工程で行うエッチングの深さＤE2と、第１エッチング工程で行うエッチングの深さＤE1と、（ｅ）でのマスク基材１０ａの厚さＤ１との関係は、以下に示す式で表される。 Next, a second etching process is performed. According to the resist pattern 16 formed in the second guide pattern forming step, anisotropic etching is performed on the mask base material 10a to form the reinforcing portion 3. FIG. 13C shows a state after the reinforcing portion 3 is formed by etching. The etching depth D E2 performed at this time is about 25 μm, the etching depth D E2 performed in the second etching step, the etching depth D E1 performed in the first etching step, and the mask base in (e). relation between the thickness D 1 of the timber 10a is represented by the formula shown below.

ＤE1＋ＤE2＞Ｄ1 ・・・（１）
このため、第１エッチング工程で形成された溝は、第２エッチング工程によりマスク基材１０ａの裏面からエッチングされることによって貫通孔となる。なお、エッチングは図１１（ｃ）に示す工程で用いたものと同様の機器を用いて行う。 D E1 + D E2 > D 1 (1)
For this reason, the groove | channel formed at the 1st etching process turns into a through-hole by being etched from the back surface of the mask base material 10a by a 2nd etching process. Etching is performed using the same equipment as that used in the step shown in FIG.

次いで、第２剥離工程を行う。第２剥離工程では、第２ガイドパターン形成工程にて形成したレジストパターン１６を剥離する。レジストパターン１６を剥離した後の状態を図１３（ｄ）に示す。なお、レジストパターン１６の剥離は図１１（ｄ）に示す工程と同様の方法で行う。   Next, a second peeling process is performed. In the second peeling step, the resist pattern 16 formed in the second guide pattern forming step is peeled off. FIG. 13D shows a state after the resist pattern 16 is peeled off. The resist pattern 16 is peeled by the same method as that shown in FIG.

以上の製造工程により、補強部３及び凹部４を有し、貫通孔２が形成されたマスクを製造することができる。マスク本体１の厚さＤM1は、マスク基材１０ａの厚さＤ1 及び第２エッチング工程でのエッチングの深さＤE2で決まり、これらの間には以下の式（２）で表される関係がある。また、凹部４の深さＤＭ４は、マスク基材１０ａの厚さＤ1 、第１エッチング工程でのエッチングの深さＤE1及び第２エッチング工程でのエッチングの深さＤE2で決まり、これらの間には以下の式（３）で表される関係がある。本実施形態では、マスク本体１の厚さＤM1は約２５μｍであり、凹部４の深さＤM4は約１５μｍである。また、マスク本体１の下面と補強部３の貫通孔２を覆う部分との距離は、第１エッチング工程でのエッチングの深さＤE1に等しい。 Through the above manufacturing process, a mask having the reinforcing portion 3 and the concave portion 4 and having the through hole 2 can be manufactured. The thickness D M1 of the mask body 1 is determined by the etching depth D E2 of a thickness D 1 and a second etching step of mask substrate 10a, between which is represented by the following formula (2) There is a relationship. The depth D M4 of the recess 4 is determined by the thickness D 1 of the mask substrate 10a, the etching depth D E1 in the first etching step, and the etching depth D E2 in the second etching step. There is a relationship represented by the following equation (3). In the present embodiment, the thickness D M1 of the mask body 1 is about 25 μm, and the depth D M4 of the recess 4 is about 15 μm. Further, the distance between the lower surface of the mask body 1 and the portion covering the through hole 2 of the reinforcing portion 3 is equal to the etching depth D E1 in the first etching step.

ＤM1＝Ｄ1 −ＤE2 ・・・（２）
ＤM4＝（ＤE1＋ＤE2）−Ｄ1 ・・・（３）
マスク基材１０ａを両面からエッチングすることで、補強部３の貫通孔２を覆う部分に凹部４を有するマスクを製造することができ、マスク本体１の厚さＤM1は第２エッチング工程でのエッチングの深さで決定でき、補強部３とマスク本体１の下面との距離は第１エッチング工程でのエッチングの深さで決定できる。このため、マスク強度の許容範囲内で、マスク本体１の厚さは薄く、補強部３とマスク本体１の下面との距離を離すように、マスクを形成することができる。 D M1 = D 1 −D E2 (2)
D M4 = (D E1 + D E2 ) −D 1 (3)
By etching the mask base material 10a from both sides, a mask having a recess 4 in the portion covering the through hole 2 of the reinforcing portion 3 can be manufactured, and the thickness D M1 of the mask body 1 is determined in the second etching step. The distance between the reinforcing portion 3 and the lower surface of the mask body 1 can be determined by the etching depth in the first etching step. For this reason, the mask body 1 is thin within the allowable range of the mask strength, and the mask can be formed such that the distance between the reinforcing portion 3 and the lower surface of the mask body 1 is increased.

図１４は、本発明に係るマスクを用いて基板上に配線を形成する製造工程を示す模式図である。なお、図１４においては、製造工程でのマスク及び基板の状態を（ａ）からＥへ順に時系列で示している。   FIG. 14 is a schematic diagram showing a manufacturing process for forming wiring on a substrate using the mask according to the present invention. In FIG. 14, the states of the mask and the substrate in the manufacturing process are shown in chronological order from (a) to E.

まず、マスクを基板１０１に対して位置決めする。マスクの位置決めを行った後の状態を図１４（ａ）に示す。マスクは、マスク本体１の補強部３が設けられていない側の面が基板１０１に対向するように、基板１０１に密着させて又は基板１０１と一定の間隔を開けて配される。   First, the mask is positioned with respect to the substrate 101. FIG. 14A shows a state after the mask is positioned. The mask is arranged in close contact with the substrate 101 or at a certain distance from the substrate 101 so that the surface of the mask body 1 on which the reinforcing portion 3 is not provided faces the substrate 101.

次いで、基板１０１に配線を形成するために、マスクの補強部３が設けられている面（上面）側から、例えばスパッタ法によって白金又は金等の金属粒子１０３を飛翔させ基板１０１上に堆積させる。金属粒子１０３を堆積させる様子を図１４（ｂ）に示し、金属粒子１０３の堆積を終えた状態を図１４（ｃ）に示す。金属粒子１０３を堆積させると、基板１０１上に堆積した金属粒子１０３が金属配線を形成し、配線基板の形成が完了する。このとき、マスク本体１及び補強部３の上面に金属粒子１０３が付着して金属膜１０４をなす。   Next, in order to form wiring on the substrate 101, metal particles 103 such as platinum or gold are ejected from the surface (upper surface) side where the mask reinforcement portion 3 is provided, for example, by sputtering, and deposited on the substrate 101. . FIG. 14B shows a state in which the metal particles 103 are deposited, and FIG. 14C shows a state in which the metal particles 103 have been deposited. When the metal particles 103 are deposited, the metal particles 103 deposited on the substrate 101 form metal wiring, and the formation of the wiring substrate is completed. At this time, the metal particles 103 adhere to the upper surfaces of the mask body 1 and the reinforcing portion 3 to form the metal film 104.

次いで、金属膜１０４の除去工程を行う。除去工程では、王水又は硝酸等の強酸溶液を用いて金属膜１０４を溶解して剥離する。金属膜１０４の除去の様子を図１４（ｄ）に示し、金属膜１０４を除去した後のマスクの状態を図１４（ｅ）に示す。金属膜１０４を除去することでマスクを再利用することが可能となる。   Next, a removal process of the metal film 104 is performed. In the removing step, the metal film 104 is dissolved and peeled off using a strong acid solution such as aqua regia or nitric acid. FIG. 14D shows how the metal film 104 is removed, and FIG. 14E shows the state of the mask after the metal film 104 is removed. By removing the metal film 104, the mask can be reused.

なお、本実施の形態において、直線状又は折れ線状等の配線パターンを形成するためのマスクの例を数種類示したが、これに限るものではなく、例えば湾曲した配線が複数並設してある配線パターンなど、その他の形状であってもよい。また、マスクの製造工程において第２ガイドパターン形成工程の前にマスク基材１０ａを反転させるとしたが、反転させなくてもよい。また、本実施の形態で示したマスクの寸法及び加工寸法等は一例であって、これに限定するものではない。また、本実施の形態のマスクの製造工程で示した各工程で用いる製造用の機器、レジスト及び剥離剤等の種類は一例であって、これに限定するものではない。また、本実施の形態のマスク製造工程で行うエッチングの条件は一例であって、これに限定するものではない。さらに、金属粒子１０３を用いた堆積法（成膜法）は上記スパッタ法に限ることなく、真空蒸着法等の一般的な成膜法を用いることもできる。但し、成膜された膜の付着力が強い点や膜厚制御等の簡便さから、上記実施形態ではスパッタ法を用いている。
〈第２実施形態〉
図１５は、第２実施形態に係るマスクの平面図である。図１６は、図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線による断面図であり、図１７は、図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線による断面図である。本実施形態に係るマスクは、図５及び図６に示した第１実施形態に係るマスクと同様に、補強部が互いに交差する第１の補強体及び第２の補強体を備える場合に、第１の補強体及び第２の補強体の交差部分の強度を高めたものである。 In the present embodiment, several examples of masks for forming a wiring pattern such as a straight line or a polygonal line have been shown, but the present invention is not limited to this, for example, a wiring in which a plurality of curved wirings are arranged in parallel. Other shapes such as a pattern may be used. In the mask manufacturing process, the mask base material 10a is inverted before the second guide pattern forming process. The mask dimensions and processing dimensions shown in this embodiment are merely examples, and the present invention is not limited thereto. In addition, the types of manufacturing equipment, resists, release agents, and the like used in each process shown in the mask manufacturing process of the present embodiment are merely examples, and the present invention is not limited thereto. Further, the etching conditions performed in the mask manufacturing process of the present embodiment are merely examples, and the present invention is not limited to these. Further, the deposition method (film formation method) using the metal particles 103 is not limited to the sputtering method, and a general film formation method such as a vacuum evaporation method can also be used. However, the sputtering method is used in the above embodiment because of the strong adhesion of the formed film and the simplicity of film thickness control.
Second Embodiment
FIG. 15 is a plan view of a mask according to the second embodiment. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI in FIG. 15, and FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. Like the mask according to the first embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the mask according to the present embodiment includes the first reinforcing body and the second reinforcing body that the reinforcing portions intersect with each other. The strength of the intersection of the first reinforcing body and the second reinforcing body is increased.

なお、第２実施形態に係るマスクの構成のうち、第１実施形態のマスクの構成と同様の箇所には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。また、本実施形態に係るマスクの製造方法の工程が、第１実施形態のマスクの製造方法の工程と同じである場合には、同一の工程名を付してその詳細な説明を省略する。   Note that, in the mask configuration according to the second embodiment, the same parts as those of the mask configuration according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. Moreover, when the process of the mask manufacturing method according to the present embodiment is the same as the process of the mask manufacturing method of the first embodiment, the same process name is assigned and the detailed description thereof is omitted.

図１５に示すように、マスク本体１には、平行に延在する複数の直線状の細長い貫通孔２が形成されている。補強部３は、それぞれ細長い形状の第１の補強体３ｈと第２の補強体３ｉとを備える。第１の補強体３ｈは貫通孔２の延在する方向と略直交するように配設され、また、第２の補強体３ｉは、第１の補強体３ｈの長手方向と略直交し、貫通孔２の延在する方向に沿って貫通孔２の開口を覆うように、配設される。ただし、第２の補強体３ｉの短手方向の幅は貫通孔２の短手方向の幅より細いので、第２の補強体３ｉにより貫通孔２の開口の全てが覆われることはない。   As shown in FIG. 15, the mask main body 1 is formed with a plurality of straight and elongated through holes 2 extending in parallel. The reinforcing part 3 includes a first reinforcing body 3h and a second reinforcing body 3i each having an elongated shape. The first reinforcing body 3h is disposed so as to be substantially orthogonal to the extending direction of the through hole 2, and the second reinforcing body 3i is substantially orthogonal to the longitudinal direction of the first reinforcing body 3h. It arrange | positions so that the opening of the through-hole 2 may be covered along the direction where the hole 2 is extended. However, since the width of the second reinforcing body 3i in the short direction is narrower than the width of the through hole 2 in the short direction, the second reinforcing body 3i does not cover the entire opening of the through hole 2.

第２の補強体３ｉは、平面視で貫通孔２とほぼ重なる領域に、貫通孔２の長手方向に沿って配設してあり、第２の補強体３ｉは両端部分及び第１の補強体３ｈとの交差部分によってのみ支持されている。このため、第２の補強体３ｉの安定性を高めるため、第１の補強体３ｈ及び第２の補強体３ｉの交差部分の上側（貫通孔２と反対側）に第３の補強体３ｊが設けてある。第３の補強体３ｊは、第１の補強体３ｈ及び第２の補強体３ｉの交差部分の厚さを大きくすることで交差部分を上方へ突出させた態様で設けてあり、これによって第２の補強体３ｉの安定性を高めている。   The second reinforcing body 3i is disposed along the longitudinal direction of the through hole 2 in a region substantially overlapping with the through hole 2 in plan view. The second reinforcing body 3i includes both end portions and the first reinforcing body. Supported only by the intersection with 3h. For this reason, in order to improve the stability of the second reinforcing body 3i, the third reinforcing body 3j is provided on the upper side (opposite the through hole 2) of the intersecting portion of the first reinforcing body 3h and the second reinforcing body 3i. It is provided. The third reinforcing body 3j is provided in such a manner that the intersecting portion protrudes upward by increasing the thickness of the intersecting portion of the first reinforcing body 3h and the second reinforcing body 3i. The stability of the reinforcing body 3i is improved.

図１８、図１９及び図２０は、本実施形態に係るマスクの製造工程を示す模式図である。図１８は貫通孔及び補強部の凹部を形成する工程を示しており、図１９は第１の補強体を形成する工程を示しており、また、図２０は第２の補強体及び第３の補強体を形成する工程を示している。なお、本工程ではマスク領域の形成工程は省略してある。   18, 19 and 20 are schematic views showing the manufacturing process of the mask according to the present embodiment. FIG. 18 shows a step of forming the through hole and the concave portion of the reinforcing portion, FIG. 19 shows a step of forming the first reinforcing body, and FIG. 20 shows the second reinforcing body and the third reinforcing body. The process of forming a reinforcing body is shown. In this step, the mask region forming step is omitted.

図１８（ａ）は、マスク領域形成工程にて形成されたマスク領域の一部を拡大したものである。厚さＤ1 は、平板状のマスク基材１０ａの厚さを示す。本実施形態では、厚さＤ１は約５５μｍである。 FIG. 18A is an enlarged view of a part of the mask region formed in the mask region forming step. The thickness D 1 represents the thickness of the plate-shaped mask base material 10a. In the present embodiment, the thickness D 1 is about 55 .mu.m.

まず、第１ガイドパターン形成工程を行う。第１ガイドパターン形成工程では、平板状のマスク基材１０ａの表面にレジストパターン１７の形成を行う。レジストパターン１７を形成した後の状態を図１８（ｂ）に示す。ここで、レジストパターン１７は、エッチングにより貫通孔２及び凹部４を形成するための開口を有する
次いで、第１エッチング工程を行う。第１エッチング工程では、第１ガイドパターン形成工程にて形成されたレジストパターン１７に従って、マスク基材１０ａに異方性エッチングを行い、後に貫通孔２及び凹部４となる溝２ａを形成する。エッチング後の状態を図１８（ｃ）に示す。このとき行うエッチングの深さＤE1は、約４０μｍであり、マスク基材１０ａを貫通しない。 First, a first guide pattern forming process is performed. In the first guide pattern forming step, a resist pattern 17 is formed on the surface of the flat mask base material 10a. FIG. 18B shows a state after the resist pattern 17 is formed. Here, the resist pattern 17 has openings for forming the through holes 2 and the recesses 4 by etching. Next, a first etching process is performed. In the first etching step, anisotropic etching is performed on the mask base material 10a in accordance with the resist pattern 17 formed in the first guide pattern forming step to form the groove 2a that will later become the through hole 2 and the recess 4. The state after etching is shown in FIG. The etching depth D E1 performed at this time is about 40 μm and does not penetrate the mask base material 10a.

次いで、第１剥離工程を行う。第１剥離工程では、第１ガイドパターン形成工程にてマスク基材１０ａの表面に形成されたレジストパターン１７の剥離を行う。レジストパターン１７を剥離した後の状態を図１８（ｄ）に示す。   Next, a first peeling process is performed. In the first peeling step, the resist pattern 17 formed on the surface of the mask base material 10a in the first guide pattern forming step is peeled off. FIG. 18D shows a state after the resist pattern 17 is peeled off.

次いで、レジストパターン１７を剥離した後のマスク基材１０ａを反転させる。マスク基材１０ａを反転させた状態を図１９（ａ）に示す。マスク基材１０ａを反転させるのは、補強部３を形成するために、マスク基材１０ａの反対面に対してエッチングを行うためである。   Next, the mask substrate 10a after the resist pattern 17 is peeled is inverted. FIG. 19A shows a state where the mask base material 10a is inverted. The reason why the mask base material 10a is inverted is to perform etching on the opposite surface of the mask base material 10a in order to form the reinforcing portion 3.

次いで、第２ガイドパターン形成工程を行う。第２ガイドパターン形成工程では、反転させたマスク基材１０ａの表面にレジストパターン１８の形成を行う。ここで、レジストパターン１８は、補強部３の第１の補強体３ｈをエッチングにより形成するためのパターンである。レジストパターン１８を形成した後の状態を図１９（ｂ）に示す。   Next, a second guide pattern forming process is performed. In the second guide pattern forming step, a resist pattern 18 is formed on the surface of the mask substrate 10a that has been inverted. Here, the resist pattern 18 is a pattern for forming the first reinforcing body 3h of the reinforcing portion 3 by etching. FIG. 19B shows a state after the resist pattern 18 is formed.

次いで、第２エッチング工程を行う。第２ガイドパターン形成工程にて形成されたレジストパターン１８に従って、マスク基材１０ａに異方性エッチングを行い、第１の補強体３ｈを形成する。エッチングにより第１の補強体３ｈを形成した後の状態を図１９（ｃ）に示す。このとき行うエッチングの深さＤE2は約１０μｍであり、この段階では溝２ａはマスク基材１０ａを貫通していない。 Next, a second etching process is performed. According to the resist pattern 18 formed in the second guide pattern forming step, anisotropic etching is performed on the mask base material 10a to form the first reinforcing body 3h. FIG. 19C shows a state after the first reinforcing body 3h is formed by etching. The etching depth D E2 performed at this time is about 10 μm, and the groove 2a does not penetrate the mask base material 10a at this stage.

次いで、第２剥離工程を行う。第２剥離工程では、第２ガイドパターン形成工程にて形成したレジストパターン１８を剥離する。レジストパターン１８を剥離した後の状態を図１９（ｄ）に示す。   Next, a second peeling process is performed. In the second peeling step, the resist pattern 18 formed in the second guide pattern forming step is peeled off. FIG. 19D shows a state after the resist pattern 18 is peeled off.

次いで、第３ガイドパターン形成工程を行う。第３ガイドパターン形成工程では、レジストパターン１９の形成を行う。ここで、レジストパターン１９は、補強部３の第２の補強体３ｉ及び第３の補強体３ｊを形成するためのパターンである。レジストパターン１９を形成した後の状態を図２０（ａ）に示す。レジストパターン１９は、既に形成されている第１の補強体３ｈを跨いで塗布されるが、レジストパターン１９が十分な厚みを持つように塗布を行うことで、ガイドパターンが途切れるなどの虞をなくすことができる。また、第１の補強体３ｈ上に形成されたレジストパターン１９が、第３の補強体３ｊを形成するためのパターンとなる。   Next, a third guide pattern forming process is performed. In the third guide pattern forming step, a resist pattern 19 is formed. Here, the resist pattern 19 is a pattern for forming the second reinforcing body 3 i and the third reinforcing body 3 j of the reinforcing portion 3. The state after forming the resist pattern 19 is shown in FIG. The resist pattern 19 is applied so as to straddle the already formed first reinforcing body 3h. However, by applying the resist pattern 19 so as to have a sufficient thickness, there is no possibility that the guide pattern is interrupted. be able to. The resist pattern 19 formed on the first reinforcing body 3h is a pattern for forming the third reinforcing body 3j.

次いで、第３エッチング工程を行う。第３エッチング工程では、第３ガイドパターン形成工程で形成されたレジストパターン１９に従って、マスク基材１０ａに異方性エッチングを行い、補強部３の第２の補強体３ｉ及び第３の補強体３ｊを形成する。エッチングを行った後の状態を図２０（ｂ）に示す。このとき行うエッチングの深さＤE3は約１０μｍであり、第２エッチング工程で行うエッチングの深さＤE2と、第１エッチング工程で行うエッチングの深さＤE1と、マスク基材１０ａの厚さＤ1 との関係は以下の式で表される。このため、第１エッチング工程で形成された溝２ａは、第３エッチング工程により貫通して、配線パターンを形成するための貫通孔２となる。 Next, a third etching process is performed. In the third etching step, the mask base material 10a is anisotropically etched according to the resist pattern 19 formed in the third guide pattern forming step, and the second reinforcing body 3i and the third reinforcing body 3j of the reinforcing portion 3 are processed. Form. The state after etching is shown in FIG. The etching depth D E3 performed at this time is about 10 μm, the etching depth D E2 performed in the second etching step, the etching depth D E1 performed in the first etching step, and the thickness of the mask base material 10a. relationship between D 1 is expressed by the following equation. For this reason, the groove | channel 2a formed at the 1st etching process penetrates by the 3rd etching process, and becomes the through-hole 2 for forming a wiring pattern.

ＤE1＋ＤE2＋ＤE3＞Ｄ1 ・・・（４）
次いで、第３剥離工程を行う。第３剥離工程では、第３ガイドパターン形成工程にて形成したレジストパターン１９を剥離する。レジストパターン１９の剥離を行った後の状態を図２０（ｃ）に示す。 D E1 + D E2 + D E3 > D 1 (4)
Next, a third peeling process is performed. In the third peeling step, the resist pattern 19 formed in the third guide pattern forming step is peeled off. FIG. 20C shows a state after the resist pattern 19 is peeled off.

以上の製造工程により、補強部３の第１の補強体３ｈ及び第２の補強体３ｉの交差部分に第３の補強体３ｊを形成することができ、第２の補強体３ｉの安定性を高めることができる。また、第１実施形態と同様に、マスク基材１０ａの両面からエッチングを行うことで、第１の補強体３ｈ及び第２の補強体３ｉの貫通孔を覆う部分には、凹部４を形成することができる。   Through the above manufacturing process, the third reinforcing body 3j can be formed at the intersection of the first reinforcing body 3h and the second reinforcing body 3i of the reinforcing portion 3, and the stability of the second reinforcing body 3i can be improved. Can be increased. Similarly to the first embodiment, the recess 4 is formed in the portion covering the through holes of the first reinforcing body 3h and the second reinforcing body 3i by performing etching from both sides of the mask base material 10a. be able to.

なお、第２実施形態に示したマスクの配線パターンは一例であって、これに限るものではなく、例えば、第１実施形態に示した様々な配線パターンに応用することができる。また、第１の補強体３ｈ及び第２の補強体３ｉの強度が十分に強い場合には、第３の補強体３ｊを設けなくてもよい。この場合には、第１実施形態に示す第２ガイドパターン形成工程及び第２エッチング工程にて、第１の補強体３ｈ及び第２の補強体３ｉを同時に形成してもよい。   The wiring pattern of the mask shown in the second embodiment is an example and is not limited to this. For example, the mask wiring pattern can be applied to various wiring patterns shown in the first embodiment. Further, when the strength of the first reinforcing body 3h and the second reinforcing body 3i is sufficiently strong, the third reinforcing body 3j may not be provided. In this case, the first reinforcing body 3h and the second reinforcing body 3i may be formed simultaneously in the second guide pattern forming step and the second etching step shown in the first embodiment.

上記実施形態では、補強部は一定の幅を有する棒状の部材で構成されていたが、図２１に示すように、補強部２０３の、平面視でマスク本体１に形成された貫通孔２と重なる部分２０３ａの幅が他の部分２０３ｂの幅よりも小さくてもよい。補強部２０３をこのような形状とすることによって、このマスクを利用して基板上に金属配線をスパッタ法などで形成する際に、基板上の、補強部の影となる領域にもスパッタされた金属が回り込みやすくなる。   In the above embodiment, the reinforcing portion is formed of a rod-shaped member having a certain width. However, as shown in FIG. 21, the reinforcing portion 203 overlaps with the through hole 2 formed in the mask body 1 in plan view. The width of the portion 203a may be smaller than the width of the other portion 203b. By forming the reinforcing portion 203 in such a shape, when the metal wiring is formed on the substrate by a sputtering method or the like using this mask, the region on the substrate which is a shadow of the reinforcing portion is also sputtered. It becomes easy for metal to wrap around.

なお、上記実施形態では、補強部に形成された凹部の断面形状は略矩形であったが、例えば半円形などの任意の形状にし得る。   In the above-described embodiment, the cross-sectional shape of the concave portion formed in the reinforcing portion is substantially rectangular, but may be any shape such as a semicircular shape.

本発明に係るマスクの模式的斜視図である。It is a typical perspective view of the mask concerning the present invention. 図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。It is sectional drawing by the II-II line of FIG. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 本発明に係るマスクの補強部の配設例を示す正面図である。It is a front view which shows the example of arrangement | positioning of the reinforcement part of the mask which concerns on this invention. 図１１（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るマスクの製造方法のマスク領域形成工程を示す模式図である。FIGS. 11A to 11D are schematic views showing a mask region forming step of the mask manufacturing method according to the present invention. 図１２（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るマスクの製造方法の貫通孔、補強部及び凹部を形成する工程を示す模式図である。12 (a) to 12 (d) are schematic views showing steps of forming a through hole, a reinforcing portion, and a concave portion in the mask manufacturing method according to the present invention. 図１３（ａ）〜（ｄ）は本発明に係るマスクの製造方法の貫通孔、補強部及び凹部を形成する工程を示す模式図である。FIGS. 13A to 13D are schematic views showing steps of forming a through hole, a reinforcing portion, and a recess in the mask manufacturing method according to the present invention. 図１４（ａ）〜（ｅ）は本発明に係るマスクを用いて基板上に配線を形成する製造工程を示す模式図である。14A to 14E are schematic views showing a manufacturing process for forming a wiring on a substrate using the mask according to the present invention. 本発明の第２実施形態に係るマスクの平面図である。It is a top view of the mask concerning a 2nd embodiment of the present invention. 図１５のＸＶＩ−ＸＶＩ線による断面図である。It is sectional drawing by the XVI-XVI line | wire of FIG. 図１５のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線による断面図である。It is sectional drawing by the XVII-XVII line of FIG. 図１８（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態に係るマスクの製造工程を示す模式図である。FIGS. 18A to 18D are schematic views showing a mask manufacturing process according to the second embodiment of the present invention. 図１９（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２実施形態に係るマスクの製造工程を示す模式図である。FIGS. 19A to 19D are schematic views showing a mask manufacturing process according to the second embodiment of the present invention. 図２０（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態に係るマスクの製造工程を示す模式図である。FIGS. 20A to 20C are schematic views showing a mask manufacturing process according to the second embodiment of the present invention. 異なる幅を有する補強部を備えるマスクの平面図である。It is a top view of a mask provided with the reinforcement part which has a different width | variety.

符号の説明Explanation of symbols

１ マスク本体
２ 貫通孔
３、３０ａ、３０ｂ 補強部
３ａ、３ｃ、３ｅ、３ｈ 第１の補強体
３ｂ、３ｄ、３ｆ、３ｉ 第２の補強体
３ｊ 第３の補強体
４ 凹部
１０ ウエハ（マスク基材）
１０ａ マスク基材
１１ レジストマスク
１５、１６、１７、１８、１９ レジストパターン
１２ マスク領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask main body 2 Through-hole 3, 30a, 30b Reinforcement part 3a, 3c, 3e, 3h 1st reinforcement body 3b, 3d, 3f, 3i 2nd reinforcement body 3j 3rd reinforcement body 4 Recessed part 10 Wafer (mask base Material)
10a mask base material 11 resist mask 15, 16, 17, 18, 19 resist pattern 12 mask region

Claims (16)

直線状の貫通孔が形成された平板状のマスク本体と、該マスク本体の一面に前記貫通孔を跨いで配設され、前記マスク本体を補強する補強部とを備えるマスクにおいて、
前記マスク本体の前記一面と反対側の面と、前記補強部の前記貫通孔に面している面との間の長さが、前記マスク本体の厚さよりも長く、
前記補強部は、前記貫通孔を跨いで配設された第１の補強体と、平面視で前記貫通孔と重なる領域で前記第１の補強体と交差し、平面視で前記貫通孔の一部と重なる領域に配設された第２の補強体とを有し、
前記第１の補強体と第２の補強体とが交差する部分は、前記第１の補強体及び第２の補強体の他の部分よりも厚いことを特徴とするマスク。 In a mask comprising a flat mask main body in which a linear through hole is formed, and a reinforcing portion that is disposed across the through hole on one surface of the mask main body and reinforces the mask main body,
Wherein the one surface of the mask body and the opposite surface, a length between said that surface facing the through hole of the reinforcing section is rather long than the thickness of said mask body,
The reinforcing portion intersects the first reinforcing body disposed across the through hole and the first reinforcing body in a region overlapping with the through hole in a plan view, and one of the through holes in the plan view. A second reinforcing body disposed in a region overlapping the portion,
It said first reinforcing member and the portion where the second reinforcing member intersect, the first reinforcing member and a second mask, wherein the thickness Ikoto than other portions of the reinforcing member. 前記第２の補強体は、前記貫通孔と平行に形成されており、平面視で前記貫通孔の幅よりも細い幅に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマスク。2. The mask according to claim 1, wherein the second reinforcing body is formed in parallel with the through hole, and has a width smaller than the width of the through hole in plan view. 前記第１の補強体は、前記貫通孔の開口を覆う部分に凹部が形成され、前記凹部によって画定される領域は前記貫通孔と連通していることを特徴とする請求項１に記載のマスク。 2. The mask according to claim 1, wherein the first reinforcing body has a recess formed in a portion covering the opening of the through hole, and a region defined by the recess communicates with the through hole. . 前記凹部は前記貫通孔と重なる領域に渡って形成され、前記凹部の内面及び前記貫通孔によって画定される前記マスク本体の面が連続した面であることを特徴とする請求項３に記載のマスク。 The mask according to claim 3 , wherein the recess is formed over a region overlapping with the through hole, and an inner surface of the recess and a surface of the mask body defined by the through hole are continuous surfaces. . 前記マスク本体及び前記補強部は、シリコン又はシリコンを含む化合物を用いてなることを特徴とする請求項１に記載のマスク。   The mask according to claim 1, wherein the mask main body and the reinforcing portion are made of silicon or a compound containing silicon. 前記マスク本体及び前記補強部は、一体形成してあることを特徴とする請求項１に記載のマスク。   The mask according to claim 1, wherein the mask main body and the reinforcing portion are integrally formed. 前記マスク本体に複数の直線状の貫通孔が並設してあり、
前記補強部が、複数の前記貫通孔を跨いで配設してあることを特徴とする請求項１に記載のマスク。 A plurality of linear through holes are juxtaposed in the mask body,
The mask according to claim 1, wherein the reinforcing portion is disposed across the plurality of through holes. 前記マスク本体に屈曲部分を有する折れ線状の貫通孔が複数並設してあり、
前記補強部が、複数の前記貫通孔の屈曲部分を跨いで配設してあることを特徴とする請求項１に記載のマスク。 A plurality of polygonal through-holes having a bent portion in the mask body are arranged side by side,
The mask according to claim 1, wherein the reinforcing portion is disposed across a plurality of bent portions of the through holes. 前記補強部が細長い形状を有し、前記補強部の前記貫通孔と重なる部分の幅が、前記補強部の前記貫通孔と重ならない部分の幅よりも短いことを特徴とする請求項１に記載のマスク。   The said reinforcement part has an elongate shape, The width | variety of the part which overlaps with the said through-hole of the said reinforcement part is shorter than the width | variety of the part which does not overlap with the said through-hole of the said reinforcement part. mask of. 前記マスク本体に形成された貫通孔内に島状部分が設けてあり、
前記補強部が、前記貫通孔を跨ぎ、前記マスク本体及び前記島状部分を結んで配設してあることを特徴とする請求項１に記載のマスク。 An island-shaped portion is provided in the through-hole formed in the mask body,
2. The mask according to claim 1, wherein the reinforcing portion is disposed so as to straddle the through-hole and connect the mask body and the island-shaped portion. 複数の貫通孔が形成された平板状のマスク本体と、前記貫通孔を跨いで配設され、前記マスク本体を補強する補強部とを備えるマスクの製造方法において、
平板状のマスク基材を設ける工程と、
前記マスク基材の一面に前記貫通孔を形成するための第１のガイドパターンを形成する第１ガイドパターン形成工程と、
前記第１のガイドパターンが形成された面に、前記第１のガイドパターンに従って、前記マスク基材を貫通しないようにエッチングを行う第１エッチング工程と、
前記マスク基材の他面に、前記補強部を形成するための第２のガイドパターンを形成する第２ガイドパターン形成工程と、
前記他面に、前記第２のガイドパターンに従って前記補強部の形成領域以外にエッチングを行い、前記第１エッチング工程でエッチングを行った部分を貫通させる第２エッチング工程と
を備え、
第２ガイドパターン形成工程は、
前記補強部の第１の補強体を形成するための第１補強体パターンを形成する工程と、
前記マスク基材の、前記第１の補強体パターンが形成された面に、前記第１の補強体パターンに従って、前記マスク基材を貫通しないようにエッチングを行うエッチング工程と、
前記補強部の前記第１の補強体に交差する第２の補強体を形成するための第２補強体パターンを形成する工程と、
前記マスク基材の、前記第２の補強体パターンが形成された面に、前記第２の補強体パターンに従って、前記マスク基材を貫通しないようにエッチングを行うエッチング工程と、
前記補強部の前記第１の補強体及び第２の補強体の交差部分の上側に第３の補強体を形成するための第３補強体パターンを形成する工程と
を備えることを特徴とするマスク製造方法。 In a mask manufacturing method comprising a flat mask main body in which a plurality of through holes are formed, and a reinforcing portion that is disposed across the through holes and reinforces the mask main body,
Providing a flat mask substrate;
A first guide pattern forming step of forming a first guide pattern for forming the through hole on one surface of the mask base;
A first etching step of performing etching on the surface on which the first guide pattern is formed in accordance with the first guide pattern so as not to penetrate the mask base material;
A second guide pattern forming step of forming a second guide pattern for forming the reinforcing portion on the other surface of the mask substrate;
A second etching step for performing etching on the other surface other than the region where the reinforcing portion is formed according to the second guide pattern, and penetrating a portion etched in the first etching step ; and
The second guide pattern forming step includes:
Forming a first reinforcing body pattern for forming a first reinforcing body of the reinforcing portion;
An etching step of performing etching so as not to penetrate the mask base material according to the first reinforcing body pattern on the surface of the mask base material on which the first reinforcing body pattern is formed;
Forming a second reinforcing body pattern for forming a second reinforcing body that intersects the first reinforcing body of the reinforcing portion;
An etching step of performing etching so as not to penetrate the mask base material according to the second reinforcing body pattern on the surface of the mask base material on which the second reinforcing body pattern is formed;
Forming a third reinforcing body pattern for forming a third reinforcing body above the intersection of the first reinforcing body and the second reinforcing body of the reinforcing portion;
Mask manufacturing method comprising Rukoto equipped with. 前記第１エッチング工程及び前記第２エッチング工程で行うエッチングの深さの合計は、前記マスク基材の厚さより大きいことを特徴とする請求項１１に記載のマスク製造方法。 The mask manufacturing method according to claim 11 , wherein a total depth of etching performed in the first etching step and the second etching step is larger than a thickness of the mask base material. 前記第１エッチング工程及び前記第２エッチング工程で行うエッチングは、異方性エッチングであることを特徴とする請求項１１に記載のマスク製造方法。 The mask manufacturing method according to claim 11 , wherein the etching performed in the first etching step and the second etching step is anisotropic etching. 少なくとも前記第２ガイドパターン形成工程を行う以前に、複数の前記貫通孔を形成するためのマスク領域を、マスク基材にエッチングを行うことで形成するマスク領域形成工程を行うことを特徴とする請求項１１に記載のマスク製造方法。 Before performing at least the second guide pattern forming step, a mask region forming step for forming a mask region for forming the plurality of through holes by etching a mask base material is performed. Item 12. A mask manufacturing method according to Item 11 . 請求項１に記載のマスクを用いて、基板上に配線を形成する配線基板の製造方法において、
前記マスクの他面が前記基板と対向するように前記マスクを位置決めする位置決め工程と、
前記一面側から前記基板へ向けて、配線を形成するための材料粒子を飛翔させ、前記基板に配線を形成する配線形成工程と
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。 In the manufacturing method of the wiring board which forms wiring on a substrate using the mask according to claim 1,
A positioning step of positioning the mask so that the other surface of the mask faces the substrate;
A wiring board manufacturing method comprising: forming a wiring on the substrate by flying material particles for forming a wiring from the one surface side toward the substrate. 前記マスクの表面に堆積した材料粒子を除去する除去工程を備えることを特徴とする請求項１５に記載の配線基板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 15 , further comprising a removing step of removing material particles deposited on the surface of the mask.
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