JP4887079B2 - 光電変換膜積層型固体撮像素子 - Google Patents
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Description
また、本発明の光電変換膜積層型固体撮像素子は、前記4トランジスタ構成の前記信号読出回路のうち前記行選択トランジスタが省略され、電源端子と出力線との間に接続された前記出力トランジスタのゲートが前記読出トランジスタに接続され、該ゲートと前記出力線との間に前記リセットトランジスタが接続されることで信号読出回路が構成され、前記出力線の電圧をグラウンド電圧または低電圧に設定して前記リセットトランジスタにリセット信号を印加することで前記出力トランジスタを非導通状態に維持し該信号読出回路を非動作状態とし、前記出力線の電圧を高電圧に設定して前記リセットトランジスタにリセット信号を印加することで前記出力トランジスタを導通させ該信号読出回路を動作状態にすることを特徴とする。
図1は、本発明の第1実施形態に係るハイブリッド型の光電変換膜積層型カラー固体撮像素子の表面模式図である。この光電変換膜積層型固体撮像素子20は、半導体基板21に複数の単位画素22が正方格子状に配列形成され、半導体基板21の上辺部と下辺部には、夫々、行方向走査読出部を含む出力信号処理部23,24が設けられ、半導体基板21の左辺部には列方向走査制御部25が設けられている。本実施形態では、出力信号処理部23が赤色(R)信号と青色(B)信号を担当し、出力信号処理部24が緑色(G)信号を担当する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像素子60の表面模式図である。第1の実施形態と同一構成部材には同一符号を付してその説明は省略する。
図6は、本発明の第3実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像素子の出力信号処理部の要部構成図である。本実施形態の光電変換膜積層型カラー固体撮像素子の全体の構成及び断面構成等は、図4,図2に示す第2実施形態と同様であるため、その詳細については説明を省略する。
図7は本発明の第4実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像素子の表面模式図であり、図8は本実施形態に係るG信号用出力信号処理部の要部構成図である。単位画素の断面構成等は、図2に示す第1実施形態と同様であるため説明は省略する。
図9(a)は、本発明の第5実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像素子で用いる信号読出回路の回路図である。素子構造は上述した各実施形態と同様であり、半導体基板側に設けた画素(上記例ではR画素,B画素)が検出した信号電荷に応じたカラー画像信号を読み出す信号読出回路に適用される。
図9(b)は、本発明の第6実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像素子で用いる信号読出回路の回路図である。第5実施形態に係る信号読出回路のリセットトランジスタ13が出力トランジスタ11のゲート・ドレイン間に設けられるのに対し、本実施形態のリセットトランジスタ13は出力トランジスタ11のゲート・ソース間に設けられる。また、出力トランジスタ11のドレインが接続される端子48は、直流電圧に接続される。
図10は、本発明の第7実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像素子で用いる信号読出回路の回路図である。素子構造は上述した各実施形態と同様であるが、本実施形態が適用される光電変換膜積層型カラー固体撮像素子では、光電変換膜による画素(上記例ではG画素)で発生した電子―正孔対のうち正孔を信号電荷とし、正孔量に応じた信号を、本実施形態の信号読出回路で読み出す構成としている。
12 行選択トランジスタ
13 リセットトランジスタ
14,14R,14B 読出トランジスタ
20 光電変換膜積層型固体撮像素子
21 半導体基板
22 単位画素
23,24 出力信号処理部
25 列方向走査制御部
26 R画素/B画素用の列信号線
27 G画素用の列信号線
28,29 読出信号線
30 リセット信号線
31 行選択信号線
36 赤色光検出用フォトダイオードを構成するn領域層
37 青色光検出用フォトダイオードを構成するn領域層
43 緑色光検出用光電変換膜
48,49 端子
50 G画素用の信号読出回路
51 R画素/B画素用の信号読出回路
54 相関二重サンプリング回路
57 クランプ回路
58 サンプルホールド回路
62 列信号線切り替えのスイッチ回路
63 クランプ回路バイパス用のスイッチ回路
Claims (17)
- 複数の単位画素が半導体基板の表面部に二次元アレイ状に配列形成され、各単位画素が3原色の第1色,第2色,第3色の各入射光量を夫々検出する第1色画素,第2色画素,第3色画素で構成され、前記第1色画素が前記半導体基板の表面部に積層された光電変換膜で構成され、前記第2色画素及び前記第3色画素の夫々が前記半導体基板表面部に形成されたフォトダイオードで構成され、前記第1色画素,第2色画素,第3色画素の各検出信号が前記半導体基板に前記単位画素毎に設けられた信号読出回路によって読み出される光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記第1色画素の検出信号を読み出す信号読出回路をリセットトランジスタと行選択トランジスタと出力トランジスタの3トランジスタで構成される信号読出回路とし、前記第2色画素の検出信号を読み出す信号読出回路及び前記第3色画素の検出信号を読み出す信号読出回路を読出トランジスタとリセットトランジスタと行選択トランジスタと出力トランジスタの4トランジスタで構成される信号読出回路としたことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第2色画素の検出信号を読み出す前記信号読出回路の構成トランジスタのうち前記読出トランジスタを除く3トランジスタが、前記第3色画素の検出信号を読み出す前記信号読出回路の構成トランジスタのうち前記読出トランジスタを除く3トランジスタと共用され、該2つの読出トランジスタが異なるタイミングでオンオフされる構成としたことを特徴とする請求項1に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記半導体基板には、前記第1色画素の検出信号を読み出す信号読出回路の出力信号を信号処理して出力する第1の信号処理部と、前記第2色画素,第3色画素の各検出信号を読み出す信号読出回路の出力信号を信号処理して出力する第2の信号処理部とが設けられることを特徴とする請求項2に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記半導体基板には、前記第1の信号処理部の出力信号と前記第2の信号処理部の出力信号とを合成してから撮像素子外部に出力する合成部が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記半導体基板には、前記第1色画素の検出信号を読み出す信号読出回路の出力信号と、前記第2色画素,第3色画素の検出信号を読み出す信号読出回路の出力信号とを切替選択し、切替選択して取り込んだ前記出力信号を信号処理して出力する信号処理部を備えることを特徴とする請求項2に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第1色画素の検出信号を読み出す前記信号読出回路の出力信号を取り込む前記信号処理部の入力段にサンプルホールド回路を設け、前記第2色画素,第3色画素の検出信号を読み出す前記信号読出回路の出力信号を取り込む前記信号処理部の入力段に相関二重サンプリング回路を設けたことを特徴とする請求項2乃至請求項5のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記サンプルホールド回路は、入力信号をクランプするクランプ回路及び該クランプ回路の出力をサンプルホールドするサンプルホールド回路で構成される相関二重サンプリング回路の前記クランプ回路にバイパス回路を付加することで構成されることを特徴とする請求項6に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第1色画素の検出信号を前記信号読出回路から前記信号処理部に読み出した後、次の第1色画素の検出信号が読み出される前に、該信号読出回路からリセット雑音信号を該信号処理部に読み出すことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記4トランジスタ構成の前記信号読出回路のうち前記行選択トランジスタが省略され、電源端子と出力線との間に接続された前記出力トランジスタのゲートが前記読出トランジスタに接続され、該ゲートと前記電源端子との間に前記リセットトランジスタが接続されることで信号読出回路が構成され、前記電源端子をグラウンド電圧または低電圧に設定して前記リセットトランジスタにリセット信号を印加することで前記出力トランジスタを非導通状態に維持し該信号読出回路を非動作状態とし、前記電源端子を高電圧に設定して前記リセットトランジスタにリセット信号を印加することで前記出力トランジスタを導通させ該信号読出回路を動作状態にすることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記4トランジスタ構成の前記信号読出回路のうち前記行選択トランジスタが省略され、電源端子と出力線との間に接続された前記出力トランジスタのゲートが前記読出トランジスタに接続され、該ゲートと前記出力線との間に前記リセットトランジスタが接続されることで信号読出回路が構成され、前記出力線の電圧をグラウンド電圧または低電圧に設定して前記リセットトランジスタにリセット信号を印加することで前記出力トランジスタを非導通状態に維持し該信号読出回路を非動作状態とし、前記出力線の電圧を高電圧に設定して前記リセットトランジスタにリセット信号を印加することで前記出力トランジスタを導通させ該信号読出回路を動作状態にすることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記光電変換膜が透明な画素電極膜と対向電極膜に挟まれた単層有機半導体構造または多層有機半導体構造でなることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第2色画素を構成する前記フォトダイオードと前記第3色画素を構成する前記フォトダイオードとが半導体基板の深さ方向に離間して設けられることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第1色画素,第2色画素,第3色画素が夫々入射光量を電子量として検出することを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第1色画素が入射光量を正孔量で検出し、前記第2色画素と前記第3色画素が入射光量を電子量で検出することを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記信号処理部の出力信号がアナログ信号であることを特徴とする請求項3乃至請求項8のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記信号処理部の出力信号がデジタル信号であることを特徴とする請求項3乃至請求項8のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 前記第1色が緑色であり、前記第2色が青色であり、前記第3色が赤色であることを特徴とする請求項1乃至請求項16のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
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