JP4884999B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、太陽電池、化合物半導体、液晶表示装置、レクチル等に利用されているシリコン基板、化合物半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板（以下、単に「基板」という）の表面処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate such as a silicon substrate, a compound semiconductor substrate, a glass substrate for liquid crystal display, or a glass substrate for photomask (hereinafter simply referred to as “substrate”) used in solar cells, compound semiconductors, liquid crystal display devices, and reticles. ) Substrate processing apparatus for performing the surface treatment.
基板の製造工程においては、各種の薬液による基板表面の薬液処理や純水等の洗浄液による基板表面の洗浄処理が所定の順序で行われる。薬液処理は、例えば薬液が貯留された処理槽内に基板を所定時間浸漬することにより行われる（特許文献１参照）。また、洗浄処理は、基板に対して洗浄液のシャワーを供給することにより、または、洗浄液の貯留された処理槽内に基板を所定時間浸漬することにより行われる。 In the substrate manufacturing process, chemical treatment of the substrate surface with various chemical solutions and cleaning treatment of the substrate surface with a cleaning solution such as pure water are performed in a predetermined order. The chemical solution treatment is performed, for example, by immersing the substrate in a treatment tank in which the chemical solution is stored for a predetermined time (see Patent Document 1). The cleaning process is performed by supplying a shower of cleaning liquid to the substrate, or by immersing the substrate in a processing tank in which the cleaning liquid is stored for a predetermined time.
従来の基板処理装置においては、処理槽に基板を浸漬して薬液処理や洗浄処理を行う場合、薬液処理用の処理槽において薬液処理が終了すると、基板を洗浄処理用の処理槽まで搬送し、洗浄処理用の処理槽において洗浄処理を実行していた。しかしながら、このような構成によると、１つの処理が終了する度毎に基板を別の処理槽まで搬送しなければならないため、搬送に要する時間の分だけ処理時間が長くなってしまうという問題があった。 In the conventional substrate processing apparatus, when the chemical processing or cleaning process is performed by immersing the substrate in the processing tank, when the chemical processing is completed in the processing tank for chemical processing, the substrate is transported to the processing tank for cleaning processing, The cleaning process was performed in the processing tank for the cleaning process. However, according to such a configuration, each time one process is completed, the substrate must be transported to another processing tank, so that there is a problem that the processing time is increased by the time required for transport. It was.
また、チャンバ内に処理槽を配置し、処理槽の中に貯留された薬液に基板を浸漬させて薬液処理した後に、洗浄液を処理槽に供給して薬液から洗浄液に置換させて基板を洗浄液により洗浄処理することも行われている。しかしながら、このような構成によると、チャンバの内壁面に薬液が付着してしまい、この薬液が気化して洗浄処理後の基板を汚染してしまうおそれがある。 In addition, a treatment tank is disposed in the chamber, and after the substrate is immersed in a chemical solution stored in the treatment tank and the chemical treatment is performed, the cleaning liquid is supplied to the treatment tank and the chemical liquid is replaced with the cleaning liquid. A cleaning process is also performed. However, according to such a configuration, the chemical solution adheres to the inner wall surface of the chamber, and this chemical solution may vaporize and contaminate the substrate after the cleaning process.
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板の汚染を防止しつつ、基板の処理時間を短縮可能な基板処理装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can reduce the processing time of a substrate while preventing contamination of the substrate.
請求項１の発明は、基板の表面処理を行う基板処理装置であって、基板を収容して内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留可能な処理槽と、前記チャンバ内に配置された処理液供給管と、前記処理液供給管に対して、洗浄液または薬液のいずれかを処理液として選択的に供給する処理液供給系と、前記処理液供給管に取り付けられ、前記処理槽内に支持された基板に向かう方向に前記処理液を吐出する第１吐出ノズルと、前記処理液供給管に取り付けられ、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向かう方向に前記処理液を吐出して、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面とに前記処理液を供給する第２吐出ノズルと、を備え、前記第１吐出ノズルからの前記洗浄液の吐出と並行して、前記第２吐出ノズルから前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向けて前記洗浄液が吐出され、前記第２吐出ノズルから吐出された前記洗浄液の流れによって前記処理槽の外壁面および前記チャンバの内壁面が洗浄される。
The invention according to
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１吐出ノズルおよび前記第２吐出ノズルが前記処理液供給管にそれぞれ複数個ずつ取り付けられており、前記処理液供給管に取り付けられた前記第２吐出ノズルの個数が、前記処理液供給管に取り付けられた前記第１吐出ノズルの個数よりも少ない。 A second aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein a plurality of the first discharge nozzles and a plurality of the second discharge nozzles are respectively attached to the processing liquid supply pipe. The number of the second discharge nozzles attached to the supply pipe is smaller than the number of the first discharge nozzles attached to the processing liquid supply pipe.
請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給管に取り付けられ、前記チャンバの蓋の裏面に向かう方向に前記処理液を吐出する第３吐出ノズル、を備える。 A third aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the third discharge is attached to the processing liquid supply pipe and discharges the processing liquid in a direction toward the back surface of the lid of the chamber. A nozzle.
請求項４の発明は、基板の表面処理を行う基板処理装置であって、基板を収容して内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留可能な処理槽と、前記処理槽内に支持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、前記チャンバ内に配置された洗浄液供給管と、前記洗浄液供給管に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給系と、前記洗浄液供給管に取り付けられ、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向かう方向に前記洗浄液を吐出して、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面とに前記洗浄液を供給する壁面洗浄液吐出ノズルと、を備え、前記壁面洗浄液吐出ノズルから前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向けて前記洗浄液が吐出され、前記壁面洗浄液吐出ノズルから吐出された前記洗浄液の流れによって前記処理槽の外壁面および前記チャンバの内壁面が洗浄される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a surface treatment of a substrate, the chamber capable of accommodating the substrate and making the inside a sealed space, and disposed in the chamber to store a processing liquid. A cleaning liquid, a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to a substrate supported in the processing tank, a cleaning liquid supply pipe disposed in the chamber, and a cleaning liquid supply pipe. A cleaning liquid supply system to be supplied; and attached to the cleaning liquid supply pipe, discharging the cleaning liquid in a direction between the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber, and the outer wall surface of the processing tank and the chamber A wall surface cleaning liquid discharge nozzle for supplying the cleaning liquid to the inner wall surface of the chamber, and the cleaning liquid is discharged from the wall surface cleaning liquid discharge nozzle between the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber, Wall cleaning Inner wall of the outer wall surface and the chamber of the treatment vessel by the flow of the cleaning liquid discharged from the discharge nozzle Ru washed.
請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記処理液供給部が、前記チャンバ内に配置された処理液供給管と、前記処理液供給管に対して、洗浄液または薬液のいずれかを処理液として選択的に供給する処理液供給系と、前記処理液供給管に取り付けられ、前記処理槽内に支持された基板に向かう方向に前記処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、を備える。 A fifth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, wherein the processing liquid supply section is a cleaning liquid with respect to the processing liquid supply pipe disposed in the chamber and the processing liquid supply pipe. Alternatively, a processing liquid supply system that selectively supplies either a chemical liquid as a processing liquid and a processing liquid that is attached to the processing liquid supply pipe and that discharges the processing liquid in a direction toward the substrate supported in the processing tank. A discharge nozzle.
請求項６の発明は、請求項４または５に記載の基板処理装置であって、前記洗浄液供給管に取り付けられ、前記チャンバの蓋の裏面に向かう方向に前記洗浄液を吐出する裏面洗浄液吐出ノズル、を備える。
請求項７の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記洗浄液供給管に取り付けられ、前記チャンバの蓋の裏面に向かう方向に前記洗浄液を吐出する裏面洗浄液吐出ノズル、を備え、前記裏面洗浄液吐出ノズルからの前記洗浄液の吐出が、前記処理液吐出ノズルによる前記基板に向かう方向への前記洗浄液の吐出と並行して行われる。
A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fourth or fifth aspect, wherein the rear surface cleaning liquid discharge nozzle is attached to the cleaning liquid supply pipe and discharges the cleaning liquid in a direction toward the rear surface of the lid of the chamber. Is provided.
A seventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, further comprising a back surface cleaning liquid discharge nozzle attached to the cleaning liquid supply pipe and configured to discharge the cleaning liquid in a direction toward the back surface of the lid of the chamber. The discharge of the cleaning liquid from the back surface cleaning liquid discharge nozzle is performed in parallel with the discharge of the cleaning liquid in the direction toward the substrate by the processing liquid discharge nozzle .
請求項１〜７に記載の発明によれば、処理槽の外壁面とチャンバの内壁面との間に向かう洗浄液を吐出させることができるので、処理槽の外壁面やチャンバの内壁面に付着した薬液を洗い流すことができる。この構成によると、薬液処理において処理槽の外壁面やチャンバの内壁面に付着した薬液が気化して洗浄処理後の基板を汚染することがない。したがって、基板の汚染を防止しつつ、処理時間を短縮することができる。 According to the first to seventh aspects of the present invention, since the cleaning liquid can be discharged between the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber, it adheres to the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber. The chemical solution can be washed away. According to this configuration, the chemical solution adhering to the outer wall surface of the processing tank or the inner wall surface of the chamber is not vaporized in the chemical solution processing, and the substrate after the cleaning process is not contaminated. Therefore, the processing time can be shortened while preventing contamination of the substrate.
特に、請求項１に記載の発明によれば、同一の処理液供給管に第１吐出ノズルと第２吐出ノズルとが取り付けられるので、処理液供給管に供給した処理液を互いに異なる２つの方向に向けて同時に吐出することができる。この構成によると、基板の洗浄処理と並行して処理槽の外壁面およびチャンバの内壁面を洗浄することができる。 In particular, according to the first aspect of the present invention, since the first discharge nozzle and the second discharge nozzle are attached to the same processing liquid supply pipe, the processing liquid supplied to the processing liquid supply pipe is in two different directions. It is possible to discharge at the same time. According to this configuration, the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber can be cleaned in parallel with the substrate cleaning process.
特に、請求項２に記載の発明によれば、処理液供給管に取り付けられた第２吐出ノズルの個数が、第１吐出ノズルの個数よりも少ないので、第２吐出ノズルから吐出される処理液の量を、第１吐出ノズルから吐出される処理液の量に比べて少なくすることができる。したがって、処理液供給管に薬液を供給して第１吐出ノズルから基板に向けて薬液を吐出させることによって基板に対する薬液処理を行う場合において、第２吐出ノズルから吐出されてしまう薬液の量、すなわち、基板に供給されずにロスされてしまう薬液の量を少なくすることができる。
In particular, according to the invention described in
特に、請求項３，６に記載の発明によれば、チャンバの蓋の裏面に向かう洗浄液を吐出させることができるので、チャンバの蓋の裏面に付着した薬液を洗い流すことができる。この構成によると、薬液処理においてチャンバの蓋の裏面にまで薬液が付着していたとしても、その薬液が気化して洗浄処理後の基板を汚染することがない。 In particular, according to the third and sixth aspects of the invention, since the cleaning liquid directed toward the back surface of the chamber lid can be discharged, the chemical liquid adhering to the back surface of the chamber lid can be washed away. According to this configuration, even if the chemical solution adheres to the back surface of the chamber lid in the chemical processing, the chemical solution does not vaporize and contaminate the substrate after the cleaning process.
特に、請求項４，５に記載の発明によれば、基板に対する処理液の供給と、処理槽の外壁面およびチャンバの内壁面に対する洗浄液の供給とを独立して行うことができる。 In particular, according to the fourth and fifth aspects of the present invention, the supply of the processing liquid to the substrate and the supply of the cleaning liquid to the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber can be performed independently.
〔１．第１の実施の形態〕
〈１−１．構成〉
第１の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を、図１，図２を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置１００を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。図２は、基板処理装置１００の備える配管や制御系の構成を示す図である。なお、図１にはＸＹＺ直交座標系を付している。この座標系においては、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、Ｘ、Ｙ軸が水平面を規定するものとする。
[1. First Embodiment]
<1-1. Constitution>
The configuration of the
基板処理装置１００は、密閉チャンバ１と、処理槽２と、処理液供給管３と、処理液供給系４と、廃液系５と、排気系６と、制御部７とを備える。
The
密閉チャンバ１は、その内部に処理槽２を収納する筐体であり、本体部１１と、密閉蓋１２とを備える。密閉蓋１２は、スライド式開閉機構（図示省略）によって開閉可能である。密閉蓋１２を開放した状態では、開放部分から本体部１１内に基板Ｗを搬出入することができる。また、密閉蓋１２の裏面には、本体部１１と密閉蓋１２との間を密閉する密閉シール１２１が取り付けられており、密閉蓋１２を閉鎖した状態では、密閉チャンバ１の内部を密閉空間とすることができる。
The sealed
密閉チャンバ１は、後述する処理槽２が密閉チャンバ１内に配置された状態において、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面との距離が、５〜２０ｍｍ程度となるようにサイズ設定される。また、処理槽２のオーバーフロー面と密閉蓋１２の裏面との距離が２０〜５０ｍｍとなるようにサイズ設定される。
The sealed
処理槽２は、各種の処理液を貯留する容器であり、密閉チャンバ１内に配置される。なお、本明細書において「処理液」とは、基板に対して行われる薬液・洗浄・乾燥等の各種処理に用いられる液体の総称であり、ここには各種薬液、洗浄液、乾燥用媒体等が含まれる。処理槽２の底部には１つの注入管２１が設けられている。注入管２１には、Ｙ方向について所定間隔（より具体的には、カセットＣにおける基板Ｗの格納間隔と同程度の間隔）で複数の注入孔２１１が形成されている。注入管２１に供給された処理液は、注入孔２１１から所定方向（処理槽２内に載置されたカセットＣに格納された基板Ｗ（すなわち、カセットＣによって処理槽２内に支持された基板Ｗ）に向かう方向ＡＲ２１１）に吐出される。処理槽２の上部は開放されており、注入孔２１１から吐出された処理液は処理槽２の内部を上方に向かって流れ、上部の開口から外側へオーバーフローする。
The
処理槽２は、処理槽２内に支持された基板Ｗの上端とオーバーフロー面との距離が、５〜１０ｍｍ程度となるようにサイズ設定される。
The
処理槽２の内部には、カセット位置規制部２２が形成されている。カセット位置規制部２２は、カセットＣの底辺に当接することによって処理槽２内におけるカセットＣの位置を規制する。ただし、カセットＣ内には複数の基板Ｗが起立姿勢で格納される。
A cassette
処理液供給管３は、密閉チャンバ１内であって処理槽２の両側面の上方に一対配置された配管である。処理液供給管３には、吐出ノズル３１が取り付けられている。より具体的には、吐出ノズル３１として、処理槽２内に載置されたカセットＣに格納された基板Ｗ（すなわち、カセットＣによって処理槽２内に支持された基板Ｗ）に向かう方向ＡＲ３１１に処理液を吐出する複数の第１吐出ノズル３１１と、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面との間に向かう方向ＡＲ３１２に処理液を吐出して、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面とに処理液を供給する複数の第２吐出ノズル３１２とが取り付けられている。複数の第１吐出ノズル３１１のそれぞれから吐出された処理液は処理槽２内に支持された基板Ｗの表面に供給される。また、複数の第２吐出ノズル３１２のそれぞれから吐出された処理液は、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面とに供給される。
The treatment
〈吐出ノズル３１〉
吐出ノズル３１について、図３を参照しながらより具体的に説明する。図３（ａ）は、処理液供給管３のＸＺ平面についての断面図であり、図３（ｂ）は処理液供給管３をＰ１−Ｐ２方向から見た側面図である。
<
The
処理液供給管３には、上述の通り、吐出ノズル３１として、複数の第１吐出ノズル３１１と複数の第２吐出ノズル３１２とが取り付けられている。第１吐出ノズル３１１と第２吐出ノズル３１２とは、図３（ａ）に示すように、ＸＺ平面において互いに所定の角度αを形成しながら処理液供給管３に取り付けられている。角度αは、処理液供給管３の中心軸から処理槽２内に支持された基板Ｗに向かう方向ＡＲ３１１と、中心軸から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面との間に向かう方向ＡＲ３１２とがなす角度である。
As described above, a plurality of
複数の第１吐出ノズル３１１は、図３（ｂ）に示すように、Ｙ方向について所定間隔（より具体的には、カセットＣにおける基板Ｗの格納間隔と同程度の間隔）で配設される。上述したカセット位置規制部２２は、第１吐出ノズル３１１のそれぞれが、カセットＣに格納された複数の基板Ｗの間に処理液を吐出するようにカセットＣの位置を規制する。
As shown in FIG. 3B, the plurality of
複数の第２吐出ノズル３１２は、図３（ｂ）に示すように、Ｙ方向について所定間隔で配設される。第２吐出ノズル３１２の配設間隔は、第１吐出ノズル３１１の配設間隔よりも大きく（好ましくは、第１吐出ノズル３１１の配設間隔の５倍程度に）設定する。なお、この配設間隔は、第２吐出ノズル３１２から噴出する処理液の角度によって異なり、少なくとも処理槽２の外壁面の全てをカバーできる間隔である。
The plurality of
再び図２を参照する。処理液供給系４は、注入管２１および処理液供給管３のそれぞれに、洗浄液または薬液のいずれかを選択的に供給する配管系である。より具体的には、注入管２１および処理液供給管３のそれぞれに、第１〜第４の処理液のいずれかを選択的に供給する配管系である。この実施の形態においては、薬液として第１〜第３の処理液が選択可能であるとし、第１の処理液はアルカリ性の薬液（例えば、水酸化カリウム、アンモニア水および過酸化水素水の混合液）であり、第２の処理液は酸性の薬液（例えば、硫酸、ふっ化水素酸、硝酸や塩酸および過酸化水素水の混合液）であり、第３の処理液は、乾燥媒体（例えば、ＩＰＡ）の液体であるとする。また、第４の処理液は、洗浄液（例えば、純水）であるとする。
Refer to FIG. 2 again. The processing liquid supply system 4 is a piping system that selectively supplies either the cleaning liquid or the chemical liquid to each of the
処理液供給系４は、一端が注入管２１に、他端が選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれに接続された配管４１を備えている。配管４１には、注入バルブ４１１が介挿されている。
The treatment liquid supply system 4 includes a
また、処理液供給系４は、一端が処理液供給管３に、他端が選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれに接続された配管４２を備えている。配管４２には、吐出バルブ４２１が介挿されている。
The processing liquid supply system 4 includes a
また、処理液供給系４は、一端が選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれに接続された配管４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄを備えている。配管４３ａの他端は第１処理液を貯留する第１処理液貯留槽４３５ａに接続されている。また、配管４３ａには、配管４３ａ内を流れる処理液中のゴミ等を取り除くフィルタ４３２ａと、配管４３ａを流れる処理液を温調するヒータ４３３ａと、第１処理液貯留槽４３５ａに貯留された処理液を配管４３ａに送るポンプ４３４ａとが介挿されている。同様に、配管４３ｂ，４３ｃ，４３ｄの他端はそれぞれ第２処理液を貯留する第２処理液貯留槽４３５ｂ、第３処理液を貯留する第３処理液貯留槽４３５ｃ、第４処理液を貯留する第４処理液貯留槽４３５ｄに接続されている。また、配管４３ｂ，４３ｃ，４３ｄのそれぞれには、フィルタ４３２ｂ，４３２ｃ，４３２ｄと、ヒータ４３３ｂ，４３３ｃ，４３３ｄと、ポンプ４３４ｂ，４３４ｃ，４３４ｄとが介挿されている。
Further, the processing liquid supply system 4 includes
注入バルブ４１１、吐出バルブ４２１、選択バルブ４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ，４３１ｄのそれぞれは、制御部７に接続されている。制御部７は、各バルブを所定のタイミングで開閉制御することによって、注入管２１および処理液供給管３のそれぞれに所定のタイミングで所定の処理液（第１〜第４処理液のうちのいずれかの処理液）を供給する。
Each of the
廃液系５は、密閉チャンバ１内や処理槽２内の処理液を廃液して、所定の処理液貯留槽に還流させる、もしくは排液ラインに導く配管系である。廃液系５は、一端が密閉チャンバ１の底部に設けられたドレイン弁５１２および処理槽２の底部に設けられたドレイン弁５１３に、他端が処理液貯留槽４３５ａ，４３５ｂ，４３５ｃのそれぞれに接続された配管５１ａ，５１ｂ，５１ｃを備えている。配管５１ａ，５１ｂ，５１ｃのそれぞれには、廃液バルブ５１１ａ，５１１ｂ，５１１ｃが介挿されている。また、一端がドレイン弁５１２，５１３に、他端が排液ラインに接続された配管５１ｄを備えている。配管５１ｄには、廃液バルブ５１１ｄが介挿されている。
The waste liquid system 5 is a piping system that wastes the processing liquid in the sealed
廃液バルブ５１１ａ，５１１ｂ，５１１ｃ，５１１ｄのそれぞれは、制御部７に接続されている。制御部７は、各バルブを所定のタイミングで開閉制御することによって、密閉チャンバ１内および処理槽２内の処理液を所定のタイミングで排液して所定の処理液貯留槽４３５ａ，４３５ｂ，４３５ｃに還流する、もしくは排液ラインに導く。
Each of the
排気系６は、密閉チャンバ１内の雰囲気を排気する配管系である。排気系６は、一端が密閉チャンバ１内と接続され、他端が排気ラインに接続された配管６１を備えている。配管６１には、排気バルブ６１１および排気ポンプ６１２が介挿されている。
The exhaust system 6 is a piping system that exhausts the atmosphere in the sealed
排気バルブ６１１は、制御部７に接続されている。制御部７は、排気バルブ６１１を所定のタイミングで開閉制御するとともに排気ポンプ６１２を駆動することによって、密閉チャンバ１内の雰囲気を排気する。また、密閉チャンバ１内を減圧することもできる。
The
〈１−２．処理動作〉
第１の実施の形態に係る基板処理装置１００において実行される基板処理動作を図４を参照しながら説明する。図４は、基板処理動作の流れを示す図である。
<1-2. Processing action>
A substrate processing operation executed in the
はじめに、図外の搬送ロボットが、複数の未処理基板Ｗが格納されたカセットＣを密閉チャンバ１内に搬入して、処理槽２内の所定位置に載置する（ステップＳ１）。処理槽２内に配置されたカセットＣの位置はカセット位置規制部２２によって規制される。カセットＣに格納された複数の未処理基板Ｗの表面には微細な電子回路形成用パターンが形成されていてもよい。また、これらパターンの表面は金属であってもよい。カセットＣが処理槽２内に搬入されると、制御部７は密閉蓋１２を閉鎖して密閉チャンバ１内部を密閉空間とする。
First, a transfer robot (not shown) carries a cassette C storing a plurality of unprocessed substrates W into the sealed
続いて、基板Ｗに対する表面処理を開始する。はじめに、第１処理液による基板Ｗの表面薬液処理を行う（ステップＳ２）。基板Ｗの表面薬液処理は、処理液を基板表面に供給することによって行われる。処理液の供給パターンは以下の３つから選択される。どのパターンで処理液を供給するかは、被処理基板の表面状態や、供給する処理液の種類等に応じて決定される。また、以下の供給パターンを順次切り替えて処理してもよい。 Subsequently, the surface treatment for the substrate W is started. First, the surface chemical treatment of the substrate W with the first treatment liquid is performed (step S2). The surface chemical treatment of the substrate W is performed by supplying the treatment liquid to the substrate surface. The supply pattern of the processing liquid is selected from the following three. Which pattern is used to supply the processing liquid is determined according to the surface state of the substrate to be processed, the type of processing liquid to be supplied, and the like. Further, the following supply patterns may be sequentially switched for processing.
〈シャワー供給〉
第１の供給パターンは、処理液をシャワーで供給するものである。処理液（例えば第１処理液）をシャワーで供給する場合、制御部７が、選択バルブ４３１ａおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３に第１処理液を供給する。すると、第１吐出ノズル３１１から基板Ｗに向けて第１処理液が吐出され、吐出された第１処理液の流れ（処理液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面処理が実行される。なお、第１吐出ノズル３１１から第１処理液が吐出されている間、第２吐出ノズル３１２からも第１処理液が吐出されることになる。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面処理が完了すると、選択バルブ４３１ａおよび吐出バルブ４２１を閉じて処理液供給管３に対する第１処理液の供給を停止する。
<Shower supply>
A 1st supply pattern supplies a process liquid with a shower. When supplying the processing liquid (for example, the first processing liquid) by a shower, the control unit 7 opens the
なお、制御部７は、吐出バルブ４２１を開放する際には、ドレイン弁５１２，５１３、廃液バルブ５１１ａを開放しておく。したがって、吐出ノズル３１から吐出された第１処理液は処理槽２内や密閉チャンバ１内に貯留せず、配管５１を通って第１処理液貯留槽４３５ａに還流する。これによって、基板Ｗに対する表面処理を処理液のシャワーによって実行し続けることができる。なお、密閉チャンバ１内は密閉空間とされているので、シャワー供給された薬液のミストが搬送エリアに流出することもない。
The controller 7 opens the
〈オーバーフロー供給〉
第２の供給パターンは、処理液をオーバーフローで供給するものである。処理液（例えば第１処理液）をオーバーフローで供給する場合、制御部７が、選択バルブ４３１ａおよび注入バルブ４１１を開放して注入管２１に第１処理液を供給する。すると、注入孔２１１から処理槽２内に第１処理液が吐出され、これによって処理槽２内には第１処理液が貯留される。また、貯留された処理液を処理槽２の開口部からオーバーフローさせ続けることによって処理槽２内に第１処理液の流れが形成され、形成された第１処理液の流れによって基板Ｗに対する表面処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面処理が完了すると、選択バルブ４３１ａおよび注入バルブ４１１を閉じて注入管２１に対する第１処理液の供給を停止する。なお、オーバーフロー中は、ドレイン弁５１２、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の第１処理液を第１処理液貯留槽４３５ａに還流する。最後にドレイン弁５１３を開放し、処理槽２内の全ての第１処理液を回収する。
<Overflow supply>
In the second supply pattern, the processing liquid is supplied by overflow. When supplying the processing liquid (for example, the first processing liquid) by overflow, the control unit 7 opens the
〈シャワー供給とオーバーフロー供給との併用〉
第３の供給パターンは、処理液をシャワーとオーバーフローの両方で供給するものである。処理液（例えば第１処理液）をシャワーとオーバーフローの両方で供給する場合、制御部７は、選択バルブ４３１ａおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３に第１処理液を供給する。また、吐出バルブ４２１を開くと同時に、もしくは、吐出バルブ４２１を開いてから所定時間が経過した後に、制御部７は、注入バルブ４１１を開放して注入管２１に第１処理液を供給する。すると、第１吐出ノズル３１１から吐出された第１処理液の流れと、注入孔２１１から吐出されて処理槽２の開口部からオーバーフローする第１処理液の流れとによって、基板Ｗに対する表面処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面処理が完了すると、選択バルブ４３１ａおよび吐出バルブ４２１を閉じて処理液供給管３に対する第１処理液の供給を停止し、注入バルブ４１１を閉じて注入管２１に対する第１処理液の供給を停止する。この間、ドレイン弁５１２、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の第１処理液を第１処理液貯留槽４３５ａに還流する。最後にドレイン弁５１３を開放し、処理槽２内の全ての第１処理液を回収する。
<Combination of shower supply and overflow supply>
A 3rd supply pattern supplies a process liquid by both a shower and overflow. When supplying the processing liquid (for example, the first processing liquid) by both shower and overflow, the control unit 7 opens the
再び図４を参照する。ステップＳ２の処理が終了すると、続いて、洗浄処理を行う（ステップＳ３）。ここでは、基板Ｗの表面洗浄処理と、処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面の洗浄処理とを並行して行う。洗浄液の供給パターンは、以下の２つから選択される。どの供給パターンで洗浄処理を行うかは、被処理基板の表面状態や、先に供給された処理液の種類、洗浄液の種類等に応じて決定される。また、以下の供給パターンを順次切り替えて処理してもよい。
Refer to FIG. 4 again. When the process of step S2 is completed, a cleaning process is subsequently performed (step S3). Here, the surface cleaning process of the substrate W and the cleaning process of the outer wall surface of the
〈シャワー供給で基板を洗浄しながら壁面を洗浄する〉
第１の供給パターンにおいては、シャワー供給で基板Ｗを洗浄しながら処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面を洗浄する。この場合、制御部７が、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３に第４処理液（洗浄液）を供給する。すると、第１吐出ノズル３１１から基板Ｗに向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れ（洗浄液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面洗浄処理が実行される。これによって、基板表面に残存した第１処理液が洗い流される。また、第１吐出ノズル３１１から第１処理液が吐出されている間、同時に、第２吐出ノズル３１２から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄される。これによって、オーバーフローによって処理槽２の外壁面に付着した第１処理液や、シャワー飛沫によって密閉チャンバ１の内壁面に付着した第１処理液が洗い流される。制御部７は、所定時間が経過して洗浄処理が完了すると、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を閉じて処理液供給管３に対する洗浄液の供給を停止する。
<Wash the wall while cleaning the substrate with shower supply>
In the first supply pattern, the outer wall surface of the
なお、制御部７は、吐出バルブ４２１を開放する際にはドレイン弁５１２，５１３、廃液バルブ５１１ｄを開放しておく。したがって、吐出ノズル３１から吐出された洗浄液は処理槽２内や密閉チャンバ１内に貯留せず、配管５１を通って排液される。
The controller 7 opens the
〈シャワー供給とオーバーフロー供給との併用で基板を洗浄しながら壁面を洗浄する〉
第２の供給パターンにおいては、シャワー供給とオーバーフロー供給との両方で基板Ｗを洗浄しながら処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面を洗浄する。この場合、制御部７が、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３に洗浄液を供給する。また、吐出バルブ４２１を開くと同時に、もしくは、吐出バルブ４２１を開いてから所定時間が経過した後に、制御部７は、注入バルブ４１１を開放して注入管２１に洗浄液を供給する。すると、第１吐出ノズル３１１から吐出された洗浄液の流れと、注入孔２１１から吐出されて処理槽２の開口部からオーバーフローする第１処理液の流れとによって、基板Ｗに対する表面洗浄処理が実行される。また第１吐出ノズル３１１から洗浄液が吐出されるのと同時に、第２吐出ノズル３１２からも処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄される。制御部７は、所定時間が経過して洗浄処理が完了すると、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を閉じて処理液供給管３に対する洗浄液の供給を停止し、注入バルブ４１１を閉じて注入管２１に対する洗浄液の供給を停止する。この間、ドレイン弁５１２、廃液バルブ５１１ｄを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の洗浄液を排液する。最後にドレイン弁５１３を開放し、処理槽２内の全ての洗浄液を排液する。
<Washing the wall while cleaning the substrate using a combination of shower supply and overflow supply>
In the second supply pattern, the outer wall surface of the
再び図３を参照する。ステップＳ３の処理が終了すると、続いて、第２処理液による基板Ｗの表面処理を行う（ステップＳ４）。第２処理液による基板Ｗの表面処理は、第１処理液による表面処理と同様、被処理基板の表面状態や供給する処理液の種類に応じて決定された供給パターンで、処理液を基板表面に供給することによって行われる。具体的な処理動作はステップＳ２において説明した通りであるが、ここでは、選択バルブ４３１ａではなく選択バルブ４３１ｂを開閉制御する点が相違する。
Refer to FIG. 3 again. When the process in step S3 is completed, the surface treatment of the substrate W with the second processing liquid is subsequently performed (step S4). The surface treatment of the substrate W with the second treatment liquid is similar to the surface treatment with the first treatment liquid. Is done by supplying The specific processing operation is as described in step S2, except that the
続いて、再度洗浄処理を行う（ステップＳ５）。具体的な処理動作はステップＳ３において説明した通りである。ステップＳ５の処理が実行されることによって、基板表面に残存した第２処理液が洗い流される。また、処理槽２の外壁面や密閉チャンバ１の内壁面に付着した第２処理液が洗い流される。
Subsequently, the cleaning process is performed again (step S5). The specific processing operation is as described in step S3. By executing the processing of step S5, the second processing liquid remaining on the substrate surface is washed away. Further, the second processing liquid attached to the outer wall surface of the
続いて、乾燥媒体による基板Ｗの表面乾燥処理を行う（ステップＳ６）。乾燥媒体による基板Ｗの表面乾燥処理は、第１処理液による表面処理と同様、被処理基板の表面状態や供給する乾燥媒体の種類に応じて決定された供給パターンで、乾燥媒体を基板表面に供給することによって行われる。具体的な処理動作はステップＳ２において説明した通りであるが、ここでは、選択バルブ４３１ａではなく選択バルブ４３１ｃを開閉制御する点が相違する。なお、乾燥処理が終了すると、制御部７が排気バルブ６１１を開放するとともに排気ポンプ６１２を駆動制御することによって、密閉チャンバ１内の雰囲気を排気する。
Then, the surface drying process of the board | substrate W by a drying medium is performed (step S6). The surface drying treatment of the substrate W with the drying medium is performed on the substrate surface with a supply pattern determined according to the surface state of the substrate to be processed and the type of the drying medium to be supplied, as in the surface treatment with the first processing liquid. Done by supplying. The specific processing operation is as described in step S2, except that the
以上で基板Ｗに対する表面処理が完了する。表面処理が完了すると、制御部７は密閉蓋１２を開放する。続いて、図外の搬送ロボットが処理槽２内に載置されたカセットＣを密閉チャンバ１から搬出する（ステップＳ７）。
Thus, the surface treatment for the substrate W is completed. When the surface treatment is completed, the control unit 7 opens the sealing
〈１−３．効果〉
この実施の形態によると、洗浄処理において、第２吐出ノズル３１２から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、オーバーフローによって処理槽２の外壁面に付着した第１処理液やシャワー飛沫によって密閉チャンバ１の内壁面に付着した薬液が洗い流される。この構成によると、薬液処理において処理槽２の外壁面や密閉チャンバ１の内壁面に付着した薬液が気化して洗浄処理後の基板を汚染することがないので、基板に対する表面薬液処理と洗浄処理とを同一処理槽で連続して実行することが可能となる。したがって、基板を薬液処理槽から洗浄処理槽まで移動するための搬送時間が不要となり、処理時間が短縮できる。
<1-3. effect>
According to this embodiment, in the cleaning process, the cleaning liquid is discharged from the
また、薬液処理用の処理槽と洗浄処理用の処理槽とを別個に設ける必要がなくなるので、装置のコンパクト化が可能となるとともに、製造コストが低減される。 In addition, since it is not necessary to separately provide a chemical treatment tank and a cleaning treatment tank, the apparatus can be made compact and the manufacturing cost can be reduced.
また、薬液処理において処理槽２の外壁面や密閉チャンバ１の内壁面に付着した薬液を洗い流すため、これら薬液が気化して密閉チャンバ１内に充満することがない。したがって、密閉チャンバ１の排気量を少なくすることが可能になる。
In addition, since the chemical solution adhering to the outer wall surface of the
さらに、この実施の形態によると、薬液処理において、第１吐出ノズル３１１から処理液を吐出させて、処理液を基板に対してシャワーで供給することによって基板に対する薬液処理を行うことができる。この場合、薬液の液滴を基板に対して高速に叩きつけることが可能となる。つまり、化学反応だけでなく物理的な力（流体抵抗や液滴の運動エネルギー等）をも利用して基板の表面処理を行うことが可能となるので、薬液処理に要する時間を短縮することができる。また、処理槽２に処理液を貯留しないので、処理液の全量フィルタリングが可能となる。したがって、薬液処理において発生したゴミが処理槽２内に蓄積されることもなく、処理槽２内のゴミレベルが循環フィルタリングによって一定レベルになるまで待つ必要もない。この点においても、処理時間を短縮することができる。
Furthermore, according to this embodiment, in the chemical liquid processing, the chemical liquid processing can be performed on the substrate by discharging the processing liquid from the
また、この実施の形態によると、処理液供給管３に第１吐出ノズル３１１と第２吐出ノズル３１２とが取り付けられるので、処理液供給管３に供給した処理液を互いに異なる２つの方向ＡＲ３１１，ＡＲ３１２に向けて同時に吐出することができる。この構成によると、処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面と、基板とを同時に洗浄することができる。したがって、効率的に洗浄処理を行うことができる。
Further, according to this embodiment, since the
また、この実施の形態によると、第２吐出ノズル３１２配設間隔が、第１吐出ノズル３１１の配設間隔よりも大きいので、第２吐出ノズル３１２から吐出される処理液の量を、第１吐出ノズル３１１から吐出される処理液の量に比べて少なくすることができる。したがって、処理液供給管３に薬液を供給して第１吐出ノズル３１１から基板に向けて薬液を吐出させることによって基板表面に対する薬液処理を行う場合において、第２吐出ノズル３１２から吐出されてしまう薬液の量（すなわち、基板に供給されずにロスされてしまう薬液の量）を少なくすることができる。
Further, according to this embodiment, since the arrangement interval of the
〔２．第２の実施の形態〕
〈２−１．構成〉
この発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置２００の構成を、図５，６を参照しながら説明する。図５は、基板処理装置２００を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。図６は、基板処理装置２００の備える配管や制御系の構成を示す図である。なお、以下においては、第１の実施の形態と相違する点を説明し、相違しない点については説明を省略する。また、同じ構成部を示す際には、第１の実施の形態の説明で用いた参照符号を用いる。
[2. Second Embodiment]
<2-1. Constitution>
The structure of the
この実施の形態に係る基板処理装置２００は、密閉チャンバ１と、処理槽２と、処理液供給管８と、処理液供給系９と、廃液系５と、排気系６と、制御部７とを備える。
The
処理液供給管８は、互いに独立した流路を形成する第１処理液供給管８１と第２処理液供給管８２とを備える。
The processing
第１処理液供給管８１は、密閉チャンバ１内であって処理槽２の両側面の上方に配置された処理液供給管である。第１処理液供給管８１には、処理槽２内に支持された基板Ｗに向かう方向ＡＲ８１１に処理液を吐出する複数の第１吐出ノズル８１１が取り付けられている。複数の第１吐出ノズル８１１のそれぞれから吐出された処理液は処理槽２内に支持された基板Ｗの表面に供給される。
The first processing
第２処理液供給管８２は、密閉チャンバ１内であって密閉チャンバ１の両側面と第１処理液供給管８１との間に配置された洗浄液供給管であり、第１処理液供給管８１のそれぞれに隣接して配設される。第２処理液供給管８２には、壁面を洗浄するための洗浄液を吐出する壁面洗浄液吐出ノズルが取り付けられている。より具体的には、壁面洗浄液吐出ノズルとして、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面との間に向かう方向ＡＲ８２１に洗浄液を吐出して、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面とに洗浄液を供給する複数の第２吐出ノズル８２１が取り付けられている。複数の第２吐出ノズル８２１のそれぞれから吐出された洗浄液は、処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面とに供給される。
The second processing
〈第１吐出ノズル８１１・第２吐出ノズル８２１〉
第１吐出ノズル８１１および第２吐出ノズル８２１について、図７を参照しながらより具体的に説明する。図７（ａ）は第１処理液供給管８１および第２処理液供給管８２のＸＺ平面についての断面図である。また、図７（ｂ）は第１処理液供給管８１をＰ３−Ｐ４方向から見た側面図であり、図７（ｃ）は第２処理液供給管８２をＰ５−Ｐ６方向から見た側面図である。
<
The
第１処理液供給管８１には、上述の通り、複数の第１吐出ノズル８１１が取り付けられている。第１吐出ノズル８１１は、図７（ａ）に示すように、ＸＺ平面において、第１処理液供給管８１の中心軸から処理槽２内に支持された基板Ｗに向かう方向ＡＲ８２１に向けて取り付けられている。
A plurality of
複数の第１吐出ノズル８１１は、図７（ｂ）に示すように、Ｙ方向について所定間隔（より具体的には、カセットＣにおける基板Ｗの格納間隔と同程度の間隔）で配設される。カセット位置規制部２２は、第１吐出ノズル８１１のそれぞれが、カセットＣに格納された複数の基板Ｗの間に処理液を吐出するようにカセットＣの位置を規制する。
As shown in FIG. 7B, the plurality of
第２処理液供給管８２には、上述の通り、複数の第２吐出ノズル８２１が取り付けられている。第２吐出ノズル８２１は、図７（ａ）に示すように、ＸＺ平面において、第２処理液供給管８２の中心軸から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面との間に向かう方向ＡＲ８２１に向けて取り付けられている。
As described above, the plurality of
複数の複数の第２吐出ノズル８２１は、図７（ｃ）に示すように、Ｙ方向について所定間隔で配設されている。第２吐出ノズル８２１の配設間隔は、第１吐出ノズル８１１の配設間隔よりも大きく設定されてもよいし、第１吐出ノズル８１１の配設間隔と同程度に設定されてもよい。
The plurality of
再び図６を参照する。処理液供給系９は、第１処理液供給管８１および注入管２１のそれぞれに、洗浄液または薬液のいずれかを選択的に供給する配管系である第１処理液供給系９Ａと、第２処理液供給管８２に、洗浄液を供給する配管系である第２処理液供給系９Ｂとを備える。なお、第１〜第４の処理液は、第１の実施の形態において説明したものと同じである。
Refer to FIG. 6 again. The processing
処理液供給系９は、第１処理液供給系９Ａとして、一端が注入管２１に、他端が選択バルブ９４１ａ，９４１ｂ，９４１ｃ，９４１ｄのそれぞれに接続された配管９１を備えている。配管９１には、注入バルブ９１１が介挿されている。
The treatment
また、処理液供給系９は、第１処理液供給系９Ａとして、一端が第１処理液供給管８１に、他端が選択バルブ９４１ａ，９４１ｂ，９４１ｃ，９４１ｄのそれぞれに接続された配管９２を備えている。配管９２には、第１吐出バルブ９２１が介挿されている。
Further, the processing
また、処理液供給系９は、第２処理液供給系９Ｂとして、一端が第２処理液供給管８２に、他端が配管９４ｄに接続された配管９３を備えている。配管９３には、第２吐出バルブ９３１が介挿されている。
Further, the processing
また、処理液供給系９は、第１処理液供給系９Ａとして、一端が選択バルブ９４１ａ，９４１ｂ，９４１ｃのそれぞれに接続された配管９４ａ，９４ｂ，９４ｃを備えている。また、第１処理液供給系９Ａおよび第２処理液供給系９Ｂに共有される構成として、一端が選択バルブ９４１ｄに接続された配管９４ｄを備えている。配管９４ａ，９４ｂ，９４ｃ，９４ｄの他端はそれぞれ第１処理液貯留槽９４５ａ，第２処理液貯留槽９４５ｂ、第３処理液貯留槽９４５ｃ、第４処理液貯留槽９４５ｄに接続されている。また、配管９４ａ，９４ｂ，９４ｃ，９４ｄには、フィルタ９４２ａ，９４２ｂ，９４２ｃ，９４２ｄと、ヒータ９４３ａ，９４３ｂ，９４３ｃ，９４３ｄと、ポンプ９４４ａ，９４４ｂ，９４４ｃ，９４４ｄとが介挿されている。
Further, the processing
注入バルブ９１１、吐出バルブ９２１、第２吐出バルブ９３１、選択バルブ９４１ａ，９４１ｂ，９４１ｃ，９４１ｄのそれぞれは、制御部７に接続されている。制御部７は、各バルブを所定のタイミングで開閉制御することによって、第１処理液供給管８１および注入管２１のそれぞれに所定のタイミングで所定の処理液（第１〜第４処理液のうちのいずれかの処理液）を供給する。また、第２処理液供給管８２に所定のタイミングで洗浄液（第４処理液）を供給する。
Each of the
上述の通り、この実施の形態においては、第１処理液供給管８１、注入管２１および第１処理液供給系９Ａによって、処理槽２内に支持された基板に対して洗浄液または薬液のいずれかを処理液として選択的に供給する処理液供給部が構成されている。
As described above, in this embodiment, either the cleaning liquid or the chemical liquid is applied to the substrate supported in the
〈２−２．処理動作〉
第２の実施の形態に係る基板処理装置２００において実行される基板処理動作を説明する。基板処理装置２００おいて実行される処理動作の流れは、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００において実行される処理動作の流れ（図４）と同様であり、以下においても図４を参照しながら説明する。
<2-2. Processing action>
A substrate processing operation executed in the
はじめに、図外の搬送ロボットが、複数の未処理基板Ｗが格納されたカセットＣを密閉チャンバ１内に搬入して、処理槽２内の所定位置に載置する。そして、制御部７が、密閉蓋１２を閉鎖して密閉チャンバ１内部を密閉空間とする（ステップＳ１）。
First, a transfer robot (not shown) carries a cassette C storing a plurality of unprocessed substrates W into the sealed
続いて、第１処理液による基板Ｗの表面処理を行う（ステップＳ２）。基板Ｗの表面薬液処理は、第１の実施の形態において説明した通り、被処理基板の表面状態や供給する処理液の種類等に応じて決定された供給パターンで、処理液を基板表面に供給することによって行われる。処理液をオーバーフローで供給する場合の処理動作は第１の実施の形態と同様である。また、処理液をシャワーで供給する場合の処理動作および処理液をシャワーとオーバーフローの両方で供給する場合の処理動作は次のように行われる。 Subsequently, the surface treatment of the substrate W with the first treatment liquid is performed (step S2). As described in the first embodiment, the surface chemical processing of the substrate W supplies the processing liquid to the substrate surface with a supply pattern determined according to the surface state of the substrate to be processed, the type of processing liquid to be supplied, and the like. Is done by doing. The processing operation when the processing liquid is supplied by overflow is the same as that of the first embodiment. Further, the processing operation in the case of supplying the processing liquid by a shower and the processing operation in the case of supplying the processing liquid by both a shower and an overflow are performed as follows.
〈シャワー供給〉
処理液（例えば第１処理液）をシャワーで供給する場合、制御部７が、選択バルブ９４１ａおよび第１吐出バルブ９２１を開放して第１処理液供給管８１に第１処理液を供給する。すると、第１吐出ノズル８１１から基板Ｗに向けて第１処理液が吐出され、吐出された第１処理液の流れ（処理液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面処理が実行される。なお、制御部７は、吐出バルブ４２１を開放する際には、ドレイン弁５１２，５１３、廃液バルブ５１１ａを開放しておく。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面処理が完了すると、選択バルブ９４１ａおよび吐出バルブ９２１を閉じて第１処理液供給管８１に対する第１処理液の供給を停止する。
<Shower supply>
When supplying the processing liquid (for example, the first processing liquid) in a shower, the control unit 7 opens the
〈シャワー供給とオーバーフロー供給との併用〉
処理液（例えば第１処理液）をシャワーとオーバーフローの両方で供給する場合、制御部７は、選択バルブ９４１ａおよび第１吐出バルブ９２１を開放して第１処理液供給管８１に第１処理液を供給する。また、第１吐出バルブ９２１を開くと同時に、もしくは、第１吐出バルブ９２１を開いてから所定時間が経過した後に、制御部７は、注入バルブ９１１を開放して注入管２１に第１処理液を供給する。すると、第１吐出ノズル８１１から吐出された第１処理液の流れと、注入孔２１１から吐出されて処理槽２の開口部からオーバーフローする第１処理液の流れとによって、基板に対する表面処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面処理が完了すると、選択バルブ９４１ａおよび第１吐出バルブ９２１を閉じて第１処理液供給管８１に対する第１処理液の供給を停止し、注入バルブ９１１を閉じて注入管２１に対する第１処理液の供給を停止する。この間、ドレイン弁５１２、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の第１処理液を第１処理液貯留槽４３５ａに還流する。最終的には、ドレイン弁５１３を開放し、第１処理液を全て回収する。
<Combination of shower supply and overflow supply>
When supplying the processing liquid (for example, the first processing liquid) by both shower and overflow, the control unit 7 opens the
再び図４を参照する。ステップＳ２の処理が終了すると、続いて、洗浄処理を行う（ステップＳ３）。ここでは、基板Ｗの表面洗浄処理と、処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面の洗浄処理とを並行して行う。洗浄処理における洗浄液の供給パターンは、以下の３つから選択される。
Refer to FIG. 4 again. When the process of step S2 is completed, a cleaning process is subsequently performed (step S3). Here, the surface cleaning process of the substrate W and the cleaning process of the outer wall surface of the
〈シャワー供給で基板を洗浄しながら壁面を洗浄する〉
第１の供給パターンにおいては、シャワー供給で基板Ｗを洗浄しながら処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面を洗浄する。この場合、制御部７が、選択バルブ９４１ｄおよび第１吐出バルブ９２１を開放して第１処理液供給管８１に第４処理液（洗浄液）を供給する。すると、第１吐出ノズル８１１から基板Ｗに向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れ（洗浄液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面洗浄処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面洗浄処理が完了すると、選択バルブ９４１ｄおよび第１吐出バルブ９２１を閉じて第１処理液供給管８１に対する洗浄液の供給を停止する。
<Wash the wall while cleaning the substrate with shower supply>
In the first supply pattern, the outer wall surface of the
また、第１吐出バルブ９２１を開くと同時に、制御部７は、第２吐出バルブ９３１を開放して第２処理液供給管８２に洗浄液を供給する。すると、第２吐出ノズル８２１から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄される。制御部７は、所定時間が経過して処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面の洗浄が完了すると、第２吐出バルブ９３１を閉じて第２処理液供給管８２に対する洗浄液の供給を停止する。なお、第２吐出バルブ９３１を閉じるタイミングは、第１吐出バルブ９２１を閉じるタイミングと同時であってもよいし、第１吐出バルブ９２１を閉じる前であってもよい。また、第２吐出バルブ９３１を所定のタイミングで開閉制御して、第２吐出ノズル８２１から洗浄液を間欠的に吐出させてもよい。
At the same time that the
なお、制御部７は、吐出バルブ４２１を開放する際にはドレイン弁５１２，５１３、廃液バルブ５１１ｄを開放しておく。したがって、吐出ノズル３１から吐出された洗浄液は処理槽２内や密閉チャンバ１内に貯留せず、配管５１を通って排液される。
The controller 7 opens the
〈オーバーフロー供給で基板を洗浄しながら壁面洗浄〉
第２の供給パターンにおいては、オーバーフロー供給で基板Ｗを洗浄しながら処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面を洗浄する。この場合、制御部７が、選択バルブ９４１ａおよび注入バルブ９１１を開放して注入管２１に洗浄液を供給する。すると、注入孔２１１から吐出されて処理槽２の開口部からオーバーフローする洗浄液の流れによって基板Ｗに対する洗浄処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面洗浄処理が完了すると、選択バルブ９４１ｄおよび注入バルブ９１１を閉じて注入管２１に対する洗浄液の供給を停止する。この間、ドレイン弁５１２、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の洗浄液を排液する。最後にドレイン弁５１３を開放し、処理槽２内の全ての洗浄液を排液する。
<Washing the wall while cleaning the substrate with overflow supply>
In the second supply pattern, the outer wall surface of the
また、注入バルブ９１１を開くと同時に、制御部７は、第２吐出バルブ９３１を開放して第２処理液供給管８２に洗浄液を供給する。すると、第２吐出ノズル８２１から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄される。制御部７は、所定時間が経過して処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面の洗浄が完了すると、第２吐出バルブ９３１を閉じて第２処理液供給管８２に対する洗浄液の供給を停止する。
At the same time as opening the
〈シャワー供給とオーバーフロー供給との併用で基板を洗浄しながら壁面を洗浄する〉
第３の供給パターンにおいては、シャワー供給とオーバーフロー供給との両方で基板Ｗを洗浄しながら処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面を洗浄する。この場合、制御部７が、選択バルブ９４１ｄおよび吐出バルブ９２１を開放して第１処理液供給管８１に洗浄液を供給する。また、吐出バルブ９２１を開くと同時に、もしくは、吐出バルブ９２１を開いてから所定時間が経過した後に、制御部７は、注入バルブ９１１を開放して注入管２１に洗浄液を供給する。すると、第１吐出ノズル８１１から吐出された洗浄液の流れと、注入孔２１１から吐出されて処理槽２内の開口部からオーバーフローする第１処理液の流れとによって、基板Ｗに対する表面洗浄処理が実行される。制御部７は、所定時間が経過して基板Ｗに対する表面洗浄処理が完了すると、選択バルブ９４１ｄおよび第１吐出バルブ９２１を閉じて第１処理液供給管８１に対する洗浄液の供給を停止し、注入バルブ９１１を閉じて注入管２１に対する洗浄液の供給を停止する。この間、ドレイン弁５１２、廃液バルブ５１１ａを開放して、処理槽２内および密閉チャンバ１内の洗浄液を排液する。最後にドレイン弁５１３を開放し、処理槽２内の全ての洗浄液を排液する。
<Washing the wall while cleaning the substrate using a combination of shower supply and overflow supply>
In the third supply pattern, the outer wall surface of the
また、吐出バルブ９２１を開くと同時に、制御部７は、第２吐出バルブ９３１を開放して第２処理液供給管８２に洗浄液を供給する。すると、第２吐出ノズル８２１から処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄される。制御部７は、所定時間が経過して処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面の洗浄が完了すると、第２吐出バルブ９３１を閉じて第２処理液供給管８２に対する洗浄液の供給を停止する。
At the same time that the
再び図３を参照する。ステップＳ３の処理が終了すると、続いて、第２処理液による基板Ｗの表面処理を行う（ステップＳ４）。具体的な処理動作はステップＳ２において説明した通りであるが、ここでは、選択バルブ９４１ａではなく選択バルブ９４１ｂを開閉制御する点が相違する。
Refer to FIG. 3 again. When the process in step S3 is completed, the surface treatment of the substrate W with the second processing liquid is subsequently performed (step S4). The specific processing operation is as described in step S2, except that the
続いて、再度洗浄処理を行う（ステップＳ５）。具体的な処理動作はステップＳ３において説明した通りである。 Subsequently, the cleaning process is performed again (step S5). The specific processing operation is as described in step S3.
続いて、第３処理液による基板Ｗの表面乾燥処理を行う（ステップＳ６）。具体的な処理動作はステップＳ２において説明した通りであるが、ここでは、選択バルブ９４１ａではなく選択バルブ９４１ｃを開閉制御する点が相違する。
Then, the surface drying process of the board | substrate W by a 3rd process liquid is performed (step S6). The specific processing operation is as described in step S2, except that the
以上で基板Ｗに対する表面処理が完了する。表面処理が完了すると、制御部７は密閉蓋１２を開放する。続いて、図外の搬送ロボットが処理槽２内に載置されたカセットＣを密閉チャンバ１から搬出する（ステップＳ７）。
Thus, the surface treatment for the substrate W is completed. When the surface treatment is completed, the control unit 7 opens the sealing
〈２−３．効果〉
この実施の形態によると、互いに独立した流路が形成された第１処理液供給管８１と第２処理液供給管８２とのそれぞれに第１吐出ノズル８１１と第２吐出ノズル８２１とが取り付けられので、基板に対する処理液の供給と処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面に対する洗浄液の供給とを独立して行うことができる。
<2-3. effect>
According to this embodiment, the
〔３．変形例〕
〈３−１．第１の変形例〉
上記の各実施の形態においては、洗浄処理において、基板Ｗの表面洗浄処理と並行して、処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面の洗浄処理を行っているが、さらに、密閉蓋１２の裏面を洗浄してもよい。
[3. (Modification)
<3-1. First Modification>
In each of the above embodiments, in the cleaning process, the outer wall surface of the
第１の変形例に係る基板処理装置の構成について説明する。なお、以下においては、第１の実施の形態と相違する点を説明し、相違しない点については説明を省略する。また、同じ構成部を示す際には、第１の実施の形態の説明で用いた参照符号を用いる。この変形例に係る基板処理装置は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と同様の構成を備えるが、処理液供給管３に替えて処理液供給管３ａを備える点が相違する。
A configuration of the substrate processing apparatus according to the first modification will be described. In the following, points that differ from the first embodiment will be described, and descriptions of points that are not different will be omitted. Moreover, when showing the same component, the reference numerals used in the description of the first embodiment are used. The substrate processing apparatus according to this modification has the same configuration as that of the
〈処理液供給管３ａ〉
この変形例に係る処理液供給管３ａの構成を、図８を参照しながらより具体的に説明する。図８（ａ）は、処理液供給管３ａのＸＺ平面についての断面図であり、図８（ｂ）は処理液供給管３ａをＰ７−Ｐ８方向から見た側面図である。
<Processing
The configuration of the processing
処理液供給管３ａは、密閉チャンバ１内であって処理槽２の両側面の上方に配置された配管である。処理液供給管３ａには、吐出ノズル３１ａとして、複数の第１吐出ノズル３１１ａと、複数の第２吐出ノズル３１２ａと、複数の第３吐出ノズル３１３ａとが取り付けられている。第１吐出ノズル３１１ａ、第２吐出ノズル３１２ａの構成は、それぞれ第１の実施の形態に係る第１吐出ノズル３１１、第２吐出ノズル３１２と同様である。第３吐出ノズル３１３ａは、密閉蓋１２の裏面に向かう方向ＡＲ３１３に処理液を吐出する。複数の第３吐出ノズル３１３ａのそれぞれから吐出された処理液は、密閉チャンバ１を閉鎖する密閉蓋１２の裏面に供給される。
The processing
第１吐出ノズル３１１ａと第３吐出ノズル３１３ａとは、図８（ａ）に示すように、ＸＺ平面において互いに所定の角度βを形成しながら処理液供給管３ａに取り付けられている。角度βは、処理液供給管３ａの中心軸から処理槽２内に支持された基板Ｗに向かう方向ＡＲ３１１と、中心軸から処理槽２を閉鎖する密閉蓋１２の裏面に向かう方向ＡＲ３１３とがなす角度である。
As shown in FIG. 8A, the
複数の第３吐出ノズル３１３ａは、図８（ｂ）に示すように、Ｙ方向について所定間隔で配設される。第３吐出ノズル３１３ａの配設間隔は、第２吐出ノズル３１２の配設間隔と同程度である。
As shown in FIG. 8B, the plurality of
この構成によると、制御部７が、選択バルブ４３１ｄおよび吐出バルブ４２１を開放して処理液供給管３ａに第４処理液（洗浄液）を供給すると、第１吐出ノズル３１１ａから基板Ｗに向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れ（洗浄液のシャワー）によって基板Ｗに対する表面洗浄処理が実行され、これと同時に、第２吐出ノズル３１２ａから処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄され、さらにこれと同時に、第３吐出ノズル３１３ａから密閉蓋１２の裏面に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって密閉蓋１２の裏面が洗浄される。
According to this configuration, when the control unit 7 opens the
〈３−２．第２の変形例〉
第２の変形例に係る基板処理装置の構成について説明する。なお、以下においては、第２の実施の形態と相違する点を説明し、相違しない点については説明を省略する。また、同じ構成部を示す際には、第２の実施の形態の説明で用いた参照符号を用いる。この変形例に係る基板処理装置は、第２の実施の形態に係る基板処理装置２００と同様の構成を備えるが、第２処理液供給管８２に替えて第２処理液供給管８２ａを備える点が相違する。
<3-2. Second Modification>
A configuration of the substrate processing apparatus according to the second modification will be described. In the following, differences from the second embodiment will be described, and descriptions of points that are not different will be omitted. Further, when indicating the same components, the reference numerals used in the description of the second embodiment are used. The substrate processing apparatus according to this modification has the same configuration as the
〈第２処理液供給管８２ａ〉
この変形例に係る第２処理液供給管８２ａの構成を、図９を参照しながらより具体的に説明する。図９（ａ）は第１処理液供給管８１および第２処理液供給管８２ａのＸＺ平面についての断面図である。また、図９（ｂ）は第２処理液供給管８２ａをＰ９−Ｐ１０方向から見た側面図である。
<Second treatment liquid supply pipe 82a>
The configuration of the second processing liquid supply pipe 82a according to this modification will be described more specifically with reference to FIG. FIG. 9A is a cross-sectional view of the first processing
第２処理液供給管８２ａは、密閉チャンバ１内であって密閉チャンバ１の両側面と第１処理液供給管８１との間に配置された配管であり、第１処理液供給管８１のそれぞれに隣接して配設される。ただし、第１処理液供給管８１の構成は第２の実施の形態と同様である。第２処理液供給管８２ａには、複数の第２吐出ノズル８２１ａと、複数の第３吐出ノズル８２２ａとが取り付けられている。第２吐出ノズル８２１ａの構成は、第２の実施の形態に係る第２吐出ノズル８２１と同様である。第３吐出ノズル８２２ａは、密閉蓋１２の裏面に向かう方向ＡＲ８２２に処理液を吐出する。複数の第３吐出ノズル８２２ａのそれぞれから吐出された処理液は、密閉チャンバ１を閉鎖する密閉蓋１２の裏面に供給される。
The second processing liquid supply pipe 82 a is a pipe disposed in the sealed
第２吐出ノズル８２１ａと第３吐出ノズル８２２ａとは、図９（ａ）に示すように、ＸＺ平面において互いに所定の角度γを形成しながら第２処理液供給管８２ａに取り付けられている。角度γは、第２処理液供給管８２ａの中心軸から処理槽２内に支持された基板Ｗに向かう方向ＡＲ８２１と、中心軸から処理槽２を閉鎖する密閉蓋１２の裏面に向かう方向ＡＲ８２２とがなす角度である。
As shown in FIG. 9A, the
複数の第３吐出ノズル８２２ａは、図９（ｂ）に示すように、Ｙ方向について所定間隔で配設される。第３吐出ノズル８２２ａの配設間隔は、第２吐出ノズル８２１の配設間隔と同程度である。
As shown in FIG. 9B, the plurality of
この構成によると、制御部７が、選択バルブ９４１ｄおよび第２吐出バルブ９３１を開放して第２処理液供給管８２ａに第４処理液（洗浄液）を供給すると、第２吐出ノズル８２１ａから処理槽２の外壁面と密閉チャンバ１の内壁面の間に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって処理槽２の外壁面および密閉チャンバ１の内壁面が洗浄され、さらにこれと同時に、第３吐出ノズル８２２ａから密閉蓋１２の裏面に向けて洗浄液が吐出され、吐出された洗浄液の流れによって密閉蓋１２の裏面が洗浄される。
According to this configuration, when the control unit 7 opens the
なお、上記においては第３吐出ノズル８２２ａは第２処理液供給管８２ａに取り付ける構成としたが、第２処理液供給管８２ａとは独立した流路を形成する第３の処理液供給管を設け、当該第３の処理液供給管に第３吐出ノズル８２２ａを取り付ける構成としてもよい。
In the above description, the
〈３−３．効果〉
第１の変形例および第２の変形例によると、洗浄処理において、第３吐出ノズル３１３ａ（第２の変形例の場合は、第３吐出ノズル８２２ａ）から密閉蓋１２の裏面に向かう洗浄液が吐出される。これによって、密閉チャンバ１の内壁面および処理槽２の外壁面だけでなく、密閉蓋１２の裏面に付着した薬液が洗い流される。この構成によると、先の薬液処理において密閉蓋１２の裏面にまで薬液が付着していたとしても、その薬液が気化して洗浄処理後の基板を汚染することがない。
<3-3. effect>
According to the first modification and the second modification, the cleaning liquid is discharged from the
〔その他の変形例〕
上記の各実施の形態においては、処理槽２内に複数の基板Ｗが格納されたカセットＣを載置し、載置されたカセットＣの位置をカセット位置規制部２２によって規制することによって、基板を処理槽２内の所定位置に支持する構成としたが、リフタ（複数の基板を保持して昇降させる機構）を用いて複数の基板を処理槽２内に支持する構成としてもよい。
[Other variations]
In each of the above embodiments, the cassette C in which a plurality of substrates W are stored in the
また、上記の各実施の形態においては、処理液供給系４，８は、注入管２１や処理液供給管３，８に、洗浄液を含む４種類の処理液のいずれかを選択的に供給する配管系であるとしたが、処理液供給系４，８は、洗浄液を含む少なくとも２種類以上の処理液のいずれかを選択的に供給する配管系であればよい。例えば、注入管２１や処理液供給管３，８に第１の処理液（例えば、アルカリの薬液）または洗浄液を選択的に供給する処理液供給系を備える第１の基板処理装置と、第２の処理液（例えば、酸性の薬液）または洗浄液を選択的に供給する処理液供給系を備える第２の基板処理装置と、第３の処理液（例えば、乾燥媒体）または洗浄液を選択的に供給する処理液供給系を備える第３の基板処理装置とを用いて、基板に対する一連の処理を実行してもよい。すなわちこの場合、第１〜第３の基板処理装置を並置しておき、第１の基板処理装置において、第１処理液による表面処理と洗浄処理を行い、当該処理が完了した基板を今度は第２の基板処理装置に搬入して第２処理液による表面処理と洗浄処理を行い、当該処理が完了した基板を今度は第３の基板処理装置に搬入して最終リンス処理と乾燥処理を行うことができる。この変形例によると、配管系を単純化できるという利点がある。
In each of the above embodiments, the processing
また、第１の実施の形態においては、処理液供給管３に、第１吐出ノズル３１１と第２吐出ノズル３１２とが取り付けられているが、この処理液供給管３にさらに第２吐出ノズル３１２の吐出孔を適宜に覆い塞ぐことが可能な構成を設けてもよい。例えば、処理液供給管３の管内に、処理液供給管３の内壁面に沿って移動可能であり、所定位置において第２吐出ノズル３１２の吐出孔を覆い塞ぐことが可能な断面円弧状の閉塞板を挿入しておく。このような構成を設けておけば、処理液供給管３に供給された処理液を第２吐出ノズル３１２から吐出させる必要がない場合（例えば、シャワー供給による薬液処理を行う場合）には、制御部７が閉塞板を第２吐出ノズル３１２の吐出孔を覆い塞ぐ位置に移動させて、処理液が第２吐出ノズル３１２から吐出されないようにすることができる。これによって、第２吐出ノズル３１２から処理液が無駄に吐出されてしまうことを防止することができる。
Further, in the first embodiment, the
また、第２の実施の形態においては、第１処理液供給管８１、注入管２１および第１処理液供給系９Ａによって処理液供給部を構成していたが、注入管２１と処理液供給系９Ａとによって処理液供給部を構成してもよい。この場合、処理槽２内に支持された基板に対する処理液の供給は、注入管２１に対して処理液を供給し、注入孔２１１から処理液を吐出させることによって（すなわち、オーバーフロー供給）により行うことになる。また、第１処理液供給管８１と処理液供給系９Ａとによって処理液供給部を構成してもよい。この場合、処理槽２内に支持された基板に対する処理液の供給は、第１処理液供給管８１に対して処理液を供給し、第１吐出ノズル８１１から処理液を吐出させることによって（すなわち、シャワー供給）により行うことになる。
In the second embodiment, the processing liquid supply unit is configured by the first processing
１ 密閉チャンバ
２ 処理槽
３，３ａ，８ 処理液供給管
４ 処理液供給系
５ 廃液系
６ 排気系
７ 制御部
８１ 第１処理液供給管
８２，８２ａ 第２処理液供給管
２１ 注入管
２２ カセット位置規制部
３１ 吐出ノズル
２１１ 注入孔
３１１，３１１ａ，８１１ 第１吐出ノズル
３１２，３１２ａ，８２１ 第２吐出ノズル
３１３ａ，８２２ａ 第３吐出ノズル
Ｃ カセット
Ｗ 基板Ｗ
DESCRIPTION OF
Claims (7)
基板を収容して内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留可能な処理槽と、
前記チャンバ内に配置された処理液供給管と、
前記処理液供給管に対して、洗浄液または薬液のいずれかを処理液として選択的に供給する処理液供給系と、
前記処理液供給管に取り付けられ、前記処理槽内に支持された基板に向かう方向に前記処理液を吐出する第１吐出ノズルと、
前記処理液供給管に取り付けられ、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向かう方向に前記処理液を吐出して、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面とに前記処理液を供給する第２吐出ノズルと、
を備え、
前記第１吐出ノズルからの前記洗浄液の吐出と並行して、前記第２吐出ノズルから前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向けて前記洗浄液が吐出され、前記第２吐出ノズルから吐出された前記洗浄液の流れによって前記処理槽の外壁面および前記チャンバの内壁面が洗浄されることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a surface treatment of a substrate,
A chamber capable of accommodating a substrate and making the inside a sealed space;
A treatment tank disposed in the chamber and capable of storing a treatment liquid;
A processing liquid supply pipe disposed in the chamber;
A treatment liquid supply system that selectively supplies either a cleaning liquid or a chemical as a treatment liquid to the treatment liquid supply pipe;
A first discharge nozzle that is attached to the processing liquid supply pipe and discharges the processing liquid in a direction toward the substrate supported in the processing tank;
The treatment liquid is attached to the treatment liquid supply pipe, discharges the treatment liquid in a direction between the outer wall surface of the treatment tank and the inner wall surface of the chamber, and is applied to the outer wall surface of the treatment tank and the inner wall surface of the chamber. A second discharge nozzle for supplying the treatment liquid;
Equipped with a,
In parallel with the discharge of the cleaning liquid from the first discharge nozzle, the cleaning liquid is discharged from the second discharge nozzle between the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber, and the second discharge the substrate processing apparatus inner wall surface of the outer wall surface and the chamber of the processing tank is cleaned by the flow of the cleaning liquid discharged from the nozzle, characterized in Rukoto.
前記第１吐出ノズルおよび前記第２吐出ノズルが前記処理液供給管にそれぞれ複数個ずつ取り付けられており、
前記処理液供給管に取り付けられた前記第２吐出ノズルの個数が、前記処理液供給管に取り付けられた前記第１吐出ノズルの個数よりも少ないことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
A plurality of the first discharge nozzles and the second discharge nozzles are respectively attached to the processing liquid supply pipe;
The substrate processing apparatus, wherein the number of the second discharge nozzles attached to the processing liquid supply pipe is smaller than the number of the first discharge nozzles attached to the processing liquid supply pipe.
前記処理液供給管に取り付けられ、前記チャンバの蓋の裏面に向かう方向に前記処理液を吐出する第３吐出ノズル、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein:
A third discharge nozzle that is attached to the processing liquid supply pipe and discharges the processing liquid in a direction toward the back surface of the lid of the chamber;
A substrate processing apparatus comprising:
基板を収容して内部を密閉空間にすることが可能なチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、処理液を貯留可能な処理槽と、
前記処理槽内に支持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部と、
前記チャンバ内に配置された洗浄液供給管と、
前記洗浄液供給管に対して、洗浄液を供給する洗浄液供給系と、
前記洗浄液供給管に取り付けられ、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向かう方向に前記洗浄液を吐出して、前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面とに前記洗浄液を供給する壁面洗浄液吐出ノズルと、
を備え、
前記壁面洗浄液吐出ノズルから前記処理槽の外壁面と前記チャンバの内壁面との間に向けて前記洗浄液が吐出され、前記壁面洗浄液吐出ノズルから吐出された前記洗浄液の流れによって前記処理槽の外壁面および前記チャンバの内壁面が洗浄されることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing a surface treatment of a substrate,
A chamber capable of accommodating a substrate and making the inside a sealed space;
A treatment tank disposed in the chamber and capable of storing a treatment liquid;
A processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate supported in the processing tank;
A cleaning liquid supply pipe disposed in the chamber;
A cleaning liquid supply system for supplying a cleaning liquid to the cleaning liquid supply pipe;
The cleaning liquid is attached to the cleaning liquid supply pipe and discharges the cleaning liquid in a direction between the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber, and the cleaning liquid is applied to the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber. A wall cleaning liquid discharge nozzle for supplying
Equipped with a,
The cleaning liquid is discharged from the wall surface cleaning liquid discharge nozzle between the outer wall surface of the processing tank and the inner wall surface of the chamber, and the outer wall surface of the processing tank is generated by the flow of the cleaning liquid discharged from the wall surface cleaning liquid discharge nozzle. and a substrate processing apparatus inner wall surface of said chamber and said Rukoto washed.
前記処理液供給部が、
前記チャンバ内に配置された処理液供給管と、
前記処理液供給管に対して、洗浄液または薬液のいずれかを処理液として選択的に供給する処理液供給系と、
前記処理液供給管に取り付けられ、前記処理槽内に支持された基板に向かう方向に前記処理液を吐出する処理液吐出ノズルと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4,
The treatment liquid supply unit is
A processing liquid supply pipe disposed in the chamber;
A treatment liquid supply system that selectively supplies either a cleaning liquid or a chemical as a treatment liquid to the treatment liquid supply pipe;
A treatment liquid discharge nozzle that is attached to the treatment liquid supply pipe and discharges the treatment liquid in a direction toward the substrate supported in the treatment tank;
A substrate processing apparatus comprising:
前記洗浄液供給管に取り付けられ、前記チャンバの蓋の裏面に向かう方向に前記洗浄液を吐出する裏面洗浄液吐出ノズル、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4 or 5, wherein
A rear surface cleaning liquid discharge nozzle that is attached to the cleaning liquid supply pipe and discharges the cleaning liquid in a direction toward the rear surface of the lid of the chamber;
A substrate processing apparatus comprising:
前記洗浄液供給管に取り付けられ、前記チャンバの蓋の裏面に向かう方向に前記洗浄液を吐出する裏面洗浄液吐出ノズル、
を備え、
前記裏面洗浄液吐出ノズルからの前記洗浄液の吐出が、前記処理液吐出ノズルによる前記基板に向かう方向への前記洗浄液の吐出と並行して行われることを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5,
A rear surface cleaning liquid discharge nozzle that is attached to the cleaning liquid supply pipe and discharges the cleaning liquid in a direction toward the rear surface of the lid of the chamber;
With
The substrate processing apparatus, wherein discharge of the cleaning liquid from the back surface cleaning liquid discharge nozzle is performed in parallel with discharge of the cleaning liquid in a direction toward the substrate by the processing liquid discharge nozzle .
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