JP4884883B2 - Group III nitride semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、III族窒化物半導体装置に関し、より詳しくは、III族窒化物半導体から構成される電界効果型トランジスタを有するIII族窒化物半導体装置に関する。 The present invention relates to a group III nitride semiconductor device, and more particularly to a group III nitride semiconductor device having a field effect transistor made of a group III nitride semiconductor.
III-V族化合物半導体のうちGaNは、エネルギーバンドギャップが3.4eVと大きく、ボンド間の結合エネルギーが大きい。また、GaNの飽和速度は約2.5×107cm/秒、耐圧は約3×106V/cmであって、Si、GaAs、SiCのそれよりも大きい。 Among the III-V group compound semiconductors, GaN has a large energy band gap of 3.4 eV and a large bond energy between bonds. Further, the saturation rate of GaN is about 2.5 × 10 7 cm / second and the breakdown voltage is about 3 × 10 6 V / cm, which is larger than that of Si, GaAs, and SiC.
従って、GaNは、高速動作のパワートランジスタの材料として用いられることが可能になり、GaNを使用する電子デバイスとして、例えば、MESFET(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)や高電子移動度トランジスタがある。 Accordingly, GaN can be used as a material for a power transistor that operates at high speed, and examples of electronic devices using GaN include MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) and high electron mobility transistors.
そのような電界効果型トランジスタのソース・ドレイン間の電圧が50V以上の高電圧領域においては、電流コラプスや電流スランプといった大電圧を印可した状態でオン抵抗が増大する現象の発生が知られている。この現象は、電界効果トランジスタにおける発熱の発生や消費電力の増大、素子寿命の短命化などを引き起こす要因の1つとなっている。 In a high voltage region where the voltage between the source and drain of such a field effect transistor is 50 V or more, it is known that a phenomenon in which the on-resistance increases in a state where a large voltage such as current collapse or current slump is applied. . This phenomenon is one of the factors that cause generation of heat in the field effect transistor, increase in power consumption, and shortening of the device life.
そのような現象が生じる原因としては、表面準位による電子トラップによって生じるなど、諸説がある。
そのような現象に対しては、電界効果型トランジスタが形成されたウェハチップの上方から紫外線(UV)を照射してソース・ドレイン間電流の増大を抑制することが下記の非特許文献1に記載されている。
There are various theories that cause such a phenomenon, such as an electron trap caused by surface states.
Non-Patent
また、特許文献1においても、半導体素子の上から光を照射してトランジスタの特性の悪化を防止することが記載されている。
しかし、電界効果型トランジスタに外部から光を照射する場合には、パッケージに光透過窓を設けて、さらにその光透過窓に対向して光源を配置する必要があり、これではパッケージが複雑化し、しかも電界効果型トランジスタ及びその周辺構造が大形化するといった不都合がある。 However, when irradiating light to the field effect transistor from the outside, it is necessary to provide a light transmission window in the package, and further to arrange a light source facing the light transmission window, which complicates the package, In addition, the field effect transistor and its peripheral structure are disadvantageous in size.
さらに、光源の長寿命化、消費電力低下を防止するために、電界効果型トランジスタの動作に同期させて光源を発光させる周辺回路を設ける必要があり、これでは電界効果型トランジスタ駆動系回路が大規模化するといった問題がある。 Furthermore, in order to prevent the light source from extending its life and reducing power consumption, it is necessary to provide a peripheral circuit that emits light from the light source in synchronization with the operation of the field effect transistor, which requires a large field effect transistor drive circuit. There is a problem of scaling up.
本発明が解決しようとする課題は、電界効果型トランジスタとこのトランジスタに光を照射する光源及びその駆動回路の小型化を図ることができるIII族窒化物半導体装置を提供することにある。 The problem to be solved by the present invention is to provide a field effect transistor, a light source for irradiating the transistor with light, and a group III nitride semiconductor device capable of reducing the size of its drive circuit.
上記の課題を解決するための本発明の第1の態様は、基板と、前記基板上に設けられ且つIII族窒化物半導体から構成される電界効果型トランジスタと、前記基板上に設けられ且つ前記電界効果トランジスタに光を照射するための発光素子とを有することを特徴とするIII族窒化物半導体装置である。 A first aspect of the present invention for solving the above-mentioned problems is a substrate, a field effect transistor provided on the substrate and made of a group III nitride semiconductor, provided on the substrate and A group III nitride semiconductor device comprising: a light emitting element for irradiating a field effect transistor with light.
本発明の第2の態様は、前記第1の態様に係るIII族窒化物半導体装置において、前記電界効果トランジスタは、前記基板上に積層された第1のIII族窒化物半導体の電子走行層と、前記電子走行層上に積層された第2のIII族窒化物半導体からなる電子供給層と、前記電子供給層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極とを有することを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the group III nitride semiconductor device according to the first aspect, the field effect transistor includes an electron transit layer of the first group III nitride semiconductor stacked on the substrate, And an electron supply layer made of a second group III nitride semiconductor laminated on the electron transit layer, and a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode formed on the electron supply layer. To do.
本発明の第3の態様は、前記第1の態様に係るIII族窒化物半導体装置において、前記電界効果トランジスタのゲート電極は、誘電体膜を介してIII族窒化物半導体層に接続することを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the group III nitride semiconductor device according to the first aspect, the gate electrode of the field effect transistor is connected to the group III nitride semiconductor layer through a dielectric film. Features.
本発明の第4の態様は、前記第1乃至第3の態様のいずれかに係るIII族窒化物半導体装置において、前記発光素子は、前記基板上に形成された第3のIII族窒化物半導体からなる一導電型層と、第4のIII族窒化物半導体からなる反対導電型層と、前記一導電型層に接続される第1の電極と、前記反対導電型層に接続される第2の電極とを有することを特徴とする。 A fourth aspect of the present invention is the group III nitride semiconductor device according to any one of the first to third aspects, wherein the light emitting element is a third group III nitride semiconductor formed on the substrate. A first conductivity type layer composed of a fourth group III nitride semiconductor, a first electrode connected to the one conductivity type layer, and a second electrode connected to the opposite conductivity type layer. Electrode.
本発明の第5の態様は、前記第1乃至第4の態様のいずれかに係るIII族窒化物半導体装置において、前記発光素子は発光ダイオードであることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the group III nitride semiconductor device according to any one of the first to fourth aspects, the light emitting element is a light emitting diode.
本発明の第6の態様は、前記第1乃至第7の態様のいずれかに係るIII族窒化物半導体装置において、前記電界効果トランジスタはノーマリオン型であり、前記電界効果トランジスタのゲートと前記発光素子のカソードが直列に接続されていることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the group III nitride semiconductor device according to any one of the first to seventh aspects, the field effect transistor is a normally-on type, and the gate of the field effect transistor and the light emission The cathodes of the elements are connected in series.
本発明の第7の態様は、前記第6の態様に係るIII族窒化物半導体装置において、前記前記基板上に成長されたIII族窒化物半導体層を含むダイオードをさらに有し、前記ダイオードのアノードは前記電界効果トランジスタの前記ゲートに接続され、前記ダイオードのカソードは前記電界効果型トランジスタのソースに接続されることを特徴とする。 A seventh aspect of the present invention is the group III nitride semiconductor device according to the sixth aspect, further comprising a diode including a group III nitride semiconductor layer grown on the substrate, the anode of the diode Is connected to the gate of the field effect transistor, and the cathode of the diode is connected to the source of the field effect transistor.
本発明の第8の態様は、前記第1乃至第5の態様のいずれかに係るIII族窒化物半導体装置において、前記電界効果型トランジスタはノーマリオフ型であり、前記発光素子のアノードは前記電界効果型トランジスタのゲートに接続され、前記発光素子のカソードは前記電界効果型トランジスタのソースに接続されることを特徴とする。 According to an eighth aspect of the present invention, in the group III nitride semiconductor device according to any one of the first to fifth aspects, the field effect transistor is a normally-off type, and the anode of the light emitting element is the field effect. The cathode of the light emitting element is connected to the source of the field effect transistor.
本発明の第9の態様は、前記第1乃至第8の態様のいずれかに係るIII族窒化物半導体装置において、前記電界効果トランジスタと前記発光素子の接続は、金属配線、金属ワイヤ、ドーパント導入半導体層の少なくとも1つを介して接続されることを特徴とする。 According to a ninth aspect of the present invention, in the group III nitride semiconductor device according to any one of the first to eighth aspects, the connection between the field effect transistor and the light emitting element is a metal wiring, a metal wire, or a dopant introduction. It is connected through at least one of the semiconductor layers.
本発明によれば、III族窒化物半導体の電界効果トランジスタと発光素子を同一基板上に設けるようにしたので、発光素子により発光された光は電界効果トランジスタのIII族窒化物半導体層に照射され、これにより電流コラプスによるソース・ドレイン間のオン抵抗の増加が抑制される。
しかも、電界効果トランジスタと発光素子が同一基板上で接近した状態となるので、光透過窓の無いパッケージに封入することが可能になり、発光素子と電界効果トランジスタの取り付け面積の縮小化が可能になる。
According to the present invention, the group III nitride semiconductor field effect transistor and the light emitting element are provided on the same substrate, so that the light emitted by the light emitting element is irradiated to the group III nitride semiconductor layer of the field effect transistor. This suppresses an increase in on-resistance between the source and drain due to current collapse.
Moreover, since the field effect transistor and the light emitting element are close to each other on the same substrate, it can be sealed in a package without a light transmission window, and the mounting area of the light emitting element and the field effect transistor can be reduced. Become.
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
図1〜図3は、本発明の実施形態に係るIII族窒化物半導体装置及びその製造工程を示す断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(First embodiment)
1 to 3 are sectional views showing a group III nitride semiconductor device and a manufacturing process thereof according to an embodiment of the present invention.
まず、図1(a)に示すように、ヒ素(As)、リン(P)等がドープされたn型シリコン(Si)基板1上に、厚さ約100nmのn型AlN系材料からなるバッファ層2と、厚さ2〜4μm程度のn型GaN層3を順に形成する。
First, as shown in FIG. 1A, a buffer made of an n-type AlN-based material having a thickness of about 100 nm on an n-type silicon (Si)
続いて、n型GaN層3上に酸化シリコン(SiO2)からなる第1の誘電体膜11をCVD法により約1μmの厚さに形成した後に、第1の誘電体膜11上にフォトレジストRを塗布し、これを露光、現像してトランジスタ形成領域において第1の誘電体膜22を露出させる。なお、第1の誘電体膜11として窒化シリコン(Si3N4)等を用いてもよい。
Subsequently, after a first
そして、パターニングされたフォトレジストRをマスクにして第1の誘電体膜11をフッ酸等によりエッチングすることにより、第1の誘電体膜11をパターニングして、トランジスタ形成領域でn型GaN層3を露出させる。
Then, by using the patterned photoresist R as a mask, the first
フォトレジストRをアセトン等の溶剤により除去した後に、図1(b)に示すように、第1の誘電体膜11から露出したトランジスタ形成領域のn型GaN層3上に、ノンドープのGaNからなる電子走行層4とノンドープのAlGaNからなる電子供給層5をそれぞれ約1μm、約20nmの厚さに選択成長する。電子走行層4と電子供給層5の界面には、電子供給層5から供給された2次元電子ガスが生じる。
After removing the photoresist R with a solvent such as acetone, as shown in FIG. 1B, the n-
次に、第1の誘電体膜11をフッ酸により除去した後に、電子供給層4及びn型GaN層3の上に第2の誘電体膜12をCVD法により約1μmの厚さに成長する。
Next, after removing the first
そして、第1の誘電体膜11と同じようなフォトレジストを使用するパターニング方法によって、図1(c)に示すように第2の誘電体膜12をパターニングしてn型GaN層3を発光素子形成領域で露出させるとともに、電子走行層4及び電子供給層5を覆うパターンを形成する。
Then, by patterning using a photoresist similar to the first
第2の誘電体膜12のパターニングに使用したフォトレジスト(不図示)を除去した後に、図1(d)に示すように、第2の誘電体膜12から露出した発光素子形成領域のn型GaN層3上に、n型GaNクラッド層6、多重量子井戸(MQW)構造のアンドープInGaN/GaN発光層7、p型GaNクラッド層8、及びp型GaNコンタクト層9を順に選択成長する。そして、コンタクト層9の成長後に、第2の誘電体膜12をフッ酸等により除去する。
After removing the photoresist (not shown) used for patterning the second
なお、発光素子形成領域での化合物半導体の成長工程と、トランジスタ形成領域での化合物半導体の成長工程の順を逆にしてもよい。
以上のようなバッファ層2からp型GaNコンタクト層9までの各層は、基板温度を1100℃として有機金属気相成長(MOCVD)法によって成長される。
Note that the order of the compound semiconductor growth step in the light emitting element formation region and the compound semiconductor growth step in the transistor formation region may be reversed.
Each layer from the
AlNは、トリメチルアルミニウム(TMA)及びアンモニア(NH3)を反応ガスにして成長され、GaNは、トリメチルガリウム(TMG)及びNH3を反応ガスにして成長され、AlGaNは、TMA、TMG及びNH3を反応ガスにして成長され、さらに、InGaNはトリメチルインジウム(TMI)、TMG及びNH3を反応ガスにして成長される。また、n型ドーパントとして例えばシリコン(Si)、p型ドーパントとして例えばマグネシウム(Mg)が添加される。
なお、MOCVD法に代えて、ハライド気相エピタキシー法(HVPE法)、分子線エピタキシー法(MBE法)等を用いてもよい。
AlN is grown using trimethylaluminum (TMA) and ammonia (NH 3 ) as reactive gases, GaN is grown using trimethylgallium (TMG) and NH 3 as reactive gases, and AlGaN is grown using TMA, TMG and NH 3. And InGaN is grown using trimethylindium (TMI), TMG, and NH 3 as reaction gases. Further, for example, silicon (Si) is added as an n-type dopant, and magnesium (Mg) is added as a p-type dopant.
Instead of the MOCVD method, a halide vapor phase epitaxy method (HVPE method), a molecular beam epitaxy method (MBE method), or the like may be used.
次に、コンタクト層9、電子供給層4の間の素子分離領域13にある成長層をエッチングしてn型GaN層3を露出させる。即ち、コンタクト層9、電子供給層4及びn型GaN層3の上にフォトレジスト(不図示)を塗布し、これを露光、現像して素子分離領域13に開口(不図示)を形成し、その開口から露出したn型GaN層3上の層を例えばICPエッチングにより除去する。この場合、エッチングガスとして塩素又は塩素含有ガスを使用する。
Next, the growth layer in the
続いて、図2(a)に示すように、電子供給層5、コンタクト層9を含む露出面上にイオン防御用マスク層としてフォトレジスト14を塗布し、これを露光、現像してソース用開口部14sとドレイン用開口部14dを形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 2A, a
さらに、フォトレジスト14のソース用開口部14sとドレイン用開口部14dをマスクに用いてn型ドーパントであるシリコンをイオン注入法によってドーズ量1×1015cm-2、加速電圧190keVの条件で電子供給層4内に注入する。
Further, using the
これにより、フォトレジスト14に設けられたソース用開口部14sとドレイン用開口部14dの下にそれぞれn+型のソース領域5sとn+型のドレイン領域5dが形成される。
As a result, an n + -
フォトレジスト14を除去した後、図2(b)に示すように、電子供給層5、コンタクト層9を含む露出面の上に保護絶縁膜15としてSiO2膜をCVD法により1μm程度の厚さに形成する。さらに、不活性ガス、例えば窒素(N)雰囲気中で電子供給層4及び電子走行層3を約600℃の温度でアニールし、これによりソース領域5sとドレイン領域5d内のドーパントを活性化する。
なお、n+型のソース領域4sとn+型のドレイン領域4dの形成方法には、熱拡散法、或いは、MOCVD法等による選択成長法を用いてもよい。
After removing the
Note that the n + -type source region 4s and the n + -type drain region 4d may be formed by a thermal diffusion method or a selective growth method such as an MOCVD method.
次に、図2(c)に示すように、フォトレジストを用いて保護絶縁膜15の一部をエッチングして、n+型ソース領域5sとドレイン領域5dの上にそれぞれソース電極用開口部15sとドレイン電極用開口部15dを形成するとともに、コンタクト層9上に電極用開口部15aを形成する。
Next, as shown in FIG. 2C, a part of the protective insulating
次に、図2(d)に示すように、ソース電極用開口部15s、ドレイン電極用開口部15d及び電極用開口部15aのそれぞれから露出するソース領域5s、ドレイン領域5d及びコンタクト層9の上に、リフトオフ法によりTi/Alからなるソース電極10s、ドレイン電極10d及びp側電極10aをそれぞれ形成する。ソース電極10s、ドレイン電極10d及びp側電極10aはそれぞれソース領域5s、ドレイン領域45及びコンタクト層9にオーミック接触する。
Next, as shown in FIG. 2D, on the
次に、図3(a)に示すように、フォトレジスト(不図示)を用いて保護絶縁膜15のうちn+型ソース領域5sとn+型ドレイン領域5dの間にあるゲート形成領域をエッチングしてゲート用開口15gを形成する。その後にフォトレジストを除去する。
Next, as shown in FIG. 3A, a gate forming region between the n +
さらに、図3(b)に示すように、ゲート用開口15gから露出した電子供給層5上に、Ni/Au、Pt/Au等からなるゲート電極10gをリフトオフ法により形成する。ゲート電極10gは電子供給層5にショットキー接触する。
Further, as shown in FIG. 3B, a
以上のような工程により、トランジスタ形成領域には高電子移動度電界効果トランジスタ(HFET(High Electron Mobility Transistor))21が形成され、また、発光素子形成領域には発光素子として例えば発光ダイオード(LED)22が形成される。発光素子は、紫色380nmから近赤外800nmのバンド端近傍や深い準位、不純物準位、欠陥準位、励起子等をかいしてキャリア再結合して発光する素子であれば、特にLEDに限定されるものではない。 Through the above process, a high electron mobility field effect transistor (HFET) 21 is formed in the transistor formation region, and a light emitting element, for example, a light emitting diode (LED) is formed in the light emitting element formation region. 22 is formed. If the light emitting element is an element that emits light by recombination of carriers through the band edge from purple 380 nm to near infrared 800 nm, deep levels, impurity levels, defect levels, excitons, etc., in particular for LEDs. It is not limited.
この後に、図3(c)に示すように、ソース電極10s、ドレイン電極10d及びp側電極10aが形成されている側の面の全体にポリイミドからなる光透過性被覆膜17を塗布し、これを加熱乾燥させた後に、その光透過性被覆膜17の上に金属、多層誘電体膜等よりなるミラー層16を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, a light-transmitting coating film 17 made of polyimide is applied to the entire surface on which the
上述したHFET21、LED22を有するIII族窒化物半導体装置において、LED22の発光層7から発光される光は、光透過性被覆膜17を透過して電子走行層5に照射される。しかも、HFETを構成する層はGaN、AlGaN等から構成されているので、発光層7から発光された360nm以上の光を透過する透過領域となる。
In the group III nitride semiconductor device having the
従って、LED22からの光照射により電子供給層5の表面準位が低減する等、電流コラプス現象である高電圧印可時のソース・ドレイン間のオン抵抗の増加が抑制される。
Therefore, an increase in on-resistance between the source and the drain during high voltage application, which is a current collapse phenomenon, such as a reduction in the surface level of the
しかも、HFET21とLED22が同一基板1上で接近した状態で形成することが可能になるので、光透過窓の無いパッケージにHFET21とLED22を封入することが可能になり、ソース・ドレイン間のオン抵抗を低減するための装置の小型化が図れる。
In addition, since the
次に、HFET21としてノーマリオン型を使用し、これにLED22から光をHFET21に照射することによるゲート・ソース間電圧Vgs、ソース・ドレイン間電圧Vdsへの影響について説明する。
Next, the influence on the gate-source voltage Vgs and the source-drain voltage Vds by irradiating the
HFET21のソース電極10sとドレイン電極10dの間には、図4の等価回路に示すように、抵抗R0を介して電圧源31を接続する。電圧源31から出力される電圧Vdssを例えば330Vとする。
また、HFET21のゲート電極10gに電圧源32と電圧調整回路33を直列に接続してゲート・ソース間電圧Vgsを変化させる。また、電流源35によってLED22のp型電極10aからn型シリコン基板1に供給する電流Iを電流調整回路34により調整する。
A
A
そして、LED22に流す電流Iを変えた場合に、ゲート・ソース間電圧Vgsをオフ電圧−12Vからオン電圧0Vに変化させてHFET21をオフ、オンすることによりソース・ドレイン間の電圧Vdsがどのように変化するかを調べたところ、図5〜図8に示す結果が得られた。
図5は、LED22の発光色が紫外の場合の測定結果を示し、LED22の電流Iが大きいほど、即ち光照射強度が高いほど、HFET21のオン状態のソース・ドレイン間電圧Vdsが減少して電流コラプスによるソース・ドレイン間のオン抵抗が減少することがわかる。
Then, when the current I flowing through the
FIG. 5 shows the measurement results when the emission color of the
LED22の発光色が青色の場合には図6、緑色の場合には図7、赤色発光の場合には図8のような結果が得られた。
いずれの発光色についても、LED22からHFET21に光を照射することによりドレイン・ソース間電圧Vdsが低下し、しかも、LED22に流す電流Iが大きいほど、即ち光の強度が高いほどその効果が大きい。特に、紫外〜緑色の光(波長200nm〜600nmに相当する。)を照射した場合に、大きな効果が得られる。さらに好ましくは360nm〜500nmの光を照射することによってより大きな効果が得られる。これにより、広い発光波長範囲で電流コラプス現象である高電圧印可時のソース・ドレイン間のオン抵抗の増大を抑制できることもわかる。
When the light emission color of the
For any of the emission colors, the drain-source voltage Vds is reduced by irradiating light from the
なお、LED22の発光波長は、発光層7の組成を変えることにより異ならせることが可能である。また、発光色は多波長光を含む白色発光であってもよく、白色発光は、例えば青色発光のLEDをシリコーン製のホワイトキャップで被覆することにより得られる。
The light emission wavelength of the
(第2の実施の形態)
図9、図10は、本発明の第2の実施形態に係るIII族窒化物半導体装置を示す断面図であり、図1〜図3と同じ符号は同じ要素を示している。
(Second Embodiment)
9 and 10 are cross-sectional views showing a group III nitride semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. The same reference numerals as those in FIGS. 1 to 3 denote the same elements.
まず、図9(a)に示すように、サファイア(Al2O3)、炭化シリコン(SiC)等の基板41上に、p型GaNからなるp型クラッド層42と、InGaN/GaN量子井戸構造の発光層43と、n型GaNからなるn型クラッド層44の下層部を順に成長する。
First, as shown in FIG. 9A, a p-
続いて、n型クラッド層44上に第1の誘電体膜51をCVD法により形成した後に、発光素子形成領域を露出させるフォトレジスト(不図示)のパターンを第1の誘電体膜51上に形成する。さらに、フォトレジストをマスクにして第1の誘電体膜51をエッチングすることにより、第1の誘電体膜51をパターニングして、発光素子形成領域でn型クラッド層44を露出させる。
Subsequently, after the
フォトレジストを除去した後に、図9(b)に示すように、第1の誘電体膜51から露出した発光素子形成領域のn型クラッド層44上にその上層部を所定の厚さに選択成長する。
After removing the photoresist, as shown in FIG. 9B, the upper layer portion of the light emitting element formation region exposed from the
次に、第1の誘電体膜51を除去し、さらに図9(c)に示すように、段差のあるn型クラッド層44表面上に第2の誘電体膜52をCVD法により形成する。そして、トランジスタ形成領域を露出させるフォトレジスト(不図示)のパターンを第2の誘電体膜52上に形成する。続いて、フォトレジストをマスクにして第2の誘電体膜52をエッチングすることにより、第2の誘電体膜52をパターニングして、トランジスタ形成領域にある薄いn型クラッド層44を露出させる。
Next, the
さらに、フォトレジストを除去した後に、図9(d)に示すように、第2の誘電体膜52から露出したn型クラッド層44上に、アンドープGaNよりなる電子走行層45を所定の厚さに選択成長する。
Further, after removing the photoresist, an
次に、第2の誘電体膜52を除去した後に、図10(a)に示すように、電子走行層45、n型クラッド層46の上にn型AlGaN層46を成長する。
Next, after removing the
続いて、図10(b)に示すように、n型クラッド層44と電子走行層45の境界とそれらの層44,45の外周部分に素子間分離溝47を形成した後に、発光素子形成領域内の側部寄りにp型クラッド層42の一部を露出するコンタクト用溝48を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 10B, after forming an
素子間分離溝47は、フォトレジスト(不図示)のパターンをn型AlGaN層46上に形成し、これをマスクにしてn型クラッド層44、電子走行層45及びn型AlGaN層46をエッチングすることにより形成される。また、コンタクト用溝48は、別のフォトレジスト(不図示)のパターンをn型AlGaN層46上に形成し、これをマスクにしてn型AlGaN層46、n型クラッド層44、発光層43をエッチングすることにより形成される。
The
パターニングされたn型AlGaN層46は、トランジスタ形成領域では電子供給層46Aとなり、また、発光素子形成領域では、コンタクト層46Bとして使用される。
The patterned n-
フォトレジストを除去した後に、図10(c)に示すように、電子供給層46A、コンタクト層46Bを含む露出面の全体に保護絶縁膜48をCVD法により形成し、さらに保護絶縁膜48をパターニングして電子供給層46A上にソース開口部48s、ドレイン開口部48dを形成するとともに、発光素子形成領域内で露出するコンタクト層46Bとn型クラッド層42の上にそれぞれ第1、第2の電極用開口部48a,48bを形成する。
After removing the photoresist, as shown in FIG. 10C, a protective insulating
その後に、ソース開口部48s、ドレイン開口部48d、第1、第2の電極用開口部48a、48bを介してそれぞれ電子供給層46Aコンタクト層46B及びp型クラッド層42にオーミック接触するソース電極10s、ドレイン電極10d、n側電極10n、p側電極10pをリフトオフ法により形成する。さらに、保護絶縁膜48をパターニングしてドレイン電極10dとソース電極10sの間の領域にゲート開口部48gを形成し、ついでリフトオフ法によりゲート開口部48gを介して電子供給層46Aにショットキー接触するゲート電極10gを形成する。
Thereafter, the
以上のような工程により、トランジスタ形成領域にはHFET53が形成され、また、発光素子形成領域には発光素子としてLED54が形成される。
Through the steps as described above, the
この後に、特に図示しないが、第1実施形態と同様にソース電極10s、ドレイン電極10d等が形成されている側の面の全体にポリイミドからなる光透過性被覆膜を形成し、さらに、その上に、金属、多層誘電体膜等よりなるミラー層を形成する。
Thereafter, although not particularly illustrated, a light-transmitting coating film made of polyimide is formed on the entire surface on which the
以上のように同一基板上にHFET53、LED54を形成することにより、パッケージされた状態でもLED54からHFET53に光を照射することにより、電流コラプス現象である高電圧印可時のソース・ドレイン間のオン抵抗の増大を抑制できる。
As described above, by forming the
また、LED54のp側電極10p、n側電極10nとHFET53のソース電極10s、ドレイン電極10d及びゲート電極10gが基板41に対して同じ面側形成されているために、例えば、ゲート電極10gとLED54のn側電極10nのパッケージ内での接続が容易になる。
Further, since the p-
(第3の実施の態様)
図11、図12は、本発明の第3実施形態に係るIII族窒化物半導体装置の2つの例を示す断面図である。図11において、図3(c)と同一符号は同一要素を示し、また、図12において、図10(c)と同一符号は同一要素を示している。
(Third embodiment)
11 and 12 are cross-sectional views showing two examples of the group III nitride semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. 11, the same reference numerals as those in FIG. 3C indicate the same elements, and in FIG. 12, the same reference numerals as those in FIG. 10C indicate the same elements.
図11に示したIII族窒化物半導体装置は、第1実施形態と同様にHFET21とLED22を有し、さらに、ショットキーダイオード23を有している。ショットキーダイオード23は、基板1上のn型GaN層3の上に成長されたGaN層4a、AlGaN層5aを有し、AlGaN層5aに対しショットキー接触するアノード電極10jとオーミック接触するカソード電極10kを有している。
The group III nitride semiconductor device shown in FIG. 11 includes an
カソード電極10kは、HFET21のソース電極10s、ドレイン電極10dと同じ材料から構成され、また、アノード電極10jは、HFET21のゲート電極10gと同じ材料から構成されている。さらに、GaNa層4a、AlGaN層5aは、それぞれHFET21の電子走行層4、電子供給層5をそれぞれ構成するGaNa、AlGaNと同時に成長され、フォトレジストを用いてエッチングして溝20を形成することにより電子走行層4、電子供給層5から分離されている。
The
また、図12に示したIII族窒化物半導体装置は、本実施形態のさらに別な例を示すものであり、第2実施形態と同様にHFET53とLED54を有し、さらに、ショットキーダイオード55を有している。ショットキーダイオード55は、基板41上のp型クラッド層44の上に成長されたGaN層45a、AlGaN層46Cを有し、AlGaN層46Cに対しショットキー接触するアノード電極10jとオーミック接触するカソード電極10kを有している。
Further, the group III nitride semiconductor device shown in FIG. 12 shows still another example of the present embodiment, which has an
カソード電極10kは、HFET21のソース電極10s、ドレイン電極10dと同じ材料から構成され、また、アノード電極10jは、HFET21のゲート電極と同じ材料から構成されている。さらに、GaNa層45a、AlGaN層46Cは、それぞれHFET21の電子走行層45、電子供給層46Aをそれぞれ構成するGaNa、AlGaNと同時に成長され、フォトレジストを用いてエッチングして溝49を形成することにより電子走行層45、電子供給層46Aから分離されている。
The
そのような半導体装置は、例えば図13に示す等価回路のように接続される。
図13において、LED22(54)のp側電極10pには抵抗R1を介してゲート電圧制御回路37が直列に接続され、n側電極10nにはHFET21(53)、ショットキーダイオード23(55)のゲート電極10g、アノード電極10jが接続されている。ゲート電圧制御回路37から出力される電圧Vccは、−10V〜+5Vの矩形波電圧となる。
Such a semiconductor device is connected as in an equivalent circuit shown in FIG. 13, for example.
13, the gate
また、HFET21(53)のドレイン電極10dは、抵抗R0を介して電圧源31に接続されている。電圧源31からは基準電圧Voに対してVdssの電圧が印可される。
Further, the
さらに、ショットキーダイオード23(55)のカソード電極10kとHFET21(53)のソース電極10sに接続される配線は基準電圧Vo、例えば0Vとなっている。
Further, the wiring connected to the
HFET21(53)のソース・ドレイン間電圧をVds、ゲート・ソース間電圧をVgsとすれば、ゲート電圧制御回路37による駆動により図14に示す波形が得られる。 When the source-drain voltage of the HFET 21 (53) is Vds and the gate-source voltage is Vgs, the waveform shown in FIG.
図14において、ゲート制御回路37から供給される電圧Vccが−10Vになると、LED22(54)には逆バイアスがかかってオフとなり等価的にキャパシタとして機能するので、HFET53のゲート電圧Vgsは例えば−5Vとなる。また、ショットキーダイオード23(55)にも逆バイアスがかかるので、HFET21(53)のゲート電極10gとソース電極10sの電気的接続が開となる。
In FIG. 14, when the voltage Vcc supplied from the
従って、HFET21はオフ状態となるので電流コラプス現象を考慮する必要はなく、LED22(54)は非発光状態となっている。また、ソース・ドレイン間電圧Vdsは電圧源31の印可電圧により約200Vとなっている。
Accordingly, since the
また、ゲート電圧制御回路37から供給される電圧Vccが+5Vになると、LED22(54)及びショットキーダイオード23(55)には正バイアスがかかってオンとなり、ゲート電圧制御回路37からLED22(54)、ショットキーダイオード23(55)に電流が流れ、LED22(54)が発光する。これによりHFET21(53)のゲート電極10gはショットキーダイオード23(55)を介して基準電圧V0に接続され、電圧Vgsは例えば+1VとなってHFET21はオンする。
この状態では、電流コラプス現象が生じる得る状況となっているが、LED22(54)からの光照射によりソース・ドレイン抵抗が低減し、ソース・ドレイン間電圧Vdsは0Vになる。
When the voltage Vcc supplied from the gate
In this state, a current collapse phenomenon can occur, but the source-drain resistance is reduced by light irradiation from the LED 22 (54), and the source-drain voltage Vds becomes 0V.
以上により、ノーマリオン型のHFET21(53)は、オン状態でLED54から光が照射される一方、オフ状態でLED22(54)が消灯する構成となっているので、LED22(54)の寿命を延ばし、電力消費を低減することが可能になる。しかも、LED22(54)をオン、オフする回路が極めて簡素であり、さらにHFET、LED、ダイオード等の能動素子を同一基板に形成することが可能になるので、装置の小型化が図れる。
As described above, the normally-on type HFET 21 (53) is configured so that light is emitted from the
ところで、上記した例では、ノーマリオン型のHFETを使用しているが、ノーマリオフ型のHFETにおける電流コラプスによる影響を低減するとともに、LEDの長寿命化のために、図15に示す構成を採用する。 Incidentally, in the above-described example, a normally-on type HFET is used. However, the configuration shown in FIG. 15 is adopted to reduce the influence of current collapse in the normally-off type HFET and to extend the life of the LED. .
図15において、HFET21(53)のゲート電極10gとソース電極10sの間に接続されるゲート電圧制御回路37には並列にLED23(55)が接続されている。この場合、LED23(55)には抵抗R2が接続される。
In FIG. 15, the LED 23 (55) is connected in parallel to the gate
図15に示す回路において、HFET21(53)のゲート電圧Vgsが高レベルとなってオンすると、LED21(53)には電流が流れてLED21(53)が発光し、その光照射によりHFET21(53)の電流コラプスによるソース・ドレイン抵抗の増加が抑制される。
また、HFET21(53)のゲート電圧Vgsが低レベルとなってオフすると、LED21(53)は消灯する。
In the circuit shown in FIG. 15, when the gate voltage Vgs of the HFET 21 (53) is turned on at a high level, a current flows through the LED 21 (53), and the LED 21 (53) emits light. Increase in source / drain resistance due to current collapse is suppressed.
Further, when the gate voltage Vgs of the HFET 21 (53) becomes low level and turns off, the LED 21 (53) is turned off.
(その他の実施の形態)
図16、図17は、本発明の第4実施形態に係るIII族窒化物半導体素子を示す断面図である。
(Other embodiments)
16 and 17 are cross-sectional views showing a group III nitride semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
図16において、HFET61とLED62は同一基板60上に貼り合わせて取り付けられ、少なくともHFET61がオン状態でLED62が発光するように例えば図13、図15に示すような回路構成が採用される。なお、HFET61とLED62を直接貼り合わせてもよい。
そのような構成の半導体素子によっても、HFET61とLED62を同一パッケージに封入してもHFET61には光を照射することが可能になり、電流コラプスによるオン抵抗の増加が抑制される。
In FIG. 16, the
Even with the semiconductor element having such a configuration, even if the
また、第1、第2及び第3の実施形態に示した電界効果トランジスタは、ゲート電極10gを電子供給層5にショットキー接触させたが、図17に示すように、ゲート電極10gの下の半導体層5b上にSi2O3、Al2O3、SiNxのような絶縁膜50を介したMIS構造としてもよい。
In the field effect transistors shown in the first, second, and third embodiments, the
1:シリコン基板
2:バッファ層
3:n−GaN層
4:電子走行層
5:電子供給層
6:n型クラッド層
7:発光層
8:p型クラッド層
9:コンタクト層9
10g:ゲート電極
10s:ソース電極
10d:ドレイン電極
10a:p側電極
21:HFET(電界効果トランジスタ)
22:LED(発光素子)
41:シリコン基板
42:p型クラッド層
43:発光層
44:n型クラッド層
45:電子走行層
46A:電子供給層
46B:コンタクト層
10n:n側電極
10p:p側電極
53:FET
54:LED
55:ショットキーダイオード
1: silicon substrate 2: buffer layer 3: n-GaN layer 4: electron transit layer 5: electron supply layer 6: n-type cladding layer 7: light-emitting layer 8: p-type cladding layer 9:
10 g:
22: LED (light emitting element)
41: silicon substrate 42: p-type cladding layer 43: light-emitting layer 44: n-type cladding layer 45:
54: LED
55: Schottky diode
Claims (8)
前記電界効果トランジスタは、
前記基板上に積層された第1のIII族窒化物半導体の電子走行層と、
前記電子走行層上に積層された第2のIII族窒化物半導体からなる電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と
を有することを特徴とするIII族窒化物半導体装置。 Group III having a substrate, a and III-nitride field-effect transistors including a semiconductor provided on the substrate, and a light emitting element for irradiating light to and the field effect transistor provided on the substrate A nitride semiconductor device comprising:
The field effect transistor is
An electron transit layer of a first group III nitride semiconductor laminated on the substrate;
An electron supply layer made of a second group III nitride semiconductor laminated on the electron transit layer;
A gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the electron supply layer;
A group III nitride semiconductor device comprising:
前記基板上に形成された第3のIII族窒化物半導体からなる一導電型層と、
第4のIII族窒化物半導体からなる反対導電型層と、
前記一導電型層に接続される第1の電極と、
前記反対導電型層に接続される第2の電極と
を有することを特徴とする請求項1または2に記載のIII族窒化物半導体装置。 The light emitting element is
One conductivity type layer made of a third group III nitride semiconductor formed on the substrate;
An opposite conductivity type layer made of a fourth group III nitride semiconductor;
A first electrode connected to the one conductivity type layer;
A second electrode connected to the opposite conductivity type layer;
The group III nitride semiconductor device according to claim 1 , wherein the group III nitride semiconductor device is provided.
前記ダイオードのアノードは前記電界効果トランジスタの前記ゲートに接続され、
前記ダイオードのカソードは前記電界効果型トランジスタのソースに接続されることを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物半導体装置。 Further comprising a diode comprising a group III nitride semiconductor layer grown on the substrate;
The anode of the diode is connected to the gate of the field effect transistor;
6. The group III nitride semiconductor device according to claim 5 , wherein a cathode of the diode is connected to a source of the field effect transistor .
The connection between the field effect transistor and the light emitting element is made through at least one of a metal wiring, a metal wire, and a dopant-introduced semiconductor layer. The group III nitride semiconductor device described.
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