JP4882371B2

JP4882371B2 - フレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法

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Publication number: JP4882371B2
Application number: JP2005376024A
Authority: JP
Inventors: 智彦山本
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2005-12-27
Filing date: 2005-12-27
Publication date: 2012-02-22
Anticipated expiration: 2025-12-27
Also published as: US7982851B2; JP2007180216A; US20070146662A1

Description

本発明は、例えばリソグラフィによってレジスト（感光性材料）を用いてパターンを形成する場合に用いて好適のフレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法に関する。

近年、半導体素子の高集積化に伴い、リソグラフィで形成するパターンの微細化が進んでいる。
このように、パターンの微細化が進むにつれて、寸法均一性として要求される値は小さくなってきている。
寸法均一性を悪化させてしまう原因としては、露光装置の投影光学系や照明系から発生するフレア（迷光）、露光量や照度の分布が挙げられる。

これらは、露光装置の投影光学系や照明系を構成する光学部品の劣化や汚れが原因となって発生する。
例えば、照明系から発生するフレアの量が増加すると、例えば露光ショットによる露光範囲の端部と中心部とでレジスト寸法に大きな差が生じてしまい、寸法均一性に影響を与えることになる。

また、例えば、投影光学系（投影レンズ系）から発生するフレアの量が増加すると、露光ショットによる露光範囲内で思わぬところに迷光が飛び、寸法均一性を悪化させることになる。
このように、寸法均一性が悪化してしまうと、結果的に、デバイス性能が低下してしまったり、歩留まりが低下してしまったりすることになる。

このため、例えば９０ｎｍ世代以降のデバイス製造を行なうにあたっては、精度良く、かつ、定量的にフレア量を計測して、装置管理を行なうべきであると考えられている。
ところで、従来、フレア量の計測方法としては、簡便な計測方法として、Kirk法が広く一般的に用いられている（例えば非特許文献１参照）。
Kirk法では、例えば数１００μｍレベルの透過領域と、透過領域内に形成された例えば数μｍレベルの遮光領域とからなるマスクパターンをレジストに転写し、遮光領域以外の透過領域に対応する位置のレジストが消失するまでの露光量と、遮光領域に対応する位置のレジストが消失するまでの露光量との比率を求め、これをフレア量として定義している。
Scattered light in photo lithographic lenses Proc. SPIE, 1994, Vol. 2197

しかしながら、上述のKirk法では、レジストが消失したか否かを例えば顕微鏡などを用いて確認するため、人によって差が生じるなど、定量的にフレア量を計測することが難しく、計測精度もあまり良くない。
また、遮光領域を設ける箇所が限られるため、全ての領域においてフレア量の計測を行なうことができない。つまり、所定の箇所に設けられた遮光領域以外の領域に飛びこむフレアの量を計測することができない。

本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、簡便に、かつ、精度良く、フレア量を計測できるようにした、フレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。

このため、本発明のフレア量の計測方法は、基板上に感光性材料を塗布し、透過部と遮光部とを備えるマスクを用いて、透過部に対応する領域において感光性材料の厚さが変化し、かつ、感光性材料の一部が基板上に残るように感光性材料を露光し、透過部に対応する領域及び遮光部に対応する領域における感光性材料の残膜量分布に基づいてフレア量を計測することを特徴としている。
本発明のデバイスの製造方法は、上述のフレア量の計測方法を用いてフレア量を計測する工程を含むことを特徴としている。

本発明のフレア量計測用マスクは、ピッチの異なる複数のラインパターンを備え、複数のラインパターンが、スキャン方向に並べて配置されていることを特徴としている。
また、本発明のフレア量計測用マスクは、スキャン方向でピッチが異なるラインパターンを備えることを特徴としている。

したがって、本発明のフレア量の計測方法及びフレア量計測用マスクによれば、簡便に、かつ、精度良く、フレア量を計測することが可能となるという利点がある。
特に、本発明のデバイスの製造方法によって、デバイスの製造に用いられる装置の定期点検を行なうようにすれば、例えば光学部品の交換やクリーニングなどの時期を適切に判断することができるようになるなど、デバイスの製造に用いられる装置の管理を容易に行なえるようになる。また、例えば光学部品の交換やクリーニングなどを行なうことで、寸法均一性が悪くなるのを未然に防止することができる。この結果、デバイス性能の低下や歩留まりの低下を防止できるようになる。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるフレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法について説明する。
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態にかかるフレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法について、図１〜図４を参照しながら説明する。

本実施形態にかかるフレア量の計測方法は、例えば、半導体デバイスや液晶などの表示デバイスを製造する際のリソグラフィでの露光時に生じるフレア量を計測するのに用いられる。
本フレア量の計測方法では、以下のようにしてフレア量を計測する。
まず、図２（Ａ）に示すように、ウェーハ（半導体基板；ここではＳｉ基板）１上に、ＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflection Coating;反射防止膜）２を介して、レジスト（感光性材料）３を塗布する。

次に、図３に示すようなマスク（フレア量計測用マスク；レクチル）４を用いて、図２（Ｂ）に示すように、後述の現像処理後にレジスト３の一部の厚さが変わるように、レジスト３の一部を露光する。
ここでは、図３に示すように、透過部４ａと、例えばＣｒなどの遮光膜で覆われた遮光部４ｂとからなるマスク４を用いる。透過部４ａは、周囲を遮光部４ｂに囲まれた四角形状の領域として形成されている。この透過部４ａは、パターンを有しない全透過領域となっている。このようなマスク４を用いているのはマスク４を透過して直進する光（０次光）がフレアの大きな原因であると考えられるからである。

そして、このようなマスク４を用いて、図２（Ｂ）に示すように、マスク４の透過部４ａに対応する領域（露光領域）３ａのレジスト３が全て消失しない程度の比較的小さな露光量（低露光量）で露光して、マスクパターン（ここでは周囲を遮光部４ｂに囲まれた四角形状の透過部４ａからなるパターン）を、レジスト３が塗布されたウェーハ１に転写する。なお、図２（Ｂ）中、符号３ｂはマスク４の遮光部４ｂに対応する領域（遮光領域）を示している。

その後、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理，現像処理を行なう。これにより、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、マスクパターンに対応したレジストパターンが形成されることになる。
なお、光を照射するだけで膜厚が変わる感光性材料（レジスト）を用いても良く、この場合には、ＰＥＢや現像などの処理を行なう必要がない。

ここでは、露光領域３ａのレジスト３の一部が基板１上に残るように低露光量で露光しているため、図１（Ｂ）に示すように、現像処理後に、露光領域３ａのレジスト３の膜厚が、露光領域３ａ以外の遮光領域３ｂのレジスト３の膜厚に比べて薄くなる。
このようなレジストパターンを形成した後、図１に示すようなレジスト３の残膜量（残膜量分布）に基づいてフレア量を計測する。

このように、レジスト３の残膜量を用いているのは、フレアや照度ムラによる露光量ムラは、レジスト３の膜厚変化として現れるからである。
ここでは、まず、レジスト３が塗布された全領域のレジスト３の残膜量（即ち、レジスト３の膜厚）を計測する。つまり、マスク４の透過部４ａに対応する露光領域（ショット領域）３ａにおける残膜量だけでなく、この領域以外の遮光領域３ｂにおける残膜量も計測する。これは、遮光領域３ｂにおいてもフレアによる露光量ムラが生じるからである。

ここで、レジスト３の膜厚の計測は、反射式の膜厚計、エリプソ、段差計などを用いることで簡便に計測することができる。
次に、この計測結果に基づいて、図１（Ｃ）中、実線で示すようなレジスト３の残膜量分布（膜厚分布）を求める。なお、レジスト残膜量分布としては、レジスト３が塗布された全領域における残膜量分布を求める。

そして、この実際のレジスト残膜量分布と、図１（Ｃ）中、破線で示す設計上のレジスト残膜量分布とに基づいて、それぞれの位置における実際のレジスト残膜量と設計上のレジスト残膜量との差を求め、これらの差を足し合わせることで、フレア量を求める。
これにより、フレアの発生している位置を特定することもできるとともに、フレア量を定量的に求めることが可能となる。

厳密には、マスク４の透過部４ａに対応する露光領域３ａでは、フレア及び照度ムラによって膜厚が薄くなっているため、この領域における実際のレジスト残膜量と設計上のレジスト残膜量との差には照度ムラの影響によるものも含まれている。
このため、別に、例えば照度計などを用いてマスク４の透過部４ａに対応する露光領域３ａの照度ムラを計測し、照度ムラによる影響がどの程度あるかを求め、この分を差し引いてフレア量を求めるのが好ましい。このように、レジスト３の残膜量及び照度に基づいてフレア量を計測することで、レジスト残膜量からフレアの影響のみが抽出され、フレア量をより精度良く計測することが可能になる。

したがって、本実施形態にかかるフレア量の計測方法によれば、簡便に、かつ、精度良く、フレア量を計測することが可能となるという利点がある。
特に、本発明のデバイスの製造方法を用いて、デバイスの製造工程において定期点検を行なうようにすれば、例えば光学部品の交換やクリーニングなどの時期を適切に判断することができるようになるなど、デバイスの製造に用いられる装置の管理を容易に行なえるようになるという利点もある。また、例えば光学部品の交換やクリーニングなどを行なうことで、寸法均一性が悪くなるのを未然に防止することができる。この結果、デバイス性能の低下や歩留まりの低下を防止できるようになる。

なお、上述の実施形態では、マスク４を用いて、レジスト（感光性材料）３の一部の厚さが変わるようにレジスト３の一部を露光しているが、これに限られるものではない。例えば、本発明は、電子ビーム（ＥＢ；electron beam）やイオンビームなどを照射することで露光を行なうマスクレスリソグラフィに適用することもできる。
また、上述の実施形態のフレア量の計測方法は、半導体デバイスや液晶などの表示デバイスなどのデバイスの製造工程に組み込むことができる。つまり、デバイスの製造方法を、上述の実施形態のフレア量の計測方法を用いてフレア量を計測する工程を含むものとして構成することもできる。

例えば、上述の実施形態のフレア量の計測方法を、露光装置の定期点検（例えば１ヶ月に１度行なわれる）に用いることができる。
例えば図４に示すように、デバイスの製造工程の途中に、上述の実施形態のフレア量の計測方法を用いた定期点検工程を組み込むことができる。
つまり、定期点検工程を含むデバイスの製造方法は、以下のようになる。

デバイスの製造工程の途中で行なわれる定期点検工程では、上述の実施形態のフレア量の計測方法によって計測されたフレア量が所定値以上になっているか否かを判定する。
そして、所定値以上になっている場合（ＮＧルート）には、光学部品の交換又は光学部品のクリーニングを実施した後、デバイスの製造を再開する。
一方、所定値よりも小さい場合（ＯＫルート）には、そのままデバイスの製造を続行する。
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態にかかるフレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法について、図５，図６を参照しながら説明する。

本実施形態にかかるフレア量計測用マスクは、図５に示すように、上述の第１実施形態のもの（図３参照）と比較して、マスクパターンが異なる。
つまり、本実施形態では、マスク（フレア量計測用マスク；レクチル）４Ａは、図５に示すように、異なるピッチ（Pitch 1, Pitch 2, Pitch 3・・・Pitch n）の複数のラインパターンを備え、これらの複数のラインパターン４Ａａが、スキャン方向に直列に、かつ、平行に並べて配置されている。なお、図５中、符号４Ａｂは遮光部を示している。

ここでは、各ラインパターン４Ａａは、スキャン方向に沿って延びる複数のラインを、スキャン方向に直交する方向に並べて構成されている。また、各ラインパターン４Ａａは、スキャン方向の上流側から下流側へ向けて、各ライン間のピッチが段階的に大きくなるように構成されている。
このように、ピッチの異なるラインからなるラインパターン４Ａａが存在すると、光はある角度をもって回折するため、回折光によるフレアの位置を特定することができるとともに、回折光によるフレア量を定量的に計測できることになる。

特に、上述のように、複数のラインパターン４Ａａ間でピッチを変えると、図６に示すように、マスク面（レチクル面）に形成されたラインパターンによって回折する回折光の角度が変化するため、回折光の角度に応じたフレアの位置を特定することができるとともに、回折光の角度に応じたフレア量を定量的に計測できることになる。これは、ピッチが異なると、異なる角度で回折することを利用している。

このように構成されたマスクを用いる場合、フレア量を計測する際には、レジスト３の膜厚（残膜量）だけでなく、レジスト３に転写されたパターン（レジストパターン）の各ラインの長さや各ライン間のピッチなどの寸法も計測する。そして、レジスト３の残膜量や転写パターンの寸法に基づいて回折光によるフレア量を計測する。
なお、その他のマスクの構成、フレア量の計測方法、デバイスの製造方法等は、上述の第１実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。

したがって、本実施形態にかかるフレア量の計測方法及び、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法によれば、簡便に、かつ、精度良く、回折光によるフレア量を計測することが可能となるという利点がある。
特に、本発明のデバイスの製造方法を用いて、デバイスの製造工程において定期点検を行なうようにすれば、例えば光学部品の交換やクリーニングなどの時期を適切に判断することができるようになるなど、デバイスの製造に用いられる装置の管理を容易に行なえるようになるという利点もある。また、例えば光学部品の交換やクリーニングなどを行なうことで、寸法均一性が悪くなるのを未然に防止することができる。この結果、デバイス性能の低下や歩留まりの低下を防止できるようになる。

なお、回折光によるフレア量を計測するためのマスクパターン（ラインパターン）の構成は、上述の実施形態のものに限られない。
例えば、図７に示すように、マスク４Ｂを、スキャン方向でピッチが異なるラインパターン４Ｂａを備えるものとして構成しても良い。つまり、スキャン方向に沿って連続的にピッチ（Pitch 1, Pitch 2, Pitch 3・・・Pitch n）が変わっていくようにラインパターン４Ｂａを構成しても良い。なお、図７中、符号４Ｂｂは遮光部を示している。

この場合、ラインパターン４Ｂａは、スキャン方向に直交する方向に延びる複数のラインを、ピッチを連続的に変えながらスキャン方向に並べたものとして構成される。
このように構成されるマスク４Ｂを用いることで、上述の実施形態のマスク４Ａを用いた場合の回折光に対して９０°回転させた方向の回折光によるフレア（迷光）を計測できるようになる。

このほか、スキャン方向に対して任意の角度を有するラインパターンを備えるものとしてマスクを構成することで、任意の角度方向に飛ぶ迷光（フレア）を計測できるようになる。
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態にかかるフレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法について、図８〜図１０を参照しながら説明する。

本実施形態にかかるフレア量の計測方法、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法は、図８に示すように、上述の第１実施形態のもの（図３参照）と比較して、マスクパターン、及び、照明系が異なる。
つまり、本実施形態では、マスク（フレア量計測用マスク；レクチル）４Ｃは、図８に示すように、ピッチの等しい複数（ここでは２つ）のラインパターン４Ｃａ，４Ｃｂを備え、これらの複数のラインパターン４Ｃａ，４Ｃｂが、スキャン方向に対して向きを変えて配置されている。なお、図８中、符号４Ｃｃは遮光部を示している。

ここでは、一方のラインパターン（第１ラインパターン）４Ｃａは、スキャン方向に沿って延びる複数のラインを、スキャン方向に直交する方向に所定のピッチで並べて構成されている。
また、他方のラインパターン（第２ラインパターン）４Ｃｂは、スキャン方向に直交する方向に沿って延びる複数のラインを、スキャン方向に沿って所定のピッチで並べて構成されている。

また、本実施形態では、照明系として、図９（Ａ），（Ｂ）に示すような２重極照明５Ａ，５Ｂを用いている。つまり、マスク４Ｃの第１ラインパターン４Ｃａに対して光を照射する照明系としては、図９（Ａ）に示すような２重極照明５Ａ（スキャン方向に直交する方向に２つの照明５ａが離れて配置されているもの）を用い、マスク４Ｃの第２ラインパターン４Ｃｂに対して光を照射する照明系としては、図９（Ｂ）に示すような２重極照明５Ｂ（スキャン方向に沿って２つの照明５ａが離れて配置されているもの）を用いている。

このように、本実施形態では、マスク４Ｃに設けられるラインパターン４Ｃａ，４Ｃｂのピッチを等しくしたとしても、２重極照明５Ａ，５Ｂを用いて露光を行なうと、光はある角度をもって回折するため、回折光によるフレアの位置を特定することができるとともに、回折光によるフレア量を定量的に計測できることになる。
特に、２重極照明５Ａ，５Ｂを構成する２つの照明５ａの位置を変化させることによって、回折光の角度（回折角度）をコントロールすることができる。例えば図９（Ａ），（Ｂ）に示すような２重極照明５Ａ，５Ｂを構成する２つの照明５ａの位置（中心からの距離Ｘ，Ｙ）を変えることで、図１０に示すように、マスク面（レチクル面）に形成されたラインパターンによって回折する回折光の角度を変えることができる。このように、照射条件を変えて露光（転写）することで、回折光の角度に応じたフレアの位置を特定することができるとともに、回折光の角度に応じたフレア量を定量的に計測できることになる。これは、光の照射角度が異なると、異なる角度で回折することを利用している。

このように構成されたマスク４Ｃを用いる場合、フレア量を計測する際には、レジスト３の膜厚（残膜量）だけでなく、レジスト３に転写されたパターン（レジストパターン）の各ラインの長さや各ライン間のピッチなどの寸法も計測する。そして、照射条件を変えて露光した場合のレジスト３の残膜量や転写パターンの寸法に基づいて回折光によるフレア量を計測する。

なお、その他のマスクの構成、フレア量の計測方法、デバイスの製造方法等は、上述の第１実施形態のものと同じであるため、ここでは説明を省略する。
したがって、本実施形態にかかるフレア量の計測方法及び、フレア量計測用マスク及びデバイスの製造方法によれば、簡便に、かつ、精度良く、回折光によるフレア量を計測することが可能となるという利点がある。

特に、本発明のデバイスの製造方法を用いて、デバイスの製造工程において定期点検を行なうようにすれば、例えば光学部品の交換やクリーニングなどの時期を適切に判断することができるようになるなど、デバイスの製造に用いられる装置の管理を容易に行なえるようになるという利点もある。また、例えば光学部品の交換やクリーニングなどを行なうことで、寸法均一性が悪くなるのを未然に防止することができる。この結果、デバイス性能の低下や歩留まりの低下を防止できるようになる。
［その他］
また、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することができる。例えば、各実施形態にかかるフレア量の計測方法のいずれか１つだけを行なうようにしても良いし、これらを任意に組み合わせて行なうようにしても良い。

（付記１）
基板上に感光性材料を塗布し、
パターンを有しない透過部を備えるマスクを用いて前記感光性材料の一部の厚さが変わるように前記感光性材料の一部を露光し、
前記マスクの透過部に対応する領域及び前記領域以外の領域における前記感光性材料の残膜量分布に基づいてフレア量を計測することを特徴とする、フレア量の計測方法。

（付記２）
前記感光性材料の前記マスクの透過部に対応する領域における照度を計測し、
前記感光性材料の残膜量及び照度に基づいてフレア量を計測することを特徴とする、付記１記載のフレア量の計測方法。
（付記３）
ラインパターンを有するマスクを用いて露光し、
前記感光性材料の残膜量及び前記感光性材料に転写されたパターンの寸法に基づいて回折光によるフレア量を計測することを特徴とする、付記１記載のフレア量の計測方法。

（付記４）
前記マスクが、ピッチの異なる複数のラインパターンを有することを特徴とする、付記３記載のフレア量の計測方法。
（付記５）
２重極照明を用いて露光することを特徴とする、付記３記載のフレア量の計測方法。

（付記６）
前記マスクが、所定のピッチのラインパターンを有し、
照射条件を変えて露光した場合の感光性材料の残膜量及び前記感光性材料に転写されたパターンの寸法に基づいて回折光によるフレア量を計測することを特徴とする、付記５記載のフレア量の計測方法。

（付記７）
前記感光性材料が、レジストであることを特徴とする、付記１〜６のいずれか１項に記載のフレア量の計測方法。
（付記８）
付記１〜７のいずれか１項に記載のフレア量の計測方法を用いてフレア量を計測する工程を含むことを特徴とする、デバイスの製造方法。

（付記９）
ピッチの異なる複数のラインパターンを備え、
前記複数のラインパターンが、スキャン方向に並べて配置されていることを特徴とする、フレア量計測用マスク。
（付記１０）
スキャン方向でピッチが異なるラインパターンを備えることを特徴とする、フレア量計測用マスク。

（付記１１）
ピッチの等しい複数のラインパターンを備え、
前記複数のラインパターンが、スキャン方向に対して向きを変えて配置されていることを特徴とする、フレア量計測用マスク。

（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態にかかるフレア量の計測方法を説明するための図であって、（Ａ）は模式的平面図であり、（Ｂ）は模式的断面図であり、（Ｃ）はレジスト残膜量を示す図である。（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施形態にかかるフレア量の計測方法を説明するための模式的断面図である。本発明の第１実施形態にかかるフレア量の計測方法において用いられるフレア量計測用マスクの構成を説明するための模式的平面図である。本発明の第１実施形態にかかるデバイスの製造方法を説明するための図である。本発明の第２実施形態にかかるフレア量計測用マスクの構成を示す模式的平面図である。本発明の第２実施形態にかかるフレア量計測用マスクを用いた場合のピッチに応じた回折光の角度を説明するための模式図である。本発明の第２実施形態の変形例にかかるフレア量計測用マスクの構成を示す模式的平面図である。本発明の第３実施形態にかかるフレア量計測用マスクの構成を示す模式的平面図である。（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第３実施形態にかかるフレア量の計測方法において用いられる２重極照明を示す模式図である。本発明の第３実施形態にかかる２重極照明を構成する各照明の位置に応じた回折光の角度を説明するための模式図である。

符号の説明

１基板（Ｓｉ基板）
２反射防止膜（ＢＡＲＣ）
３レジスト（感光性材料）
３ａ露光領域
３ｂ遮光領域
４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃマスク
４ａ透過部
４ｂ，４Ａｂ，４Ｂｂ，４Ｃｃ遮光部
４Ａａ，４Ｂａ，４Ｃａ，４Ｃｂラインパターン
５Ａ，５Ｂ２重極照明
５ａ照明

Claims

基板上に感光性材料を塗布し、
透過部と遮光部とを備えるマスクを用いて、前記透過部に対応する領域において前記感光性材料の厚さが変化し、かつ、前記感光性材料の一部が前記基板上に残るように前記感光性材料を露光し、
前記透過部に対応する領域及び前記遮光部に対応する領域における前記感光性材料の残膜量分布に基づいてフレア量を計測することを特徴とする、フレア量の計測方法。
前記感光性材料の前記マスクの透過部に対応する領域における照度を計測し、
前記感光性材料の残膜量及び照度に基づいてフレア量を計測することを特徴とする、請求項１記載のフレア量の計測方法。
前記マスクが、ラインパターンを有し、
前記感光性材料の残膜量及び前記感光性材料に転写されたパターンの寸法に基づいて回折光によるフレア量を計測することを特徴とする、請求項１記載のフレア量の計測方法。
前記マスクが、ピッチの異なる複数のラインパターンを有することを特徴とする、請求項３記載のフレア量の計測方法。
２重極照明を用いて露光することを特徴とする、請求項３記載のフレア量の計測方法。
前記マスクが、所定のピッチのラインパターンを有し、
前記２重極照明を構成する２つの照明の位置を変えて露光した場合の感光性材料の残膜量及び前記感光性材料に転写されたパターンの寸法に基づいて回折光によるフレア量を計測することを特徴とする、請求項５記載のフレア量の計測方法。
請求項１〜６のいずれか１項に記載のフレア量の計測方法を用いてフレア量を計測する工程を含むことを特徴とする、デバイスの製造方法。
ピッチの異なる複数のラインパターンを備え、
前記複数のラインパターンが、スキャン方向に並べて配置されていることを特徴とする、フレア量計測用マスク。
スキャン方向でピッチが異なるラインパターンを備えることを特徴とする、フレア量計測用マスク。
ピッチの等しい複数のラインパターンを備え、
前記複数のラインパターンが、スキャン方向に対して向きを変えて配置されていることを特徴とする、請求項６記載のフレア量の計測方法。