JP4873565B2 - リソグラフィー用ペリクル - Google Patents
リソグラフィー用ペリクル Download PDFInfo
- Publication number
- JP4873565B2 JP4873565B2 JP2007098618A JP2007098618A JP4873565B2 JP 4873565 B2 JP4873565 B2 JP 4873565B2 JP 2007098618 A JP2007098618 A JP 2007098618A JP 2007098618 A JP2007098618 A JP 2007098618A JP 4873565 B2 JP4873565 B2 JP 4873565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- film
- transmittance
- degrees
- respect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
この場合、ゴミは露光原版の表面には直接付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフィー時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル上のゴミは、転写に無関係となる利点がある。
具体的には紫外光[g線(436nm)、I線(365nm)、KrFエキシマレーザー(248nm)]と移行しており、近年ではArFエキシマレーザー(193nm)が使用され始めた。
リソグラフィーに使用される光の短波長化により、光のエネルギーが大きくなってきていることから、KrF、ArFレーザーに対してはペリクル膜の材料はよりレーザー光耐性が大きい透明フッ素樹脂が使用されるようになってきている(特許文献3、特許文献4参照)。
対物レンズとシリコンウエハ間の液体が純水の場合、NAの理論限界は1.44程度であるが、実際にはレンズ等の制約から実用上のNAの限界は1.3程度になると考えられている。
このように露光装置が高NA化すると、ペリクルを透過する光も周辺部は斜入射の角度が大きくなり、露光装置によっても多少異なるが、NAが1の場合で最大斜入射角は約15度、NAが1.3の場合で約19度まで大きくなる。
特許文献3では、「フォトマスク用防塵カバー」の「平均光線透過率」が検討されているが、そこで検討される光線の波長は「240〜500nm」の範囲であり、かつ、斜入射光線の光透過率に関しては検討されていない。
また、ペリクル膜が斜入射のArFレーザー光に対して極大透過率を持つことを特徴とする。この場合に、斜入射の角度が13.4度であること、そして、そのペリクル膜の膜厚が600nm以下であり、特にそのペリクル膜の膜厚が560〜563nm、もしくは489〜494nm、もしくは418〜425nm、もしくは346〜355nm、もしくは275〜286nm、もしくは204〜217nmであるものが好ましい。
またペリクル膜の膜厚を垂直入射のArFレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚に調整した場合には入射角の増大に伴い透過率は低下するが、ペリクルの膜厚を垂直入射のArFレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚に調整するのではなく、斜入射光に対して極大透過率を持つように調整することで、ペリクル透過率の入射角依存性を小さくすることができる。
更にはペリクル膜の膜厚を13.4度の斜入射ArFレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚にする際に、ペリクル膜の膜厚を600nm以下にすることにより、入射角0〜19度に対して透過率が98%を超える高い透過率を持つペリクルを提供できる。
また、ペリクル膜の膜厚を垂直入射光に対して最大透過率を示すように膜厚を制御することに換えて、ペリクル膜の膜厚をArFレーザー光の垂直入射ではなく、斜入射に対して極大透過率を示す膜厚にすることによって透過率の入射角依存性を小さくすることができる。特にはペリクル膜の膜厚を13.4度の斜入射ArFレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚にすることによって、垂直入射光に対する透過率は低下するものの、19度までの斜入射光に対する透過率は向上し、入射角が0〜19度の範囲での斜入射に対して透過率の入射角依存性を最小にできることを見出した。
この場合ペリクル膜の膜厚を13.4度の斜入射ArFレーザー光に対して極大透過率を示す膜厚にすることによって、垂直入射光に対して極大透過率を示す膜厚にする場合と比較して、入射角が0〜19度の範囲での斜入射に対して透過率が98%を超える高い透過率を持つペリクル膜をより厚い膜厚で製造でき、膜の機械的強度がより高く、透過率の入射角依存性が小さいペリクルを提供することができる。
[実施例1]
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体、サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた3%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により850rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
表面がアルマイト処理されたアルミニウム製のフレーム(外寸:149mm×122mm×5.8mm)の上面に膜接着剤を、下面にマスク粘着剤を塗布した。その後膜接着剤側をアルミ枠に取ったペリクル膜に貼り付け、フレームの外周の膜を切断しペリクルを完成させた。
このペリクルの透過率の入射角依存性を測定したところ、垂直入射(入射角0度)で99.9%、10度の斜入射で99.8%、19度の斜入射で98.6%と、入射角が大きくなるに従い透過率は低下するものの、0〜19度の全入射角に対して98%以上という高い透過率を示した。この場合の透過率の角度依存性を図1に示す。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体、サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた5%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により835rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ842nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の13.4度の斜入射光に対して極大透過率となる膜厚であった。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体、サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた4%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により900rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ421nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の13.4度の斜入射光に対して極大透過率となる膜厚であった。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体であるサイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた5%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により845rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ835nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の約8度の斜入射に対して極大透過率となる膜厚であった。
約8度の斜入射光に対して極大透過率となるようにペリクル膜を製作することにより、0度から12度の全入射角範囲での最低透過率が99.2%となり、膜厚を垂直入射で極大透過率になるように定めた場合(比較例1)の0度から12度の全入射角範囲での最低透過率97.8%と比較して、最低透過率が高くなり、角度依存性が小さかった。この場合の透過率の角度依存性を図4に示す。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体であるサイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた5%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により834rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ846nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の15.2度斜入射に対して極大透過率となる膜厚であった。
15.2度の斜入射光に対して極大透過率となるようにペリクル膜を製作することにより、10度から19度の斜入射光に対する最低透過率は98.4%となり、膜厚を垂直入射で極大透過率になるように定めた場合(比較例1)の10度から19度の斜入射光に対する最低透過率92%に比較して、最低透過率が高くなり、透過率の角度依存性は非常に小さかった。この場合の透過率の角度依存性を図5に示す。
サイトップCTX−S(旭硝子(株)製)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた3%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により845rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ281nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の13.4度の斜入射光に対して極大透過率となる膜厚であった。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体、サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた3%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により844rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ282nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の14.1度の斜入射光に対して極大透過率となる膜厚であった。
このペリクルの透過率の入射角依存性を測定したところ、垂直入射(入射角0度)で99.4%、10度の斜入射で99.5%、20度で99.4%となり、0〜20度の全入射角に対して99%以上という高い透過率を示した。この場合の透過率の角度依存性を図7に示す。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体、サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた2.5%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により800rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ211nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の14.1度の斜入射光に対して極大透過率となる膜厚であった。
このペリクルの透過率の入射角依存性を測定したところ、垂直入射(入射角0度)で99.6%、10度の斜入射で99.8%、20度で99.6%となり、0〜20度の全入射角に対して99.5%以上という高い透過率を示した。この場合の透過率の角度依存性を図8に示す。
環状構造を有するパーフルオロエーテル重合体、サイトップCTX−S(旭硝子(株)製商品名)をパーフルオロトリブチルアミンに溶解させた5%溶液をシリコンウエハ上に滴下し、スピンコート法により850rpmでウエハを回転させウエハ上に広げた。その後室温で30分間乾燥後、180℃で乾燥し均一な膜とした。これに接着剤を塗布したアルミ枠を貼り付け、膜だけを剥離しペリクル膜とした。
完成したペリクルの膜厚を測定したところ830nmであった。この膜厚はArFレーザー(波長193nm)の垂直入射光に対して極大透過率となる膜厚であった。
Claims (3)
- ArFエキシマレーザー光を用いたリソグラフィーに使用されるペリクルであって、そのペリクル膜厚が角度13.4度の斜入射のArFレーザー光に対して極大透過率を持つことを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。
- 請求項1に記載のペリクルであって、そのペリクル膜の膜厚が600nm以下200nm以上であるリソグラフィー用ペリクル。
- 請求項1に記載のペリクルであって、そのペリクル膜の膜厚が560〜563nm、もしくは489〜494nm、もしくは418〜425nm、もしくは346〜355nm、もしくは275〜286nm、もしくは204〜217nmであるリソグラフィー用ペリクル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098618A JP4873565B2 (ja) | 2006-04-07 | 2007-04-04 | リソグラフィー用ペリクル |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106432 | 2006-04-07 | ||
JP2006106432 | 2006-04-07 | ||
JP2006192019 | 2006-07-12 | ||
JP2006192019 | 2006-07-12 | ||
JP2007098618A JP4873565B2 (ja) | 2006-04-07 | 2007-04-04 | リソグラフィー用ペリクル |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008040469A JP2008040469A (ja) | 2008-02-21 |
JP2008040469A5 JP2008040469A5 (ja) | 2009-01-15 |
JP4873565B2 true JP4873565B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=39175471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007098618A Active JP4873565B2 (ja) | 2006-04-07 | 2007-04-04 | リソグラフィー用ペリクル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4873565B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7416820B2 (en) * | 2007-01-31 | 2008-08-26 | International Business Machines Corporation | Pellicle film optimized for immersion lithography systems with NA>1 |
JP7224712B2 (ja) * | 2018-12-03 | 2023-02-20 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルの製造方法、ペリクル、ペリクル付フォトマスク、露光方法、半導体デバイスの製造方法、液晶ディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法。 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3562790B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2004-09-08 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
JP2001154340A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
JP3411267B2 (ja) * | 2000-11-06 | 2003-05-26 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | フォトマスク用ペリクル、ペリクルを備えたフォトマスク、フォトマスクを用いた写真製版工程を含む半導体装置の製造方法 |
US20090042107A1 (en) * | 2006-02-01 | 2009-02-12 | Mitsui Chemicals Inc. | Pellicle for high numerical aperture exposure device |
JP2007264499A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Mitsui Chemicals Inc | 開口数が1以上の露光装置に使用可能なペリクル |
JP2007293036A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
-
2007
- 2007-04-04 JP JP2007098618A patent/JP4873565B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008040469A (ja) | 2008-02-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5285185B2 (ja) | フォトマスクユニット及びその製造方法 | |
JP5189614B2 (ja) | ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク | |
JP2008065258A (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
JP2008256925A (ja) | ペリクル | |
TWI409581B (zh) | 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件 | |
TW201142492A (en) | Pellicle for lithography and manufacturing method for pellicle layer | |
JP5279862B2 (ja) | ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル | |
TWI443450B (zh) | 防塵薄膜組件 | |
JP5304622B2 (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
US20090042107A1 (en) | Pellicle for high numerical aperture exposure device | |
JP4873565B2 (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
KR101164460B1 (ko) | 리소그래피용 펠리클 | |
JP2007293036A (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
KR20090118833A (ko) | 펠리클 | |
JP6308676B2 (ja) | リソグラフィ用ペリクル容器。 | |
JP5822401B2 (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
JP4185233B2 (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
JPH08123013A (ja) | ペリクルおよびその接着方法 | |
JP3562790B2 (ja) | ペリクル | |
JP6293045B2 (ja) | リソグラフィー用ペリクルの作製方法 | |
JP2001022052A (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
WO2022215609A1 (ja) | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付きフォトマスク、露光方法、半導体デバイスの製造方法及び液晶ディスプレイの製造方法 | |
JP2007004039A (ja) | ペリクル | |
JP2010210974A (ja) | ペリクルの製造方法及びペリクル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081121 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110623 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111116 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4873565 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |