JP4870608B2 - Deposition equipment - Google Patents

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Description

本発明は、成膜装置に関するものである。   The present invention relates to a film forming apparatus.

従来から、プラズマを用いて成膜材料ガスを分解し、基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このプラズマＣＶＤ装置により、例えば基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成することができる。そして、プラズマＣＶＤ装置においては、プラズマを発生させるために、一対の放電電極が備えられており、基板側を接地電極とし、成膜材料ガス供給側を対向電極として電圧を印加することが一般的であった。   2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a plasma CVD apparatus that decomposes a film forming material gas using plasma to form a thin film on a substrate (see, for example, Patent Document 1). With this plasma CVD apparatus, for example, an amorphous silicon (a-Si) film can be formed on a substrate. In a plasma CVD apparatus, in order to generate plasma, a pair of discharge electrodes are provided, and it is common to apply a voltage using the substrate side as a ground electrode and the deposition material gas supply side as a counter electrode. Met.

ここで、プラズマＣＶＤ法では通常１３．５６ＭＨｚを発振周波数とする高周波電源を使用することが一般的である。また、プラズマＣＶＤ装置で量産に対応できる成膜速度を得るには、成膜空間の圧力を１００Ｐａ〜３００Ｐａにすることが多い。そして、この圧力条件においては電圧が印加される対向電極と接地電極との間の電極間距離は、１５〜２５ｍｍ程度にすることが一般的である。
特許第３５６３０９２号公報 Here, in the plasma CVD method, it is common to use a high-frequency power source whose oscillation frequency is usually 13.56 MHz. Moreover, in order to obtain a film forming speed that can be used for mass production with a plasma CVD apparatus, the pressure in the film forming space is often set to 100 Pa to 300 Pa. Under this pressure condition, the distance between the counter electrode to which a voltage is applied and the ground electrode is generally about 15 to 25 mm.
Japanese Patent No. 3563092

ところで、上述の成膜装置では、電極間の距離が短く、このような狭い空間内で基板の出し入れを行うことは困難であり、特に基板の大型化が進んでいる現状においては、さらに基板の出し入れの困難さは増している。また、従来の成膜装置では基板を１枚ずつしか載置（成膜）することができず、生産効率が悪いという問題があった。   By the way, in the above-described film forming apparatus, the distance between the electrodes is short, and it is difficult to take in and out the substrate in such a narrow space. The difficulty of taking in and out is increasing. In addition, the conventional film forming apparatus has a problem in that only one substrate can be placed (film forming) at a time, resulting in poor production efficiency.

そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、基板を容易に出し入れすることができ、また、生産効率を向上することができる成膜装置を提供するものである。   Therefore, the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and provides a film forming apparatus that can easily take in and out a substrate and can improve production efficiency.

請求項１に記載した発明は、成膜材料ガスを導入可能なチャンバと、該チャンバ内に設けられた、基板を配置可能な基板配置電極と該基板配置電極に略平行に対向配置された対向電極とからなる一対の放電電極と、を備えた成膜装置において、前記チャンバ内に、前記基板配置電極と前記対向電極とが交互に複数配置され、前記対向電極が接地電極として構成されるとともに、前記基板配置電極に対して１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加することにより、前記基板配置電極と前記対向電極との間において該基板配置電極側に、プラズマが偏在するように構成されていることを特徴としている。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a chamber into which a film forming material gas can be introduced, a substrate arrangement electrode provided in the chamber and capable of arranging a substrate, and an opposed surface disposed substantially parallel to the substrate arrangement electrode. In a film forming apparatus comprising a pair of discharge electrodes composed of electrodes, a plurality of the substrate arrangement electrodes and the counter electrodes are alternately arranged in the chamber, and the counter electrodes are configured as ground electrodes. By applying a low-frequency AC voltage of 100 kHz or more and 2 MHz or less to the substrate arrangement electrode, plasma is unevenly distributed on the substrate arrangement electrode side between the substrate arrangement electrode and the counter electrode. It is characterized by having.

このように、基板配置電極へ１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、対向電極を接地電極とすることで、確実に基板配置電極近傍にプラズマ放電が張り付く現象が見られるため、基板近傍のみに成膜材料ガスの分解源であるプラズマを生成し、効率的に基板表面に成膜させることができる。   In this way, by applying a low frequency AC voltage of 100 kHz or more and 2 MHz or less to the substrate arrangement electrode and using the counter electrode as a ground electrode, a phenomenon in which plasma discharge sticks to the vicinity of the substrate arrangement electrode is surely seen. Only plasma that is a decomposition source of the film forming material gas can be generated only on the substrate surface.

また、基板配置電極への印加電圧の周波数を１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下と従来よりも低くしたため、定在波による電極面内の電圧分布によるプラズマ不均一性の問題がなくなるとともに、プラズマを基板配置電極近傍のみに生成することができ、放電電極間の距離を長くすることができる。したがって、基板の出し入れを容易にすることができる効果がある。また、チャンバ内に基板配置電極と対向電極とを複数設けたため、複数枚の基板を同時に成膜することができ、したがって、生産効率を向上することができる効果がある。さらに、放電電極間の距離を長くできることで、放電電極の経年劣化による物理的な歪みや撓みに対する許容値も大きくなり、例えば３ｍ×３ｍ以上の大きさの基板を用いるデバイス製造にも容易に対応することができる効果がある。   In addition, since the frequency of the voltage applied to the substrate placement electrode is lower than the conventional value, 100 kHz or more and 2 MHz or less, there is no problem of plasma non-uniformity due to the voltage distribution in the electrode surface due to the standing wave, and the plasma is placed near the substrate placement electrode. The distance between the discharge electrodes can be increased. Accordingly, there is an effect that the substrate can be easily taken in and out. In addition, since a plurality of substrate arrangement electrodes and counter electrodes are provided in the chamber, it is possible to form a plurality of substrates at the same time, thus improving the production efficiency. Furthermore, since the distance between the discharge electrodes can be increased, the tolerance for physical distortion and flexure due to aging of the discharge electrodes also increases, and it can be easily applied to device manufacturing using a substrate having a size of 3 m × 3 m or more, for example. There is an effect that can be done.

また、基板配置電極近傍のみにプラズマが生成されることにより、成膜材料が積極的に基板表面へ成膜されることとなる。つまり、従来のようにプラズマが基板配置電極と対向電極間の略全域に生成される場合と比較して、成膜材料ガスをチャンバ内に噴出することに起因する対向電極やチャンバ内壁への成膜材料の付着量を削減することができる。したがって、メンテナンス頻度を低減することができるため、基板の生産効率を向上することができる効果がある。   Further, since plasma is generated only in the vicinity of the substrate arrangement electrode, the film forming material is positively formed on the substrate surface. That is, as compared with the conventional case where plasma is generated in substantially the entire region between the substrate arrangement electrode and the counter electrode, the film forming material gas is ejected into the chamber and the counter electrode or chamber inner wall is formed. The adhesion amount of the film material can be reduced. Therefore, since the maintenance frequency can be reduced, the production efficiency of the substrate can be improved.

請求項２に記載した発明は、隣接する前記基板配置電極同士が連接され、前記チャンバに対して一体的に出し入れ自在に構成されていることを特徴としている。   The invention described in claim 2 is characterized in that the substrate arrangement electrodes adjacent to each other are connected to each other so as to be integrated with the chamber.

このように構成することで、一体に連接された基板配置電極を、チャンバから１回の出し入れ動作をするだけで全ての基板を入れ替えることができる。つまり、基板の入れ替えをチャンバ外で容易にすることができる効果がある。また、基板配置電極をチャンバから出し入れすることができるため、基板配置電極のメンテナンスを容易にすることができる効果がある。さらに、チャンバ内に設けられた複数の基板配置電極が一体化されるため、一つの電源から全ての基板配置電極に電圧を印加することができ、装置の簡略化を図ることができる効果がある。   With this configuration, it is possible to replace all the substrates by performing a single loading / unloading operation of the substrate arrangement electrodes that are integrally connected to each other. That is, there is an effect that the replacement of the substrate can be facilitated outside the chamber. Further, since the substrate arrangement electrode can be taken in and out of the chamber, there is an effect that the maintenance of the substrate arrangement electrode can be facilitated. Further, since a plurality of substrate arrangement electrodes provided in the chamber are integrated, it is possible to apply a voltage to all the substrate arrangement electrodes from one power source, and there is an effect that simplification of the apparatus can be achieved. .

請求項３に記載した発明は、前記基板配置電極は、その両面に前記基板を搭載可能とされていることを特徴としている。   The invention described in claim 3 is characterized in that the substrate placement electrode can be mounted on both sides thereof.

このように構成することで、基板配置電極の個数を減少することができ、チャンバの省スペース化を図ることができるとともに、費用をかけずに成膜装置を製造することができる効果がある。   With such a configuration, the number of substrate arrangement electrodes can be reduced, the space of the chamber can be saved, and the film forming apparatus can be manufactured without cost.

請求項４に記載した発明は、前記対向電極が、前記基板配置電極に向かって前記成膜材料ガスを噴出可能に構成されたガス噴出口を備えていることを特徴としている。   The invention described in claim 4 is characterized in that the counter electrode includes a gas outlet configured to be able to eject the film forming material gas toward the substrate arrangement electrode.

このように構成することで、成膜材料ガスをガス噴出口から基板が載置されている基板配置電極に対して略均一に噴出することができるため、成膜材料ガスを基板近傍に生成されたプラズマに確実に供給することができる。したがって、プラズマにて成膜材料ガスを分解して、確実に基板に成膜させることができる効果がある。   With this configuration, since the film forming material gas can be ejected from the gas ejection port substantially uniformly to the substrate placement electrode on which the substrate is placed, the film forming material gas is generated in the vicinity of the substrate. The plasma can be reliably supplied. Therefore, there is an effect that the film forming material gas is decomposed by plasma and the film can be reliably formed on the substrate.

請求項５に記載した発明は、前記対向電極が、その両側に配置された前記基板配置電極に向かって前記成膜材料ガスを噴出可能に構成されたガス噴出口を備えていることを特徴としている。   The invention described in claim 5 is characterized in that the counter electrode includes a gas outlet configured to eject the film forming material gas toward the substrate arrangement electrode arranged on both sides thereof. Yes.

このように構成することで、成膜材料ガスを対向電極の両側に配置されたガス噴出口から基板が載置されている基板配置電極に対して略均一に噴出することができるため、成膜材料ガスを基板近傍に生成されたプラズマに確実に供給することができる。したがって、プラズマにて成膜材料ガスを分解して、確実に基板に成膜させることができる効果がある。また、対向電極の個数を減少することができ、チャンバの省スペース化を図ることができるとともに、費用をかけずに成膜装置を製造することができる効果がある。   With this configuration, the deposition material gas can be ejected substantially uniformly from the gas ejection ports arranged on both sides of the counter electrode to the substrate arrangement electrode on which the substrate is placed. The material gas can be reliably supplied to the plasma generated in the vicinity of the substrate. Therefore, there is an effect that the film forming material gas is decomposed by plasma and the film can be reliably formed on the substrate. In addition, the number of counter electrodes can be reduced, the space of the chamber can be saved, and the film forming apparatus can be manufactured without cost.

本発明によれば、基板配置電極へ１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、対向電極を接地電極とすることで、基板配置電極と対向電極との間の距離を長くすることができるため、基板を容易に出し入れすることができる。
また、チャンバ内に基板配置電極と対向電極とを複数設け、複数の基板を同時に成膜することができるように構成したため、生産効率を向上することができる。 According to the present invention, the distance between the substrate arrangement electrode and the counter electrode can be increased by applying a low-frequency alternating voltage of 100 kHz to 2 MHz to the substrate arrangement electrode and using the counter electrode as a ground electrode. Therefore, the substrate can be easily taken in and out.
In addition, since a plurality of substrate arrangement electrodes and counter electrodes are provided in the chamber so that a plurality of substrates can be formed at the same time, production efficiency can be improved.

（第一実施形態）
（成膜装置）
次に、本発明の第一実施形態を図１に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 (First embodiment)
(Deposition system)
Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

図１は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図１に示すように、プラズマＣＶＤ法を実施する成膜装置１０は、箱型形状の真空チャンバ１１を有している。真空チャンバ１１は、接地されており、接地電位を保持できるように構成されている。また、真空チャンバ１１は、箱型のいずれかの面が開閉可能に構成されており、基板テーブル１４を出し入れ可能に構成されている。 FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, a film forming apparatus 10 that performs a plasma CVD method has a box-shaped vacuum chamber 11. The vacuum chamber 11 is grounded and configured to maintain a ground potential. Further, the vacuum chamber 11 is configured to be openable and closable on any surface of the box shape, and configured to allow the substrate table 14 to be taken in and out.

真空チャンバ１１内には、基板１３が載置可能な導電材からなる基板テーブル１４が設けられている。ここで、基板テーブル１４は真空チャンバ１１内に複数設けられている（本実施形態においては、４個）。また、基板テーブル１４の両面に基板１３が載置可能に構成されている。つまり、真空チャンバ１１内に、基板１３を同時に複数配置可能に構成されている（本実施形態においては、８枚）。基板テーブル１４に基板１３を載置する際に、図示しないストッパ部材で基板１３を基板テーブル１４に保持できるように構成されている。   A substrate table 14 made of a conductive material on which a substrate 13 can be placed is provided in the vacuum chamber 11. Here, a plurality of substrate tables 14 are provided in the vacuum chamber 11 (four in this embodiment). In addition, the substrate 13 can be placed on both surfaces of the substrate table 14. That is, a plurality of substrates 13 can be simultaneously arranged in the vacuum chamber 11 (eight in the present embodiment). When the substrate 13 is placed on the substrate table 14, the substrate 13 can be held on the substrate table 14 by a stopper member (not shown).

さらに、複数の基板テーブル１４には、隣接する基板テーブル１４同士を連接する連接部１５が形成されている。したがって、複数の基板テーブル１４は連接部１５によって櫛歯状に一体化されている。また、複数の基板テーブル１４は、真空チャンバ１１から出し入れできるように構成されている。   Further, the plurality of substrate tables 14 are formed with connecting portions 15 that connect adjacent substrate tables 14 to each other. Therefore, the plurality of substrate tables 14 are integrated in a comb-teeth shape by the connecting portion 15. The plurality of substrate tables 14 are configured to be able to be taken in and out of the vacuum chamber 11.

そして、基板テーブル１４には電源線１７が接続されている。電源線１７は、真空チャンバ１１の内部から外部へと導かれており、真空チャンバ１１の外部側の先端には、ＲＦ電源１８が設けられている。つまり、ＲＦ電源１８により基板テーブル１４に対して電圧を印加可能に構成されており、基板テーブル１４が基板配置電極として機能する。なお、電源線１７が真空チャンバ１１の壁部を貫通する箇所においては、電源線１７と真空チャンバ１１の壁部とは図示しない絶縁部材にて絶縁されている。   A power line 17 is connected to the substrate table 14. The power line 17 is led from the inside of the vacuum chamber 11 to the outside, and an RF power source 18 is provided at the tip on the outside of the vacuum chamber 11. In other words, the RF power source 18 is configured to be able to apply a voltage to the substrate table 14, and the substrate table 14 functions as a substrate placement electrode. It should be noted that the power line 17 and the wall of the vacuum chamber 11 are insulated from each other by an insulating member (not shown) where the power line 17 penetrates the wall of the vacuum chamber 11.

また、真空チャンバ１１には、導電材で形成された対向電極が設けられている。ここで、対向電極は、成膜ガスを基板１３表面に対して供給するためのガス供給部１９としての機能を併有している。ガス供給部１９は、平行配置された一対の平板（対向電極）と、一対の平板間に形成された空間部とで構成されている。この空間部は成膜ガスの流路として構成されている。ガス供給部１９は真空チャンバ１１内に複数設けられており、複数の基板１３に対向する位置に設けられている（本実施形態では、５箇所）。つまり、ガス供給部１９は、隣接する基板テーブル１４の中間位置に基板テーブル１４と平行に設けられている。   The vacuum chamber 11 is provided with a counter electrode made of a conductive material. Here, the counter electrode also has a function as a gas supply unit 19 for supplying a film forming gas to the surface of the substrate 13. The gas supply unit 19 includes a pair of flat plates (counter electrodes) arranged in parallel and a space formed between the pair of flat plates. This space is configured as a film forming gas flow path. A plurality of gas supply units 19 are provided in the vacuum chamber 11, and are provided at positions facing the plurality of substrates 13 (in this embodiment, five locations). That is, the gas supply unit 19 is provided in parallel with the substrate table 14 at an intermediate position between the adjacent substrate tables 14.

ガス供給部１９の基板１３に対向する位置には、基板１３に対して成膜ガスを噴出可能なシャワープレート（平板）２１が設けられている。シャワープレート２１は、複数の基板１３に対向する位置にそれぞれ設けられている（本実施形態では、８箇所）。シャワープレート２１には、多数のガス噴出口２２が形成されており、成膜ガスを基板１３に対して噴出可能に構成されている。   A shower plate (flat plate) 21 capable of ejecting a film forming gas to the substrate 13 is provided at a position facing the substrate 13 of the gas supply unit 19. The shower plate 21 is provided at a position facing the plurality of substrates 13 (eight locations in the present embodiment). The shower plate 21 is formed with a large number of gas outlets 22 so that a film forming gas can be ejected to the substrate 13.

ここで、ガス供給部１９には、隣接するガス供給部１９同士を連接する連接部２３が形成されている。したがって、複数のガス供給部１９は連接部２３によって櫛歯状に一体化されている。そして、ガス供給部１９にはガス導入管２５が接続されている。ガス導入管２５は、真空チャンバ１１の壁部を貫通して内部から外部へと導かれており、真空チャンバ１１の外部側の先端には、成膜ガス供給部２６が設けられている。つまり、成膜ガス供給部２６によりガス供給部１９に対して成膜ガスを供給可能に構成されている。   Here, the gas supply part 19 is formed with a connecting part 23 that connects the adjacent gas supply parts 19 to each other. Therefore, the plurality of gas supply parts 19 are integrated in a comb-teeth shape by the connecting part 23. A gas introduction pipe 25 is connected to the gas supply unit 19. The gas introduction pipe 25 penetrates the wall portion of the vacuum chamber 11 and is guided from the inside to the outside, and a film forming gas supply unit 26 is provided at the outer end of the vacuum chamber 11. That is, the deposition gas supply unit 26 can supply the deposition gas to the gas supply unit 19.

なお、ガス供給部１９、シャワープレート２１、連接部２３およびガス導入管２５は、導電材で構成されている。つまり、真空チャンバ１１が接地電位に保持されており、ガス供給部１９、シャワープレート２１、連接部２３およびガス導入管２５は、真空チャンバ１１と電気的に接続されるため、ガス供給部１９、シャワープレート２１、連接部２３およびガス導入管２５も接地電位に保持されるように構成されている。   In addition, the gas supply part 19, the shower plate 21, the connection part 23, and the gas introduction pipe | tube 25 are comprised with the electrically conductive material. That is, the vacuum chamber 11 is held at the ground potential, and the gas supply unit 19, the shower plate 21, the connecting portion 23, and the gas introduction pipe 25 are electrically connected to the vacuum chamber 11. The shower plate 21, the connecting portion 23, and the gas introduction pipe 25 are also configured to be held at the ground potential.

また、シャワープレート２１と基板テーブル１４との間は、３０〜１５０ｍｍの距離が確保され、お互いが略平行に配置されるように構成されている。したがって、隣接する基板テーブル１４同士は、少なくとも６０ｍｍ以上の間隔が形成されることとなる。   Further, a distance of 30 to 150 mm is secured between the shower plate 21 and the substrate table 14, and the shower plate 21 and the substrate table 14 are arranged to be substantially parallel to each other. Therefore, an interval of at least 60 mm or more is formed between adjacent substrate tables 14.

また、真空チャンバ１１にはクリーニングガス導入管３１が接続されている。クリーニングガス導入管３１にはフッ素ガス供給部３２とラジカル源３３とが設けられており、フッ素ガス供給部３２から供給されたフッ素ガスをラジカル源３３で分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ１１内の成膜空間に供給するように構成されている。   Further, a cleaning gas introduction pipe 31 is connected to the vacuum chamber 11. The cleaning gas introduction pipe 31 is provided with a fluorine gas supply unit 32 and a radical source 33. The fluorine gas supplied from the fluorine gas supply unit 32 is decomposed by the radical source 33, and the resulting fluorine radicals are converted into a vacuum chamber. 11 is configured so as to be supplied to the film formation space in the inside.

さらに、真空チャンバ１１には、排気管３５が接続され、その先端には、真空ポンプ３６が設けられおり、真空チャンバ１１内を減圧状態にすることができるように構成されている。   Further, an exhaust pipe 35 is connected to the vacuum chamber 11, and a vacuum pump 36 is provided at the tip thereof so that the inside of the vacuum chamber 11 can be in a reduced pressure state.

そして、真空チャンバ１１の外壁面に沿うように、図示しないヒータが設けられている。ヒータは、真空チャンバ１１の外部にて図示しない電源と接続され、真空チャンバ１１内の温度調節ができるように構成されている。
また、真空チャンバ１１の内壁面を覆うように壁面部材３８が形成されている。壁面部材３８は、例えばアルミナなどで形成されており、真空チャンバ１１内が成膜ガスやクリーニングガスにより腐食されにくい構造となっている。 A heater (not shown) is provided along the outer wall surface of the vacuum chamber 11. The heater is connected to a power source (not shown) outside the vacuum chamber 11 so that the temperature in the vacuum chamber 11 can be adjusted.
A wall member 38 is formed so as to cover the inner wall surface of the vacuum chamber 11. The wall surface member 38 is formed of alumina or the like, for example, and has a structure in which the inside of the vacuum chamber 11 is not easily corroded by a film forming gas or a cleaning gas.

（作用）
次に、成膜装置１０を用いて基板１３に成膜する場合の作用について説明する。
上記構成の成膜装置１０を用いて基板１３の表面に薄膜を成膜するには、まず、基板テーブル１４を真空チャンバ１１から取り出して、真空チャンバ１１外で基板テーブル１４に基板１３を載置する。このとき、隣接する基板テーブル１４同士の間は、ガス供給部１９が配置可能な距離が確保されているため、基板１３を容易に基板テーブル１４に載置することができる。基板１３を基板テーブル１４に載置した後に、基板テーブル１４を真空チャンバ１１内に戻し、基板１３を適正な位置に配置させる。 (Function)
Next, the operation when a film is formed on the substrate 13 using the film forming apparatus 10 will be described.
In order to form a thin film on the surface of the substrate 13 using the film forming apparatus 10 having the above configuration, first, the substrate table 14 is taken out from the vacuum chamber 11 and the substrate 13 is placed on the substrate table 14 outside the vacuum chamber 11. To do. At this time, since the distance at which the gas supply unit 19 can be arranged is secured between the adjacent substrate tables 14, the substrate 13 can be easily placed on the substrate table 14. After placing the substrate 13 on the substrate table 14, the substrate table 14 is returned into the vacuum chamber 11, and the substrate 13 is placed at an appropriate position.

真空チャンバ１１内に基板１３がセットされると、真空ポンプ３６で真空チャンバ１１内を排気して、真空チャンバ１１内を減圧状態に保持する。その後、成膜ガス供給部２６より成膜ガスをガス導入管２５に導入し、ガス導入管２５からガス供給部１９を通過した成膜ガスが、シャワープレート２１のガス噴出口２２から真空チャンバ１１内の基板１３に成膜ガスを噴出させる。   When the substrate 13 is set in the vacuum chamber 11, the inside of the vacuum chamber 11 is evacuated by the vacuum pump 36, and the inside of the vacuum chamber 11 is maintained in a reduced pressure state. Thereafter, the deposition gas is introduced into the gas introduction pipe 25 from the deposition gas supply section 26, and the deposition gas that has passed through the gas supply section 19 from the gas introduction pipe 25 passes through the gas outlet 22 of the shower plate 21 to the vacuum chamber 11. A film forming gas is jetted onto the inner substrate 13.

ここで、真空チャンバ１１を接地電位に接続した状態、つまり、真空チャンバ１１と電気的に接続されているガス供給部１９のシャワープレート２１も接地電位に保持された状態で、ＲＦ電源１８を起動して基板テーブル１４に低周波交流電圧を印加する。   Here, the RF power source 18 is activated in a state where the vacuum chamber 11 is connected to the ground potential, that is, in a state where the shower plate 21 of the gas supply unit 19 electrically connected to the vacuum chamber 11 is also held at the ground potential. Then, a low frequency alternating voltage is applied to the substrate table 14.

このように構成することで、基板配置電極として基板テーブル１４が機能するとともに、対向電極（接地電極）としてシャワープレート２１（ガス供給部１９）が機能する。基板テーブル１４に印加する電圧は、１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下としている。印加電圧の周波数が１００ｋＨｚより小さいと、放電電極間においてグロー放電が生成しにくくなるため好ましくない。一方、印加電圧の周波数が２ＭＨｚより大きいと、基板テーブル（基板配置電極）１４近傍にプラズマ放電が張り付く現象が起こりにくくなるため好ましくない。   With this configuration, the substrate table 14 functions as a substrate arrangement electrode, and the shower plate 21 (gas supply unit 19) functions as a counter electrode (ground electrode). The voltage applied to the substrate table 14 is not less than 100 kHz and not more than 2 MHz. When the frequency of the applied voltage is smaller than 100 kHz, it is difficult to generate glow discharge between the discharge electrodes. On the other hand, if the frequency of the applied voltage is higher than 2 MHz, it is not preferable because the phenomenon that the plasma discharge sticks in the vicinity of the substrate table (substrate placement electrode) 14 does not easily occur.

図２は、本発明の原理を示す説明図であり、図２（ａ）は、印加電圧に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加した場合を示すもの（従来法）、図２（ｂ）は、印加電圧に１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波電圧を印加した場合を示すもの（本発明）である。   FIG. 2 is an explanatory diagram showing the principle of the present invention. FIG. 2A shows a case where a high frequency voltage of 13.56 MHz is applied to the applied voltage (conventional method), and FIG. This shows a case where a low frequency voltage of 100 kHz to 2 MHz is applied to the applied voltage (the present invention).

図２（ａ）に示すように、印加電極であるシャワープレート２１への印加電圧が高周波の場合は、基板配置電極である基板テーブル１４と対向電極であるシャワープレート２１間の略全領域でグロー放電が生成される。このため、グロー放電で分解されたラジカル種４０ａは基板１３の表面とシャワープレート２１の表面にそれぞれ略同量である５０％程度の堆積がなされる。   As shown in FIG. 2A, when the applied voltage to the shower plate 21 serving as the applied electrode is a high frequency, the glow occurs in almost the entire region between the substrate table 14 serving as the substrate placement electrode and the shower plate 21 serving as the counter electrode. A discharge is generated. For this reason, the radical species 40a decomposed by the glow discharge is deposited on the surface of the substrate 13 and the surface of the shower plate 21 at approximately the same amount of about 50%.

一方、図２（ｂ）に示すように、印加電極である基板テーブル１４への印加電圧を低周波にした場合は、基板配置電極１４と対向電極２１との間において基板配置電極１４側、すなわち、対向電極２１より基板テーブル１４近傍にグロー放電によるプラズマが偏在し、これにより、基板テーブル１４近傍に、プラズマ中で生成されたラジカル種４０ｂが貼り付く現象が見られる。 On the other hand, as shown in FIG. 2B, when the applied voltage to the substrate table 14 that is the application electrode is set to a low frequency , the substrate placement electrode 14 side, that is, between the substrate placement electrode 14 and the counter electrode 21, , plasma is unevenly distributed by glow discharge in the vicinity of the substrate table 14 from the counter electrode 21, thereby, in the vicinity of the substrate table 14, radical species 40b generated in the plasma are stuck Ri attached phenomena observed.

つまり、このような低周波交流電圧を基板テーブル１４に印加することにより、シャワープレート２１のガス噴出口２２から噴出された成膜ガスは、基板テーブル（基板配置電極）１４をカソードとし、シャワープレート（対向電極）２１をアノードとする容量結合方式（ＣＣＰ方式）のグロー放電現象が発生し、これにより真空チャンバ１１内の基板テーブル１４およびシャワープレート２１間の空間において成膜ガスが活性化する。   That is, by applying such a low-frequency AC voltage to the substrate table 14, the film forming gas ejected from the gas ejection port 22 of the shower plate 21 uses the substrate table (substrate arrangement electrode) 14 as a cathode, and the shower plate. A capacitive coupling type (CCP type) glow discharge phenomenon in which the (opposite electrode) 21 is used as an anode occurs, whereby the film forming gas is activated in the space between the substrate table 14 and the shower plate 21 in the vacuum chamber 11.

そして、基板１３は真空チャンバ１１のヒータによって予め所定温度（２００〜４５０℃）に加熱されており、活性化した成膜ガスが基板１３表面に到達すると、加熱によってこの成膜ガスが反応し、基板１３表面に反応生成物が堆積する。また、放電安定性および成膜速度を考慮すると、成膜ガスを導入した状態で、真空チャンバ１１内の圧力を、１０Ｐａ〜５００Ｐａに設定することが好ましい。   The substrate 13 is heated in advance to a predetermined temperature (200 to 450 ° C.) by the heater of the vacuum chamber 11. When the activated film forming gas reaches the surface of the substrate 13, the film forming gas reacts by heating, Reaction products are deposited on the surface of the substrate 13. In consideration of the discharge stability and the deposition rate, it is preferable to set the pressure in the vacuum chamber 11 to 10 Pa to 500 Pa with the deposition gas introduced.

このように、印加電極である基板テーブル（基板配置電極）１４への印加電圧を低周波交流電圧にすると、基板テーブル１４近傍にグロー放電によるプラズマが基板テーブル１４側に偏在するため、効率的に基板１３を成膜することができる。
さらに、本実施形態においては、真空チャンバ１１内に基板テーブル１４を複数設けるとともに、基板テーブル１４の両面に基板１３を載置可能に構成したため、同時に複数枚の基板１３を成膜することができ、さらに効率的に基板１３を成膜することができる。 As described above, when the voltage applied to the substrate table (substrate placement electrode) 14 that is the application electrode is a low-frequency AC voltage, plasma due to glow discharge is unevenly distributed near the substrate table 14 toward the substrate table 14. The substrate 13 can be formed.
Furthermore, in the present embodiment, since a plurality of substrate tables 14 are provided in the vacuum chamber 11 and the substrates 13 can be placed on both surfaces of the substrate table 14, a plurality of substrates 13 can be formed simultaneously. In addition, the substrate 13 can be formed more efficiently.

また、基板１３への成膜が何度か繰り返されると、真空チャンバ１１の内壁面などに成膜材料が付着するため、真空チャンバ１１内を定期的にクリーニングすることとなる。真空チャンバ１１内のクリーニングは、クリーニングガス導入管３１に設けられたフッ素ガス供給部３２からフッ素ガスをラジカル源３３に供給する。ラジカル源３３でフッ素ガスを分解し、これによるフッ素ラジカルを、真空チャンバ１１内の成膜空間に供給し、化学反応させることにより付着物を除去する。   Further, when the film formation on the substrate 13 is repeated several times, the film forming material adheres to the inner wall surface of the vacuum chamber 11 and the like, so that the inside of the vacuum chamber 11 is periodically cleaned. For cleaning the inside of the vacuum chamber 11, fluorine gas is supplied from a fluorine gas supply unit 32 provided in the cleaning gas introduction pipe 31 to the radical source 33. Fluorine gas is decomposed by the radical source 33, and the resulting fluorine radicals are supplied to the film forming space in the vacuum chamber 11 to cause a chemical reaction, thereby removing deposits.

本実施形態によれば、成膜材料ガスを導入可能な真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１内に設けられた、基板１３を配置可能な基板テーブル（基板配置電極）１４と基板テーブル１４に略平行に対向配置されたシャワープレート（対向電極）２１とからなる一対の放電電極と、を備えた成膜装置１０において、真空チャンバ１１内に、基板テーブル１４とシャワープレート２１とを交互に複数配置し、シャワープレート２１が接地電極となるように構成するとともに、基板テーブル１４に対して１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加可能に構成した。   According to this embodiment, the vacuum chamber 11 into which the film forming material gas can be introduced, the substrate table (substrate placement electrode) 14 provided in the vacuum chamber 11 on which the substrate 13 can be placed, and the substrate table 14 are substantially parallel. In a film forming apparatus 10 including a pair of discharge electrodes composed of a shower plate (counter electrode) 21 disposed opposite to each other, a plurality of substrate tables 14 and shower plates 21 are alternately disposed in a vacuum chamber 11. The shower plate 21 is configured to be a ground electrode, and a low frequency AC voltage of 100 kHz to 2 MHz can be applied to the substrate table 14.

このように、基板テーブル（基板配置電極）１４へ１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、シャワープレート（対向電極）２１を接地電極とすることで、確実に基板テーブル１４近傍にプラズマ放電が張り付く現象が見られるため、基板１３近傍のみに成膜材料ガスの分解源であるプラズマを生成し、効率的に基板１３表面に成膜させることができる。   In this way, by applying a low frequency AC voltage of 100 kHz or more and 2 MHz or less to the substrate table (substrate placement electrode) 14 and using the shower plate (counter electrode) 21 as a ground electrode, plasma discharge is reliably performed in the vicinity of the substrate table 14. Therefore, plasma that is a decomposition source of the film forming material gas can be generated only in the vicinity of the substrate 13 and can be efficiently formed on the surface of the substrate 13.

また、基板テーブル１４への印加電圧の周波数を１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下と従来よりも低くしたため、定在波による電極面内の電圧分布によるプラズマ不均一性の問題がなくなるとともに、プラズマを基板テーブル１４近傍のみに生成することができ、基板テーブル１４とシャワープレート２１とで構成される放電電極間の距離を長くすることができる。したがって、基板１３の出し入れを容易にすることができる。また、真空チャンバ１１内に基板テーブル１４とシャワープレート２１とを複数設けたため、複数枚の基板１３を同時に成膜することができ、したがって、生産効率を向上することができる。さらに、放電電極間の距離を長くできることで、放電電極の経年劣化による物理的な歪みや撓みに対する許容値も大きくなり、例えば３ｍ×３ｍ以上の大きさの基板を用いるデバイス製造にも容易に対応することができる。   In addition, since the frequency of the voltage applied to the substrate table 14 is set to 100 kHz to 2 MHz, which is lower than the conventional one, the problem of plasma non-uniformity due to the voltage distribution in the electrode surface due to the standing wave is eliminated, and the plasma is supplied to the vicinity of the substrate table 14. The distance between the discharge electrodes formed by the substrate table 14 and the shower plate 21 can be increased. Therefore, the substrate 13 can be easily taken in and out. Further, since a plurality of substrate tables 14 and shower plates 21 are provided in the vacuum chamber 11, a plurality of substrates 13 can be formed at the same time, and thus the production efficiency can be improved. Furthermore, since the distance between the discharge electrodes can be increased, the tolerance for physical distortion and flexure due to aging of the discharge electrodes also increases, and it can be easily applied to device manufacturing using a substrate having a size of 3 m × 3 m or more, for example. can do.

また、基板テーブル１４近傍のみにプラズマが生成されることにより、成膜材料が積極的に基板１３表面へ成膜されることとなる。つまり、従来のようにプラズマが基板テーブル（基板配置電極）１４とシャワープレート（対向電極）２１間の略全域に生成される場合と比較して、成膜材料ガスを真空チャンバ１１内に噴出することに起因するシャワープレート２１や真空チャンバ１１の内壁への成膜材料の付着量を削減することができる。したがって、メンテナンス頻度を低減することができるため、基板１３の生産効率を向上することができる。   Further, since plasma is generated only near the substrate table 14, the film forming material is positively formed on the surface of the substrate 13. That is, as compared with the conventional case where plasma is generated in substantially the entire region between the substrate table (substrate arrangement electrode) 14 and the shower plate (counter electrode) 21, the film forming material gas is jetted into the vacuum chamber 11. This can reduce the deposition amount of the film forming material on the shower plate 21 and the inner wall of the vacuum chamber 11. Therefore, since the maintenance frequency can be reduced, the production efficiency of the substrate 13 can be improved.

また、隣接する基板テーブル１４同士を連接し、真空チャンバ１１に対して一体的に出し入れ自在に構成した。   Further, the adjacent substrate tables 14 are connected to each other so as to be integrated with the vacuum chamber 11.

このように構成したため、一体に連接された基板テーブル１４を、真空チャンバ１１から１回の出し入れ動作をするだけで全ての基板１３を入れ替えることができる。つまり、基板１３の入れ替えを真空チャンバ１１外で容易にすることができる。また、基板テーブル１４を真空チャンバ１１から出し入れすることができるため、基板テーブル１４のメンテナンスを容易にすることができる。さらに、真空チャンバ１１内に設けられた複数の基板テーブル１４が一体化されるため、一つのＲＦ電源１８から全ての基板テーブル１４に電圧を印加することができ、成膜装置１０の簡略化を図ることができる。   Because of such a configuration, all the substrates 13 can be replaced by performing a single operation of removing the substrate table 14 connected integrally from the vacuum chamber 11 once. That is, the replacement of the substrate 13 can be facilitated outside the vacuum chamber 11. Further, since the substrate table 14 can be taken in and out of the vacuum chamber 11, the maintenance of the substrate table 14 can be facilitated. Furthermore, since the plurality of substrate tables 14 provided in the vacuum chamber 11 are integrated, a voltage can be applied to all the substrate tables 14 from one RF power source 18, and the film forming apparatus 10 can be simplified. Can be planned.

また、基板テーブル１４の両面に基板１３を搭載可能とした。
このように構成したため、基板テーブル１４の個数を減少することができ、真空チャンバ１１の省スペース化を図ることができるとともに、費用をかけずに成膜装置１０を製造することができる。 Further, the substrate 13 can be mounted on both surfaces of the substrate table 14.
Since it comprised in this way, the number of the substrate tables 14 can be reduced, the space saving of the vacuum chamber 11 can be achieved, and the film-forming apparatus 10 can be manufactured without expense.

さらに、ガス供給部１９のシャワープレート２１に、基板テーブル１４に向かって成膜材料ガスを噴出可能に構成されたガス噴出口２２を形成した。   Further, a gas ejection port 22 configured to eject a film forming material gas toward the substrate table 14 was formed on the shower plate 21 of the gas supply unit 19.

このように構成したため、成膜材料ガスをガス噴出口２２から基板１３が載置されている基板テーブル１４に対して略均一に噴出することができるため、成膜材料ガスを基板１３近傍に生成されたプラズマに確実に供給することができる。したがって、プラズマにて成膜材料ガスを分解して、確実に基板１３に成膜させることができる。   Since it comprised in this way, since film-forming material gas can be ejected substantially uniformly with respect to the substrate table 14 in which the board | substrate 13 is mounted from the gas jet nozzle 22, film-forming material gas is produced | generated by the board | substrate 13 vicinity. It is possible to reliably supply the generated plasma. Therefore, the film forming material gas can be decomposed by plasma to reliably form a film on the substrate 13.

そして、ガス供給部１９に一対のシャワープレート２１を設け、その両側に配置された基板テーブル１４に向かって成膜材料ガスを噴出可能に構成されたガス噴出口２２をシャワープレート２１に形成した。
このように構成したため、成膜材料ガスを、ガス供給部１９を構成する一対のシャワープレート２１に形成されたガス噴出口２２から基板１３が載置されている基板テーブル１４に対して略均一に噴出することができる。したがって、成膜材料ガスを基板１３近傍に生成されたプラズマに確実に供給することができるため、プラズマにて成膜材料ガスを分解して、確実に基板１３に成膜させることができる。また、ガス供給部１９の個数を減少することができ、真空チャンバ１１の省スペース化を図ることができるとともに、費用をかけずに成膜装置１０を製造することができる。 Then, a pair of shower plates 21 were provided in the gas supply unit 19, and gas outlets 22 configured to eject film forming material gas toward the substrate table 14 disposed on both sides thereof were formed in the shower plate 21.
With this configuration, the film forming material gas is made substantially uniform with respect to the substrate table 14 on which the substrate 13 is placed from the gas outlets 22 formed in the pair of shower plates 21 constituting the gas supply unit 19. Can be erupted. Therefore, since the film forming material gas can be reliably supplied to the plasma generated in the vicinity of the substrate 13, the film forming material gas can be decomposed by the plasma and reliably formed on the substrate 13. Further, the number of gas supply units 19 can be reduced, the space of the vacuum chamber 11 can be saved, and the film forming apparatus 10 can be manufactured without cost.

（第二実施形態）
（成膜装置）
次に、本発明の第二実施形態を図３に基づいて説明する。なお、本実施形態の構成は、第一実施形態と成膜ガスの供給構造が異なるのみで、その他は略同一の構成であるため、同一部分に同一符号を付して詳細な説明を省略する。 (Second embodiment)
(Deposition system)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of this embodiment is different from that of the first embodiment only in the deposition gas supply structure, and the other configurations are substantially the same. Therefore, the same portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. .

図３は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図３に示すように、プラズマＣＶＤ法を実施する成膜装置５０は、箱型形状の真空チャンバ１１を有している。真空チャンバ１１は、接地されており、接地電位を保持できるように構成されている。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 3, a film forming apparatus 50 that performs a plasma CVD method has a box-shaped vacuum chamber 11. The vacuum chamber 11 is grounded and configured to maintain a ground potential.

真空チャンバ１１には、基板１３表面に対向する位置に導電材からなる平板状の対向電極部５１が設けられている。対向電極部５１は複数設けられており、複数の基板１３に対向する位置にそれぞれ設けられている（本実施形態では、５箇所）。つまり、対向電極部５１は、隣接する基板テーブル１４の中間位置に基板テーブル１４と平行に設けられている。   The vacuum chamber 11 is provided with a flat counter electrode portion 51 made of a conductive material at a position facing the surface of the substrate 13. A plurality of counter electrode portions 51 are provided, and are provided at positions facing the plurality of substrates 13 (in this embodiment, five locations). That is, the counter electrode unit 51 is provided in parallel with the substrate table 14 at an intermediate position between the adjacent substrate tables 14.

また、対向電極部５１は、隣接する対向電極部５１同士を連接する導電材からなる連接部５２が形成されている。したがって、複数の対向電極部５１は連接部５２によって櫛歯状に一体化されている。そして、対向電極部５１が一箇所にまとめられ、導電材からなる接地接続部５３が形成されている。接地接続部５３は、真空チャンバ１１の壁部を貫通して内部から外部へと導かれており、真空チャンバ１１の外部側の先端は、接地されている。つまり、接地接続部５３により対向電極部５１は、接地電極として機能するように構成されている。   The counter electrode portion 51 is formed with a connecting portion 52 made of a conductive material that connects the adjacent counter electrode portions 51 to each other. Therefore, the plurality of counter electrode portions 51 are integrated in a comb-teeth shape by the connecting portion 52. And the counter electrode part 51 is put together in one place, and the ground connection part 53 which consists of electrically conductive materials is formed. The ground connection portion 53 is guided from the inside to the outside through the wall portion of the vacuum chamber 11, and the tip on the outside side of the vacuum chamber 11 is grounded. That is, the counter electrode portion 51 is configured to function as a ground electrode by the ground connection portion 53.

また、真空チャンバ１１にはガス導入管２５が接続されている。ガス導入管２５は、真空チャンバ１１の壁部を貫通して内部から外部へと導かれており、真空チャンバ１１の外部側の先端には、成膜ガス供給部２６が設けられている。つまり、成膜ガス供給部２６により真空チャンバ１１内部に成膜ガスを供給可能に構成されている。なお、ガス導入管２５は、真空チャンバ１１の任意の壁部を貫通していてもよいし、基板テーブル１４と対向電極部５１との間に対応する壁部を貫通して複数設けるようにしてもよい。   In addition, a gas introduction pipe 25 is connected to the vacuum chamber 11. The gas introduction pipe 25 penetrates the wall portion of the vacuum chamber 11 and is guided from the inside to the outside, and a film forming gas supply unit 26 is provided at the outer end of the vacuum chamber 11. That is, the film forming gas supply unit 26 can supply the film forming gas into the vacuum chamber 11. The gas introduction pipe 25 may pass through any wall part of the vacuum chamber 11, or a plurality of gas inlet pipes 25 may be provided through the corresponding wall part between the substrate table 14 and the counter electrode part 51. Also good.

（作用）
次に、成膜装置５０を用いて基板１３に成膜する場合の作用について説明する。
上記構成の成膜装置５０を用いて基板１３の表面に薄膜を成膜するには、まず、基板１３を基板テーブル１４の適正な位置に配置させる。成膜ガス供給部２６より成膜ガスをガス導入管２５に導入し、真空チャンバ１１内に成膜ガスを噴出する。 (Function)
Next, an operation when a film is formed on the substrate 13 using the film forming apparatus 50 will be described.
In order to form a thin film on the surface of the substrate 13 using the film forming apparatus 50 having the above configuration, first, the substrate 13 is placed at an appropriate position on the substrate table 14. A film forming gas is introduced into the gas introduction pipe 25 from the film forming gas supply unit 26, and the film forming gas is ejected into the vacuum chamber 11.

ここで、真空チャンバ１１および対向電極部５１を接地電位に接続した状態で、ＲＦ電源１８を起動して基板テーブル１４に低周波交流電圧を印加する。このように構成することで、基板テーブル１４が基板配置電極として機能するとともに、対向電極部５１が接地電極として機能する。   Here, in a state where the vacuum chamber 11 and the counter electrode unit 51 are connected to the ground potential, the RF power source 18 is activated to apply a low-frequency AC voltage to the substrate table 14. With this configuration, the substrate table 14 functions as a substrate placement electrode, and the counter electrode portion 51 functions as a ground electrode.

そして、低周波交流電圧を基板テーブル１４に印加することにより、真空チャンバ１１内に供給された成膜ガスは、基板テーブル１４および対向電極部５１間の空間において活性化し、基板１３表面に反応生成物が堆積する。   Then, by applying a low frequency AC voltage to the substrate table 14, the film forming gas supplied into the vacuum chamber 11 is activated in the space between the substrate table 14 and the counter electrode portion 51, and a reaction is generated on the surface of the substrate 13. Things accumulate.

本実施形態によれば、成膜装置５０に対向電極部５１を複数設け、対向電極部５１を接地電極として機能するように構成し、成膜ガスのガス導入管２５を真空チャンバ１１の壁部に接続して真空チャンバ１１内に成膜ガスを供給できるように構成した。   According to the present embodiment, the film forming apparatus 50 is provided with a plurality of counter electrode parts 51, and the counter electrode part 51 functions as a ground electrode, and the gas introduction pipe 25 for the film forming gas is connected to the wall part of the vacuum chamber 11. The film formation gas can be supplied into the vacuum chamber 11 by connecting to the vacuum chamber 11.

このように構成したため、第一実施形態と略同等の効果を奏することができる。また、これに加えて、成膜ガスの供給構造を簡略化することができるため、装置をより簡略化することができる。   Since it comprised in this way, there can exist an effect substantially equivalent to 1st embodiment. In addition, since the structure for supplying a film forming gas can be simplified, the apparatus can be further simplified.

（第三実施形態）
（成膜装置）
次に、本発明の第三実施形態を図４に基づいて説明する。なお、本実施形態の構成は、第一実施形態と基板載置構造などが異なるのみで、その他は略同一の構成であるため、同一部分に同一符号を付して詳細な説明を省略する。 (Third embodiment)
(Deposition system)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the present embodiment is different from the first embodiment only in the substrate mounting structure and the like, and the other configurations are substantially the same. Therefore, the same portions are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図４は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図４に示すように、プラズマＣＶＤ法を実施する成膜装置６０は、筐体形状の真空チャンバ１１を有している。真空チャンバ１１は、接地されており、接地電位を保持できるように構成されている。 FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 4, a film forming apparatus 60 that performs a plasma CVD method has a housing-shaped vacuum chamber 11. The vacuum chamber 11 is grounded and configured to maintain a ground potential.

真空チャンバ１１内には、導電材からなる基板テーブル１４が設けられている。基板テーブル１４は真空チャンバ１１内に複数設けられている（本実施形態においては、３個）。また、基板テーブル１４の両面に基板１３が載置可能に構成されている。つまり、真空チャンバ１１内に、基板１３を同時に複数配置可能に構成されている（本実施形態においては、４枚）。   A substrate table 14 made of a conductive material is provided in the vacuum chamber 11. A plurality of substrate tables 14 are provided in the vacuum chamber 11 (three in this embodiment). In addition, the substrate 13 can be placed on both surfaces of the substrate table 14. That is, a plurality of substrates 13 can be arranged in the vacuum chamber 11 at the same time (four in this embodiment).

ここで、真空チャンバ１１の内壁には絶縁材からなる取付部材６１が設けられている。基板テーブル１４は、その周縁が取付部材６１に係合されて真空チャンバ１１に取り付けられている。つまり、取付部材６１は、基板テーブル１４を一枚ずつ所定位置に保持可能に構成されている。また、複数の基板テーブル１４は、取付部材６１から着脱可能に構成されており、真空チャンバ１１から出し入れできるように構成されている。そして、基板テーブル１４には電源線１７が接続されている。電源線１７には、ＲＦ電源１８が設けられている。   Here, an attachment member 61 made of an insulating material is provided on the inner wall of the vacuum chamber 11. The substrate table 14 is attached to the vacuum chamber 11 with the periphery engaged with the attachment member 61. That is, the attachment member 61 is configured to be able to hold the substrate tables 14 one by one at a predetermined position. The plurality of substrate tables 14 are configured to be detachable from the attachment member 61 and configured to be able to be taken in and out of the vacuum chamber 11. A power line 17 is connected to the substrate table 14. The power supply line 17 is provided with an RF power supply 18.

また、真空チャンバ１１には、成膜ガスを基板１３表面に対して供給するためのガス供給部１９が設けられている。ガス供給部１９は複数設けられており、複数の基板１３に対向する位置にそれぞれ設けられている（本実施形態では、２箇所）。   The vacuum chamber 11 is provided with a gas supply unit 19 for supplying a film forming gas to the surface of the substrate 13. A plurality of gas supply units 19 are provided, and are provided at positions facing the plurality of substrates 13 (two in this embodiment).

ガス供給部１９の基板１３に対向する位置には、シャワープレート２１が複数設けられている（本実施形態では、４個）。シャワープレート２１には、多数のガス噴出口２２が形成されている。また、ガス供給部１９は、真空チャンバ１１の壁部に連接するように形成されている。   A plurality of shower plates 21 are provided at positions facing the substrate 13 of the gas supply unit 19 (four in the present embodiment). A large number of gas jets 22 are formed in the shower plate 21. The gas supply unit 19 is formed so as to be connected to the wall portion of the vacuum chamber 11.

ガス供給部１９には、それぞれガス導入管２５が接続されている。ガス導入管２５には、成膜ガス供給部２６が設けられている。つまり、成膜ガス供給部２６によりガス供給部１９に対して成膜ガスを供給可能に構成されている。   A gas introduction pipe 25 is connected to each gas supply unit 19. The gas introduction pipe 25 is provided with a film forming gas supply unit 26. That is, the deposition gas supply unit 26 can supply the deposition gas to the gas supply unit 19.

ここで、ガス供給部１９のシャワープレート２１は、導電材で構成されている。つまり、真空チャンバ１１が接地電位に保持されると、ガス供給部１９のシャワープレート２１も接地電位に保持されるように構成されている。   Here, the shower plate 21 of the gas supply unit 19 is made of a conductive material. That is, when the vacuum chamber 11 is held at the ground potential, the shower plate 21 of the gas supply unit 19 is also held at the ground potential.

また、真空チャンバ１１にはクリーニングガス導入管３１が接続されている。クリーニングガス導入管３１にはフッ素ガス供給部３２とラジカル源３３とが設けられている。
さらに、真空チャンバ２には、排気管３５が接続され、その先端には、真空ポンプ３６が設けられている。
そして、真空チャンバ１１の外壁面に沿うように、図示しないヒータが設けられている。 Further, a cleaning gas introduction pipe 31 is connected to the vacuum chamber 11. The cleaning gas introduction pipe 31 is provided with a fluorine gas supply unit 32 and a radical source 33.
Further, an exhaust pipe 35 is connected to the vacuum chamber 2, and a vacuum pump 36 is provided at the tip thereof.
A heater (not shown) is provided along the outer wall surface of the vacuum chamber 11.

（作用）
次に、成膜装置６０を用いて基板１３に成膜する場合の作用について説明する。
上記構成の成膜装置６０を用いて基板１３の表面に薄膜を成膜するには、まず、基板テーブル１４に基板１３を載置する。このとき、基板テーブル１４は、一枚ずつ真空チャンバ１１外へ取り出し可能であるため、基板１３を容易に基板テーブル１４に載置することができる。基板１３を基板テーブル１４に載置した後に、基板テーブル１４を真空チャンバ１１内に戻し、取付部材６１に装着する。これにより、基板１３を適正な位置に配置させる。 (Function)
Next, an operation when a film is formed on the substrate 13 using the film forming apparatus 60 will be described.
In order to form a thin film on the surface of the substrate 13 using the film forming apparatus 60 having the above configuration, the substrate 13 is first placed on the substrate table 14. At this time, since the substrate table 14 can be taken out from the vacuum chamber 11 one by one, the substrate 13 can be easily placed on the substrate table 14. After placing the substrate 13 on the substrate table 14, the substrate table 14 is returned into the vacuum chamber 11 and attached to the attachment member 61. Thereby, the board | substrate 13 is arrange | positioned in an appropriate position.

真空ポンプ３６で真空チャンバ１１内を排気した後、成膜ガスをシャワープレート２１のガス噴出口２２から真空チャンバ１１内の基板１３に向かって噴出する。   After evacuating the inside of the vacuum chamber 11 with the vacuum pump 36, the film forming gas is ejected from the gas ejection port 22 of the shower plate 21 toward the substrate 13 in the vacuum chamber 11.

ここで、真空チャンバ１１を接地電位に接続した状態、つまり、真空チャンバ１１と電気的に接続されているガス供給部１９のシャワープレート２１も接地電位に保持された状態で、ＲＦ電源１８を起動して基板テーブル１４に低周波交流電圧を印加する。   Here, the RF power source 18 is activated in a state where the vacuum chamber 11 is connected to the ground potential, that is, in a state where the shower plate 21 of the gas supply unit 19 electrically connected to the vacuum chamber 11 is also held at the ground potential. Then, a low frequency alternating voltage is applied to the substrate table 14.

そして、低周波交流電圧を基板テーブル１４に印加することにより、真空チャンバ１１内に供給された成膜ガスは、基板テーブル１４およびシャワープレート２１間の空間において活性化し、基板１３表面に反応生成物が堆積する。   Then, by applying a low frequency AC voltage to the substrate table 14, the film forming gas supplied into the vacuum chamber 11 is activated in the space between the substrate table 14 and the shower plate 21, and reaction products are generated on the surface of the substrate 13. Accumulates.

本実施形態によれば、成膜装置６０に絶縁材からなる取付部材６１を複数設け、取付部材６１に基板テーブル１４を着脱自在に取り付けるように構成し、基板テーブル１４に低周波電圧を印加可能にするとともに、基板１３に対向する位置に配置されているシャワーテーブル２１を接地電極として機能するように構成した。   According to the present embodiment, a plurality of attachment members 61 made of an insulating material are provided in the film forming apparatus 60, and the substrate table 14 is detachably attached to the attachment member 61, so that a low frequency voltage can be applied to the substrate table 14. In addition, the shower table 21 disposed at a position facing the substrate 13 is configured to function as a ground electrode.

このように構成したため、第一実施形態と略同等の効果を奏することができる。また、これに加えて、基板テーブル１４を一枚ずつ真空チャンバ１１から出し入れすることができる。したがって、基板テーブル１４へ基板１３をさらに容易に着脱することができ、特に大型基板の着脱にはより効果がある。   Since it comprised in this way, there can exist an effect substantially equivalent to 1st embodiment. In addition to this, the substrate tables 14 can be taken in and out of the vacuum chamber 11 one by one. Therefore, the substrate 13 can be more easily attached to and detached from the substrate table 14, and is particularly effective for attaching and detaching a large substrate.

（第四実施形態）
（成膜装置）
次に、本発明の第四実施形態を図５に基づいて説明する。なお、本実施形態の構成は、第三実施形態と成膜ガスの供給構造が異なるのみで、その他は略同一の構成であるため、同一部分に同一符号を付して詳細な説明を省略する。 (Fourth embodiment)
(Deposition system)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The configuration of the present embodiment is different from the third embodiment only in the deposition gas supply structure, and the other components are substantially the same, and therefore the same parts are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. .

図５は、本実施形態における成膜装置の概略構成図である。
図５に示すように、プラズマＣＶＤ法を実施する成膜装置７０は、筐体形状の真空チャンバ１１を有している。真空チャンバ１１は、接地されており、接地電位を保持できるように構成されている。 FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a film forming apparatus in the present embodiment.
As shown in FIG. 5, a film forming apparatus 70 that performs a plasma CVD method has a housing-shaped vacuum chamber 11. The vacuum chamber 11 is grounded and configured to maintain a ground potential.

真空チャンバ１１には、基板１３表面に対向する位置に導電材からなる平板状の対向電極部７１が設けられている。対向電極部７１は複数設けられており、複数の基板１３に対向する位置にそれぞれ設けられている（本実施形態では、２箇所）。つまり、対向電極部７１は、隣接する基板テーブル１４の中間位置に基板テーブル１４と平行に設けられている。   The vacuum chamber 11 is provided with a flat counter electrode portion 71 made of a conductive material at a position facing the surface of the substrate 13. A plurality of counter electrode portions 71 are provided, and are provided at positions facing the plurality of substrates 13 (in this embodiment, two locations). That is, the counter electrode unit 71 is provided in parallel with the substrate table 14 at an intermediate position between the adjacent substrate tables 14.

対向電極部７１は、真空チャンバ１１の壁部に連接するように設けられている。つまり、真空チャンバ１１が接地電位に保持されると、対向電極部７１は、真空チャンバ１１と電気的に接続されているため、対向電極部７１も接地電位に保持されるように構成されている。   The counter electrode portion 71 is provided so as to be connected to the wall portion of the vacuum chamber 11. That is, when the vacuum chamber 11 is held at the ground potential, the counter electrode portion 71 is electrically connected to the vacuum chamber 11, and thus the counter electrode portion 71 is also held at the ground potential. .

また、真空チャンバ１１にはガス導入管２５が接続されている。ガス導入管２５は、真空チャンバ１１の壁部を貫通して内部から外部へと導かれており、真空チャンバ１１の外部側の先端には、成膜ガス供給部２６が設けられている。つまり、成膜ガス供給部２６により真空チャンバ１１内部に成膜ガスを供給可能に構成されている。なお、ガス導入管２５は、基板１３の設置可能枚数と同じ数だけ真空チャンバ１１の壁部に接続されており（本実施形態では、４箇所）、対向電極部７１と基板テーブル１４との間に対応する壁部に接続されている。つまり、ガス導入管２５は、対向電極部７１で真空チャンバ１１内の空間を区切るように配置されても各空間に成膜ガスを供給することができるように構成されている。   In addition, a gas introduction pipe 25 is connected to the vacuum chamber 11. The gas introduction pipe 25 penetrates the wall portion of the vacuum chamber 11 and is guided from the inside to the outside, and a film forming gas supply unit 26 is provided at the outer end of the vacuum chamber 11. That is, the film forming gas supply unit 26 can supply the film forming gas into the vacuum chamber 11. The gas introduction pipes 25 are connected to the wall portion of the vacuum chamber 11 by the same number as the number of substrates 13 that can be installed (in this embodiment, four locations), and between the counter electrode portion 71 and the substrate table 14. Is connected to the wall corresponding to. That is, the gas introduction tube 25 is configured to supply the film forming gas to each space even if the counter electrode portion 71 is arranged so as to divide the space in the vacuum chamber 11.

（作用）
次に、成膜装置７０を用いて基板１３に成膜する場合の作用について説明する。
上記構成の成膜装置７０を用いて基板１３の表面に薄膜を成膜するには、まず、基板１３を基板テーブル１４の適正な位置に配置させる。 (Function)
Next, the operation when a film is formed on the substrate 13 using the film forming apparatus 70 will be described.
In order to form a thin film on the surface of the substrate 13 using the film forming apparatus 70 having the above configuration, first, the substrate 13 is placed at an appropriate position on the substrate table 14.

真空チャンバ１１内に基板１３がセットされると、真空チャンバ１１内を排気した後、成膜ガスを真空チャンバ１１内に噴出する。
ここで、真空チャンバ１１および対向電極部７１を接地電位に保持した状態で、基板テーブル１４に低周波交流電圧を印加する。 When the substrate 13 is set in the vacuum chamber 11, the vacuum chamber 11 is evacuated and then a film forming gas is jetted into the vacuum chamber 11.
Here, a low-frequency AC voltage is applied to the substrate table 14 with the vacuum chamber 11 and the counter electrode portion 71 held at the ground potential.

そして、低周波交流電圧を基板テーブル１４に印加することにより、真空チャンバ１１内に供給された成膜ガスは、基板テーブル１４および対向電極部７１間の空間において活性化し、基板１３表面に反応生成物が堆積する。   Then, by applying a low frequency AC voltage to the substrate table 14, the film forming gas supplied into the vacuum chamber 11 is activated in the space between the substrate table 14 and the counter electrode portion 71, and a reaction is generated on the surface of the substrate 13. Things accumulate.

本実施形態によれば、成膜装置７０に対向電極部７１を複数設け、対向電極部７１を接地電極として機能するように構成し、成膜ガスのガス導入管２５を真空チャンバ１１の壁部に接続して真空チャンバ１１内に成膜ガスを供給できるように構成した。   According to the present embodiment, the film forming apparatus 70 is provided with a plurality of counter electrode parts 71, the counter electrode part 71 is configured to function as a ground electrode, and the film introduction gas introduction pipe 25 is connected to the wall part of the vacuum chamber 11. The film formation gas can be supplied into the vacuum chamber 11 by connecting to the vacuum chamber 11.

このように構成したため、第三実施形態と略同等の効果を奏することができる。また、これに加えて、成膜ガスの供給方法を簡略化することができるため、装置をより簡略化することができる。   Since it comprised in this way, there can exist an effect substantially equivalent to 3rd embodiment. In addition to this, since the method for supplying the film forming gas can be simplified, the apparatus can be further simplified.

（実施例１）
上記成膜装置１０により、基板サイズ２２００ｍｍ×２４００ｍｍのガラス基板へアモルファスシリコン膜を形成する場合について説明する。
基板配置電極へのＲＦ印加電圧は、４８００Ｗとした。また、成膜ガスとしては、ＳｉＨ４（モノシラン）を、流量３０ｓｌｍの条件で使用した。また、放電電極間の距離は５０ｍｍとした。
さらに、成膜温度を２００〜３００℃、印加電圧の周波数を１００〜２ＭＨｚとした。
本実施例において、原料ガスがＳｉＨ４のみを用いて放電した場合、印加電圧の周波数が２ＭＨｚを越えると、本発明の特徴である印加電極である基板配置電極側へのプラズマ貼り付き現象が見られなくなった。このため、周波数は２ＭＨｚ以下にする必要があると思われる。 Example 1
A case where an amorphous silicon film is formed on a glass substrate having a substrate size of 2200 mm × 2400 mm by the film forming apparatus 10 will be described.
The RF applied voltage to the substrate placement electrode was 4800W. Further, as the film forming gas, SiH 4 (monosilane) was used at a flow rate of 30 slm. The distance between the discharge electrodes was 50 mm.
Furthermore, the film forming temperature was 200 to 300 ° C., and the frequency of the applied voltage was 100 to 2 MHz.
In this example, when the source gas is discharged using only SiH 4 , if the frequency of the applied voltage exceeds 2 MHz, a phenomenon of plasma sticking to the substrate arrangement electrode side which is an applied electrode, which is a feature of the present invention, is observed. I can't. For this reason, it seems that the frequency needs to be 2 MHz or less.

一方、印加電圧の周波数を１００ｋＨｚより低くすると、電源パワーと放電負荷の整合が困難になり、放電現象が見られなくなった。
周波数１００ｋＨｚ〜２ＭＨｚの範囲で放電を行うと、アモルファスシリコン性能の目安である光照射時伝導度と非光照射時伝導度との比率は、略一定値を示した。この値は、印加電圧の周波数が高周波である１３．５６ＭＨｚの場合と、略同等の値であり、本実施例により本発明の効果を確認することができた。 On the other hand, when the frequency of the applied voltage is lower than 100 kHz, it becomes difficult to match the power source power and the discharge load, and the discharge phenomenon is not observed.
When discharging was performed in the frequency range of 100 kHz to 2 MHz, the ratio between the conductivity during light irradiation and the conductivity during non-light irradiation, which is a measure of amorphous silicon performance, showed a substantially constant value. This value is substantially equivalent to the case where the frequency of the applied voltage is 13.56 MHz, which is a high frequency, and the effect of the present invention could be confirmed by this example.

なお、成膜温度が２００℃より低い場合は、アモルファスシリコンが不均一な膜になってしまい、評価することができなかった。
一方、成膜温度が３００℃以上の場合は、温度を高くするほど性能の向上が確認できたが、基板加熱機能の性能制限上、それ以上の温度での性能評価ができなかった。 When the film formation temperature was lower than 200 ° C., the amorphous silicon became a non-uniform film and could not be evaluated.
On the other hand, when the film forming temperature was 300 ° C. or higher, the higher the temperature, the higher the performance was confirmed. However, due to the performance limitation of the substrate heating function, the performance evaluation at a higher temperature could not be performed.

（実施例２）
次に、ＰＩＮ型太陽電池を以下の手順で作成した。
基板としてガラス基板を使用し、基板表面温度を２００℃に制御した。
また、この基板上には、別の成膜装置を使用して透明導電膜としてＩＴＯ膜を成膜した。なお、ＩＴＯ膜のほかにＺｎＯ膜などその他の透明な酸化系導電膜を成膜してもよい。 (Example 2)
Next, a PIN type solar cell was prepared by the following procedure.
A glass substrate was used as the substrate, and the substrate surface temperature was controlled at 200 ° C.
On this substrate, an ITO film was formed as a transparent conductive film using another film forming apparatus. In addition to the ITO film, another transparent oxide conductive film such as a ZnO film may be formed.

本発明による方法により上述の基板上にモノシランおよびジボラン（Ｂ２Ｈ６）を用いてｐ層を成膜し、次にモノシランを用いてｉ層を成膜し、さらに、モノシランおよびホスフィン（ＰＨ３）を用いてｎ層を成膜積層した。
この場合、膜厚は、ｐ層２０ｎｍ、ｉ層３００ｎｍ、ｎ層５０ｎｍとした。
この成膜後、電極形成のため別の成膜装置を用いてアルミニウムからなるパターン電極を形成した。
このようにして製作したＰＩＮ型太陽電池デバイスに光照射したところ、電極間に電圧が発生し、太陽電池として機能することを確認した。 According to the method of the present invention, a p-layer is formed on the above-described substrate using monosilane and diborane (B 2 H 6 ), and then an i-layer is formed using monosilane. Further, monosilane and phosphine (PH 3 ) To form an n layer.
In this case, the film thickness was 20 nm for the p layer, 300 nm for the i layer, and 50 nm for the n layer.
After this film formation, a pattern electrode made of aluminum was formed using another film forming apparatus for electrode formation.
When the PIN solar cell device manufactured in this way was irradiated with light, a voltage was generated between the electrodes, and it was confirmed that it functions as a solar cell.

尚、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成等は一例にすぎず、適宜変更が可能である。
例えば、本実施形態では、ヒータを真空チャンバの外壁面を沿うように配置した場合の説明をしたが、ヒータを基板テーブルに内蔵してもよい。このようにすることで、確実かつ容易に基板を加熱することができる。 It should be noted that the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific materials, configurations, and the like given in the embodiment are merely examples, and can be changed as appropriate.
For example, in the present embodiment, the case where the heater is disposed along the outer wall surface of the vacuum chamber has been described, but the heater may be built in the substrate table. By doing in this way, a board | substrate can be heated reliably and easily.

本発明の第一実施形態における成膜装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the film-forming apparatus in 1st embodiment of this invention. 本発明と従来の成膜原理を示す説明図であり、（ａ）は従来例、（ｂ）は本発明の説明図である。It is explanatory drawing which shows this invention and the conventional film-forming principle, (a) is a prior art example, (b) is explanatory drawing of this invention. 本発明の第二実施形態における成膜装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the film-forming apparatus in 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三実施形態における成膜装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the film-forming apparatus in 3rd embodiment of this invention. 本発明の第四実施形態における成膜装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the film-forming apparatus in 4th embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０，５０，６０，７０…成膜装置 １１…真空チャンバ（チャンバ） １３…基板 １４…基板テーブル（基板配置電極） ２１…シャワープレート（対向電極） ２２…ガス噴出口 ５１，７１…対向電極部（対向電極）   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 50, 60, 70 ... Film-forming apparatus 11 ... Vacuum chamber (chamber) 13 ... Substrate 14 ... Substrate table (substrate arrangement electrode) 21 ... Shower plate (counter electrode) 22 ... Gas ejection port 51, 71 ... Counter electrode part (Counter electrode)

Claims (5)

成膜材料ガスを導入可能なチャンバと、
該チャンバ内に設けられた、基板を配置可能な基板配置電極と該基板配置電極に略平行に対向配置された対向電極とからなる一対の放電電極と、を備えた成膜装置において、
前記チャンバ内に、前記基板配置電極と前記対向電極とが交互に複数配置され、
前記対向電極が接地電極として構成されるとともに、前記基板配置電極に対して１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加することにより、
前記基板配置電極と前記対向電極との間において該基板配置電極側に、プラズマが偏在するように構成されていることを特徴とする成膜装置。 A chamber capable of introducing a film forming material gas;
In the film forming apparatus provided with a pair of discharge electrodes provided in the chamber, each of which includes a substrate arrangement electrode on which a substrate can be arranged and a counter electrode arranged to face the substrate arrangement electrode substantially in parallel.
A plurality of the substrate arrangement electrodes and the counter electrodes are alternately arranged in the chamber,
The counter electrode is configured as a ground electrode, and a low frequency AC voltage of 100 kHz to 2 MHz is applied to the substrate placement electrode ,
A film forming apparatus , wherein plasma is unevenly distributed on the substrate arrangement electrode side between the substrate arrangement electrode and the counter electrode . 隣接する前記基板配置電極同士が連接され、前記チャンバに対して一体的に出し入れ自在に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。   2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adjacent substrate-arranged electrodes are connected to each other so as to be integrated with the chamber. 前記基板配置電極は、その両面に前記基板を搭載可能とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the substrate placement electrode is configured such that the substrate can be mounted on both surfaces thereof. 前記対向電極が、前記基板配置電極に向かって前記成膜材料ガスを噴出可能に構成されたガス噴出口を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の成膜装置。   The film forming apparatus according to claim 1, wherein the counter electrode includes a gas outlet configured to be able to eject the film forming material gas toward the substrate arrangement electrode. . 前記対向電極が、その両側に配置された前記基板配置電極に向かって前記成膜材料ガスを噴出可能に構成されたガス噴出口を備えていることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。   The film formation according to claim 4, wherein the counter electrode includes a gas ejection port configured to eject the film deposition material gas toward the substrate arrangement electrode arranged on both sides thereof. apparatus.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4870615B2 (en) * 2007-04-25 2012-02-08 株式会社アルバック Plasma CVD film forming apparatus and plasma CVD film forming method
EP2299479A1 (en) * 2008-06-02 2011-03-23 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus, and film forming method and etching method using plasma processing apparatus
JP4786731B2 (en) * 2009-06-12 2011-10-05 シャープ株式会社 Plasma CVD equipment
JP2011228436A (en) * 2010-04-19 2011-11-10 Hitachi High-Technologies Corp Plasma processing apparatus and plasma processing method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0620156B2 (en) * 1983-06-08 1994-03-16 工業技術院長 Solar cell manufacturing equipment
JPH0644554B2 (en) * 1984-03-28 1994-06-08 株式会社富士電機総合研究所 Plasma CVD equipment
JPH01130517A (en) * 1987-11-17 1989-05-23 Furukawa Electric Co Ltd:The Plasma cvd device
JPH04276080A (en) * 1991-03-04 1992-10-01 Fujitsu Ltd Method and device for forming thin film
JPH04313219A (en) * 1991-04-10 1992-11-05 Nissin Electric Co Ltd Plasma treatment apparatus
JPH088234A (en) * 1994-06-23 1996-01-12 M C Electron Kk Plasma treatment device
JP4496401B2 (en) * 2000-09-14 2010-07-07 三菱電機株式会社 Plasma CVD apparatus and method for manufacturing solar cell
JP2003089874A (en) * 2001-09-19 2003-03-28 Ulvac Japan Ltd Method and device for manufacturing gas barrier film
JP5105898B2 (en) * 2007-02-21 2012-12-26 株式会社アルバック Silicon thin film deposition method
JP4850762B2 (en) * 2007-03-19 2012-01-11 株式会社アルバック Deposition method
JP4890313B2 (en) * 2007-03-29 2012-03-07 株式会社アルバック Plasma CVD equipment

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