JP4870227B2 - 磁気センサ及び磁気エンコーダ - Google Patents
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Description
前記磁気抵抗効果素子は、前記相対移動方向、及び基板表面内にて前記相対移動方向と直交する縦方向に、マトリクス状に配置されており、
配線層は、下層配線と、前記下層配線上を覆う絶縁層上に形成された上層配線とで構成され、
前記配線層は、前記縦方向に配置された磁気抵抗効果素子間の空間領域内に介在しないように引き回されており、前記複数個の磁気抵抗効果素子が前記配線層によりブリッジ接続されていることを特徴とするものである。
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子とが前記入力端子を介して接続され、前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子とが前記グランド端子を介して接続されており、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子、及び第3の磁気抵抗効果素子及び第4の磁気抵抗効果素子が、夫々、前記相対移動方向に、所定の中心間距離を空けて配置されているとともに、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子、及び第2の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子が、前記相対移動方向と直交する縦方向に並設されており、
第5の磁気抵抗効果素子、第6の磁気抵抗効果素子、第7の磁気抵抗効果素子及び第8の磁気抵抗効果素子がB相のブリッジ回路を構成し、前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第6の磁気抵抗効果素子とがB相第1出力端子Vb1を介して直列接続されるとともに、前記第7の磁気抵抗効果素子と前記第8の磁気抵抗効果素子とがB相第2出力端子Vb2を介して直列接続されており、
前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第7の磁気抵抗効果素子とが前記入力端子を介して接続され、前記第6の磁気抵抗効果素子と前記第8の磁気抵抗効果素子とが前記グランド端子を介して接続されており、
前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第6の磁気抵抗効果素子、及び第7の磁気抵抗効果素子及び第8の磁気抵抗効果素子が、夫々、前記相対移動方向に距離を空けて配置されているとともに、前記A相のブリッジ回路を構成する各磁気抵抗効果素子間の中心間距離の半分だけ前記相対移動方向にずれた位置に配置され、さらに、
前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第8の磁気抵抗効果素子、及び前記第6の磁気抵抗効果素子と前記第7の磁気抵抗効果素子が、前記相対移動方向と直交する縦方向に並設されていることが好ましい。本発明では、上記したA相のブリッジ回路とB相のブリッジ回路を備える磁気センサに効果的に適用できる。
なお、入力端子52及びグランド端子66はA相及びB相の共通端子である。
A相のブリッジ回路において、直列接続される第1の磁気抵抗効果素子24aと第2の磁気抵抗効果素子24c、及び第3の磁気抵抗効果素子24g及び第4の磁気抵抗効果素子24eは夫々、相対移動方向(X1方向)にλの間隔を空けて配置される。
8 固定磁性層
9 非磁性層
10 フリー磁性層
11 保護層
20 磁気エンコーダ
21 磁石
22 磁気センサ
23 基板
24a〜24h 磁気抵抗効果素子
40 下層配線
41 上層配線
42 絶縁層
43 バンプ部
44 レジスト層
50 A相第1出力端子(Va1)
51 A相第2出力端子(Va2)
52 入力端子(Vdd)
54 B相第1出力端子(Vb1)
55 B相第2出力端子(Vb2)
66 グランド端子(GND)
58、60 差動増幅器
89 回転ドラム
A〜J 接続領域
Claims (10)
- 相対移動方向に交互にN極とS極が着磁された着磁面を有する磁界発生部材の前記着磁面から離れた位置に配置され、基板表面に外部磁界に対して電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した複数個の磁気抵抗効果素子を有しており、
前記磁気抵抗効果素子は、前記相対移動方向、及び基板表面内にて前記相対移動方向と直交する縦方向に、マトリクス状に配置されており、
配線層は、下層配線と、前記下層配線上を覆う絶縁層上に形成された上層配線とで構成され、
前記配線層は、前記縦方向に配置された磁気抵抗効果素子間の空間領域内に介在しないように引き回されており、前記複数個の磁気抵抗効果素子が前記配線層によりブリッジ接続されていることを特徴とする磁気センサ。 - 前記絶縁層は、前記下層配線上に形成された前記上層配線との接続領域に向うにしたがって徐々に前記絶縁層の膜厚が薄くなる傾斜領域を備え、前記上層配線は、前記傾斜領域上から前記接続領域上にかけて形成された端部領域を備えて、前記下層配線と電気的に接続されている請求項1記載の磁気センサ。
- 前記下層配線は、前記基板表面と平行な平面内にて磁気抵抗効果素子と対向する高さ位置に設けられており、前記下層配線が、前記縦方向に配置された磁気抵抗効果素子間の空間領域内に介在しないように前記縦方向に配置された磁気抵抗効果素子間以外の領域に引き回されており、前記上層配線が前記下層配線上及び前記磁気抵抗効果素子上を覆う前記絶縁層を介して前記下層配線と電気的に接続されている請求項1又は2に記載の磁気センサ。
- 前記磁気抵抗効果素子に電気的に接続される入力端子、グランド端子、及び出力端子が全て、前記縦方向における同じ端部側に片寄っており、各端子が相対移動方向に向けて配列されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気センサ。
- 第1の磁気抵抗効果素子、第2の磁気抵抗効果素子、第3の磁気抵抗効果素子及び第4の磁気抵抗効果素子がA相のブリッジ回路を構成し、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子とがA相第1出力端子Va1を介して直列接続されるとともに、前記第3の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子とがA相第2出力端子Va2を介して直列接続されており、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子とが前記入力端子を介して接続され、前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子とが前記グランド端子を介して接続されており、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子、及び第3の磁気抵抗効果素子及び第4の磁気抵抗効果素子が、夫々、前記相対移動方向に、所定の中心間距離を空けて配置されているとともに、
前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第4の磁気抵抗効果素子、及び第2の磁気抵抗効果素子と前記第3の磁気抵抗効果素子が、前記相対移動方向と直交する縦方向に並設されており、
第5の磁気抵抗効果素子、第6の磁気抵抗効果素子、第7の磁気抵抗効果素子及び第8の磁気抵抗効果素子がB相のブリッジ回路を構成し、前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第6の磁気抵抗効果素子とがB相第1出力端子Vb1を介して直列接続されるとともに、前記第7の磁気抵抗効果素子と前記第8の磁気抵抗効果素子とがB相第2出力端子Vb2を介して直列接続されており、
前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第7の磁気抵抗効果素子とが前記入力端子を介して接続され、前記第6の磁気抵抗効果素子と前記第8の磁気抵抗効果素子とが前記グランド端子を介して接続されており、
前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第6の磁気抵抗効果素子、及び第7の磁気抵抗効果素子及び第8の磁気抵抗効果素子が、夫々、前記相対移動方向に距離を空けて配置されているとともに、前記A相のブリッジ回路を構成する各磁気抵抗効果素子間の中心間距離の半分だけ前記相対移動方向にずれた位置に配置され、さらに、
前記第5の磁気抵抗効果素子と前記第8の磁気抵抗効果素子、及び前記第6の磁気抵抗効果素子と前記第7の磁気抵抗効果素子が、前記相対移動方向と直交する縦方向に並設されている請求項1ないし4のいずれかに記載の磁気センサ。 - 前記第2の磁気抵抗効果素子、前記第3の磁気抵抗効果素子、前記第6の磁気抵抗効果素子及び前記第7の磁気抵抗効果素子に代えて、いずれも固定抵抗素子が用いられ、これら固定抵抗素子が、第1の磁気抵抗効果素子と第5の磁気抵抗効果素子の間、及び第4の磁気抵抗効果素子と第8の磁気抵抗効果素子の間の領域内に配置される請求項5記載の磁気センサ。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載された磁気センサと、前記磁界発生部材とを有してなることを特徴とする磁気エンコーダ。
- 前記N極と前記S極の中心間距離をλとしたとき、直列接続される一対の前記磁気抵抗効果素子は、前記相対移動方向に、λの中心間距離を空けて配置されている請求項7記載の磁気エンコーダ。
- 前記N極と前記S極の中心間距離をλとしたとき、直列接続される一対の前記磁気抵抗効果素子は、前記相対移動方向に、λ/2の中心間距離を空けて配置されている請求項7記載の磁気エンコーダ。
- 前記N極と前記S極の中心間距離をλとしたとき、前記相対移動方向に隣り合う前記磁気抵抗効果素子は、λ/4の中心間距離を空けて配置されている請求項7又は9に記載の磁気エンコーダ。
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