JP4866263B2 - 電子デバイスの品質管理方法および電子デバイスの品質管理システム - Google Patents
電子デバイスの品質管理方法および電子デバイスの品質管理システム Download PDFInfo
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Description
KR=1−((GD/(GD+BD))/(GND/(GND+BND)) (数1)
ただし、KR<0のときは、KR=0とする、
BDは、前記不良品かつ前記正味ランダム欠陥有のチップ数、GDは、前記良品かつ前記正味ランダム欠陥有のチップ数、BNDは、前記不良品かつ前記正味ランダム欠陥無のチップ数、GNDは、前記良品かつ前記正味ランダム欠陥無のチップ数、
歩留り影響度=(KR×(GD+BD))/(GD+BD+GND+BND) (数2)
ただし、KR<0のときは、KR=0とする。 (数1)
BDは、不良品かつ欠陥有のチップ数
BNDは、不良品かつ欠陥無のチップ数
GDは、良品かつ欠陥有のチップ数
GNDは、良品かつ欠陥無のチップ数
歩留り影響度=(KR×(GD+BD)/(GD+BD+GND+BND) (数2)
算出した結果をグラフにしたものが、72と73である。グラフ72や73は、図2の解析結果出力部44を使い、図1のステップ20で、表示する。これらの結果から、歩留り劣化の原因となっているランダム欠陥が、n番目の層であることがわかり、n番目の層の欠陥検査Tnで検出した欠陥を、低減することで歩留り向上を図ることができる。要するに、プロセス工程別に、クラスタ欠陥の影響を完全に除いた状態で歩留り影響度を算出することができるので、歩留り劣化の原因となっているプロセス工程を誤ることなく突き止めることができる。
Claims (2)
- 複数のプロセス工程を経て製造される電子デバイスの歩留まり劣化の原因となるプロセス工程を解析する電子デバイスの品質管理方法において、
所望の複数のプロセス工程を経る半導体ウエハを検査するための異物検査装置または外観検査装置を設置して、各プロセス工程において処理される前、および処理された後の半導体ウエハ上に発生している欠陥を検査により検出する工程と、
前記半導体ウエハ上に検出された欠陥に対して、規定のしきい値を超える連結関係を持つ欠陥群をクラスタ欠陥と判定する工程と、
任意のプロセス工程において処理される前の半導体ウエハ上に検出された欠陥と、前記任意のプロセス工程において処理された後の前記半導体ウエハ上に検出された欠陥とを比較して、前記処理される前に検出された欠陥には存在しない位置に、前記処理された後に検出された欠陥には存在する欠陥を、前記任意のプロセス工程において発生した正味欠陥であると判定する工程と、
半導体ウエハ上に形成された回路パターンを電気機能検査装置により電気機能検査を行い、前記半導体ウエハでの各チップ毎の良品、不良品の判定を行う工程と、
同一の半導体ウエハに対して、前記所望の複数のプロセス工程を経る過程で検出した各プロセス工程の前後における前記半導体ウエハ上に発生している欠陥を各チップ毎に分けて処理対象として、前記クラスタ欠陥の有無の判定を各チップ毎に分けた前記欠陥データに対して行い、いずれかのプロセス工程の検査データから前記クラスタ欠陥が存在すると判定された場合には、該当チップ上の全てのプロセス工程における全ての欠陥データを以後の解析対象から除外する工程と、
前記同一の半導体ウエハに対して、前記クラスタ欠陥が存在すると判定されたチップ以外の全てのチップ毎に分けて検出された欠陥データに従って、前記所望の複数のプロセス工程毎に発生する正味欠陥を求める工程と、
前記同一の半導体ウエハにおいて、前記クラスタ欠陥が存在すると判定されたチップ以外の全てのチップを対象として、各チップの、各プロセス工程毎の前記クラスタ欠陥が存在するチップを除外した正味欠陥データと、前記クラスタ欠陥が存在するチップを除外した電気機能検査の判定データとを突合せ、(数1)式に基づいて致命率KR(%)、および/または、(数2)式に基づいて歩留り影響度(%)を算出する工程と、
KR=1−((GD/(GD+BD))/(GND/(GND+BND)) (数1)
ただし、KR<0のときは、KR=0とする、
BDは、前記不良品かつ前記正味ランダム欠陥有のチップ数、GDは、前記良品かつ前記正味ランダム欠陥有のチップ数、BNDは、前記不良品かつ前記正味ランダム欠陥無のチップ数、GNDは、前記良品かつ前記正味ランダム欠陥無のチップ数、
歩留り影響度=(KR×(GD+BD))/(GD+BD+GND+BND) (数2)
前記算出した、各プロセス工程毎の致命率のグラフ、および/または、各プロセス工程毎の歩留り影響度のグラフを解析結果出力部へ表示または出力する工程とを有することを特徴とする電子デバイスの品質管理方法。 - 複数のプロセス工程を経て製造される電子デバイスの歩留まり劣化の原因となるプロセス工程を解析することを支援する電子デバイスの品質管理システムであって、
所望の複数のプロセス工程を経る半導体ウエハを検査するために設置された異物検査装置または外観検査装置により検出された、各プロセス工程において処理される前、および処理された後の半導体ウエハ上に発生している欠陥データを入力する手段と、
前記半導体ウエハ上に検出された欠陥データに対して、規定のしきい値を超える連結関係を持つ欠陥群をクラスタ欠陥と判定する手段と、
任意のプロセス工程において処理される前の半導体ウエハ上に検出された欠陥と、前記任意のプロセス工程において処理された後の前記半導体ウエハ上に検出された欠陥とを比較して、前記処理される前に検出された欠陥には存在しない位置に、前記処理された後に検出された欠陥には存在する欠陥を、前記任意のプロセス工程において発生した正味欠陥であると判定する手段と、
電気機能検査装置により、前記半導体ウエハ上に形成された回路パターンを電気機能検査を行って得られた、前記半導体ウエハでの各チップ毎の良品、不良品の判定結果を入力する手段と、
同一の半導体ウエハに対して、前記所望の複数のプロセス工程を経る過程で検出した各プロセス工程の前後における前記半導体ウエハ上に発生している欠陥を各チップ毎に分けて処理対象として、前記クラスタ欠陥の有無の判定を各チップ毎に分けた前記欠陥データに対して行い、いずれかのプロセス工程の検査データから前記クラスタ欠陥が存在すると判定された場合には、該当チップ上の全てのプロセス工程における全ての欠陥データを以後の解析対象から除外する手段と、
前記同一の半導体ウエハに対して、前記クラスタ欠陥が存在すると判定されたチップ以外の全てのチップ毎に分けて検出された欠陥データに従って、前記所望の複数のプロセス工程毎に発生する正味欠陥を求める手段と、
前記同一の半導体ウエハにおいて、前記クラスタ欠陥が存在すると判定されたチップ以外の全てのチップを対象として、各チップの、各プロセス工程毎の前記クラスタ欠陥が存在するチップを除外した正味欠陥データと、前記クラスタ欠陥が存在するチップを除外した電気機能検査の判定データとを突合せ、(数1)式に基づいて致命率KR(%)、および/または、(数2)式に基づいて歩留り影響度(%)を算出する手段と、
KR=1−((GD/(GD+BD))/(GND/(GND+BND)) (数1)
ただし、KR<0のときは、KR=0とする、
BDは、前記不良品かつ前記正味ランダム欠陥有のチップ数、GDは、前記良品かつ前記正味ランダム欠陥有のチップ数、BNDは、前記不良品かつ前記正味ランダム欠陥無のチップ数、GNDは、前記良品かつ前記正味ランダム欠陥無のチップ数、
歩留り影響度=(KR×(GD+BD))/(GD+BD+GND+BND) (数2)
前記算出した、各プロセス工程毎の致命率のグラフ、および/または、各プロセス工程毎の歩留り影響度のグラフを表示または出力する解析結果出力部とを有することを特徴とする電子デバイスの品質管理システム。
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JP2007037767A JP4866263B2 (ja) | 2007-02-19 | 2007-02-19 | 電子デバイスの品質管理方法および電子デバイスの品質管理システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007037767A JP4866263B2 (ja) | 2007-02-19 | 2007-02-19 | 電子デバイスの品質管理方法および電子デバイスの品質管理システム |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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2007
- 2007-02-19 JP JP2007037767A patent/JP4866263B2/ja not_active Expired - Lifetime
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