JP4865822B2 - 単電子素子インピーダンス測定装置および単電子素子インピーダンス測定方法 - Google Patents
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Description
これにより本発明は、測定のための回路部品を減じるとともに入力する周波数の帯域を広くして、単電子トランジスタのインピーダンスを高感度に求めることができるという効果を奏する。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、この発明の第1の実施形態による単電子素子インピーダンス測定装置の構成を示す概略ブロック図である。
次に図4を用いて、第2の実施形態による単電子素子インピーダンス測定装置の構成について説明する。第2の実施形態による単電子素子インピーダンス測定装置は、第1の実施形態による単電子素子インピーダンス測定装置に対比して、単電子トランジスタ30が、量子力学的に結合した複数の直列に結合された微小島1を有している。
・単電子トランジスタのインピーダンス(レジスタンス成分およびリアクタンス成分)を得ることができる。
・トンネル障壁3やトンネル障壁5を介した電荷移動に伴う単電子トランジスタのインピーダンスの変化を測定することで、電子のトンネル時間を測定することができる。
・微小島中の電子スピンの緩和時間は数百マイクロ秒であることから、本実施形態による技術により単一スピン状態を検出することができる。
・量子力学的に結合した二つの微小島を用いれば、ドット間障壁の電荷移動に伴うインピーダンスを測定することができる。
・複数の微小島を直列に結合させた系において、複数の微小島の電荷状態を検出できる。
・量子力学的に結合した二つの微小島において、電荷が構成する量子力学的な状態である反結合軌道状態と結合軌道状態を識別して検出することができる。両状態を識別するにはフォノン緩和時間(数ギガヘルツ)よりも高速な測定が必要であり、本技術によって検出が可能である。
また、位相可変高周波電圧信号における正弦波信号をパルス信号に置き換えても同様の効果を得ることができる。
Claims (5)
- 単電子の帯電エネルギーが動作温度における熱エネルギーと同程度またはそれ以上となるような微小伝導領域である微小島と、当該微小島にトンネル障壁を介して接合する電極である入力電極とを有する単電子トランジスタと、
前記単電子トランジスタの近傍かつ前記単電子トランジスタの伝導路とは電気的に絶縁されている別の伝導路にあり、前記微小島と静電的に結合されているポイント接合と、
前記ポイント接合に接合する一方の電極および前記入力電極に広帯域周波数の位相可変高周波電圧信号が入力信号として独立して入力され、当該入力信号によって誘起される前記微小島と前記入力電極との間の時間的な電荷移動に伴う前記単電子トランジスタのインピーダンスを、前記ポイント接合に接合する他方の電極から出力される出力信号により位相検波する電荷検出計と、
を有することを特徴とする単電子素子インピーダンス測定装置。 - 上記単電子トランジスタが、
量子力学的に結合した複数の前記微小島を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の単電子素子インピーダンス測定装置。 - 前記微小島が、
GaAs化合物半導体、シリコン、炭素系材料、単一分子のうちのいずれかである、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単電子素子インピーダンス測定装置。 - 上記広帯域周波数の位相可変高周波電圧信号が、
正弦波信号またはパルス信号であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の単電子素子インピーダンス測定装置。 - 単電子の帯電エネルギーが動作温度における熱エネルギーと同程度またはそれ以上となるような微小伝導領域である微小島と、当該微小島にトンネル障壁を介して接合する電極である入力電極とを有する単電子トランジスタと、前記単電子トランジスタの近傍かつ前記単電子トランジスタの伝導路とは電気的に絶縁されている別の伝導路にあり、前記微小島と静電的に結合されているポイント接合と、前記単電子トランジスタのインピーダンスを検出する電荷検出計とを有する単電子素子インピーダンス測定装置において用いられる単電子素子インピーダンス測定方法であって、
前記電荷検出計が、
前記ポイント接合に接合する一方の電極および前記入力電極に広帯域周波数の位相可変高周波電圧信号が入力信号として独立して入力され、当該入力信号によって誘起される前記微小島と前記入力電極との間の時間的な電荷移動に伴う前記単電子トランジスタのインピーダンスを、前記ポイント接合に接合する他方の電極から出力される出力信号により位相検波して検出する、
ことを特徴とする単電子素子インピーダンス測定方法。
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