JP4859436B2 - マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及びリソグラフィー用ガラス部材の製造方法 - Google Patents
マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及びリソグラフィー用ガラス部材の製造方法 Download PDFInfo
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請求項3に記載の発明に係るマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、請求項1または2に記載の発明において、前記内部欠陥は、波長が200nm超の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じず、波長が200nm以下の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じる欠陥である局所脈理、内容物、または異質物の少なくともいずれかであることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明に係るリソグラフィー用ガラス部材の製造方法は、請求項9に記載の発明において、前記短波長光は、パルス幅が2〜15nsecであることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明に係るリソグラフィー用ガラス部材の製造方法は、請求項9または10に記載の発明において、前記内部欠陥は、波長が200nm超の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じず、波長が200nm以下の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じる欠陥である局所脈理、内容物、または異質物の少なくともいずれかであることを特徴とするものである。
特開平8−31723号公報や特開2003−81654号公報に記載された製造方法により作製された合成石英ガラスインゴットから、約152.4mm×約152.4mm×約6.35mmに切り出して得られた合成石英ガラス板1(図1(a))に面取り加工を施す。次に、この合成石英ガラス板1の表面のうち、少なくとも、波長が200nm以下の短波長光(本実施の形態では露光波長の光(ArFエキシマレーザー光)))を導入する側の端面2と、この端面2に隣接し、後述の内部欠陥16により散乱される散乱光15(図3)を受光する側の端面3とを、上記露光波長の光を導入できる程度に鏡面研磨して、合成石英ガラス基板4を準備する(図1(b))。
次に、マスクブランク用ガラス基板7の主表面5上にマスクパターンとなる薄膜(ハーフトーン膜8)をスパッタリング法により形成して、マスクブランク9(ハーフトーン型位相シフトマスクブランク)を作製する(図1(d))。ハーフトーン膜8の成膜は、以下の構成を有するスパッタリング装置を使って行う。
次に、図1に示すように、上記マスクブランク9(ハーフトーン型位相シフトマスクブランク)のハーフトーン膜8の表面にレジストを塗布した後、加熱処理してレジスト膜10を形成する。(図1(e))。
得られた露光用マスク14を露光装置に装着し、この露光用マスク14を使用し、ArFエキシマレーザーを露光光として光リソグラフィー技術を用い、半導体基板(半導体ウェハ)に形成されているレジスト膜に露光用マスクのマスクパターンを転写して、この半導体基板上に所望の回路パターンを形成し、半導体デバイスを製造する。
上述のように構成されたことから、上記実施の形態によれば、次の効果(1)〜(5)を奏する。
(1)合成石英ガラス基板4の内部欠陥16を検出する検出工程の欠陥変質工程では、欠陥変質装置26を用いて、内部欠陥16が変質するエネルギーを有する、波長が200nm以下のArFエキシマレーザー光25を当該合成石英ガラス基板4に導入して上記内部欠陥16を変質させることから、この変質により上記内部欠陥16を顕在化させることができる。この結果、個々の合成石英ガラス基板4の表面状態にばらつきがある場合にも、これらの合成石英ガラス基板4に存在する内部欠陥(波長が200nm以下の短波長光であるArFエキシマレーザー光25を露光光としたときのパターン転写に影響の大きな内部欠陥)を簡単且つ確実に検出できる。
2 端面(一端面)
3 端面
4 合成石英ガラス基板
5、6 主表面
7 マスクブランク用ガラス基板
8 ハーフトーン膜(薄膜)
9 マスクブランク
13 ハーフトーン膜パターン(マスクパターン)
14 露光用マスク
15 散乱光
16 内部欠陥
20 欠陥変質装置
21 第1レーザー照射装置
25 ArFエキシマレーザー光(短波長光)
26 可視レーザー光
40 欠陥検査装置
41A、41B ミラー
42 第2レーザー照射装置
45 CCDカメラ
48 側面
49、50 面取り面
Claims (11)
- 波長が200nm以下の短波長光を導入する一端面を含む表面を有するガラス基板を準備する準備工程と、
この準備されたガラス基板の内部欠陥を検出する検出工程とを有し、
前記検出工程でパターン転写に影響する内部欠陥が存在しない前記ガラス基板を用いてマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記検出工程は、前記ガラス基板の前記内部欠陥が変質するエネルギーを有する前記短波長光を当該ガラス基板に導入して、前記内部欠陥を変質させる欠陥変質工程を有し、
前記ガラス基板は、合成石英からなり、
前記短波長光は、1パルス当たりのエネルギーが10〜100mJ/cm 2 であることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。 - 前記短波長光は、パルス幅が2〜15nsecであることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 前記内部欠陥は、波長が200nm超の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じず、波長が200nm以下の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じる欠陥である局所脈理、内容物、または異質物の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 前記検出工程は、波長が200nm以下の短波長光をガラス基板に導入して内部欠陥を変質させる欠陥変質工程の後または当該欠陥変質工程と同時に、
可視域の光を前記ガラス基板に導入して、変質した前記内部欠陥により散乱する光を検出することで、当該内部欠陥を特定する欠陥特定工程を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。 - 前記欠陥特定工程における可視域の光のガラス基板への導入は、当該ガラス基板の両主表面と側面との間で全反射条件を満たす条件で実施することを特徴とする請求項4に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 前記検出工程で、波長が200nm以下の短波長光を導入するガラス基板は、主表面が鏡面研磨される前の状態であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によって得られたマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項7に記載のマスクブランクにおける薄膜をパターニングして、マスクブランク用ガラス基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
- 波長が200nm以下の短波長光を導入する導入面を有するガラス材料を準備する準備工程と、
この準備されたガラス材料の内部欠陥を検出する検出工程とを有し、
前記検出工程で内部欠陥が存在しない前記ガラス材料を用いてリソグラフィー用ガラス部材を製造するリソグラフィー用ガラス部材の製造方法であって、
前記検出工程は、前記ガラス材料の前記内部欠陥が変質するエネルギーを有する前記短波長光を当該ガラス材料に導入して、前記内部欠陥を変質させる欠陥変質工程を有し、
前記ガラス基板は、合成石英からなり、
前記短波長光は、1パルス当たりのエネルギーが10〜100mJ/cm 2 であることを特徴とするリソグラフィー用ガラス部材の製造方法。 - 前記短波長光は、パルス幅が2〜15nsecであることを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィー用ガラス部材の製造方法。
- 前記内部欠陥は、波長が200nm超の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じず、波長が200nm以下の露光光源に対して局所的な光学特性の変化が生じる欠陥である局所脈理、内容物、または異質物の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項9または10に記載のリソグラフィー用ガラス部材の製造方法。
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