JP4859098B2 - ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液 - Google Patents

ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液 Download PDF

Info

Publication number
JP4859098B2
JP4859098B2 JP2005294909A JP2005294909A JP4859098B2 JP 4859098 B2 JP4859098 B2 JP 4859098B2 JP 2005294909 A JP2005294909 A JP 2005294909A JP 2005294909 A JP2005294909 A JP 2005294909A JP 4859098 B2 JP4859098 B2 JP 4859098B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
divm
solution
film
raw material
oipr
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005294909A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007099735A (ja
Inventor
秀公 門倉
弓恵 奥原
慎太郎 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kojundo Kagaku Kenkyusho KK
Original Assignee
Kojundo Kagaku Kenkyusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kojundo Kagaku Kenkyusho KK filed Critical Kojundo Kagaku Kenkyusho KK
Priority to JP2005294909A priority Critical patent/JP4859098B2/ja
Publication of JP2007099735A publication Critical patent/JP2007099735A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4859098B2 publication Critical patent/JP4859098B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

本発明は、化学気相成長法によりPb(Zr,Ti,Nb)O3膜を形成するためのニオブ化合物であるニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液に関する。
ペロブスカイト構造のPb(Zr,Ti)O3において、比較的多い割合のTiをNbで置換したPb(Zr,Ti,Nb)O3膜、例えば、Pb(Zr0.2Ti0.8Nb0.2)O3膜は、強誘電特性に優れており、リーク電流が非常に低いことから、次世代の強誘電性ランダムアクセスメモリー(FeRAM)として期待されている(特許文献1参照)。
現在、前記Pb(Zr,Ti,Nb)O3膜は、ゾル−ゲル溶液のスピンコート法により、優れた特性を示すものが得られているが、より集積度の高いFeRAM用には、薄膜による段差被覆性に優れている化学気相成長法(以下、CVD法と表す。)により形成することができることが望ましい。そして、このCVD法においては、量産性に優れる溶液気化方式により、原料が供給されることが望ましい。
しかしながら、CVD法においては、まだ十分な量のNbを結晶中に取り込むことができず、優れた特性を示す膜は得られていない。
そこで、本発明者らは、CVD法により十分な量のNbを結晶中に取り込む1つの手段として、原料となるNb化合物の検討を行った。
表1に従来から公知であるC,H,OおよびNbのみからなるCVD法用のNb有機化合物を示す。
Figure 0004859098
量産性に優れる溶液気化方式に用いられるNb原料化合物としては、以下の3つの要求を満たすものであることが好ましい。
(1)テトラヒドロフラン(以下、THFと表す。)、トルエン、酢酸エチル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の溶媒に対する溶解度が高いこと。
(2)同時に用いられるPb(dpm)2,Pb(dibm)2,Zr(dibm)4,Zr(OiPr)(dpm)3,Ti(OiPr)2(dpm)2,Ti(OiPr)2(dibm)2等のPb,Zr,Tiの原料化合物と、溶液状態や気化した状態で混合した際、アルコキシル基やβ−ジケトナート基の交換反応が起きないこと。
(3)前記Pb,Zr,Tiの原料化合物の溶液と混合後、1つの気化器で気化させるため、Pb,Zr,Tiの原料化合物と気化特性が似ていること。
特開2005−209722号公報
表1に示したNb化合物について、上記3つの要求に照らしてみると、Nb(dpm)4は、第(1)項のTHF以外の溶媒に対する溶解度が小さく、使用可能な溶媒が限定されるという欠点を有していた。
ところで、原料溶液の供給系は、Pb,Zr,Ti,Nbの元素毎に設けられ、気化器直前で混合し、1つの気化器で気化させるのが一般的であるが、経済性、流量制御等の観点から、系はできるだけコンパクトであることが望ましく、前記4元素を1つの溶液とすることができることが最も望ましい。
しかしながら、Pb化合物は、他の元素化合物と溶液中で共存すると、液中のパーティクルが増大し、ポットライフが短くなる傾向があることが知られている。
このため、Nb化合物は、Pb化合物が含まれない溶液、すなわち、Zr溶液、Ti溶液またはZrとTiとの共存溶液とすることができることが望ましい。
このような観点から見ると、表1に示したNb化合物のうち、Nb(OEt)5,Nb(OiPr)5,Nb(OEt)4(dpm),Nb(OiPr)4(dpm)は、Pb(dibm)2,Zr(dibm)4,Ti(OiPr)2(dibm)2等のdibm系化合物と共存する場合、有機基の交換反応が起き、組み合わせによって、Zr(dibm)3(dpm),Ti(OEt)(OiPr)(dibm)(dpm),Nb(OEt)3(OiPr)(dibm)等のより複雑な化合物との混合物が形成されるものであった。
すなわち、カクテル溶液とした場合、上記要求の第(2)項が満たされず、溶液の安定性や気化の再現性が十分に得られるものではなかった。
したがって、量産性に優れる溶液気化方式に好適に用いることができ、dibm系化合物と共存可能なNb原料化合物が求められていた。
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、溶液気化方式で原料を供給するCVD法で、ペロブスカイト構造強誘電体であるPb(Zr,Ti,Nb)O3膜を形成するために好適な新規Nb化合物およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
また、前記Nb化合物を用いて、CVD法によりPb(Zr,Ti,Nb)O3膜を形成するための原料溶液を提供することも目的とする。
本発明によれば、化学式(I)で表される新規なニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートが提供される。
Nb(OR)4(C9152) ……(I)
ここで、Rは炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基を表し、C9152はジイソブチリルメタネートであり、以下、dibmと表す。
前記ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートは、化学式(I)において、RがC25(以下、Etと表す。)、CH(CH32(以下、iPrと表す。)またはn−C49(以下、nBuと表す。)のいずれかであることが好ましい。すなわち、Nb(OEt)4(dibm),Nb(OiPr)4(dibm)またはNb(OnBu)4(dibm)のいずれかであることが好ましい。
さらに、本発明によれば、原料供給を溶液気化方式で行う化学気相成長法によりPb(Zr,Ti,Nb)O3膜を形成するための原料溶液であって、前記ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートが用いられているものであることを特徴とするPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液が提供される。
さらに、前記Pb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液は、Zr(dibm)4とNb(OEt)4(dibm)とのカクテル溶液、Zr(dibm)4とNb(OiPr)4(dibm)とのカクテル溶液、Zr(dibm)4とNb(OnBu)4(dibm)とのカクテル溶液、Ti(OiPr)2(dibm)2とNb(OiPr)4(dibm)とのカクテル溶液、Zr(dibm)4とTi(OiPr)2(dibm)2とNb(OiPr)4(dibm)とのカクテル溶液の群の中から選ばれたいずれかのカクテル溶液が用いられているものであることが好ましい。
ここで、カクテル溶液とは、2種以上の金属元素が溶解している溶液のことを言う。
本発明に係る新規化合物であるNb(OEt)4(dibm),Nb(OiPr)4(dibm)は、Pb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用のZr,Tiの原料化合物と、溶液状態や気化した状態で混合した場合であっても、アルコキシル基やβ−ジケトナト基の交換反応を起こさない組み合わせを可能とするものである。
したがって、本発明によれば、Pb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液を安定的に供給することができ、量産性に優れる溶液気化方式のCVDによって、ペロブスカイト構造強誘電体であるPb(Zr,Ti,Nb)O3膜を形成することができる。
以下、本発明について、より詳細に説明する。
本発明に係るNb(OR)4(dibm)は、新規化合物である。
ここで、Rは炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基である。具体的には、RはCH3,C25,n−C37,i−C37,n−C49,i−C49,sec−C49,t−C49である。
前記Nb(OR)4(dibm)のうち、好ましくは、市販されているNb(OEt)5,Nb(OiPr)5またはNb(OnBu)5を原料として製造される、Nb(OEt)4(dibm),Nb(OiPr)4(dibm)またはNb(OnBu)4(dibm)である。
Nb(OEt)5は、Nb(OnBu)5より蒸気圧が高い液体であるため、精留が容易であり、最も高純度にでき、Nb(OEt)4(dibm)が最も高純度で得られる。
前記Nb(OR)4(dibm)は、ニオブペンタアルコキシド1molとジイソブチリルメタン1molを不活性炭化水素溶媒中で加熱還流後、溶媒と未反応原料を留去し、次いで、蒸留する工程を経ることにより製造することができる。
合成時に使用される不活性炭化水素溶媒としては、ヘキサン、オクタン、トルエン、シクロヘキサンが好ましい。
Nb(OEt)4(dibm),Nb(OnBu)4(dibm)は、室温で液体であり、Nb(OiPr)4(dibm)は、固体であるが、いずれも、溶液気化方式のCVD法に用いられる一般的な溶媒によく溶ける。
溶液気化方式のCVD法に用いられる溶媒としては、THF、トルエン、酢酸エチル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等が好ましい。
溶液気化方式のCVD法において、Pb(dibm)2,Pb(dpm)2,Zr(dibm)4,Zr(OiPr)(dpm)3,Ti(OiPr)2(dibm)2,Ti(OiPr)2(dpm)2,Nb(OEt)4(dibm),Nb(OiPr)4(dibm),Nb(OnBu)4(dibm)の群の中から任意に選ばれた単一金属元素化合物の溶液を、それぞれ別々のシリンダに充填し、気化器直前または気化器内で混合した場合においても、気化させるまでの時間は非常に短いため、互いの有機基が交換したり、変質したりすることは、実質的にない。このため、CVDや膜性能等に応じて、任意の組み合わせで用いることができる。
2種以上の異なる金属元素の化合物を混ぜたカクテル溶液を原料とする場合は、安定した蒸発や膜状態を達成するために、基の交換反応が起こらないことが求められる。すなわち、カクテル溶液にすることができるということは、基の交換反応が起こらず、ポットライフが長期であるということを意味する。
上述した基の交換反応の起こりやすさは、金属とアルコキシル基とβ−ジケトナト基の性質の違いにより決まる。
例えば、Zr(dibm)4の場合は、Nb(OEt)4(dibm),Nb(OiPr)4(dibm)またはNb(OnBu)4(dibm)とカクテル溶液にすることができる。また、Ti(OiPr)2(dibm)2の場合は、Nb(OiPr)4(dibm)とカクテル溶液にすることができる。
溶液気化方式のCVD法による膜形成用原料溶液は、定量供給して気化器直前で混合し、減圧下、150〜250℃で、1つの気化器で全量気化させ、0.1〜10TorrのCVD室に送入される。そして、400〜800℃に加熱されたSi基板上に、Pb(Zr,Ti,Nb)O3膜を熱堆積させる。
膜形成方法としては、熱CVDの他に、プラズマCVD等、通常使用される方法を用いてもよい。
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。
[実施例1]Nb(OEt)4(dibm)の製造
温度計、撹拌子、リフラックスコンデンサを備えた500mL三口フラスコを真空アルゴン置換後、脱水脱酸素したトルエン200mLとNb(OEt)550g(0.157mol)を仕込み、次いで、ジイソブチリルメタンdibmH24.6(0.157mol)を仕込んだ。
4時間還流し、生成したエタノールをトルエンとともに留去し、さらに、1Torr、80℃で溶媒を留去した。
次いで、0.03Torrで蒸留し、初留分3.0gを除去した後、留出温度100〜106℃で、主留分として淡褐色液体58.0g(0.135mol、収率86%)を得た。
上記において得られた主留物質について、下記分析により、その同定および物性測定を行った。
(1)組成分析
湿式分解し、生成した液のICP発光分光分析の結果、Nb:22.0%(理論値21.69%)、C:47.6%(理論値47.67%)、H:8.3%(理論値8.24%)であった。
(2)不純物分析
ICP発光分光分析の結果、Al<1,Ca<1,Fe<1,Mg<1,Ti<1,Na<1,K<1,Ni<1,Cu<1,Cr<1(単位:ppm)であり、高純度であった。
また、Cl分析の結果、Cl<3ppmであった。
(3)EI−MS
測定条件 装置:JMS AX505W,イオン化法:EI,イオン源温度:230℃,イオン化エネルギー:70eV
測定結果を図1に示す。
主なm/Zと強度(%)とそのイオン種を以下に列挙する。
383(100) Nb(OEt)3(dibm)+;338(66) Nb(OEt)2(dibm)+;309(25) NbO(OEt)(dibm)+;273(99) Nb(OEt)4 +
なお、分子イオンはなかった。
(4)1H−NMR
測定条件 装置:JNM−ECA400(400MHz)、溶媒:C66、方法:1D
測定結果を図2に示す。δH(ppm)と(帰属)を以下に列挙する。
1.09 d(12H,2CH(C 32);1.15+1.36 t(12H,4OCH2 3);2.28 h(2H,2C(CH32);4.18+4.69 q(8H,4OC 2CH3);5.33 s(1H,C).
(5)蒸気圧
気体飽和法測定から、0.1Torr/110℃であった。
(6)性状と密度
室温で液体であり、液体の密度は1.1g/cm3であった。
(7)TG−DTA
測定条件 試料重量:7.04mg、雰囲気:Ar 1気圧、昇温速度:10.0deg/min
測定結果を図3に示す。
図3から、140℃付近から徐々に蒸発減量し、200℃付近で50%減量し、その後、220℃から熱分解変質が生じていることが分かる。350℃付近で、93.7%の減量であった。
なお、比較のために、Nb(OEt)4(dpm)のTG−DTA測定結果を図7に示す。
図7においては、350℃付近で88.5%減量しており、実施例1に係る主留物質の方が、熱変質が少い状態で蒸発したことが認められる。
以上の同定分析の結果から、得られた主留物質は、Nb(OEt)4(dibm)であると同定した。
[実施例2]Nb(OiPr)4(dibm)の製造
実施例1において、Nb(OEt)5をNb(OiPr)561.0g(0.157mol)に替え、それ以外は、実施例1と同様に反応させた。溶媒留去後、0.03Torrで昇華し、加熱温度100〜120℃の昇華物として、淡黄色固体64.6g(0.133mol,収率85%)を得た。
上記において得られた昇華物について、実施例1と同様に、下記分析により、その同定および物性測定を行った。
(1)組成分析
Nb:22.0%(理論値21.69%)、C:51.0%(理論値52.06%)、H8.8%(理論値8.95%).
(2)不純物分析(単位ppm)
Al<1,Ca<1,Fe<1,Mg<1,Ti<1,Na<1,K<1,Ni<1,Cu<1,Cr<1(単位:ppm)であり、高純度であった。
また、Cl<3ppmであった。
(3)EI−MS
測定結果を図4に示す。
425(100) Nb(OiPr)3(dibm)+;366(76) Nb(OiPr)2(dibm)+;329(94) Nb(OiPr)4 +;323(46) NbO(OiPr)(dibm)+,281(48) NbO(OiPr)((CH32CHCOCHC(H)O)+
なお、分子イオンはなかった。
(4)1H−NMR
測定結果を図5に示す。
1.12 d(12H,2CH(C 32);1.21+1.43 d(24H,4OCH(C 32);2.29 h(2H, 2C(CH32);4.49+5.06 h(4H,2OC(CH32);5.32 s(1H,C).
(5)蒸気圧
0.1Torr/120℃
(6)性状および融点
室温で固体であり、DTA測定結果から、融点は100℃であった。
(7)TG−DTA
測定条件 重量:7.40mg、雰囲気:Ar 1気圧、昇温速度:10.0deg/min
測定結果を図6に示す。
図6から、140℃付近から徐々に蒸発減量し、200℃付近で50%減量し、その後、220℃から熱分解変質が生じていることが分かる。400℃付近で、96.6%の減量であった。
以上の同定分析の結果から、得られた昇華物は、Nb(OiPr)4(dibm)であると同定した。
[実施例3〜6、比較例1〜4]カクテル溶液の安定性
溶媒として、トルエンを用い、Zr,Ti,Nbのうちの2種または3種の化合物を含むカクテル溶液を調製し、その安定性を評価した。
各カクテル溶液は、Zr,Ti,Nbが下記の濃度となるように調製した。
(Zr+Nb)カクテル溶液:Zr0.10mol/L,Nb0.10mol/L
(Ti+Nb)カクテル溶液:Ti0.16mol/L,Nb0.04mol/L
(Zr+Ti+Nb)カクテル溶液:Zr0.03mol/L,Ti0.12mol/L,Nb0.03mol/L
安定性の評価は、各カクテル溶液を110℃で5時間加熱後、溶媒を減圧留去し、残渣物について、TG−DTA測定を行い、同一比率で作製した原体混合物のTG−DTA(ブランク)測定結果と比較し、変質の有無を調べることにより判定した。
これらの結果を表2に示す。
Figure 0004859098
表2に示したように、実施例3〜6に係るNb(OR)4(dibm)は、Zr(dibm)4やTi(OiPr)2(dibm)2と安定なカクテル溶液を形成することができることが認められた。
実施例1における主留物質のEI−MSによる測定結果を示した図である。 実施例1における主留物質の1H−NMRによる測定結果を示した図である。 実施例1における主留物質の1気圧でのTG−DTAによる測定結果を示した図である。 実施例2における昇華物のEI−MSによる測定結果を示した図である。 実施例2における昇華物の1H−NMRによる測定結果を示した図である。 実施例2における昇華物の1気圧でのTG−DTAによる測定結果を示した図である。 Nb(OEt)4(dpm)の1気圧でのTG−DTAによる測定結果を示した図である。

Claims (3)

  1. 化学式(I)
    Nb(OR)4(C9152) ……(I)
    (ここで、Rは炭素数1〜4の直鎖または分岐のアルキル基を表し、C9152はジイソブチリルメタネートであり、以下、dibmと表す。)で表されるニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネート。
  2. 前記化学式(I)において、RがC25(以下、Etと表す。),CH(CH32(以下、iPrと表す。)またはn−C49(以下、nBuと表す。)のいずれかであることを特徴とする請求項1記載のニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネート。
  3. 原料供給を溶液気化方式で行う化学気相成長法によりPb(Zr,Ti,Nb)O3膜を形成するための原料溶液であって、請求項1または請求項2記載のニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートが用いられているものであることを特徴とするPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液。
JP2005294909A 2005-10-07 2005-10-07 ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液 Active JP4859098B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005294909A JP4859098B2 (ja) 2005-10-07 2005-10-07 ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005294909A JP4859098B2 (ja) 2005-10-07 2005-10-07 ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007099735A JP2007099735A (ja) 2007-04-19
JP4859098B2 true JP4859098B2 (ja) 2012-01-18

Family

ID=38027015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005294909A Active JP4859098B2 (ja) 2005-10-07 2005-10-07 ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4859098B2 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4386529B2 (ja) * 2000-03-03 2009-12-16 株式会社Adeka 化学気相成長用原料及びこれを用いた金属酸化物薄膜
JP2004360059A (ja) * 2003-05-30 2004-12-24 Toyoshima Seisakusho:Kk Cvd用原料溶液及びその気化方法
JP4171908B2 (ja) * 2004-01-20 2008-10-29 セイコーエプソン株式会社 強誘電体膜、強誘電体メモリ、及び圧電素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007099735A (ja) 2007-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1849789B1 (en) Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates
US8293327B2 (en) Process for forming the strontium-containing thin film
WO2012060428A1 (ja) (アミドアミノアルカン)金属化合物、及び当該金属化合物を用いた金属含有薄膜の製造方法
TW200528574A (en) Metal compound, material for forming thin film and method for preparing thin film
KR20000053600A (ko) 루테늄 박막
US20170117142A1 (en) Organic Germanium Amine Compound and Method for Depositing Thin Film Using the Same
JP3499804B2 (ja) 基板上に金属酸化物薄膜を成長させる方法
US6338873B1 (en) Method of forming Group II metal-containing films utilizing Group II MOCVD source reagents
JP5311886B2 (ja) ストロンチウム含有薄膜形成用原料およびその製造方法
JP4022662B2 (ja) ジルコニウムアルコキシトリス(β−ジケトネート)とその製造方法およびPZT膜形成用液体組成物
JP4859098B2 (ja) ニオブテトラアルコキシジイソブチリルメタネートおよびそれを用いたPb(Zr,Ti,Nb)O3膜形成用原料溶液
JP5776555B2 (ja) 金属アルコキシド化合物及び当該化合物を用いた金属含有薄膜の製造法
JP4087065B2 (ja) Mocvdによるヘテロ金属酸化物の成長用前駆体
JP4006892B2 (ja) ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属との液体ダブルアルコキシドの製法及びそれを用いた複合酸化物誘電体の製法
JP4326005B2 (ja) ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブとその製造方法及びそれを用いたald用原料溶液並びにそれを用いた窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜の形成方法。
JP4277515B2 (ja) 有機ジルコニウム複合物及びその合成方法並びにこれを含む溶液原料、チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の成膜方法
KR100367346B1 (ko) 신규한 iv족 금속 전구체 및 이를 사용한 화학기상 증착법
CN115279940B (zh) 铝前体化合物、其制备方法和使用其形成含铝膜的方法
JP4767158B2 (ja) ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ストロンチウムの製造方法
KR20030095125A (ko) 금속을 포함하는 박막의 화학기상증착 또는 원자층증착을위한 다용도 유기금속화합물과 그 제조방법
JP2004059562A (ja) 化学気相成長用のチタン錯体とそれを用いたpzt薄膜の製造方法
JP2006213631A (ja) 化学気相成長法によるpzt成膜用の原料溶液の製造方法およびpzt膜の形成方法
JP2000053422A (ja) ビスマス含有複合金属酸化膜
JP4360059B2 (ja) 有機金属化学蒸着用有機ジルコニウム化合物及び該化合物を含むpzt薄膜形成用原料液
JP3858138B2 (ja) ニオブ、タンタルとリチウムとの液体ダブルアルコキシド及びその製法並びにそれを用いた複合酸化物誘電体薄膜の製法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111028

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111028

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4859098

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250