JP4856203B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 158
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 101100328154 Mus musculus Clmn gene Proteins 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 101100186130 Arabidopsis thaliana NAC052 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100529509 Arabidopsis thaliana RECQL4A gene Proteins 0.000 description 5
- 101100203168 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SGS1 gene Proteins 0.000 description 5
- 101000578349 Homo sapiens Nucleolar MIF4G domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 4
- 102100027969 Nucleolar MIF4G domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 101150056203 SGS3 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N ac1ldcw0 Chemical compound Cl.C1CN(C)CCN1C1=C(F)C=C2C(=O)C(C(O)=O)=CN3CCSC1=C32 LPQOADBMXVRBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100301219 Arabidopsis thaliana RDR6 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100292586 Caenorhabditis elegans mtr-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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-
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
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- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Non-Volatile Memory (AREA)
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Description
ジスタのボディとして機能する第3半導体層と、前記第3半導体層を取り囲むように形成された第3ゲート絶縁層と、前記第3ゲート絶縁層を取り囲み、前記基板に対して平行に延びると共に前記ソース選択トランジスタのゲートとして機能する前記第3導電層とを備え、前記基板上に配列されたm行n列(m、nは2以上の整数)の前記第1半導体層が1つのメモリセルブロックを構成し、前記第1導電層が、前記1つのメモリセルブロック内に配列された(m×n)個の前記第1半導体層毎に共通に接続され、前記第2導電層が、1つの前記メモリセルブロック内において第1方向に沿って配列されたn個の前記第2半導体層毎に共通に接続され、前記第3導電層が、1つの前記メモリセルブロック内において前記第1方向に沿って配列されたn個の前記第3半導体層毎に共通に接続され、前記ビット線は、1つの前記メモリセルブロック内において前記第1方向とは直交する第2方向に沿って配列されたm個の前記第2半導体層に共通に接続され、前記ソース線が、1つの前記メモリセルブロック内において第1方向に沿って配列されたn個の前記第3半導体層に共通に接続され、前記制御回路は、1つの前記メモリセルブロック内においてデータ消去動作を行う場合において、1つのメモリセルブロック内におけるm本の前記ソース線のうちの1つの選択ソース線に第1電圧を印加する一方、その他の前記ソース線には、前記データ消去動作の開始前の前記ソース線の電圧に等しい第2電圧を印加し、続いて前記選択ソース線に接続された前記ソース側選択トランジスタの前記第3導電層に前記第1電圧よりも小さい第3電圧を前記第1電圧の印加よりも所定時間遅れて印加し、前記第1電圧と前記第3電圧との間の電位差により前記第3ゲート絶縁層近傍において正孔電流を発生させると共に、消去対象の前記メモリトランジスタに接続される前記第1導電層に第4電圧を印加する一方、それ以外の前記第1導電層をフローティング状態とし、これにより、前記第1半導体層の電位と前記第1導電層の電位との間の電位差により前記電荷蓄積層の電荷を変化させることを特徴とする。
され、前記第2導電層が、1つの前記メモリセルグループ内において第1方向に沿って配列されたn個の前記第2半導体層毎に共通に接続され、前記第3導電層が、1つの前記メモリセルグループ内において前記第1方向に沿って配列されたn個の前記第3半導体層毎に共通に接続され、前記ビット線が、1つの前記メモリセルグループ内において前記第1方向とは直交する第2方向に沿って配列されたm個の前記第2半導体層に共通に接続され、前記ソース線が、1つの前記メモリセルグループ内において(m×n)個の前記第3半導体層に共通に接続され、前記制御回路は、1つの前記メモリセルグループ内においてデータ消去動作を行う場合において、消去対象の前記メモリトランジスタが存在する前記メモリセルグループに配設された前記ソース線に第1電圧を印加し、続いて、1つの前記メモリセルグループ内のm本の前記第3導電層のうち、消去対象の前記メモリトランジスタに対応する前記ソース側選択トランジスタに接続された前記第3導電層に前記第1電圧よりも小さい第2電圧を前記第1電圧の印加よりも所定時間遅れて印加し、前記第1電圧と前記第2電圧との間の電位差により前記第3ゲート絶縁層近傍において正孔電流を発生させる一方、その他の第3導電層には前記データ消去動作開始前の前記第3導電層の電圧に等しい第3電圧を印加すると共に、消去対象の前記メモリトランジスタに接続される前記第1導電層に第4電圧を印加する一方、それ以外の前記第1導電層をフローティング状態とし、これにより、前記第1半導体層の電位と前記第1導電層の電位との間の電位差により前記電荷蓄積層の電荷を変化させることを特徴とする。
(第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の構成)
図1は、本発明の第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の概略図を示す。図2は、1つのメモリセルブロック中のメモリトランジスタの構成を示す斜視図であり、図3は、メモリセルアレイを構成するメモリストリングの構成を示す等価回路図である。
図3に示すように、メモリトランジスタMTr0mn〜MTr3mnは、後述するように積層方向に積層されて構成され且つ複数直列に接続されてNANDストリング(メモリストリング)を形成する。そして、このNANDストリングの両端には、ドレイン側選択トランジスタSDTrmn、ソース側選択トランジスタSSTrmnが接続される。ドレイン側選択トランジスタSDTrmn、ソース側選択トランジスタSSTrmnの他端は、それぞれビット線BLn、ソース線SLmに接続される。また、ドレイン側選択トランジスタSDTrmn、ソース側選択トランジスタSSTrmnのゲートには、それぞれドレイン側選択ゲート線SGDm、ソース側選択ゲート線SGSmが接続される。
ト線SGD、ソース側選択ゲート線SGSは、ビット線BLと直交する方向、すなわちロウ方向を長手方向として形成され、1つのメモリセルブロックあたり4本設けられている。ソース線SLも同様に、ビット線BLと直交する方向、すなわちロウ方向を長手方向として形成され、1つのメモリセルブロックあたり4本設けられている。
各メモリストリングMSは、半導体基板Baに垂直に延びるように形成された柱状の柱状半導体CLmn(m=0〜3、n=0〜3)を有している。この柱状半導体CLmnは、メモリトランジスタMTrのボディ部(チャネル形成部)として機能し、その周囲には、後述するようにデータ保持部を構成する電荷蓄積膜を含むゲート絶縁膜(図2では図示せず)が形成され、このゲート絶縁膜を介してワード線WLが形成される。
各柱状半導体CLmnは、半導体基板Baに対し垂直方向に延びるように形成されており、半導体基板Ba及びワード線(WL0〜WL3)の面上においてマトリクス状になるように配置されている。つまり、メモリストリングMSも、柱状半導体CLmnに垂直な面内にマトリクス状に配置されている。なお、この柱状半導体CLmnは、円柱状であっても、角柱状であってもよい。また、柱状半導体CLmnとは、段々形状を有する柱状の半導体を含む。
柱状半導体CLmnの上端に接するように形成された柱状半導体CLmndと、この周囲を覆うように形成されたゲート絶縁膜(第2ゲート絶縁膜:図2では図示せず)と、このゲート絶縁膜を介して前記柱状半導体CLmndと接するドレイン側選択ゲート線SGDm(m=0〜3)を備えている。各ドレイン側選択ゲート線SGDmは、ロウ方向を長手方向として形成され且つカラム方向において互いに絶縁分離され、ワード線WL0〜WL3とは異なり、半導体基板Baに平行にストライプ状に形成されている。また、ドレイン側選択ゲート線SGDの幅方向の中心には、その中心を貫通するように柱状半導体層CLmndが設けられる。
次に、図5、図6を参照して、メモリストリングMSの更に具体的構成を説明する。図5は、図2のA−A´断面図である。また、図6は、同じく図2のB−B´断面図である。
更に、メモリトランジスタ層30は、メモリ柱状半導体層34に接するトンネル絶縁層35と、そのトンネル絶縁層35に接し且つ電荷を蓄積する電荷蓄積層36と、その電荷蓄積層36に接するブロック絶縁層37とを有する。このブロック絶縁層37は、第1〜第4ワード線導電層(メモリ導電層)32a〜32dと接する。トンネル絶縁層35は、酸化シリコンにて形成されている。電荷蓄積層36は、窒化シリコン(SiN)にて形成されている。ブロック絶縁層37は、酸化シリコンにて形成されている。なお、電荷蓄積層36は、第1〜第4ワード線導電層32a〜32dとメモリ柱状半導体層34との間の位置にのみ形成され、第1〜第5ワード線間絶縁層31a〜31eとメモリ柱状半導体層34との間の位置には形成されないようにすることもできる。
3>、SGDunsel、SGSunsel<0:1>)を介して出力する電圧を、ソース側選択ゲート線SGSm、ドレイン側選択ゲート線SGDmに供給する。
トランジスタ1641は、当該メモリセルブロックが選択される場合において、ソース側選択ゲート線SGSmに対し、選択的にソース側選択ゲート線駆動回路14からの駆動信号SGSsel<0:3>を供給するときに導通状態とされる。駆動信号SGSsel<0:3>は、いずれか1つのみが”H”となり、その他3つは”L”となる。
トランジスタ1643、1644は、選択的にどちらか一方が導通状態とされ、他方は非導通状態とされる。これにより、当該メモリセルブロックの非選択時においては、ソース側選択ゲート線SGSmには、SGSunsel<0:1>のいずれか一方が供給される。どちらが供給されるかは、そのソース側選択トランジスタSSTrが選択ソース線SLに接続されているか、非選択ソース線に接続されているかに依存する。
メモリセルアレイは、複数のメモリセルブロックMCB<0>、MCB<1>、・・・MCB<j>を有しており、図8に示すように、メモリセルブロックMCB<0>、MCB<1>、・・・MCB<j>毎に、図7に示すようなロウデコーダ150、160が配設される。また、ソース線SL0〜SL3は、複数のメモリセルブロックMCB<0>、MCB<1>、・・・MCB<j>により共有されている。
次に、ワード線駆動回路13の具体的構成例を、図9を参照して説明する。この図9は、ワード線駆動回路13の構成のうち、データ消去動作を担当する部分を抜き出して図示したものである。この構成により、データ消去動作の際にワード線WL0〜3のうちの1
本のみを選択的に接地電圧VSSにし、その他はフローティング状態にすることができる。データ読み出し/書き込み動作のためのワード線駆動回路13の構成は、周知のものと同一でよいので、詳細な説明は省略する。
図10は、ソース線駆動回路17の具体的構成例を示している。この構成により、データ消去動作の際にソース線SL0〜3のうちの1本のみに選択的に消去電圧Vera1(20V程度)を供給し、その他には接地電圧VSSを供給することができる。
次に、ソース側選択ゲート線駆動回路14、及びドレイン側選択ゲート線駆動回路15の具体的構成例を、図11を参照して説明する。この図11も、データ消去のための回路構成を抜き出して記載したものであり、データ読み出し/書き込み動作のための構成は、周知のものが利用できるため説明は省略する。
この駆動回路は、図11の上段に示すように、駆動信号線SGDunsel、SGSunsel<0:1>の電圧を制御するための構成として、トランジスタ141,142、電圧発生回路143、トランジスタ144<0>、145<0>、及びトランジスタ145<1>、電圧発生回路146及びORゲート147を備えている。
作が行われるときには”L”とされ、それ以外のときは”H”とされる信号である。また、トランジスタ142は、電圧発生回路143の出力端子(出力電圧Vera4=16V程度)と駆動信号線SGDunselの間に接続され、そのゲートに供給される信号ERASEによりオン/オフ制御される。信号ERASEは、消去動作が行われるときには”H”とされ、それ以外のときは”L”とされる信号である。
次に、この実施の形態の不揮発性半導体記憶装置100の消去動作を、図12のタイミングチャートを参照して説明する。図12では、消去対象のメモリセルが存在する選択メモリセルブロック(Selected Block)及び、それ以外の非選択メモリセルブロック(Unselected Block)の動作を示している。
その後、時刻t4において、ドレイン側選択ゲート線SGD0〜3の電圧を上昇させる(SGD0は電圧Vera3=18V程度、SGD1〜3は電圧Vera4=16V程度)。GIDL電流がメモリストリングMSのボディ部を流れ、導通したドレイン側選択トランジスタSDTrを介してビット線BLまで到達すると、ビット線BLが高電位(例えば18V)まで充電される。このため、もしドレイン側選択ゲート線SGD0の電圧が低いと、ドレイン側選択トランジスタSDTrのゲート端でGIDL電流が発生する可能性がある。そこで、この第1の実施の形態では、時刻t4のタイミングで電圧Vera3をドレイン側選択ゲート線SGD0に印加して、これによりGIDL電流の発生を防止している。選択ゲート線SGD1〜3の電圧も、同様の理由により、ビット線BLの電圧が上記のように高電圧になることを考慮し、GIDL電流の発生を防止できるような電圧(例えば16V)に設定される。
a1まで上昇する時刻t2より前のタイミングの時刻t1において、ソース側選択ゲート線SGS0が電圧Vera3(18V程度)まで上昇する(その他のソース側選択ゲート線SGS1〜3は、接地電圧VSSに維持)。このため、非選択メモリセルブロックにおいては、GIDL電流は発生しない。このように、本実施の形態では、選択メモリセルブロック中の特定の1ページ(1本のワード線WLに沿って形成される複数(本例では4個)のメモリトランジスタMTr)のみに対し消去動作を実行し、その他のメモリトランジスタMTrのデータは消去せず維持することができる。従って、再書き込みを必要とするメモリトランジスタの数も減少し、結果として消去動作を高速に行うことが可能になる。
次に、本発明の第2の実施の形態の不揮発性半導体記憶装置100を、図13を参照して説明する。この実施の形態の不揮発性半導体記憶装置100は、第1の実施の形態と同様の駆動回路13、14、15、17を有している。
のメモリセルグループMCGroup<0>〜<3>の等価回路図である。
ビット線BL、ソース側選択ゲート線SGS、ドレイン側選択ゲート線SGDの構成は、第1の実施の形態の場合(1メモリセルブロック)と同様である。ただし、この実施の形態では、ワ〜ド線WL(WL0<0>〜WL3<3>)は、ロウ方向を長手方向とし、カラム方向において1列のメモリストリング毎に分割したストライプ形状(積層方向の断面に沿って4×4=16本設けられている)を有しており、この点第1の実施の形態とは異なっている。
ロウデコーダ150の構成は、トランジスタ154<1>〜154<16>の数が、ワード線WLの数(16個)に合わせて異なっている点を除き、第1の実施の形態と同様である。
図18は、複数のメモリセルブロックMCB<0>〜MCB<j>が存在する場合におけるロウデコーダ150、160の割り当て例を示している。ビット線BL0〜3、ソース線SL0〜3は複数のメモリセルブロックMCB<0>〜MCB<j>に共通に接続されている。このため、例えばメモリセルブロックMCB<0>内のメモリセルグループMCgroup<0>が消去対象として選択された場合、ソース線SL0に消去電圧が印加されるが、これにより、非選択のメモリセルブロックMCB<1>内のメモリセルグループMCGroup<0>にも、同様の消去電圧が印加される。しかし、各メモリセルブロックMCBの選択ゲート線SGS、SGDは、前述したように、他のメモリセルブロックMCBのそれとは独立に制御可能に構成されている。このため、後述する動作を行うことにより、非選択のメモリセルブロックMCB<1>内のメモリセルグループMCGroup<0>におけるデータ消去は回避可能とされている。
この図19のワード線駆動回路13は、図9と同様に、選択信号生成部121と、トランジスタ122とを備えている。選択信号生成部121は、複数のANDゲートの組み合わせからなる組み合わせ論理回路であり、4ビットのロウアドレス信号RA<2>〜<5
>及び/RA<2>〜/RA<5>に従い、16個のトランジスタ122のうちの1つをオンとし、他をオフに制御する機能を有する。これにより、駆動信号線VWL00〜33のうちの1つだけが接地電圧VSSとなり、その他はフローティング状態とされる。
次に、この実施の形態の不揮発性半導体記憶装置100の消去動作を、図20のタイミングチャートを参照して説明する。図20では、消去対象のメモリセルが存在する選択メモリセルブロック(Selected Block)及び、それ以外の非選択メモリセルブロック(Unselected Block)の動作を示している。
また、この時刻t2より所定時間遅れた時刻t3において、ソース側選択ゲート線SGS0のみが電圧Vera2まで上昇する。これにより、ソース線SL0に接続されたメモリセルグループMCGroup<0>内のメモリストリングMSには、GIDL電流が流れる。GIDL電流により、消去対象のページが位置するメモリストリングMSのボディ部は、電圧Vera2近くまで充電される。
その後、第1の実施の形態と同様に、時刻t4において、ドレイン側選択トランジスタSDTrでのGIDL電流の発生防止のため、ドレイン側選択ゲート線SGD0〜3の電圧が上昇する(SGD0は電圧Vera3、SGD1〜3は電圧Vera4)。
次に、本発明の第3の実施の形態の不揮発性半導体記憶装置100を、図21を参照して説明する。図21は、この第3の実施の形態のメモリ装置の、カラム方向に沿った断面図を示している。前述の実施の形態では、各メモリストリングMSが直線状(I字型)の柱状半導体CLmnを有し、この柱状半導体CLmnがボディ部となっている。これに対し、この第3の実施の形態は、メモリストリングMSのボディ部(第1半導体層)が、2本の柱状部CLmnと、これらを底部にて連結する連結部JPmnとからなるU字状の半導体層CLmnuを有している点で、前述の実施の形態と異なっている。
次に、本発明の第4の実施の形態の不揮発性半導体記憶装置100を、図22を参照して説明する。図22は、この第4の実施の形態のメモリ装置の、カラム方向に沿った断面図を示している。前述の実施の形態も、U字状の半導体層CLmnuを有している点で、第3の実施の形態と同様である。
Claims (5)
- 直列接続された複数のメモリトランジスタを含むメモリストリングと、
前記メモリストリングの一端に形成され前記メモリストリングを選択する場合に導通するドレイン側選択トランジスタと、
前記メモリストリングの他端に形成され前記メモリストリングを選択する場合に導通するソース側選択トランジスタと、
前記ドレイン側選択トランジスタの他端に接続され前記メモリトランジスタに書き込むべきデータに対応する電圧を供給されると共に前記メモリトランジスタから読み出された信号を読み出すビット線と、
前記ソース側選択トランジスタの他端に接続されるソース線と
前記メモリトランジスタ、前記ドレイン側選択トランジスタ、及び前記ソース側選択トランジスタを制御して前記メモリトランジスタの読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を実行する制御回路と
を備え、
前記メモリストリングは、
基板に対して垂直方向に延びる柱状部を有すると共に前記複数のメモリトランジスタのボディとして機能する第1半導体層と、
前記第1半導体層を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層を取り囲むように形成され、前記基板に対して平行に延びると共に複数層に亘り積層され前記複数のメモリトランジスタのゲートとして機能する第1導電層と
を備え、
前記ドレイン側選択トランジスタは、
前記第1半導体層の一端に接し前記基板に対して垂直方向に延びると共に前記ドレイン側選択トランジスタのボディとして機能する第2半導体層と、
前記第2半導体層を取り囲むように形成された第2ゲート絶縁層と、
前記第2ゲート絶縁層を取り囲み、前記基板に対して平行に延びると共に前記選択トランジスタのゲートとして機能する前記第2導電層と
を備え、
前記ソース側選択トランジスタは、
前記第1半導体層の他端に接し前記基板に対して垂直方向に延びると共に前記ソース側選択トランジスタのボディとして機能する第3半導体層と、
前記第3半導体層を取り囲むように形成された第3ゲート絶縁層と、
前記第3ゲート絶縁層を取り囲み、前記基板に対して平行に延びると共に前記ソース選択トランジスタのゲートとして機能する前記第3導電層と
を備え、
前記基板上に配列されたm行n列(m、nは2以上の整数)の前記第1半導体層が1つのメモリセルブロックを構成し、
前記第1導電層が、前記1つのメモリセルブロック内に配列された(m×n)個の前記第1半導体層毎に共通に接続され、
前記第2導電層が、1つの前記メモリセルブロック内において第1方向に沿って配列されたn個の前記第2半導体層毎に共通に接続され、
前記第3導電層が、1つの前記メモリセルブロック内において前記第1方向に沿って配列されたn個の前記第3半導体層毎に共通に接続され、
前記ビット線は、1つの前記メモリセルブロック内において前記第1方向とは直交する第2方向に沿って配列されたm個の前記第2半導体層に共通に接続され、
前記ソース線が、1つの前記メモリセルブロック内において第1方向に沿って配列されたn個の前記第3半導体層に共通に接続され、
前記制御回路は、1つの前記メモリセルブロック内においてデータ消去動作を行う場合において、
1つのメモリセルブロック内におけるm本の前記ソース線のうちの1つの選択ソース線に第1電圧を印加する一方、その他の前記ソース線には、前記データ消去動作の開始前の前記ソース線の電圧に等しい第2電圧を印加し、
続いて前記選択ソース線に接続された前記ソース側選択トランジスタの前記第3導電層に前記第1電圧よりも小さい第3電圧を前記第1電圧の印加よりも所定時間遅れて印加し、前記第1電圧と前記第3電圧との間の電位差により前記第3ゲート絶縁層近傍において正孔電流を発生させると共に、
消去対象の前記メモリトランジスタに接続される前記第1導電層に第4電圧を印加する一方、それ以外の前記第1導電層をフローティング状態とし、これにより、前記第1半導体層の電位と前記第1導電層の電位との間の電位差により前記電荷蓄積層の電荷を変化させる
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - データ消去動作を行う場合において、前記第2導電層は、第6電圧を印加されて、前記第2半導体層の電位と前記第2導電層の電位との間の電位差により、前記第2ゲート絶縁膜近傍において正孔電流が発生することを防止すると共に、前記ビット線はフローティング状態に維持されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記m本のソース線は、複数の前記メモリセルブロックにより共有されていると共に、
前記選択ソース線への前記第1電圧の印加に先立って、前記データ消去動作の対象として選択された前記メモリセルブロック以外のメモリセルブロック内に配設された前記第3導電層に、前記第1電圧よりも小さい第5電圧を印加することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 直列接続された複数のメモリトランジスタを含むメモリストリングと、
前記メモリストリングの一端に形成され前記メモリストリングを選択する場合に導通するドレイン側選択トランジスタと、
前記メモリストリングの他端に形成され前記メモリストリングを選択する場合に導通するソース側選択トランジスタと、
前記ドレイン側選択トランジスタの他端に接続され前記メモリトランジスタに書き込むべきデータに対応する電圧を供給されると共に前記メモリトランジスタから読み出された信号を読み出すビット線と、
前記ソース側選択トランジスタの他端に接続されるソース線と
前記メモリトランジスタ、前記ドレイン側選択トランジスタ、及び前記ソース側選択トランジスタを制御して前記メモリトランジスタの読み出し動作、書き込み動作及び消去動作を実行する制御回路と
を備え、
前記メモリストリングは、
基板に対して垂直方向に延びる柱状部を有すると共に前記複数のメモリトランジスタのボディとして機能する第1半導体層と、
前記第1半導体層を取り囲むように形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層を取り囲むように形成され、前記基板に対して平行に延びると共に複数層に亘り積層され前記複数のメモリトランジスタのゲートとして機能する第1導電層と
を備え、
前記ドレイン側選択トランジスタは、
前記第1半導体層の一端に接し前記基板に対して垂直方向に延びると共に前記ドレイン側選択トランジスタのボディとして機能する第2半導体層と、
前記第2半導体層を取り囲むように形成された第2ゲート絶縁層と、
前記第2ゲート絶縁層を取り囲み、前記基板に対して平行に延びると共に前記選択トランジスタのゲートとして機能する前記第2導電層と
を備え、
前記ソース側選択トランジスタは、
前記第1半導体層の他端に接し前記基板に対して垂直方向に延びると共に前記ソース側選択トランジスタのボディとして機能する第3半導体層と、
前記第3半導体層を取り囲むように形成された第3ゲート絶縁層と、
前記第3ゲート絶縁層を取り囲み、前記基板に対して平行に延びると共に前記ソース選択トランジスタのゲートとして機能する前記第3導電層と
を備え、
前記基板上にm行n列(m、nは2以上の整数)に配列された(m×n)個の前記第1半導体層が1つのメモリセルグループを構成し、
前記第1導電層が、1つの前記メモリセルグループ内において第1方向に沿って並ぶn個の前記第1半導体層に共通に接続され、
前記第2導電層が、1つの前記メモリセルグループ内において第1方向に沿って配列されたn個の前記第2半導体層に共通に接続され、
前記第3導電層が、1つの前記メモリセルグループ内において前記第1方向に沿って配列されたn個の前記第3半導体層に共通に接続され、
前記ビット線が、1つの前記メモリセルグループ内において前記第1方向とは直交する第2方向に沿って配列されたm個の前記第2半導体層に共通に接続され、
前記ソース線が、1つの前記メモリセルグループ内において(m×n)個の前記第3半導体層に共通に接続され、
前記制御回路は、1つの前記メモリセルグループ内においてデータ消去動作を行う場合において、
消去対象の前記メモリトランジスタが存在する前記メモリセルグループに配設された前記ソース線に第1電圧を印加し、
続いて、1つの前記メモリセルグループ内のm本の前記第3導電層のうち、消去対象の前記メモリトランジスタに対応する前記ソース側選択トランジスタに接続された前記第3導電層に前記第1電圧よりも小さい第2電圧を前記第1電圧の印加よりも所定時間遅れて印加し、前記第1電圧と前記第2電圧との間の電位差により前記第3ゲート絶縁層近傍において正孔電流を発生させる一方、その他の第3導電層には前記データ消去動作開始前の前記第3導電層の電圧に等しい第3電圧を印加すると共に、
消去対象の前記メモリトランジスタに接続される前記第1導電層に第4電圧を印加する一方、それ以外の前記第1導電層をフローティング状態とし、これにより、前記第1半導体層の電位と前記第1導電層の電位との間の電位差により前記電荷蓄積層の電荷を変化させる
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - データ消去動作を行う場合において、前記第2導電層は、第6電圧を印加されて、前記第2半導体層の電位と前記第2導電層の電位との間の電位差により、前記第2ゲート絶縁膜近傍において正孔電流が発生することを防止すると共に、前記ビット線はフローティング状態に維持されることを特徴とする請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009070533A JP4856203B2 (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US12/718,353 US8203882B2 (en) | 2009-03-23 | 2010-03-05 | Non-volatile semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009070533A JP4856203B2 (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010225222A JP2010225222A (ja) | 2010-10-07 |
JP4856203B2 true JP4856203B2 (ja) | 2012-01-18 |
Family
ID=42737474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009070533A Active JP4856203B2 (ja) | 2009-03-23 | 2009-03-23 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8203882B2 (ja) |
JP (1) | JP4856203B2 (ja) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9378831B2 (en) | 2010-02-09 | 2016-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same |
KR101691088B1 (ko) | 2010-02-17 | 2016-12-29 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR101658479B1 (ko) | 2010-02-09 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
KR101691092B1 (ko) | 2010-08-26 | 2016-12-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 |
US8908431B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Control method of nonvolatile memory device |
JP5788183B2 (ja) | 2010-02-17 | 2015-09-30 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 不揮発性メモリ装置、それの動作方法、そしてそれを含むメモリシステム |
US8923060B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices and operating methods thereof |
JP2011170956A (ja) | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置およびそのプログラム方法と、それを含むメモリシステム |
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JP2012069606A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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JP2012119013A (ja) | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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US10083982B2 (en) * | 2016-11-17 | 2018-09-25 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device having select gate electrode that is thicker than word lines and method of making thereof |
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US10614862B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-04-07 | Micron Technology, Inc. | Assemblies comprising memory cells and select gates |
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US11164879B2 (en) | 2018-11-16 | 2021-11-02 | International Business Machines Corporation | Microelectronic device with a memory element utilizing stacked vertical devices |
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US10847526B1 (en) | 2019-07-26 | 2020-11-24 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices and electronic systems |
US11450381B2 (en) | 2019-08-21 | 2022-09-20 | Micron Technology, Inc. | Multi-deck memory device including buffer circuitry under array |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2009
- 2009-03-23 JP JP2009070533A patent/JP4856203B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-05 US US12/718,353 patent/US8203882B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010225222A (ja) | 2010-10-07 |
US20100238732A1 (en) | 2010-09-23 |
US8203882B2 (en) | 2012-06-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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