JP4850223B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
特許文献2では、半導体プロセスからの排出ガス中のCF4、SF6等のフッ素系物質をポリマー膜で分離し回収している。
大気圧近傍下においてフッ素系原料を含むプロセスガスをプラズマ化し(分解、励起、活性化、イオン化を含む)、被処理物に接触させ、被処理物を表面処理する処理工程と、
前記処理工程後の前記プロセスガス及び前記処理工程を行った場所の雰囲気ガスを含んで前記プロセスガスの流量より大きい流量の排出ガスを、分離膜によって、フッ素系原料が100%未満に濃縮された回収ガスと、フッ素系原料が希釈された放出ガスとに分離する分離工程と、
前記回収ガスを前記プロセスガスの少なくとも一部に充てる再利用工程と、
を実行し、前記分離工程において、前記排出ガス中のフッ素系原料が前記回収ガスとして回収される率(以下「回収率」と称す)及び前記回収ガス中のフッ素系原料の濃度(以下「回収濃度」と称す)のうち何れか一方又は両方が所望になるよう、回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも2つのガスの前記分離に係る物理量を前記プロセスガスの流量及び関係データに基づいて調節し、前記関係データが、前記回収率及び回収濃度の一方又は両方が所望になるための前記プロセスガスの流量と前記物理量との関係を表すデータであり、前記物理量が、前記少なくとも2つのガスの圧力、流速、流量、又は温度であることを特徴とする。
本発明方法に係る大気圧プラズマ処理によれば、排出ガス中のフッ素系原料を回収し、プロセスガスとして再利用できる。したがって、ランニングコストを抑えることができ、かつ環境負荷を低減できる。よって、真空プラズマ処理と比較した利点(価格の低廉化、処理能力の増大等)を十分に生かすことができる。さらには、前記調節動作により、回収率又は回収濃度の変動を抑制でき、処理の安定性を確保できる。回収ガスの精製が不要であり、価格上昇を防止でき、かつ回収率の悪化を回避できる。
「フッ素系原料が100%未満に濃縮された回収ガス」とは、回収ガスがフッ素系原料のみではなく、フッ素系原料以外の不純物を低濃度含有することを意味する。
前記分離に係る物理量として、回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも2つのガスの圧力、流速、流量、温度等が挙げられる。
好ましくは、前記物理量は、圧力である。これにより、前記分離作用を確実に制御できる。圧力は、各ガスの個々の圧力でもよく、ガスどうし間の差圧でもよい。
前記2つのガスが、回収ガスと放出ガスであることが、更に好ましい。これにより、回収率又は回収濃度の変動を一層確実に抑制でき、処理の安定性を一層確実に確保できる。
前記2つのガスが、回収ガスと排出ガスであってもよく、放出ガスと排出ガスであってもよい。
回収ガス、放出ガス、排出ガスの3つのガスの前記物理量を調節することにしてもよい。或いは、回収ガス、放出ガス、排出ガスの何れか1つだけの前記物理量を調節することにしてもよい。
これにより、環境負荷を確実に低減できる。
これにより、処理の安定性を確実に確保できる。
これにより、回収濃度が変動しても、或いは実際の分解率が変動しても、処理の安定性を確保できる。
前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が、フッ化水素生成のための水の添加量を基準とした化学量論的必要量であって前記プラズマ化時の分解率を考慮した化学量論的必要量より過剰になるよう、前記回収濃度の所望値を設定し、かつ前記プロセスガスの流量を設定することが好ましい。
これにより、回収濃度が変動しても、或いは実際の分解率が変動しても、処理の安定性を確実に確保できる。水の添加量を調節することにより、フッ化水素の生成量を調節でき、ひいては処理の度合いを調節できる。プロセスガスの流量を高精度に制御する必要がない。
これにより、表面処理で消費された分のフッ素系原料を補うことができる。或いは、放出ガスに含有されて系外に放出された分のフッ素系原料を補うことができる。ひいては、系を定常的に運転できる。前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が前記化学量論的必要量以上になるよう、又は前記化学量論的必要量より過剰になるようにする場合、前記補充量をも考慮することが好ましい。
大気圧近傍下においてフッ素系原料を含むプロセスガスをプラズマ化し被処理物に接触させ、被処理物を表面処理する処理部と、
前記表面処理後の前記プロセスガス及び前記処理部内の雰囲気ガスを含んで前記プロセスガスの流量より大きい流量の排出ガスを、分離膜によって、フッ素系原料が100%未満に濃縮された回収ガスと、フッ素系原料が希釈された放出ガスとに分離する分離部と、
前記回収ガスを前記プロセスガスの少なくとも一部に充てる再利用部と、
前記プロセスガスの流量を制御する流量制御手段と、
前記回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも2つのガスの前記分離に係る物理量であって前記少なくとも2つのガスの圧力、流速、流量、又は温度を調節する調節手段と、
前記調節手段のための調節制御手段と、
を備え、前記調節制御手段が、前記排出ガス中のフッ素系原料が前記回収ガスとして回収される率(以下「回収率」と称す)及び前記回収ガス中のフッ素系原料の濃度(以下「回収濃度」と称す)のうち何れか一方又は両方が所望になるための前記プロセスガス流量と前記物理量との関係を表すデータを格納したデータ格納部を有し、前記流量制御手段による制御流量(制御目標値でもよく制御した結果の流量でもよい)と前記関係データとに基づいて前記調節手段を制御することを特徴とする。
本発明に係る大気圧プラズマ処理装置によれば、排出ガス中のフッ素系原料を回収し、プロセスガスとして再利用できる。したがって、ランニングコストを抑えることができ、かつ環境負荷を低減できる。よって、真空プラズマ処理装置と比較した利点(価格の低廉化、処理能力の増大等)を十分に生かすことができる。さらには、回収率又は回収濃度の変動を抑制でき、処理の安定性を確保できる。回収ガスの精製が不要であり、価格上昇を防止でき、かつ回収率の悪化を回避できる。
これにより、前記分離部での分離作用を確実に制御でき、処理の安定性を確実に確保できる。この場合、前記物理量は、前記2つのガスの圧力になる。前記関係データは、前記プロセスガス流量と前記2つのガスの圧力との関係を表すデータであることが好ましい。
これにより、前記分離部での分離作用を一層確実に制御でき、処理の安定性を一層確実に確保できる。この場合、前記物理量は、回収ガス及び放出ガスの圧力になる。前記関係データは、前記プロセスガス流量と回収ガス及び放出ガスの圧力との関係を表すデータであることが好ましい。前記関係データが、前記プロセスガス流量と回収ガスの圧力との関係を表すデータと、回収ガスの圧力と放出ガスの圧力との関係を表すデータを含んでいてもよい。前記関係データが、前記プロセスガス流量と放出ガスの圧力との関係を表すデータと、回収ガスの圧力と放出ガスの圧力との関係を表すデータを含んでいてもよい。
これにより、環境負荷を確実に低減できる。
これにより、処理の安定性を確実に確保できる。
これにより、回収濃度が変動しても、或いは実際の分解率が変動しても、処理の安定性を確保できる。
前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が、フッ化水素生成のための水の添加量を基準とした化学量論的必要量であって前記プラズマ化時の分解率を考慮した化学量論的必要量より過剰になるよう、前記流量制御手段による制御流量が設定され、かつ前記関係データが設定されていることが好ましい。
これにより、回収濃度が変動しても、或いは実際の分解率が変動しても、処理の安定性を確実に確保できる。水の添加量を調節することにより、フッ化水素の生成量を調節でき、ひいては処理の度合いを調節できる。プロセスガスの流量を高精度に制御する必要がない。
これにより、表面処理で消費された分のフッ素系原料を補うことができる。或いは、放出ガスに含有されて系外に放出された分のフッ素系原料を補うことができる。ひいては、プラズマ処理装置を定常的に運転できる。前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が前記化学量論的必要量以上になるよう、又は前記化学量論的必要量より過剰になるようにする場合、前記補充量をも考慮することが好ましい。
これによって、回収濃度を高めることができる。
これにより、複数の被処理物を容易に連続的にチャンバーに搬入して表面処理し、その後、搬出できる。
前記排出ガスに含まれる前記雰囲気ガスが、前記チャンバー内から吸引したものであってもよい。雰囲気ガスを含む排出ガスからフッ素系原料を分離回収できる。排出ガスの流量は、プロセスガスの流量より大きい。排出ガス中の処理済みのプロセスガスが少量であり、雰囲気ガスが多量であってもよい。前記回収ガスが少量であり、前記放出ガスが多量であってもよい。
図1は、第1実施形態を示したものである。被処理物9は、例えばフラットパネルディスプレイ用のガラス基板である。図示は省略するが、被処理物9にアモルファスシリコンの膜が形成されている。この膜を大気圧プラズマ処理装置1によってエッチングする。エッチング対象膜は、アモルファスシリコンに限られず、単結晶シリコンであってもよく、多結晶シリコンであってもよい。
マスフローコントローラ21を流れるプロセスガスは略全体がCF4で占められている。従って、マスフローコントローラ21は、CF4の流量を検知するマスフローコントローラであってもよい。
CF4 + 2H2O → 4HF + CO2 (式1)
以下、プラズマ化後のプロセスガスを適宜「プラズマガス」と称す。
なお、図示は省略するが、プラズマヘッド11のプロセスガス吹出口の近傍に吸引口が設けられ、この吸引口から吸引路が延びている。吸引路は、排出ガスライン30に合流されている。
[関係取得工程]
被処理物9の表面処理に先立ち、プロセスガス流量と膜分離に係る物理量との関係データ(図2)を取得しておく。
関係取得工程では、排出ガスライン30と放出ガスライン60にそれぞれ濃度検出器を設ける。濃度検出器として、例えばフーリエ変換赤外線分光分析器(FTIR)を用いるとよい。そして、大気圧プラズマ処理装置1を仮運転する。この仮運転での処理部2や分離部4等の動作は後記の処理工程等と同様である。また、被処理物9と同じサンプルを用いて表面処理する。そして、上記濃度検出器を用いて、排出ガス中のCF4濃度pAと、放出ガス中のCF4濃度pBを検出する。これら検出濃度pA,pBから、排出ガス中のCF4が回収ガスとして回収される割合すなわちCF4の回収率を算出する。放出ガスの流量が排出ガスの流量と殆ど同じであることから、回収率=(pA−pB)/pAと近似できる。
さらに、回収CF4濃度の所望値は、プロセスガスが下記の式2を満たすように設定するのが好ましく、式3を満たすように設定するのがより好ましい。
(mF×p)≧(mH/2)×(1/ε) (式2)
(mF×p)>>(mH/2)×(1/ε) (式3)
式3の>>は、左辺の値(mF×p)が右辺の値(mH/2)×(1/ε)より十分大きい(過剰である)ことを意味する。ここで、mFは、マスフローコントローラ21におけるプロセスガス全体の流量である。pは、上記プロセスガスのCF4濃度である。したがって、式2及び式3の左辺の値(mF×p)は、プロセスガス中のCF4のモル流量である。mHは、水添加ライン23によるH2Oの添加量(モル流量)である。式1に示したように、HF生成に係るCF4とH2Oのモル比はCF4:H2O=1:2であるから、(mH/2)は、H2Oの添加量を基準とするHF生成のためのCF4の化学量論的必要量である。εは、大気圧放電空間11aでのCF4の分解率である。一般にε=0.1程度である。したがって、式2及び式3の右辺の値(mH/2)×(1/ε)は、更に大気圧放電空間11aでの分解率を考慮したCF4の化学量論的必要量である。
その後、実際の被処理物9の表面処理を行なう。
コンベア13を駆動し、コンベア13の搬送方向の上流端(図1において左端)に複数の被処理物9を順次載置する。各被処理物9は、搬入口12aを通してチャンバー12内に搬入される。
大気圧下での処理であるため、複数の被処理物9を連続的にチャンバー12内に搬入し、エッチングし、搬出できる。したがって、被処理物の搬入、搬出ごとにチャンバー内の圧力調節が必要な真空プラズマ処理と比較して、処理量を大幅に向上できる。
さらに、チャンバー12内のガスを吸引し、排出ガスとして排出ガスライン30に導出する。排出ガスには、SiF4、HF、O3、O2、CF4、Ar、H2O等の処理済みガス成分の他、チャンバー12内の雰囲気ガス(空気)が多量に含まれている。排出ガス流量は、プロセスガス流量より十分に大きく、例えばマスフローコントローラ21におけるプロセスガス流量が0.8〜1.6slmのとき、排出ガス流量は200slmである。チャンバー12の外部からは排出ガスライン30に吸引された分の空気が搬入出口12a,12bを通ってチャンバー12の内部に流入する。
その後、圧縮機34で排出ガスを加圧し分離部4へ圧送する。また、吸引ポンプ63で放出ガスライン60ひいては各分離器40の第2室42内を吸引する。排出ガスは、分離部4の各段の分離膜43によって第1室41にとどまるガスと、分離膜43を透過して第2室42に移るガスとに分離される。第1室41にとどまるガスはCF4が濃縮されている。このガスを後段の分離器40の第1室41に順次送り、CF4を十分に濃縮し、最終段の第1室41から回収ガスとして回収ガスライン50に導出する。
すなわち、圧力計51で回収ガス圧を検出する。圧力計61で放出ガス圧を検出する。これら検出値を調節制御手段70に入力する。さらに、マスフローコントローラ21によるプロセスガスの制御流量を調節制御手段70に入力する。上記制御流量は、マスフローコントローラ21で制御した結果の流量とするが、上記流量入力部で設定した制御目標値でもよい。調節制御手段70は、圧力計51,61の検出圧力がそれぞれプロセスガス流量に応じた所定の値になるよう、内蔵ROM71の関係データを用いて圧力制御弁52,62を制御する。
回収ガスは、混合タンク53に送られる。併せて、CF4補充部54からCF4の純ガスが混合タンク53に送られる。これら回収ガスとCF4の純ガスとが混合タンク53内で混合される。これにより、エッチング処理で消費された分のCF4を補うことができる。或いは、後記の放出工程で系外に放出された分のCF4を補うことができる。ひいては、プラズマ処理装置1を定常的に運転できる。
放出ガスは、除害装置64へ送られ、除害装置64で除害された後、大気に放出される。分離部4でCF4を十分に回収し、放出ガス中のCF4量を十分に小さくしてあるため、CF4の環境放出許容量を満たすことができ、環境負荷を低減できる。
回収によってCF4のトータルの使用量を低減でき、ランニングコストを確実に抑えることができる。
プロセスガスをCF4リッチにすることで、不純物が多少混入していても、更にはCF4濃度が多少変動しても処理に影響が出ないようにすることができる。したがって、プロセスガスの流量を高精度に制御する必要がない。回収ガスを精製する必要もない。よって、精製装置が不要であり、設備コストを低廉化できる。また、精製によるCF4の回収率低下を招くこともない。
第1実施形態では、回収ガス圧と放出ガス圧を制御していたが、これに代えて、回収ガス圧と排出ガス圧を制御することにしてもよい。
図3に示すように、第2実施形態では、放出ガスライン60に圧力計61及び圧力制御弁62が設けられていない。これに代えて、排出ガスライン30のオゾンキラー33と圧縮機34の間に排出ガスバッファタンク35が設けられている。排出ガスは、バッファタンク35に一旦溜められた後、圧縮機34で分離部4へ圧送される。
これにより、第1実施形態と同様に、回収率又は回収CF4濃度の変動を抑制でき、処理の安定性を確保できる。
例えば、分離部4での分離に係る物理量として、圧力に代えて、各ガスの流速、流量、温度を調節することにしてもよい。
物理量調節の対象となるガスは、回収ガスと放出ガス(第1実施形態)又は回収ガスと排出ガス(第2実施形態)に代えて、排出ガス及び放出ガスでもよい。回収ガスと放出ガスと排出ガスの3つのガスの物理量を調節することにしてもよい。回収ガス、放出ガス、排出ガスの何れか1つだけの物理量を調節することにしてもよい。
関係取得工程で、プロセスガス流量に応じて上記物理量が連続的に変化する関係データを作成してデータ格納部71に格納し、この関係データに基づいて上記物理量の調節を行うことにしてもよい。
分離に係る物理量を、プロセスガスの流量に代えて排出ガスの流量に応じて調節してもよい。
所望の回収率又は濃度に応じて、各分離器40間の連結路44の圧力を調節してもよい。
分離部4の分離器40は、実施形態では直列に3つ接続し3段構成にしてあるが、排出ガス若しくは回収ガスの流量、回収率、または回収濃度等に応じて分離器40の段数を適宜増減させてもよく、分離器40を並列に接続してもよく、直列接続と並列接続を組み合わせてもよい。
被処理物9が位置固定され、この被処理物9に対し大気圧プラズマヘッド11が移動するようになっていてもよい。
CF4流量が最小から増大するにしたがってエッチングレートが高くなった。CF4流量が約0.1slm以上ではエッチングレートが略一定になった。したがって、エッチングレートが安定化するためのCF4流量の必要量が上記計算値と一致した。
2 大気圧プラズマ処理部
4 分離部
5 再利用部
9 被処理物
11 大気圧プラズマヘッド
11a 大気圧放電空間
12 チャンバー
12a 搬入口(開口)
12b 搬出口(開口)
13 コンベア(被処理物搬送手段、被処理物支持手段)
20 プロセスガスライン
21 マスフローコントローラ(流量制御手段)
22 不活性ガス供給ライン
23 水添加手段
24 酸化性ガス供給ライン
25 オゾナイザー
30 排出ガスライン
31 スクラバー
32 ミストトラップ
33 オゾンキラー
34 圧縮機
35 排出ガスバッファタンク
36 戻し路
37 排出ガス圧力計(排出ガス物理量検出手段)
38 圧力制御弁(排出ガス圧調節手段)
40 分離器
41 第1室
42 第2室
43 分離膜
44 連結路
50 回収ガスライン
51 回収ガス圧力計(回収ガス物理量検出手段)
52 圧力制御弁(回収ガス圧調節手段)
53 混合タンク
54 フッ素系原料補充部
60 放出ガスライン
61 放出ガス圧力計(放出ガス物理量検出手段)
62 圧力制御弁(放出ガス圧調節手段)
63 吸引ポンプ
64 除害装置
70 調節制御手段
71 関係データ格納部
Claims (20)
- 大気圧近傍下においてフッ素系原料を含むプロセスガスをプラズマ化し被処理物に接触させ、被処理物を表面処理する処理工程と、
前記処理工程後の前記プロセスガス及び前記処理工程を行った場所の雰囲気ガスを含んで前記プロセスガスの流量より大きい流量の排出ガスを、分離膜によって、フッ素系原料が100%未満に濃縮された回収ガスと、フッ素系原料が希釈された放出ガスとに分離する分離工程と、
前記回収ガスを前記プロセスガスの少なくとも一部に充てる再利用工程と、
を実行し、前記分離工程において、前記排出ガス中のフッ素系原料が前記回収ガスとして回収される率(以下「回収率」と称す)及び前記回収ガス中のフッ素系原料の濃度(以下「回収濃度」と称す)のうち何れか一方又は両方が所望になるよう、回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも2つのガスの前記分離に係る物理量を前記プロセスガスの流量及び関係データに基づいて調節し、前記関係データが、前記回収率及び回収濃度の一方又は両方が所望になるための前記プロセスガスの流量と前記物理量との関係を表すデータであり、前記物理量が、前記少なくとも2つのガスの圧力、流速、流量、又は温度であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記物理量が、圧力であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記2つのガスのうち1つが、前記回収ガスであることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記2つのガスが、回収ガスと放出ガスであることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記関係データを取得する関係取得工程を、前記処理工程に先立って実行することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記回収率の所望値を、前記放出ガス中のフッ素系原料が放出許容量以下になるよう設定することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記回収濃度の所望値を、前記回収ガスの不純物濃度が前記処理工程での不純物許容量以下になるよう設定することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が、前記表面処理の反応成分を生成するための化学量論的必要量であって前記プラズマ化時の分解率を考慮した化学量論的必要量以上になるよう、前記回収濃度の所望値を設定し、かつ前記プロセスガスの流量を設定することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理工程で前記プロセスガスに水を添加し、前記フッ素系原料と水のプラズマ化により前記表面処理の反応成分としてフッ化水素が生成され、
前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が、フッ化水素生成のための水の添加量を基準とした化学量論的必要量であって前記プラズマ化時の分解率を考慮した化学量論的必要量より過剰になるよう、前記回収濃度の所望値を設定し、かつ前記プロセスガスの流量を設定することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。 - 前記再利用工程において、前記回収ガスに前記フッ素系原料を一定量補充することを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載のプラズマ処理方法。
- 大気圧近傍下においてフッ素系原料を含むプロセスガスをプラズマ化し被処理物に接触させ、被処理物を表面処理する処理部と、
前記表面処理後の前記プロセスガス及び前記処理部内の雰囲気ガスを含んで前記プロセスガスの流量より大きい流量の排出ガスを、分離膜によって、フッ素系原料が100%未満に濃縮された回収ガスと、フッ素系原料が希釈された放出ガスとに分離する分離部と、
前記回収ガスを前記プロセスガスの少なくとも一部に充てる再利用部と、
前記プロセスガスの流量を制御する流量制御手段と、
前記回収ガス、放出ガス、排出ガスのうち少なくとも2つのガスの前記分離に係る物理量であって前記少なくとも2つのガスの圧力、流速、流量、又は温度を調節する調節手段と、
前記調節手段のための調節制御手段と、
を備え、前記調節制御手段が、前記排出ガス中のフッ素系原料が前記回収ガスとして回収される率(以下「回収率」と称す)及び前記回収ガス中のフッ素系原料の濃度(以下「回収濃度」と称す)のうち何れか一方又は両方が所望になるための前記プロセスガス流量と前記物理量との関係を表すデータを格納したデータ格納部を有し、前記流量制御手段による制御流量と前記関係データとに基づいて前記調節手段を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記調節手段が、前記2つのガスの圧力を調節するガス圧調節手段を含むことを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。
- 前記調節手段が、回収ガスの圧力を調節する回収ガス圧調節手段と、放出ガスの圧力を調節する放出ガス圧調節手段とを含むことを特徴とする請求項11又は12に記載のプラズマ処理装置。
- 前記関係データが、前記放出ガス中のフッ素系原料が放出許容量以下となる回収率になるよう設定されていることを特徴とする請求項11〜13の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記関係データが、前記回収ガスの不純物濃度が前記処理部での不純物許容量以下となる回収濃度になるよう設定されていることを特徴とする請求項11〜14の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が、前記表面処理の反応成分を生成するための化学量論的必要量であって前記プラズマ化時の分解率を考慮した化学量論的必要量以上になるよう、前記流量制御手段による制御流量が設定され、かつ前記関係データが設定されていることを特徴とする請求項11〜15の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プロセスガスに水を添加する添加手段を更に備え、前記フッ素系原料と水のプラズマ化により前記表面処理の反応成分としてフッ化水素が生成され、
前記プロセスガス中のフッ素系原料の量が、フッ化水素生成のための水の添加量を基準とした化学量論的必要量であって前記プラズマ化時の分解率を考慮した化学量論的必要量より過剰になるよう、前記流量制御手段による制御流量が設定され、かつ前記関係データが設定されていることを特徴とする請求項11〜16の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記回収ガスにフッ素系原料を一定量補充する補充部が、前記再利用部に接続されていることを特徴とする請求項11〜17の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記分離部が、複数段の分離器を有し、各分離器が分離膜によって第1室と第2室とに仕切られ、前記排出ガスが第1段の第1室に導入され、複数段の第1室が直列に連なり、最終段の第1室から回収ガスが導出され、各段の第2室から放出ガスが導出されることを特徴とする請求項11〜18の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理部が、大気圧環境に常時開放された開口を有するチャンバーを含み、前記開口が被処理物の搬入口又は搬出口になり、前記排出ガスに含まれる前記雰囲気ガスが、前記チャンバー内から吸引したものであることを特徴とする請求項11〜19の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
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