JP4848758B2 - 絶縁性金属層付き非接触icタグ - Google Patents
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Description
本発明の絶縁性金属層付き非接触ICタグは、通常の非接触ICタグとして用いられるが、特に金属調の装飾効果が求められる用途に好適に利用できるものである。
本発明の技術分野は非接触ICタグの製造や利用に関し、当該非接触ICタグの主要な利用分野は、運送や流通、販売管理、工場工程管理、商品の配送や荷物の取り扱いの分野であり、具体的な用途としては荷札、ラベル、伝票、チケット類、となる。
しかし、従来、金属調の美麗な光沢を有する非接触ICタグが需められる場合があっても、基材にアルミ箔のような金属材料を使用したり、通常の金属蒸着した材料を使用すると通信阻害が生じ実用性のある非接触ICタグが得られないことが知られている。
または他の原因として、導体材料からなるアンテナまたはコイルと金属層との間でコンデンサを形成し、それによって生じる浮遊容量が、アンテナまたはコイルによるインダクタンスと固有のコンデンサによる共振周波数を変移させることも考えられる。
本発明の絶縁性金属層付き非接触ICタグは、表面に金属蒸着層を設けた場合、隠蔽性と光反射性を有し、物品表面に貼着して物品の意匠性を高め、非接触ICタグの位置を明示できる。
金属蒸着層は、一般に薄層からなるので、アルミ箔を使用する場合よりも金属使用量の低減を図ることができ、しかも同等の金属光沢感や意匠効果が得られる。
図1は、絶縁性金属層付き非接触ICタグの第1の例を示す平面図、図2は、図1の断面図、図3は、同第2の例を示す断面図、図4は、同第3の例を示す断面図、図5は、同第4の例を示す断面図、図6は、絶縁性金属蒸着層の構造を説明する模式平面図、図7は、絶縁性金属蒸着層の模式断面図、図8は、巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。
本発明の絶縁性金属層付き非接触ICタグ1は、図1のようにベースフィルム11面に導体アンテナパターン2を形成し、アンテナパターン2の両端部2a,2bにICチップ3を装着している。アンテナパターン2は電磁誘導型のコイル状のものを図示しているが、パッチアンテナやダイポール型アンテナであっも良く形状には左右されない。
図1中、符号10を付した部材はコイルの一端をベースフィルム11の背面を通して端部2aに導く導通部材である。ICチップ3は、通常のように非接触通信機能部と制御部および情報記憶のためのメモリを備えるものである。これらおよび回路の浮遊容量等の容量素子により、所定の共振周波数を生じる非接触ICタグ回路が形成されている。
図3の場合、金属蒸着層6mは、表面基材4の最表面にあるが、表面基材4のアンテナパターン2面側にあっても構わない。最表面の場合、表面基材4は不透明な紙であっても良いが、アンテナパターン2面側が金属蒸着層6mである場合、表面基材4は透明なプラスチックフィルムを使用しなければならない。表面から金属蒸着層6mを視認できるようにするためである。ベースフィルム11の下面には、非接触ICタグ1を物品に貼着するための粘着剤層7を有し、剥離紙8で保護されているのが通常である。
図3の例では、表面には金属蒸着層6mだけが図示されているが、装飾的な印刷図柄を金属蒸着層6m上に併用できることは勿論のことである。この場合は、意匠性を一層高いものとすることができる。図1〜図3の例は、請求項1または請求項4記載の発明に該当することになる。
図4の場合、透明ベースフィルム11のアンテナパターン2の反対側面に、金属蒸着層6mが直接形成され、当該金属蒸着層6mが絶縁性になっている特徴がある。この場合は、図2のように基材6を設ける必要はなく、コストの低減を図れる。
表面基材4は透明プラスチックフィルムを使用する。透明ベースフィルム11の金属蒸着層6mの下面には、非接触ICタグ1を物品に貼着するための粘着剤層7を有し、剥離紙8で保護されているのが通常である。
図4の場合の平面図は、図1と同様に現れる。図4の例は、請求項2または請求項5記載の発明に該当することになる。
図5の場合、表面基材4の面に接着剤層5cを介して、第2の表面基材9を積層している。そしてその第2の表面基材9に絶縁性の金属蒸着層6mが形成されている。図5では、第2の表面基材9の最外面に金属蒸着層6mが形成されているが、第2の表面基材9が透明であれば表面基材4側が金属蒸着層6mであってもよい。この第4の例の実施形態は、通常の非接触ICタグが完成した後に、金属蒸着層6mを有する第2の表面基材9を貼着することにより完成する。この場合の平面外観は、図3の第2の例と同様に現れる。
図5の例は、請求項3または請求項6の発明に該当することになる。
ただし、島サイズや島間間隔といっても、正しく島と島の間に溝が形成されてはいないで、肉眼でも顕微鏡でも明瞭に識別できない場合もある。その場合には、図7の断面図で示すように、島6a部分は金属が密な状態で厚く積層されており、島間6bにも金属が粗な構造ではあるが積層されている状態にある。島と島の間の粗な構造部分は結晶粒界(グレインバウンダリー)となる部分であり、電気的にも抵抗値が大きくなっている。
島6a自体にも粗密があり抵抗値にもばらつきがあって、導電性ではない場合もある。従って、島間の間隔が明瞭でない場合は、島間の間隔6bとは島間の粗な構造部分(結晶粒界またはグレインバウンダリー)と解するのが適当である。
一般に融点の低い金属や貴金属は制御が比較的容易であり、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)、の単体金属またはその群から選ばれた二種以上の金属からなる合金、または錫−アルミニウム(Sn−Al)、錫−珪素(Sn−Si)が用いられるが、中でも錫(Sn)は特に容易である。錫−アルミニウムの蒸着は、錫とアルミニウムの単体金属を別個のるつぼに入れて蒸気化し、基材上で合金として蒸着させることができる。錫−珪素も同様である。
アルミニウムは金属光沢に優れるが、アルミニウム自体の単体金属は、表面エネルギーが高く基板上でマイグレーションが生じやすく、島状蒸着になり難い金属材料になる。
表面抵抗率の調整は直接蒸着の場合は、蒸着速度や蒸着時間による膜厚で調整する。
表面基材4や第2の表面基材9、基材6には、プラスチックフィルムや紙基材を使用する。ベースフィルム11は絶縁性が必要であり、プラスチックフィルムが好ましく使用される。プラスチックフィルムに対する蒸着は容易に行われるが、紙基材に対する蒸着では、通常以下のような問題がある。
(1)紙に含まれている水分により蒸着時に真空度が上がらないため、コンデンサーペーパのように水分の少ない特殊紙を除いては紙に処理を施す必要があり、プラスチックフィルムのようにそのままでは蒸着できない。
(2)通常の紙の場合、蒸着する前に紙を乾燥する必要があるが長時間を要するので大幅なコストアップになる。また、乾燥すると、紙本来の性質が失われるので、蒸着後に水分量を調整する必要が生じる。
(3)紙表面は粗であり、蒸着粒子が紙層内に入り込んでしまうので、蒸着前に紙表面にアンダーコートを施す必要が生じる。
紙に直接蒸着する場合は、基材の前処理→乾燥→真空蒸着→後処理→加湿→蒸着製品→印刷→裁断、の工程を行う。基材の前処理とは、目止めコートを行うことである。
上記の前処理のコート剤層としては、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、ポリエチレン、あるいはポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂あるいはその共重合体ないし変性樹脂、セルロース系樹脂、等をビヒクルの主成分とする樹脂組成物を使用することができる。
上記において、コート剤層の形成法としては、例えば、溶剤型、水性型、エマルジョン型のコート剤を使用し、ロールコート法、グラビアコート法、キスコート法、その他のコート法を用いてコートすることができる。
蒸着方法は、一般に採用されている真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理気相成長法(Physical Vapor Deposition法;PVD法)のほか、熱化学気相成長法、光化学気相成長法等の化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition法;CVD法)、大気圧プラズマ法、等を用いることができる。
図8は、巻取り式の真空蒸着装置の一例を示す概念的構成図である。図8において、真空蒸着装置20は、真空チャンバー22、このチャンバー内に配設された供給ロール23a、巻取りロール23b、コーティングドラム24と、仕切り板29,29で真空チャンバー22と仕切られた蒸着チャンバー25、この蒸着チャンバー25に配設されたるつぼ26、蒸着源30、マスク28,28を備えている。この真空蒸着装置20では、真空チャンバー22の中で、供給ロール23aから繰り出す基材フィルム21は、ガイドロール32aを介してコーティングドラム24の周面を通って巻取りロール23bに巻き取られる。蒸着チャンバー25内では、るつぼ26によって熱せられた蒸着源30から金属原子が飛散する。この蒸発飛散した金属原子は上記の冷却したコーティングドラム24上において、マスク28,28間に位置する基材フィルム21上に付着して金属蒸着層6mを形成する。コーティングドラム24は冷却されているので、金属蒸気は急速に冷却して成膜化される。金属蒸着層6mを形成した基材フィルム21は、ガイドロール32bを介して巻取りロール23bに巻き取られる。
異なる種類の金属材料31,32は、通常、加熱条件を異なる条件とすることが好ましい。同一のるつぼで、あるいは異なるるつぼでも同一条件で加熱する場合は、一方の金属だけが先に蒸発して、望まれる原子数比の合金膜を形成しなくなるからである。
るつぼ27a,27bから蒸発した金属の原子は、基材フィルム21上で、当該二種の金属による合金を形成することになる。錫−鉛(Sn−Pb)、錫−アルミニウム(Sn−Al)、錫−珪素(Sn−Si)合金等による蒸着膜は、このような蒸着方法により形成される。
蒸着層の保護のため、金属蒸着層6m表面にハードコート層を設けてもよい。
まず、透明なベースフィルム11にアンテナパターン2をフォトエッチングや印刷等の工程で製造する。フォトエッチングの場合は、ベースフィルム11にアルミまたは銅箔をラミネートした基材を使用する。アンテナパターンのコイル線幅は、通常0.2mmから1.0mm程度の範囲とし、数ターンの捲線を形成する。次に当該アンテナパターン2の両端部2a,2bにICチップ3を接合する。接合には異方導電性接着剤等を使用する。 ICチップ3を接合したベースフィルム11のアンテナパターン2面には、プラスチックフィルムまたは紙基材からなる表面基材4をラミネートする。
(1)ベースフィルム
透明なプラスチックフィルムを幅広く各種のものを使用でき、以下に挙げる単独フィルムあるいはそれらの複合フィルムを使用できる。
ポリエチレンテレフタレート(PET)、PET−G(テレフタル酸−シクロヘキサンジメタノール−エチレングリコール共重合体)、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ポリスチレン系、ABS、ポリアクリル酸エステル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリウレタン、等である。ベースフィルムの膜厚としては、12〜300μm程度、より好ましくは、20〜200μm程度が望ましい。
ベースフィルムと同様に、上記した各種の材料を使用できる。表面基材の膜厚としては8〜300μm程度、より好ましくは、10〜200μm程度が望ましい。
(3)金属蒸着層を有する基材
プラスチックフィルムや紙基材を幅広く各種のものを使用できる。プラスチックフィルムとしては、ベースフィルムや表面基材と同様に、上記した各種の材料を使用できる。紙基材としては、以下のもの等を使用できる。
上質紙、コート紙、クラフト紙、グラシン紙、合成紙、ラテックスやメラミン含浸紙。
本明細書で接着剤という場合は、溶剤型や重合型、紫外線硬化型、エマルジョン型、熱溶融型等の各種のものをいい、いわゆる粘着剤型のものをも含むものとする。いずれであっても、双方の材料間を接着すれば目的を達成できるからである。
また、本明細書で粘着剤という場合は、徐々に粘度が顕著に上昇することなく、いつまでも中間的なタック状態を保つものをいうものとする。
接着剤、粘着剤の樹脂組成物としては、天然ゴム系、ニトリルゴム系、エポキシ樹脂系、酢酸ビニルエマルジョン系、アクリル系、アクリル酸エステル共重合体系、ポリビニルアルコール系、フェノール樹脂系、等の各種材料を使用できる。
基材6として、予め、コロナ放電処理した厚さ20μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)を海・島構造になるように、膜厚20nmの金属蒸着膜6mを形成した。蒸着チャンバー25内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン(Ar)ガスを蒸着チャンバーへ導入した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:7.2×10-4torr(9.6×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:7nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
(冷却ドラムとは、コーティングドラム24のことである。以下同様。)
非接触ICタグのベースフィルム11として、厚み38μmの透明2軸延伸PETフィルムに25μm厚のアルミニウム箔をドライラミネートした基材を使用し、これに感光性レジストを塗布した後、アンテナパターン2を有するフォトマスクを露光して感光させ、露光現像後、フォトエッチングして図1のようなアンテナパターン2を完成した。
ベースフィルム11のアンテナコイル両端部2a,2bに、平面サイズが1.0mm角、厚み150μmであるICチップ3をフェイスダウンの状態で熱圧をかけて装着し、ベースフィルム11を完成した。なお、アンテナパターン2は外形が、ほぼ45mm×76mmの大きさとなるようにした。
接着剤5a,5bには透明なポリエステル系接着剤を使用した。最後に基材6の背面に、12μmの粘着剤層7を介して剥離紙8を積層する粘着剤加工を行い、大きさ、54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
表面基材4として、予め、コロナ放電処理した厚さ12μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)を海・島構造になるように、膜厚10nmの金属蒸着膜6mを形成した。蒸着チャンバー25内の真空度を目標の真空度にするため、アルゴン(Ar)ガスを蒸着チャンバーに導入した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:7.4×10-4torr(9.9×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:7nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例1と同一条件で、アンテナパターン2を形成し、アンテナパターン2の両端に、同一のICチップ3を装着して、ベースフィルム11を完成した。
上記ベースフィルム11の非接触ICタグ1のICタグ回路形成面に、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介しラミネートした。非接触ICタグ回路とは反対側のベースフィルム11面には、厚み20μmのPETフィルムからなる基材6を接着剤5bを介しラミネートした。
接着剤5a,5bには透明なポリエステル系接着剤を使用した。最後に基材6の背面に、12μmの粘着剤層7を介して剥離紙8を積層する粘着剤加工を行い、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
表面基材4として、予め、コロナ放電処理した厚さ12μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)を海・島構造になるように、膜厚10nmの金属蒸着膜6mを形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:2.6×10-4torr(3.5×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:1nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5a を介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
表面基材4として、予め、コロナ放電処理した厚さ12μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをスパッタリング法蒸着装置に装着し、次いで、2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面の上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)を海・島構造になるように、膜厚15nmの金属蒸着膜6mを形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:9.2×10-4torr(12.0×10-2Pa)
冷却ドラム温度:4°C
蒸着堆積速度:0.2nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
表面基材4として、予め、コロナ放電処理した厚さ12μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをPVD法真空蒸着装置の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)およびアルミニウム(Al)を各々の蒸着源より蒸着し、蒸着層がSn−Al合金からなる海・島構造になるように、膜厚20nmの金属蒸着膜6mを形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:6.7×10-4torr(8.9×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:15nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
表面基材4として、予め、コロナ放電処理した厚さ12μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)およびアルミニウム(Al)を各々の蒸着元より蒸着し、蒸着層がSn−Al合金からなる海・島構造になるように、膜厚10nmの金属蒸着膜6mを形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:4.2×10-4torr(5.6×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:15nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
ベースフィルム11として、予め、実施例1と同一条件にしてアンテナパターン2を形成済みの厚さ38μmの2軸延伸透明PETフィルムを使用した。この基材をPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのアンテナパターン2形成面とは反対側面のコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)を海・島構造になるように蒸着し、膜厚10nmの金属蒸着膜6mを形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:7.4×10-4torr(9.9×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:7nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
ベースフィルム11のアンテナコイル両端部2a,2bに、平面サイズが1.0mm角、厚み150μmであるICチップ3をフェイスダウンの状態で熱圧をかけて装着し、ベースフィルムを完成した。なお、アンテナパターン2は外形が、ほぼ45mm×76mmの大きさとなるようにした。
上記ベースフィルム11の非接触ICタグ1の非接触ICタグ回路形成面に、接着剤5aを介し、厚み12μmの2軸延伸透明PETフィルムからなる表面基材4を接着し、ICタグ回路とは反対側のベースフィルム11面には、厚み20μmのPETフィルムからなる基材6を接着剤5bを介しラミネートした。接着剤5a,5bには透明なポリエステル系接着剤を使用した。最後に基材6の背面に、12μmの粘着剤層7を介して剥離紙8を積層する粘着剤加工を行い、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
表面基材4として、ポリウレタン系水性樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製「MET−W−165C」)をコートした片面コート紙(64g/m2 )を使用した。この表面基材4をPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、そのコート処理面上に、以下の蒸着条件により、錫(Sn)を、海・島構造になるように蒸着し、膜厚10nmの金属蒸着膜6mを形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:7.4×10-4torr(9.9×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:7nm/sec.
蒸着面:アンダーコート面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
(比較例1)
表面基材4として、予め、コロナ放電処理した厚さ12μmの2軸延伸PETフィルムを使用した。まず、上記の2軸延伸PETフィルムをPVD法真空蒸着装置20の送り出しロールに装着し、次いで、これを繰り出し、その2軸延伸PETフィルムのコロナ処理面上に、以下の蒸着条件により、アルミニウム(Al)を膜厚40nmの通常の連続蒸着膜に形成した。
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:3.7×10-4torr(4.9×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:25nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
(比較例2)
(蒸着条件)
蒸着チャンバー内の真空度:6.7×10-4torr(8.9×10-2Pa)
冷却ドラム温度:0°C
蒸着堆積速度:30nm/sec.
蒸着面:コロナ処理面
実施例2と同一条件にして、上記により準備した金属蒸着層を有する表面基材4を金属蒸着面6mが最表面になるようにして接着剤5aを介し非接触ICタグ回路形成面にラミネートした。粘着剤層7、剥離紙8も同様にして形成し、大きさ54mm×86mmに断裁して剥離紙付き非接触ICタグ1を完成した。
なお、実施例5、実施例6においては、錫(Sn)およびアルミニウム(Al)による多源蒸着を行っているが、生成したSn−Al合金をESCA(英国、VG Scientific社製「LAB220i−XL」)で測定したところ、SnとAlの比は原子数において、いずれも100:1〜10の範囲であった。
2 アンテナパターン
3 ICチップ
4 表面基材
5a,5b,5c 接着剤層
6 金属蒸着層を有する基材、基材
6m 金属蒸着層
7 粘着剤層
8 剥離紙
9 第2の表面基材
10 導通部材
11 ベースフィルム
20 真空蒸着装置
21 基材フィルム
22 真空チャンバー
24 コーティングドラム、冷却ドラム
25 蒸着チャンバー
Claims (9)
- 非接触ICタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターン側面に、SnとAlの比が原子数において、100:1〜10の範囲である錫−アルミニウム(Sn−Al)合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- 非接触ICタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターンとは反対側面に、SnとAlの比が原子数において、100:1〜10の範囲である錫−アルミニウム(Sn−Al)合金からなる絶縁性金属蒸着層を有することを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- 非接触ICタグ回路が形成されたベースフィルムのアンテナパターン側面がプラスチックフィルムまたは紙基材で被覆され、当該ベースフィルムの他方側面に粘着剤層を有する非接触ICタグにおいて、前記プラスチックフィルムまたは紙基材の外面が、SnとAlの比が原子数において、100:1〜10の範囲である錫−アルミニウム(Sn−Al)合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材により、さらに被覆されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるICチップが結合され、さらに前記ベースフィルムのアンテナパターン側面に、SnとAlの比が原子数において、100:1〜10の範囲である錫−アルミニウム(Sn−Al)合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するフィルムまたは紙基材が積層されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるICチップが結合され、前記ベースフィルムのアンテナパターンとは反対側面に、SnとAlの比が原子数において、100:1〜10の範囲である錫−アルミニウム(Sn−Al)合金からなる絶縁性金属蒸着層を有することを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- ベースフィルムに形成されたアンテナパターンに非接触通信機能部、制御部およびメモリを備えるICチップが結合され、前記ベースフィルムのアンテナパターン面がプラスチックフィルムまたは紙基材で被覆され、当該ベースフィルムの他方の面に粘着剤層を有する非接触ICタグにおいて、前記プラスチックフィルムまたは紙基材の外面は、SnとAlの比が原子数において、100:1〜10の範囲である錫−アルミニウム(Sn−Al)合金からなる絶縁性金属蒸着層を有するプラスチックフィルムまたは紙基材により、さらに被覆されていることを特徴とする絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- 絶縁性金属蒸着層の表面抵抗率が、1010〜1025Ω/□の範囲であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1の請求項に記載の絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- 絶縁性金属蒸着層表面の粗さを原子間力顕微鏡で測定した場合の中心線平均粗さRaが、10nmを超え、100nm以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1の請求項に記載の絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
- 絶縁性金属蒸着層が海・島構造からなり、当該海・島構造の、島サイズが20nm〜1μm、島間の間隔が10nm〜500nmの範囲であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1の請求項に記載の絶縁性金属層付き非接触ICタグ。
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