JP4844322B2 - 真空封止デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態の真空封止デバイスは、図1(a)に示すように、第1のシリコン基板を用いて形成されたデバイス本体1と、第2のシリコン基板を用いて形成されデバイス本体1の一表面側(図1(a)における上面側)に封着された第1のパッケージ用基板2と、第3のシリコン基板を用いて形成されデバイス本体1の他表面側(図1(a)における下面側)に封着された第2のパッケージ用基板3とを備えている。ここにおいて、デバイス本体1および第1のパッケージ用基板2および第2のパッケージ用基板3の外周形状は矩形状であり、各パッケージ用基板2,3はデバイス本体1と同じ外形寸法に形成されている。
以下、本実施形態の真空封止デバイスについて図5(a),(b)を参照しながら説明するが、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
2 第1のパッケージ用基板
3 第2のパッケージ用基板
4 ゲッタ部
4a ゲッタ粒子
4b バインダ
5 密着層
31 ゲッタ形成用凹部
P 気密パッケージ
Claims (5)
- 気密パッケージ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部により気密パッケージ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、ゲッタ部は、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と、隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなる真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記焼結体のゲッタ粒子を活性化するとともにゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合化層からなるゲッタ部を形成する複合化工程とを有し、前記焼成温度よりもゲッタ粒子とバインダとの密着温度が高く、且つ、当該密着温度よりも前記活性化温度が高いことを特徴とする真空封止デバイスの製造方法。
- 気密パッケージ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部により気密パッケージ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、ゲッタ部は、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と、隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなる真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後で所定の密着温度においてゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程と、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記ゲッタ部のゲッタ粒子を活性化する活性化工程とを有し、前記焼成温度よりも前記密着温度が高く、且つ、前記密着温度よりも前記活性化温度が高いことを特徴とする真空封止デバイスの製造方法。
- 前記複合化工程では、前記バインダを溶融させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させることを特徴とする請求項1または請求項2記載の真空封止デバイスの製造方法。
- 前記複合化工程では、前記ゲッタ粒子と前記バインダとを共晶反応もしくは化合反応させることにより前記ゲッタ粒子と前記バインダとを密着させることを特徴とする請求項1または請求項2記載の真空封止デバイスの製造方法。
- 気密パッケージ内の所定部位に形成された層状のゲッタ部により気密パッケージ内の真空を維持する真空封止デバイスであり、ゲッタ部は、気密パッケージ内の気体を吸着する多数のゲッタ粒子と、隣り合うゲッタ粒子間を繋ぐ多数のバインダとを有する複合化層からなる真空封止デバイスの製造方法であって、ゲッタ粒子およびバインダを溶媒と混合したスラリーを気密パッケージの一部を構成するパッケージ用部材における前記所定部位に塗布する途布工程と、塗布工程の後で所定の焼成温度において前記溶媒を蒸発させて除去するとともにゲッタ部の基礎となる層状の焼結体を形成する焼成工程と、焼成工程の後で焼結体の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程の後で所定の密着温度においてゲッタ粒子とバインダとを密着させて隣り合うゲッタ粒子間がバインダで繋がれた複合層からなるゲッタ部を形成する複合化工程と、複合化工程の後でパッケージ用部材とともに気密パッケージを構成するパッケージ要素とパッケージ用部材とを接合することで気密パッケージを形成する接合工程と、接合工程の後で所定の活性化温度において前記ゲッタ部のゲッタ粒子を活性化する活性化工程とを有し、前記焼成温度よりも前記保護膜の形成温度が高く、且つ、前記形成温度よりも前記活性化温度が高く、且つ、前記活性化温度よりも前記密着温度が高いことを特徴とする真空封止デバイスの製造方法。
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